TWI537656B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI537656B
TWI537656B TW103141941A TW103141941A TWI537656B TW I537656 B TWI537656 B TW I537656B TW 103141941 A TW103141941 A TW 103141941A TW 103141941 A TW103141941 A TW 103141941A TW I537656 B TWI537656 B TW I537656B
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李宜錦
張鴻光
高毓謙
朱瑞清
宋立偉
黃惠敏
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群創光電股份有限公司
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Description

顯示裝置
本發明係有關於一種顯示裝置。
隨著數位科技的發展，顯示裝置已被廣泛地應用在日常生活的各個層面中，例如其已廣泛應用於電視、筆記本、電腦、行動電話、智慧型手機等現代化資訊設備，且此顯示裝置不斷朝著高解析度與輕、薄與窄邊框的方向發展。
為了追求高解析度與解決習知液晶顯示器之視角過小的缺點，業界提出一種共平面切換(In-Plane-Switching、IPS)型影像顯示裝置，其利用對液晶分子施加與基板平行方向之電場之方式控制液晶分子之排列方向，進而達到較廣之視角示影像。然而，目前高解析度的共平面切換型影像顯示裝置，仍存在著較低穿透率、較低對比度、顏色偏移、以及畫面閃爍等問題。
本發明提供一種顯示裝置，包括：一開關。其中，該開關包含：一閘極；一主動層，設置於該閘極上，其中該閘極至少一邊緣與該主動層邊緣距離係1.2至3μm；一源極，連接該主動層；以及，一汲極，連接該主動層，該汲極包含一連接部、一傾斜部與一延伸部，其中該傾斜部位於該連接部與該延伸部之間，且至少部分該傾斜部與該閘極重疊。
為讓本發明之特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
100‧‧‧顯示裝置
101‧‧‧第一基板
102‧‧‧基板
103‧‧‧第二基板
104‧‧‧顯示區
105‧‧‧非顯示區
106‧‧‧驅動單元
107‧‧‧閘極驅動電路
108‧‧‧走線區
108a‧‧‧第一線路區
108b‧‧‧第二線路區
108c‧‧‧第三線路區
109‧‧‧測試墊
110‧‧‧線路/訊號線組
110A‧‧‧線路
110B‧‧‧線路
110C‧‧‧第一區塊線路
110D‧‧‧第二區塊線路
111‧‧‧閘極訊號輸出接點
112‧‧‧第一導線
113A‧‧‧區域
113B‧‧‧區域
114‧‧‧第二導線
115‧‧‧外部接腳連接區
116‧‧‧第一導電圈
118‧‧‧第二導電圈
120‧‧‧框膠
120A‧‧‧直線部
120B‧‧‧U形部
122‧‧‧外圍邊界
122A‧‧‧第一邊界
122B‧‧‧第二邊界
122C‧‧‧第三邊界
123‧‧‧交界
124‧‧‧預定切割道
126‧‧‧第一透明基板
127‧‧‧直線部與U形部交界
128‧‧‧遮光層
130‧‧‧彩色濾光層
130A‧‧‧彩色濾光層
130B‧‧‧彩色濾光層
130C‧‧‧彩色濾光層
130D‧‧‧第一彩色濾光層
130E‧‧‧第二彩色濾光層
132‧‧‧平坦層
134‧‧‧第二透明基板
136‧‧‧絕緣層
138‧‧‧液晶材料
140‧‧‧間隔牆
142‧‧‧主間隔物
142T‧‧‧頂面
142TE‧‧‧邊緣
142B‧‧‧底面
144‧‧‧轉角區
146‧‧‧長條區
148‧‧‧第一配向層
150‧‧‧第二配向層
154‧‧‧第一基板側壁
156‧‧‧第一切割裂紋表面
157‧‧‧第一中介裂紋表面
158‧‧‧第一壓裂紋表面
160‧‧‧切割穩定區
160A‧‧‧第一穩定區
160B‧‧‧第二穩定區
160C‧‧‧第三穩定區
161‧‧‧間隔物
162‧‧‧平坦層
163‧‧‧短邊
165‧‧‧長邊
164‧‧‧第二基板側壁
166‧‧‧第二切割裂紋表面
167‧‧‧第二中介裂紋表面
168‧‧‧第二壓裂紋表面
170‧‧‧測試線路
172‧‧‧第一接觸墊
174‧‧‧第二接觸墊
176‧‧‧第一電路
178‧‧‧第二電路
180‧‧‧電路板
1B-1B‧‧‧線段
1B‧‧‧區域
201‧‧‧顯示裝置母板
202‧‧‧第一導電區塊
204‧‧‧第二導電區塊
205‧‧‧第一貫孔
206‧‧‧介電層
206A‧‧‧介電層
206B‧‧‧介電層
207‧‧‧第二貫孔
208‧‧‧保護層
209‧‧‧第三貫孔
210‧‧‧導電層
211‧‧‧連接層
211A‧‧‧第四貫孔
212‧‧‧平坦層
213‧‧‧第五貫孔
215‧‧‧液晶層
3-3‧‧‧線段
300‧‧‧第一區
300A‧‧‧區塊
300B‧‧‧區塊
300Aa‧‧‧子區塊
300Ab‧‧‧子區塊
302‧‧‧第二區
302A‧‧‧區塊
302B‧‧‧區塊
304‧‧‧主間隙
306‧‧‧第一間隙
308‧‧‧區塊內間隙
310‧‧‧線路內間隙
312‧‧‧第二間隙
320‧‧‧閘極線
322‧‧‧資料線
324‧‧‧開關
326‧‧‧閘極
328‧‧‧主動層
330‧‧‧源極
332‧‧‧汲極
332A‧‧‧連接部
332B‧‧‧傾斜部
332C‧‧‧延伸部
334‧‧‧畫素
336‧‧‧第一透明電極
338‧‧‧第二透明電極
338A‧‧‧指部
338B‧‧‧連結部
340‧‧‧第一開口
342‧‧‧第二開口
344‧‧‧第三開口
346‧‧‧閘極絕緣層
348‧‧‧第一保護層
350‧‧‧平坦層
352‧‧‧第二保護層
354‧‧‧底切
356‧‧‧交點
358‧‧‧底切
400‧‧‧畫素
402‧‧‧次畫素
402R‧‧‧次畫素列
402R1‧‧‧次畫素列
402R2‧‧‧次畫素列
402C‧‧‧次畫素欄
404‧‧‧矩陣部
404R‧‧‧矩陣部列
404C‧‧‧矩陣部欄
406‧‧‧加大部
406A‧‧‧主加大部
406AE‧‧‧邊緣
406B‧‧‧次加大部
406BE‧‧‧邊緣
408‧‧‧交會處
410‧‧‧次間隔物
410B‧‧‧底面
410BE‧‧‧邊緣
410T‧‧‧頂面
412‧‧‧粗糙區
412E‧‧‧邊緣
414‧‧‧摩擦方向
416‧‧‧次畫素區域
A1‧‧‧接觸面積
A-A’‧‧‧切線
B-B’‧‧‧切線
C-C’‧‧‧切線
D1‧‧‧距離
D2‧‧‧距離
D3‧‧‧距離
D4‧‧‧距離
D5‧‧‧距離
D6‧‧‧距離
D7‧‧‧距離
D8‧‧‧距離
D9‧‧‧距離
D10‧‧‧距離
D11‧‧‧距離
D12‧‧‧距離
D13‧‧‧距離
D14‧‧‧距離
D15‧‧‧距離
D16‧‧‧距離
D17‧‧‧距離
Da‧‧‧距離
Dc‧‧‧距離
De‧‧‧距離
Df‧‧‧距離
Dg‧‧‧距離
Dh‧‧‧距離
E-E’‧‧‧切線
F-F’‧‧‧切線
G-G’‧‧‧切線
G1‧‧‧第一間隙
G2‧‧‧第二間隙
H-H’‧‧‧切線
H1‧‧‧高度
H2‧‧‧高度
H3‧‧‧高度
H4‧‧‧高度
H5‧‧‧高度
H6‧‧‧距離
H7‧‧‧距離
H8‧‧‧高度
H9‧‧‧距離
H10‧‧‧距離
M‧‧‧導電層
M1‧‧‧第一導電層
M2‧‧‧第二導電層
L‧‧‧長度
L1‧‧‧第一導電區塊之長度
L2‧‧‧第二導電區塊之長度
La‧‧‧長度
Lx‧‧‧長度
Ly‧‧‧長度
Q‧‧‧第四方向
S1‧‧‧第一側
S2‧‧‧第二側
S3‧‧‧交界
S4‧‧‧第一側
S5‧‧‧第二側
T1‧‧‧厚度
T2‧‧‧厚度
T3‧‧‧厚度
T4‧‧‧厚度
T01‧‧‧厚度
T11‧‧‧厚度
T12‧‧‧厚度
T13‧‧‧厚度
T02‧‧‧厚度
T21‧‧‧厚度
T22‧‧‧厚度
T23‧‧‧厚度
V1‧‧‧導孔
V2‧‧‧導孔
V3‧‧‧導孔
W0‧‧‧寬度
W0’‧‧‧寬度
W1‧‧‧第一導線之線寬
W11‧‧‧寬度
W2‧‧‧第二導線之線寬
W3‧‧‧第一導線及第二導線重疊的寬度
W4‧‧‧寬度
W5‧‧‧寬度
W6‧‧‧寬度
W7‧‧‧寬度
W8‧‧‧寬度
W9‧‧‧寬度
Wa‧‧‧寬度
Wb‧‧‧寬度
Wc‧‧‧寬度
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向
Z‧‧‧第三方向
θ 1‧‧‧第一夾角
θ 2‧‧‧第二夾角
θ 3‧‧‧第三夾角
θ 4‧‧‧第四夾角
θ 5‧‧‧夾角
θ 6‧‧‧夾角
第1圖係本發明一實施例所述之顯示裝置的平面示意圖。
第2圖係顯示第1圖所述之開關之部份放大示意圖。
第3圖係本發明另一實施例所述之顯示裝置的平面示意圖。
第4圖係顯示第3圖所述之畫素及其相鄰閘極線與資料線的的放大示意圖。
第5圖係顯示根據本發明一實施例所述之畫素其平面示意圖。
第6圖係為本發明其他實施例所述在開關部份的畫素放大示意圖。
第7A圖係顯示第6圖所述結構沿切線F-F’的剖面結構示意圖。
第7B圖係顯示第6圖所述結構沿切線G-G’的剖面結構示意圖。
第8圖係為本發明其他實施例所述在開關部份的畫素放大示意圖。
第9圖係顯示第8圖所述結構沿切線H-H’的剖面結構示意圖。
第10圖係本發明一實施例所述之顯示裝置的上視示意圖。
第11圖係顯示第10圖所述之顯示裝置自X方向之側視結構示意圖。
第12A-12D圖係顯示第10圖所述之顯示裝置沿切線E-E’的剖 面結構示意圖。
第13圖係本發明另一實施例所述之顯示裝置沿切線E-E’的剖面結構示意圖。
第14圖係為一顯示裝置母板的上視示意圖，該顯示裝置母板經進行切割製程後可得本發明第10圖所述之顯示裝置。
第15A至15F圖係為本發明實施例所述之顯示裝置母板的第二穩定區160B之放大示意圖。
第16圖係本發明另一實施例所述之顯示裝置的上視示意圖。
第17圖係本發明一實施例所述之具有測試線路之顯示裝置的上視示意圖。
第18及19圖係本發明其他實施例所述之具有測試線路之顯示裝置的上視示意圖。
第20A圖係本發明實施例之顯示裝置之上視圖。
第20B圖係第20A圖之顯示裝置之部分放大圖。
第21圖係本發明實施例之測試墊之上視圖。
第22A-22B圖係第21圖之測試墊沿著線段3-3之剖面圖。
第23圖係本發明另一實施例之測試墊之上視圖。
第24圖係本發明另一實施例之測試墊之上視圖。
第25圖係本發明另一實施例之測試墊之上視圖。
第26圖係本發明另一實施例之測試墊之上視圖。
第27圖係本發明一實施例所述之顯示裝置的上視圖。
第28A圖係顯示第27圖所述之顯示裝置沿切線A-A’的剖面結 構示意圖。
第28B及28C圖係本發明其他實施例所述之顯示裝置沿切線A-A’的剖面結構示意圖。
第29圖係本發明另一實施例所述之顯示裝置的上視圖。
第30A圖係顯示第29圖所述之顯示裝置沿切線B-B’的剖面結構示意圖。
第30B及30C圖係本發明其他實施例所述之顯示裝置其沿切線B-B’的剖面結構示意圖。
第31圖係本發明又一實施例所述之顯示裝置的上視圖。
第32圖係顯示第31圖所述之顯示裝置沿切線C-C’的剖面結構示意圖。
第33及34圖係本發明其他實施例所述之顯示裝置母板的上視圖。
第35A圖係本發明實施例之上視圖。
第35B圖係沿著第35A圖之線段1B-1B所繪製之剖面圖。
第36圖係本發明另一實施例之上視圖。
第37圖係本發明另一實施例之剖面圖。
第38圖係本發明另一實施例之剖面圖。
第39圖係本發明另一實施例之剖面圖。
第40A圖係本揭露實施例之顯示裝置之上視圖。
第40B圖係第40A圖之顯示裝置之部分加大圖。
第40C圖係第40B圖之顯示裝置中未具有加大部之示意圖。
第41A圖係本揭露實施例之顯示裝置之剖面圖。
第41B圖係本揭露實施例之顯示裝置之上視圖。
第41C圖係本揭露實施例之顯示裝置之側視圖。
第42A圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之上視圖。
第42B圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之側視圖。
第43圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之上視圖。
第44圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之上視圖。
第45圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之上視圖。
第46圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之剖面圖。
以下針對本發明之顯示裝置作詳細說明。應了解的是，以下之敘述提供許多不同的實施例或例子，用以實施本發明之不同樣態。以下所述特定的元件及排列方式僅為簡單描述本發明。當然，這些僅用以舉例而非本發明之限定。此外，在不同實施例中可能使用重複的標號或標示。這些重複僅為了簡單清楚地敘述本發明，不代表所討論之不同實施例及/或結構之間具有任何關連性。再者，當述及一第一材料層位於一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸之情形。或者，亦可能間隔有一或更多其它材料層之情形，在此情形中，第一材料層與第二材料層之間可能不直接接觸。
必需了解的是，為特別描述或圖示之元件可以此技術人士所熟知之各種形式存在。此外，當某層在其它層或基板「上」時，有可能是指「直接」在其它層或基板上，或指某層在其它層 或基板上，或指其它層或基板之間夾設其它層。
且在圖式中，實施例之形狀或是厚度可擴大，並以簡化或是方便標示。再者，圖式中各元件之部分將以分別描述說明之，值得注意的是，圖中未繪示或描述之元件，為所屬技術領域中具有通常知識者所知的形式，此外，特定之實施例僅為揭示本發明使用之特定方式，其並非用以限定本發明。
再者，說明書與請求項中所使用的序數例如”第一”、”第二”、”第三”等之用詞，以修飾請求項之元件，其本身並不意含及代表該請求元件有任何之前的序數，也不代表某一請求元件與另一請求元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的一請求元件得以和另一具有相同命名的請求元件能作出清楚區分。
本發明實施例所述之顯示裝置，可藉由閘極與主動層相對位置的設計以及導入特定結構的汲極，可改善光漏電流(photo current leakage)現象，增加顯示裝置的效能。此外，該顯示裝置可為一邊界電場切換型(Fringe Field Switching，FFS)影像顯示裝置，其包含一具有至少二個指部的透明電極，藉由該指部數量、該指部的寬度、及任兩相鄰指部相隔之距離的設計，可改善顯示裝置的光穿透度以及對比度、並避免畫面閃爍及顏色偏移的現象發生。再者，本發明實施例所述之顯示裝置，可藉由位於保護層中的開口、位於平坦層中的開口、以及位於透明電極中的開口之尺寸以及相對位置的設計，增加顯示裝置的對比度以及開口率。
請參照第1圖，係為本發明一實施例所述之顯示裝置 100之平面示意圖，該圖僅繪示部分元件，其他元件(例如配向層)係省略之。該顯示裝置100包含複數條閘極線320、以及複數條資料線322均設置於一基板102上，其中每一閘極線320實質上沿一第一方向X延伸，該閘極線320雖非直線，但大致上具有一主延伸方向，該延伸方向係沿該第一方向延伸；而每一條資料線322則實質上沿一第二方向Y延伸，該資料線322雖非直線，但大致上仍沿第二方向Y延伸，該資料線與該第二方向Y夾角介於0~10度之間。於一實施例中，該第一方向X係實質上與該第二方向Y垂直，但於其他實施例中，第一方向X可毋須與第二方向Y垂直。該顯示裝置100包含亦包含複數個開關324，而每一薄膜電晶體(TFT)開關324係位於該閘極線320與資料線322相交處。為簡化圖示並說明該顯示裝置100部件的相對位置，第1圖僅顯示該複數條閘極線320、該複數條資料線322、以及該複數個開關324之配置。
請參照第2圖，係為第1圖所述之顯示裝置100其開關324的放大示意圖。該開關324包含一閘極326、一主動層328、一源極330、及一汲極332。其中，該閘極326係與該閘極線320相連，而該源極330係與該資料線322相連。在此，為簡化圖示並說明該顯示裝置100之開關324各部件的相對位置，第2圖僅顯示該閘極326、該主動層328、該源極330、該汲極332、該閘極線320、以及該資料線322之配置。
仍請參照第2圖，該主動層328係配置於該閘極326之上，並至少部份與該閘極326重疊。該閘極326與該主動層328之間係以一絕緣層(未繪示)相隔。該源極330及該汲極332係形成於該主動層328之上，並分別與該主動層328連結。值得注意的是，該 閘極326邊緣與該主動層328邊緣的距離De可為1.2至3μm。換言之，該閘極326對於水平面的投影係與該主動層328對於水平面的投影重疊，而該閘極326的投影係大於該主動層328的投影，且該閘極326的投影邊緣，至該主動層328的投影之距離De可為1.2至3μm。水平面例如可為基板102之一表面。如此一來，除了可避免因為曝光位移誤差導致主動層328超出閘極326，可改善光漏電流(photo current leakage)現象，增加顯示裝置的效能。此外，根據本發明其他實施例，該閘極326的投影其所有邊緣至該主動層328的投影之邊緣的最小水平距離De皆可介於1.2至3μm之間。
為增加顯示器的畫素開口面積與確保畫素充電能力，根據本發明實施例，該主動層328對於水平面之投影沿該第一方向X之長度Lx可為6-11μm，而該主動層328對於水平面之投影沿該第二方向Y之長度Ly可為3-7μm。此外，該主動層328對於水平面之投影的面積可為18至77μm2。
請繼續參照第2圖，該汲極332可由一連接部332A、一傾斜部332B、及一延伸部332C所構成，其中該傾斜部332B位於該連接部332A與該延伸部332C之間，且至少部分該傾斜部332B與該閘極326重疊，確保源極330與汲極332的元件完整性。其中，該傾斜部332B之一側邊對於水平面之投影係定義為該第三方向Z，而該傾斜部332B大致係朝該第三方向Z延伸。其中，該第三方向Z與該第一方向X之間的夾角θ5係大於0度並小於90度。
根據本發明實施例，該閘極線320以及該閘極326可在同一步驟中以相同材質所形成，而該資料線322、該源極330、及該汲極332亦可在同一步驟中以相同材質所形成。該閘極線320 與該資料線322之材質可為相同或不同，例如為單層或多層的金屬導電材料(例如：鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)、或其合金)、金屬化合物導電材料、金屬合金(例如：含鋁(Al)合金、含銅(Cu)合金、含鉬(Mo)合金、含鈦(Ti)合金、含鉑(Pt)合金、含銥(Ir)合金、含鎳(Ni)合金、含鉻(Cr)合金、含銀(Ag)合金、含金(Au)合金、含鎢(W)合金、含鎂(Mg)合金、或上述合金之組合)、或其組合。此外，閘極線320與該資料線322之間係以一絕緣層相隔。該絕緣層之材質可為有機之絕緣材料(光感性樹脂)或無機之絕緣材料(氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、或上述材質之組合)。該主動層328之材質可為非晶矽、多晶矽或金屬氧化物之半導體材料，且其可進一步摻雜任何適當之摻質。
請參照第3圖，係為本發明實施例所述之顯示裝置100之平面示意圖。該複數條沿第一方向X延伸的閘極線320、以及該複數條沿第二方向Y延伸的資料線322，構成了複數個畫素334，而每一個畫素334係與其對應的開關324連結。其中，每一個畫素334具有一第一透明電極336及一第二透明電極338。為簡化圖示並說明該顯示裝置100部件的相對位置，第3圖僅顯示其電路配置(例如該複數條閘極線320、該複數條資料線322、該第一透明電極336、該第二透明電極338、以及該複數個開關324)。該第一透明電極336係設置於該閘極線320、資料線322、及該開關324之上，其中該第一透明電極336與該資料線322以一第一保護層(未繪示)及一平坦層(未繪示)相隔。該第二透明電極338設置於該第一透明電極336之上，並與該第一透明電極336以一第二保護層相隔(未繪 示)。第二透明電極338上設置有一配向層(未繪示)。
請參照第4圖，係為第3圖所述之顯示裝置100其畫素334及其相鄰閘極線320及資料線322的放大示意圖。為簡化圖示並說明該顯示裝置100部件的相對位置，第4圖僅顯示其電路配置(例如該複數條閘極線320、該複數條資料線322、該第一透明電極336、該第二透明電極338、以及該複數個開關324)。其中，該畫素334的該第一透明電極336係作為共同電極，並具有一第一開口340，露出該汲極332的延伸部332C與部分的的傾斜部332B，而該畫素334之第二透明電極338作為畫素電極，可經由該第一開口340與該汲極332電性連結。根據本發明實施例，為確保該顯示裝置100擁有較高解析度與相對應的光學效能，該畫素334之長度La(即閘極線330的一側邊到下一條閘極線330之下一側邊)可為40至70μm、該畫素334之寬度Wa(即資料線332的一側邊到下一條資料線332之下一側邊)可為14至23μm，而該畫素334之長度La與該畫素334之寬度Wa的比值(La/Wa)可為2.8至3.2。此外，該畫素334之面積可為600至1600μm2。
此外，為改善顯示裝置100的光穿透度、對比度、以及避免畫面閃爍。該第二透明電極338可具有二個指部338A(例如第4圖所示，該第二透明電極338具有兩個指部338A)、及一連結部338B。其中，該些指部338A係實質上平行資料線322延伸，且該連結部338B係連接該些指部338A。該連結部338B與該汲極332重疊並電性連結，於第4圖中，連結部338B與該汲極332之該延伸部332C與該傾斜部332B部分重疊並電性連結。為求裝置100具有最佳穿透率且進一步避免顯示裝置100產生顏色偏移的現象發 生，該些指部338A之寬度Wb(即該指部338A大致上與第二方向Y平行的兩側邊的最小水平距離)可為2.25至2.75μm、而在該畫素334中任兩相鄰之指部338A的距離Df(即任兩相鄰之指部338A所相隔的最小水平距離)可為2.9至4.5μm。再者，當該畫素334之指部338A與該資料線322之距離Dg(即該畫素334之指部338A與相鄰畫素334之資料線322所相隔的最小水平距離)以及該資料線的寬度Wc之總合(Dg+Wc)為7.6至9.0μm、及/或任兩相鄰畫素334之該第二透明電極338指部338A之間的距離Dh(即任兩相鄰畫素334之該些指部338A所相隔的最小水平距離，請參照第3圖)為9.5至12μm時，可進一步改善該顯示裝置100的光學效能與顏色偏移的現象。
另一方面，請參照第5圖，係顯示本發明一實施例所述之顯示裝置100其畫素334的放大示意圖。為簡化圖示並說明該顯示裝置100部件的相對位置，第5圖僅顯示其電路配置(例如該複數條閘極線320、該複數條資料線322、該第一透明電極336、該第二透明電極338、以及該複數個開關324)。該畫素334之該第二透明電極338除了第4圖所示可具有兩個指部338A外，亦可具有兩個以上的指部338A(例如第5圖所述之畫素334，其第二透明電極338具有三個指部338A，並以連結部相連接)。
請參照表1，係顯示具有二或三個指部338A、具有不同指部338A寬度Wb、及具有不同任兩相鄰指部338A距離Df之畫素334，其穿透率、對比度、畫面閃爍程度、及是否產生顏色偏移的量測結果。
根據本發明實施例，該第一透明電極336、及該第二透明電極338可為透明導電材料，例如為銦錫氧化物(ITO)氧化錫(TO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化銻錫(ATO)、氧化銻鋅(AZO)、上述之組合或其它抗腐蝕能力較高的適合之透明導電氧化物材料。
請參照第6圖，係為本發明另一例所述在開關324部份的畫素334之放大示意圖。此外，第7A圖係係顯示第6圖所述結構沿切線F-F’的剖面結構示意圖，而第7B圖係係顯示第6圖所述結構沿切線G-G’的剖面結構示意圖。
請參照第6圖、第7A圖、及第7B圖，該第二透明電極338設置於該第一透明電極336之上，並與該第一透明電極336以一第二保護層352相隔；此外，該第一透明電極336係設置於一平坦層350之上，且該平坦層350係設置於一第一保護層348之上，使得 該汲極332藉由該第一保護層348及該平坦層350與該第一透明電極336相隔。該第一開口340係設置於該第一透明電極336內以露出該平坦層350，而一第二開口342及一第三開口344係分別設置於該平坦層350及該第一保護層348內，以露出該汲極332之部份表面，於此實施例中係露出該汲極332之至少部份該延伸部332C的上表面；於其他實施例中，可露出該汲極332之該延伸部332C與該傾斜部332B之部分上表面。
值得注意的是，為增加本發明所述之顯示裝置的對比度以及開口率，該第一開口340之最大寬度(即該第一開口340邊緣任兩點的最大水平距離)可為4至10.5μm、該第二開口342之最大寬度(即該第二開口342邊緣任兩點的最大水平距離)可為3.7至7.5μm、且該第三開口344之最大寬度(即該第三開口344邊緣任兩點的最大水平距離)可為2.5至4.5μm，此外，該第一開口340之最大寬度係大於該第二開口342之最大寬度，而該第二開口342之最大寬度係大於該第三開口344之最大寬度。
根據本發明實施例，當本發明所述之顯示裝置其第一開口、第二開口、及第三開口之最大寬度依據上述關係設計時，可藉由縮小該第一開口及該第二開口在一第二方向Y的寬度，而保持該第一開口及該第二開口在一第一方向X的寬度，如此一來，可確保在第一方向X的剖面結構中，填入該第一開口及該第二開口的第二透明電極與該汲極電性連結。因此，本發明所述之顯示裝置其第一開口及該第二開口之水平投影的型狀較像長方型、橢圓型、或其組合，而第三開口之水平投影的型狀較像正方型、圓型、或其組合。根據本發明其他實施例，該第一開口、第 二開口、及該第三開口亦可為其他型狀。
舉例來說，根據本發明一實施例，該第一開口340及該第二開口342在汲極332上第一方向X方向可具有較長的寬度，而在第二方向Y方向具有相對較短的寬度，請參照第6圖。當該第二透明電極338填入該第二開口342時，請參照第7A圖(係顯示第6圖所述結構沿切線F-F’(或第一方向X方向)的剖面結構示意圖)，由於該第一開口340及該第二開口342的第一方向X方向在汲極332上具有相對較大的寬度，因此在圖形化該第一保護層348形成該第三開口344時，該第一保護層348不會發生汲極332底切現象(under cut)而使得位於該第一保護層348其下的閘極絕緣層346被移除。因此，填入該第一開口340、第二開口342、及第三開口344的第二透明電極338在第一方向X方向可順利與汲極332電性接觸。
此外，請參照第7B圖(係顯示第6圖所述結構沿切線G-G’(或第二方向Y方向)的剖面結構示意圖，與第一方向X方向相比，該第一開口340及該第二開口342在汲極332上的第二方向Y方向具有相對較短的寬度。因此，由第7B圖可知，在圖形化該第一保護層348形成該第三開口344時，該第一保護層348在汲極332沿第二方向Y方向的周圍會產生底切現象(under cut)354，而使得位於該第一保護層348其下方的部份閘極絕緣層346被移除，該閘極絕緣層346係介於主動層328與閘極326之間，亦介於源級332與閘極326之間。如此一來，當將該第二透明電極338填入該第一開口340、第二開口342、及第三開口344時，該第二透明電極338會因為位於汲極332旁的凹陷閘極絕緣層346，使得在第二方向Y方向 與該汲極332相鄰處產生間隙，導致該第二透明電極338在第二方向Y方向成為一不連續膜層。在此實施例中，雖然該第二透明電極338在第二方向Y方向因為產生間隙的關係而成為一不連續膜層，但該第二透明電極338在第一方向X方向仍能順利與該汲極332電性連結，如第7A圖所示。
根據本發明實施例，該閘極絕緣層346除了配置於該汲極之下方並設置於一基板102之上外，亦可設置於閘極(或閘極線)及主動層之間來作為閘極絕緣層。該閘極絕緣層346之材質可為有機之絕緣材料(光感性樹脂)或無機之絕緣材料(氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、或上述材質之組合)。舉例來說，該閘極絕緣層346為一氮化矽層。該第一保護層348及該第二保護層352可為相同或不同之材質，例如為有機之絕緣材料(光感性樹脂)或無機之絕緣材料(氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、或上述材質之組合)。該平坦層350之材質可為一具有絕緣性質的膜層，例如為介電材料、或光感性樹脂。根據本發明實施例，本發明對於該閘極絕緣層346、該第一保護層348、該平坦層350、及該第二保護層352的厚度並沒有特別的限制，可適實際需要加以調整。此外，為避免顯示裝置產生影像閃爍、影像殘留等現像，根據本發明另一實施例，本發明所述之該第二保護層352的厚度可為900至1700Å，上述特定的該第二保護層352厚度亦可增加第一透明電極336及第二透明電極338之間的電容值。
根據本發明其他實施例，為增加本發明所述之顯示裝置100的對比度以及開口率，該第二開口342之水平投影與該第三開口344的之水平投影可部份重疊(即至少部份該第三開口344 的之水平投影並未與該第二開口342的之水平投影重疊)，請參照第8圖。換言之，該第三開口344與該第二開口342之開口中心具有一偏移距離，且該第二開口342之水平投影的邊緣與該第三開口344的之水平投影的邊緣至少有兩個交點356，其中該交點356之連線，該連線具有一延伸方向Q，該延伸方向Q與第一方向X之間可具有一夾角θ 6，其中該夾角θ 6係大於0度並小於90度。第9圖係顯示第8圖所述結構沿切線H-H’的剖面結構示意圖。請參照第9圖，在利用上述設計增加顯示裝置對比度以及開口率時，由於該第二開口342之水平投影與該第三開口344的之水平投影並未完全重疊，因此在圖形化該第一保護層348時，該第一保護層348係設計成在沿切線H-H’的剖面之一側內縮。雖然，該第一保護層348與該平坦層350會構成一底切358，使得後續形成其上的該第二透明電極338在沿切線H-H’的剖面結構之一側具有一間隙，使得該第二透明電極338在該側區域無法形成一連續的膜層；但第二透明電極338會在H-H’的剖面之另一側與該汲極332電性連接，於該另一側區域之該第二透明電極338為一連續膜層。
綜上所述，本發明可藉由閘極與主動層相對位置的設計以及導入特定結構的汲極，改善光漏電流(photo current leakage)現象，增加高解析度顯示裝置的效能。此外，該顯示裝置可為一邊界電場切換型(Fringe Field Switching，FFS)影像顯示裝置，其包含一具有至少二個指部的透明電極，藉由該指部數量、該指部的寬度、及任兩相鄰指部相隔之距離的設計，可改善顯示裝置的光穿透度以及對比度、並避免畫面閃爍及顏色偏移的現象發生。再者，本發明實施例所述之顯示裝置，可藉由位於保護層 中的開口、位於平坦層中的開口、以及位於透明電極中的開口之尺寸以及相對位置的設計，增加顯示裝置的對比度以及開口率。
本發明實施例所述之顯示裝置，可藉由設置間隔物於切割穩定區，增加在進行切割時所需要的支撐效果。因此，可產生特定的裂紋於切割後的基板側壁，導致較佳的切割裂片表現以及降低基板破片機率。如此一來，可大幅提昇顯示裝置的良率。
此外，根據本發明實施例，本發明所述顯示裝置可更包含一測試線路沿著預定切割線設置。因此，在進行切割製程後，可利用該測試線路得知該顯示裝置是否有切割線偏移的現象發生。
請參照第10圖，係為本發明一實施例所述之顯示裝置100之上視示意圖。該顯示裝置100包含一第一基板101及一第二基板103，其中該第一基板101及該第二基板103係對向設置，且兩者之間係藉由一框膠120固定，且該第一基板101上設置有一顯示區104，以及一切割穩定區160設置於該第二基板103上，且對應該第一基板101上顯示區104外的區域，並與該第一基板101及該第二基板103重合之外圍邊界122(包含一第一邊界122A、一第二邊界122B、及一第三邊界122C)相鄰。此外，該第一基板101被該第二基板103所覆蓋的區域以及該第一基板101未被該第二基板103所覆蓋的區域之間係具有一交界123，且該框膠120係沿著該第一邊界122A、該第二邊界122B、該第三邊界122C、及該交界123配置於該第一基板101及該第二基板103之間，且該框膠120設置於該顯示區104之外。
該顯示裝置100可為液晶顯示器(例如為薄膜電晶體 液晶顯示器)、或是有機電激發光裝置(例如為主動式全彩有機電激發光裝置)。該顯示區104具有複數個畫素(未繪示)。該第一基板101及該第二基板103之材質可例如為石英、玻璃、矽、金屬、塑膠、或陶瓷材料。該框膠120可為一樹脂。
根據本發明一實施例，該切割穩定區160內具有複數個間隔物(spacer)161設置，該框膠120至少覆蓋部分間隔物161(例如5個間隔物在框膠內，5個間隔物在框膠外)。於一實施例中，框膠全部包覆該些間隔物(10個間隔物都在框膠內)。但於其他實施例中，至少部分間隔物161之部分未被框膠覆蓋而裸露鄰近液晶層(例如有5個間隔物完全在框膠內，剩下5個間隔物每顆有部份在框膠內部份在框膠外)。該切割穩定區160可包含一第一穩定區160A、一第二穩定區160B、及一第三穩定區160C，分別與該第一邊界122A、該第二邊界122B、及該第三邊界122C相鄰。值得注意的是，由於該交界123所在位置一般係設置多條走線(未繪示)來電性連結該顯示區104及一驅動單元(未繪示)，該驅動單元可為一IC，因此該切割穩定區160並未設置在該交界123側的第二基板103上。換言之，該切割穩定區160並未與該交界123相鄰。此外，該切割穩定區160並未於該第二基板103的四個邊角直接接觸，且該第一穩定區160A、該第二穩定區160B、及該第三穩定區160C之任兩者並不互相接觸，以方便設置切割用之對位記號(未圖示)。該間隔物(spacer)161之材質可包括光阻，例如正光阻或負光阻。在一實施例中，上述微影製程包括光阻圖案化，此光阻圖案化更包括光阻塗佈、軟烤、光罩對準、曝光圖案、後曝烤(post-exposure baking)、光阻顯影及硬烤等製程步驟。
根據本發明一實施例，該切割穩定區的寬度可介於50至150μm之間，且該切割穩定區的寬度W0’與該框膠的寬度W11之百分比值可介於6%至50%之間(6%≦W0’/W11≦50%)。請參照第10圖，該切割穩定區160未設置該間隔物161的部份可由該框膠120所填滿。
請參照第11圖，係顯示第10圖所述之顯示裝置100自第一方向X之側視結構示意圖。根據本發明實施例，切割後所得之該第一基板101其側壁154會具有一第一切割裂紋(cutting crack)表面156、一第一中介裂紋(median crack)表面157、及一第一壓裂紋表面158，其中第一中介裂紋表面157介於第一切割裂紋表面156及第一壓裂紋表面158之間。第一切割裂紋表面156係指切割用刀輪所產生的切割裂紋斷面，第一中介裂紋表面157係指切割後因刀輪壓力所產生之延伸斷面，第一壓裂紋表面158則係為外部加壓剝離而產生之剝離斷面。於本發明一實施例中，若第一中介裂紋表面157之切割裂紋延伸較多時，則側壁154僅有第一切割裂紋表面156與第一中介裂紋表面157，此時就不會有第一壓裂紋表面158。其中第一切割裂紋表面156的粗糙度、第一中介裂紋157、及第一壓裂紋表面158彼此的粗糙度均不相同。
另一方面，該第二基板103其側壁164可具有一第二切割裂紋表面166、一第二中介裂紋表面167、一第二壓裂紋表面168，其中該第二中介裂紋表面167介於第二切割裂紋表面166及第二壓裂紋表面168之間。第二切割裂紋表面166係指切割用刀輪所產生的切割裂紋斷面，第二中介裂紋表面167係指切割後因刀輪壓力所產生之延伸斷面，第二壓裂紋表面168則係為外部加壓剝離而 產生之剝離斷面。於本發明一實施例中，若第二中介裂紋表面167之切割裂紋延伸較多時，則側壁164僅有第二切割裂紋表面166與第二中介裂紋表面167，此時就不會有第二壓裂紋表面168。其中第一切割裂紋表面166的粗糙度、第一中介裂紋167、及第一壓裂紋表面168彼此的粗糙度均不相同。
請參照第12A圖，由於本發明所述之顯示裝置100係設置有切割穩定區160，增加在進行切割時所需要的支撐效果，因此該第一切割裂紋表面156的厚度T11及第一該中介裂紋表面157的厚度T12總合與該第一基板101側壁154的厚度T01比值可介於0.3至1之間(0.3≦(T11+T12)/T01≦1)，例如：0.5-1之間、或0.7-1之間；該第二切割裂紋表面166的厚度T21及第二該中介裂紋表面167的厚度T22總合與該第二基板103側壁164的厚度T02比值可介於0.3至1之間(0.3≦(T21+T22)/T02≦1)，例如：0.5-1之間、或0.7-1之間。如此一來導致較佳的切割裂片表現以及降低基板破片機率，大幅提昇顯示裝置的良率。此外，該第一壓裂紋表面158可具有一厚度T13，而該第二壓裂紋表面168可具有一厚度T23。
請參照第12A圖，係顯示第10圖所述之顯示裝置100沿切線E-E’的剖面結構示意圖。該第一切割裂紋表面156及該第一中介裂紋表面157間可構成一第一夾角θ 1，其中該第一夾角θ 1可大於90度並小於270度；該第二切割裂紋表面166及該第二中介裂紋表面167間可構成一第二夾角θ 2，其中該第二夾角θ 2可大於90度並小於270度；第一中介裂紋表面157及第一壓裂紋表面158間可構成一第三夾角θ 3，其中該第三夾角θ 3可大於90度並小於270度；以及，第二中介裂紋表面167及第二壓裂紋表面168間可構 成一第四夾角θ 4，其中該第四夾角θ 4可大於90度並小於270度。
請再參考第12A圖，技藝人士應可知該第一基板101及該第二基板103上亦可視需要具有任何所需的元件，而一液晶層215位於該第一基板101及該第二基板103之間。舉例來說，該第一基板101可為一陣列基板、而該第二基板103可為一濾光片基板。在該切割穩定區160(例如該第三穩定區160C中)，至少一間隔物161與該第二基板103之側壁164具有一距離(即間隔物161與第一基板103之側壁164之間的最短距離)D9，其中該距離D9係介於0至200μm之間。另一方面，至少一間隔物161與該第一基板101之側壁154可具有一距離(即間隔物161與第一基板101之側壁154之間的最短距離)D10，且該距離D10係大於該距離D9。
請參照第10圖及第12A圖，該複數之間隔物161可佔該切割穩定區160的面積1%至5%之間。在此，該複數之間隔物161佔該切割穩定區160的面積係為每一間隔物161之上表面積A1的總合，於此實施例中，間隔物161之上表面係較為靠近第一基板101。請參照第12B圖，於其他實施例中，該間隔物161亦可設置於第一基板101上，即該間隔物161之上表面較為靠近第二基板103。根據本發明實施例，該複數之間隔物161可具有相同或不同之上表面積A1。此外，根據本發明某些實施例，切割穩定區160內的間隔物161亦可剛好設置於預定切割道上，因此餘留部份間隔物161，請參照第12C圖。再者，根據本發明其他實施例，間隔物161亦可露出框膠120外，請參照第12D圖。
請參照第13圖，根據本發明另一實施例，一平坦層162可設置於該第一基板101之上，並位於該切割穩定區160內，該 切割穩定區160未設置該間隔物161、及該平坦層162的部份係由該框膠120所填滿。該複數之間隔物161係設置於該平坦層162與該第二基板103之間。根據本發明某些實施例，該平坦層162可為一圖形化膜層或是具有溝槽，因此至少部分框膠120與該第一基板101之間係以該平坦層162相隔，且至少部分該第二基板103與該平坦層162之間係以該間隔物161隔開。該平坦層162係為一具有絕緣性質的膜層，可例如為介電材料、或光感性樹脂。
請參照第14圖，係為一顯示裝置母板201的上視示意圖，其中該顯示裝置母板201經進行一切割製程後，可得本發明第10圖所述之顯示裝置100。該切割製程可例如為單一或多重刀片之切割程序、或切割輪刀切割程序。由第14圖可知，該顯示裝置母板201的該切割穩定區160(包含該第一穩定區160A、該第二穩定區160B、及該第三穩定區160C)係沿著一第一基板預定切割道124A及一第二基板預定切割道124B所設置。在本發明一實施例中，該第二基板預定切割道124B對於該切割穩定區160而言可為一對稱軸，即該切割穩定區160被該第二基板預定切割道124B所隔的區域係面積相等且互相對稱。根據本發明其他實施例，該第二基板預定切割道124B對於該切割穩定區160而言亦可為非對稱型態。
根據本發明實施例，位於該切割穩定區160之該等間隔物161，其與該第一基板101(或該第二基板)相接觸的表面之形狀可為圓形、橢圓性、正方形、長方形、或其組合。請參照第15A至15F圖係為本發明實施例所述之顯示裝置母板201之該第二穩定區160B的放大示意圖。由第15A圖可知，該複數之間隔物161 可以互相對齊的陣列方式設置於該切割穩定區內。此外，該複數之間隔物161亦可以交錯的陣列方式設置於該切割穩定區內，如第15B圖所示。根據本發明另一實施例，該第二基板預定切割道124B亦可經過部份之該等間隔物161，請參照第15C圖。再者，請參照第15A圖，該切割穩定區160(例如該第二穩定區160B)兩側與該第二基板預定切割道124B相隔的寬度W0與寬度W0’分別可介於50至150μm之間。
此外，該等間隔物161與該第一基板101(或該第二基板)相接觸的表面之形狀可為一具有一短邊163及一長邊165的長方形，而該長邊165可與該第二基板預定切割道124B實質上垂直(如第15D圖所示)、或是與該第二基板預定切割道124B實質上平行(如第15E圖所示)。根據本發明其他實施例，該等間隔物161除了可以該第二基板預定切割道124B作為對稱軸而設置於該切割穩定區160內，亦可以非對稱該第二基板預定切割道124B的方式設置於該切割穩定區160內，請參照第15F圖。根據本發明其他實施例，該顯示面板可為非矩形，而該切割道亦可依面板形狀進行調整，不限制相互垂直或平行。
請參照第16圖，根據本發明一實施例，因窄邊框之趨勢，除了第一邊界122A與第三邊界122C側之非顯示區寬度縮小外，第二邊界122B側之非顯示區寬度越來越小，因此框膠也越來越靠近顯示區。為避免該框膠120在形成時，於鄰近該第二邊界122B與該第三側邊122C轉角之區段與該顯示區104過於接近，該框膠120可被設計成由一直線部120A及一U形部120B所構成，其中該直線部120A係與該第二邊界122B相鄰，而該U形部120B係與第 一邊界122A、交界123、及第三邊界122C相鄰，因此框膠120於鄰近該第二邊界122B與該第三邊界122C轉角之區段與顯示區104之距離D12相較於框膠120鄰近於該第二邊界122B與顯示區104之距離D11來得遠。換言之，該直線部120A與該顯示區104具有一距離D11(即該直線部120A與該顯示區104之間最短的水平距離)，而該直線部120A及該U形部120B之邊界127與該顯示區104具有一距離D12(即該邊界127與該顯示區104之間最短的水平距離)，其中該距離D12係大於或等於該距離D11。
另一方面，本發明所述顯示裝置可更包含一測試線路位於顯示區外。請參照第17圖，該顯示裝置100可包含一第一接觸墊172及一第二接觸墊174設置於該第一基板101上，並位於該顯示區104外。該顯示裝置100更包含一測試線路170，大致沿該第一基板101及該第二基板103重合之外圍邊界122(包含一第一邊界122A、一第二邊界122B、及一第三邊界122C)設置，其中該第一接觸墊172與該第二接觸墊174係藉由該測試線路電性連結。
仍請參照第17圖，該測試線路170並未沿著該123交界設置。如此一來，在進行切割製程得到第8圖所示之顯示裝置100後，可藉由量測該第一接觸墊172及該第二接觸墊174之間的電壓、電阻、及脈衝波形，並與一參考之電壓、電阻、及脈衝波形進行比對，即可判斷所得之顯示裝置是否有切割線偏移的現象發生。舉例來說，當一顯示裝置母板在進行切割製程並發生切割線偏移時，由於該測試線路係沿該第一基板及該第二基板重合之外圍邊界設置(位於顯示區及預定切割線之間)，因此若切割線偏移時切割刀具會造成該測試線路損傷，如此一來所測得之電阻與一 參考電阻相比會增加，因此可藉此判斷出是否有切割線偏移的現象發生。
該測試線路170、該第一接觸墊172、及該第二接觸墊174之材質可為單層或多層的金屬導電材料(例如：鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)、或其合金)、金屬化合物導電材料、金屬合金(例如：含鋁(Al)合金、含銅(Cu)合金、含鉬(Mo)合金、含鈦(Ti)合金、含鉑(Pt)合金、含銥(Ir)合金、含鎳(Ni)合金、含鉻(Cr)合金、含銀(Ag)合金、含金(Au)合金、含鎢(W)合金、含鎂(Mg)合金、或上述合金之組合)、或其組合，且該測試線路170與第一接觸墊172(或第二接觸墊174)之材質可為相同或不同。此外，一保護層(未圖示)可形成於該測試線路170之上，以避免該測試線路170與該框膠120直接接觸而導致該測試線路170劣化。該保護層之材質可為有機之絕緣材料(光感性樹脂)或無機之絕緣材料(氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、或上述材質之組合)。
請參照第18圖，根據本發明另一實施例，一電路板180可藉由一第一電路176及一第二電路178分別與該第一接觸墊172、及該第二接觸墊174電性連結，用以提供一測試訊號至該第一接觸墊172與該第二接觸墊174，以判斷該顯示裝置是否有切割線偏移的現象發生。該電路板可例如為為一軟性基板(flexible substrate)、一剛性基板(rigid substrate)、或一金屬核心印刷電路板。
此外，請參照第19圖，根據本發明其他實施例，一驅動單元106可進一步設置於該顯示區104之外的該第一基板101 之上。該驅動單元106可利用一第一電路176及一第二電路178分別與該第一接觸墊172與該第二接觸墊174電性連結，用以提供一測試訊號至該第一接觸墊172與該第二接觸墊174，以判斷該顯示裝置是否有切割線偏移的現象發生。值得注意的是，該測試訊號可為一共同電極電壓訊號、或是一接地電壓訊號。該驅動單元106可藉由複數個訊號線連接至該顯示區104，提供訊號至顯示區104的複數個畫素以產生影像。該驅動單元106可為一積體電路(IC)。
綜上所述，本發明實施例所述之顯示裝置，可藉由設置間隔物於切割穩定區，增加在進行切割時所需要的支撐效果，大幅提昇顯示裝置的良率。此外，本發明所述顯示裝置可更包含一測試線路沿著預定切割線設置，因此在進行切割製程後，可利用該測試線路得知所得的顯示裝置是否有切割線偏移現象發生。
此外，本發明實施例係利用改變顯示裝置中線路之配置，以縮小此線路於積體電路中所佔據的面積。此外，本發明實施例亦使用一圖案化測試墊以提昇此顯示裝置之製程可靠度及製程良率。
首先，發明人已知之一種顯示裝置包括閘極驅動電路、驅動單元、測試墊及線路。此驅動單元包括閘極訊號輸出接點(Output Bump)，且此閘極訊號輸出接點藉由線路電性連接至閘極驅動電路，並藉由另一線路電性連接至測試墊。由此可知，上述兩線路分別佔據了驅動單元中之兩區域(對應第20B圖之區域113A與區域113B)。而當面板解析度提高造成晶片(例如驅動單元)所需的訊號輸出接點增加時，會壓縮到面板上原本用以形成線路 的面積，亦引發線路經過晶片下方時，晶片下方可容納線路空間不足的問題。
因此，為了縮小線路所佔據的面積，本發明提出另一種顯示裝置中線路的配置方式。參見第20A圖，該圖係本發明實施例之顯示裝置之上視圖。如第20A圖所示，顯示裝置100包括顯示區104以及相鄰此顯示區104之非顯示區105，其中顯示區104係指顯示裝置100中設有包括電晶體之畫素顯示的區域，而此電晶體例如可為薄膜電晶體。因此，顯示區104亦可稱為顯示畫素區104。而非顯示區105即為顯示裝置中除顯示區104外之其它區域。在此實施例中，非顯示區105係包圍顯示區104，且其中包括位於顯示區104兩側之閘極驅動電路(Gate Driver on Panel，GOP)107、與位於外部接腳連接區(Out Lead Bonding，OLB)115中的驅動單元106以及測試墊109。此外，非顯示區105中更包括線路110，且部分線路110係設於上述外部接腳連接區115中。於其他實施例中，閘極驅動電路107可僅位於顯示區104之單側。
此顯示裝置100可為液晶顯示器，例如為薄膜電晶體液晶顯示器。此驅動單元106可用以提供源極訊號至顯示區104之畫素(未繪示)，或提供閘極訊號至閘極驅動電路107。而閘極驅動電路107係用以提供掃描脈衝訊號至顯示區104之畫素，並配合上述源極訊號一同控制設於顯示區104內之各個畫素(未繪示)進而令顯示裝置100顯示畫面。此閘極驅動電路107例如可為面板上閘極驅動電路(Gate on Panel，GOP)或其他任何適合之閘極驅動電路。
此外，此驅動單元106係經由測試墊109電性連接至 閘極驅動電路107。此測試墊109可藉由任何適合之方式電性連接至閘極驅動電路107及驅動單元106，例如，在一實施例中，如第20A圖所示，測試墊109可藉由線路110電性連接至閘極驅動電路107及驅動單元106。
本發明藉由將驅動單元106經由測試墊109電性連接至閘極驅動電路107，可縮小線路110於驅動單元106中所佔據的面積。詳細而言，參見第20B圖，該圖係第20A圖之顯示裝置之部分放大圖。如該圖所示，驅動單元106之閘極訊號輸出接點Output Bump)111藉由線路110B電性連接至測試墊109，接著，此測試墊109再藉由另一線路110A電性連接至閘極驅動電路107。相較於前述之發明人已知的一種顯示裝置，於已知之顯示裝置中，線路110A與110B係分別自113A與113B輸出，因此於驅動單元106下方，須同時提供113A與113B的面積，但於本發明之線路110僅佔據驅動單元106中區域113B之面積，而未佔據區域113A，隨著面板解析度越高，驅動單元106的輸出線路數量越來越多的情況下，區域113A可提供其他輸出線路使用，故可解決晶片(例如驅動單元)中線路空間不足的問題。
再者，為了提昇第20A圖所示之顯示裝置100的製程可靠度及製程良率，本發明之顯示裝置100的測試墊109可為一圖案化測試墊。詳細而言，在測試顯示裝置100性能之測試步驟中，必須以探針接觸測試墊109，探針會於接觸測試墊109時於測試墊109之導電層該層上留下孔洞，而此導電層上的孔洞容易隨著時間推移受到水氧等因素而腐蝕擴大，造成驅動單元106與閘極驅動電路107之間的線路異常或斷路，進而降低顯示裝置100的可靠度及 製程良率。為解決上述技術問題，本發明實施例之測試墊可圖案化成數個導電層彼此分離的功能性區塊，而該些功能性區塊再藉由其他連接層電性連接。
參見第21圖及第22A圖，其中第21圖係本發明實施例之測試墊109之上視圖，而第22A圖係第21圖之測試墊109沿著線段3-3之剖面圖。如以上兩圖所示，測試墊109包括設於基板102上之導電層M，且此導電層M包括第一區300及第二區302。此第一區300之導電層係用以傳遞兩線路110之間的訊號，而此第二區302之導電層係用以在測試步驟中與探針進行觸碰。此第一區300之導電層係直接接觸線路110，而第二區302之導電層與第一區300之導電層係分離設置，亦即僅觀察導電層M該層時，第一區300與第二區302並無連接或接觸，例如，第一區300之導電層與第二區302之導電層係可藉由一主間隙304分隔。此外，第二區302之導電層亦與線路110分離。易言之，僅觀察導電層M該層中，第二區302之導電層不直接接觸第一區300之導電層以及線路110。第一區300及第二區302係經由接觸孔，由其他連接層電性連接。
本發明藉由將會與探針進行觸碰的第二區302之導電層與用以傳遞訊號的第一區300之導電層及線路110分離，可將測試步驟後之腐蝕現象僅侷限於第二區302之導電層，而不會腐蝕至第一區300之導電層及線路110。因此，即使於測試步驟後發生腐蝕之現象，本發明之圖案化測試墊109仍可良好地藉由第一區300之導電層及線路110傳遞訊號，因此，圖案化測試墊109可提昇此顯示裝置100的可靠度及製程良率。
此外，導電層M之第一區300對第二區302之面積的比 值範圍為2至1000，例如為4至10。若此第一區300對第二區302之面積比值太大，例如大於1000，則用以與探針進行觸碰的第二區302之導電層的面積太小，會使得測試步驟不易進行。然而，若此第一區300對第二區302之面積比值太小，例如小於2，則用以傳遞訊號之第一區300之導電層之面積太小，會使電阻上升。此外，此測試墊109之尺寸為100μm至1000μm，例如為500μm至800μm。此測試墊109之尺寸可為測試墊109之長度L或寬度W。
參見第22A圖，導電層M係設於基板102上。此導電層M可為一金屬層，且其材料可為單層或多層之銅、鋁、鎢、金、鉻、鎳、鉑、鈦、銥、銠、上述之合金、上述之組合或其它導電性佳的金屬材料。於其他實施例中，導電層M可為一非金屬材料，只要使用之材料具有導電性，且受到腐蝕後會有腐蝕擴散的情況之材料即可。例如，在第22A圖所示之實施例中，導電層M為雙層之導電層，其包括第一導電層M1以及第二導電層M2。在一實施例中，第一導電層M1與第二導電層M2之材料相同。然而，在其它實施例中，第一導電層M1與第二導電層M2之材料可以不同。此兩導電層M1、M2之間設有介電層(ILD)206A。此第一導電層M1及第二導電層M2具有相同的圖案，且相對應的圖案之間係藉由設於介電層206A中的導孔V1電性連接。上述介電層206A之材料可為氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、硼磷矽玻璃(BPSG)、磷矽玻璃(PSG)、旋塗式玻璃(SOG)、其它任何適合之介電材料、或上述之組合。上述經由導孔V1電性連接第一導電層M1及第二導電層M2之材料可為第一導電層M1或第二導電層M2本身或其組合，或是其材料可包括銅、鋁、鎢、摻雜多晶矽、其它任何適合之導電材 料、或上述之組合。
此外，在一實施例中，如第22A圖所示，第一區300之導電層與第二區302之導電層可藉由連接層211電性連接，因連接層211相對於導電層抗腐蝕能力較高，因此不接觸之第一區300與第二區302藉由連接層211電性連接，也同時保護導電層不受水氧的影響而腐蝕。此連接層211的材料可為透明導電材料，例如為銦錫氧化物(ITO)氧化錫(TO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化銻錫(ATO)、氧化銻鋅(AZO)、上述之組合或其它抗腐蝕能力較高的適合之透明導電氧化物材料。連接層211可藉由設於介電層206B中的導孔V2電性連接至第一導電層M1或第二導電層M2，並藉此將第一區300之導電層與第二區302之導電層電性連接。
此外，導電層M亦可為單層之導電層。例如，如第22B圖所示，基板102上僅形成有單層之導電層M，且第一區300之導電層與第二區302之導電層亦可藉由連接層211經由導孔電性連接。例如，連接層211可藉由設於介電層206中的導孔V3電性連接至導電層M，以將第一區300之導電層與第二區302之導電層電性連接。
再參照第21圖，在第21圖所示之實施例中，主間隙304可環繞第二區302之導電層。主間隙304之寬度可為10μm至100μm，例如為20μm至40μm。此外，主間隙304之寬度與測試墊109之寬度W的比值為0.01至0.25，例如為0.025至0.1。若此主間隙304之寬度太寬，例如其寬於100μm，或其與測試墊109之寬度W比值大於0.25，則主間隙304會佔據過多測試墊109之面積，使 導電層M之面積減少，造成電阻增加。然而，若此主間隙304之寬度太窄，例如其窄於10μm，或其與測試墊109之寬度W比值小於0.01，則此主間隙304無法有效防止第一區300之導電層不被腐蝕。例如，當主間隙304之寬度太窄時，若探針因偏移而觸碰至主間隙304，仍可能造成第一區300之導電層的暴露，使第一區300之導電層被腐蝕。
此外，第一區300之導電層亦環繞第二區302之導電層，且第一區300之導電層更可藉由一或多條第一間隙306分隔成彼此分離之多個區塊，亦即此多個區塊之間不直接接觸，例如第21圖所示之區塊300A、300B。彼此分離之多個區塊300A、300B可更進一步提昇此顯示裝置100的製程可靠度及製程良率。詳細而言，在測試步驟中，探針可能會因為偏移而觸碰到第一區300之導電層，故第一區300之導電層亦可能因此於測試步驟後發生腐蝕現象。此時彼此分離之區塊300A、300B可將此腐蝕現象侷限於被探針觸碰到之區塊內，而訊號仍可藉由第一區300之導電層中未被腐蝕之其它區塊傳遞。例如，若探針觸碰至區塊300A，由於區塊300A、300B彼此分離，故腐蝕現象被侷限於區塊300A內，而訊號仍可藉由未被腐蝕之區塊300B傳遞。因此，將第一區300之導電層藉由一或多條第一間隙306分隔成彼此分離之多個區塊可更進一步提昇此顯示裝置100的可靠度及製程良率。
上述第一間隙306之寬度可為3μm至50μm，例如為10μm至20μm。或者，第一間隙306之寬度與測試墊109之寬度W的比值為0.0033至0.1，例如為0.01至0.02。若此第一間隙306之寬度太寬，例如其寬於50μm，或其與測試墊109之寬度W比值大於0.1， 則第一間隙306會佔據過多測試墊109之面積，使導電層M之面積減少，造成電阻增加。然而，若此第一間隙306之寬度太窄，例如其窄於3μm，或其與測試墊109之寬度W比值小於0.0033，則此第一間隙306無法有效分隔區塊300A與區塊300B。
再者，第一區300之彼此分離的多個區塊300A、300B內可更包括一或多條區塊內間隙308而將區塊300A、300B分隔成多個子區塊。上述多個子區塊彼此大抵分離，僅藉由一小部分彼此連接。例如區塊300A可藉由多條區塊內間隙308分隔成多個子區塊300Aa、300Ab，此子區塊300Aa、300Ab之間彼此大抵分離，僅藉由圖式中左上及左下之一小部分彼此物理連接。上述彼此分離的多個子區塊300Aa、300Ab亦可進一步提昇此顯示裝置100的製程可靠度及製程良率。例如，當探針因偏移而觸碰到子區塊300Ab時，由於子區塊300Aa、300Ab僅藉由一小部分連接，故腐蝕現象易被侷限於子區塊300Ab內，即使子區塊300Ab因腐蝕而破壞，訊號仍可藉由未被腐蝕之區塊300Aa傳遞。因此，將多個區塊300A、300B藉由區塊內間隙308分隔成多個子區塊(例如子區塊300Aa、300Ab)可更進一步提昇此顯示裝置100的可靠度及製程良率。
上述區塊內間隙308之寬度可為3μm至50μm，例如為10μm至20μm。或者，區塊內間隙308之寬度與測試墊109之寬度W的比值為0.0033至0.1，例如為0.01至0.02。若此區塊內間隙308之寬度太寬，例如其寬於50μm，或其與測試墊109之寬度W比值大於0.1，則區塊內間隙308會佔據過多測試墊109之面積，使導電層M之面積減少，造成電阻增加。然而，若此區塊內間隙308之寬度 太窄，例如其窄於3μm，或其與測試墊109之寬度W比值小於0.0033，則子區塊300Aa、300Ab過於接近，內間隙308無法有效分隔腐蝕之影響。
繼續參見第21圖，線路110之材料可為單層或多層之銅、鋁、鎢、金、鉻、鎳、鉑、鈦、銥、銠、上述之合金、上述之組合或其它導電性佳的金屬材料，且線路110亦可具有一或多條線路內間隙310。在一實施例中，至少一線路內間隙310與至少一第一間隙306連接。此線路內間隙310亦可進一步提昇此顯示裝置100的製程可靠度及製程良率。詳細而言，若腐蝕現象由第一區300之區塊300A延伸至第一區塊線路110C，則線路內間隙310可將此腐蝕現象侷限於此第一區塊線路110C，使第二區塊線路110D不會被腐蝕。因此，由於線路110不會被完全腐蝕，故可提昇此顯示裝置100的製程可靠度及製程良率。於其他實施例中，連接層211亦可覆蓋於線路110上。
上述線路內間隙310之寬度可為3μm至50μm，例如為10μm至20μm。或者，線路內間隙310之寬度與線路110之寬度的比值為0.02至0.5，例如為0.05至0.2。若此線路內間隙310之寬度太寬，例如其寬於50μm，或其與線路110之寬度比值大於0.5，表示內間隙310過大會增加線路110斷線之風險。然而，若此線路內間隙310之寬度太窄，例如其窄於3μm，或其與線路110之寬度比值小於0.02，則此線路內間隙310無法有效分隔線路內間隙310兩側之第一區塊線路110C與第二區塊線路110D間相互受到腐蝕之影響。此外，線路內間隙310之長度與測試墊109之長度L比值為0.03至3。線路內間隙310之長度最短可為3μm，或者，線路內間隙310 之長度與測試墊109之長度L的比值最小可為0.03。而線路內間隙310之長度最長可等於線路110於外部接腳連接區115內的長度。若線路內間隙310太短，例如其長度短於3μm，或其長度與測試墊109之長度L的比值小於0.03，則此線路內間隙310無法有效分隔第一區塊線路110C與第二區塊線路110D。然而，線路內間隙310之長度不可長於外部接腳連接區115中的線路110的長度。
應注意的是，除上述第21圖所示之實施例以外，本發明之測試墊亦可有其它圖案，如第14-17圖之實施例所示。本發明之範圍並不以第21圖所示之實施例為限。
參見第23圖，該圖為本發明另一實施例之測試墊之上視圖。第23圖所示之實施例與前述第21圖之實施例之差別在於第二區302之導電層亦藉由一或多條第二間隙312分隔成彼此分離之多個區塊302A、302B。易言之，此多個區塊302A、302B之間不直接接觸。此外，在此實施例中，第一區300之導電層不具有區塊內間隙。
上述彼此分離的多個區塊302A、302B亦可進一步提昇此顯示裝置100的製程可靠度及製程良率。例如，當探針僅觸碰區塊302A時，腐蝕現象被侷限於區塊302A，而未被腐蝕之區塊302B亦可經導孔藉由連接層傳遞訊號，故可提昇此顯示裝置100的可靠度及製程良率，並降低電阻。
上述第二間隙312之寬度可為10μm至100μm，例如為30μm至50μm。或者，第二間隙312之寬度與測試墊109之寬度W的比值為0.01至0.25，例如為0.05至0.1。若此第二間隙312之寬度太寬，例如其寬於100μm，或其與測試墊109之寬度W比值大於0.25， 則第二間隙312會佔據過多測試墊109之面積，使導電層M之面積減少，造成電阻增加。然而，若此第二間隙312之寬度太窄，例如其窄於10μm，或其與測試墊109之寬度W比值小於0.01，則此第二間隙312無法有效分隔區塊302A與區塊302B。
參見第24圖，該圖為本發明又一實施例之測試墊之上視圖。在第24圖所示之實施例中，第二區302之導電層亦藉由第二間隙312分隔成彼此分離之多個區塊302A、302B。而此實施例與前述第23圖實施例之差別在於此實施例之第二間隙312係對準第一間隙306以及線路內間隙310。
參見第25圖，該圖為本發明另一實施例之測試墊之上視圖。第25圖所示之實施例與前述第24圖實施例之差別在於第二區302之導電層係藉由三條第二間隙312分隔成彼此分離之四個區塊302A、302B、302C與302D。此外，線路110具有兩條線路內間隙310，且第一區300之導電層不具有第一間隙。
參見第26圖，該圖為本發明另一實施例之測試墊之上視圖。第26圖所示之實施例與前述第21圖及第14-16圖實施例之差別在於第一區300之導電層並未環繞第二區302之導電層，而是設於第二區302之導電層之一側。且第二區302之導電層係藉由六條第二間隙312分隔成彼此分離之七個區塊302A、302B、302C、302D、302E、302F與302G。於其他實施例中，第二間隙312之形狀不限於直線，亦不限於上述實施例之劃分方式，只要可以將第二區302之導電層分隔成彼此分離之數個區塊即可。
綜上所述，藉由將驅動單元經由測試墊電性連接至閘極驅動電路，可縮小線路於驅動單元中所佔據的面積，解決當 面板解析度提高時所造成的驅動單元中線路空間不足的問題。此外，藉由使用圖案化測試墊，可將測試步驟後之腐蝕僅侷限於圖案化測試墊之部分區域內，以提昇此顯示裝置的製程可靠度及製程良率。
此外，本發明實施例另提供一種顯示裝置，提高走線區內導線的集積度，以降低走線區於顯示裝置中所佔據的面積，因此可在不增加顯示裝置尺寸的前提下，提昇顯示裝置的解析度。
此外，根據本發明實施例，本發明所述顯示裝置可更包含一第一導電圈位於顯示區外側，其由複數之導電區塊構成，可避免在顯示裝置製作過程中，靜電累積而使顯示裝置受損。
再者，根據本發明實施例，本發明所述顯示裝置可更包含一第二導電圈位於顯示區外側，其中一框膠設置於該第二導電圈上且位於顯示裝置之外圍邊界內，可確保第二導電圈之抗靜電放電能力。
首先，請參照第27圖，係為本發明一實施例所述之顯示裝置100之上視圖。該顯示裝置100包含一顯示區104及一驅動單元106配置於一基板102之上。該顯示裝置100可為液晶顯示器(例如為薄膜電晶體液晶顯示器)、或是有機電激發光裝置(例如為主動式全彩有機電激發光裝置)。該顯示區104具有複數個畫素(未繪示)，而該驅動單元106係藉由複數個訊號線組(signal line pairs)110連接至該顯示區104，提供訊號至顯示區110的複數個畫素以產生影像。其中，該顯示區104及該驅動單元106之間係以一走線區108(fanout area)相隔，而該複數個訊號線組110係配置於該 走線區108(fanout area)內。其中，每一訊號線組110包含一第一導線112與一第二導線114，且該第一導線112與該第二導線114係彼此電性絕緣，並用於傳遞不同之訊號。舉例來說，位於該顯示區104內之每一畫素可由多個次畫素(例如：紅色次畫素、藍色次畫素、及綠色次畫素；或是紅色次畫素、藍色次畫素、綠色次畫素、及白色次畫素)所構成，而該複數個訊號線組110之第一導線112與第二導線114則係用於傳遞由驅動單元106所產生的訊號至不同的次畫素中。此外，在該走線區108內，每一訊號線組110的該第一導線112與該第二導線114至少部份重疊。
仍請參照第27圖，該走線區108(fanout area)可進一步被定義為由一第一線路區108a、一第二線路區108b、及一第三線路區108c所構成，其中該第一線路區108a與該顯示區104相鄰、該第三線路區108c與該驅動單元106相鄰、以及該第二線路區108b位於該第一線路區108a與第三線路區108c之間。
根據本發明一實施例，在該第一線路區108a內任兩相鄰之該第一導線112及該第二導線114係以一距離(即兩者間最短的水平距離)Da相隔，而該第三線路區108c內任兩相鄰之該第一導線112及該第二導線114係以一距離(即兩者間最短的水平距離)Dc相隔。其中，該距離Da可介於約3μm至40μm之間、該距離Dc可介於約3μm至18μm之間、且該距離Da大於該距離Dc。
請參照第28A圖，係顯示第27圖所述之顯示裝置沿切線A-A’的剖面結構示意圖。由第28A圖可得知，在該第二線路區108b內，該些訊號線組110至少其中之一之該第一導線112可與該第二導線114重疊，以降低該第一導線112與該第二導線114投影於 一水平面上之面積，增加走線區108的集積度。
仍請參照第28A圖，該第一導線112可配置於該基板102之上。一介電層116配置於該基板102之上，並覆蓋該第一導線112。該第二導線114配置於該介電層116之上，且該訊號線組110之該第一導線112係與該第二導線114重疊。一保護層(passivation layer)118配置於該介電層116之上，並覆蓋該第二導線114。其中，該基板102可為石英、玻璃、矽、金屬、塑膠、或陶瓷材料；該第一導線112及該第二導線114之材質可為單層或多層的金屬導電材料(例如：鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)、或其合金)、、金屬化合物導電材料、金屬合金(例如：含鋁(Al)合金、含銅(Cu)合金、含鉬(Mo)合金、含鈦(Ti)合金、含鉑(Pt)合金、含銥(Ir)合金、含鎳(Ni)合金、含鉻(Cr)合金、含銀(Ag)合金、含金(Au)合金、含鎢(W)合金、含鎂(Mg)合金、或上述合金之組合)、或其組合，且該第一導線112及該第二導線114之材質可為相同或不同；該介電層116之材質可為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、或上述材質之組合；以及，該保護層118之材質可為有機之絕緣材料(光感性樹脂)或無機之絕緣材料(氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、或上述材質之組合)，可用來隔絕第一導線112及該第二導線114與空氣或水氣的接觸。此外，根據本發明實施例，該第一導線112及該第二導線114具有傾斜的側壁，請參照第28A圖，其中該側壁與一水平面的夾角係介於約15度至90度之間，且該第一導線其側壁的傾斜幅度及該第二導線其側壁的傾斜幅度係相同或不同。
根據本發明實施例，該第一導線112之線寬W1可介於約2μm至10μm之間、該第二導線114之線寬W2可介於約2μm至10μm之間、且該第一導線112之線寬W1與該第二導線114之線寬W2可為相同(如第14A圖所示)或是不同(如第28B圖所示)。換言之，該第一導線112之線寬W1與該第二導線114之線寬W2的比值可介於1至5之間。舉例來說，請參照第28B圖，該第一導線112之線寬W1可大於該第二導線114之線寬W2。此外，請參照第28A至28B圖，第一導線112及該第二導線114可完全重疊(即該第一導線112對於水平面之投影與該第二導線112對於水平面之投影完全重疊)。
根據本發明實施例，在該第二線路區108b內任兩相鄰的該第一導線112相隔一距離(即在該第二線路區108b內兩相鄰第一導線間最短的水平距離)D1，且在該第二線路區108b內任兩相鄰的該第二導線114相隔一距離(即在該第二線路區108b內兩相鄰第二導線間最短的水平距離)D2，其中該距離D1可介於約2μm至30μm之間，而該距離D2可介於約2μm至30μm之間。
根據本發明實施例，在該第二線路區108b內，該第一導線112之線寬W1與該距離D1的總和(W1+D1)係等於該第二導線114之線寬W2與距離D2的總和(W2+D2)。此外，該距離D1與該距離D1及該第一導線112之線寬W1的總和(W1+D1)之比值(D1/(W1+D1))可介於0.1至0.66之間。當該比值(D1/(W1+D1)大於或等於0.1時，有利於後續形成於該第二線路區108b之上的一框膠(未繪示)於一固合製程(由基板102施一能量)中完全固合；而當該比值(D1/(W1+D1)小於或等於0.66時，有利於該第二線路區108b 內導線集積度的提高。
另一方面，該第一導線112及該第二導線114重疊部份的寬度W3(該第一導線112對於水平面之投影與該第二導線112對於水平面之投影的最小重疊寬度)與該第一導線112之線寬W1的比值可介於0.3至1之間。換言之，在該第二線路區108b內，訊號線組110之該第一導線112與該第二導線114可部份重疊(即該第一導線112對於水平面之投影與該第二導線112對於水平面之投影僅部份重疊)，如第28C圖所示，此時該第一導線112之線寬W1、該第二導線114之線寬W2、及該第一導線112及該第二導線114重疊部份的寬度W3符合以下公式：(W1+W2-W3)/W1≧1
請參照第29圖，係為本發明另一實施例所述之顯示裝置100之上視圖。該顯示裝置100，除了包含該顯示區104、該驅動單元106、及該走線區108外，可更包含一第一導電圈(conductive loop)116，配置於基板102上且位於該顯示區104外側。如第29圖所示，該第一導電圈116可配置於該基板102上，並環繞該顯示區104，並與該驅動單元106連接。該驅動單元106可提供一電壓至該第一導電圈116，以使該第一導電圈116具有一參考電位。值得注意的是，該第一導電圈116於該走線區108會與該些訊號線組110重疊，重疊部分可以由該第一導電圈116或該些訊號線組110以其他導電層轉層來避免短路，在此不多加詳述。
根據本發明實施例，至少部份該第一導電圈116係由複數個第一導電區塊202及複數個第二導電區塊204所構成，且該些第一導電區塊202與該些第二導電區塊204係電性連接，請參照 第30A圖，係顯示第29圖所述之顯示裝置100之沿第一導電圈116切線B-B’的剖面結構示意圖。根據本發明實施例，由複數個第一導電區塊202及複數個第二導電區塊204所構成的該第一導電圈116，係配置於該顯示區104與一第一方向X垂直的兩側(即與一第二方向Y平行的兩側)，值得注意的是，本實施例由於平行第一方向X的兩側配置多條資料線(未繪示)，若將該第一導電圈116由複數個第一導電區塊202及複數個第二導電區塊204構成較為不易，但並不以此為限。
由第30A圖可得知，該複數個第一導電區塊202可配置於該基板102上。一介電層206可配置於該基板102上，並覆蓋該些第一導電區塊202。該些第二導電區塊204可配置於該介電層206上。一保護層(passivation layer)208可配置於該介電層206上，並覆蓋該些第二導電區塊204。此外，複數之第一貫孔205貫穿該介電層206及該保護層208，露出該第一導電區塊202。複數之第二貫孔207貫穿該保護層208，露出該第二導電區塊204。一導電層210，配置於該保護層208之上，並填入該第一貫孔205及該第二貫孔207，以使該些數之第一導電區塊202及該些之第二導電區塊204藉由該導電層210達成電性連結。
根據本發明實施例，該第一導電區塊202及第二導電區塊204之材質可為單層或多層的金屬導電材料(例如：鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)、或其合金)、、金屬化合物導電材料、金屬合金(例如：含鋁(Al)合金、含銅(Cu)合金、含鉬(Mo)合金、 含鈦(Ti)合金、含鉑(Pt)合金、含銥(Ir)合金、含鎳(Ni)合金、含鉻(Cr)合金、含銀(Ag)合金、含金(Au)合金、含鎢(W)合金、含鎂(Mg)合金、或上述合金之組合)、或其組合，且該第一導電區塊202及第二導電區塊204之材質可為相同或不同。根據本發明實施例，該第一導電區塊202與該第一導線112可在相同製程步驟中以相同材料形成；及/或，該第二導電區塊204與該第二導線114可在相同製程步驟中以相同材料形成。該介電層206之材質可為氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、或上述材質之組合，且該介電層206與該介電層116可在相同製程步驟中以相同材料形成。該保護層208之材質可為有機之絕緣材料(光感性樹脂)或無機之絕緣材料(氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、或上述材質之組合)，且該保護層208與該保護層118可在相同製程步驟中以相同材料形成。此外，該導電層210可為一單層或多層之透明導電層，其材質可例如為氧化銦錫(ITO、indium tin oxide)、氧化銦鋯(IZO、indium zinc oxide)、氧化鋁鋯(AZO、aluminum zinc oxide)、氧化鋯(ZnO、zinc oxide)、二氧化錫(SnO2)、三氧化二銦(In2O3)、或上述之組合。
仍請參照第30A圖，為避免在顯示裝置製作過程中，由於靜電累積而使顯示裝置100受損，該第一導電區塊202之長度L1可介於約10μm至10000μm之間，以及該第二導電區塊204之長度L2可介於約10μm至10000μm之間。此外，任兩相鄰第一導電區塊202係以一距離D3彼此分隔、任兩相鄰第二導電區 塊204係以一距離D4彼此分隔、且任兩相鄰的第一導電區塊202及第二導電區塊204係以一距離D5相隔。其中，該距離D3係介於16μm至100μm之間、該距離D4係介於16μm至100μm之間、以及該距離D5係介於3μm至40μm之間。
根據本發明另一實施例，任兩相鄰的第一導電區塊202可直接藉由該第二導電區塊204達成電性連接。請參照第30B圖，該複數個第一導電區塊202配置於該基板102上。該介電層206配置於該基板102上，並覆蓋該些第一導電區塊202。複數之第三貫孔209貫穿該介電層206，露出該第一導電區塊202。該些第二導電區塊204配置於該介電層206上，並填入該第三貫孔209中，以使任兩相鄰的第一導電區塊202及第二導電區塊204係部份重疊，因此不需額外形成該導電層210。
根據本發明其他實施例，請參照第30C圖，一平坦層212可進一步形成於該保護層208之上。複數之第四貫孔211A貫穿該介電層206、該保護層208、及該平坦層212，露出該第一導電區塊202。複數之第五貫孔213貫穿該保護層208及該平坦層212，露出該第二導電區塊204。該導電層210形成於該平坦層212之上，並填入該第四貫孔211A及該第五貫孔213，以使該些第一導電區塊202及該些第二導電區塊204藉由該導電層210達成電性連結。其中，該平坦層212係為一具有絕緣性質的膜層，可例如為介電材料、或光感性樹脂。
請參照第31圖，係為本發明其他實施例所述之顯示 裝置100之上視圖。該顯示裝置100，除了包含該顯示區104、該驅動單元106、該走線區108、及該第一導電圈116外，更包含一第二導電圈(conductive loop)118，配置於基板102上且位於該顯示區104及該第一導電圈116外側。如第31圖所示，該第一導電圈116可配置於該基板102上，環繞該顯示區104，並與該驅動單元106連接。該第二導電圈118可作為一靜電放電(Electrostatic Discharge、ESD)防護單元，使靜電突波無法直接損害位於顯示區104內的畫素。此外，一框膠120配置於該基板102之上，並覆蓋部份該第二導電圈118。其中，該框膠120投影至該基板102之區域係定義為封裝區(未繪示)，而在該封裝區內的第二導電圈118係被該框膠120所覆蓋。
該第二導電圈118之材質可為單層或多層的金屬導電材料(例如：鋁(Al)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、銥(Ir)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、銀(Ag)、金(Au)、鎢(W)、或其合金)、、金屬化合物導電材料、金屬合金(例如：含鋁(Al)合金、含銅(Cu)合金、含鉬(Mo)合金、含鈦(Ti)合金、含鉑(Pt)合金、含銥(Ir)合金、含鎳(Ni)合金、含鉻(Cr)合金、含銀(Ag)合金、含金(Au)合金、含鎢(W)合金、含鎂(Mg)合金、或上述合金之組合)、或其組合。根據本發明一實施例，在形成該第一導電區塊202及第二導電區塊204時，可同時形成該第二導電圈118。此外，該框膠可為一樹脂。
仍請參照第31圖，該顯示裝置100具有一外圍邊界122。在該封裝區中，該框膠120與該外圍邊界122之間沒有距離 (距離係為0)。請參照第32圖，係顯示第31圖所述之顯示裝置100沿切線C-C’的剖面結構示意圖。由第32圖可知，該第二導電圈118與該外圍邊界122相隔一距離D6，且該框膠120設置於該第二導電圈118上且位於該外圍邊界122內(該第二導電圈118與該外圍邊界122之間的空間係被該框膠12填滿)。值得注意的是，該距離D6係介於50-300μm，以防止第二導電圈118因水或空氣而發生腐蝕現象，降低其靜電放電(Electrostatic Discharge、ESD)防護能力。
為確保該第二導電圈118不會在形成框膠120時因製程誤差使得該第二導電圈118裸露於框膠120之外。第33圖係一顯示裝置母板201的示意圖，該顯示裝置母板201經一切割製程後形成第31圖所示之顯示裝置。如第33圖所示，在形成該框膠120於基板102上時，需將該框膠120覆蓋於一預定切割道124上。因此，在沿該預定切割道124進行一切割製程時(例如為單一或多重刀片之切割程序或雷射切割程序)，可確保所得之顯示裝置100(如第31圖所示)其外圍邊界與該框膠120之間沒有距離(距離係為0)。如此一來，該第二導電圈118框膠與該外圍邊界122相隔該距離D6。如第33圖所示，該框膠120可塗佈至與該外圍邊界122接觸。
此外，根據本發明一實施例，在形成該框膠120於基板102上時，即使該框膠120未塗佈至與該外圍邊界122接觸但所形成的框膠120仍覆蓋於該預定切割道124上(請參照第34 圖)，當沿該預定切割道124進行切割製程時，仍可得到第31圖所示之顯示裝置100。
綜上所述，本發明藉由走線區內導線的集積度，降低走線區於顯示裝置中所佔據的面積，因此可在不增加顯示裝置尺寸的前提下，提昇顯示裝置的解析度。此外，本發明所述顯示裝置可更包含一第一導電圈位於顯示區外側，其由複數之導電區塊構成，可避免在顯示裝置製作過程中，靜電累積而使顯示裝置受損。再者，本發明所述顯示裝置可更包含一第二導電圈位於顯示區外側，其中一框膠設置於該第二導電圈上且位於顯示裝置之外圍邊界內，可確保第二導電圈之抗靜電放電能力。
本發明實施例係利用一設於顯示畫素區及框膠之間的間隔牆(photo spacer wall)以防止框膠接觸顯示畫素區之液晶材料，使框膠與顯示畫素區之間的距離可更進一步的縮短以窄化顯示裝置之非顯示區。
首先，參見第35A圖及第35B圖。第35A圖係本發明實施例之上視圖，而第35B圖係沿著第35A圖之線段1B-1B所繪製之剖面圖。如第35A圖所示，顯示裝置100包括第一基板101以及與此第一基板101相對設置第二基板103。此外，如第35A圖及第35B圖所示，此顯示裝置100包括顯示畫素區104及相鄰顯示畫素區之非顯示區105。易言之，上述第一基板101以及第二基板103皆可分為顯示畫素區104及相鄰顯示畫素區之非顯示區105。此外，此非顯示區105包括一外部接腳壓合區(Out Lead Bonding，OLB)115，如第35A圖所示。
上述顯示裝置100可為液晶顯示器，例如為薄膜電晶體液晶顯示器。或者，此液晶顯示器可為扭轉向列(Twisted Nematic,TN)型液晶顯示器、超扭轉向列(Super Twisted Nematic,STN)型液晶顯示器、雙層超扭轉向列(Double layer Super Twisted Nematic,DSTN)型液晶顯示器、垂直配向(Vertical Alignment,VA)型液晶顯示器、水平電場效應(In-Plane Switching,IPS)型液晶顯示器、膽固醇(Cholesteric)型液晶顯示器、藍相(Blue Phase)型液晶顯示器或其它任何適合之液晶顯示器。
參見第35B圖，上述第一基板101包括一第一透明基板126、設於此第一透明基板126上之遮光層128、以及設於此遮光層128之彩色濾光層130。此外，第一基板101可更包括覆蓋此彩色濾光層130以及部分遮光層128之平坦層132。
上述第一透明基板126例如可為玻璃基板、陶瓷基板、塑膠基板或其它任何適合之透明基板。而上述遮光層128係用以遮蔽非顯示區105以及顯示畫素區104中的畫素以外之元件。此外，遮光層128之材料可為黑色光阻、黑色印刷油墨、黑色樹脂或其它任何適合之遮光材料與顏色。而上述彩色濾光層130可包括設於顯示畫素區104之彩色濾光層130A、130B及130C以及設於非顯示區105之彩色濾光層130D。且此彩色濾光層130A、130B及130C可各自獨立地為紅色彩色濾光層、綠色彩色 濾光層、藍色彩色濾光層、或其它任何適合之彩色濾光層。此外，上述平坦層132之材料可為有機矽氧化合物、光阻，或無機材質如氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、碳化矽、氧化鋁、氧化鉿、或上述材質之多層結構。
繼續參見第35B圖，上述第二基板103包括一第二透明基板134，其材料可同上述第一透明基板126之材料，且第一透明基板126與第二透明基板134之材料可以相同或不同。此外，此第二透明基板134之中或之上設有用以控制畫素之電晶體(未繪示)，例如設有薄膜電晶體。第二基板103可更包括覆蓋第二透明基板134以及上述電晶體之絕緣層136。此絕緣層136係用以將第二基板103與設於第一基板101及第二基板103之間的元件電性絕緣。此絕緣層136之材料可為氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、上述之組合、或其它任何適合之材料。
繼續參見第35A圖及第35B圖，顯示裝置100更包括設於第一基板101與第二基板103之間的框膠120(sealant)以及液晶材料138。此框膠120係用以密封住第一基板101與第二基板103之間的液晶材料138。此框膠120可為絕緣之透明樹脂或其它任何適合之框膠材料，而此液晶材料138可為向列型液晶(nematic)、層列型液晶(smectic)、膽固醇液晶(cholesteric)、藍相液晶(Blue phase)或其它任何適合之液晶材料。
如第35A圖及第35B圖所示，此框膠120係位於顯示畫素區104外側，易言之，此框膠120係位於非顯示區105中。 在一些實施例中，框膠120可圍繞顯示畫素區104。此外，框膠120之寬度W4為約200μm至900μm，例如為約500μm至800μm。應注意的是，若框膠120之寬度W4太大，例如大於約900μm，則顯示裝置100之非顯示區105會過寬，無法使顯示裝置100更為輕、薄、短小。然而，若框膠120之寬度W4太小，例如小於約200μm，則部分框膠120有可能會破裂而無法有效密封住液晶材料138。
繼續參見第35A圖及第35B圖，顯示裝置100更包括設於第一基板101與第二基板103之間的間隔牆140(photo spacer wall)，且此間隔牆140係位於顯示畫素區104及框膠120之間，以進一步防止框膠120接觸顯示畫素區104之液晶材料138。此外，間隔牆140具有靠近顯示畫素區104之第一側S1以及靠近框膠120之第二側S2，且此第一側S1之高度H1大於第二側S2之高度H2。例如，在圖示中，間隔牆140的高度由S1側(靠近顯示區104側)的H1逐漸往S2側(靠近框膠120側)降低至H2。應注意的是，雖然在第35A圖及第35B圖所示之實施例中，間隔牆140係位於第一基板101之平坦層132上，然而，在其它實施例中，間隔牆140亦可位於第二基板103上，此部分將於後文詳細說明。此外，雖然在第35A圖所示之實施例中，間隔牆140係完全環繞顯示畫素區104。然而，技藝人士應可知間隔牆140不僅一圈亦可為多圈，或是僅部分環繞顯示畫素區104，因此，本發明之保護範圍並不侷限於第35A圖所示之實施例。
此外，間隔牆140之材料可包括光阻，例如正光阻或負光阻。間隔牆140可藉由微影或微影蝕刻製程形成。在一實施例中，上述微影製程包括光阻圖案化，此光阻圖案化更包括光阻塗佈、軟烤、光罩對準、曝光圖案、後曝烤(post-exposure baking)、光阻顯影及硬烤等製程步驟。而上述蝕刻步驟可包括反應離子蝕刻(reactive ion etch，RIE)、電漿蝕刻或其它合適的蝕刻步驟。
繼續參見第35B圖，間隔牆140(或後續設於間隔牆140之頂面上的第一配向層148)並未直接接觸第二基板103，故間隔牆140(或後續設於間隔牆140之頂面上的第一配向層148)與第二基板103間具有一第一間隙G1，且此第一間隙G1之高度H5可為約0.1μm至1.5μm，例如為約0.3μm至0.8μm。第一間隙G1之高度H5係定義為第二配向層150至間隔牆140之頂面(或後續設於間隔牆140之頂面上的第一配向層148)的最大距離H6及最小距離H7之平均值(亦即H5=(H6+H7)/2)。此外，框膠120可直接接觸間隔牆140，且部分框膠120更可自第二側S2向第一側S1延伸之一距離D8，此距離D8可為間隔牆140之寬度W5的約20%-90%，例如約40%-70%。應注意的是，若距離D8過大，例如大於約間隔牆140之寬度W5的90%，則會使框膠120接觸污染顯示畫素區104之液晶材料138而造成缺陷之機率增加，使製程良率下降。此外，若第一間隙G1之高度H5過大，例如大於約1.5μm，則間隔牆140無法有效防止框膠120經由第一間隙G1延 伸進入顯示畫素區104，且間隔牆140與後續之主間隔物142之高度差會過大或使框膠120接觸而污染顯示畫素區104內之液晶材料138，會使顯示裝置100產生框形顯像不均(frame mura)等顯像不均之問題。然而，若第一間隙G1之高度H5過小，例如小於約0.1μm，則間隔牆140之頂面會過於靠近第二基板103，使延伸進入第一間隙G1之框膠120可能會將第二基板103推離第一基板101，會使顯示裝置100產生間隙顯像不均(gap mura)等顯像之問題，造成製程良率下降。
由於上述間隔牆140可防止框膠120接觸顯示畫素區104之液晶材料138，故框膠120與顯示畫素區104之間的距離可更進一步的縮短以窄化顯示裝置100之非顯示區105，使顯示裝置100更為輕、薄、短小。此外，由於框膠120之第一側S1之高度H1大於第二側S2之高度H2，故即使框膠120如前文所述延伸進入間隔牆140與第二基板103之間的第一間隙G1，較高的第二側S2之高度H2亦可防止框膠120經由第一間隙G1延伸進入顯示畫素區104，故可進一步防止框膠120接觸顯示畫素區104之液晶材料138造成顯示裝置100之缺陷。如第35B圖所示，在不考慮框膠120延伸入第一間隙G1的情況下，上述框膠120與顯示畫素區104之間的距離係為間隔牆140之寬度W5、後續位於間隔牆140之兩側S1、S2之第一配向層148的厚度T1及間隔牆140之第一側S1至顯示畫素區104之距離D7加總所得之總距離(亦即W5+2xT1+D7)。
上述間隔牆140之第一側S1的高度H1與第二側S2的高度H2的差值可為約0.01μm至0.3μm，例如為約0.05μm至0.1μm。應注意的是，若第一側S1與第二側S2之差值太大，例如大於約0.3μm，則表示第二側S2的高度H2會過低，會使間隔牆140無法有效防止框膠120接觸顯示畫素區104之液晶材料138。然而，若第一側S1與第二側S2之差值太小，例如小於約0.01μm，則間隔牆140無法有效利用第一側S1與第二側S2之高度差來防止框膠120經由第一間隙G1延伸進入顯示畫素區104。
繼續參見第35B圖，間隔牆140之寬度W5為約10μm至200μm，例如為約60μm至110μm。應注意的是，若間隔牆140之寬度W5太寬，例如寬於約200μm，則顯示裝置100之非顯示區105會過寬，無法使顯示裝置100更為輕、薄、短小。然而，若間隔牆140之寬度W5太窄，例如窄於約10μm，則間隔牆140無法有效防止框膠120接觸顯示畫素區104之液晶材料138。
此外，間隔牆140之第一側S1至顯示畫素區104之距離D7為20μm至200μm，例如為約50μm至100μm。應注意的是，若此距離D7過寬，例如寬於約200μm，則顯示裝置100之非顯示區105會過寬，無法使顯示裝置100更為輕、薄、短小。然而，若此距離D7過短，例如小於約20μm，則會使框膠120接觸顯示畫素區104之液晶材料138而造成缺陷之機率增加，使製程良率下降。
此外，間隔牆140之高度H3可藉由改變間隔牆140 之第一側S1至顯示畫素區104之距離D7來調整。詳細而言，若距離D7越小，則間隔牆140之流平效應(reflow effect)越小，可允許間隔牆140有較高之高度。反之，若距離D7越大，則間隔牆140之流平效應越大，可允許間隔牆140有較低之高度。因此，可藉由調整距離D7來使主間隔物142與間隔牆140之高度差(亦即H4-H3)介於後文所述之較佳的範圍中(亦即約0.1μm至1.5μm)。
繼續參見第35B圖，顯示裝置100更包括位於第一基板101與第二基板103之間的主間隔物142(main photo spacer)，且此主間隔物142係設於顯示畫素區104內。主間隔物142可與間隔牆140在同一道微影或微影蝕刻製程定義而成，然而，主間隔物142亦可藉由另一道微影或微影蝕刻製程形成。
此外，此主間隔物142之高度H4高於間隔牆140之高度H3。在上述中，間隔牆140之高度H3係定義為間隔牆140之第一側S1的高度H1與第二側S2的高度H2之平均值(亦即H3=(H1+H2)/2)。在一些實施例中，主間隔物142之高度H4高於間隔牆140之高度H3約0.1μm至1.5μm，例如為約0.3μm至0.8μm。應注意的是，若主間隔物142與間隔牆140之高度差過大，例如大於約1.5μm，則顯示裝置100會產生框形顯像不均(frame mura)等顯像不均之問題。然而，若主間隔物142與間隔牆140之高度差過小，例如小於約0.1μm，則間隔牆140之頂面會過於靠近第二基板103，使延伸進入第一間隙G1之框膠120可能會將第二基板103推離第一基板101，會使顯示裝置100產生間 隙顯像不均(gap mura)等顯像之問題，造成製程良率下降。
接著回到第35A圖，間隔牆140包括轉角區144以及長條區146，且轉角區144之寬度W6與長條區146之寬度W7不同。例如，在第35A圖所示之實施例中，轉角區144之寬度W6大於長條區146之寬度W7。
然而，轉角區之寬度亦可小於長條區之寬度。例如，第36圖繪示本發明之另一實施例，與前述第1A-4圖所示之實施例的差異主要在於轉角區144之寬度W6小於長條區146之寬度W7。此外，此技術領域中具有通常知識者可知轉角區之寬度亦可等於長條區之寬度，故本發明之保護範圍並不侷限於第1A、1B及2圖所示之實施例。應注意的是，後文中與前文相同或相似的元件或膜層將以相同或相似之標號表示，其材料、製造方法與功能皆與前文所述相同或相似，故此部分在後文中將不再贅述。
接著回到第35B圖，顯示裝置100可更包括設於平坦層132上且覆蓋間隔牆140及主間隔物142之第一配向層148，以及設於絕緣層136上之第二配向層150。此第一配向層148及第二配向層150係為用來誘導液晶分子定向排列的薄層，其材料可為聚亞醯胺(polyimide)或其它任何適合之配向層材料。此外，設於主間隔物142之頂面上的第一配向層148可直接接觸第二配向層150。此第一配向層148之厚度可為約300埃至1000埃，例如為約400埃至700埃，且此第一配向層148位於平坦層132上之厚度T1大於或等於第一配向層148位於間隔牆140上之厚 度T2。
繼續參見第35B圖，如前文所述，第一基板101之彩色濾光層130可包括設於非顯示區105之第一彩色濾光層130D，且此第一彩色濾光層130D係對應於間隔牆140下方設置。此外，如第35B圖所示，第一彩色濾光層130D之寬度W8大於間隔牆140之寬度W5。然而，應注意的是，第一彩色濾光層之寬度亦可小於間隔牆之寬度。例如，在第37圖所示之另一實施例中，第一彩色濾光層130D之寬度W8小於間隔牆140之寬度W5。此外，此技術領域中具有通常知識者可知第一彩色濾光層之寬度亦可等於間隔牆之寬度，故本發明之保護範圍並不侷限於第1A、1B、2及3圖所示之實施例。
間隔牆140之高度H3可藉由改變對應其下方設置之第一彩色濾光層130D之寬度W8來調整。詳細而言，若第一彩色濾光層130D之寬度W8越小，則間隔牆140之流平效應(reflow effect)越大，可允許間隔牆140有較低之高度。反之，若第一彩色濾光層130D之寬度W8越大，則間隔牆140之流平效應越小，可允許間隔牆140有較高之高度。因此，可藉由調整第一彩色濾光層130D之寬度W8來使主間隔物142與間隔牆140之高度差(亦即H4-H3)介於前述較佳的範圍中(亦即約0.1μm至1.5μm)。
此外，參見第38圖，該圖係本發明另一實施例之剖面圖。與前述第1A-3圖所示之實施例的差異主要在於第一基板101之彩色濾光層130更包括對應於間隔牆140下方第二彩色濾 光層130E，第二彩色濾光層130E與第一彩色濾光層130D相異，且第一彩色濾光層130D與第二彩色濾光層130E之交界S3對應於間隔牆140下方。然而，應注意的是，第一彩色濾光層130D與第二彩色濾光層130E之交界S3亦可對應於間隔牆140之第一側S1或此第一側S1以外之區域，本發明之保護範圍並不侷限於第38圖所示之實施例。此外，與第一彩色濾光層130D相似，間隔牆140之高度H3可藉由改變對應其下方設置之第二彩色濾光層130E之寬度W9來調整。
第39圖繪示本發明之另一實施例，與前述第1A-4圖所示之實施例的差異主要在於間隔牆140係位於第二基板103之絕緣層136上，而非如前述第1A-4圖所示之實施例位於第一基板101之平坦層132上。此外，如第39圖所示，顯示裝置100可更包括設於絕緣層136上且覆蓋間隔牆140之第二配向層150，此第二配向層150之材料同前述第一配向層148之材料，且設於主間隔物142之頂面上的第二配向層150可直接接觸第一配向層148。此外，此第二配向層150位於絕緣層136上之厚度T3大於或等於第二配向層150位於間隔牆140上之厚度T4。
此外，間隔牆140(或設於間隔牆140之頂面上的第二配向層150)並未直接接觸第一基板101，故間隔牆140與第一基板101間具有第二間隙G2，且此第二間隙G2之高度H8為0.1μm至1.5μm，例如為約0.3μm至0.8μm。第二間隙G2之高度H8係定義為第一配向層148至間隔牆140之頂面(或設於間隔牆 140之頂面上的第二配向層150)的最大距離H9及最小距離H10之平均值(亦即H8=(H9+H10)/2)。應注意的是，若第二間隙G2之高度H8過大，例如大於約1.5μm，則間隔牆140無法有效防止框膠120經由第二間隙G2延伸進入顯示畫素區104，且間隔牆140與主間隔物142之高度差會過大，會使顯示裝置100產框形顯像不均(frame mura)等顯像不均之問題。然而，若第二間隙G2之高度H8過小，例如小於約0.1μm，則間隔牆140之頂面會過於靠近第一基板101，使延伸進入第二間隙G2之框膠120可能會將第一基板101推離第二基板103，會使顯示裝置100產生間隙顯像不均(gap mura)等顯像之問題，造成製程良率下降。
綜上所述，由於本發明之間隔牆可防止框膠接觸顯示畫素區之液晶材料，故框膠與顯示畫素區之間的距離可更進一步的縮短以窄化顯示裝置之非顯示區，使顯示裝置更為輕、薄、短小。此外，由於間隔牆靠近顯示區的一側高度相對較高，故即使框膠延伸進入間隔牆仍無法進入顯示畫素區，故可進一步防止框膠接觸液晶材料造成顯示裝置之缺陷。
本發明實施例係於遮光層設有一加大部以進一步遮蔽顯示裝置可能會產生漏光現象之區域以提升裝置之對比度，且利用此加大部可防止顯像不均(mura issue)的現象產生，使顯示的品質可進一步提升。
首先，參見第40A圖，該圖繪示本揭露實施例之顯示裝置100之上視圖。如第40A圖所示，顯示裝置100包括顯示 畫素區104及相鄰顯示畫素區之非顯示區105。在此實施例中，非顯示區105係包圍顯示畫素區104。此顯示畫素區104係指顯示裝置100中設有包括電晶體之畫素顯示的區域，而此電晶體例如可為薄膜電晶體。此外，此非顯示區105可包括一外部接腳連接區(Out Lead Bonding，OLB)115。
上述顯示裝置100可為液晶顯示器，例如為薄膜電晶體液晶顯示器。或者，此液晶顯示器可為扭轉向列(Twisted Nematic,TN)型液晶顯示器、超扭轉向列(Super Twisted Nematic,STN)型液晶顯示器、雙層超扭轉向列(Double layer Super Twisted Nematic,DSTN)型液晶顯示器、垂直配向(Vertical Alignment,VA)型液晶顯示器、水平電場效應(In-Plane Switching,IPS)型液晶顯示器、膽固醇(Cholesteric)型液晶顯示器、藍相(Blue Phase)型液晶顯示器或其它任何適合之液晶顯示器。
接著，參見第40B圖，該圖為第40A圖之顯示裝置100於區域1B的加大圖。如第40B圖所示，顯示畫素區104包括至少兩個畫素400以及遮光層128。上述畫素400包括複數個次畫素402，例如，在第40B圖所示之實施例中，每一個畫素400包括三個次畫素402。而上述遮光層128之材料可為黑色光阻、黑色印刷油墨、黑色樹脂或其它任何適合之遮光材料與顏色。此外，上述遮光層128具有矩陣部404及加大部406。此矩陣部404定義出上述次畫素402，而此加大部406係設於兩相鄰之次畫素 402之交會處408，且此加大部406相鄰於上述矩陣部404。上述遮光層128之矩陣部404係用以遮蔽非顯示區105以及顯示畫素區104中的畫素以外之元件，而加大部406係用以遮蔽顯示裝置100之次畫素402中可能會產生漏光現象之區域。
如第40B圖所示，遮光層128之矩陣部404包括多個矩陣部欄404C以及多個矩陣部列404R，且此矩陣部欄404C及矩陣部列404R定義出畫素400之多個次畫素402。而上述遮光層128之加大部406係設於此矩陣部欄404C及矩陣部列404R之交會處408，且覆蓋部分次畫素402。例如，如第40B圖所示，加大部406覆蓋部分鄰近此交會處408之四個次畫素402。易言之，鄰近此交會處408之四個次畫素402皆被加大部406部分覆蓋。在一實施例中，此加大部406之邊緣為圓弧形。
參見第40B圖及第40C圖，其中第40C圖係第40B圖之顯示裝置100未具有加大部406之示意圖。在第40C圖中，六個次畫素402之面積總和為第一面積，而第40B圖之加大部406之面積與此第一面積的比值為約1.5%至6%，以2.5%至5%較佳。具體而言，如第40B圖及第40C圖所示，遮光層128中設於交會處408周圍之四個扇形區域組成一個加大部406。此四個扇形區域係完全設於次畫素402中且皆遮蔽其對應之次畫素402的一部分。此外，第40B圖之兩相鄰之畫素400包括六個次畫素402，其中鄰近交會處408之四個次畫素402被加大部406(亦即上述四個扇形區域)部分遮蔽，而另外兩個次畫素402並未被加大部406 遮蔽。此位於兩相鄰之畫素400之間的加大部406(亦即上述四個扇形區域)之面積與此兩相鄰之畫素400之六個次畫素402在未被加大部406覆蓋時之面積(亦即第40C圖所示之六個次畫素402之面積)的比值為約1.5%至6%，以2.5%至5%較佳。
上述具有特定面積比值之加大部406可遮蔽顯示裝置可能會產生漏光現象之區域以提升裝置之對比度，且可防止顯像不均(mura issue)的現象產生，使顯示的品質可進一步提升。
詳細而言，顯示裝置100在兩相鄰之次畫素402之交會處408(亦即矩陣部欄404C及矩陣部列404R之交會處408)常因佈有間隔物(photo spacer)而容易產生漏光現象，故於此交會處408設置加大部406可遮蔽間隔物造成的配向漏光與刮傷漏光等現象以提升裝置之對比度。然而，若此加大部406之面積太大，例如比值大於約6%，則會造成顯示裝置100的顯像不均。然而，若此比值太小，例如小於約1.5%，則此加大部406之面積會太小而無法有效遮蔽漏光現象。
接著，參見第41A圖，該圖係本揭露實施例之顯示裝置100之剖面圖。如第41A圖所示，顯示裝置100更包括第一基板101、與第一基板101相對設置之第二基板103、以及設於第一基板101上之主間隔物142(main spacer)與次間隔物410(sub-spacer)。此外，顯示裝置100更包括設於第一基板101上之第一配向層148及設於第二基板103上之第二配向層150。
在第41A圖所示之實施例中，第一基板101為彩色 濾光層基板，而第二基板103為電晶體基板。詳細而言，作為彩色濾光層基板之第一基板101可包括一第一透明基板126、設於此第一透明基板126上之遮光層128、以及設於此遮光層128上之彩色濾光層130。上述第一透明基板126例如可為玻璃基板、陶瓷基板、塑膠基板或其它任何適合之透明基板，而上述彩色濾光層130可包括紅色濾光層、綠色濾光層、藍色濾光層、或其它任何適合之彩色濾光層。此外，作為電晶體基板之第二基板103可為一透明基板，其材料可與上述第一透明基板126之材料相同。然而，在其它實施例中，第二基板103之透明基板的材料可與第一透明基板126之材料不同。此外，第二基板103之透明基板之中或之上設有用以控制畫素之電晶體(未繪示)，例如薄膜電晶體。
上述設於第一基板101上之主間隔物142與次間隔物410係用以間隔第一基板101與第二基板103，使液晶材料318可填入此第一基板101與第二基板103之間。此外，由於主間隔物142為用以間隔第一基板101與第二基板103之主要結構，而次間隔物410主要係於顯示裝置被按壓時防止第一基板101與第二基板103接觸之結構，故主間隔物142之高度比次間隔物410之高度高。此外，主間隔物142具有遠離第一基板101之頂面142T以及鄰近第一基板101之底面142B，而次間隔物410亦具有遠離第一基板101之頂面410T以及鄰近第一基板101之底面410B。上述主間隔物142與次間隔物410之材料可包括光阻，例如正光 阻或負光阻。且主間隔物142與次間隔物410可由同一道微影或微影蝕刻製程定義而成。然而，主間隔物142與次間隔物410亦可分別由不同之微影或微影蝕刻製程定義而成。上述微影製程包括光阻圖案化，此光阻圖案化更包括光阻塗佈、軟烤、光罩對準、曝光圖案、後曝烤(post-exposure baking)、光阻顯影及硬烤等製程步驟。而上述蝕刻步驟可包括反應離子蝕刻(reactive ion etch，RIE)、電漿蝕刻或其它合適的蝕刻步驟。
上述此第一配向層148及第二配向層150係為用來誘導液晶分子定向排列的薄層，其材料可各自獨立地包括聚亞醯胺(polyimide)或其它任何適合之配向層材料。此第一配向層148覆蓋於第一基板101、主間隔物142與次間隔物410上。且設於主間隔物142之頂面142T上的第一配向層148可直接接觸第二配向層150。
參見第41A-41C圖，其中第41B、41C圖係本揭露實施例之顯示裝置100之上視圖及側視圖。如第41A-41C圖所示，在對組或搬運時，由於主間隔物142之頂面142T上的第一配向層148直接接觸第二配向層150，故會於第二配向層150對應主間隔物142之頂面142T之區域形成粗糙區412，粗糙區412的面積可能會大於主間隔物142之頂面142T的面積。易言之，第二配向層150包括粗糙區412，且此粗糙區412係對應主間隔物142設置。此第二配向層150之粗糙區412的粗糙度與第二配向層150之其它區域之粗糙度不同。此外，主間隔物142之頂面 142T至粗糙區412的邊緣之距離D13為0μm至12μm，大約小於11.5μm。詳細而言，距離D13為主間隔物142之頂面142T於第一基板101的投影邊緣142TE與粗糙區412的邊緣412E之距離。
由於第二配向層150之粗糙區412的配向程度與第二配向層150之其它區域之配向度不同，故對應此粗糙區412之液晶分子的排列方式會與對應其它液晶分子的排列方式不同，因此會造成顯示裝置100之漏光現象，且會降低對比度。因此，本揭露於顯示裝置100中對應此粗糙區412的區域設置遮光層之加大部，以遮蔽顯示裝置可能會產生漏光現象之區域並提升裝置之對比度。
如第41B-41C圖所示，遮光層128之加大部406包括主加大部406A及次加大部406B，且主間隔物142係對應主加大部406A設置，而次間隔物410係對應次加大部406B設置。此外，此主加大部406A及次加大部406B皆設於兩相鄰之次畫素402之交會處408。易言之，此主加大部406A及次加大部406B係設於矩陣部欄404C及矩陣部列404R之交會處408。
本揭露藉由將主間隔物142對應主加大部406A設置，可使此主加大部406A可遮蔽對應主間隔物142之粗糙區412所造成之漏光現象。在一實施例中，包括主加大部406A之遮光層128可完全遮蔽粗糙區412。
此外，為使主加大部406A可有效遮蔽漏光現象，主間隔物142之底面142B於第一基板101的投影邊緣142BE與主 加大部406A的邊緣406AE之最大距離D14為約5μm至15μm，11.5μm至12.5μm較佳。若此距離D14過大，例如大於約15μm，則會造成顯示裝置100的畫素開口區過小或顯像不均。然而，若此距離D14太小，例如小於約5μm，則此主加大部406A之面積會太小而無法有效遮蔽漏光現象。此外，如第41B圖所示，距離D14應大於距離D13以使包括主加大部406A之遮光層128可完全遮蔽粗糙區412。
此次加大部406B可遮蔽顯示裝置100之漏光現象以提升裝置之對比度。例如，在一實施例中，顯示裝置100中對應次間隔物410之第一側S4的距離D15為5.5μm，而對應次間隔物410之相對此第一側S4之第二側S5的距離D16為8.5μm。若將此對應次間隔物410之第一側S4的距離D15增加為8.75μm，並將對應次間隔物410之第二側S5的距離D16增加為10.75μm，則顯示裝置100之對比度會從881提升至994。
繼續參見第41A-41C圖，在一實施例中，第一配向層148與第二配向層150係以摩擦製程(rubbing process)配向。然而，在以摩擦製程將第一配向層148配向時，位於主間隔物142和次間隔物410之底面邊緣142BE和410BE周圍的第一配向層148較難被有效配向。因此，底面邊緣142BE和410BE周圍的第一配向層148之配向程度與第一配向層148之其它區域之配向程度不同。
此配向程度不同會使對應主間隔物142和次間隔物 410之底面邊緣142BE和410BE周圍的液晶分子的排列方式會與對應其它液晶分子的排列方式不同，故會造成顯示裝置100之生漏光現象，且會降低對比度。因此，本揭露於顯示裝置100中對應主間隔物142設置主加大部406A外，對應次間隔物410之底面邊緣410BE周圍的區域設置遮光層之次加大部406B，以遮蔽顯示裝置可能會產生漏光現象之區域並提升裝置之對比度。
繼續參見第41B-41C圖，本揭露之次間隔物410可對應次加大部406B設置，以使此次加大部406B可遮蔽對應次間隔物410之底面邊緣410BE周圍的區域所造成之漏光現象。
為使次加大部406B可有效遮蔽漏光現象，次間隔物410包括鄰近第一基板101之底面410B，如第41A圖所示。且參見第41B-41C圖，次間隔物410之底面410B的邊緣410BE與次加大部406B的邊緣406BE之距離D15或D16為約5μm至10μm。詳細而言，此距離D15或D16係指次間隔物410之底面410B於第一基板101的投影邊緣410BE與次加大部406B於第一基板101的投影邊緣406BE之最大距離。若此距離D15或D16過大，例如大於約10μm，則會造成顯示裝置100的畫素開口區過小或顯像不均。然而，若此距離D15或D16太小，例如小於約5μm，則此次加大部406B之面積會太小而無法有效遮蔽漏光現象。
此外，因摩擦配向製程(rubbing process)會使主間隔物142和次間隔物410之底面邊緣142BE和410BE周圍的第一配向層148於間隔物142和次間隔物410之相對側具有不同之配向 程度。詳細而言，若此摩擦製程包括多個摩擦步驟，則以最後之摩擦步驟之摩擦方向為準(例如第41B-41C圖中的摩擦方向414)。次間隔物410面對此摩擦方向414之側邊為第一側S4(亦稱為迎風側)，而次間隔物410背對此摩擦方向414之側邊為第二側S5(亦稱為背風側)。此第一側S4(迎風側)與第二側S5(背風側)互為相反側。由於位於第一側S4(迎風側)之底面邊緣410BE周圍之第一配向層148係面對此摩擦方向414，而位於第二側S5(背風側)之底面邊緣410BE周圍之第一配向層148係背對此摩擦方向414，故位於第一側S4(迎風側)之第一配向層148的配向程度比位於第二側S5(背風側)之第一配向層148的配向程度好。此不同之配向程度會使得顯示裝置100於次間隔物410之底面邊緣410BE周圍於第一側S4(迎風側)與第二側S5(背風側)之漏光程度不同。
因此，次間隔物410之底面410B的邊緣410BE與次加大部406B的邊緣406BE之距離D15或D16於第一側S4(迎風側)與第二側S5(背風側)可以不同，以對應不同之漏光程度。在一實施例中，次間隔物410之底面410B的邊緣410BE於第一側S4(迎風側)與次加大部406B的邊緣406BE之距離D15為約5μm至8μm，而次間隔物410之底面410B的邊緣410BE於第二側S5(背風側)與次加大部406B的邊緣406BE之距離D16為約5μm至約10μm。若此距離D15或D16過大，例如大於約10μm，則會造成顯示裝置100的畫素開口區過小或顯像不均。然而，若此距 離D15或D16太小，例如小於約5μm，則此次加大部406B之面積會太小而無法有效遮蔽漏光現象。
次加大部406B可遮蔽顯示裝置100之漏光現象以提升裝置之對比度。例如，在一實施例中，顯示裝置100中對應次間隔物410之第一側S4的距離D15為5μm，而對應次間隔物410之相對此第一側S4之第二側S5的距離D16亦為5μm。若將此對應次間隔物410之第一側S4的距離D15增加為5.5μm，並將對應次間隔物410之第二側S5的距離D16亦增加為5.5μm，則顯示裝置100之對比度會從393大幅提升至847。
接著，參見第42A-42B圖，此兩圖為本揭露另一實施例之顯示裝置100之上視圖與側視圖。在此實施例中，第一配向層148與第二配向層150係以光配向製程(photo alignment process)配向，或該第一配向層148係以光配向製程配向，該第二配向層150為摩擦製程配向，而非以前述皆為摩擦配向製程(rubbing process)配向。光配向製程是以線偏振光照射配向層以產生配向效果。而線偏振光入射時之方向決定配向層之配向方向，線偏振光入射時與配向層的夾角則會影響之後液晶分子受配向時的預傾角。
由於在以光配向製程配向時，並不會有前述主間隔物142和次間隔物410之底面邊緣142BE和410BE周圍的第一配向層148與第一配向層148之其它區域之配向程度不同之情形。因此，設於顯示畫素區104內之次間隔物410對應之區域中的遮 光層128未設有次加大部406B或任何加大部406，如第42A-42B圖所示。
然而，由於次間隔物410的尺寸與位置在不同之製程批次之間可能會產生變異，且在組裝第一基板101與第二基板103時亦可能產生位置之偏移，故次間隔物410仍須與鄰近之次畫素402保持一定的距離。例如，在一實施例中，次間隔物410之底面410B於第一基板101的投影邊緣410BE至次畫素402之最短距離D17為約3μm至8μm。若此距離D17過大，例如大於約8μm，則會造成顯示裝置100的畫素開口區過小或顯像不均。然而，若此距離D17太小，例如小於約3μm，則次間隔物410可能會因為製程之變動而於次畫素402中露出，使顯示的品質惡化。
此外，由於過多的次間隔物410的數量會使顯示裝置100之畫素400的開口率難以增加，使顯示裝置100之穿透度難以提升，故在本揭露一實施例中，如第43圖所示，顯示裝置100之每一個畫素400包括三個次畫素402，且次間隔物410之數量與次畫素402之數量的比例為1：3。若次間隔物410之數量太多，例如次間隔物410之數量與次畫素402之數量的比例高於1：3(亦即每三個次畫素402對應多於一個次間隔物410)，則顯示裝置100之畫素400的開口率難以增加，且穿透度難以提升。然而，若次間隔物410之數量太少，例如次間隔物410之數量與次畫素402之數量的比例低於1：3(亦即每三個次畫素402對應少於一個次間隔物410)，則難以提供顯示裝置100良好之結構穩定度。
此外，上述次間隔物410之數量與次畫素402之數量的比例亦會影響顯示裝置100之對比度及穿透度。例如，在一實施例中，將次間隔物410之數量與次畫素402之數量的比例由1：1改為1：3，則顯示裝置100之對比度會從909提升至998，且透光度會由2.8%提升至3.1%。由此可知，本揭露之次間隔物410之數量與次畫素402之數量的特定比例(亦即1：3)相較於傳統顯示裝置之次間隔物410之數量與次畫素402之數量的比例(亦即1：1)具有不可預期之功效。
此外，繼續參見第43圖，任一次間隔物410與最近之另一次間隔物410間隔三個次畫素402欄，此配置可防止顯像不均(mura issue)的現象產生。
此外，第43圖之實施例與前述第40A-42B圖之實施例之差別在於相鄰之次畫素列402R之傾斜方向不同。詳細而言，如第43圖所示，次畫素列402R1中之所有次畫素402皆向第43圖之左側傾斜，而與次畫素列402R1相鄰之次畫素列402R2中之所有次畫素402皆向第43圖之右側傾斜。此配置可進一步減少顯示裝置100之視差問題。
此外，藉由調整特定數量比例或特定排列方式的加大部406可更進一步防止因加大部406所造成的視覺條紋感的顯像不均等現象產生，使顯示的品質可進一步提升。詳細而言，在一實施例中，顯示裝置之每一個畫素包括三個次畫素，遮光層包括多個加大部，且加大部之數量與次畫素之數量的比例為約1： 12至1：18，此特定之數量比例可更進一步防止顯像不均。
若加大部之數量太多，例如加大部之數量與次畫素之數量的比例大於約1：12(亦即每12個次畫素對應多於一個加大部)，則會造成顯示裝置100的穿透度不足。然而，若此加大部之數量太少，例如加大部之數量與次畫素之數量的比例小於約1：18(亦即每18個次畫素對應少於一個加大部)，則加大部易造成顯示裝置100有視覺條紋感的現象。
本揭露於後文將提供兩實施例以描述上述具有特定數量比例及特定排列方式之加大部。首先參見第44圖，該圖係本揭露一實施例之顯示裝置100之上視圖。第44圖繪示由108個次畫素402所組成的次畫素區域416，且此次畫素區域416具有18個次畫素欄402C及6個次畫素列402R。在此次畫素區域416中，加大部406之數量與次畫素402之數量的比例為1：18。加大部406係設於兩個次畫素欄402C之間，且設於兩個次畫素列402R之間。
此外，在次畫素區域416中，每兩個相鄰之次畫素欄402C之間之加大部406的數量小於等於1，且每兩個相鄰之次畫素列402R之間之加大部406的數量小於等於1。易言之，每兩個相鄰之次畫素欄402C之間僅設有一個加大部406，而每兩個相鄰之次畫素列402R之間僅設有一個加大部406。且任一加大部406與最近之另一加大部406皆間隔三個次畫素欄402C。
再者，第44圖之顯示裝置100包括至少一主間隔物 142，且所有主間隔物142對應之區域中皆設有加大部406。此外，第44圖之顯示裝置100更包括至少一次間隔物410，且部分加大部406對應之區域中設有次間隔物410。然而，另一部分之加大部406對應之區域未設有主間隔物142及次間隔物410。此外，部分次間隔物410對應之區域中未設有加大部406。
第44圖所示之具有特定數量比例及特定排列方式之加大部406可更進一步防止顯像不均(mura issue)的現象產生，使顯示的品質可進一步提升。
接著，參見第45圖，該圖係本揭露一實施例之顯示裝置100之上視圖。第45圖繪示由12個次畫素402所組成的次畫素區域416，且此次畫素區域416具有6個次畫素欄402C及2個次畫素列402R。在此次畫素區域416中加大部406之數量與次畫素402之數量的比例為1：12。加大部406係設於每一個次畫素區域416的其中一個角落。
再者，第45圖之顯示裝置100包括至少一主間隔物142，且所有主間隔物142對應之區域中皆設有加大部406。此外，第45圖之顯示裝置100更包括至少一次間隔物410，且部分加大部406對應之區域中設有次間隔物410。然而，另一部分之加大部406對應之區域未設有主間隔物142及次間隔物410。此外，部分次間隔物410對應之區域中未設有加大部406(未繪示於第45圖)。
第45圖所示之具有特定數量比例及特定排列方式之 加大部406可更進一步防止顯像不均(mura issue)的現象產生，使顯示的品質可進一步提升。
此外，應注意的是，雖然在以上第40A-42B圖及第44-45圖之實施例中，相鄰之次畫素列之間中的所有次畫素皆朝相同之方向排列，然而本揭露之顯示裝置的次畫素亦可以第43圖所示之排列方式排列，亦即以相鄰之次畫素列之傾斜方向不同的方式排列。本揭露之範圍並不以第40A-42B圖及第44-45圖所示之實施例為限。
此外，雖然在以上第40A-45圖之實施例中，皆以第一基板為彩色濾光層基板，第二基板為電晶體基板說明。然而，此技術領域中具有通常知識者當可理解第一基板亦為電晶體基板，而此時第二基板則為彩色濾光層基板，如第46圖所示。本揭露之範圍並不以第40A-45圖所示之實施例為限。
參見第46圖，顯示裝置100之第一基板101為電晶體基板，而此時第二基板103則為彩色濾光層基板。主間隔物142與次間隔物410係設於作為電晶體基板之第一基板101上，而第一配向層148覆蓋於此第一基板101、主間隔物142與次間隔物410上。作為彩色濾光層基板之第二基板103包括第二透明基板134、設於此第二透明基板134上之遮光層128、以及設於此遮光層128之彩色濾光層130。而第二配向層150係設於此彩色濾光層130上。此第二透明基板134之材料可與上述第一透明基板126之材料相同。
雖然本發明的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾。此外，本發明之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本發明揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本發明使用。因此，本發明之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。另外，每一申請專利範圍構成個別的實施例，且本發明之保護範圍也包括各個申請專利範圍及實施例的組合。
100‧‧‧顯示裝置
102‧‧‧基板
320‧‧‧閘極線
322‧‧‧資料線
324‧‧‧開關

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，包括：複數之開關，其中每一開關包含：一閘極，設置於一基板的一表面上；一主動層設置於該閘極上，其中該閘極對於該表面的投影係與該主動層對於該表面的投影重疊，且該閘極對於該表面的投影大於該主動層對於該表面的投影，其中該閘極至少一邊緣與該主動層邊緣距離係1.2至3μm；一源極，連接該主動層；一汲極，連接該主動層，該汲極包含一連接部、一傾斜部與一延伸部，其中該傾斜部位於該連接部與該延伸部之間，且至少部分該傾斜部與該閘極重疊。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，該顯示裝置更包括：一閘極線，實質上沿一第一方向延伸，其中該閘極線與該閘極電性連接；以及一資料線，實質上沿一第二方向延伸，其中該資料線與該源極電性連接。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中該傾斜部沿一第三方向延伸，該第三方向與第一方向之間的夾角係大於0度並小於90度。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該主動層對於該表面的投影之面積係18至77μm2。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置，其中該投影沿該第一方向之長度係6至11μm或該投影沿該第二方向之長度係3 至7μm。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中該開關連接一畫素，該畫素包括一第一保護層設置於該汲極之上、一平坦層設置於該第一保護層之上、一第一透明電極設置於該平坦層之上、一第二保護層設置於該第一透明電極之上、以及一第二透明電極配置於該第二保護層之上，其中該第二透明電極具有至少二個指部、及一連結部，該連結部連接該些指部。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中每一指部之寬度係為2.25至2.75μm。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中任兩相鄰之指部相隔之距離係2.9至4.5μm。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中該指部與該資料線之距離以及該資料線的寬度之總合係7.6至9.0μm。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中任兩相鄰畫素之該第二透明電極指部之間的距離係9.5至12μm。
  11. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中該第二保護層的厚度係900至1700Å。
  12. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中一第一開口設置於該第一透明電極中、一第二開口設置於該平坦層中、以及一第三開口設置於該第一保護層中。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置，其中該第一開口之最大寬度係4至10.5μm。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置，其中該第二開口之最大寬度係3.7至7.5μm。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置，其中該第三開 口之最大寬度係2.5至4.5μm。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置，其中於該第一開口中，第二透明電極於該汲極邊緣具有一間隙。
  17. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置，其中該第一開口及第二開口邊緣至少有兩個交點。
  18. 如申請專利範圍第12項所述之顯示裝置，其中於該第二開口中，該第二透明電極於該平坦層邊緣以一距離相隔。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該畫素之長度與該畫素之寬度比係2.8至3.2，且該長度係40至70μm、以及該寬度係14至23μm。
  20. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該畫素之面積係600至1600μm2。
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