CN104914628B - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种显示装置，包括：第一基板，包括显示像素区；第二基板，与第一基板相对设置；框胶，设于第一基板与第二基板之间，且位于显示像素区外侧；及间隔墙，设于第一基板与第二基板之间且位于显示像素区及框胶之间，其中间隔墙的第一侧靠近显示像素区，间隔墙的第二侧靠近框胶，且第一侧的高度大于第二侧的高度。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及显示装置，且特别是涉及一种具有间隔墙的显示装置。

背景技术

随着数字科技的发展，显示装置已被广泛地应用在日常生活的各个层面中，例如其已广泛应用于电视、笔记本、电脑、移动电话、智能型手机等现代化信号设备，且不断朝着轻、薄、短小及时尚化方向发展。

显示装置一般包括显示像素区和非显示区，且设于非显示区的框胶必须与显示像素区间隔一定的距离，以防框胶接触显示像素区的液晶材料造成显示装置的缺陷。然而，上述距离限制了显示装置的非显示区的窄化，使显示装置无法更进一步轻、薄、短小。

因此，业界亟须一种可更进一步窄化非显示区的显示装置。

发明内容

本发明提供一种显示装置，包括：第一基板，包括显示像素区；第二基板，与第一基板相对设置；框胶(sealant)，设于第一基板与第二基板之间，且位于显示像素区外侧；及间隔墙(photo spacer wall)，设于第一基板与第二基板之间且位于显示像素区及框胶之间，其中间隔墙的第一侧靠近显示像素区，间隔墙的第二侧靠近框胶，且第一侧的高度大于第二侧的高度。

为让本发明的特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下。

附图说明

图1A为本发明实施例的俯视图；

图1B为沿着图1A的线段1B-1B所绘制的剖视图；

图2为本发明另一实施例的俯视图；

图3为本发明另一实施例的剖视图；

图4为本发明另一实施例的剖视图；

图5为本发明另一实施例的剖视图；

图6A为本发明实施例的显示装置的俯视图；

图6B为图6A的显示装置的部分放大图；

图7为本发明实施例的测试垫的俯视图；

图8A-图8B为图7的测试垫沿着线段3-3的剖视图；

图9为本发明另一实施例的测试垫的俯视图；

图10为本发明另一实施例的测试垫的俯视图；

图11为本发明另一实施例的测试垫的俯视图；

图12为本发明另一实施例的测试垫的俯视图；

图13为本发明一实施例所述的显示装置的俯视图；

图14A为图13所述的显示装置沿切线A-A’的剖面结构示意图；

图14B及图14C为本发明其他实施例所述的显示装置沿切线A-A’的剖面结构示意图；

图15为本发明另一实施例所述的显示装置的俯视图；

图16A为图15所述的显示装置沿切线B-B’的剖面结构示意图；

图16B及图16C为本发明其他实施例所述的显示装置其沿切线B-B’的剖面结构示意图；

图17为本发明又一实施例所述的显示装置的俯视图；

图18为图17所述的显示装置沿切线C-C’的剖面结构示意图；及

图19及图20为本发明其他实施例所述的显示装置母板的俯视图。

附图标记说明

100 显示装置；

101 第一基板；

102 基板；

103 第二基板；

104 显示像素区；

105 非显示区；

106 驱动单元；

107 栅极驱动电路；

108 走线区；

108a 第一线路区；

108b 第二线路区；

109 测试垫；

110 线路/信号线组；

110A 线路；

110B 线路；

110C 第一区块线路；

110D 第二区块线路；

111 栅极信号输出接点；

112 第一导线；

113A 区域；

113B 区域；

114 第二导线；

115 外部接脚连接区；

116 第一导电圈；

118 第二导电圈；

120 框胶；

122 外围边界；

124 预定切割道；

126 第一透明基板；

128 遮光层；

130 彩色滤光层；

130A 彩色滤光层；

130B 彩色滤光层；

130C 彩色滤光层；

130D 第一彩色滤光层；

130E 第二彩色滤光层；

132 平坦层；

134 第二透明基板；

136 绝缘层；

138 液晶材料；

140 间隔墙；

142 主间隔物；

144 转角区；

146 长条区；

148 第一配向层；

150 第二配向层；

202 第一导电区块；

204 第二导电区块；

205 第一贯孔；

206 介电层；

206A 介电层；

206B 介电层；

207 第二贯孔；

208 保护层；

209 第三贯孔；

210 导电层；

210 第四贯孔；

211 连接层；

212 平坦层；

213 第五贯孔；

300 第一区；

300A 区块；

300B 区块；

300Aa 子区块；

300Ab 子区块；

302 第二区；

302A 区块；

302B 区块；

304 主间隙；

306 第一间隙；

308 区块内间隙；

310 线路内间隙；

312 第二间隙；

V1 导孔；

V2 导孔；

V3 导孔；

M 导电层；

M1 第一导电层；

M2 第二导电层；

Da 距离；

Dc 距离；

D1 距离；

D2 距离；

D3 距离；

D4 距离；

D5 距离；

D6 距离；

D7 距离；

D8 距离；

W 宽度；

W1 第一导线的线宽；

W2 第二导线的线宽；

W3 第一导线及第二导线重叠的宽度；

W4 宽度；

W5 宽度；

W6 宽度；

W7 宽度；

W8 宽度；

W9 宽度；

X 第一轴；

Y 第二轴；

G1 第一间隙；

G2 第二间隙；

S1 第一侧；

S2 第二侧；

S3 交界；

H1 高度；

H2 高度；

H3 高度；

H4 高度；

H5 高度；

H6 距离；

H7 距离；

H8 高度；

H9距离；

H10 距离；

T1 厚度；

T2 厚度；

T3 厚度；

T4 厚度；

L 长度；

L1 第一导电区块的长度；

L2 第二导电区块的长度；

3-3 线段；

A-A’ 切线；

B-B’ 切线；

C-C’ 切线；

1B-1B 线段。

具体实施方式

以下针对本发明的显示装置作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本发明的不同样态。以下所述特定的元件及排列方式尽为简单描述本发明。当然，这些仅用以举例而非本发明的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，也可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。

必需了解的是，为特别描述或图示的元件可以此技术人士所熟悉的各种形式存在。此外，当某层在其它层或基板「上」时，有可能是指「直接」在其它层或基板上，或指某层在其它层或基板上，或指其它层或基板之间夹设其它层。

此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如「较低」或「底部」及「较高」或「顶部」，以描述图示的一个元件对于另一元件的相对关系。能理解的是，如果将图示的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在「较低」侧的元件将会成为在「较高」侧的元件。

在此，「约」、「大约」的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，优选是10％之内，且更佳是5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明的情况下，仍可隐含「约」、「大约」的含义。

本发明实施例是利用一设于显示像素区及框胶之间的间隔墙(photo spacerwall)以防止框胶接触显示像素区的液晶材料，使框胶与显示像素区之间的距离可更进一步的缩短以窄化显示装置的非显示区。

首先，参见图1A及图1B。图1A为本发明实施例的俯视图，而图1B 为沿着图1A的线段1B-1B所绘制的剖视图。如图1A所示，显示装置100 包括第一基板101以及与此第一基板101相对设置第二基板103。此外，如图1A及图1B所示，此显示装置100包括显示像素区104及相邻显示像素区的非显示区105。换句话说，上述第一基板101以及第二基板103都可分为显示像素区104及相邻显示像素区的非显示区105。此外，此非显示区105 包括一外部接脚压合区(Out Lead Bonding，OLB)115，如图1A所示。

上述显示装置100可为液晶显示器，例如为薄膜晶体管液晶显示器。或者，此液晶显示器可为扭转向列(Twisted Nematic,TN)型液晶显示器、超扭转向列(Super TwistedNematic,STN)型液晶显示器、双层超扭转向列(Double layer Super Twisted Nematic,DSTN)型液晶显示器、垂直配向(Vertical Alignment,VA)型液晶显示器、水平电场效应(In-Plane Switching,IPS)型液晶显示器、胆固醇(Cholesteric)型液晶显示器、蓝相(Blue Phase)型液晶显示器或其它任何适合的液晶显示器。

参见图1B，上述第一基板101包括一第一透明基板126、设于此第一透明基板126上的遮光层128、以及设于此遮光层128的彩色滤光层130。此外，第一基板101可还包括覆盖此彩色滤光层130以及部分遮光层128的平坦层132。

上述第一透明基板126例如可为玻璃基板、陶瓷基板、塑胶基板或其它任何适合的透明基板。而上述遮光层128用以遮蔽非显示区105以及显示像素区104中的像素以外的元件。此外，遮光层128的材料可为黑色光致抗蚀剂、黑色印刷油墨、黑色树脂或其它任何适合的遮光材料与颜色。而上述彩色滤光层130可包括设于显示像素区104的彩色滤光层130A、130B及130C 以及设于非显示区105的彩色滤光层130D。且此彩色滤光层130A、130B 及130C可各自独立地为红色彩色滤光层、绿色彩色滤光层、蓝色彩色滤光层、或其它任何适合的彩色滤光层。此外，上述平坦层132的材料可为有机硅氧化合物、光致抗蚀剂，或无机材质如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、氧化铪、或上述材质的多层结构。

继续参见图1B，上述第二基板103包括一第二透明基板134，其材料可同上述第一透明基板126的材料，且第一透明基板126与第二透明基板134 的材料可以相同或不同。此外，此第二透明基板134之中或之上设有用以控制像素的晶体管(未绘示)，例如设有薄膜晶体管。第二基板103可还包括覆盖第二透明基板134以及上述晶体管的绝缘层136。此绝缘层136用以将第二基板103与设于第一基板101及第二基板103之间的元件电性绝缘。此绝缘层136的材料可为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、上述的组合、或其它任何适合的材料。

继续参见图1A及图1B，显示装置100还包括设于第一基板101与第二基板103之间的框胶120(sealant)以及液晶材料138。此框胶120用以密封住第一基板101与第二基板103之间的液晶材料138。此框胶120可为绝缘的透明树脂或其它任何适合的框胶材料，而此液晶材料138可为向列型液晶 (nematic)、层列型液晶(smectic)、胆固醇液晶(cholesteric)、蓝相液晶(Blue phase) 或其它任何适合的液晶材料。

如图1A及图1B所示，此框胶120位于显示像素区104外侧，易言之，此框胶120位于非显示区105中。在一些实施例中，框胶120可围绕显示像素区104。此外，框胶120的宽度W4为约200μm至900μm，例如为约500μm 至800μm。应注意的是，若框胶120的宽度W4太大，例如大于约900μm，则显示装置100的非显示区105会过宽，无法使显示装置100更为轻、薄、短小。然而，若框胶120的宽度W4太小，例如小于约200μm，则部分框胶 120有可能会破裂而无法有效密封住液晶材料138。

继续参见图1A及图1B，显示装置100还包括设于第一基板101与第二基板103之间的间隔墙140(photo spacer wall)，且此间隔墙140位于显示像素区104及框胶120之间，以进一步防止框胶120接触显示像素区104的液晶材料138。此外，间隔墙140具有靠近显示像素区104的第一侧S1以及靠近框胶120的第二侧S2，且此第一侧S1的高度H1大于第二侧S2的高度 H2。例如，在图示中，间隔墙140的高度由S1侧(靠近显示区104侧)的H1 逐渐往S2侧(靠近框胶120侧)降低至H2。应注意的是，虽然在图1A及图 1B所示的实施例中，间隔墙140位于第一基板101的平坦层132上，然而，在其它实施例中，间隔墙140也可位于第二基板103上，此部分将于后文详细说明。此外，虽然在图1A所示的实施例中，间隔墙140完全环绕显示像素区104。然而，技术人士应可知间隔墙140不仅一圈也可为多圈，或是仅部分环绕显示像素区104，因此，本发明的保护范围并不局限于图1A所示的实施例。

此外，间隔墙140的材料可包括光致抗蚀剂，例如正光致抗蚀剂或负光致抗蚀剂。间隔墙140可通过光刻或光刻蚀刻制作工艺形成。在一实施例中，上述光刻制作工艺包括光致抗蚀剂图案化，此光致抗蚀剂图案化还包括光致抗蚀剂涂布、软烤、光掩模对准、曝光图案、后曝烤(post-exposure baking)、光致抗蚀剂显影及硬烤等制作工艺步骤。而上述蚀刻步骤可包括反应离子蚀刻(reactive ion etch，RIE)、等离子体蚀刻或其它合适的蚀刻步骤。

继续参见图1B，间隔墙140(或后续设于间隔墙140的顶面上的第一配向层148)并未直接接触第二基板103，故间隔墙140(或后续设于间隔墙140 的顶面上的第一配向层148)与第二基板103间具有一第一间隙G1，且此第一间隙G1的高度H5可为约0.1μm至1.5μm，例如为约0.3μm至0.8μm。第一间隙G1的高度H5定义为第二配向层150至间隔墙140的顶面(或后续设于间隔墙140的顶面上的第一配向层148)的最大距离H6及最小距离H7的平均值(亦即H5＝(H6+H7)/2)。此外，框胶120可直接接触间隔墙140，且部分框胶120还可自第二侧S2向第一侧S1延伸的一距离D8，此距离D8可为间隔墙140的宽度W5的约20％-90％，例如约40％-70％。应注意的是，若距离D8过大，例如大于约间隔墙140的宽度W5的90％，则会使框胶120 接触污染显示像素区104的液晶材料138而造成缺陷的机率增加，使制作工艺良率下降。此外，若第一间隙G1的高度H5过大，例如大于约1.5μm，则间隔墙140无法有效防止框胶120经由第一间隙G1延伸进入显示像素区 104，且间隔墙140与后续的主间隔物142的高度差会过大或使框胶120接触而污染显示像素区104内的液晶材料138，会使显示装置100产生框形显像不均(frame mura)等显像不均的问题。然而，若第一间隙G1的高度H5过小，例如小于约0.1μm，则间隔墙140的顶面会过于靠近第二基板103，使延伸进入第一间隙G1的框胶120可能会将第二基板103推离第一基板101，会使显示装置100产生间隙显像不均(gapmura)等显像的问题，造成制作工艺良率下降。

由于上述间隔墙140可防止框胶120接触显示像素区104的液晶材料 138，故框胶120与显示像素区104之间的距离可更进一步的缩短以窄化显示装置100的非显示区105，使显示装置100更为轻、薄、短小。此外，由于框胶120的第一侧S1的高度H1大于第二侧S2的高度H2，故即使框胶 120如前文所述延伸进入间隔墙140与第二基板103之间的第一间隙G1，较高的第二侧S2的高度H2也可防止框胶120经由第一间隙G1延伸进入显示像素区104，故可进一步防止框胶120接触显示像素区104的液晶材料138 造成显示装置100的缺陷。如图1B所示，在不考虑框胶120延伸入第一间隙G1的情况下，上述框胶120与显示像素区104之间的距离为间隔墙140 的宽度W5、后续位于间隔墙140的两侧S1、S2的第一配向层148的厚度 T1及间隔墙140的第一侧S1至显示像素区104的距离D7加总所得的总距离(亦即W5+2xT1+D7)。

上述间隔墙140的第一侧S1的高度H1与第二侧S2的高度H2的差值可为约0.01μm至0.3μm，例如为约0.05μm至0.1μm。应注意的是，若第一侧S1与第二侧S2的差值太大，例如大于约0.3μm，则表示第二侧S2的高度H2会过低，会使间隔墙140无法有效防止框胶120接触显示像素区104 的液晶材料138。然而，若第一侧S1与第二侧S2的差值太小，例如小于约 0.01μm，则间隔墙140无法有效利用第一侧S1与第二侧S2的高度差来防止框胶120经由第一间隙G1延伸进入显示像素区104。

继续参见图1B，间隔墙140的宽度W5为约10μm至200μm，例如为约 60μm至110μm。应注意的是，若间隔墙140的宽度W5太宽，例如宽于约 200μm，则显示装置100的非显示区105会过宽，无法使显示装置100更为轻、薄、短小。然而，若间隔墙140的宽度W5太窄，例如窄于约10μm，则间隔墙140无法有效防止框胶120接触显示像素区104的液晶材料138。

此外，间隔墙140的第一侧S1至显示像素区104的距离D7为20μm至 200μm，例如为约50μm至100μm。应注意的是，若此距离D7过宽，例如宽于约200μm，则显示装置100的非显示区105会过宽，无法使显示装置 100更为轻、薄、短小。然而，若此距离D7过短，例如小于约20μm，则会使框胶120接触显示像素区104的液晶材料138而造成缺陷的机率增加，使制作工艺良率下降。

此外，间隔墙140的高度H3可通过改变间隔墙140的第一侧S1至显示像素区104的距离D7来调整。详细而言，若距离D7越小，则间隔墙140 的流平效应(reflow effect)越小，可允许间隔墙140有较高的高度。反之，若距离D7越大，则间隔墙140的流平效应越大，可允许间隔墙140有较低的高度。因此，可通过调整距离D7来使主间隔物142与间隔墙140的高度差(亦即H4-H3)介于后文所述的优选的范围中(亦即约0.1μm至1.5μm)。

继续参见图1B，显示装置100还包括位于第一基板101与第二基板103 之间的主间隔物142(main photo spacer)，且此主间隔物142设于显示像素区 104内。主间隔物142可与间隔墙140在同一道光刻或光刻蚀刻制作工艺定义而成，然而，主间隔物142也可通过另一道光刻或光刻蚀刻制作工艺形成。

此外，此主间隔物142的高度H4高于间隔墙140的高度H3。在上述中，间隔墙140的高度H3定义为间隔墙140的第一侧S1的高度H1与第二侧 S2的高度H2的平均值(也即H3＝(H1+H2)/2)。在一些实施例中，主间隔物 142的高度H4高于间隔墙140的高度H3约0.1μm至1.5μm，例如为约0.3μm 至0.8μm。应注意的是，若主间隔物142与间隔墙140的高度差过大，例如大于约1.5μm，则显示装置100会产生框形显像不均(frame mura)等显像不均的问题。然而，若主间隔物142与间隔墙140的高度差过小，例如小于约 0.1μm，则间隔墙140的顶面会过于靠近第二基板103，使延伸进入第一间隙G1的框胶120可能会将第二基板103推离第一基板101，会使显示装置 100产生间隙显像不均(gap mura)等显像的问题，造成制作工艺良率下降。

接着回到图1A，间隔墙140包括转角区144以及长条区146，且转角区 144的宽度W6与长条区146的宽度W7不同。例如，在图1A所示的实施例中，转角区144的宽度W6大于长条区146的宽度W7。

然而，转角区的宽度也可小于长条区的宽度。例如，图2绘示本发明的另一实施例，与前述图1A-图4所示的实施例的差异主要在于转角区144的宽度W6小于长条区146的宽度W7。此外，此技术领域中具有通常知识者可知转角区的宽度也可等于长条区的宽度，故本发明的保护范围并不局限于图1A、图1B及图2所示的实施例。应注意的是，后文中与前文相同或相似的元件或膜层将以相同或相似的标号表示，其材料、制造方法与功能都与前文所述相同或相似，故此部分在后文中将不再赘述。

接着回到图1B，显示装置100可还包括设于平坦层132上且覆盖间隔墙140及主间隔物142的第一配向层148，以及设于绝缘层136上的第二配向层150。此第一配向层148及第二配向层150为用来诱导液晶分子定向排列的薄层，其材料可为聚亚酰胺(polyimide)或其它任何适合的配向层材料。此外，设于主间隔物142的顶面上的第一配向层148可直接接触第二配向层 150。此第一配向层148的厚度可为约300埃至1000埃，例如为约400埃至 700埃，且此第一配向层148位于平坦层132上的厚度T1大于或等于第一配向层148位于间隔墙140上的厚度T2。

继续参见图1B，如前文所述，第一基板101的彩色滤光层130可包括设于非显示区105的第一彩色滤光层130D，且此第一彩色滤光层130D对应于间隔墙140下方设置。此外，如图1B所示，第一彩色滤光层130D的宽度W8大于间隔墙140的宽度W5。然而，应注意的是，第一彩色滤光层的宽度也可小于间隔墙的宽度。例如，在图3所示的另一实施例中，第一彩色滤光层130D的宽度W8小于间隔墙140的宽度W5。此外，此技术领域中具有通常知识者可知第一彩色滤光层的宽度也可等于间隔墙的宽度，故本发明的保护范围并不局限于图1A、图1B、图2及图3所示的实施例。

间隔墙140的高度H3可通过改变对应其下方设置的第一彩色滤光层 130D的宽度W8来调整。详细而言，若第一彩色滤光层130D的宽度W8越小，则间隔墙140的流平效应(reflow effect)越大，可允许间隔墙140有较低的高度。反之，若第一彩色滤光层130D的宽度W8越大，则间隔墙140的流平效应越小，可允许间隔墙140有较高的高度。因此，可通过调整第一彩色滤光层130D的宽度W8来使主间隔物142与间隔墙140的高度差(亦即 H4-H3)介于前述优选的范围中(亦即约0.1μm至1.5μm)。

此外，参见图4，该图为本发明另一实施例的剖视图。与前述图1A-图 3所示的实施例的差异主要在于第一基板101的彩色滤光层130还包括对应于间隔墙140下方第二彩色滤光层130E，第二彩色滤光层130E与第一彩色滤光层130D相异，且第一彩色滤光层130D与第二彩色滤光层130E的交界 S3对应于间隔墙140下方。然而，应注意的是，第一彩色滤光层130D与第二彩色滤光层130E的交界S3也可对应于间隔墙140的第一侧S1或此第一侧S1以外的区域，本发明的保护范围并不局限于图4所示的实施例。此外，与第一彩色滤光层130D相似，间隔墙140的高度H3可通过改变对应其下方设置的第二彩色滤光层130E的宽度W9来调整。

图5绘示本发明的另一实施例，与前述图1A-图4所示的实施例的差异主要在于间隔墙140位于第二基板103的绝缘层136上，而非如前述图1A- 图4所示的实施例位于第一基板101的平坦层132上。此外，如图5所示，显示装置100可还包括设于绝缘层136上且覆盖间隔墙140的第二配向层 150，此第二配向层150的材料同前述第一配向层148的材料，且设于主间隔物142的顶面上的第二配向层150可直接接触第一配向层148。此外，此第二配向层150位于绝缘层136上的厚度T3大于或等于第二配向层150位于间隔墙140上的厚度T4。

此外，间隔墙140(或设于间隔墙140的顶面上的第二配向层150)并未直接接触第一基板101，故间隔墙140与第一基板101间具有第二间隙G2，且此第二间隙G2的高度H8为0.1μm至1.5μm，例如为约0.3μm至0.8μm。第二间隙G2的高度H8定义为第一配向层148至间隔墙140的顶面(或设于间隔墙140的顶面上的第二配向层150)的最大距离H9及最小距离H10的平均值(亦即H8＝(H9+H10)/2)。应注意的是，若第二间隙G2的高度H8过大，例如大于约1.5μm，则间隔墙140无法有效防止框胶120经由第二间隙G2延伸进入显示像素区104，且间隔墙140与主间隔物142的高度差会过大，会使显示装置100产框形显像不均(frame mura)等显像不均的问题。然而，若第二间隙G2的高度H8过小，例如小于约0.1μm，则间隔墙140的顶面会过于靠近第一基板101，使延伸进入第二间隙G2的框胶120可能会将第一基板 101推离第二基板103，会使显示装置100产生间隙显像不均(gap mura)等显像的问题，造成制作工艺良率下降。

综上所述，由于本发明的间隔墙可防止框胶接触显示像素区的液晶材料，故框胶与显示像素区之间的距离可更进一步的缩短以窄化显示装置的非显示区，使显示装置更为轻、薄、短小。此外，由于间隔墙靠近显示区的一侧高度相对较高，故即使框胶延伸进入间隔墙仍无法进入显示像素区，故可进一步防止框胶接触液晶材料造成显示装置的缺陷。

此外，本发明实施例是利用改变显示装置中线路的配置，以缩小此线路于集成电路中所占据的面积。此外，本发明实施例也使用一图案化测试垫以提升此显示装置的制作工艺可靠度及制作工艺良率。

首先，发明人已知的一种显示装置包括栅极驱动电路、驱动单元、测试垫及线路。此驱动单元包括栅极信号输出接点(Output Bump)，且此栅极信号输出接点通过线路电连接至栅极驱动电路，并通过另一线路电连接至测试垫。由此可知，上述两线路分别占据了驱动单元中的两区域(对应图6B的区域113A与区域113B)。而当面板分辨率提高造成芯片(例如驱动单元)所需的信号输出接点增加时，会压缩到面板上原本用以形成线路的面积，也引发线路经过芯片下方时，芯片下方可容纳线路空间不足的问题。

因此，为了缩小线路所占据的面积，本发明提出另一种显示装置中线路的配置方式。参见图6A，该图为本发明实施例的显示装置的俯视图。如图 6A所示，显示装置100包括显示区104以及相邻此显示区104的非显示区 105，其中显示区104指显示装置100中设有包括晶体管的像素显示的区域，而此晶体管例如可为薄膜晶体管。因此，显示区104也可称为显示像素区 104。而非显示区105即为显示装置中除显示区104外的其它区域。在此实施例中，非显示区105包围显示区104，且其中包括位于显示区104两侧的栅极驱动电路(GateDriver on Panel，GOP)107、与位于外部接脚连接区(Out Lead Bonding，OLB)115中的驱动单元106以及测试垫109。此外，非显示区105中还包括线路110，且部分线路110设于上述外部接脚连接区115中。在其他实施例中，栅极驱动电路107可仅位于显示区104的单侧。

此显示装置100可为液晶显示器，例如为薄膜晶体管液晶显示器。此驱动单元106可用以提供源极信号至显示区104的像素(未绘示)，或提供栅极信号至栅极驱动电路107。而栅极驱动电路107用以提供扫描脉冲信号至显示区104的像素，并配合上述源极信号一同控制设于显示区104内的各个像素(未绘示)进而令显示装置100显示画面。此栅极驱动电路107例如可为面板上栅极驱动电路(Gate on Panel，GOP)或其他任何适合的栅极驱动电路。

此外，此驱动单元106经由测试垫109电连接至栅极驱动电路107。此测试垫109可通过任何适合的方式电连接至栅极驱动电路107及驱动单元 106，例如，在一实施例中，如图6A所示，测试垫109可通过线路110电连接至栅极驱动电路107及驱动单元106。

本发明通过将驱动单元106经由测试垫109电连接至栅极驱动电路107，可缩小线路110于驱动单元106中所占据的面积。详细而言，参见图6B，该图为图6A的显示装置的部分放大图。如该图所示，驱动单元106的栅极信号输出接点(Output Bump)111通过线路110B电连接至测试垫109，接着，此测试垫109再通过另一线路110A电连接至栅极驱动电路107。相较于前述的发明人已知的一种显示装置，在已知的显示装置中，线路110A与110B 分别自113A与113B输出，因此于驱动单元106下方，需同时提供113A与 113B的面积，但于本发明的线路110仅占据驱动单元106中区域113B的面积，而未占据区域113A，随着面板分辨率越高，驱动单元106的输出线路数量越来越多的情况下，区域113A可提供其他输出线路使用，故可解决芯片(例如驱动单元)中线路空间不足的问题。

再者，为了提升图6A所示的显示装置100的制作工艺可靠度及制作工艺良率，本发明的显示装置100的测试垫109可为一图案化测试垫。详细而言，在测试显示装置100性能的测试步骤中，必须以探针接触测试垫109，探针会于接触测试垫109时于测试垫109的导电层该层上留下孔洞，而此导电层上的孔洞容易随着时间推移受到水氧等因素而腐蚀扩大，造成驱动单元 106与栅极驱动电路107之间的线路异常或断路，进而降低显示装置100的可靠度及制作工艺良率。为解决上述技术问题，本发明实施例的测试垫可图案化成数个导电层彼此分离的功能性区块，而该些功能性区块再通过其他连接层电连接。

参见图7及图8A，其中图7为本发明实施例的测试垫109的俯视图，而图8A为图7的测试垫109沿着线段3-3的剖视图。如以上两图所示，测试垫109包括设于基板102上的导电层M，且此导电层M包括第一区300 及第二区302。此第一区300的导电层用以传递两线路110之间的信号，而此第二区302的导电层用以在测试步骤中与探针进行触碰。此第一区300的导电层直接接触线路110，而第二区302的导电层与第一区300的导电层分离设置，亦即仅观察导电层M该层时，第一区300与第二区302并无连接或接触，例如，第一区300的导电层与第二区302的导电层可通过一主间隙 304分隔。此外，第二区302的导电层也与线路110分离。易言之，仅观察导电层M该层中，第二区302的导电层不直接接触第一区300的导电层以及线路110。第一区300及第二区302经由接触孔，由其他连接层电连接。

本发明通过将会与探针进行触碰的第二区302的导电层与用以传递信号的第一区300的导电层及线路110分离，可将测试步骤后的腐蚀现象仅局限于第二区302的导电层，而不会腐蚀至第一区300的导电层及线路110。因此，即使于测试步骤后发生腐蚀的现象，本发明的图案化测试垫109仍可良好地通过第一区300的导电层及线路110传递信号，因此，图案化测试垫109 可提升此显示装置100的可靠度及制作工艺良率。

此外，导电层M的第一区300对第二区302的面积的比值范围为2至 1000，例如为4至10。若此第一区300对第二区302的面积比值太大，例如大于1000，则用以与探针进行触碰的第二区302的导电层的面积太小，会使得测试步骤不易进行。然而，若此第一区300对第二区302的面积比值太小，例如小于2，则用以传递信号的第一区300的导电层的面积太小，会使电阻上升。此外，此测试垫109的尺寸为100μm至1000μm，例如为500μm至 800μm。此测试垫109的尺寸可为测试垫109的长度L或宽度W。

参见图8A，导电层M设于基板102上。此导电层M可为一金属层，且其材料可为单层或多层的铜、铝、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料。在其他实施例中，导电层 M可为一非金属材料，只要使用的材料具有导电性，且受到腐蚀后会有腐蚀扩散的情况的材料即可。例如，在图8A所示的实施例中，导电层M为双层的导电层，其包括第一导电层M1以及第二导电层M2。在一实施例中，第一导电层M1与第二导电层M2的材料相同。然而，在其它实施例中，第一导电层M1与第二导电层M2的材料可以不同。此两导电层M1、M2之间设有介电层(ILD)206A。此第一导电层M1及第二导电层M2具有相同的图案，且相对应的图案之间通过设于介电层206A中的导孔V1电连接。上述介电层206A的材料可为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、硼磷硅玻璃(BPSG)、磷硅玻璃(PSG)、旋涂式玻璃(SOG)、其它任何适合的介电材料、或上述的组合。上述经由导孔V1电连接第一导电层M1及第二导电层M2的材料可为第一导电层M1或第二导电层M2本身或其组合，或是其材料可包括铜、铝、钨、掺杂多晶硅、其它任何适合的导电材料、或上述的组合。

此外，在一实施例中，如图8A所示，第一区300的导电层与第二区302 的导电层可通过连接层211电连接，因连接层211相对于导电层抗腐蚀能力较高，因此不接触的第一区300与第二区302通过连接层211电连接，也同时保护导电层不受水氧的影响而腐蚀。此连接层211的材料可为透明导电材料，例如为铟锡氧化物(ITO)氧化锡(TO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌 (IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化锑锌(AZO)、上述的组合或其它抗腐蚀能力较高的适合的透明导电氧化物材料。连接层211可通过设于介电层206B中的导孔V2电连接至第一导电层M1或第二导电层M2，并由此将第一区300的导电层与第二区302的导电层电连接。

此外，导电层M也可为单层的导电层。例如，如图8B所示，基板102 上仅形成有单层的导电层M，且第一区300的导电层与第二区302的导电层也可通过连接层211经由导孔电连接。例如，连接层211可通过设于介电层 206中的导孔V3电连接至导电层M，以将第一区300的导电层与第二区302 的导电层电连接。

再参照图7，在图7所示的实施例中，主间隙304可环绕第二区302的导电层。主间隙304的宽度可为10μm至100μm，例如为20μm至40μm。此外，主间隙304的宽度与测试垫109的宽度W的比值为0.01至0.25，例如为0.025至0.1。若此主间隙304的宽度太宽，例如其宽于100μm，或其与测试垫109的宽度W比值大于0.25，则主间隙304会占据过多测试垫109 的面积，使导电层M的面积减少，造成电阻增加。然而，若此主间隙304 的宽度太窄，例如其窄于10μm，或其与测试垫109的宽度W比值小于0.01，则此主间隙304无法有效防止第一区300的导电层不被腐蚀。例如，当主间隙304的宽度太窄时，若探针因偏移而触碰至主间隙304，仍可能造成第一区300的导电层的暴露，使第一区300的导电层被腐蚀。

此外，第一区300的导电层也环绕第二区302的导电层，且第一区300 的导电层还可通过一或多条第一间隙306分隔成彼此分离的多个区块，亦即此多个区块之间不直接接触，例如图7所示的区块300A、300B。彼此分离的多个区块300A、300B可更进一步提升此显示装置100的制作工艺可靠度及制作工艺良率。详细而言，在测试步骤中，探针可能会因为偏移而触碰到第一区300的导电层，故第一区300的导电层也可能因此于测试步骤后发生腐蚀现象。此时彼此分离的区块300A、300B可将此腐蚀现象局限于被探针触碰到的区块内，而信号仍可通过第一区300的导电层中未被腐蚀的其它区块传递。例如，若探针触碰至区块300A，由于区块300A、300B彼此分离，故腐蚀现象被局限于区块300A内，而信号仍可通过未被腐蚀的区块300B 传递。因此，将第一区300的导电层通过一或多条第一间隙306分隔成彼此分离的多个区块可更进一步提升此显示装置100的可靠度及制作工艺良率。

上述第一间隙306的宽度可为3μm至50μm，例如为10μm至20μm。或者，第一间隙306的宽度与测试垫109的宽度W的比值为0.0033至0.1，例如为0.01至0.02。若此第一间隙306的宽度太宽，例如其宽于50μm，或其与测试垫109的宽度W比值大于0.1，则第一间隙306会占据过多测试垫109 的面积，使导电层M的面积减少，造成电阻增加。然而，若此第一间隙306的宽度太窄，例如其窄于3μm，或其与测试垫109的宽度W比值小于0.0033，则此第一间隙306无法有效分隔区块300A与区块300B。

再者，第一区300的彼此分离的多个区块300A、300B内可还包括一或多条区块内间隙308而将区块300A、300B分隔成多个子区块。上述多个子区块彼此大抵分离，仅通过一小部分彼此连接。例如区块300A可通过多条区块内间隙308分隔成多个子区块300Aa、300Ab，此子区块300Aa、300Ab 之间彼此大抵分离，仅通过附图中左上及左下的一小部分彼此物理连接。上述彼此分离的多个子区块300Aa、300Ab也可进一步提升此显示装置100的制作工艺可靠度及制作工艺良率。例如，当探针因偏移而触碰到子区块 300Ab时，由于子区块300Aa、300Ab仅通过一小部分连接，故腐蚀现象易被局限于子区块300Ab内，即使子区块300Ab因腐蚀而破坏，信号仍可通过未被腐蚀的区块300Aa传递。因此，将多个区块300A、300B通过区块内间隙308分隔成多个子区块(例如子区块300Aa、300Ab)可更进一步提升此显示装置100的可靠度及制作工艺良率。

上述区块内间隙308的宽度可为3μm至50μm，例如为10μm至20μm。或者，区块内间隙308的宽度与测试垫109的宽度W的比值为0.0033至0.1，例如为0.01至0.02。若此区块内间隙308的宽度太宽，例如其宽于50μm，或其与测试垫109的宽度W比值大于0.1，则区块内间隙308会占据过多测试垫109的面积，使导电层M的面积减少，造成电阻增加。然而，若此区块内间隙308的宽度太窄，例如其窄于3μm，或其与测试垫109的宽度W 比值小于0.0033，则子区块300Aa、300Ab过于接近，内间隙308无法有效分隔腐蚀的影响。

继续参见图7，线路110的材料可为单层或多层的铜、铝、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料，且线路110也可具有一或多条线路内间隙310。在一实施例中，至少一线路内间隙310与至少一第一间隙306连接。此线路内间隙310也可进一步提升此显示装置100的制作工艺可靠度及制作工艺良率。详细而言，若腐蚀现象由第一区300的区块300A延伸至第一区块线路110C，则线路内间隙310可将此腐蚀现象局限于此第一区块线路110C，使第二区块线路110D不会被腐蚀。因此，由于线路110不会被完全腐蚀，故可提升此显示装置100的制作工艺可靠度及制作工艺良率。在其他实施例中，连接层211也可覆盖于线路 110上。

上述线路内间隙310的宽度可为3μm至50μm，例如为10μm至20μm。或者，线路内间隙310的宽度与线路110的宽度的比值为0.02至0.5，例如为0.05至0.2。若此线路内间隙310的宽度太宽，例如其宽于50μm，或其与线路110的宽度比值大于0.5，表示内间隙310过大会增加线路110断线的风险。然而，若此线路内间隙310的宽度太窄，例如其窄于3μm，或其与线路110的宽度比值小于0.02，则此线路内间隙310无法有效分隔线路内间隙310两侧的第一区块线路110C与第二区块线路110D间相互受到腐蚀的影响。此外，线路内间隙310的长度与测试垫109的长度L比值为0.03至3。线路内间隙310的长度最短可为3μm，或者，线路内间隙310的长度与测试垫109的长度L的比值最小可为0.03。而线路内间隙310的长度最长可等于线路110于外部接脚连接区115内的长度。若线路内间隙310太短，例如其长度短于3μm，或其长度与测试垫109的长度L的比值小于0.03，则此线路内间隙310无法有效分隔第一区块线路110C与第二区块线路110D。然而，线路内间隙310的长度不可长于外部接脚连接区115中的线路110的长度。

应注意的是，除上述图7所示的实施例以外，本发明的测试垫也可有其它图案，如图9-图12的实施例所示。本发明的范围并不以图7所示的实施例为限。

参见图9，该图为本发明另一实施例的测试垫的俯视图。图9所示的实施例与前述图7的实施例的差别在于第二区302的导电层也通过一或多条第二间隙312分隔成彼此分离的多个区块302A、302B。易言之，此多个区块 302A、302B之间不直接接触。此外，在此实施例中，第一区300的导电层不具有区块内间隙。

上述彼此分离的多个区块302A、302B也可进一步提升此显示装置100 的制作工艺可靠度及制作工艺良率。例如，当探针仅触碰区块302A时，腐蚀现象被局限于区块302A，而未被腐蚀的区块302B也可经导孔通过连接层传递信号，故可提升此显示装置100的可靠度及制作工艺良率，并降低电阻。

上述第二间隙312的宽度可为10μm至100μm，例如为30μm至50μm。或者，第二间隙312的宽度与测试垫109的宽度W的比值为0.01至0.25，例如为0.05至0.1。若此第二间隙312的宽度太宽，例如其宽于100μm，或其与测试垫109的宽度W比值大于0.25，则第二间隙312会占据过多测试垫109的面积，使导电层M的面积减少，造成电阻增加。然而，若此第二间隙312的宽度太窄，例如其窄于10μm，或其与测试垫109的宽度W比值小于0.01，则此第二间隙312无法有效分隔区块302A与区块302B。

参见图10，该图为本发明又一实施例的测试垫的俯视图。在图10所示的实施例中，第二区302的导电层也通过第二间隙312分隔成彼此分离的多个区块302A、302B。而此实施例与前述图9实施例的差别在于此实施例的第二间隙312对准第一间隙306以及线路内间隙310。

参见图11，该图为本发明另一实施例的测试垫的俯视图。图11所示的实施例与前述图10实施例的差别在于第二区302的导电层通过三条第二间隙312分隔成彼此分离的四个区块302A、302B、302C与302D。此外，线路110具有两条线路内间隙310，且第一区300的导电层不具有第一间隙。

参见图12，该图为本发明另一实施例的测试垫的俯视图。图12所示的实施例与前述图7及第9-11图实施例的差别在于第一区300的导电层并未环绕第二区302的导电层，而是设于第二区302的导电层的一侧。且第二区302 的导电层通过六条第二间隙312分隔成彼此分离的七个区块302A、302B、 302C、302D、302E、302F与302G。在其他实施例中，第二间隙312的形状不限于直线，也不限于上述实施例的划分方式，只要可以将第二区302的导电层分隔成彼此分离的数个区块即可。

综上所述，通过将驱动单元经由测试垫电连接至栅极驱动电路，可缩小线路于驱动单元中所占据的面积，解决当面板分辨率提高时所造成的驱动单元中线路空间不足的问题。此外，通过使用图案化测试垫，可将测试步骤后的腐蚀仅局限于图案化测试垫的部分区域内，以提升此显示装置的制作工艺可靠度及制作工艺良率。

此外，本发明实施例另提供一种显示装置，提高走线区内导线的集成度，以降低走线区于显示装置中所占据的面积，因此可在不增加显示装置尺寸的前提下，提升显示装置的分辨率。

此外，根据本发明实施例，本发明所述显示装置可还包含一第一导电圈位于显示区外侧，其由多个导电区块构成，可避免在显示装置制作过程中，静电累积而使显示装置受损。

再者，根据本发明实施例，本发明所述显示装置可还包含一第二导电圈位于显示区外侧，其中一框胶设置于该第二导电圈上且位于显示装置的外围边界内，可确保第二导电圈的抗静电放电能力。

首先，请参照图13，为本发明一实施例所述的显示装置100的俯视图。该显示装置100包含一显示区104及一驱动单元106配置于一基板102之上。该显示装置100可为液晶显示器(例如为薄膜晶体管液晶显示器)、或是有机电激发光装置(例如为主动式全彩有机电激发光装置)。该显示区104具有多个像素(未绘示)，而该驱动单元106通过多个信号线组(signal line pairs)110 连接至该显示区104，提供信号至显示区110的多个像素以产生影像。其中，该显示区104及该驱动单元106之间以一走线区108(fanout area)相隔，而该多个信号线组110配置于该走线区108(fanout area)内。其中，每一信号线组 110包含一第一导线112与一第二导线114，且该第一导线112与该第二导线114彼此电性绝缘，并用于传递不同的信号。举例来说，位于该显示区104 内的每一像素可由多个次像素(例如：红色次像素、蓝色次像素、及绿色次像素；或是红色次像素、蓝色次像素、绿色次像素、及白色次像素)所构成，而该多个信号线组110的第一导线112与第二导线114则用于传递由驱动单元106所产生的信号至不同的次像素中。此外，在该走线区108内，每一信号线组110的该第一导线112与该第二导线114至少部分重叠。

仍请参照图13，该走线区108(fanout area)可进一步被定义为由一第一线路区108a、一第二线路区108b、及一第三线路区108c所构成，其中该第一线路区108a与该显示区104相邻、该第三线路区108c与该驱动单元106相邻、以及该第二线路区108b位于该第一线路区108a与第三线路区108c之间。

根据本发明一实施例，在该第一线路区108a内任两相邻的该第一导线 112及该第二导线114以一距离(即两者间最短的水平距离)Da相隔，而该第三线路区108c内任两相邻的该第一导线112及该第二导线114以一距离(即两者间最短的水平距离)Dc相隔。其中，该距离Da可介于约3μm至40μm 之间、该距离Dc可介于约3μm至18μm之间、且该距离Da大于该距离Dc。

请参照图14A，显示图13所述的显示装置沿切线A-A’的剖面结构示意图。由图14A可得知，在该第二线路区108b内，该些信号线组110至少其中之一的该第一导线112可与该第二导线114重叠，以降低该第一导线112 与该第二导线114投影于一水平面上的面积，增加走线区108的集成度。

仍请参照图14A，该第一导线112可配置于该基板102之上。一介电层 116配置于该基板102之上，并覆盖该第一导线112。该第二导线114配置于该介电层116之上，且该信号线组110的该第一导线112与该第二导线114 重叠。一保护层(passivation layer)118配置于该介电层116之上，并覆盖该第二导线114。其中，该基板102可为石英、玻璃、硅、金属、塑胶、或陶瓷材料；该第一导线112及该第二导线114的材质可为单层或多层的金属导电材料(例如：铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、铱(Ir)、镍(Ni)、铬(Cr)、银(Ag)、金(Au)、钨(W)、或其合金)、金属化合物导电材料(例如：包含铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、铱(Ir)、镍(Ni)、铬(Cr)、银(Ag)、金(Au)、钨(W)、镁(Mg)、或上述组合的化合物)、或其组合，且该第一导线112及该第二导线114的材质可为相同或不同；该介电层116的材质可为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、或上述材质的组合；以及，该保护层118 的材质可为有机的绝缘材料(光感性树脂)或无机的绝缘材料(氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、或上述材质的组合)，可用来隔绝第一导线112及该第二导线114与空气或水气的接触。此外，根据本发明实施例，该第一导线112及该第二导线114具有倾斜的侧壁，请参照图14A，其中该侧壁与一水平面的夹角介于约15度至90度之间，且该第一导线其侧壁的倾斜幅度及该第二导线其侧壁的倾斜幅度相同或不同。

根据本发明实施例，该第一导线112的线宽W1可介于约2μm至10μm 之间、该第二导线114的线宽W2可介于约2μm至10μm之间、且该第一导线112的线宽W1与该第二导线114的线宽W2可为相同(如图14A所示)或是不同(如图14B所示)。换言之，该第一导线112的线宽W1与该第二导线 114的线宽W2的比值可介于1至5之间。举例来说，请参照图14B，该第一导线112的线宽W1可大于该第二导线114的线宽W2。此外，请参照图14 A至图14B，第一导线112及该第二导线114可完全重叠(即该第一导线112 对于水平面的投影与该第二导线112对于水平面的投影完全重叠)。

根据本发明实施例，在该第二线路区108b内任两相邻的该第一导线112 相隔一距离(即在该第二线路区108b内两相邻第一导线间最短的水平距离)D1，且在该第二线路区108b内任两相邻的该第二导线114相隔一距离(即在该第二线路区108b内两相邻第二导线间最短的水平距离)D2，其中该距离 D1可介于约2μm至30μm之间，而该距离D2可介于约2μm至30μm之间。

根据本发明实施例，在该第二线路区108b内，该第一导线112的线宽 W1与该距离D1的总和(W1+D1)等于该第二导线114的线宽W2与距离D2 的总和(W2+D2)。此外，该距离D1与该距离D1及该第一导线112的线宽 W1的总和(W1+D1)的比值(D1/(W1+D1))可介于0.1至0.66之间。当该比值 (D1/(W1+D1)大于或等于0.1时，有利于后续形成于该第二线路区108b之上的一框胶(未绘示)于一固合制作工艺(由基板102施一能量)中完全固合；而当该比值(D1/(W1+D1)小于或等于0.66时，有利于该第二线路区108b内导线集成度的提高。

另一方面，该第一导线112及该第二导线114重叠部分的宽度W3(该第一导线112对于水平面的投影与该第二导线112对于水平面的投影的最小重叠宽度)与该第一导线112的线宽W1的比值可介于0.3至1之间。换言之，在该第二线路区108b内，信号线组110的该第一导线112与该第二导线114 可部分重叠(即该第一导线112对于水平面的投影与该第二导线112对于水平面的投影仅部分重叠)，如图14C所示，此时该第一导线112的线宽W1、该第二导线114的线宽W2、及该第一导线112及该第二导线114重叠部分的宽度W3符合以下公式：

(W1+W2-W3)/W1≧1

请参照图15，为本发明另一实施例所述的显示装置100的俯视图。该显示装置100，除了包含该显示区104、该驱动单元106、及该走线区108外，可还包含一第一导电圈(conductive loop)116，配置于基板102上且位于该显示区104外侧。如图15所示，该第一导电圈116可配置于该基板102上，并环绕该显示区104，并与该驱动单元106连接。该驱动单元106可提供一电压至该第一导电圈116，以使该第一导电圈116具有一参考电位。值得注意的是，该第一导电圈116于该走线区108会与该些信号线组110重叠，重叠部分可以由该第一导电圈116或该些信号线组110以其他导电层转层来避免短路，在此不多加详述。

根据本发明实施例，至少部分该第一导电圈116由多个第一导电区块 202及多个第二导电区块204所构成，且该些第一导电区块202与该些第二导电区块204电连接，请参照图16A，显示图15所述的显示装置100的沿第一导电圈116切线B-B’的剖面结构示意图。根据本发明实施例，由多个第一导电区块202及多个第二导电区块204所构成的该第一导电圈116，配置于该显示区104与一第一轴X垂直的两侧(即与一第二轴Y平行的两侧)，值得注意的是，本实施例由于平行第一轴X的两侧配置多条数据线(未绘示)，若将该第一导电圈116由多个第一导电区块202及多个第二导电区块204构成较为不易，但并不以此为限。

由图16A可得知，该多个第一导电区块202可配置于该基板102上。一介电层206可配置于该基板102上，并覆盖该些第一导电区块202。该些第二导电区块204可配置于该介电层206上。一保护层(passivation layer)208可配置于该介电层206上，并覆盖该些第二导电区块204。此外，多个第一贯孔205贯穿该介电层206及该保护层208，露出该第一导电区块202。多个第二贯孔207贯穿该保护层208，露出该第二导电区块204。一导电层210，配置于该保护层208之上，并填入该第一贯孔205及该第二贯孔207，以使该些数的第一导电区块202及该些的第二导电区块204通过该导电层210达成电性连结。

根据本发明实施例，该第一导电区块202及第二导电区块204的材质可为单层或多层的金属导电材料(例如：铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂 (Pt)、铱(Ir)、镍(Ni)、铬(Cr)、银(Ag)、金(Au)、钨(W)、或其合金)、金属化合物导电材料(例如：包含铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、铱(Ir)、镍(Ni)、铬(Cr)、银(Ag)、金(Au)、钨(W)、镁(Mg)、或上述组合的化合物)、或其组合，且该第一导电区块202及第二导电区块204的材质可为相同或不同。根据本发明实施例，该第一导电区块202与该第一导线112可在相同制作工艺步骤中以相同材料形成；及/或，该第二导电区块204与该第二导线 114可在相同制作工艺步骤中以相同材料形成。该介电层206的材质可为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、或上述材质的组合，且该介电层206与该介电层116可在相同制作工艺步骤中以相同材料形成。该保护层 208的材质可为有机的绝缘材料(光感性树脂)或无机的绝缘材料(氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、或上述材质的组合)，且该保护层208 与该保护层118可在相同制作工艺步骤中以相同材料形成。此外，该导电层 210可为一单层或多层的透明导电层，其材质可例如为氧化铟锡(ITO、indium tin oxide)、氧化铟锆(IZO、indium zinc oxide)、氧化铝锆(AZO、aluminum zinc oxide)、氧化锆(ZnO、zinc oxide)、二氧化锡(SnO2)、三氧化二铟(In₂O₃)、或上述的组合。

仍请参照图16A，为避免在显示装置制作过程中，由于静电累积而使显示装置100受损，该第一导电区块202的长度L1可介于约10μm至10000μm 之间，以及该第二导电区块204的长度L2可介于约10μm至10000μm之间。此外，任两相邻第一导电区块202以一距离D3彼此分隔、任两相邻第二导电区块204以一距离D4彼此分隔、且任两相邻的第一导电区块202及第二导电区块204以一距离D5相隔。其中，该距离D3介于16μm至100μm之间、该距离D4介于16μm至100μm之间、以及该距离D5介于3μm至40μm 之间。

根据本发明另一实施例，任两相邻的第一导电区块202可直接通过该第二导电区块204达成电连接。请参照图16B，该多个第一导电区块202配置于该基板102上。该介电层206配置于该基板102上，并覆盖该些第一导电区块202。多个第三贯孔209贯穿该介电层206，露出该第一导电区块202。该些第二导电区块204配置于该介电层206上，并填入该第三贯孔209中，以使任两相邻的第一导电区块202及第二导电区块204部分重叠，因此不需额外形成该导电层210。

根据本发明其他实施例，请参照图16C，一平坦层212可进一步形成于该保护层208之上。多个第四贯孔211贯穿该介电层206、该保护层208、及该平坦层212，露出该第一导电区块202。多个第五贯孔213贯穿该保护层208及该平坦层212，露出该第二导电区块204。该导电层210形成于该平坦层212之上，并填入该第四贯孔211及该第五贯孔213，以使该些第一导电区块202及该些第二导电区块204通过该导电层210达成电性连结。其中，该平坦层212为一具有绝缘性质的膜层，可例如为介电材料、或光感性树脂。

请参照图17，为本发明其他实施例所述的显示装置100的俯视图。该显示装置100，除了包含该显示区104、该驱动单元106、该走线区108、及该第一导电圈116外，还包含一第二导电圈(conductive loop)118，配置于基板 102上且位于该显示区104及该第一导电圈116外侧。如图17所示，该第一导电圈116可配置于该基板102上，环绕该显示区104，并与该驱动单元106 连接。该第二导电圈118可作为一静电放电(Electrostatic Discharge、ESD)防护单元，使静电突波无法直接损害位于显示区104内的像素。此外，一框胶 120配置于该基板102之上，并覆盖部分该第二导电圈118。其中，该框胶 120投影至该基板102的区域定义为封装区(未绘示)，而在该封装区内的第二导电圈118被该框胶120所覆盖。

该第二导电圈118的材质可为单层或多层的金属导电材料(例如：铝 (Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、铱(Ir)、镍(Ni)、铬(Cr)、银(Ag)、金 (Au)、钨(W)、或其合金)、金属化合物导电材料(例如：包含铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、铱(Ir)、镍(Ni)、铬(Cr)、银(Ag)、金(Au)、钨(W)、镁(Mg)、或上述组合的化合物)、或其组合。根据本发明一实施例，在形成该第一导电区块202及第二导电区块204时，可同时形成该第二导电圈118。此外，该框胶可为一树脂。

仍请参照图17，该显示装置100具有一外围边界122。在该封装区中，该框胶120与该外围边界122之间没有距离(距离为0)。请参照图18，显示图17所述的显示装置100沿切线C-C’的剖面结构示意图。由图18可知，该第二导电圈118与该外围边界122相隔一距离D6，且该框胶120设置于该第二导电圈118上且位于该外围边界122内(该第二导电圈118与该外围边界 122之间的空间被该框胶12填满)。值得注意的是，该距离D6介于50-300μm，以防止第二导电圈118因水或空气而发生腐蚀现象，降低其静电放电 (Electrostatic Discharge、ESD)防护能力。

为确保该第二导电圈118不会在形成框胶120时因制作工艺误差使得该第二导电圈118裸露于框胶120之外。图19为一显示装置母板201的示意图，该显示装置母板201经一切割制作工艺后形成图17所示的显示装置。如图19所示，在形成该框胶120于基板102上时，需将该框胶120覆盖于一预定切割道124上。因此，在沿该预定切割道124进行一切割制作工艺时(例如为单一或多重刀片的切割程序或激光切割程序)，可确保所得的显示装置100(如图17所示)其外围边界与该框胶120之间没有距离(距离为0)。如此一来，该第二导电圈118框胶与该外围边界122相隔该距离D6。如图19 所示，该框胶120可涂布至与该外围边界122接触。

此外，根据本发明一实施例，在形成该框胶120于基板102上时，即使该框胶120未涂布至与该外围边界122接触但所形成的框胶120仍覆盖于该预定切割道124上(请参照图20)，当沿该预定切割道124进行切割制作工艺时，仍可得到图17所示的显示装置100。

综上所述，本发明通过走线区内导线的集成度，降低走线区于显示装置中所占据的面积，因此可在不增加显示装置尺寸的前提下，提升显示装置的分辨率。此外，本发明所述显示装置可还包含一第一导电圈位于显示区外侧，其由多个导电区块构成，可避免在显示装置制作过程中，静电累积而使显示装置受损。再者，本发明所述显示装置可还包含一第二导电圈位于显示区外侧，其中一框胶设置于该第二导电圈上且位于显示装置的外围边界内，可确保第二导电圈的抗静电放电能力。

虽然本发明的实施例及其优点已公开如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中具有通常知识者可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果都可根据本发明使用。因此，本发明的保护范围包括上述制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：

第一基板，包括一显示像素区；

第二基板，与该第一基板相对设置；

框胶，设于该第一基板与该第二基板之间，且位于该显示像素区外侧；

间隔墙，设于该第一基板与该第二基板之间且位于该显示像素区及该框胶之间，该间隔墙的一第一侧靠近该显示像素区，该间隔墙的一第二侧靠近该框胶，其中该间隔墙有一顶面连接相对应的该第一侧与该第二侧，且该间隔墙的该第一侧的高度大于该第二侧的高度；及

配向层，覆盖该间隔墙。

2.如权利要求1所述的显示装置，其中该第一侧的高度与该第二侧的高度的差值为0.01μm至0.3μm。

3.如权利要求1所述的显示装置，其中该间隔墙的宽度为10μm至200μm。

4.如权利要求1所述的显示装置，其中该第一侧至该显示像素区的距离为20μm至200μm。

5.如权利要求1所述的显示装置，其中该框胶的宽度为200μm至900μm。

6.如权利要求1所述的显示装置，还包括一主间隔物，位于该第一基板与该第二基板之间且设于该显示像素区内，其中该主间隔物的高度高于该间隔墙的高度。

7.如权利要求1所述的显示装置，其中该间隔墙位于该第一基板上，该间隔墙与该第二基板间具有一第一间隙，该第一间隙的高度为0.1μm至1.5μm。

8.如权利要求1所述的显示装置，其中该间隔墙位于该第二基板上，该间隔墙与该第一基板间具有一第二间隙，该第二间隙的高度为0.1μm至1.5μm。

9.如权利要求1所述的显示装置，其中该框胶自该第二侧向该第一侧延伸的距离为该间隔墙的宽度的20％-90％。

10.如权利要求1所述的显示装置，其中该间隔墙包括一转角区以及一长条区，其中该转角区的宽度与该长条区的宽度不同。

11.如权利要求10所述的显示装置，其中该转角区的宽度大于该长条区的宽度。

12.如权利要求10所述的显示装置，其中该转角区的宽度小于该长条区的宽度。

13.如权利要求1所述的显示装置，该第一基板还包括一平坦层，且该间隔墙位于该平坦层上。

14.如权利要求13所述的显示装置，其中该配向层设于该平坦层上且该配向层位于该平坦层上的厚度大于该配向层位于该间隔墙上的厚度。

15.如权利要求1所述的显示装置，该第二基板还包括一绝缘层，且该间隔墙位于该绝缘层上。

16.如权利要求15所述的显示装置，其中该配向层设于该绝缘层上且该配向层位于该绝缘层上的厚度大于该配向层位于该间隔墙上的厚度。

17.如权利要求1所述的显示装置，该第一基板还包括一第一彩色滤光层对应于该间隔墙下方。

18.如权利要求17所述的显示装置，其中该第一彩色滤光层的宽度小于该间隔墙的宽度。

19.如权利要求17所述的显示装置，其中该第一彩色滤光层的宽度大于该间隔墙的宽度。

20.如权利要求17所述的显示装置，该第一基板还包括一第二彩色滤光层对应于该间隔墙下方，其中该第一彩色滤光层与该第二彩色滤光层的交界对应于该间隔墙下方。