KR100855782B1 - 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100855782B1
KR100855782B1 KR1020070009158A KR20070009158A KR100855782B1 KR 100855782 B1 KR100855782 B1 KR 100855782B1 KR 1020070009158 A KR1020070009158 A KR 1020070009158A KR 20070009158 A KR20070009158 A KR 20070009158A KR 100855782 B1 KR100855782 B1 KR 100855782B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
data line
liquid crystal
transparent
common electrode
pixel electrode
Prior art date
Application number
KR1020070009158A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080071042A (ko
Inventor
최석
백승준
장순주
전태현
김향율
Original Assignee
비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 filed Critical 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority to KR1020070009158A priority Critical patent/KR100855782B1/ko
Priority to JP2007072719A priority patent/JP5119698B2/ja
Priority to US11/725,952 priority patent/US7982839B2/en
Priority to TW97103016A priority patent/TWI403809B/zh
Priority to CN2010102450372A priority patent/CN101907802B/zh
Priority to CN2008100091503A priority patent/CN101236340B/zh
Publication of KR20080071042A publication Critical patent/KR20080071042A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100855782B1 publication Critical patent/KR100855782B1/ko
Priority to US13/160,882 priority patent/US8139193B2/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • G02F1/133555Transflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134336Matrix
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

본 발명은 액정층에 전압을 인가하여 광 투과량을 조절하기 위하여 화소 영역 내에는 투명 공통전극과 상기 투명 공통전극의 상부에 절연층을 사이에 두고 이격 배치되어 상기 투명 공통전극과 중첩되는 다수개의 슬릿을 구비한 투명 화소전극을 구비하는 FFS 모드 액정표시장치에 있어서, 액정층을 배열하기 위한 러빙 방향은 게이트 라인의 방향을 기준으로 5°이내로 하여 데이터 라인 상부에 차광영역을 제거하고, 데이터 라인과 투명 화소전극 사이에 투명 공통전극의 일 단부가 배치되고 데이터 라인 기준으로 투명 공통전극과 투명 화소전극간의 간격을 조절하는 FFS 모드의 액정표시장치를 제공한다.
FFS, 액정표시장치, 개구율, 반사도

Description

에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법 {Fringe Field Switching mode Liquid Crystal Display and Manufacturing Method Thereof}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 하부 기판에 형성된 화소 영역의 일부 평면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 각각 도 1의 선 I-I', II-II', III-III'을 절취한 단면도들이고, 도 2d는 도 1의 FFS 모드 액정표시장치에서 투명 공통전극, 투명 화소전극, 데이터 라인의 일부분 만을 도시한 도면이다.
도 3a는 종래 기술의 TN 모드에서 데이터 라인 근처에서 발생하는 광 투과율을 시뮬레이션한 결과 그림이고, 도 3b 및 도 3c는 FFS 모드에서 러빙 방향을 바꾼 경우 데이터 라인 근처에서 발생하는 광의 투과율을 시뮬레이션한 결과 그림들이다.
도 4는 도 3c는 본 발명의 실시예의 액정표시장치에 따른 데이터 라인, 투명 화소전극, 투명 공통전극 사이의 배치 관계에 따른 커플링 현상 발생을 설명하기 위한 개념도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예에서 데이터 라인, 투명 화소전극, 투명 공통전극 사이의 배치 관계에 따른 커플링 현상 발생을 도시한 시뮬레이션 결과들 이다.
도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 실시예에서 투명 공통전극의 일 단부가 데이터 라인과 투명 화소전극의 사이에 배열되기 위한 최적 조건을 구하기 위한 시뮬레이션 결과들이다.
도 7a는 본 발명의 실시예에서 데이터 라인에 내부 반사를 증가시키기 위하여 굴곡 형상을 채용한 데이터 라인의 부분 평면도이고, 도 7b는 도 7a의 IV-IV' 의 절취 단면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 하부 기판에 형성된 화소 영역의 게이트 라인 부분의 평면도이다. 도 9는 도 8의 선 V - V'을 절취한 단면도이다.
본 발명은 개구율을 향상시켜 소비 전력을 감소시키고 내부 반사율을 증가시켜 실외 가독성을 향상시킨 FFS 모드 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치(Fringe Field Switching mode LCD : 이하, FFS 모드 LCD)는 인 플레인 스위칭 모드 액정표시장치(In Plane Switching mode LCD; 이하, IPS 모드 LCD)의 낮은 개구율 및 투과율을 개선시키기 위해 제안된 것이다.
FFS 모드 LCD는 공통전극과 화소전극을 ITO와 같은 투명 도전층으로 형성하여 IPS 모드 LCD에 비해 개구율 및 투과율을 높이면서, 공통전극과 화소전극 사이의 간격을 좁게 형성하여 공통전극과 화소전극 사이에서 프린지 필드가 형성되도록 함으로써 전극들 상부에 존재하는 액정 분자들까지도 모두 동작되도록 하여 보다 향상된 투과율을 얻는다. FFS 모드 LCD 액정표시장치에 대한 종래 기술은 예를 들어, 본 출원인에 의하여 출원되고 등록된 미국특허번호 제6256081호, 제6226118호 등에 개시되어 있다.
한편, 액정표시장치는 백라이트를 이용하는 투과형 액정표시장치와 자연광을 광원으로 이용하는 반사형 액정표시장치의 두 종류로 분류할 수 있다. 투과형 액정표시장치는 백라이트를 광원으로 이용하므로 어두운 주변환경에서도 밝은 화상을 구현할 수 있지만 백라이트 사용에 의해 소비전력이 높고 실외에서는 가독성이 나쁘다는 단점이 있으며 반사형 액정표시장치는 백라이트를 사용하지 않고 주변환경의 자연광을 이용하기 때문에 소비전력은 작고 실외에서는 사용이 가능하지만 주변환경이 어두울 때에는 사용이 불가능하다는 단점이 있다.
즉, 일반적인 투과형 액정표시장치는 휘도, 색재현성, CR(Contrast Ratio)등의 면에서 실내에서 우수한 특성을 갖지만 실외에서는 태양빛 및 태양빛에 의해 반사된 빛 등에 의해 디스플레이의 정보를 거의 화면에서 읽을 수 없는데, 야외에서는 태양 광이 10만 LUX 이상의 강한 빛으로 인해 자체적으로 빛을 내지 못하는 투과형 액정표시장치는 백 라이트의 휘도와 패널 투과율에 의존하여 실외 가독성이 떨어질 수 밖에 없다. 이를 해결하기 위해 백라이트의 휘도를 증가시킬 수도 있지만 이는 과도한 전력 소모를 초래하는 문제점이 있다.
이러한 문제점에 의해, 투과형 및 반사형 액정표시장치가 갖는 단점들을 해결하기 위해 반투과형 액정표시장치가 제안되었다. 반투과형 액정표시장치는 필요에 따라 반사형 및 투과형의 양용이 가능하기 때문에 상대적으로 낮은 소비전력을 가지며 어두운 주변환경에서도 사용이 가능하다. 반투과형 액정표시 장치는 예를 들어 동 출원인에 의한 한국등록특허 제666236호에 개시되어 있다.
일반적으로 반투과형 액정표시장치는 투과영역의 셀갭(Cell Gap)과 반사영역의 셀갭을 동일하게 하는 싱글 셀갭 구조와 투과영역의 셀갭을 반사영역의 셀갭 보다 2배 정도 크게 하는 듀얼 셀갭 구조를 이용하는 방식이 설계되고 있다. 그런데, 싱글 셀갭 구조로 동일한 액정 모드를 적용하여 반투과형 액정표시장치를 제조하는 경우에는 반사영역의 위상 지연치가 투과영역 위상 지연치의 2배가 되어 반사 모드의 V-R(Voltage-Reflective) 커브와 투과모드의 V-T(Voltage- Transmittance) 커브가 불일치함으로써 계조 불일치 및 전기광학적 특성 저하가 유발되는 문제점이 있다.
이에 따라 최근에는 투과영역의 셀갭을 반사영역의 셀갭 보다 2배 정도 크게 설계하는 듀얼 셀갭 구조를 이용하여 반투과형 액정 표시장치를 많이 제조하고 있다. 이러한 방식에 의하면 반사 모드의 V-R 커브와 투과모드의 V-T 커브가 일치될 수 있기 때문이다. 그러나, 듀얼 셀갭을 적용하여 반투과형 액정표시장치를 제조할 경우는 반사영역 간 셀갭 차이로 인한 단차가 2배 정도 발생하는 바 액정배향 공정이 불균일하게 이루어지는 등의 제조 공정상의 어려움이 존재하여 생산성이 저하되는 문제점이 있다. 또한, 반투과형 액정표시장치는 그 제조공정도 복잡하고 난해하지만 실내에서 사용하는 경우 개구율이 현저히 떨어지는 문제점이 있었다.
한편, FFS 모드 액정표시장치의 이점과 반투과형 액정표시장치의 이점을 구현하기 위하여 동 출원인에 의해 반투과형 FFS 모드 액정표시장치가 제안되었다. 반투과형 FFS 모드 액정표시장치는 예를 들어 한국공개특허공보 제2006-117465호에 개시되어 있다.
그러나, 반투과형 모드를 FFS 모드 액정표시장치에 적용하는 경우 반사율 증가를 위한 요철부 형성을 위해 레진 공정이 필수적으로 포함되어야 하는 데 레진 공정은 기본적으로 제작 공정상의 오염 문제에서 완전히 벗어날 수 없어 난해한 공정이고 제작비용도 많이 들며, FFS 모드 액정표시장치를 반투과형 모드로 구현하기 위해서는 보상 필름, 편광필름 등의 개발도 이와 같은 구조에 맞추어 선행되어야 하는 등 개발 비용과 개발 시간이 많이 소요되고 있는 실정이다.
이러한 배경하에서 일반적인 투과형 FFS 모드에서의 공정을 가능한 그대로 유지하면서 실외에서의 가독성 등 반투과형 모드 액정표시장치의 특성을 일부 채용할 수 있도록 하는 연구가 필요한 실정이다.
따라서, 본 발명의 목적은 FFS 모드 액정표시장치의 기본적인 특성을 이용하여 일반적인 투과형 FFS 모드 액정표시장치에서의 공정을 크게 변화시키지 않고 실외에서의 가독성을 향상시키는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 개구율을 향상시킴과 동시에 이로 인해 발생하는 빛샘 발생과 커플링 효과를 최소화할 수 있도록 하여 화면 품위를 향상시킬 수 있는 FFS 모드 액정표시장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 내부 반사를 증가시킬 수 있는 FFS 모드 액정표시장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 실내에서는 일반적인 투과형 FFS 모드 액정표시장치보다 개구율을 높여 소비전력을 감소시키는 것이다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 제1 측면은 하부 기판, 상부 기판, 및 상기 기판들 사이에 삽입된 액정층을 포함하고 상기 하부 기판에는 상호 교차하는 방향으로 형성되는 게이트 라인들과 데이터 라인들에 의해 각 화소 영역이 규정되고 상기 게이트 라인 및 데이터 라인들의 교차부에는 스위칭 소자가 배치되어 있는 FFS 모드 액정표시장치에 있어서,
상기 액정층에 전압을 인가하여 광 투과량을 조절하기 위하여 상기 화소 영역 내에는 소정 형상의 투명 공통전극과 상기 투명 공통전극의 상부에 절연층을 사이에 두고 이격 배치되는 다수개의 슬릿을 구비한 투명 화소전극을 구비하되, 상기 액정층을 배열하기 위한 러빙 방향은 상기 게이트 라인의 방향을 기준으로 5°이내로 하고, 상기 데이터 라인을 기준으로 상기 투명 공통전극과 상기 투명 화소전극의 배치를 조절함으로써 빛샘현상과 커플링 효과를 감소시켜 상기 데이터 라인 상부에 차광영역을 제거하며, 상기 데이터 라인과 상기 투명 화소전극 사이에 상기 투명 공통전극의 일 단부가 배치되는 것을 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치를 제공한다.
바람직하게는, 데이터 라인과 상기 투명 화소전극 사이의 거리(L1)와 상기 데이터 라인과 상기 투명 공통전극 사이의 간격(L3)의 비율(L3 / L1)은 0.75 이내고, 데이터 라인과 투명 화소 전극 사이의 거리는 4 ㎛ 이내로 이격되는 것이 바람직하다.
본 발명의 제2 측면은 하부 기판, 상부 기판, 및 상기 기판들 사이에 삽입된 액정층을 포함하고, 상기 하부 기판에는 상호 교차하는 방향으로 형성되는 게이트 라인과 데이터 라인들에 의해 각 화소 영역이 규정되고 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인의 교차부에는 스위칭 소자가 배치되어 있는 FFS 모드 액정표시장치에 있어서,
상기 액정층에 전압을 인가하여 광 투과량을 조절하기 위하여 상기 화소 영역 내에는 투명 공통전극과 상기 투명 공통전극의 상부에 절연층을 사이에 두고 이격 배치되어 상기 투명 공통전극과 중첩되는 다수개의 슬릿을 구비한 투명 화소전극을 구비한 슬릿 타입으로 된 투명 화소전극을 구비하되, 상기 게이트 라인 상 부에는 상기 데이터 라인과 동일한 물질을 이용하여 전기적으로 독립된 형태로 반사 구조물을 제조하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치를 제공한다.
본 발명의 제3 측면은 하부 기판, 상부 기판, 및 상기 기판들 사이에 삽입되는 액정층을 포함하고 상기 하부 기판에는 상호 교차하는 방향으로 형성되는 게이트 라인과 데이터 라인들에 의해 각 화소 영역이 규정되고 상기 라인들의 교차부에는 스위칭 소자가 배치되어 있는 FFS 모드 액정표시장치의 제조방법에 있어서,
하부 기판 상에 투명 공통전극을 형성하는 단계; 상기 투명 공통전극 상부에 게이트 라인, 게이트 절연막, 활성층, 데이터 라인, 층간 절연막, 및 다수개의 슬릿을 구비한 슬릿 타입으로 된 투명 화소전극을 차례로 형성하는 단계; 및 상기 투명 화소전극 상부에 상기 액정층을 배열하기 위한 배향막을 도포하고 러빙하는 단계를 구비하되, 상기 데이터 라인을 기준으로 상기 투명 공통전극과 상기 투명 화소전극의 배치를 이용하여 빛샘 현상과 커플링 효과를 감소시켜 상기 데이터 라인 상부에 차광영역을 제거하되, 상기 데이터 라인과 상기 투명 화소전극 사이에 상기 투명 공통전극의 일 단부가 배치되는 FFS 모드의 액정표시장치의 제조방법을 제공한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부된 도면들을 참조하여 설명한다.
본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는 하부 기판, 상부 기판, 및 하부 기판과 상부 기판 사이에 삽입된 액정층을 포함하고, 하부 기판에는 액정층에 전압을 인가하기 위하여 상호 교차하는 방향으로 형성되는 전극들에 의해 각 화소 영역이 규정되어 있다. 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 하부 기판에 형성된 화소 영역의 평면도이다. 도 2a 내지 도 2c는 각각 도 1의 선 I-I', 선 II-II', 및 III-III'을 절취한 단면도이다.
도 1, 도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 본 실시예의 FFS 모드 액정표시장치는 하부 기판(100) 상에 게이트 라인(120)과 데이터 라인(150)이 교차하도록 배열되고, 게이트 라인(120)과 데이터 라인(150)의 교차부에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(TFT)가 배치되어 있으며, 게이트 라인(120)과 데이터 라인(150)에 의해 규정된 단위 화소 영역 내에는 투명 공통전극(110)과 게이트 라인(120)과 소정 각도를 이루는 다수개의 슬릿을 구비한 투명 화소전극(170)이 층간절연층(160)을 사이에 두고 투명 공통전극(110)과 이격되어 배치된다. 도 1에서는 투명 공통전극(110)을 플레이트 형상으로 제조한 경우를 예로 들어 도시하고 있으나 투명 공통전극(110)도 다수의 슬릿을 구비하는 형상으로 구성하는 것도 가능하다.
도 2d는 도 1의 FFS 모드 액정표시장치에서 식별의 편의를 위해 투명 공통전극(110)과 투명 화소전극(170), 데이터 라인(150) 만을 도시한 도면으로, 투명 화소 전극(170)의 다수개의 슬릿은 게이트 라인(120)과 소정 각(θ)을 이루고 있다. 투명 공통전극(110)과 투명 화소전극(170)은 적어도 층간 절연막(160)에 의 해 서로 절연되어 있다. 게이트 라인(120)과 활성층(140)의 사이에는 게이트 절연막(130)이 구비되어 있다.
한편, 게이트 라인(120)과 이격된 화소 가장자리 부분에는 게이트 라인(120)과 평행하게 공통버스라인(122)이 배열되어 있으며, 이러한 공통버스라인(122)은 투명 공통전극(110)과 전기적으로 연결되어 투명 공통전극(110)에 지속적으로 공통신호를 인가한다.
하부 기판(100) 상부에는 소정 거리 이격되어 상부 기판(200)이 형성되어 있고, 상부 기판(200)에는 차광영역(205), 컬러필터(미도시) 및 오버코트(220)를 구비하여 하부 기판(100)과 다수개의 액정분자를 포함하는 액정층(미도시)을 사이에 두고 서로 합착된다.
이하, 도 1, 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 본 발명의 액정표시장치의 제조방법을 설명한다.
먼저, 하부 기판(100) 상에 투명 도전층을 증착하고 이를 패터닝하여 투명 공통 전극(110)을 형성한다.
또한, 투명 공통 전극(110) 상부에 불투명 금속을 증착한 후, 패터닝을 통해 투명 공통 전극(110) 일측에 게이트 라인(120)을 형성하고, 투명 공통 전극(110)의 일부 영역을 덮는 구조로 공통 버스라인(122)을 형성한다(도 2b 참조).
다음으로, 패터닝된 투명 공통전극(110)과, 게이트 라인(120) 및 공통버스 라인(122)이 형성된 하부기판(100) 전면 상에 게이트 절연막(130)을 증착한 후, 게이트 라인(120)의 상부 게이트 절연막(130) 상에 a-Si층과, n+ a-Si층을 연속 증착한 후 패터닝을 통해 활성층(140)을 형성한다.
또한, 활성층(140)이 패터닝 된 하부기판 전면상에 금속층을 증착한 후 패터닝을 통해 데이터 라인(150)과 소스-드레인 전극(152)을 형성하고, 데이터 라인(150)과 소스-드레인 전극(152)이 형성된 하부기판(100) 상에 층간절연층(160)을 증착한다.
다음으로, 소스-드레인 전극(152)의 일부분이 노출되도록 콘택홀(CN)을 형성한 후 층간절연층(160) 상에 투명 도전층을 증착한다. 이때, 투명 도전층을 패터닝하여, 콘택홀(CN)을 통해 소스-드레인 전극(152)과 투명 화소 전극(170)을 연결하고, 슬릿 형태의 투명 화소전극(170)을 형성한다.
한편, 화소 영역과 대응되는 상부 기판(200)에는 차광영역(205)이 형성되는데, 본 실시예에 의하면 스위칭 소자와 대응되는 상부기판(200)에만 차광영역이 구비되어 있다. 종래 기술에 의하면 게이트 라인(120)과 데이터 라인(150)의 상부에도 차광영역이 형성되는데 비해 본 실시예에서는 데이터 라인(150) 및/또는 게이트 라인(120)과 대응하는 상부 기판(200)에는 차광영역이 형성되지 않는다. 차광영역의 형성지역이 줄어들면 상대적으로 개구율이 증가하는 것은 자명하다.
이하, 본 발명의 실시예에 따라서 데이터 라인 상부에 차광영역을 형성하지 않는 구조에 대해서 상세히 설명한다.
본 실시예에 따른 FFS 모드의 액정표시장치에서는 투명 공통전극(110)과 다수개의 슬릿을 구비한 투명 화소전극(170)이 액정층(미도시)의 배열을 제어하여 결과적으로 액정표시장치의 광 투과율을 화소 단위로 제어할 수 있게 된다.
본 실시예에 의한 액정표시장치의 구조에서는 개구율을 향상시키기 위해 데이터 라인(150) 상부의 상부 기판(200) 영역에는 차광영역을 형성하지 않는 방식을 취한다. 차광영역(예를 들어, 블랙매트릭스(Black Matrix))은 액정 분자를 제어할 수 없는 영역의 빛의 투과를 방지하기 위한 영역으로서 종래 기술에 의하면 데이터 라인(150)의 상부에는 차광영역을 형성하였다. 그러나, 본 실시예에 의하면 FFS 모드 액정표시장치의 기본적인 특성과 러빙 각도 등을 이용하여 차광영역을 제거할 수 있게 되었고, 차광 영역의 제거에 의해 발생할 수 있는 단점을 데이터 라인(150)을 기준으로 투명 공통전극(110)과 투명 화소전극(170)의 최적화된 배치를 통해서 극복하였다.
도 2a는 데이터 라인(150) 부위를 절단한 단면도로서, 도 2a를 참조하면 하부 기판(100) 상에 투명 공통전극(110)이 형성되어 있고, 투명 공통전극(110)의 상부에는 게이트 절연막(130)이 형성되어 있고, 그 상부에는 활성층(140)을 덮는 구조로 데이터 라인(150)이 형성되어 있고, 데이터 라인(150)의 상부에는 층간절연층(160)과 투명 화소전극(170)이 차례로 형성되어 있다.
도 2a에서는 데이터 라인(150)이 활성층(140)을 덮는 구조로 구성되어 있으나, 활성층(140)이 제거된 구조로 이용될 수도 있음은 자명하다. 또한, 차광 영역의 제거와 함께 데이터 라인(150)의 상부면이 반사가 증가할 수 있도록 최상층에 반사도가 높은 물질을 배치하거나 굴곡부를 형성하는 것도 가능하다. 굴곡부의 형성에 대해서는 상세히 후술한다.
한편, 하부 기판(100)과 대응되는 상부 기판(200)에는 상부 기판을 기준으로 컬러필터(미도시), 오버코트층(220)과 배향막(미도시)이 형성되어 있고, 차광 영역은 형성되어 있지 않다.
도 3a 내지 도 3c는 데이터 라인과 그 근처에 공통전극, 화소전극을 배치하여 TN 모드와 FFS 모드에서의 데이터 라인 근처의 광 투과율을 시뮬레이션한 결과들이다.
먼저, 도 3a는 종래 기술의 TN(Twisted Neumetic) 모드에서 데이터 라인 근처에서 발생하는 광 투과율을 시뮬레이션한 결과 그림이다. 도 3a의 상부의 그래프는 하부 영역과 대응되는 영역에서의 광 투과율을 도시하고 있다. 도 3a을 참조하면, 데이터 라인을 기준으로 좌측 화소 전극은 전압 인가 상태(on_state)로 우측 화소전극은 전압 미인가(off_state)로 설정하였고, 액정의 러빙 방향은 일반적으로 채용하는 45°이다.
도 3a의 시뮬레이션 조건에서는 TN 모드의 경우 컬러필터가 구비되는 상부 기판에 공통전극이 형성되고, 노멀리 화이트(Normally White)로 구동된다. 따라서, 도 3a의 경우에 좌측 화소 전극 영역은 전압 인가 상태이므로 투과율이 0이 되어야 하고, 우측 화소 전극 영역은 전압 미인가(off_state)로 최대 투과율을 보여야 하지만 데이터 라인 전압에 영향을 받아 A 부분과 같이 전극 에지 부와 데이터 라인 위쪽에서 빛샘이 발생하게 된다.
따라서, TN 모드의 경우 데이터 라인 상부에 차광영역을 제거하면, 이 데이터 라인 주위에 빛샘이 발생하는 치명적인 문제점이 발생하고 따라서 데이터 라인 상부에 차광영역을 형성할 수 밖에 없다. 그러나, 차광영역을 형성하게 되면 전체 개구율이 감소될 것이라는 점은 자명하다.
그러나, 본 발명자들은 본 발명의 액정제조방법으로 제조된 FFS 모드의 경우 액정의 러빙 방향을 게이트 라인을 기준으로 실질적으로 0°로 배치하게 되면, 데이터 라인, 화소 전극, 공통 전극 간 전압차가 발생했을 시 생기는 전계의 방향이 동일하기 때문에 전계의 크기에 상관없이 빛샘을 차단할 수 있다는 사실을 발견하였다.
도 3b 및 도 3c는 FFS 모드에서 러빙 방향을 각각 0°, 90°(게이트 라인 기준)로 한 경우 데이터 라인 근처에서 발생하는 광의 투과율을 시뮬레이션한 결과 그림들이다. 도 3a 내지 도 3c에서 각 전극 간 간격은 모두 동일하게 설정하였다.
도 3b 및 도 3c를 참조하면, 도 3a와 동일하게 좌측 화소전극은 전압 인가 상태(on_state)로 우측 화소전극은 전압 미인가(off_state)로 설정하였다. 그리고, 액정의 러빙 방향은 도 3b에서는 0°, 도 3c에서는 90°로 설정하였다. 그 결과, 도 3b에서는 화소전극에 인가되는 전압의 온/오프(on/off) 구동에 관계 없이 투과율이 0에 거의 근접하는 것을 볼 수 있는 반면, 도 3c에서는 B 영역에 빛샘 현상이 발생하고 있음을 확인할 수 있다.
특히, 도 3c의 경우는 일반적인 IPS 모드에 해당하는 경우로 설명하는 것도 가능한데, IPS 모드의 경우도 데이터 라인 근처에서는 동일한 전극 배치를 가지게 되기 때문이다. 도 3c에서는 액정의 러빙 방향은 90°이고, 데이터 라인, 화소전 극, 공통전극 간 전압 차에 의해 발생할 수 있는 전계의 방향은 0°로 서로 수직한 방향이다. 따라서, 전극 간 전위차가 발생하였을 경우 90°방향으로 배향되어 있던 액정이 전계 방향인 0°방향으로 회전하게 되고, B 영역과 같이 빛샘 영역이 발생하게 된다.
도 3b 및 도 3c를 참조하면, 데이터 라인 상부에 차광영역을 형성하지 않도록 하기 위해서는 데이터 라인 주변부에서 빛샘이 발생하지 않아야 하는데, TN 모드나 IPS 모드(또는 FFS 모드의 러빙 방향 90°)에서는 데이터 라인과 화소전극, 공통전극 간 발생하는 전계로 인하여 원치 않는 액정 회전이 발생하고 결과적으로 빛샘이 발생하므로 데이터 라인 상부에 차광영역을 형성하는 것은 불가피하였다. 반면, 도 3b를 참조하면, FFS 모드에서 액정 러빙 방향을 0°으로 하는 경우는 데이터 라인 주변부에 빛샘이 발생하는 문제를 피할 수 있게 된다.
한편, 액정 러빙 방향을 0°으로 한 경우로 시뮬레이션을 실시하였으나 실제 적용에 있어서는 구동전압, 응답속도 등을 감안할 때 0 내지 5°이면 데이터 라인 주변부의 빛샘 현상을 거의 대부분 피할 수 있어 바람직한 범위가 되고, 공정 마진을 감안하면 0 내지 2°이내로 구현되는 것이 더욱 바람직하고, 가장 바람직하게는 실질적으로 0°로 한다.
도 4는 본 발명의 FFS 모드에서 데이터 라인, 투명 화소전극, 투명 공통전극 사이의 배치 관계에 따른 커플링 현상 발생을 설명하기 위한 개념도이고, 도 5a 및 도 5b는 데이터 라인, 투명 화소전극, 투명 공통전극 사이의 배치 관계에 따른 커플링 현상 발생을 도시한 시뮬레이션 결과이다.
도 4를 참조하면, 데이터 라인(150)과 투명 화소전극(170) 사이의 거리는 L1으로 표시되어 있고, 데이터 라인(150)과 투명 공통전극(110) 사이의 거리는 L3으로 표시되어 있으며, 투명 공통전극(110)의 일 단부(E)가 투명 화소전극(170) 보다 데이터 라인(150) 쪽으로 나아간 거리는 L2로 표시되어 있다. 따라서, L1 = L2 + L3의 식이 성립한다.
전계를 발생시키는 전극 중에서 투명 공통전극(110)은 고정된 전압 값을 가지기 때문에 데이터 라인(150)이나 투명 화소전극(170)에 전계가 형성되더라도 일정한 전압 차를 유지하기 때문에 화면 품위 저하에 영향을 적게 미친다. 하지만, 데이터 라인(150)이나 투명 화소전극(170)에 인가되는 전압의 경우에는 구동 화면에 따라 불규칙적으로 변화하기 때문에 두 전극 사이에 발생하는 전계에 의한 커플링은 화면 품위 저하를 발생시킬 수 있다.
따라서, 본 실시예에서는 투명 화소전극(170)과 데이터 라인(150) 사이에 투명 공통 전극(110)의 일단부(E)가 위치하도록 설계하여 투명 화소전극(170)과 데이터 라인(150) 간 전계가 직접적으로 형성되어 불안정한 액정 배열을 유도할 수 있는 현상을 완화한다. 투명 화소전극(170)과 데이터 라인(150) 사이에 투명 공통전극(110)을 위치하게 설계하게 되면 투명 화소전극(170)과 데이터 라인(150) 간에 직접적인 전계가 형성되지 않도록 투명 공통전극(110)이 중간자 역할을 하여 전계를 상쇄시켜 주게 된다. 즉, 데이터 라인(150)의 상부에 차광 영역을 제거한 상태에서는 투명 화소전극과(170) 데이터 라인(150) 간에 직접적인 전계가 형성되지 않고, 일정한 전압 값을 갖는 투명 공통전극(110)을 가운데에 위치하게 함으로 써 일정한 전계 형성을 가능하게 하여 불규칙한 커플링에 의한 화면 품위 저하를 막을 수 있게 된다.
다음으로, 투명 공통전극(110)의 일단부(E)가 데이터 라인(150)과 투명 화소전극(170)의 사이에 배열되기 위한 최적 조건에 대해서 도 6a 내지 도 6c의 시뮬레이션 결과를 참조하여 상세히 설명한다.
도 6a 내지 도 6c에서 각각 ① 내지 ⑥으로 표시된 삽입 도면은 각각 다음과 같은 L1, L3 를 가질 때의 시뮬레이션 결과이다. 좀 더 상세하게는, ① L1 = 4 ㎛, L3 = 0 ㎛, ② L1 = 4 ㎛, L3 = 1 ㎛, ③ L1 = 4 ㎛, L3 = 2 ㎛, ④ L1 = 4 ㎛, L3 = 3 ㎛, ⑤ L1 = 4 ㎛, L3 = 4 ㎛, ⑥ L1 = 4 ㎛, L3 = 5 ㎛이다.
한편, 도 6a의 시뮬레이션 자료에서 데이터 라인을 기준으로 오른쪽은 전압비인가 상태(off state)이고 왼쪽은 전압인가 상태(on state)이고, 도 6b는 도 6a의 왼쪽은 전압 비인가 상태(off state)의 확대 도면이고, 도 6c는 오른쪽 전압인가 상태(on state)의 확대 도면이다.
도 6a 내지 도 6c를 참조하면, 전압 인가상태(on state)나 전압 비인가 상태(off state)에서 동시에 커플링 효과를 제거하기 위해서는 데이터 라인(150)과 투명 화소전극(170) 사이의 거리(L1)가 4 ㎛인 경우 데이터 라인(150)과 투명 공통전극(110) 사이의 간격(L3)은 0 내지 3 ㎛m 정도의 범위에 있어야 함을 확인할 수 있다.
따라서, 데이터 라인(150)과 투명 화소전극(170) 사이의 거리(L1)가 변화함에 따라, 이와 동일한 비율로 데이터 라인(150)과 투명 공통전극(110) 사이의 간 격(L3)이 변화할 것이므로, L3 / L1 를 L 로 정의하면, 바람직하게는, L(L3 / L1) 의 범위는 0 내지 0.75 로 한다.
한편, FFS 모드는 데이터 라인(150) 상부에 차광영역을 제거해도 데이터 라인(150)의 전압 변동에 의한 빛샘은 발생하지 않지만, 투명 화소 전극(170)과 데이터 라인(150) 간이 오버랩되었을 경우에는 전극 간 커플링을 야기하여 데이터의 신호 지연 현상, 수직 크로스 토크 및 기생 용량(Cpd) 상승으로 인한 샷-무라(shot mura) 등 화면 품위 저하를 가져올 수 있다.
따라서, 이와 같은 현상을 최소화하면서 공정 능력을 감안하여 투명 화소 전극(170)과 데이터 라인(150)이 오버랩 되지 않기 위한 최소 디자인 룰(Design rule)을 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 데이터 라인(150)과 투명 화소전극(170) 사이의 거리(L1)가 지나치게 넓어지면 액정분자를 제어하지 못하는 영역이 증가하는 것이므로 화면 품위를 저하시키게 된다. 바람직하게는, 데이터 라인(150)과 투명 화소전극(170) 사이의 거리(L1)는 4 ㎛ 이내로 설정한다.
한편, 설계시 필요한 최적의 얼라인 톨러런스(tolerence) 값은 대략 1.5㎛ 정도이므로 데이터 라인(150)과 투명 화소전극(170) 사이의 거리(L1)를 0으로 구현하고자 하는 경우도 설계치는 1.5㎛ 로 한다. 설계치에 따라 진행된 공정은 공정에서의 얼라인에 의해 이와는 다를 수 있음은 물론이다.
한편, 본 실시예에 의하여 데이터 라인 상부에 차광영역을 제거한 후, 추가로 노출된 데이터 라인의 반사도를 높이는 것이 본 실시예의 액정표시 장치의 개구율을 높이면서 실외 가독성을 더욱 향상시킬 수 있게 된다.
이러한 목적을 실현하기 위하여 데이터 라인의 최상부는 반사율이 높은 금속이 노출되도록 하는 한편, 데이트 라인에 의한 내부 반사율을 증가시켜 실외 가독성을 향상시키도록 한다. 내부 반사율을 증가시키기 위하여 데이터 라인으로 입사된 광을 내부로 반사시키기 위하여 데이터 라인에 굴곡 형상의 구조를 형성하는 것이 바람직하다.
도 7a는 데이터 라인에 내부 반사를 증가시키기 위하여 굴곡(엠보싱) 구조를 채용한 데이터 라인의 부분 평면도이고, 도 7b는 도 7a의 IV-IV' 의 절취 단면도이다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 데이터 라인(150)과 활성층(140)이 2중 구조로 되어 있는 상황에서 활성층(140)과 데이터 라인(150)를 절단한 단면도에서, 하부 기판(100) 상에 투명 화소전극(170)이 형성되어 있고, 투명 화소전극(170)의 상부에는 게이트 절연막(130)이 형성되어 있고, 그 상부에는 활성층(140)을 덮는 구조로 데이터 라인(150)이 형성되어 있고, 데이터 라인(150)의 상부에는 층간절연층(160)과 투명 화소전극(170)이 차례로 형성되어 있다.
도 2a에서는 데이터 라인(150)이 활성층(140)을 덮는 구조로 구성되어 있으나, 이와 같은 구조는 데이터 라인(150)을 통해 전송되는 신호의 지연을 줄일 수 있는 효과가 있으나 활성층(140)을 원, 타원 등의 독립된 폐곡선 복수개의 분리된 폐곡선 형상의 패턴들을 형성하여 활성층 패턴(145)을 형성함으로써 활성층 패턴(145)의 상부에 형성되는 데이터 라인(150)이 굴곡 있는 형상을 가지게 되어 굴곡 형상에 의해 내부 반사를 증가시킬 수 있게 된다.
이러한 데이터 라인(150)의 굴곡 형상은 비교적 단순한 방식인 활성층 패턴(145)과 데이터 라인(150)의 2중층 구조에 의해 형성가능하고 별도의 추가 공정이 필요하지 않는 장점이 있다. 즉, 일반적인 투과형 FFS 모드 액정 표시장치의 공정을 크게 변화시키지 않고 유지하면서 내부 반사를 증가시킬 수 있다. 따라서, 데이터 라인(150)의 상부에 차광영역을 형성하지 않는 구성과 더불어 데이터 라인(150)이 굴곡부를 가지도록 함으로써 개구율의 증대와 실외 가독성이 획기적으로 향상될 수 있게 된다.
한편, 하부 기판(100)과 대응되는 상부 기판(200)에는 상부 기판을 기준으로 그 상부에 오버코트층(220)이 형성되어 있고, 차광 영역은 형성되어 있지 않다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 하부 기판에 형성된 화소 영역의 게이트 라인 부분의 평면도이다. 도 9는 도 8의 선 V - V'을 절취한 단면도이다.
내부 반사율을 향상시킴으로써 야외 가독성을 향상시키기 위한 방식으로 게이트 라인(120)의 상부 영역에 차광영역을 제거하고 반사 구조물(300)을 형성한다.
반사 구조물(300)은 게이트 라인(120)을 덮는 구조로 형성된다. 반사 구조물(300)은 데이터 라인(150)의 물질을 이용하여 전기적으로 독립된 형태로 제조한다. 바람직하게는, 활성층의 물질을 이용하여 반사 구조물(300)에 굴곡 형상을 형성한다.
굴곡 형상은 활성층 물질을 이용하여 원, 타원 등의 복수개의 분리된 폐곡선 형상의 패턴들을 형성하여 활성층 패턴들(145)을 만들고, 그 상부에 형성되는 반사 구조물(300)의 데이터 라인의 패턴(155)이 굴곡 있는 형상을 가지게 되어 굴곡 형상에 의해 내부 반사를 증가시킬 수 있게 된다. 즉, 데이터 라인의 패턴(155)의 굴곡 형상은 활성층 패턴들(145)과 데이터 라인 패턴(155)의 2중층 구조에 의해 더욱 효과적으로 구현될 수 있는 것이다. 따라서, 게이드 라인(120)의 상부에 차광영역을 형성하지 않고 반사 구조물(300)인 데이터 라인 패턴(155)이 굴곡부를 가지도록 함으로써 실외 가독성이 획기적으로 향상될 수 있게 된다.
이러한 구조는 일반적인 투과형 FFS 모드 액정 표시장치의 공정을 크게 변화시키지 않고 유지하면서 실외에서 가독성을 향상시킬 수 있도록 할 수 있으므로 별도의 개발을 크게 필요로 하지 않는다는 면에서 유용하다.
또한, 반사 구조물(300)은 전기적으로 독립적으로 형성되며, 게이트 라인(120)을 기준으로 분리된 2개의 영역으로 형성되는 것이 바람직하다. 게이트 라인(120)은 불투명한 금속으로 구성가능하므로 반사 구조물(300)은 이를 기준으로 게이트 라인(120)을 노출시키면서 분리된 영역으로 형성하는 것이 가능하다.
한편, 스위칭 소자의 상부에 형성된 차광영역(205)은 반사구조물(300)을 일정 영역 덮는 방식으로 구현함으로써 공정 마진을 확보할 수 있다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명은 다음과 같은 효과가 있다.
(1) 본 발명에 의하면, 개구율 향상과 내부 반사도를 향상시킴으로써 투과형 FFS 모드 액정표시장치이면서 실외 가독성이 우수하고 소비전력도 절감할 수 있어 실외에서 주로 사용되는 PC, 노트북 PC, PDA, 셀룰러 폰 및 디지털 카메라에 일체화된 디스플레이에 적용할 때 특히 효과적이다.
(2) 본 발명에 의하면, FFS 모드의 특성과 액정 러빙 방향, 투명 화소전극, 데이터 라인, 투명 공통전극의 최적화된 배치를 통해서 빛샘 현상, 커플링 효과를 최소화하여 데이터 라인 상부에 별도의 차광영역을 형성하지 않을 수 있게 되었고 이를 통해 개구율을 획기적으로 향상시킨 효과가 있다.
(3) 데이터 라인 상부에 별도의 차광영역을 형성하지 않는 것과 더불어 차광영역이 형성되지 않은 데이터 라인 부위에 입사되는 광의 내부 반사를 증가시키기 위하여 데이터 라인 자체의 반사도를 증가시키고 데이터 라인에 일정 모양의 굴곡을 갖도록 함으로써 내부 반사가 증가되는 효과가 있다.
(4) 별도의 증착공정 등을 사용하지 않고 FFS 모드 액정표시 장치를 제작하기 위하여 증착되는 활성층을 패터닝하고 그 상부에 증착되는 데이터 라인이 굴곡 형상을 갖도록 구성함으로써 공정의 복잡한 변화 없이 손쉽게 내부 반사를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
(5) 내부 반사를 향상시켜 실외 가독성을 향상시키기 위하여 게이트 라인의 상부에 차광영역을 형성하지 않고 데이터 라인으로 반사 구조물을 형성하는 한편, 활성층 물질을 이용하여 복수개의 분리된 폐곡선 형상의 패턴들을 구비함으로써 그 상부에 형성되는 데이터 라인 물질의 반사 구조물에 굴곡 형상을 갖도록 구성함으로써 공정의 복잡한 변화 없이 손쉽게 내부 반사를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (18)

  1. 하부 기판, 상부 기판, 및 상기 기판들 사이에 삽입된 액정층을 포함하고 상기 하부 기판에는 상호 교차하는 방향으로 형성되는 게이트 라인들과 데이터 라인들에 의해 각 화소 영역이 규정되고 상기 게이트 라인 및 데이터 라인들의 교차부에는 스위칭 소자가 배치되어 있는 FFS 모드 액정표시장치에 있어서,
    상기 액정층에 전압을 인가하여 광 투과량을 조절하기 위하여 상기 화소 영역 내에는 투명 공통전극과 상기 투명 공통전극의 상부에 절연층을 사이에 두고 이격 배치되는 다수개의 슬릿을 구비한 투명 화소전극을 구비하되,
    상기 액정층을 배열하기 위한 러빙 방향은 상기 게이트 라인의 방향을 기준으로 5°이내로 하고,
    상기 데이터 라인을 기준으로 상기 투명 공통전극과 상기 투명 화소전극의 배치를 조절함으로써 빛샘현상과 커플링 효과를 감소시켜 상기 데이터 라인 상부에 차광영역을 제거하며,
    상기 데이터 라인과 상기 투명 화소전극 사이에 상기 투명 공통전극의 일 단부가 배치되는 것을 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 데이터 라인과 상기 투명 화소전극 사이의 거리(L1)에 대한 상기 데이터 라인과 상기 투명 공통전극 사이의 간격(L3)의 비율(L3 / L1)은 0.75 이내인 것을 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 데이터 라인과 상기 투명 화소전극 사이의 거리는 4 ㎛ 이내로 이격된 것을 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 액정층을 배열하기 위한 러빙 방향은 상기 게이트 라인의 방향을 기준으로 2°이내로 유지하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 투명 화소 전극의 상기 다수개의 슬릿은 상기 게이트 라인과 소정 각을 이루는 것을 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 데이터 라인의 하부에 활성층은 복수개의 분리된 폐곡선 형상의 패턴들을 구비함으로써 상기 데이터 라인이 굴곡 있는 형상을 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 게이트 라인 상부에는 상기 데이터 라인과 동일한 물질을 이용하여 전기적으로 독립된 반사 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 반사 구조물은 상기 게이트 라인을 기준으로 2개의 영역으로 분리된 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 반사 구조물 하부에 활성층을 이용하여 형성된 복수개의 분리된 폐곡선 형상의 패턴들을 구비함으로써 상기 반사 구조물이 굴곡 있는 형상을 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치.
  10. 하부 기판, 상부 기판, 및 상기 기판들 사이에 삽입된 액정층을 포함하고, 상기 하부 기판에는 상호 교차하는 방향으로 형성되는 게이트 라인과 데이터 라인들에 의해 각 화소 영역이 규정되고 상기 게이트 라인과 상기 데이터 라인의 교차부에는 스위칭 소자가 배치되어 있는 FFS 모드 액정표시장치에 있어서,
    상기 액정층에 전압을 인가하여 광투과량을 조절하기 위하여 상기 화소 영역 내에는 투명 공통전극과 상기 투명공통 전극의 상부에 절연층을 사이에 두고 이격 배치되는 다수개의 슬릿을 구비한 슬릿 타입으로 된 투명 화소전극을 구비하되,
    상기 데이터 라인 상부와 상기 게이트 라인 상부에 차광영역을 제거하되,
    상기 게이트 라인 상부에는 상기 데이터 라인의 물질을 이용하여 전기적으로 독립된 형태로 반사 구조물을 제조하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 액정층을 배열하기 위한 러빙 방향은 상기 게이트 라인의 방향을 기준으로 2°이내로 유지하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 반사 구조물 하부에 활성층을 이용한 복수개의 분리된 폐곡선 형상의 패턴들을 구비함으로써 상기 반사구조물이 굴곡 있는 형상을 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 반사 구조물은 상기 게이트 라인을 기준으로 2개의 영역으로 분리된 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 데이터 라인과 상기 투명 화소전극 사이의 거리(L1)와 상기 데이터 라인과 상기 투명 공통전극 사이의 간격(L3)의 비율(L3 / L1)은 0.75 이내인 것을 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치.
  15. 하부 기판, 상부 기판, 및 상기 기판들 사이에 삽입되는 액정층을 포함하고 상기 하부 기판에는 상호 교차하는 방향으로 형성되는 게이트 라인과 데이터 라인들에 의해 각 화소 영역이 규정되고 상기 라인들의 교차부에는 스위칭 소자가 배치되어 있는 FFS 모드 액정표시장치의 제조방법에 있어서,
    기판 상에 투명 공통전극을 형성하는 단계;
    상기 투명 공통전극 상부에 게이트 라인, 게이트 절연막, 활성층, 데이터 라인, 층간 절연막, 및 다수개의 슬릿을 구비한 투명 화소전극을 차례로 형성하는 단계; 및
    상기 투명 화소전극 상부에 상기 액정층을 배열하기 위해 배향막을 도포한 후 러빙하는 단계를 구비하되,
    상기 데이터 라인을 기준으로 상기 투명 공통전극과 상기 투명 화소전극의 배치를 이용하여 빛샘 현상과 커플링 효과를 감소시켜 상기 데이터 라인 상부에 차광영역을 제거하되,
    상기 데이터 라인과 상기 투명 화소전극 사이에 상기 투명 공통전극의 일 단부가 배치되고,
    상기 데이터 라인과 상기 투명 화소전극 사이의 거리(L1)와 상기 데이터 라인과 상기 투명 공통전극 사이의 간격(L3)의 비율(L3 / L1)은 0.75 이내인 것을 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치의 제조방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 데이터 라인을 형성하는 단계에서는, 상기 게이트 라인 상부에 상기 데이터 라인과 동일한 물질을 이용하여 전기적으로 독립된 반사 구조물을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치의 제조방법.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 활성층을 형성하는 단계에서, 상기 게이트 라인의 상부와 상기 데이터 라인의 하부에 상기 활성층을 이용하여 복수개의 분리된 폐곡선 형상의 패턴들을 형성함으로써 그 상부에 각각 형성되는 상기 반사구조물과 상기 데이터 라인에 굴곡 있는 형상이 구비되는 것을 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치의 제조방법.
  18. 제15 항에 있어서,
    상기 액정층을 배열하기 위한 러빙 방향은 상기 게이트 라인의 방향을 기준으로 5°이내인 것을 특징으로 하는 FFS 모드의 액정표시장치의 제조방법.
KR1020070009158A 2007-01-29 2007-01-29 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법 KR100855782B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070009158A KR100855782B1 (ko) 2007-01-29 2007-01-29 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법
JP2007072719A JP5119698B2 (ja) 2007-01-29 2007-03-20 Ffsモード液晶表示装置及びその製造方法
US11/725,952 US7982839B2 (en) 2007-01-29 2007-03-20 Fringe field switching mode liquid crystal display and manufacturing method thereof
TW97103016A TWI403809B (zh) 2007-01-29 2008-01-25 邊緣電場切換模式液晶顯示器及其製造方法
CN2010102450372A CN101907802B (zh) 2007-01-29 2008-01-29 边缘场切换模式液晶显示器及其制造方法
CN2008100091503A CN101236340B (zh) 2007-01-29 2008-01-29 边缘场切换模式液晶显示器及其制造方法
US13/160,882 US8139193B2 (en) 2007-01-29 2011-06-15 Fringe field switching mode liquid crystal display and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070009158A KR100855782B1 (ko) 2007-01-29 2007-01-29 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080024529A Division KR101202058B1 (ko) 2008-03-17 2008-03-17 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080071042A KR20080071042A (ko) 2008-08-01
KR100855782B1 true KR100855782B1 (ko) 2008-09-01

Family

ID=39667544

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070009158A KR100855782B1 (ko) 2007-01-29 2007-01-29 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7982839B2 (ko)
JP (1) JP5119698B2 (ko)
KR (1) KR100855782B1 (ko)
CN (1) CN101236340B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101010782B1 (ko) * 2008-12-09 2011-01-25 하이디스 테크놀로지 주식회사 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법
US8289489B2 (en) 2009-08-17 2012-10-16 Hydis Technologies Co., Ltd. Fringe-field-switching-mode liquid crystal display and method of manufacturing the same

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8212954B2 (en) * 2007-11-21 2012-07-03 Sony Corporation Liquid crystal display device
KR101005131B1 (ko) * 2008-10-16 2011-01-04 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치
KR101219821B1 (ko) * 2009-08-17 2013-01-08 하이디스 테크놀로지 주식회사 Ffs 모드 액정표시장치 및 그 제조방법
US8259249B2 (en) * 2009-10-12 2012-09-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Display substrate, method of manufacturing the display substrate and display device having the display substrate
JP2011237671A (ja) * 2010-05-12 2011-11-24 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置
KR101794649B1 (ko) * 2010-12-28 2017-11-08 엘지디스플레이 주식회사 에프 에프 에스 방식 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
WO2012118513A1 (en) * 2011-03-03 2012-09-07 Apple Inc. Display screen shield line system
CN102637630B (zh) * 2011-05-20 2014-02-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法
KR101877448B1 (ko) * 2011-06-30 2018-07-12 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법
KR101527257B1 (ko) * 2011-09-27 2015-06-10 하이디스 테크놀로지 주식회사 반투과형 액정표시장치
KR101863759B1 (ko) 2011-09-29 2018-06-04 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN102629058B (zh) * 2011-12-31 2013-06-19 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、液晶显示装置及取向摩擦方法
TWI474076B (zh) 2012-09-24 2015-02-21 Au Optronics Corp 邊際場切換式液晶顯示面板
CN103901676B (zh) * 2012-12-31 2016-12-28 厦门天马微电子有限公司 边缘场开关模式液晶显示装置
KR20140108026A (ko) * 2013-02-28 2014-09-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 반도체 장치, 유기 발광 표시 장치, 및 이의 제조 방법
CN103969890B (zh) * 2013-09-04 2016-08-24 上海天马微电子有限公司 一种tft阵列基板及显示面板、显示装置
JP6257259B2 (ja) 2013-10-18 2018-01-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN103715095B (zh) * 2013-12-27 2016-01-20 北京京东方光电科技有限公司 掩膜版组、薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置
CN109387985B (zh) * 2014-03-14 2022-05-17 群创光电股份有限公司 显示装置
TWI537656B (zh) 2014-03-14 2016-06-11 群創光電股份有限公司 顯示裝置
US10324345B2 (en) * 2014-03-14 2019-06-18 Innolux Corporation Display device and display substrate
TWI521259B (zh) * 2014-12-05 2016-02-11 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製造方法
KR102334394B1 (ko) * 2015-01-08 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
CN105161504B (zh) * 2015-09-22 2019-01-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
KR102148491B1 (ko) 2015-12-14 2020-08-26 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판
JP6476269B2 (ja) * 2017-12-01 2019-02-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20200110573A (ko) * 2019-03-15 2020-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020063498A (ko) * 2001-01-29 2002-08-03 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정표시장치
KR20030019667A (ko) * 2001-08-29 2003-03-07 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20040022287A (ko) * 2002-09-03 2004-03-12 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 횡전계 모드 액정표시장치

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW479151B (en) * 1996-10-16 2002-03-11 Seiko Epson Corp Substrate for liquid crystal device, the liquid crystal device and projection-type display
US6226118B1 (en) * 1997-06-18 2001-05-01 Olympus Optical Co., Ltd. Optical microscope
KR100325065B1 (ko) * 1998-06-30 2002-08-24 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 고휘도및광시야각을갖는반사형액정표시장치
JP2000031305A (ja) * 1998-07-14 2000-01-28 Mitsubishi Electric Corp And型不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
KR100476044B1 (ko) * 2000-12-05 2005-03-10 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 개구율이 향상된 액정표시장치
KR100746140B1 (ko) * 2000-12-28 2007-08-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP2003015146A (ja) * 2001-07-04 2003-01-15 Hitachi Ltd 液晶表示装置
KR100494702B1 (ko) * 2001-12-26 2005-06-13 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 스위칭 액정표시장치
KR101012494B1 (ko) * 2003-04-04 2011-02-08 엘지디스플레이 주식회사 반사투과형 액정표시장치
KR100617612B1 (ko) * 2003-08-26 2006-09-01 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 에프에프에스 모드 액정표시장치
KR100653474B1 (ko) * 2003-09-26 2006-12-04 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 스위칭 액정표시장치
JP4381782B2 (ja) * 2003-11-18 2009-12-09 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
KR100617613B1 (ko) * 2004-02-16 2006-09-01 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치
KR100577799B1 (ko) * 2004-02-16 2006-05-11 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 구동 모드 액정표시장치에서의 편광축 및 러빙축을 배열하는 방법
KR20060046241A (ko) * 2004-06-29 2006-05-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자
KR100648223B1 (ko) 2005-05-11 2006-11-24 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반투과형 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치
KR100666236B1 (ko) 2005-09-29 2007-01-10 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 반사율 향상을 위한 반투과형 액정표시장치
KR101222955B1 (ko) * 2005-12-28 2013-01-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020063498A (ko) * 2001-01-29 2002-08-03 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 액정표시장치
KR20030019667A (ko) * 2001-08-29 2003-03-07 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 프린지 필드 스위칭 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20040022287A (ko) * 2002-09-03 2004-03-12 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 횡전계 모드 액정표시장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101010782B1 (ko) * 2008-12-09 2011-01-25 하이디스 테크놀로지 주식회사 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법
US8289489B2 (en) 2009-08-17 2012-10-16 Hydis Technologies Co., Ltd. Fringe-field-switching-mode liquid crystal display and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN101236340A (zh) 2008-08-06
US8139193B2 (en) 2012-03-20
US20080180624A1 (en) 2008-07-31
US20110244751A1 (en) 2011-10-06
US7982839B2 (en) 2011-07-19
KR20080071042A (ko) 2008-08-01
CN101236340B (zh) 2011-07-06
JP2008186006A (ja) 2008-08-14
JP5119698B2 (ja) 2013-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100855782B1 (ko) 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법
US7567329B2 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR100806475B1 (ko) 액정 장치 및 전자기기
KR100397399B1 (ko) 반투과형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
US6912024B2 (en) Array substrate of liquid crystal display device having thin film transistor on color filter structure and method of fabricating the same
US8576361B2 (en) Transreflective liquid crystal display device and fabricating method thereof having uneven patterns consisting of organic material in the reflective portion
KR101287702B1 (ko) 반사투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US7781857B2 (en) Transflective LCD panel, transmissive LCD panel, and reflective LCD panel
TWI403809B (zh) 邊緣電場切換模式液晶顯示器及其製造方法
KR101202058B1 (ko) 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법
US7164456B2 (en) Liquid crystal display device and method of fabricating the same wherein having particular reflective electrode
KR101010782B1 (ko) 에프에프에스 모드 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100692689B1 (ko) 반투과형 액정표시장치
JP5291913B2 (ja) 半透過型液晶表示パネルの製造方法
KR100957588B1 (ko) 반투과형 액정표시장치 및 그 제조 방법
KR20080086118A (ko) 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20030049986A (ko) 반투과형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR100948621B1 (ko) 반사-투과형 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR100975132B1 (ko) 액정 표시 장치
KR100919383B1 (ko) Ffs모드 액정표시장치
KR20030057638A (ko) 반투과형 액정 표시 장치
KR101714413B1 (ko) 횡전계 모드 반사투과형 액정표시장치
KR20110070535A (ko) 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20080060948A (ko) 액정패널
KR20080002421A (ko) 반투과 액정표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120709

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130711

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160718

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170719

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180724

Year of fee payment: 11