CN104914596B - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种显示装置，包括：一第一开关。其中，该第一开关包含：一栅极；一有源层，设置于该栅极上，其中该栅极至少一边缘与该有源层边缘距离为1.2至3μm；一源极，连接该有源层；以及，一漏极，连接该有源层，该漏极包含一连接部、一倾斜部与一延伸部，其中该倾斜部位于该连接部与该延伸部之间，且至少部分该倾斜部与该栅极重叠。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及一种显示装置。

背景技术

随着数字科技的发展，显示装置已被广泛地应用在日常生活的各个层面中，例如其已广泛应用于电视、笔记本、电脑、移动电话、智能型手机等现代化资讯设备，且此显示装置不断朝着高分辨率与轻、薄与窄边框的方向发展。

为了追求高分辨率与解决现有液晶显示器的视角过小的缺点，业界提出一种共平面切换(In-Plane-Switching、IPS)型影像显示装置，其利用对液晶分子施加与基板平行方向的电场的方式控制液晶分子的排列方向，进而达到较广的视角示影像。然而，目前高分辨率的共平面切换型影像显示装置，仍存在着较低穿透率、较低对比度、颜色偏移、以及画面闪烁等问题。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种显示装置，包括：一第一开关。其中，该第一开关包含：一栅极；一有源层，设置于该栅极上，其中该栅极至少一边缘与该有源层边缘距离为1.2至3μm；一源极，连接该有源层；以及，一漏极，连接该有源层，该漏极包含一连接部、一倾斜部与一延伸部，其中该倾斜部位于该连接部与该延伸部之间，且至少部分该倾斜部与该栅极重叠。

为让本发明的特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明一实施例所述的显示装置的平面示意图；

图2为图1所述的开关的部分放大示意图；

图3为本发明另一实施例所述的显示装置的平面示意图；

图4为图3所述的像素及其相邻栅极线与数据线的的放大示意图；

图5为本发明一实施例所述的像素其平面示意图；

图6为本发明其他实施例所述在开关部分的像素放大示意图；

图7A为图6所述结构沿切线F-F’的剖面结构示意图；

图7B为图6所述结构沿切线G-G’的剖面结构示意图；

图8为本发明其他实施例所述在开关部分的像素放大示意图；

图9为图8所述结构沿切线H-H’的剖面结构示意图；

图10为本发明一实施例所述的显示装置的上视示意图；

图11为图10所述的显示装置自X方向的侧视结构示意图；

图12A-图12D为图10所述的显示装置沿切线E-E’的剖面结构示意图；

图13为本发明另一实施例所述的显示装置沿切线E-E’的剖面结构示意图；

图14为一显示装置母板的上视示意图，该显示装置母板经进行切割制作工艺后可得本发明图10所述的显示装置；

图15A至图15F为本发明实施例所述的显示装置母板的第二稳定区160B的放大示意图；

图16为本发明另一实施例所述的显示装置的上视示意图；

图17为本发明一实施例所述的具有测试线路的显示装置的上视示意图；

图18及图19为本发明其他实施例所述的具有测试线路的显示装置的上视示意图；

图20A为本发明实施例的显示装置的上视图；

图20B为图20A的显示装置的部分放大图；

图21为本发明实施例的测试垫的上视图；

图22A-图22B为图21的测试垫沿着线段3-3的剖视图；

图23为本发明另一实施例的测试垫的上视图；

图24为本发明另一实施例的测试垫的上视图；

图25为本发明另一实施例的测试垫的上视图；

图26为本发明另一实施例的测试垫的上视图；

图27为本发明一实施例所述的显示装置的上视图；

图28A为图27所述的显示装置沿切线A-A’的剖面结构示意图；

图28B及图28C为本发明其他实施例所述的显示装置沿切线A-A’的剖面结构示意图；

图29为本发明另一实施例所述的显示装置的上视图；

图30A为图29所述的显示装置沿切线B-B’的剖面结构示意图；

图30B及图30C为本发明其他实施例所述的显示装置其沿切线B-B’的剖面结构示意图；

图31为本发明又一实施例所述的显示装置的上视图；

图32为图31所述的显示装置沿切线C-C’的剖面结构示意图；

图33及图34为本发明其他实施例所述的显示装置母板的上视图；

图35A为本发明实施例的上视图；

图35B为沿着图35A的线段1B-1B所绘制的剖视图；

图36为本发明另一实施例的上视图；

图37为本发明另一实施例的剖视图；

图38为本发明另一实施例的剖视图；

图39为本发明另一实施例的剖视图；

图40A为本发明实施例的显示装置的上视图；

图40B为图40A的显示装置的部分加大图；

图40C为图40B的显示装置中未具有加大部的示意图；

图41A为本发明实施例的显示装置的剖视图；

图41B为本发明实施例的显示装置的上视图；

图41C为本发明实施例的显示装置的侧视图；

图42A为本发明另一实施例的显示装置的上视图；

图42B为本发明另一实施例的显示装置的侧视图；

图43为本发明另一实施例的显示装置的上视图；

图44为本发明另一实施例的显示装置的上视图；

图45为本发明另一实施例的显示装置的上视图；

图46为本发明另一实施例的显示装置的剖视图。

符号说明

100 显示装置；

101 第一基板；

102 基板；

103 第二基板；

104 显示区；

105 非显示区；

106 驱动单元；

107 栅极驱动电路；

108 走线区；

108a 第一线路区；

108b 第二线路区；

108c 第三线路区；

109 测试垫；

110 线路/信号线组；

110A 线路；

110B 线路；

110C 第一区块线路；

110D 第二区块线路；

111 栅极信号输出接点；

112 第一导线；

113A 区域；

113B 区域；

114 第二导线；

115 外部接脚连接区；

116 第一导电圈；

118 第二导电圈；

120 框胶；

120A 直线部；

120B U形部；

122 外围边界；

122A 第一边界；

122B 第二边界；

122C 第三边界；

123 交界；

124 预定切割道；

126 第一透明基板；

127 直线部与U形部交界；

128 遮光层；

130 彩色滤光层；

130A 彩色滤光层；

130B 彩色滤光层；

130C 彩色滤光层；

130D 第一彩色滤光层；

130E 第二彩色滤光层；

132 平坦层；

134 第二透明基板；

136 绝缘层；

138 液晶材料；

140 间隔墙；

142 主间隔物；

142T 顶面；

142TE 边缘；

142B 底面；

144 转角区；

146 长条区；

148 第一配向层；

150 第二配向层；

154 第一基板侧壁；

156 第一切割裂纹表面；

157 第一中介裂纹表面；

158 第一压裂纹表面；

160 切割稳定区；

160A 第一稳定区；

160B 第二稳定区；

160C 第三稳定区；

161 间隔物；

162 平坦层；

163 短边；

165 长边；

164 第二基板侧壁；

166 第二切割裂纹表面；

167 第二中介裂纹表面；

168 第二压裂纹表面；

170 测试线路；

172 第一接触垫；

174 第二接触垫；

176 第一电路；

178 第二电路；

180 电路板；

1B-1B 线段；

1B 区域；

201 显示装置母板；

202 第一导电区块；

204 第二导电区块；

205 第一贯孔；

206 介电层；

206A 介电层；

206B 介电层；

207 第二贯孔；

208 保护层；

209 第三贯孔；

210 导电层；

211 连接层；

211A 第四贯孔；

212平坦层；

213 第五贯孔；

215 液晶层；

3-3 线段；

300 第一区；

300A 区块；

300B 区块；

300Aa 子区块；

300Ab 子区块；

302 第二区；

302A 区块；

302B 区块；

304 主间隙；

306 第一间隙；

308 区块内间隙；

310 线路内间隙；

312 第二间隙；

320 栅极线；

322 数据线；

324 开关；

326 栅极；

328 有源层；

330 源极；

332 漏极；

332A 连接部；

332B 倾斜部；

332C 延伸部；

334 像素；

336 第一透明电极；

338 第二透明电极；

338A 指部；

338B 连接部；

340 第一开口；

342 第二开口；

344 第三开口；

346栅极绝缘层；

348 第一保护层；

350 平坦层；

352 第二保护层；

354 底切；

356 交点；

358 底切；

400 像素；

402 次像素；

402R 次像素列；

402R1 次像素列；

402R2 次像素列；

402C 次像素栏；

404 矩阵部；

404R 矩阵部列；

404C 矩阵部栏；

406 加大部；

406A 主加大部；

406AE 边缘；

406B 次加大部；

406BE 边缘；

408 交会处；

410 次间隔物；

410B 底面；

410BE 边缘；

410T 顶面；

412 粗糙区；

412E 边缘；

414 摩擦方向；

416 次像素区域；

A1 接触面积；

A-A’ 切线；

B-B’ 切线；

C-C’ 切线；

D1 距离；

D2 距离；

D3 距离；

D4 距离；

D5 距离；

D6 距离；

D7 距离；

D8 距离；

D9 距离；

D10 距离；

D11 距离；

D12 距离；

D13 距离；

D14 距离；

D15 距离；

D16 距离；

D17 距离；

Da 距离；

Dc 距离；

De 距离；

Df 距离；

Dg 距离；

Dh 距离；

E-E’ 切线；

F-F’ 切线；

G-G’ 切线；

G1 第一间隙；

G2 第二间隙；

H-H’ 切线；

H1 高度；

H2 高度；

H3 高度；

H4 高度；

H5 高度；

H6 距离；

H7 距离；

H8 高度；

H9 距离；

H10 距离；

M 导电层；

M1 第一导电层；

M2 第二导电层；

L 长度；

L1 第一导电区块的长度；

L2 第二导电区块的长度；

La 长度

Lx 长度；

Ly 长度；

Q 第四方向；

S1 第一侧；

S2 第二侧；

S3 交界；

S4 第一侧；

S5 第二侧；

T1 厚度；

T2 厚度；

T3 厚度；

T4 厚度；

T01 厚度；

T11 厚度；

T12 厚度；

T13 厚度；

T02 厚度；

T21 厚度；

T22 厚度；

T23 厚度；

V1 导孔；

V2 导孔；

V3 导孔；

W0 宽度；

W0’ 宽度；

W1 第一导线的线宽；

W11宽度；

W2 第二导线的线宽；

W3 第一导线及第二导线重叠的宽度；

W4 宽度；

W5 宽度；

W6 宽度；

W7 宽度；

W8 宽度；

W9 宽度；

Wa宽度；

Wb宽度；

Wc宽度；

X 第一方向；

Y 第二方向；

Z 第三方向；

θ1 第一夹角；

θ2 第二夹角；

θ3 第三夹角；

θ4 第四夹角；

θ5 夹角；以及

θ6 夹角。

具体实施方式

以下针对本发明的显示装置作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本发明的不同样态。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单描述本发明。当然，这些仅用以举例而非本发明的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，也可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。

必需了解的是，为特别描述或图示的元件可以此技术人士所熟知的各种形式存在。此外，当某层在其它层或基板「上」时，有可能是指「直接」在其它层或基板上，或指某层在其它层或基板上，或指其它层或基板之间夹设其它层。

且在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。再者，附图中各元件的部分将以分别描述说明之，值得注意的是，图中未绘示或描述的元件，为所属技术领域中具有通常知识者所知的形式，此外，特定的实施例仅为揭示本发明使用的特定方式，其并非用以限定本发明。

再者，说明书与请求项中所使用的序数例如“第一”、“第二”、“第三”等的用词，以修饰请求项的元件，其本身并不意含及代表该请求元件有任何之前的序数，也不代表某一请求元件与另一请求元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一请求元件得以和另一具有相同命名的请求元件能作出清楚区分。

本发明实施例所述的显示装置，可通过栅极与有源层相对位置的设计以及导入特定结构的漏极，可改善光漏电流(photo current leakage)现象，增加显示装置的效能。此外，该显示装置可为一边界电场切换型(Fringe Field Switching，FFS)影像显示装置，其包含一具有至少二个指部的透明电极，通过该指部数量、该指部的宽度、及任两相邻指部相隔的距离的设计，可改善显示装置的光穿透度以及对比度、并避免画面闪烁及颜色偏移的现象发生。再者，本发明实施例所述的显示装置，可通过位于保护层中的开口、位于平坦层中的开口、以及位于透明电极中的开口的尺寸以及相对位置的设计，增加显示装置的对比度以及开口率。

请参照图1，为本发明一实施例所述的显示装置100的平面示意图，该图仅绘示部分元件，其他元件(例如配向层)省略之。该显示装置100包含多条栅极线320、以及多条数据线322均设置于一基板102上，其中每一栅极线320实质上沿一第一方向X延伸，该栅极线320虽非直线，但大致上具有一主延伸方向，该延伸方向沿该第一方向延伸；而每一条数据线322则实质上沿一第二方向Y延伸，该数据线322虽非直线，但大致上仍沿第二方向Y延伸，该数据线与该第二方向Y夹角介于0～10度之间。在一实施例中，该第一方向X实质上与该第二方向Y垂直，但在其他实施例中，第一方向X可毋需与第二方向Y垂直。该显示装置100包含也包含多个开关324，而每一薄膜晶体管(TFT)开关324位于该栅极线320与数据线322相交处。为简化图示并说明该显示装置100部件的相对位置，图1仅显示该多条栅极线320、该多条数据线322、以及该多个开关324的配置。

请参照图2，为图1所述的显示装置100其开关324的放大示意图。该开关324包含一栅极326、一有源层328、一源极330、及一漏极332。其中，该栅极326与该栅极线320相连，而该源极330与该数据线322相连。在此，为简化图示并说明该显示装置100的开关324各部件的相对位置，图2仅显示该栅极326、该有源层328、该源极330、该漏极332、该栅极线320、以及该数据线322的配置。

仍请参照图2，该有源层328配置于该栅极326之上，并至少部分与该栅极326重叠。该栅极326与该有源层328之间以一绝缘层(未绘示)相隔。该源极330及该漏极332形成于该有源层328之上，并分别与该有源层328连接。值得注意的是，该栅极326边缘与该有源层328边缘的距离De可为1.2至3μm。换言之，该栅极326对于水平面的投影与该有源层328对于水平面的投影重叠，而该栅极326的投影大于该有源层328的投影，且该栅极326的投影边缘，至该有源层328的投影的距离De可为1.2至3μm。水平面例如可为基板102的一表面。如此一来，除了可避免因为曝光位移误差导致有源层328超出栅极326，可改善光漏电流(photocurrent leakage)现象，增加显示装置的效能。此外，根据本发明其他实施例，该栅极326的投影其所有边缘至该有源层328的投影的边缘的最小水平距离De都可介于1.2至3μm之间。

为增加显示器的像素开口面积与确保像素充电能力，根据本发明实施例，该有源层328对于水平面的投影沿该第一方向X的长度Lx可为6-11μm，而该有源层328对于水平面的投影沿该第二方向Y的长度Ly可为3-7μm。此外，该有源层328对于水平面的投影的面积可为18至77μm2。

请继续参照图2，该漏极332可由一连接部332A、一倾斜部332B、及一延伸部332C所构成，其中该倾斜部332B位于该连接部332A与该延伸部332C之间，且至少部分该倾斜部332B与该栅极326重叠，确保源极330与漏极332的元件完整性。其中，该倾斜部332B的一侧边对于水平面的投影定义为该第三方向Z，而该倾斜部332B大致朝该第三方向Z延伸。其中，该第三方向Z与该第一方向X之间的夹角θ5大于0度并小于90度。

根据本发明实施例，该栅极线320以及该栅极326可在同一步骤中以相同材质所形成，而该数据线322、该源极330、及该漏极332也可在同一步骤中以相同材质所形成。该栅极线320与该数据线322的材质可为相同或不同，例如为单层或多层的金属导电材料(例如：铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、铱(Ir)、镍(Ni)、铬(Cr)、银(Ag)、金(Au)、钨(W)、或其合金)、金属化合物导电材料、金属合金(例如：含铝(Al)合金、含铜(Cu)合金、含钼(Mo)合金、含钛(Ti)合金、含铂(Pt)合金、含铱(Ir)合金、含镍(Ni)合金、含铬(Cr)合金、含银(Ag)合金、含金(Au)合金、含钨(W)合金、含镁(Mg)合金、或上述合金的组合)、或其组合。此外，栅极线320与该数据线322之间以一绝缘层相隔。该绝缘层的材质可为有机的绝缘材料(光感性树脂)或无机的绝缘材料(氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、或上述材质的组合)。该有源层328的材质可为非晶硅、多晶硅或金属氧化物的半导体材料，且其可进一步掺杂任何适当的掺质。

请参照图3，为本发明实施例所述的显示装置100的平面示意图。该多条沿第一方向X延伸的栅极线320、以及该多条沿第二方向Y延伸的数据线322，构成了多个像素334，而每一个像素334与其对应的开关324连接。其中，每一个像素334具有一第一透明电极336及一第二透明电极338。为简化图示并说明该显示装置100部件的相对位置，图3仅显示其电路配置(例如该多条栅极线320、该多条数据线322、该第一透明电极336、该第二透明电极338、以及该多个开关324)。该第一透明电极336设置于该栅极线320、数据线322、及该开关324之上，其中该第一透明电极336与该数据线322以一第一保护层(未绘示)及一平坦层(未绘示)相隔。该第二透明电极338设置于该第一透明电极336之上，并与该第一透明电极336以一第二保护层相隔(未绘示)。第二透明电极338上设置有一配向层(未绘示)。

请参照图4，为图3所述的显示装置100其像素334及其相邻栅极线320及数据线322的放大示意图。为简化图示并说明该显示装置100部件的相对位置，图4仅显示其电路配置(例如该多条栅极线320、该多条数据线322、该第一透明电极336、该第二透明电极338、以及该多个开关324)。其中，该像素334的该第一透明电极336作为共同电极，并具有一第一开口340，露出该漏极332的延伸部332C与部分的的倾斜部332B，而该像素334的第二透明电极338作为像素电极，可经由该第一开口340与该漏极332电性连接。根据本发明实施例，为确保该显示装置100拥有较高分辨率与相对应的光学效能，该像素334的长度La(即栅极线330的一侧边到下一条栅极线330的下一侧边)可为40至70μm、该像素334的宽度Wa(即数据线332的一侧边到下一条数据线332的下一侧边)可为14至23μm，而该像素334的长度La与该像素334的宽度Wa的比值(La/Wa)可为2.8至3.2。此外，该像素334的面积可为600至1600μm2。

此外，为改善显示装置100的光穿透度、对比度、以及避免画面闪烁。该第二透明电极338可具有二个指部338A(例如图4所示，该第二透明电极338具有两个指部338A)、及一连接部338B。其中，该些指部338A实质上平行数据线322延伸，且该连接部338B连接该些指部338A。该连接部338B与该漏极332重叠并电性连接，在图4中，连接部338B与该漏极332的该延伸部332C与该倾斜部332B部分重叠并电性连接。为求装置100具有最佳穿透率且进一步避免显示装置100产生颜色偏移的现象发生，该些指部338A的宽度Wb(即该指部338A大致上与第二方向Y平行的两侧边的最小水平距离)可为2.25至2.75μm、而在该像素334中任两相邻的指部338A的距离Df(即任两相邻的指部338A所相隔的最小水平距离)可为2.9至4.5μm。再者，当该像素334的指部338A与该数据线322的距离Dg(即该像素334的指部338A与相邻像素334的数据线322所相隔的最小水平距离)以及该数据线的宽度Wc的总和(Dg+Wc)为7.6至9.0μm、及/或任两相邻像素334的该第二透明电极338指部338A之间的距离Dh(即任两相邻像素334的该些指部338A所相隔的最小水平距离，请参照图3)为9.5至12μm时，可进一步改善该显示装置100的光学效能与颜色偏移的现象。

另一方面，请参照图5，显示本发明一实施例所述的显示装置100其像素334的放大示意图。为简化图示并说明该显示装置100部件的相对位置，图5仅显示其电路配置(例如该多条栅极线320、该多条数据线322、该第一透明电极336、该第二透明电极338、以及该多个开关324)。该像素334的该第二透明电极338除了图4所示可具有两个指部338A外，也可具有两个以上的指部338A(例如图5所述的像素334，其第二透明电极338具有三个指部338A，并以连接部相连接)。

请参照表1，显示具有二或三个指部338A、具有不同指部338A宽度Wb、及具有不同任两相邻指部338A距离Df的像素334，其穿透率、对比度、画面闪烁程度、及是否产生颜色偏移的量测结果。

表1

根据本发明实施例，该第一透明电极336、及该第二透明电极338可为透明导电材料，例如为铟锡氧化物(ITO)氧化锡(TO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化锑锌(AZO)、上述的组合或其它抗腐蚀能力较高的适合的透明导电氧化物材料。

请参照图6，为本发明另一例所述在开关324部分的像素334的放大示意图。此外，图7A显示图6所述结构沿切线F-F’的剖面结构示意图，而图7B显示图6所述结构沿切线G-G’的剖面结构示意图。

请参照图6、图7A及图7B，该第二透明电极338设置于该第一透明电极336之上，并与该第一透明电极336以一第二保护层352相隔；此外，该第一透明电极336设置于一平坦层350之上，且该平坦层350设置于一第一保护层348之上，使得该漏极332通过该第一保护层348及该平坦层350与该第一透明电极336相隔。该第一开口340设置于该第一透明电极336内以露出该平坦层350，而一第二开口342及一第三开口344分别设置于该平坦层350及该第一保护层348内，以露出该漏极332的部分表面，于此实施例中露出该漏极332的至少部分该延伸部332C的上表面；在其他实施例中，可露出该漏极332的该延伸部332C与该倾斜部332B的部分上表面。

值得注意的是，为增加本发明所述的显示装置的对比度以及开口率，该第一开口340的最大宽度(即该第一开口340边缘任两点的最大水平距离)可为4至10.5μm、该第二开口342的最大宽度(即该第二开口342边缘任两点的最大水平距离)可为3.7至7.5μm、且该第三开口344的最大宽度(即该第三开口344边缘任两点的最大水平距离)可为2.5至4.5μm，此外，该第一开口340的最大宽度大于该第二开口342的最大宽度，而该第二开口342的最大宽度大于该第三开口344的最大宽度。

根据本发明实施例，当本发明所述的显示装置其第一开口、第二开口、及第三开口的最大宽度依据上述关系设计时，可通过缩小该第一开口及该第二开口在一第二方向Y的宽度，而保持该第一开口及该第二开口在一第一方向X的宽度，如此一来，可确保在第一方向X的剖面结构中，填入该第一开口及该第二开口的第二透明电极与该漏极电性连接。因此，本发明所述的显示装置其第一开口及该第二开口的水平投影的型状较像长方型、椭圆型、或其组合，而第三开口的水平投影的型状较像正方型、圆型、或其组合。根据本发明其他实施例，该第一开口、第二开口、及该第三开口也可为其他型状。

举例来说，根据本发明一实施例，该第一开口340及该第二开口342在漏极332上第一方向X方向可具有较长的宽度，而在第二方向Y方向具有相对较短的宽度，请参照图6。当该第二透明电极338填入该第二开口342时，请参照图7A(显示图6所述结构沿切线F-F’(或第一方向X方向)的剖面结构示意图)，由于该第一开口340及该第二开口342的第一方向X方向在漏极332上具有相对较大的宽度，因此在图形化该第一保护层348形成该第三开口344时，该第一保护层348不会发生漏极332底切现象(under cut)而使得位于该第一保护层348其下的栅极绝缘层346被移除。因此，填入该第一开口340、第二开口342、及第三开口344的第二透明电极338在第一方向X方向可顺利与漏极332电性接触。

此外，请参照图7B(显示图6所述结构沿切线G-G’(或第二方向Y方向)的剖面结构示意图，与第一方向X方向相比，该第一开口340及该第二开口342在漏极332上的第二方向Y方向具有相对较短的宽度。因此，由图7B可知，在图形化该第一保护层348形成该第三开口344时，该第一保护层348在漏极332沿第二方向Y方向的周围会产生底切现象(under cut)354，而使得位于该第一保护层348其下方的部分栅极绝缘层346被移除，该栅极绝缘层346介于有源层328与栅极326之间，也介于源级332与栅极326之间。如此一来，当将该第二透明电极338填入该第一开口340、第二开口342、及第三开口344时，该第二透明电极338会因为位于漏极332旁的凹陷栅极绝缘层346，使得在第二方向Y方向与该漏极332相邻处产生间隙，导致该第二透明电极338在第二方向Y方向成为一不连续膜层。在此实施例中，虽然该第二透明电极338在第二方向Y方向因为产生间隙的关系而成为一不连续膜层，但该第二透明电极338在第一方向X方向仍能顺利与该漏极332电性连接，如图7A所示。

根据本发明实施例，该栅极绝缘层346除了配置于该漏极的下方并设置于一基板102之上外，也可设置于栅极(或栅极线)及有源层之间来作为栅极绝缘层。该栅极绝缘层346的材质可为有机的绝缘材料(光感性树脂)或无机的绝缘材料(氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、或上述材质的组合)。举例来说，该栅极绝缘层346为一氮化硅层。该第一保护层348及该第二保护层352可为相同或不同的材质，例如为有机的绝缘材料(光感性树脂)或无机的绝缘材料(氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、或上述材质的组合)。该平坦层350的材质可为一具有绝缘性质的膜层，例如为介电材料、或光感性树脂。根据本发明实施例，本发明对于该栅极绝缘层346、该第一保护层348、该平坦层350、及该第二保护层352的厚度并没有特别的限制，可适实际需要加以调整。此外，为避免显示装置产生影像闪烁、影像残留等现像，根据本发明另一实施例，本发明所述的该第二保护层352的厚度可为900至上述特定的该第二保护层352厚度也可增加第一透明电极336及第二透明电极338之间的电容值。

根据本发明其他实施例，为增加本发明所述的显示装置100的对比度以及开口率，该第二开口342的水平投影与该第三开口344的的水平投影可部分重叠(即至少部分该第三开口344的的水平投影并未与该第二开口342的的水平投影重叠)，请参照图8。换言之，该第三开口344与该第二开口342的开口中心具有一偏移距离，且该第二开口342的水平投影的边缘与该第三开口344的的水平投影的边缘至少有两个交点356，其中该交点356的连线，该连线具有一延伸方向Q，该延伸方向Q与第一方向X之间可具有一夹角θ6，其中该夹角θ6大于0度并小于90度。图9显示图8所述结构沿切线H-H’的剖面结构示意图。请参照图9，在利用上述设计增加显示装置对比度以及开口率时，由于该第二开口342的水平投影与该第三开口344的的水平投影并未完全重叠，因此在图形化该第一保护层348时，该第一保护层348设计成在沿切线H-H’的剖面的一侧内缩。虽然，该第一保护层348与该平坦层350会构成一底切358，使得后续形成其上的该第二透明电极338在沿切线H-H’的剖面结构的一侧具有一间隙，使得该第二透明电极338在该侧区域无法形成一连续的膜层；但第二透明电极338会在H-H’的剖面的另一侧与该漏极332电连接，在该另一侧区域的该第二透明电极338为一连续膜层。

综上所述，本发明可通过栅极与有源层相对位置的设计以及导入特定结构的漏极，改善光漏电流(photo current leakage)现象，增加高分辨率显示装置的效能。此外，该显示装置可为一边界电场切换型(Fringe Field Switching，FFS)影像显示装置，其包含一具有至少二个指部的透明电极，通过该指部数量、该指部的宽度、及任两相邻指部相隔的距离的设计，可改善显示装置的光穿透度以及对比度、并避免画面闪烁及颜色偏移的现象发生。再者，本发明实施例所述的显示装置，可通过位于保护层中的开口、位于平坦层中的开口、以及位于透明电极中的开口的尺寸以及相对位置的设计，增加显示装置的对比度以及开口率。

本发明实施例所述的显示装置，可通过设置间隔物于切割稳定区，增加在进行切割时所需要的支撑效果。因此，可产生特定的裂纹于切割后的基板侧壁，导致优选的切割裂片表现以及降低基板破片机率。如此一来，可大幅提升显示装置的良率。

此外，根据本发明实施例，本发明所述显示装置可还包含一测试线路沿着预定切割线设置。因此，在进行切割制作工艺后，可利用该测试线路得知该显示装置是否有切割线偏移的现象发生。

请参照图10，为本发明一实施例所述的显示装置100的上视示意图。该显示装置100包含一第一基板101及一第二基板103，其中该第一基板101及该第二基板103对向设置，且两者之间通过一框胶120固定，且该第一基板101上设置有一显示区104，以及一切割稳定区160设置于该第二基板103上，且对应该第一基板101上显示区104外的区域，并与该第一基板101及该第二基板103重合的外围边界122(包含一第一边界122A、一第二边界122B、及一第三边界122C)相邻。此外，该第一基板101被该第二基板103所覆盖的区域以及该第一基板101未被该第二基板103所覆盖的区域之间具有一交界123，且该框胶120沿着该第一边界122A、该第二边界122B、该第三边界122C、及该交界123配置于该第一基板101及该第二基板103之间，且该框胶120设置于该显示区104之外。

该显示装置100可为液晶显示器(例如为薄膜晶体管液晶显示器)、或是有机电激发光装置(例如为有源式全彩有机电激发光装置)。该显示区104具有多个像素(未绘示)。该第一基板101及该第二基板103的材质可例如为石英、玻璃、硅、金属、塑胶、或陶瓷材料。该框胶120可为一树脂。

根据本发明一实施例，该切割稳定区160内具有多个间隔物(spacer)161设置，该框胶120至少覆盖部分间隔物161(例如5个间隔物在框胶内，5个间隔物在框胶外)。在一实施例中，框胶全部包覆该些间隔物(10个间隔物都在框胶内)。但在其他实施例中，至少部分间隔物161的部分未被框胶覆盖而裸露邻近液晶层(例如有5个间隔物完全在框胶内，剩下5个间隔物每颗有部分在框胶内部分在框胶外)。该切割稳定区160可包含一第一稳定区160A、一第二稳定区160B、及一第三稳定区160C，分别与该第一边界122A、该第二边界122B、及该第三边界122C相邻。值得注意的是，由于该交界123所在位置一般设置多条走线(未绘示)来电性连接该显示区104及一驱动单元(未绘示)，该驱动单元可为一IC，因此该切割稳定区160并未设置在该交界123侧的第二基板103上。换言之，该切割稳定区160并未与该交界123相邻。此外，该切割稳定区160并未于该第二基板103的四个边角直接接触，且该第一稳定区160A、该第二稳定区160B、及该第三稳定区160C的任两者并不互相接触，以方便设置切割用的对位记号(未图示)。该间隔物(spacer)161的材质可包括光致抗蚀剂，例如正光致抗蚀剂或负光致抗蚀剂。在一实施例中，上述光刻制作工艺包括光致抗蚀剂图案化，此光致抗蚀剂图案化还包括光致抗蚀剂涂布、软烤、光掩模对准、曝光图案、后曝烤(post-exposure baking)、光致抗蚀剂显影及硬烤等制作工艺步骤。

根据本发明一实施例，该切割稳定区的宽度可介于50至150μm之间，且该切割稳定区的宽度W0’与该框胶的宽度W11的百分比值可介于6％至50％之间(6％≦W0’/W11≦50％)。请参照图10，该切割稳定区160未设置该间隔物161的部分可由该框胶120所填满。

请参照图11，显示图10所述的显示装置100自第一方向X的侧视结构示意图。根据本发明实施例，切割后所得的该第一基板101其侧壁154会具有一第一切割裂纹(cuttingcrack)表面156、一第一中介裂纹(median crack)表面157、及一第一压裂纹表面158，其中第一中介裂纹表面157介于第一切割裂纹表面156及第一压裂纹表面158之间。第一切割裂纹表面156指切割用刀轮所产生的切割裂纹断面，第一中介裂纹表面157指切割后因刀轮压力所产生的延伸断面，第一压裂纹表面158则为外部加压剥离而产生的剥离断面。在本发明一实施例中，若第一中介裂纹表面157的切割裂纹延伸较多时，则侧壁154仅有第一切割裂纹表面156与第一中介裂纹表面157，此时就不会有第一压裂纹表面158。其中第一切割裂纹表面156的粗糙度、第一中介裂纹157、及第一压裂纹表面158彼此的粗糙度均不相同。

另一方面，该第二基板103其侧壁164可具有一第二切割裂纹表面166、一第二中介裂纹表面167、一第二压裂纹表面168，其中该第二中介裂纹表面167介于第二切割裂纹表面166及第二压裂纹表面168之间。第二切割裂纹表面166指切割用刀轮所产生的切割裂纹断面，第二中介裂纹表面167指切割后因刀轮压力所产生的延伸断面，第二压裂纹表面168则为外部加压剥离而产生的剥离断面。在本发明一实施例中，若第二中介裂纹表面167的切割裂纹延伸较多时，则侧壁164仅有第二切割裂纹表面166与第二中介裂纹表面167，此时就不会有第二压裂纹表面168。其中第一切割裂纹表面166的粗糙度、第一中介裂纹167、及第一压裂纹表面168彼此的粗糙度均不相同。

请参照图12A，由于本发明所述的显示装置100设置有切割稳定区160，增加在进行切割时所需要的支撑效果，因此该第一切割裂纹表面156的厚度T11及第一该中介裂纹表面157的厚度T12总和与该第一基板101侧壁154的厚度T01比值可介于0.3至1之间(0.3≦(T11+T12)/T01≦1)，例如：0.5-1之间、或0.7-1之间；该第二切割裂纹表面166的厚度T21及第二该中介裂纹表面167的厚度T22总和与该第二基板103侧壁164的厚度T02比值可介于0.3至1之间(0.3≦(T21+T22)/T02≦1)，例如：0.5-1之间、或0.7-1之间。如此一来导致优选的切割裂片表现以及降低基板破片机率，大幅提升显示装置的良率。此外，该第一压裂纹表面158可具有一厚度T13，而该第二压裂纹表面168可具有一厚度T23。

请参照图12A，显示图10所述的显示装置100沿切线E-E’的剖面结构示意图。该第一切割裂纹表面156及该第一中介裂纹表面157间可构成一第一夹角θ1，其中该第一夹角θ1可大于90度并小于270度；该第二切割裂纹表面166及该第二中介裂纹表面167间可构成一第二夹角θ2，其中该第二夹角θ2可大于90度并小于270度；第一中介裂纹表面157及第一压裂纹表面158间可构成一第三夹角θ3，其中该第三夹角θ3可大于90度并小于270度；以及，第二中介裂纹表面167及第二压裂纹表面168间可构成一第四夹角θ4，其中该第四夹角θ4可大于90度并小于270度。

请再参考图12A，技术人士应可知该第一基板101及该第二基板103上也可视需要具有任何所需的元件，而一液晶层215位于该第一基板101及该第二基板103之间。举例来说，该第一基板101可为一阵列基板、而该第二基板103可为一滤光片基板。在该切割稳定区160(例如该第三稳定区160C中)，至少一间隔物161与该第二基板103的侧壁164具有一距离(即间隔物161与第一基板103的侧壁164之间的最短距离)D9，其中该距离D9介于0至200μm之间。另一方面，至少一间隔物161与该第一基板101的侧壁154可具有一距离(即间隔物161与第一基板101的侧壁154之间的最短距离)D10，且该距离D10大于该距离D9。

请参照图10及图12A，该多个间隔物161可占该切割稳定区160的面积1％至5％之间。在此，该多个间隔物161占该切割稳定区160的面积为每一间隔物161的上表面积A1的总和，于此实施例中，间隔物161的上表面较为靠近第一基板101。请参照第12B图，在其他实施例中，该间隔物161也可设置于第一基板101上，即该间隔物161的上表面较为靠近第二基板103。根据本发明实施例，该多个间隔物161可具有相同或不同的上表面积A1。此外，根据本发明某些实施例，切割稳定区160内的间隔物161也可刚好设置于预定切割道上，因此余留部分间隔物161，请参照图12C。再者，根据本发明其他实施例，间隔物161也可露出框胶120外，请参照图12D。

请参照图13，根据本发明另一实施例，一平坦层162可设置于该第一基板101之上，并位于该切割稳定区160内，该切割稳定区160未设置该间隔物161、及该平坦层162的部分由该框胶120所填满。该多个间隔物161设置于该平坦层162与该第二基板103之间。根据本发明某些实施例，该平坦层162可为一图形化膜层或是具有沟槽，因此至少部分框胶120与该第一基板101之间以该平坦层162相隔，且至少部分该第二基板103与该平坦层162之间以该间隔物161隔开。该平坦层162为一具有绝缘性质的膜层，可例如为介电材料、或光感性树脂。

请参照图14，为一显示装置母板201的上视示意图，其中该显示装置母板201经进行一切割制作工艺后，可得本发明图10所述的显示装置100。该切割制作工艺可例如为单一或多重刀片的切割程序、或切割轮刀切割程序。由图14可知，该显示装置母板201的该切割稳定区160(包含该第一稳定区160A、该第二稳定区160B、及该第三稳定区160C)沿着一第一基板预定切割道124A及一第二基板预定切割道124B所设置。在本发明一实施例中，该第二基板预定切割道124B对于该切割稳定区160而言可为一对称轴，即该切割稳定区160被该第二基板预定切割道124B所隔的区域面积相等且互相对称。根据本发明其他实施例，该第二基板预定切割道124B对于该切割稳定区160而言也可为非对称型态。

根据本发明实施例，位于该切割稳定区160的该多个间隔物161，其与该第一基板101(或该第二基板)相接触的表面的形状可为圆形、椭圆性、正方形、长方形、或其组合。请参照图15A至图15F为本发明实施例所述的显示装置母板201的该第二稳定区160B的放大示意图。由图15A可知，该多个间隔物161可以互相对齐的阵列方式设置于该切割稳定区内。此外，该多个间隔物161也可以交错的阵列方式设置于该切割稳定区内，如图15B所示。根据本发明另一实施例，该第二基板预定切割道124B也可经过部分的该多个间隔物161，请参照图15C。再者，请参照图15A，该切割稳定区160(例如该第二稳定区160B)两侧与该第二基板预定切割道124B相隔的宽度W0与宽度W0’分别可介于50至150μm之间。

此外，该多个间隔物161与该第一基板101(或该第二基板)相接触的表面的形状可为一具有一短边163及一长边165的长方形，而该长边165可与该第二基板预定切割道124B实质上垂直(如图15D所示)、或是与该第二基板预定切割道124B实质上平行(如图15E所示)。根据本发明其他实施例，该多个间隔物161除了可以该第二基板预定切割道124B作为对称轴而设置于该切割稳定区160内，也可以非对称该第二基板预定切割道124B的方式设置于该切割稳定区160内，请参照图15F。根据本发明其他实施例，该显示面板可为非矩形，而该切割道也可依面板形状进行调整，不限制相互垂直或平行。

请参照图16，根据本发明一实施例，因窄边框的趋势，除了第一边界122A与第三边界122C侧的非显示区宽度缩小外，第二边界122B侧的非显示区宽度越来越小，因此框胶也越来越靠近显示区。为避免该框胶120在形成时，在邻近该第二边界122B与该第三侧边122C转角的区段与该显示区104过于接近，该框胶120可被设计成由一直线部120A及一U形部120B所构成，其中该直线部120A与该第二边界122B相邻，而该U形部120B与第一边界122A、交界123、及第三边界122C相邻，因此框胶120于邻近该第二边界122B与该第三边界122C转角的区段与显示区104的距离D12相较于框胶120邻近于该第二边界122B与显示区104的距离D11来得远。换言之，该直线部120A与该显示区104具有一距离D11(即该直线部120A与该显示区104之间最短的水平距离)，而该直线部120A及该U形部120B的边界127与该显示区104具有一距离D12(即该边界127与该显示区104之间最短的水平距离)，其中该距离D12大于或等于该距离D11。

另一方面，本发明所述显示装置可还包含一测试线路位于显示区外。请参照图17，该显示装置100可包含一第一接触垫172及一第二接触垫174设置于该第一基板101上，并位于该显示区104外。该显示装置100还包含一测试线路170，大致沿该第一基板101及该第二基板103重合的外围边界122(包含一第一边界122A、一第二边界122B、及一第三边界122C)设置，其中该第一接触垫172与该第二接触垫174通过该测试线路电性连接。

仍请参照图17，该测试线路170并未沿着该123交界设置。如此一来，在进行切割制作工艺得到图8所示的显示装置100后，可通过量测该第一接触垫172及该第二接触垫174之间的电压、电阻、及脉冲波形，并与一参考的电压、电阻、及脉冲波形进行比对，即可判断所得的显示装置是否有切割线偏移的现象发生。举例来说，当一显示装置母板在进行切割制作工艺并发生切割线偏移时，由于该测试线路沿该第一基板及该第二基板重合的外围边界设置(位于显示区及预定切割线之间)，因此若切割线偏移时切割刀具会造成该测试线路损伤，如此一来所测得的电阻与一参考电阻相比会增加，因此可由此判断出是否有切割线偏移的现象发生。

该测试线路170、该第一接触垫172、及该第二接触垫174的材质可为单层或多层的金属导电材料(例如：铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、铱(Ir)、镍(Ni)、铬(Cr)、银(Ag)、金(Au)、钨(W)、或其合金)、金属化合物导电材料、金属合金(例如：含铝(Al)合金、含铜(Cu)合金、含钼(Mo)合金、含钛(Ti)合金、含铂(Pt)合金、含铱(Ir)合金、含镍(Ni)合金、含铬(Cr)合金、含银(Ag)合金、含金(Au)合金、含钨(W)合金、含镁(Mg)合金、或上述合金的组合)、或其组合，且该测试线路170与第一接触垫172(或第二接触垫174)的材质可为相同或不同。此外，一保护层(未图示)可形成于该测试线路170之上，以避免该测试线路170与该框胶120直接接触而导致该测试线路170劣化。该保护层的材质可为有机的绝缘材料(光感性树脂)或无机的绝缘材料(氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、或上述材质的组合)。

请参照图18，根据本发明另一实施例，一电路板180可通过一第一电路176及一第二电路178分别与该第一接触垫172、及该第二接触垫174电性连接，用以提供一测试信号至该第一接触垫172与该第二接触垫174，以判断该显示装置是否有切割线偏移的现象发生。该电路板可例如为为一软性基板(flexible substrate)、一刚性基板(rigid substrate)、或一金属核心印刷电路板。

此外，请参照图19，根据本发明其他实施例，一驱动单元106可进一步设置于该显示区104之外的该第一基板101之上。该驱动单元106可利用一第一电路176及一第二电路178分别与该第一接触垫172与该第二接触垫174电性连接，用以提供一测试信号至该第一接触垫172与该第二接触垫174，以判断该显示装置是否有切割线偏移的现象发生。值得注意的是，该测试信号可为一共同电极电压信号、或是一接地电压信号。该驱动单元106可通过多个信号线连接至该显示区104，提供信号至显示区104的多个像素以产生影像。该驱动单元106可为一集成电路(IC)。

综上所述，本发明实施例所述的显示装置，可通过设置间隔物于切割稳定区，增加在进行切割时所需要的支撑效果，大幅提升显示装置的良率。此外，本发明所述显示装置可还包含一测试线路沿着预定切割线设置，因此在进行切割制作工艺后，可利用该测试线路得知所得的显示装置是否有切割线偏移现象发生。

此外，本发明实施例利用改变显示装置中线路的配置，以缩小此线路于集成电路中所占据的面积。此外，本发明实施例也使用一图案化测试垫以提升此显示装置的制作工艺可靠度及制作工艺良率。

首先，发明人已知的一种显示装置包括栅极驱动电路、驱动单元、测试垫及线路。此驱动单元包括栅极信号输出接点(Output Bump)，且此栅极信号输出接点通过线路电连接至栅极驱动电路，并通过另一线路电连接至测试垫。由此可知，上述两线路分别占据了驱动单元中的两区域(对应图20B的区域113A与区域113B)。而当面板分辨率提高造成芯片(例如驱动单元)所需的信号输出接点增加时，会压缩到面板上原本用以形成线路的面积，也引发线路经过芯片下方时，芯片下方可容纳线路空间不足的问题。

因此，为了缩小线路所占据的面积，本发明提出另一种显示装置中线路的配置方式。参见图20A，该图为本发明实施例的显示装置的上视图。如图20A所示，显示装置100包括显示区104以及相邻此显示区104的非显示区105，其中显示区104指显示装置100中设有包括晶体管的像素显示的区域，而此晶体管例如可为薄膜晶体管。因此，显示区104也可称为显示像素区104。而非显示区105即为显示装置中除显示区104外的其它区域。在此实施例中，非显示区105包围显示区104，且其中包括位于显示区104两侧的栅极驱动电路(GateDriver on Panel，GOP)107、与位于外部接脚连接区(Out Lead Bonding，OLB)115中的驱动单元106以及测试垫109。此外，非显示区105中还包括线路110，且部分线路110设于上述外部接脚连接区115中。在其他实施例中，栅极驱动电路107可仅位于显示区104的单侧。

此显示装置100可为液晶显示器，例如为薄膜晶体管液晶显示器。此驱动单元106可用以提供源极信号至显示区104的像素(未绘示)，或提供栅极信号至栅极驱动电路107。而栅极驱动电路107用以提供扫描脉冲信号至显示区104的像素，并配合上述源极信号一同控制设于显示区104内的各个像素(未绘示)进而令显示装置100显示画面。此栅极驱动电路107例如可为面板上栅极驱动电路(Gate on Panel，GOP)或其他任何适合的栅极驱动电路。

此外，此驱动单元106经由测试垫109电连接至栅极驱动电路107。此测试垫109可通过任何适合的方式电连接至栅极驱动电路107及驱动单元106，例如，在一实施例中，如图20A所示，测试垫109可通过线路110电连接至栅极驱动电路107及驱动单元106。

本发明通过将驱动单元106经由测试垫109电连接至栅极驱动电路107，可缩小线路110于驱动单元106中所占据的面积。详细而言，参见图20B，该图为图20A的显示装置的部分放大图。如该图所示，驱动单元106的栅极信号输出接点Output Bump)111通过线路110B电连接至测试垫109，接着，此测试垫109再通过另一线路110A电连接至栅极驱动电路107。相较于前述的发明人已知的一种显示装置，在已知的显示装置中，线路110A与110B分别自113A与113B输出，因此于驱动单元106下方，需同时提供113A与113B的面积，但于本发明的线路110仅占据驱动单元106中区域113B的面积，而未占据区域113A，随着面板分辨率越高，驱动单元106的输出线路数量越来越多的情况下，区域113A可提供其他输出线路使用，故可解决芯片(例如驱动单元)中线路空间不足的问题。

再者，为了提升图20A所示的显示装置100的制作工艺可靠度及制作工艺良率，本发明的显示装置100的测试垫109可为一图案化测试垫。详细而言，在测试显示装置100性能的测试步骤中，必需以探针接触测试垫109，探针会于接触测试垫109时于测试垫109的导电层该层上留下孔洞，而此导电层上的孔洞容易随着时间推移受到水氧等因素而腐蚀扩大，造成驱动单元106与栅极驱动电路107之间的线路异常或断路，进而降低显示装置100的可靠度及制作工艺良率。为解决上述技术问题，本发明实施例的测试垫可图案化成数个导电层彼此分离的功能性区块，而该些功能性区块再通过其他连接层电连接。

参见图21及图22A，其中图21为本发明实施例的测试垫109的上视图，而图22A为图21的测试垫109沿着线段3-3的剖视图。如以上两图所示，测试垫109包括设于基板102上的导电层M，且此导电层M包括第一区300及第二区302。此第一区300的导电层用以传递两线路110之间的信号，而此第二区302的导电层用以在测试步骤中与探针进行触碰。此第一区300的导电层直接接触线路110，而第二区302的导电层与第一区300的导电层分离设置，亦即仅观察导电层M该层时，第一区300与第二区302并无连接或接触，例如，第一区300的导电层与第二区302的导电层可通过一主间隙304分隔。此外，第二区302的导电层也与线路110分离。易言之，仅观察导电层M该层中，第二区302的导电层不直接接触第一区300的导电层以及线路110。第一区300及第二区302经由接触孔，由其他连接层电连接。

本发明通过将会与探针进行触碰的第二区302的导电层与用以传递信号的第一区300的导电层及线路110分离，可将测试步骤后的腐蚀现象仅局限于第二区302的导电层，而不会腐蚀至第一区300的导电层及线路110。因此，即使于测试步骤后发生腐蚀的现象，本发明的图案化测试垫109仍可良好地通过第一区300的导电层及线路110传递信号，因此，图案化测试垫109可提升此显示装置100的可靠度及制作工艺良率。

此外，导电层M的第一区300对第二区302的面积的比值范围为2至1000，例如为4至10。若此第一区300对第二区302的面积比值太大，例如大于1000，则用以与探针进行触碰的第二区302的导电层的面积太小，会使得测试步骤不易进行。然而，若此第一区300对第二区302的面积比值太小，例如小于2，则用以传递信号的第一区300的导电层的面积太小，会使电阻上升。此外，此测试垫109的尺寸为100μm至1000μm，例如为500μm至800μm。此测试垫109的尺寸可为测试垫109的长度L或宽度W。

参见图22A，导电层M设于基板102上。此导电层M可为一金属层，且其材料可为单层或多层的铜、铝、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料。在其他实施例中，导电层M可为一非金属材料，只要使用的材料具有导电性，且受到腐蚀后会有腐蚀扩散的情况的材料即可。例如，在图22A所示的实施例中，导电层M为双层的导电层，其包括第一导电层M1以及第二导电层M2。在一实施例中，第一导电层M1与第二导电层M2的材料相同。然而，在其它实施例中，第一导电层M1与第二导电层M2的材料可以不同。此两导电层M1、M2之间设有介电层(ILD)206A。此第一导电层M1及第二导电层M2具有相同的图案，且相对应的图案之间通过设于介电层206A中的导孔V1电连接。上述介电层206A的材料可为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、硼磷硅玻璃(BPSG)、磷硅玻璃(PSG)、旋涂式玻璃(SOG)、其它任何适合的介电材料、或上述的组合。上述经由导孔V1电连接第一导电层M1及第二导电层M2的材料可为第一导电层M1或第二导电层M2本身或其组合，或是其材料可包括铜、铝、钨、掺杂多晶硅、其它任何适合的导电材料、或上述的组合。

此外，在一实施例中，如图22A所示，第一区300的导电层与第二区302的导电层可通过连接层211电连接，因连接层211相对于导电层抗腐蚀能力较高，因此不接触的第一区300与第二区302通过连接层211电连接，也同时保护导电层不受水氧的影响而腐蚀。此连接层211的材料可为透明导电材料，例如为铟锡氧化物(ITO)氧化锡(TO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化锑锌(AZO)、上述的组合或其它抗腐蚀能力较高的适合的透明导电氧化物材料。连接层211可通过设于介电层206B中的导孔V2电连接至第一导电层M1或第二导电层M2，并由此将第一区300的导电层与第二区302的导电层电连接。

此外，导电层M也可为单层的导电层。例如，如图22B所示，基板102上仅形成有单层的导电层M，且第一区300的导电层与第二区302的导电层也可通过连接层211经由导孔电连接。例如，连接层211可通过设于介电层206中的导孔V3电连接至导电层M，以将第一区300的导电层与第二区302的导电层电连接。

再参照图21，在图21所示的实施例中，主间隙304可环绕第二区302的导电层。主间隙304的宽度可为10μm至100μm，例如为20μm至40μm。此外，主间隙304的宽度与测试垫109的宽度W的比值为0.01至0.25，例如为0.025至0.1。若此主间隙304的宽度太宽，例如其宽于100μm，或其与测试垫109的宽度W比值大于0.25，则主间隙304会占据过多测试垫109的面积，使导电层M的面积减少，造成电阻增加。然而，若此主间隙304的宽度太窄，例如其窄于10μm，或其与测试垫109的宽度W比值小于0.01，则此主间隙304无法有效防止第一区300的导电层不被腐蚀。例如，当主间隙304的宽度太窄时，若探针因偏移而触碰至主间隙304，仍可能造成第一区300的导电层的暴露，使第一区300的导电层被腐蚀。

此外，第一区300的导电层也环绕第二区302的导电层，且第一区300的导电层更可通过一或多条第一间隙306分隔成彼此分离的多个区块，亦即此多个区块之间不直接接触，例如图21所示的区块300A、300B。彼此分离的多个区块300A、300B可更进一步提升此显示装置100的制作工艺可靠度及制作工艺良率。详细而言，在测试步骤中，探针可能会因为偏移而触碰到第一区300的导电层，故第一区300的导电层也可能因此于测试步骤后发生腐蚀现象。此时彼此分离的区块300A、300B可将此腐蚀现象局限于被探针触碰到的区块内，而信号仍可通过第一区300的导电层中未被腐蚀的其它区块传递。例如，若探针触碰至区块300A，由于区块300A、300B彼此分离，故腐蚀现象被局限于区块300A内，而信号仍可通过未被腐蚀的区块300B传递。因此，将第一区300的导电层通过一或多条第一间隙306分隔成彼此分离的多个区块可更进一步提升此显示装置100的可靠度及制作工艺良率。

上述第一间隙306的宽度可为3μm至50μm，例如为10μm至20μm。或者，第一间隙306的宽度与测试垫109的宽度W的比值为0.0033至0.1，例如为0.01至0.02。若此第一间隙306的宽度太宽，例如其宽于50μm，或其与测试垫109的宽度W比值大于0.1，则第一间隙306会占据过多测试垫109的面积，使导电层M的面积减少，造成电阻增加。然而，若此第一间隙306的宽度太窄，例如其窄于3μm，或其与测试垫109的宽度W比值小于0.0033，则此第一间隙306无法有效分隔区块300A与区块300B。

再者，第一区300的彼此分离的多个区块300A、300B内可还包括一或多条区块内间隙308而将区块300A、300B分隔成多个子区块。上述多个子区块彼此大抵分离，仅通过一小部分彼此连接。例如区块300A可通过多条区块内间隙308分隔成多个子区块300Aa、300Ab，此子区块300Aa、300Ab之间彼此大抵分离，仅通过附图中左上及左下的一小部分彼此物理连接。上述彼此分离的多个子区块300Aa、300Ab也可进一步提升此显示装置100的制作工艺可靠度及制作工艺良率。例如，当探针因偏移而触碰到子区块300Ab时，由于子区块300Aa、300Ab仅通过一小部分连接，故腐蚀现象易被局限于子区块300Ab内，即使子区块300Ab因腐蚀而破坏，信号仍可通过未被腐蚀的区块300Aa传递。因此，将多个区块300A、300B通过区块内间隙308分隔成多个子区块(例如子区块300Aa、300Ab)可更进一步提升此显示装置100的可靠度及制作工艺良率。

上述区块内间隙308的宽度可为3μm至50μm，例如为10μm至20μm。或者，区块内间隙308的宽度与测试垫109的宽度W的比值为0.0033至0.1，例如为0.01至0.02。若此区块内间隙308的宽度太宽，例如其宽于50μm，或其与测试垫109的宽度W比值大于0.1，则区块内间隙308会占据过多测试垫109的面积，使导电层M的面积减少，造成电阻增加。然而，若此区块内间隙308的宽度太窄，例如其窄于3μm，或其与测试垫109的宽度W比值小于0.0033，则子区块300Aa、300Ab过于接近，内间隙308无法有效分隔腐蚀的影响。

继续参见图21，线路110的材料可为单层或多层的铜、铝、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料，且线路110也可具有一或多条线路内间隙310。在一实施例中，至少一线路内间隙310与至少一第一间隙306连接。此线路内间隙310也可进一步提升此显示装置100的制作工艺可靠度及制作工艺良率。详细而言，若腐蚀现象由第一区300的区块300A延伸至第一区块线路110C，则线路内间隙310可将此腐蚀现象局限于此第一区块线路110C，使第二区块线路110D不会被腐蚀。因此，由于线路110不会被完全腐蚀，故可提升此显示装置100的制作工艺可靠度及制作工艺良率。在其他实施例中，连接层211也可覆盖于线路110上。

上述线路内间隙310的宽度可为3μm至50μm，例如为10μm至20μm。或者，线路内间隙310的宽度与线路110的宽度的比值为0.02至0.5，例如为0.05至0.2。若此线路内间隙310的宽度太宽，例如其宽于50μm，或其与线路110的宽度比值大于0.5，表示内间隙310过大会增加线路110断线的风险。然而，若此线路内间隙310的宽度太窄，例如其窄于3μm，或其与线路110的宽度比值小于0.02，则此线路内间隙310无法有效分隔线路内间隙310两侧的第一区块线路110C与第二区块线路110D间相互受到腐蚀的影响。此外，线路内间隙310的长度与测试垫109的长度L比值为0.03至3。线路内间隙310的长度最短可为3μm，或者，线路内间隙310的长度与测试垫109的长度L的比值最小可为0.03。而线路内间隙310的长度最长可等于线路110于外部接脚连接区115内的长度。若线路内间隙310太短，例如其长度短于3μm，或其长度与测试垫109的长度L的比值小于0.03，则此线路内间隙310无法有效分隔第一区块线路110C与第二区块线路110D。然而，线路内间隙310的长度不可长于外部接脚连接区115中的线路110的长度。

应注意的是，除上述图21所示的实施例以外，本发明的测试垫也可有其它图案，如图14-图17的实施例所示。本发明的范围并不以图21所示的实施例为限。

参见图23，该图为本发明另一实施例的测试垫的上视图。图23所示的实施例与前述图21的实施例的差别在于第二区302的导电层也通过一或多条第二间隙312分隔成彼此分离的多个区块302A、302B。易言之，此多个区块302A、302B之间不直接接触。此外，在此实施例中，第一区300的导电层不具有区块内间隙。

上述彼此分离的多个区块302A、302B也可进一步提升此显示装置100的制作工艺可靠度及制作工艺良率。例如，当探针仅触碰区块302A时，腐蚀现象被局限于区块302A，而未被腐蚀的区块302B也可经导孔通过连接层传递信号，故可提升此显示装置100的可靠度及制作工艺良率，并降低电阻。

上述第二间隙312的宽度可为10μm至100μm，例如为30μm至50μm。或者，第二间隙312的宽度与测试垫109的宽度W的比值为0.01至0.25，例如为0.05至0.1。若此第二间隙312的宽度太宽，例如其宽于100μm，或其与测试垫109的宽度W比值大于0.25，则第二间隙312会占据过多测试垫109的面积，使导电层M的面积减少，造成电阻增加。然而，若此第二间隙312的宽度太窄，例如其窄于10μm，或其与测试垫109的宽度W比值小于0.01，则此第二间隙312无法有效分隔区块302A与区块302B。

参见图24，该图为本发明又一实施例的测试垫的上视图。在图24所示的实施例中，第二区302的导电层也通过第二间隙312分隔成彼此分离的多个区块302A、302B。而此实施例与前述图23实施例的差别在于此实施例的第二间隙312对准第一间隙306以及线路内间隙310。

参见图25，该图为本发明另一实施例的测试垫的上视图。图25所示的实施例与前述图24实施例的差别在于第二区302的导电层通过三条第二间隙312分隔成彼此分离的四个区块302A、302B、302C与302D。此外，线路110具有两条线路内间隙310，且第一区300的导电层不具有第一间隙。

参见图26，该图为本发明另一实施例的测试垫的上视图。图26所示的实施例与前述图21及图14-图16实施例的差别在于第一区300的导电层并未环绕第二区302的导电层，而是设于第二区302的导电层的一侧。且第二区302的导电层通过六条第二间隙312分隔成彼此分离的七个区块302A、302B、302C、302D、302E、302F与302G。在其他实施例中，第二间隙312的形状不限于直线，也不限于上述实施例的划分方式，只要可以将第二区302的导电层分隔成彼此分离的数个区块即可。

综上所述，通过将驱动单元经由测试垫电连接至栅极驱动电路，可缩小线路于驱动单元中所占据的面积，解决当面板分辨率提高时所造成的驱动单元中线路空间不足的问题。此外，通过使用图案化测试垫，可将测试步骤后的腐蚀仅局限于图案化测试垫的部分区域内，以提升此显示装置的制作工艺可靠度及制作工艺良率。

此外，本发明实施例另提供一种显示装置，提高走线区内导线的集成度，以降低走线区于显示装置中所占据的面积，因此可在不增加显示装置尺寸的前提下，提升显示装置的分辨率。

此外，根据本发明实施例，本发明所述显示装置可还包含一第一导电圈位于显示区外侧，其由多的导电区块构成，可避免在显示装置制作过程中，静电累积而使显示装置受损。

再者，根据本发明实施例，本发明所述显示装置可还包含一第二导电圈位于显示区外侧，其中一框胶设置于该第二导电圈上且位于显示装置的外围边界内，可确保第二导电圈的抗静电放电能力。

首先，请参照图27，为本发明一实施例所述的显示装置100的上视图。该显示装置100包含一显示区104及一驱动单元106配置于一基板102之上。该显示装置100可为液晶显示器(例如为薄膜晶体管液晶显示器)、或是有机电激发光装置(例如为有源式全彩有机电激发光装置)。该显示区104具有多个像素(未绘示)，而该驱动单元106通过多个信号线组(signal line pairs)110连接至该显示区104，提供信号至显示区110的多个像素以产生影像。其中，该显示区104及该驱动单元106之间以一走线区108(fanout area)相隔，而该多个信号线组110配置于该走线区108(fanout area)内。其中，每一信号线组110包含一第一导线112与一第二导线114，且该第一导线112与该第二导线114彼此电性绝缘，并用于传递不同的信号。举例来说，位于该显示区104内的每一像素可由多个次像素(例如：红色次像素、蓝色次像素、及绿色次像素；或是红色次像素、蓝色次像素、绿色次像素、及白色次像素)所构成，而该多个信号线组110的第一导线112与第二导线114则用于传递由驱动单元106所产生的信号至不同的次像素中。此外，在该走线区108内，每一信号线组110的该第一导线112与该第二导线114至少部分重叠。

仍请参照图27，该走线区108(fanout area)可进一步被定义为由一第一线路区108a、一第二线路区108b、及一第三线路区108c所构成，其中该第一线路区108a与该显示区104相邻、该第三线路区108c与该驱动单元106相邻、以及该第二线路区108b位于该第一线路区108a与第三线路区108c之间。

根据本发明一实施例，在该第一线路区108a内任两相邻的该第一导线112及该第二导线114以一距离(即两者间最短的水平距离)Da相隔，而该第三线路区108c内任两相邻的该第一导线112及该第二导线114以一距离(即两者间最短的水平距离)Dc相隔。其中，该距离Da可介于约3μm至40μm之间、该距离Dc可介于约3μm至18μm之间、且该距离Da大于该距离Dc。

请参照图28A，显示图27所述的显示装置沿切线A-A’的剖面结构示意图。由图28A可得知，在该第二线路区108b内，该些信号线组110至少其中之一的该第一导线112可与该第二导线114重叠，以降低该第一导线112与该第二导线114投影于一水平面上的面积，增加走线区108的集成度。

仍请参照图28A，该第一导线112可配置于该基板102之上。一介电层116配置于该基板102之上，并覆盖该第一导线112。该第二导线114配置于该介电层116之上，且该信号线组110的该第一导线112与该第二导线114重叠。一保护层(passivation layer)118配置于该介电层116之上，并覆盖该第二导线114。其中，该基板102可为石英、玻璃、硅、金属、塑胶、或陶瓷材料；该第一导线112及该第二导线114的材质可为单层或多层的金属导电材料(例如：铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、铱(Ir)、镍(Ni)、铬(Cr)、银(Ag)、金(Au)、钨(W)、或其合金)、、金属化合物导电材料、金属合金(例如：含铝(Al)合金、含铜(Cu)合金、含钼(Mo)合金、含钛(Ti)合金、含铂(Pt)合金、含铱(Ir)合金、含镍(Ni)合金、含铬(Cr)合金、含银(Ag)合金、含金(Au)合金、含钨(W)合金、含镁(Mg)合金、或上述合金的组合)、或其组合，且该第一导线112及该第二导线114的材质可为相同或不同；该介电层116的材质可为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、或上述材质的组合；以及，该保护层118的材质可为有机的绝缘材料(光感性树脂)或无机的绝缘材料(氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、或上述材质的组合)，可用来隔绝第一导线112及该第二导线114与空气或水气的接触。此外，根据本发明实施例，该第一导线112及该第二导线114具有倾斜的侧壁，请参照图28A，其中该侧壁与一水平面的夹角介于约15度至90度之间，且该第一导线其侧壁的倾斜幅度及该第二导线其侧壁的倾斜幅度相同或不同。

根据本发明实施例，该第一导线112的线宽W1可介于约2μm至10μm之间、该第二导线114的线宽W2可介于约2μm至10μm之间、且该第一导线112的线宽W1与该第二导线114的线宽W2可为相同(如图28A所示)或是不同(如图28B所示)。换言之，该第一导线112的线宽W1与该第二导线114的线宽W2的比值可介于1至5之间。举例来说，请参照图28B，该第一导线112的线宽W1可大于该第二导线114的线宽W2。此外，请参照图28A至图28B，第一导线112及该第二导线114可完全重叠(即该第一导线112对于水平面的投影与该第二导线112对于水平面的投影完全重叠)。

根据本发明实施例，在该第二线路区108b内任两相邻的该第一导线112相隔一距离(即在该第二线路区108b内两相邻第一导线间最短的水平距离)D1，且在该第二线路区108b内任两相邻的该第二导线114相隔一距离(即在该第二线路区108b内两相邻第二导线间最短的水平距离)D2，其中该距离D1可介于约2μm至30μm之间，而该距离D2可介于约2μm至30μm之间。

根据本发明实施例，在该第二线路区108b内，该第一导线112的线宽W1与该距离D1的总和(W1+D1)等于该第二导线114的线宽W2与距离D2的总和(W2+D2)。此外，该距离D1与该距离D1及该第一导线112的线宽W1的总和(W1+D1)的比值(D1/(W1+D1))可介于0.1至0.66之间。当该比值(D1/(W1+D1)大于或等于0.1时，有利于后续形成于该第二线路区108b之上的一框胶(未绘示)于一固合制作工艺(由基板102施一能量)中完全固合；而当该比值(D1/(W1+D1)小于或等于0.66时，有利于该第二线路区108b内导线集成度的提高。

另一方面，该第一导线112及该第二导线114重叠部分的宽度W3(该第一导线112对于水平面的投影与该第二导线112对于水平面的投影的最小重叠宽度)与该第一导线112的线宽W1的比值可介于0.3至1之间。换言之，在该第二线路区108b内，信号线组110的该第一导线112与该第二导线114可部分重叠(即该第一导线112对于水平面的投影与该第二导线112对于水平面的投影仅部分重叠)，如图28C所示，此时该第一导线112的线宽W1、该第二导线114的线宽W2、及该第一导线112及该第二导线114重叠部分的宽度W3符合以下公式：

(W1+W2-W3)/W1≧1

请参照图29，为本发明另一实施例所述的显示装置100的上视图。该显示装置100，除了包含该显示区104、该驱动单元106、及该走线区108外，可还包含一第一导电圈(conductive loop)116，配置于基板102上且位于该显示区104外侧。如图29所示，该第一导电圈116可配置于该基板102上，并环绕该显示区104，并与该驱动单元106连接。该驱动单元106可提供一电压至该第一导电圈116，以使该第一导电圈116具有一参考电位。值得注意的是，该第一导电圈116于该走线区108会与该些信号线组110重叠，重叠部分可以由该第一导电圈116或该些信号线组110以其他导电层转层来避免短路，在此不多加详述。

根据本发明实施例，至少部分该第一导电圈116由多个第一导电区块202及多个第二导电区块204所构成，且该些第一导电区块202与该些第二导电区块204电连接，请参照图30A，显示图29所述的显示装置100的沿第一导电圈116切线B-B’的剖面结构示意图。根据本发明实施例，由多个第一导电区块202及多个第二导电区块204所构成的该第一导电圈116，配置于该显示区104与一第一方向X垂直的两侧(即与一第二方向Y平行的两侧)，值得注意的是，本实施例由于平行第一方向X的两侧配置多条数据线(未绘示)，若将该第一导电圈116由多个第一导电区块202及多个第二导电区块204构成较为不易，但并不以此为限。

由图30A可得知，该多个第一导电区块202可配置于该基板102上。一介电层206可配置于该基板102上，并覆盖该些第一导电区块202。该些第二导电区块204可配置于该介电层206上。一保护层(passivation layer)208可配置于该介电层206上，并覆盖该些第二导电区块204。此外，多个第一贯孔205贯穿该介电层206及该保护层208，露出该第一导电区块202。多个第二贯孔207贯穿该保护层208，露出该第二导电区块204。一导电层210，配置于该保护层208之上，并填入该第一贯孔205及该第二贯孔207，以使该些数个第一导电区块202及该些第二导电区块204通过该导电层210达成电性连接。

根据本发明实施例，该第一导电区块202及第二导电区块204的材质可为单层或多层的金属导电材料(例如：铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、铱(Ir)、镍(Ni)、铬(Cr)、银(Ag)、金(Au)、钨(W)、或其合金)、、金属化合物导电材料、金属合金(例如：含铝(Al)合金、含铜(Cu)合金、含钼(Mo)合金、含钛(Ti)合金、含铂(Pt)合金、含铱(Ir)合金、含镍(Ni)合金、含铬(Cr)合金、含银(Ag)合金、含金(Au)合金、含钨(W)合金、含镁(Mg)合金、或上述合金的组合)、或其组合，且该第一导电区块202及第二导电区块204的材质可为相同或不同。根据本发明实施例，该第一导电区块202与该第一导线112可在相同制作工艺步骤中以相同材料形成；及/或，该第二导电区块204与该第二导线114可在相同制作工艺步骤中以相同材料形成。该介电层206的材质可为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、或上述材质的组合，且该介电层206与该介电层116可在相同制作工艺步骤中以相同材料形成。该保护层208的材质可为有机的绝缘材料(光感性树脂)或无机的绝缘材料(氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、或上述材质的组合)，且该保护层208与该保护层118可在相同制作工艺步骤中以相同材料形成。此外，该导电层210可为一单层或多层的透明导电层，其材质可例如为氧化铟锡(ITO、indium tin oxide)、氧化铟锆(IZO、indium zinc oxide)、氧化铝锆(AZO、aluminum zinc oxide)、氧化锆(ZnO、zinc oxide)、二氧化锡(SnO2)、三氧化二铟(In2O3)、或上述的组合。

仍请参照图30A，为避免在显示装置制作过程中，由于静电累积而使显示装置100受损，该第一导电区块202的长度L1可介于约10μm至10000μm之间，以及该第二导电区块204的长度L2可介于约10μm至10000μm之间。此外，任两相邻第一导电区块202以一距离D3彼此分隔、任两相邻第二导电区块204以一距离D4彼此分隔、且任两相邻的第一导电区块202及第二导电区块204以一距离D5相隔。其中，该距离D3介于16μm至100μm之间、该距离D4介于16μm至100μm之间、以及该距离D5介于3μm至40μm之间。

根据本发明另一实施例，任两相邻的第一导电区块202可直接通过该第二导电区块204达成电连接。请参照图30B，该多个第一导电区块202配置于该基板102上。该介电层206配置于该基板102上，并覆盖该些第一导电区块202。多个第三贯孔209贯穿该介电层206，露出该第一导电区块202。该些第二导电区块204配置于该介电层206上，并填入该第三贯孔209中，以使任两相邻的第一导电区块202及第二导电区块204部分重叠，因此不需额外形成该导电层210。

根据本发明其他实施例，请参照图30C，一平坦层212可进一步形成于该保护层208之上。多个第四贯孔211A贯穿该介电层206、该保护层208、及该平坦层212，露出该第一导电区块202。多的第五贯孔213贯穿该保护层208及该平坦层212，露出该第二导电区块204。该导电层210形成于该平坦层212之上，并填入该第四贯孔211A及该第五贯孔213，以使该些第一导电区块202及该些第二导电区块204通过该导电层210达成电性连接。其中，该平坦层212为一具有绝缘性质的膜层，可例如为介电材料、或光感性树脂。

请参照图31，为本发明其他实施例所述的显示装置100的上视图。该显示装置100，除了包含该显示区104、该驱动单元106、该走线区108、及该第一导电圈116外，还包含一第二导电圈(conductive loop)118，配置于基板102上且位于该显示区104及该第一导电圈116外侧。如图31所示，该第一导电圈116可配置于该基板102上，环绕该显示区104，并与该驱动单元106连接。该第二导电圈118可作为一静电放电(Electrostatic Discharge、ESD)防护单元，使静电突波无法直接损害位于显示区104内的像素。此外，一框胶120配置于该基板102之上，并覆盖部分该第二导电圈118。其中，该框胶120投影至该基板102的区域定义为封装区(未绘示)，而在该封装区内的第二导电圈118被该框胶120所覆盖。

该第二导电圈118的材质可为单层或多层的金属导电材料(例如：铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、铱(Ir)、镍(Ni)、铬(Cr)、银(Ag)、金(Au)、钨(W)、或其合金)、金属化合物导电材料、金属合金(例如：含铝(Al)合金、含铜(Cu)合金、含钼(Mo)合金、含钛(Ti)合金、含铂(Pt)合金、含铱(Ir)合金、含镍(Ni)合金、含铬(Cr)合金、含银(Ag)合金、含金(Au)合金、含钨(W)合金、含镁(Mg)合金、或上述合金的组合)、或其组合。根据本发明一实施例，在形成该第一导电区块202及第二导电区块204时，可同时形成该第二导电圈118。此外，该框胶可为一树脂。

仍请参照图31，该显示装置100具有一外围边界122。在该封装区中，该框胶120与该外围边界122之间没有距离(距离为0)。请参照图32，显示图31所述的显示装置100沿切线C-C’的剖面结构示意图。由图32可知，该第二导电圈118与该外围边界122相隔一距离D6，且该框胶120设置于该第二导电圈118上且位于该外围边界122内(该第二导电圈118与该外围边界122之间的空间被该框胶12填满)。值得注意的是，该距离D6介于50-300μm，以防止第二导电圈118因水或空气而发生腐蚀现象，降低其静电放电(Electrostatic Discharge、ESD)防护能力。

为确保该第二导电圈118不会在形成框胶120时因制作工艺误差使得该第二导电圈118裸露于框胶120之外。图33为一显示装置母板201的示意图，该显示装置母板201经一切割制作工艺后形成图31所示的显示装置。如图33所示，在形成该框胶120于基板102上时，需将该框胶120覆盖于一预定切割道124上。因此，在沿该预定切割道124进行一切割制作工艺时(例如为单一或多重刀片的切割程序或激光切割程序)，可确保所得的显示装置100(如图31所示)其外围边界与该框胶120之间没有距离(距离为0)。如此一来，该第二导电圈118框胶与该外围边界122相隔该距离D6。如图33所示，该框胶120可涂布至与该外围边界122接触。

此外，根据本发明一实施例，在形成该框胶120于基板102上时，即使该框胶120未涂布至与该外围边界122接触但所形成的框胶120仍覆盖于该预定切割道124上(请参照图34)，当沿该预定切割道124进行切割制作工艺时，仍可得到图31所示的显示装置100。

综上所述，本发明通过走线区内导线的集成度，降低走线区于显示装置中所占据的面积，因此可在不增加显示装置尺寸的前提下，提升显示装置的分辨率。此外，本发明所述显示装置可还包含一第一导电圈位于显示区外侧，其由多个导电区块构成，可避免在显示装置制作过程中，静电累积而使显示装置受损。再者，本发明所述显示装置可还包含一第二导电圈位于显示区外侧，其中一框胶设置于该第二导电圈上且位于显示装置的外围边界内，可确保第二导电圈的抗静电放电能力。

本发明实施例利用一设于显示像素区及框胶之间的间隔墙(photo spacer wall)以防止框胶接触显示像素区的液晶材料，使框胶与显示像素区之间的距离可更进一步的缩短以窄化显示装置的非显示区。

首先，参见图35A及图35B。图35A为本发明实施例的上视图，而图35B为沿着图35A的线段1B-1B所绘制的剖视图。如图35A所示，显示装置100包括第一基板101以及与此第一基板101相对设置第二基板103。此外，如图35A及图35B所示，此显示装置100包括显示像素区104及相邻显示像素区的非显示区105。易言之，上述第一基板101以及第二基板103都可分为显示像素区104及相邻显示像素区的非显示区105。此外，此非显示区105包括一外部接脚压合区(Out Lead Bonding，OLB)115，如图35A所示。

上述显示装置100可为液晶显示器，例如为薄膜晶体管液晶显示器。或者，此液晶显示器可为扭转向列(Twisted Nematic,TN)型液晶显示器、超扭转向列(Super TwistedNematic,STN)型液晶显示器、双层超扭转向列(Double layer Super Twisted Nematic,DSTN)型液晶显示器、垂直配向(Vertical Alignment,VA)型液晶显示器、水平电场效应(In-Plane Switching,IPS)型液晶显示器、胆固醇(Cholesteric)型液晶显示器、蓝相(Blue Phase)型液晶显示器或其它任何适合的液晶显示器。

参见图35B，上述第一基板101包括一第一透明基板126、设于此第一透明基板126上的遮光层128、以及设于此遮光层128的彩色滤光层130。此外，第一基板101可还包括覆盖此彩色滤光层130以及部分遮光层128的平坦层132。

上述第一透明基板126例如可为玻璃基板、陶瓷基板、塑胶基板或其它任何适合的透明基板。而上述遮光层128用以遮蔽非显示区105以及显示像素区104中的像素以外的元件。此外，遮光层128的材料可为黑色光致抗蚀剂、黑色印刷油墨、黑色树脂或其它任何适合的遮光材料与颜色。而上述彩色滤光层130可包括设于显示像素区104的彩色滤光层130A、130B及130C以及设于非显示区105的彩色滤光层130D。且此彩色滤光层130A、130B及130C可各自独立地为红色彩色滤光层、绿色彩色滤光层、蓝色彩色滤光层、或其它任何适合的彩色滤光层。此外，上述平坦层132的材料可为有机硅氧化合物、光致抗蚀剂，或无机材质如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、氧化铪、或上述材质的多层结构。

继续参见图35B，上述第二基板103包括一第二透明基板134，其材料可同上述第一透明基板126的材料，且第一透明基板126与第二透明基板134的材料可以相同或不同。此外，此第二透明基板134之中或之上设有用以控制像素的晶体管(未绘示)，例如设有薄膜晶体管。第二基板103可还包括覆盖第二透明基板134以及上述晶体管的绝缘层136。此绝缘层136用以将第二基板103与设于第一基板101及第二基板103之间的元件电性绝缘。此绝缘层136的材料可为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、上述的组合、或其它任何适合的材料。

继续参见图35A及图35B，显示装置100还包括设于第一基板101与第二基板103之间的框胶120(sealant)以及液晶材料138。此框胶120用以密封住第一基板101与第二基板103之间的液晶材料138。此框胶120可为绝缘的透明树脂或其它任何适合的框胶材料，而此液晶材料138可为向列型液晶(nematic)、层列型液晶(smectic)、胆固醇液晶(cholesteric)、蓝相液晶(Blue phase)或其它任何适合的液晶材料。

如图35A及图35B所示，此框胶120位于显示像素区104外侧，易言之，此框胶120位于非显示区105中。在一些实施例中，框胶120可围绕显示像素区104。此外，框胶120的宽度W4为约200μm至900μm，例如为约500μm至800μm。应注意的是，若框胶120的宽度W4太大，例如大于约900μm，则显示装置100的非显示区105会过宽，无法使显示装置100更为轻、薄、短小。然而，若框胶120的宽度W4太小，例如小于约200μm，则部分框胶120有可能会破裂而无法有效密封住液晶材料138。

继续参见图35A及图35B，显示装置100还包括设于第一基板101与第二基板103之间的间隔墙140(photo spacer wall)，且此间隔墙140位于显示像素区104及框胶120之间，以进一步防止框胶120接触显示像素区104的液晶材料138。此外，间隔墙140具有靠近显示像素区104的第一侧S1以及靠近框胶120的第二侧S2，且此第一侧S1的高度H1大于第二侧S2的高度H2。例如，在图示中，间隔墙140的高度由S1侧(靠近显示区104侧)的H1逐渐往S2侧(靠近框胶120侧)降低至H2。应注意的是，虽然在图35A及图35B所示的实施例中，间隔墙140位于第一基板101的平坦层132上，然而，在其它实施例中，间隔墙140也可位于第二基板103上，此部分将于后文详细说明。此外，虽然在图35A所示的实施例中，间隔墙140完全环绕显示像素区104。然而，技术人士应可知间隔墙140不仅一圈也可为多圈，或是仅部分环绕显示像素区104，因此，本发明的保护范围并不局限于图35A所示的实施例。

此外，间隔墙140的材料可包括光致抗蚀剂，例如正光致抗蚀剂或负光致抗蚀剂。间隔墙140可通过光刻或光刻蚀刻制作工艺形成。在一实施例中，上述光刻制作工艺包括光致抗蚀剂图案化，此光致抗蚀剂图案化还包括光致抗蚀剂涂布、软烤、光掩模对准、曝光图案、后曝烤(post-exposure baking)、光致抗蚀剂显影及硬烤等制作工艺步骤。而上述蚀刻步骤可包括反应离子蚀刻(reactive ion etch，RIE)、等离子体蚀刻或其它合适的蚀刻步骤。

继续参见图35B，间隔墙140(或后续设于间隔墙140的顶面上的第一配向层148)并未直接接触第二基板103，故间隔墙140(或后续设于间隔墙140的顶面上的第一配向层148)与第二基板103间具有一第一间隙G1，且此第一间隙G1的高度H5可为约0.1μm至1.5μm，例如为约0.3μm至0.8μm。第一间隙G1的高度H5定义为第二配向层150至间隔墙140的顶面(或后续设于间隔墙140的顶面上的第一配向层148)的最大距离H6及最小距离H7的平均值(亦即H5＝(H6+H7)/2)。此外，框胶120可直接接触间隔墙140，且部分框胶120还可自第二侧S2向第一侧S1延伸的一距离D8，此距离D8可为间隔墙140的宽度W5的约20％-90％，例如约40％-70％。应注意的是，若距离D8过大，例如大于约间隔墙140的宽度W5的90％，则会使框胶120接触污染显示像素区104的液晶材料138而造成缺陷的机率增加，使制作工艺良率下降。此外，若第一间隙G1的高度H5过大，例如大于约1.5μm，则间隔墙140无法有效防止框胶120经由第一间隙G1延伸进入显示像素区104，且间隔墙140与后续的主间隔物142的高度差会过大或使框胶120接触而污染显示像素区104内的液晶材料138，会使显示装置100产生框形显像不均(frame mura)等显像不均的问题。然而，若第一间隙G1的高度H5过小，例如小于约0.1μm，则间隔墙140的顶面会过于靠近第二基板103，使延伸进入第一间隙G1的框胶120可能会将第二基板103推离第一基板101，会使显示装置100产生间隙显像不均(gap mura)等显像的问题，造成制作工艺良率下降。

由于上述间隔墙140可防止框胶120接触显示像素区104的液晶材料138，故框胶120与显示像素区104之间的距离可更进一步的缩短以窄化显示装置100的非显示区105，使显示装置100更为轻、薄、短小。此外，由于框胶120的第一侧S1的高度H1大于第二侧S2的高度H2，故即使框胶120如前文所述延伸进入间隔墙140与第二基板103之间的第一间隙G1，较高的第二侧S2的高度H2也可防止框胶120经由第一间隙G1延伸进入显示像素区104，故可进一步防止框胶120接触显示像素区104的液晶材料138造成显示装置100的缺陷。如图35B所示，在不考虑框胶120延伸入第一间隙G1的情况下，上述框胶120与显示像素区104之间的距离为间隔墙140的宽度W5、后续位于间隔墙140的两侧S1、S2的第一配向层148的厚度T1及间隔墙140的第一侧S1至显示像素区104的距离D7加总所得的总距离(亦即W5+2xT1+D7)。

上述间隔墙140的第一侧S1的高度H1与第二侧S2的高度H2的差值可为约0.01μm至0.3μm，例如为约0.05μm至0.1μm。应注意的是，若第一侧S1与第二侧S2的差值太大，例如大于约0.3μm，则表示第二侧S2的高度H2会过低，会使间隔墙140无法有效防止框胶120接触显示像素区104的液晶材料138。然而，若第一侧S1与第二侧S2的差值太小，例如小于约0.01μm，则间隔墙140无法有效利用第一侧S1与第二侧S2的高度差来防止框胶120经由第一间隙G1延伸进入显示像素区104。

继续参见图35B，间隔墙140的宽度W5为约10μm至200μm，例如为约60μm至110μm。应注意的是，若间隔墙140的宽度W5太宽，例如宽于约200μm，则显示装置100的非显示区105会过宽，无法使显示装置100更为轻、薄、短小。然而，若间隔墙140的宽度W5太窄，例如窄于约10μm，则间隔墙140无法有效防止框胶120接触显示像素区104的液晶材料138。

此外，间隔墙140的第一侧S1至显示像素区104的距离D7为20μm至200μm，例如为约50μm至100μm。应注意的是，若此距离D7过宽，例如宽于约200μm，则显示装置100的非显示区105会过宽，无法使显示装置100更为轻、薄、短小。然而，若此距离D7过短，例如小于约20μm，则会使框胶120接触显示像素区104的液晶材料138而造成缺陷的机率增加，使制作工艺良率下降。

此外，间隔墙140的高度H3可通过改变间隔墙140的第一侧S1至显示像素区104的距离D7来调整。详细而言，若距离D7越小，则间隔墙140的流平效应(reflow effect)越小，可允许间隔墙140有较高的高度。反之，若距离D7越大，则间隔墙140的流平效应越大，可允许间隔墙140有较低的高度。因此，可通过调整距离D7来使主间隔物142与间隔墙140的高度差(亦即H4-H3)介于后文所述的优选的范围中(亦即约0.1μm至1.5μm)。

继续参见图35B，显示装置100还包括位于第一基板101与第二基板103之间的主间隔物142(main photo spacer)，且此主间隔物142设于显示像素区104内。主间隔物142可与间隔墙140在同一道光刻或光刻蚀刻制作工艺定义而成，然而，主间隔物142也可通过另一道光刻或光刻蚀刻制作工艺形成。

此外，此主间隔物142的高度H4高于间隔墙140的高度H3。在上述中，间隔墙140的高度H3定义为间隔墙140的第一侧S1的高度H1与第二侧S2的高度H2的平均值(亦即H3＝(H1+H2)/2)。在一些实施例中，主间隔物142的高度H4高于间隔墙140的高度H3约0.1μm至1.5μm，例如为约0.3μm至0.8μm。应注意的是，若主间隔物142与间隔墙140的高度差过大，例如大于约1.5μm，则显示装置100会产生框形显像不均(frame mura)等显像不均的问题。然而，若主间隔物142与间隔墙140的高度差过小，例如小于约0.1μm，则间隔墙140的顶面会过于靠近第二基板103，使延伸进入第一间隙G1的框胶120可能会将第二基板103推离第一基板101，会使显示装置100产生间隙显像不均(gap mura)等显像的问题，造成制作工艺良率下降。

接着回到图35A，间隔墙140包括转角区144以及长条区146，且转角区144的宽度W6与长条区146的宽度W7不同。例如，在图35A所示的实施例中，转角区144的宽度W6大于长条区146的宽度W7。

然而，转角区的宽度也可小于长条区的宽度。例如，图36绘示本发明的另一实施例，与前述图1-图4所示的实施例的差异主要在于转角区144的宽度W6小于长条区146的宽度W7。此外，此技术领域中具有通常知识者可知转角区的宽度也可等于长条区的宽度，故本发明的保护范围并不局限于图1及图2所示的实施例。应注意的是，后文中与前文相同或相似的元件或膜层将以相同或相似的标号表示，其材料、制造方法与功能都与前文所述相同或相似，故此部分在后文中将不再赘述。

接着回到图35B，显示装置100可还包括设于平坦层132上且覆盖间隔墙140及主间隔物142的第一配向层148，以及设于绝缘层136上的第二配向层150。此第一配向层148及第二配向层150为用来诱导液晶分子定向排列的薄层，其材料可为聚亚酰胺(polyimide)或其它任何适合的配向层材料。此外，设于主间隔物142的顶面上的第一配向层148可直接接触第二配向层150。此第一配向层148的厚度可为约300埃至1000埃，例如为约400埃至700埃，且此第一配向层148位于平坦层132上的厚度T1大于或等于第一配向层148位于间隔墙140上的厚度T2。

继续参见图35B，如前文所述，第一基板101的彩色滤光层130可包括设于非显示区105的第一彩色滤光层130D，且此第一彩色滤光层130D对应于间隔墙140下方设置。此外，如图35B所示，第一彩色滤光层130D的宽度W8大于间隔墙140的宽度W5。然而，应注意的是，第一彩色滤光层的宽度也可小于间隔墙的宽度。例如，在图37所示的另一实施例中，第一彩色滤光层130D的宽度W8小于间隔墙140的宽度W5。此外，此技术领域中具有通常知识者可知第一彩色滤光层的宽度也可等于间隔墙的宽度，故本发明的保护范围并不局限于图1、图2及图3所示的实施例。

间隔墙140的高度H3可通过改变对应其下方设置的第一彩色滤光层130D的宽度W8来调整。详细而言，若第一彩色滤光层130D的宽度W8越小，则间隔墙140的流平效应(refloweffect)越大，可允许间隔墙140有较低的高度。反之，若第一彩色滤光层130D的宽度W8越大，则间隔墙140的流平效应越小，可允许间隔墙140有较高的高度。因此，可通过调整第一彩色滤光层130D的宽度W8来使主间隔物142与间隔墙140的高度差(亦即H4-H3)介于前述优选的范围中(亦即约0.1μm至1.5μm)。

此外，参见图38，该图为本发明另一实施例的剖视图。与前述图1-图3所示的实施例的差异主要在于第一基板101的彩色滤光层130还包括对应于间隔墙140下方第二彩色滤光层130E，第二彩色滤光层130E与第一彩色滤光层130D相异，且第一彩色滤光层130D与第二彩色滤光层130E的交界S3对应于间隔墙140下方。然而，应注意的是，第一彩色滤光层130D与第二彩色滤光层130E的交界S3也可对应于间隔墙140的第一侧S1或此第一侧S1以外的区域，本发明的保护范围并不局限于图38所示的实施例。此外，与第一彩色滤光层130D相似，间隔墙140的高度H3可通过改变对应其下方设置的第二彩色滤光层130E的宽度W9来调整。

图39绘示本发明的另一实施例，与前述图1-图4所示的实施例的差异主要在于间隔墙140位于第二基板103的绝缘层136上，而非如前述图1-图4所示的实施例位于第一基板101的平坦层132上。此外，如图39所示，显示装置100可还包括设于绝缘层136上且覆盖间隔墙140的第二配向层150，此第二配向层150的材料同前述第一配向层148的材料，且设于主间隔物142的顶面上的第二配向层150可直接接触第一配向层148。此外，此第二配向层150位于绝缘层136上的厚度T3大于或等于第二配向层150位于间隔墙140上的厚度T4。

此外，间隔墙140(或设于间隔墙140的顶面上的第二配向层150)并未直接接触第一基板101，故间隔墙140与第一基板101间具有第二间隙G2，且此第二间隙G2的高度H8为0.1μm至1.5μm，例如为约0.3μm至0.8μm。第二间隙G2的高度H8定义为第一配向层148至间隔墙140的顶面(或设于间隔墙140的顶面上的第二配向层150)的最大距离H9及最小距离H10的平均值(亦即H8＝(H9+H10)/2)。应注意的是，若第二间隙G2的高度H8过大，例如大于约1.5μm，则间隔墙140无法有效防止框胶120经由第二间隙G2延伸进入显示像素区104，且间隔墙140与主间隔物142的高度差会过大，会使显示装置100产框形显像不均(frame mura)等显像不均的问题。然而，若第二间隙G2的高度H8过小，例如小于约0.1μm，则间隔墙140的顶面会过于靠近第一基板101，使延伸进入第二间隙G2的框胶120可能会将第一基板101推离第二基板103，会使显示装置100产生间隙显像不均(gap mura)等显像的问题，造成制作工艺良率下降。

综上所述，由于本发明的间隔墙可防止框胶接触显示像素区的液晶材料，故框胶与显示像素区之间的距离可更进一步的缩短以窄化显示装置的非显示区，使显示装置更为轻、薄、短小。此外，由于间隔墙靠近显示区的一侧高度相对较高，故即使框胶延伸进入间隔墙仍无法进入显示像素区，故可进一步防止框胶接触液晶材料造成显示装置的缺陷。

本发明实施例于遮光层设有一加大部以进一步遮蔽显示装置可能会产生漏光现象的区域以提升装置的对比度，且利用此加大部可防止显像不均(mura issue)的现象产生，使显示的品质可进一步提升。

首先，参见图40A，该图绘示本发明实施例的显示装置100的上视图。如图40A所示，显示装置100包括显示像素区104及相邻显示像素区的非显示区105。在此实施例中，非显示区105包围显示像素区104。此显示像素区104指显示装置100中设有包括晶体管的像素显示的区域，而此晶体管例如可为薄膜晶体管。此外，此非显示区105可包括一外部接脚连接区(OutLead Bonding，OLB)115。

上述显示装置100可为液晶显示器，例如为薄膜晶体管液晶显示器。或者，此液晶显示器可为扭转向列(Twisted Nematic,TN)型液晶显示器、超扭转向列(Super TwistedNematic,STN)型液晶显示器、双层超扭转向列(Double layer Super Twisted Nematic,DSTN)型液晶显示器、垂直配向(Vertical Alignment,VA)型液晶显示器、水平电场效应(In-Plane Switching,IPS)型液晶显示器、胆固醇(Cholesteric)型液晶显示器、蓝相(Blue Phase)型液晶显示器或其它任何适合的液晶显示器。

接着，参见图40B，该图为图40A的显示装置100于区域1B的加大图。如图40B所示，显示像素区104包括至少两个像素400以及遮光层128。上述像素400包括多个次像素402，例如，在图40B所示的实施例中，每一个像素400包括三个次像素402。而上述遮光层128的材料可为黑色光致抗蚀剂、黑色印刷油墨、黑色树脂或其它任何适合的遮光材料与颜色。此外，上述遮光层128具有矩阵部404及加大部406。此矩阵部404定义出上述次像素402，而此加大部406设于两相邻的次像素402的交会处408，且此加大部406相邻于上述矩阵部404。上述遮光层128的矩阵部404用以遮蔽非显示区105以及显示像素区104中的像素以外的元件，而加大部406用以遮蔽显示装置100的次像素402中可能会产生漏光现象的区域。

如图40B所示，遮光层128的矩阵部404包括多个矩阵部栏404C以及多个矩阵部列404R，且此矩阵部栏404C及矩阵部列404R定义出像素400的多个次像素402。而上述遮光层128的加大部406设于此矩阵部栏404C及矩阵部列404R的交会处408，且覆盖部分次像素402。例如，如图40B所示，加大部406覆盖部分邻近此交会处408的四个次像素402。易言之，邻近此交会处408的四个次像素402都被加大部406部分覆盖。在一实施例中，此加大部406的边缘为圆弧形。

参见图40B及图40C，其中图40C为图40B的显示装置100未具有加大部406的示意图。在图40C中，六个次像素402的面积总和为第一面积，而图40B的加大部406的面积与此第一面积的比值为约1.5％至6％，以2.5％至5％优选。具体而言，如图40B及图40C所示，遮光层128中设于交会处408周围的四个扇形区域组成一个加大部406。此四个扇形区域完全设于次像素402中且都遮蔽其对应的次像素402的一部分。此外，图40B的两相邻的像素400包括六个次像素402，其中邻近交会处408的四个次像素402被加大部406(亦即上述四个扇形区域)部分遮蔽，而另外两个次像素402并未被加大部406遮蔽。此位于两相邻的像素400之间的加大部406(亦即上述四个扇形区域)的面积与此两相邻的像素400的六个次像素402在未被加大部406覆盖时的面积(亦即图40C所示的六个次像素402的面积)的比值为约1.5％至6％，以2.5％至5％优选。

上述具有特定面积比值的加大部406可遮蔽显示装置可能会产生漏光现象的区域以提升装置的对比度，且可防止显像不均(mura issue)的现象产生，使显示的品质可进一步提升。

详细而言，显示装置100在两相邻的次像素402的交会处408(亦即矩阵部栏404C及矩阵部列404R的交会处408)常因布有间隔物(photo spacer)而容易产生漏光现象，故于此交会处408设置加大部406可遮蔽间隔物造成的配向漏光与刮伤漏光等现象以提升装置的对比度。然而，若此加大部406的面积太大，例如比值大于约6％，则会造成显示装置100的显像不均。然而，若此比值太小，例如小于约1.5％，则此加大部406的面积会太小而无法有效遮蔽漏光现象。

接着，参见图41A，该图为本发明实施例的显示装置100的剖视图。如图41A所示，显示装置100还包括第一基板101、与第一基板101相对设置的第二基板103、以及设于第一基板101上的主间隔物142(main spacer)与次间隔物410(sub-spacer)。此外，显示装置100还包括设于第一基板101上的第一配向层148及设于第二基板103上的第二配向层150。

在图41A所示的实施例中，第一基板101为彩色滤光层基板，而第二基板103为晶体管基板。详细而言，作为彩色滤光层基板的第一基板101可包括一第一透明基板126、设于此第一透明基板126上的遮光层128、以及设于此遮光层128上的彩色滤光层130。上述第一透明基板126例如可为玻璃基板、陶瓷基板、塑胶基板或其它任何适合的透明基板，而上述彩色滤光层130可包括红色滤光层、绿色滤光层、蓝色滤光层、或其它任何适合的彩色滤光层。此外，作为晶体管基板的第二基板103可为一透明基板，其材料可与上述第一透明基板126的材料相同。然而，在其它实施例中，第二基板103的透明基板的材料可与第一透明基板126的材料不同。此外，第二基板103的透明基板之中或之上设有用以控制像素的晶体管(未绘示)，例如薄膜晶体管。

上述设于第一基板101上的主间隔物142与次间隔物410用以间隔第一基板101与第二基板103，使液晶材料318可填入此第一基板101与第二基板103之间。此外，由于主间隔物142为用以间隔第一基板101与第二基板103的主要结构，而次间隔物410主要于显示装置被按压时防止第一基板101与第二基板103接触的结构，故主间隔物142的高度比次间隔物410的高度高。此外，主间隔物142具有远离第一基板101的顶面142T以及邻近第一基板101的底面142B，而次间隔物410也具有远离第一基板101的顶面410T以及邻近第一基板101的底面410B。上述主间隔物142与次间隔物410的材料可包括光致抗蚀剂，例如正光致抗蚀剂或负光致抗蚀剂。且主间隔物142与次间隔物410可由同一道光刻或光刻蚀刻制作工艺定义而成。然而，主间隔物142与次间隔物410也可分别由不同的光刻或光刻蚀刻制作工艺定义而成。上述光刻制作工艺包括光致抗蚀剂图案化，此光致抗蚀剂图案化还包括光致抗蚀剂涂布、软烤、光掩模对准、曝光图案、后曝烤(post-exposure baking)、光致抗蚀剂显影及硬烤等制作工艺步骤。而上述蚀刻步骤可包括反应离子蚀刻(reactive ion etch，RIE)、等离子体蚀刻或其它合适的蚀刻步骤。

上述此第一配向层148及第二配向层150为用来诱导液晶分子定向排列的薄层，其材料可各自独立地包括聚亚酰胺(polyimide)或其它任何适合的配向层材料。此第一配向层148覆盖于第一基板101、主间隔物142与次间隔物410上。且设于主间隔物142的顶面142T上的第一配向层148可直接接触第二配向层150。

参见图41A-图41C，其中图41B、图41C为本发明实施例的显示装置100的上视图及侧视图。如图41A-图41C所示，在对组或搬运时，由于主间隔物142的顶面142T上的第一配向层148直接接触第二配向层150，故会于第二配向层150对应主间隔物142的顶面142T的区域形成粗糙区412，粗糙区412的面积可能会大于主间隔物142的顶面142T的面积。易言之，第二配向层150包括粗糙区412，且此粗糙区412对应主间隔物142设置。此第二配向层150的粗糙区412的粗糙度与第二配向层150的其它区域的粗糙度不同。此外，主间隔物142的顶面142T至粗糙区412的边缘的距离D13为0μm至12μm，大约小于11.5μm。详细而言，距离D13为主间隔物142的顶面142T于第一基板101的投影边缘142TE与粗糙区412的边缘412E的距离。

由于第二配向层150的粗糙区412的配向程度与第二配向层150的其它区域的配向度不同，故对应此粗糙区412的液晶分子的排列方式会与对应其它液晶分子的排列方式不同，因此会造成显示装置100的漏光现象，且会降低对比度。因此，本发明于显示装置100中对应此粗糙区412的区域设置遮光层的加大部，以遮蔽显示装置可能会产生漏光现象的区域并提升装置的对比度。

如图41B-图41C所示，遮光层128的加大部406包括主加大部406A及次加大部406B，且主间隔物142对应主加大部406A设置，而次间隔物410对应次加大部406B设置。此外，此主加大部406A及次加大部406B都设于两相邻的次像素402的交会处408。易言之，此主加大部406A及次加大部406B设于矩阵部栏404C及矩阵部列404R的交会处408。

本发明通过将主间隔物142对应主加大部406A设置，可使此主加大部406A可遮蔽对应主间隔物142的粗糙区412所造成的漏光现象。在一实施例中，包括主加大部406A的遮光层128可完全遮蔽粗糙区412。

此外，为使主加大部406A可有效遮蔽漏光现象，主间隔物142的底面142B于第一基板101的投影边缘142BE与主加大部406A的边缘406AE的最大距离D14为约5μm至15μm，11.5μm至12.5μm优选。若此距离D14过大，例如大于约15μm，则会造成显示装置100的像素开口区过小或显像不均。然而，若此距离D14太小，例如小于约5μm，则此主加大部406A的面积会太小而无法有效遮蔽漏光现象。此外，如图41B所示，距离D14应大于距离D13以使包括主加大部406A的遮光层128可完全遮蔽粗糙区412。

此次加大部406B可遮蔽显示装置100的漏光现象以提升装置的对比度。例如，在一实施例中，显示装置100中对应次间隔物410的第一侧S4的距离D15为5.5μm，而对应次间隔物410的相对此第一侧S4的第二侧S5的距离D16为8.5μm。若将此对应次间隔物410的第一侧S4的距离D15增加为8.75μm，并将对应次间隔物410的第二侧S5的距离D16增加为10.75μm，则显示装置100的对比度会从881提升至994。

继续参见图41A-图41C，在一实施例中，第一配向层148与第二配向层150以摩擦制作工艺(rubbing process)配向。然而，在以摩擦制作工艺将第一配向层148配向时，位于主间隔物142和次间隔物410的底面边缘142BE和410BE周围的第一配向层148较难被有效配向。因此，底面边缘142BE和410BE周围的第一配向层148的配向程度与第一配向层148的其它区域的配向程度不同。

此配向程度不同会使对应主间隔物142和次间隔物410的底面边缘142BE和410BE周围的液晶分子的排列方式会与对应其它液晶分子的排列方式不同，故会造成显示装置100的生漏光现象，且会降低对比度。因此，本发明于显示装置100中对应主间隔物142设置主加大部406A外，对应次间隔物410的底面边缘410BE周围的区域设置遮光层的次加大部406B，以遮蔽显示装置可能会产生漏光现象的区域并提升装置的对比度。

继续参见图41B-图41C，本发明的次间隔物410可对应次加大部406B设置，以使此次加大部406B可遮蔽对应次间隔物410的底面边缘410BE周围的区域所造成的漏光现象。

为使次加大部406B可有效遮蔽漏光现象，次间隔物410包括邻近第一基板101的底面410B，如图41A所示。且参见图41B-图41C，次间隔物410的底面410B的边缘410BE与次加大部406B的边缘406BE的距离D15或D16为约5μm至10μm。详细而言，此距离D15或D16指次间隔物410的底面410B于第一基板101的投影边缘410BE与次加大部406B于第一基板101的投影边缘406BE的最大距离。若此距离D15或D16过大，例如大于约10μm，则会造成显示装置100的像素开口区过小或显像不均。然而，若此距离D15或D16太小，例如小于约5μm，则此次加大部406B的面积会太小而无法有效遮蔽漏光现象。

此外，因摩擦配向制作工艺(rubbing process)会使主间隔物142和次间隔物410的底面边缘142BE和410BE周围的第一配向层148于间隔物142和次间隔物410的相对侧具有不同的配向程度。详细而言，若此摩擦制作工艺包括多个摩擦步骤，则以最后的摩擦步骤的摩擦方向为准(例如图41B-图41C中的摩擦方向414)。次间隔物410面对此摩擦方向414的侧边为第一侧S4(也称为迎风侧)，而次间隔物410背对此摩擦方向414的侧边为第二侧S5(也称为背风侧)。此第一侧S4(迎风侧)与第二侧S5(背风侧)互为相反侧。由于位于第一侧S4(迎风侧)的底面边缘410BE周围的第一配向层148面对此摩擦方向414，而位于第二侧S5(背风侧)的底面边缘410BE周围的第一配向层148背对此摩擦方向414，故位于第一侧S4(迎风侧)的第一配向层148的配向程度比位于第二侧S5(背风侧)的第一配向层148的配向程度好。此不同的配向程度会使得显示装置100于次间隔物410的底面边缘410BE周围于第一侧S4(迎风侧)与第二侧S5(背风侧)的漏光程度不同。

因此，次间隔物410的底面410B的边缘410BE与次加大部406B的边缘406BE的距离D15或D16于第一侧S4(迎风侧)与第二侧S5(背风侧)可以不同，以对应不同的漏光程度。在一实施例中，次间隔物410的底面410B的边缘410BE于第一侧S4(迎风侧)与次加大部406B的边缘406BE的距离D15为约5μm至8μm，而次间隔物410的底面410B的边缘410BE于第二侧S5(背风侧)与次加大部406B的边缘406BE的距离D16为约5μm至约10μm。若此距离D15或D16过大，例如大于约10μm，则会造成显示装置100的像素开口区过小或显像不均。然而，若此距离D15或D16太小，例如小于约5μm，则此次加大部406B的面积会太小而无法有效遮蔽漏光现象。

次加大部406B可遮蔽显示装置100的漏光现象以提升装置的对比度。例如，在一实施例中，显示装置100中对应次间隔物410的第一侧S4的距离D15为5μm，而对应次间隔物410的相对此第一侧S4的第二侧S5的距离D16也为5μm。若将此对应次间隔物410的第一侧S4的距离D15增加为5.5μm，并将对应次间隔物410的第二侧S5的距离D16也增加为5.5μm，则显示装置100的对比度会从393大幅提升至847。

接着，参见图42A-图42B，此两图为本发明另一实施例的显示装置100的上视图与侧视图。在此实施例中，第一配向层148与第二配向层150以光配向制作工艺(photoalignment process)配向，或该第一配向层148以光配向制作工艺配向，该第二配向层150为摩擦制作工艺配向，而非以前述都为摩擦配向制作工艺(rubbing process)配向。光配向制作工艺是以线偏振光照射配向层以产生配向效果。而线偏振光入射时的方向决定配向层的配向方向，线偏振光入射时与配向层的夹角则会影响之后液晶分子受配向时的预倾角。

由于在以光配向制作工艺配向时，并不会有前述主间隔物142和次间隔物410的底面边缘142BE和410BE周围的第一配向层148与第一配向层148的其它区域的配向程度不同的情形。因此，设于显示像素区104内的次间隔物410对应的区域中的遮光层128未设有次加大部406B或任何加大部406，如图42A-图42B所示。

然而，由于次间隔物410的尺寸与位置在不同的制作工艺批次之间可能会产生变异，且在组装第一基板101与第二基板103时也可能产生位置的偏移，故次间隔物410仍需与邻近的次像素402保持一定的距离。例如，在一实施例中，次间隔物410的底面410B于第一基板101的投影边缘410BE至次像素402的最短距离D17为约3μm至8μm。若此距离D17过大，例如大于约8μm，则会造成显示装置100的像素开口区过小或显像不均。然而，若此距离D17太小，例如小于约3μm，则次间隔物410可能会因为制作工艺的变动而于次像素402中露出，使显示的品质恶化。

此外，由于过多的次间隔物410的数量会使显示装置100的像素400的开口率难以增加，使显示装置100的穿透度难以提升，故在本发明一实施例中，如图43所示，显示装置100的每一个像素400包括三个次像素402，且次间隔物410的数量与次像素402的数量的比例为1：3。若次间隔物410的数量太多，例如次间隔物410的数量与次像素402的数量的比例高于1：3(亦即每三个次像素402对应多于一个次间隔物410)，则显示装置100的像素400的开口率难以增加，且穿透度难以提升。然而，若次间隔物410的数量太少，例如次间隔物410的数量与次像素402的数量的比例低于1：3(亦即每三个次像素402对应少于一个次间隔物410)，则难以提供显示装置100良好的结构稳定度。

此外，上述次间隔物410的数量与次像素402的数量的比例也会影响显示装置100的对比度及穿透度。例如，在一实施例中，将次间隔物410的数量与次像素402的数量的比例由1：1改为1：3，则显示装置100的对比度会从909提升至998，且透光度会由2.8％提升至3.1％。由此可知，本发明的次间隔物410的数量与次像素402的数量的特定比例(亦即1：3)相较于传统显示装置的次间隔物410的数量与次像素402的数量的比例(亦即1：1)具有不可预期的功效。

此外，继续参见图43，任一次间隔物410与最近的另一次间隔物410间隔三个次像素402栏，此配置可防止显像不均(mura issue)的现象产生。

此外，图43的实施例与前述图40A-图42B的实施例的差别在于相邻的次像素列402R的倾斜方向不同。详细而言，如图43所示，次像素列402R1中的所有次像素402都向图43的左侧倾斜，而与次像素列402R1相邻的次像素列402R2中的所有次像素402都向图43的右侧倾斜。此配置可进一步减少显示装置100的视差问题。

此外，通过调整特定数量比例或特定排列方式的加大部406可更进一步防止因加大部406所造成的视觉条纹感的显像不均等现象产生，使显示的品质可进一步提升。详细而言，在一实施例中，显示装置的每一个像素包括三个次像素，遮光层包括多个加大部，且加大部的数量与次像素的数量的比例为约1：12至1：18，此特定的数量比例可更进一步防止显像不均。

若加大部的数量太多，例如加大部的数量与次像素的数量的比例大于约1：12(亦即每12个次像素对应多于一个加大部)，则会造成显示装置100的穿透度不足。然而，若此加大部的数量太少，例如加大部的数量与次像素的数量的比例小于约1：18(亦即每18个次像素对应少于一个加大部)，则加大部易造成显示装置100有视觉条纹感的现象。

本发明于后文将提供两实施例以描述上述具有特定数量比例及特定排列方式的加大部。首先参见图44，该图为本发明一实施例的显示装置100的上视图。图44绘示由108个次像素402所组成的次像素区域416，且此次像素区域416具有18个次像素栏402C及6个次像素列402R。在此次像素区域416中，加大部406的数量与次像素402的数量的比例为1：18。加大部406设于两个次像素栏402C之间，且设于两个次像素列402R之间。

此外，在次像素区域416中，每两个相邻的次像素栏402C之间的加大部406的数量小于等于1，且每两个相邻的次像素列402R之间的加大部406的数量小于等于1。易言之，每两个相邻的次像素栏402C之间仅设有一个加大部406，而每两个相邻的次像素列402R之间仅设有一个加大部406。且任一加大部406与最近的另一加大部406都间隔三个次像素栏402C。

再者，图44的显示装置100包括至少一主间隔物142，且所有主间隔物142对应的区域中都设有加大部406。此外，图44的显示装置100还包括至少一次间隔物410，且部分加大部406对应的区域中设有次间隔物410。然而，另一部分的加大部406对应的区域未设有主间隔物142及次间隔物410。此外，部分次间隔物410对应的区域中未设有加大部406。

图44所示的具有特定数量比例及特定排列方式的加大部406可更进一步防止显像不均(mura issue)的现象产生，使显示的品质可进一步提升。

接着，参见图45，该图为本发明一实施例的显示装置100的上视图。图45绘示由12个次像素402所组成的次像素区域416，且此次像素区域416具有6个次像素栏402C及2个次像素列402R。在此次像素区域416中加大部406的数量与次像素402的数量的比例为1：12。加大部406设于每一个次像素区域416的其中一个角落。

再者，图45的显示装置100包括至少一主间隔物142，且所有主间隔物142对应的区域中都设有加大部406。此外，图45的显示装置100还包括至少一次间隔物410，且部分加大部406对应的区域中设有次间隔物410。然而，另一部分的加大部406对应的区域未设有主间隔物142及次间隔物410。此外，部分次间隔物410对应的区域中未设有加大部406(未绘示于图45)。

图45所示的具有特定数量比例及特定排列方式的加大部406可更进一步防止显像不均(mura issue)的现象产生，使显示的品质可进一步提升。

此外，应注意的是，虽然在以上图40A-图42B及图44-图45的实施例中，相邻的次像素列之间中的所有次像素都朝相同的方向排列，然而本发明的显示装置的次像素也可以图43所示的排列方式排列，亦即以相邻的次像素列的倾斜方向不同的方式排列。本发明的范围并不以图40A-图42B及图44-图45所示的实施例为限。

此外，虽然在以上图40A-图45的实施例中，都以第一基板为彩色滤光层基板，第二基板为晶体管基板说明。然而，此技术领域中具有通常知识者当可理解第一基板也为晶体管基板，而此时第二基板则为彩色滤光层基板，如图46所示。本发明的范围并不以图40A-图45所示的实施例为限。

参见图46，显示装置100的第一基板101为晶体管基板，而此时第二基板103则为彩色滤光层基板。主间隔物142与次间隔物410设于作为晶体管基板的第一基板101上，而第一配向层148覆盖于此第一基板101、主间隔物142与次间隔物410上。作为彩色滤光层基板的第二基板103包括第二透明基板134、设于此第二透明基板134上的遮光层128、以及设于此遮光层128的彩色滤光层130。而第二配向层150设于此彩色滤光层130上。此第二透明基板134的材料可与上述第一透明基板126的材料相同。

虽然结合以上实施例已公开了本发明，但应该了解的是，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中具有通常知识者可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果都可根据本发明使用。因此，本发明的保护范围包括上述制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：

栅极线，实质上沿一第一方向延伸；以及

第一开关，其中该第一开关包含：

栅极，与该栅极线电连接；

有源层，设置于该栅极上，其中该栅极至少一边缘与该有源层边缘距离为1.2至3μm；

源极，连接该有源层；以及

漏极，连接该有源层，该漏极包含连接部、倾斜部与延伸部，其中该倾斜部位于该连接部与该延伸部之间，至少部分该倾斜部与该栅极重叠，至少部分该连接部与该有源层重叠，且至少部分该延伸部与该栅极重叠，且至少部分该栅极的凸出部分与该漏极分别位于该源极的两侧。

2.如权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括：

数据线，实质上沿一第二方向延伸，其中该数据线与该源极电连接。

3.如权利要求2所述的显示装置，其中该倾斜部沿一第三方向延伸，该第三方向与第一方向之间的夹角大于0度并小于90度。

4.如权利要求2所述的显示装置，其中该有源层对于一水平面的投影的面积为18至77μm²。

5.如权利要求4所述的显示装置，其中该投影沿该第一方向的长度为6至11μm或该投影沿该第二方向的长度为3至7μm。

6.如权利要求2所述的显示装置，其中该第一开关连接一像素，该像素包括第一保护层设置于该漏极之上、平坦层设置于该第一保护层之上、第一透明电极设置于该平坦层之上、第二保护层设置于该第一透明电极之上、以及第二透明电极配置于该第二保护层之上，其中该第二透明电极具有至少二个指部、及一连接部，该连接部连接该些指部。

7.如权利要求6所述的显示装置，其中每一指部的宽度为2.25至2.75μm。

8.如权利要求6所述的显示装置，其中任两相邻的指部相隔的距离为2.9至4.5μm。

9.如权利要求6所述的显示装置，其中该指部与该数据线的距离以及该数据线的宽度的总和为7.6至9.0μm。

10.如权利要求6所述的显示装置，其中任两相邻像素的该第二透明电极指部之间的距离为9.5至12μm。

11.如权利要求6所述的显示装置，其中该第二保护层的厚度为900至

12.如权利要求6所述的显示装置，其中一第一开口设置于该第一透明电极中、一第二开口设置于该平坦层中、以及一第三开口设置于该第一保护层中。

13.如权利要求12所述的显示装置，其中该第一开口的最大宽度为4至10.5μm。

14.如权利要求12所述的显示装置，其中该第二开口的最大宽度为3.7至7.5μm。

15.如权利要求12所述的显示装置，其中该第三开口的最大宽度为2.5至4.5μm。

16.如权利要求12所述的显示装置，其中于该第一开口中，第二透明电极于该漏极边缘具有一间隙。

17.如权利要求12所述的显示装置，其中该第三开口及第二开口边缘至少有两个交点。

18.如权利要求12所述的显示装置，其中于该第二开口中，该第二透明电极于该平坦层边缘以一距离相隔。

19.如权利要求6所述的显示装置，其中该像素的长度与该像素的宽度比为2.8至3.2，且该长度为40至70μm、以及该宽度为14至23μm。

20.如权利要求6所述的显示装置，其中该像素的面积为600至1600μm²。