JP2006171386A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板割れに起因する不具合を製造途中品の段階でも適正に診断でき、かつ、不具合の発生原因が基板割れであることを容易に特定することのできる電気光学装置およびそれを用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】 電気光学装置１ａにおいて、診断用配線９０が切断した場合には、第１の診断用パッド９１と第１の診断用パッド９２とが電気的に接続していない状態となるので、素子基板１０に基板割れが発生しているか否かを診断できる。基板割れ診断用配線９０は、データ線５２ａや配線パターン８２などの信号線が形成されている領域とシール材３０の外周縁３１とによって挟まれた領域内を通っており、配線パターン８２などの信号線に近い位置を通っている。
【選択図】 図３

Description

本発明は、対向配置された一対の基板が樹脂層で貼り合わされているとともに、当該樹脂層の外周縁より内側領域に電気光学物質および信号線を備えた電気光学装置、並びにこの電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。さらに詳しくは、基板に対する割れの有無の診断技術に関するものである。

アクティブマトリクス型液晶装置などの電気光学装置は、対向配置された第１の基板と第２の基板とが樹脂層で貼り合わされているとともに、当該樹脂層の外周縁より内側領域に電気光学物質を備えている。また、少なくとも第１の基板にはシール材の外周縁よりも内側領域に電気光学物質を駆動するための複数の信号線が形成されている（例えば、特許文献１参照）。

このような電気光学装置において基板に割れがあると、信号線が断線するおそれがあるため、電気光学装置を完成させた後、実際に画像を表示して検査する必要がある。
特開２００４−７７７５４４号公報

しかしながら、電気光学装置を組み立てた後、実際に画像を表示して検査する方法では、検査自身に多大な手間がかかるという問題点がある。また、電気光学装置は、完成品の状態で偏光板など多数の部品が搭載されているため、完成品になった時点で不具合を発見した場合には、パネル以外にも多数の部品が無駄になる。さらに、表示に不具合が発生するのは基板の割れ以外にも多数の要因があるため、表示した画像から不具合を発見した際、その原因が基板割れにあるのか否かを断定できず、故障解析が困難であるという問題点がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、基板割れに起因する不具合を製造途中品の段階でも適正に診断でき、かつ、不具合の発生原因が基板割れであることを容易に特定することのできる電気光学装置およびそれを用いた電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明では、対向配置された第１の基板と第２の基板とが樹脂層で貼り合わされているとともに、当該樹脂層の外周縁より内側領域に電気光学物質を備え、少なくとも前記第１の基板には前記樹脂層の外周縁よりも内側領域に前記電気光学物質を駆動するための複数の信号線が形成された電気光学装置において、前記第１の基板および前記第２の基板のうちの一方には、前記第１の基板の割れの有無を診断するための第１の診断用パッドおよび第２の診断用パッドが形成され、前記第１の基板には、前記信号線が形成されている領域と前記樹脂層の外周縁とによって挟まれた領域内を経由して前記第１の診断用パッドおよび前記第２の診断用パッドに電気的に接続する基板割れ診断用配線が形成されていることを特徴とする。

本発明では、第１の基板に割れが発生し、基板割れ診断用配線が切断した場合には、第１の診断用パッドと第２の診断用パッドとが電気的に接続していない状態となる。従って、第１の診断用パッドと第１の診断用パッドとが導通しているか否かを検査するだけで、基板割れが発生しているか否かを診断でき、このような診断であれば、基板割れに起因する不具合を製造途中品の段階でも診断できる。また、完成品の状態で表示した画像を検査する場合と違って、不具合の発生原因が基板割れであることを容易に特定することができる。さらに、基板割れ診断用配線は、第１の基板において信号線が形成されている領域と樹脂層の外周縁とによって挟まれた領域内を通っており、信号線に近い位置を通っている。従って、信号線が形成されている領域から離れた領域を基板割れ診断用配線が通っている場合と違って、信号線が断線するような基板割れのみを検出でき、基板の外周縁がわずかに割れて信頼性に影響を及ぼさないような基板割れを診断の対象から除外できるので、歩留まりを向上することができる。

本発明においては、例えば、前記第１の診断用パッド、前記第２の診断用パッドおよび前記基板割れ診断用配線がいずれも前記第１の基板に形成されている場合がある。

また、本発明においては、前記第２の基板に形成された第１の診断用パッドおよび第２の診断用パッドによって、前記第１の基板の割れを診断することもある。この場合には、前記第２の基板側には、前記第１の診断用パッドから延びた第１の配線と、前記第２の診断用パッドから延びた第２の配線とを形成し、前記第１の配線および前記第２の配線を各々、前記第１の基板と前記第２の基板との間に介在する基板間導通材によって前記第１の基板側に形成された前記基板割れ診断用配線に電気的に接続すればよい。このような構成によれば、前記第１の基板に形成された前記基板割れ診断用配線は、前記信号線が形成されている領域と前記樹脂層の外周縁とによって挟まれた領域内を経由して、前記第２の基板側に形成された前記第１の診断用パッドおよび前記第２の診断用パッドに電気的に接続する。従って、前記第２の基板に形成された前記第１の診断用パッドおよび前記第２の診断用パッドによって、前記第１の基板の割れを診断することができる。

本発明において、前記第１の基板では、前記信号線が形成されている領域と前記基板割れ診断用配線が１００μｍ以上離れていることが好ましい。このように構成すると、第１の基板において信号線が形成されている領域の近傍に基板割れ診断用配線を形成した場合でも、静電気が基板割れ診断用配線から信号線に侵入することにより素子を破壊して点欠陥などの問題が発生させることを防止できる。本発明では、前記第１の基板では、前記信号線が形成されている領域と前記基板割れ診断用配線が１５０μｍ以上離れていることが好ましく、このように構成すると、静電気が基板割れ診断用配線から信号線に侵入することを確実に防止できる。

本発明において、前記第１の基板および前記第２の基板のうち、前記第１の診断用パッドおよび前記第２の診断用パッドが形成された基板にはＩＣが実装され、当該ＩＣの複数のバンプには前記第１の診断用パッドおよび前記第２の診断用パッドに各々接続されたバンプが含まれていることが好ましい。このように構成すると、前記ＩＣによって、前記第１の診断用パッドと前記第２の基板割れ診断パッドが前記基板割れ診断用配線を介して導通しているか否かを診断することができるので、基板割れの有無を自動的に診断できる。

本発明を適用した電気光学装置は、モバイルコンピュータや携帯電話機などといった携帯用電子機器や、直視型表示装置や投射型表示装置などといった電子機器に用いられる。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明は、基板割れを診断すべき第１の基板に基板割れ診断用配線、第１の診断用パッド、第２の診断用パッドが形成されている場合の他、基板割れを診断すべき第１の基板に基板割れ診断用配線が形成されている一方、第２の基板に第１の診断用パッドおよび第２の診断用パッドが形成されている場合も適用できる。そこで、前者については実施の形態１として素子基板を第１の基板とした例を説明し、後者については実施の形態２として対向基板を第１の基板とした例を説明する。

［実施の形態１］
（電気光学装置の全体構成）
図１は、画素スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図２は、本発明を適用した電気光学装置を対向基板の側からみた概略斜視図である。図３は、本発明を適用した電気光学装置の構成を示す分解斜視図である。なお、走査線は帯状であるが、図２および図３には線として表してある。また、図３には、素子基板および対向基板においてシール材と重なる領域を一点鎖線で示し、素子基板および対向基板の基板間導通端子を黒丸で示してある。

図１に示す電気光学装置１ａは、画素スイッチング素子としてＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ／薄膜ダイオード素子）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置であり、交差する２方向をＸ方向およびＹ方向としたとき、画像表示領域２では、複数の走査線５１ａがＸ方向（行方向）に延び、複数のデータ線５２ａがＹ方向（列方向）に延びている。電気光学装置１ａの画像表示領域２には、走査線５１ａとデータ線５２ａとの各交差点に対応する各位置には画素５３ａが形成され、多数の画素５３ａがマトリクス状に配列されている。これらの画素５３ａでは、液晶層５４ａと、画素スイッチング用のＴＦＤ素子５６ａとが直列に接続されている。各走査線５１ａは走査線駆動回路５７ａによって駆動され、各データ線５２ａはデータ線駆動回路５８ａによって駆動される。

このような電気光学装置１ａを構成するにあたっては、図２および図３に示すように、素子基板１０（本形態では第１の基板）と対向基板２０（本形態では第２の基板）とをシール材３０（樹脂層）によって貼り合わせるとともに、両基板とシール材３０とによって囲まれた領域内に電気光学物質としての液晶１９を封入する。シール材３０は、対向基板２０の外周縁に沿って略長方形の枠状に形成されるが、液晶１９を封入するために一部が開口部分３２になっている。このため、液晶１９の封入後にその開口部分３８は、封止材３９によって封止される。

素子基板１０および対向基板２０は、ガラスや石英などの光透過性を有する板状部材である。素子基板１０の内側（液晶１９の側）表面には、上述した複数のクロム線などからなるデータ線５２ａ、画素スイッチング用のＴＦＤ素子（図示せず）、ＩＴＯなどからなる画素電極、および配向膜（図示せず）などが形成される。一方、対向基板２０の内側の面上には複数の走査線５１ａがＩＴＯなどによって形成され、走査線５１ａの表面側に配向膜（図示せず）が形成されている。なお、実際には、素子基板１０および対向基板２０の外側の表面に、入射光を偏光させるための偏光板や、干渉色を補償するための位相差板などが適宜、貼着される。また、カラー表示を行う場合には、対向基板２０に対して、画素電極と対向する領域に、Ｒ（レッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）のカラーフィルタ（図示せず）が所定の配列で形成され、画素電極に対向しない領域にはブラックマトリクス（図示せず）が形成される。さらに、カラーフィルタおよびブラックマトリクスを形成した表面には、その平坦化および保護のために平坦化層がコーティングされ、この平坦化層の表面に走査線５１ａが形成されるが、本発明とは直接の関係がないため、それらの図示および説明を省略する。

本形態の電気光学装置１ａでは、素子基板１０と対向基板２０とをシール材３０によって貼り合わせた状態で、素子基板１０は、シール材３０の外周縁から一方の側に張り出した張り出し領域１０ａを有しており、この張り出し領域１０ａには、データ線５２ａと一体の配線パターン８１、および基板間導通を介して走査線５１ａに電気的に接続する配線パターン８２が延びている。基板間導通を行うにあたっては、シール材３０として、導電性を有する多数の基板間導通粒子（基板間導通材）が分散された樹脂が用いられている。ここで、基板間導通粒子は、例えば金属のメッキが施されたプラスチックの粒子や、導電性を有する樹脂の粒子であり、素子基板１０および対向基板２０の各々に形成された基板間導通端子同士（配線パターンの端部同士）を導通させる機能を備えている。

このような基板間導通を行うにあたって、本形態の対向基板２０では、走査線５２ａがＸ方向に延びて、その端部は、基板間導通端子５２１ａとしてシール材３０と平面的に重なる領域まで延びている。これに対して、本形態の素子基板１０において、配線パターン８２は、素子基板１０のＸ方向側に位置する側辺１１、１２に沿ってＹ方向に延びた後、その端部は、基板間導通端子８２１ａとして、シール材３０と平面的に重なる領域において対向基板２０の基板間導通端子５２１ａ（走査線５２ａの端部）と平面的に重なる位置まで延びている。従って、少なくとも、シール材３０の全体、あるいはシール材３０のうち、素子基板１０の側辺１１、１２に沿う部分に基板間導通粒子を配合しておけば、走査線５１ａと配線パターン８２とを電気的に接続することができる。

従って、本形態では、素子基板１０においてＹ方向側に位置する一方の辺部分１３（張り出し領域１０ａ側の辺部分）に沿ってのみＩＣ実装領域５０および基板実装領域７０が形成され、これらのＩＣ実装領域５０および基板実装領域７０に駆動用ＩＣ５および可撓性基板７が各々実装されている。ここで、駆動用ＩＣ５は、データ線５２ａに対して画像信号を出力するとともに、走査線５１ａに走査信号を出力する。なお、可撓性基板７には、電源ＩＣ、ＥＥＰＲＯＭ、バックライト用のＬＥＤ駆動用ＩＣなどの付加機能用ＩＣ（図示せず）や電子機器本体との接続を行うためのコネクタ（図示せず）などが実装されている。

なお、本形態において、配線パターン８２と走査線５１ａとの基板間導通は、Ｙ方向において、素子基板１０の側辺１１の側と素子基板１０の側辺１２の側とで交互に行われているが、配線パターン８２と走査線５１ａとの基板間導通は、Ｙ方向における所定領域では全て素子基板１０の側辺１１の側で行い、その他の領域では全て素子基板１０の側辺１２の側で行ってもよい。また、配線パターン８２と走査線５１ａとの基板間導通は、１本の走査線５１ａにつき素子基板１０の側辺１１、１２の両側で行ってもよい。

（基板割れ診断機能の構成）
図４は、本形態の電気光学装置の素子基板の側辺部分を拡大して示す平面図である。

図２および図３に示すように、本形態の電気光学装置１ａにおいて、素子基板１０のＩＣ実装領域５０には、多数のパッドが形成されており、これらのパッドには、第１の診断用パッド９１と第２の診断用パッド９２とが含まれている。本形態では、ＩＣ実装領域５０のうち、Ｘ方向に位置する両端部に第１の診断用パッド９１および第２の診断用パッド９２が各々形成されている。

また、素子基板１０には、素子基板１０の側辺１１、１２、および素子基板１０においてＹ方向側に位置する他方の辺部分１４（張り出し領域１０ａ側とは反対側の辺部分）の３辺に沿って、１本の基板割れ診断用配線９０が形成されている。この基板割れ診断用配線９０は、データ線５１ａやＴＦＤ素子、あるいは画素電極などと同時形成された導電膜であり、図４にその一部を拡大して示すように、データ線５２ａや配線パターン８２などの信号線が形成されている領域８０とシール材３０の外周縁３１とによって挟まれた領域内を経由して、両端部分が第１の診断用パッド９１および第２の診断用パッド９１に電気的に接続している。

ここで、データ線５２ａや配線パターン８２などの信号線が形成されている領域８０と、基板割れ診断用配線９０との距離Ｇは１００μｍ以上であり、好ましくは、データ線５２ａや配線パターン８２などの信号線が形成されている領域８０と基板割れ診断用配線９０とは１５０μｍ以上離れていることが好ましい。

また、素子基板１０のＩＣ実装領域５０には、駆動用ＩＣ５が異方性導電材を介しての圧着などの方法で接続されるが、この駆動用ＩＣ５の複数のバンプには、第１の診断用パッド９１および第２の診断用パッド９２に接続される２つの基板割れ診断用バンプ（図示せず）が含まれている。また、駆動用ＩＣ５には、第１の診断用パッド９１と第２の診断用パッド９２とが導通しているか否かを診断する基板割れ診断部を備えており、この診断部は、例えば、第１の診断用パッド９１に実装されるバンプに所定の信号を出力するとともに、第２の診断用パッド９２に実装されるバンプの信号を監視する。

このように構成した電気光学装置１ａでは、第１の診断用パッド９１と第２の診断用パッド９１とが導通しているか否かを検査すれば、素子基板１０に基板割れが発生しているか否かを診断することができる。すなわち、素子基板１０に基板割れが発生していなければ基板割れ診断用配線９０が断線していないので、第１の診断用パッド９１と第２の診断用パッド９１とが導通している。これに対して、素子基板１０に基板割れ診断用配線９０まで届くような基板割れが発生すれば基板割れ診断用配線９０が断線するので、第１の診断用パッド９１と第２の診断用パッド９１とが導通しないことになる。

従って、大型基板から素子基板１０を切り出した後、第１の診断用パッド９１および第２の診断用パッド９１の各々にプローブを当てて、第１の診断用パッド９１と第２の診断用パッド９２とが導通しているか否かを検査すれば、素子基板１０に基板割れが発生しているか否かを診断することができる。また、素子基板１０と対向基板２０とをシール材３０で貼り合わせた以降であっても、駆動用ＩＣ５を実装する前であれば、第１の診断用パッド９１および第２の診断用パッド９１の各々にプローブを当てて、第１の診断用パッド９１と第２の診断用パッド９２とが導通しているか否かを検査すれば、素子基板１０に基板割れが発生しているか否かを診断することができる。

さらに、素子基板１０に駆動用ＩＣ５および可撓性基板７を実装した後であれば、電気光学装置１ａが完成品の状態でなくても、可撓性基板７を介して駆動用ＩＣ５に指令信号を出力すれば、駆動用ＩＣ５に内蔵の基板割れ診断機能によって、第１の診断用パッド９１と第２の診断用パッド９２とが導通しているか否かを検査でき、素子基板１０に基板割れが発生しているか否かを診断することができる。その際、偏光板などを検査用に配置するだけで、診断結果を電気光学装置１ａで表示することもできる。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１ａでは、素子基板１０に割れが発生し、基板割れ診断用配線９０が切断した場合には、第１の診断用パッド９１と第１の診断用パッド９２とが電気的に接続していない状態となる。従って、第１の割れ診断用パッド９１と第２の診断用パッド９２とが導通しているか否かを検査するだけで、素子基板１０に割れが発生しているか否かを診断でき、このような診断であれば、製造途中品の段階でも診断できる。また、完成品の状態で表示した画像を検査する場合と違って、不具合の発生原因が基板割れであることを容易に特定することができる。

さらに、基板割れ診断用配線９０は、データ線５２ａや配線パターン８２などの信号線が形成されている領域８０とシール材３０の外周縁３１とによって挟まれた領域内を通っており、配線パターン８２などの信号線に近い位置を通っている。従って、信号線が形成されている領域から離れた領域を基板割れ診断用配線が通っている場合と違って、配線パターン８２などの信号線信号線が断線するような、深い基板割れのみを検出でき、基板の外周縁がわずかに割れて信頼性に影響を及ぼさないような基板割れを診断の対象から除外できる。それ故、本形態によれば歩留まりを向上することができる。

また、本形態では、データ線５２ａや配線パターン８２などの信号線が形成されている領域と、基板割れ診断用配線９０との距離Ｇは１００μｍ以上であり、データ線５２ａや配線パターン８２などの信号線が形成されている領域８０と基板割れ診断用配線９０とは１００μｍ以上離れている。しかも、基板割れ診断用配線９０はシール材３０で覆われている。このため、素子基板１０において、データ線５２ａや配線パターン８２などの信号線が形成されている領域８０の近傍に基板割れ診断用配線９０を形成した場合でも、静電気が基板割れ診断用配線９０からデータ線５２ａや配線パターン８２などの信号線に侵入することを防止できる。それ故、静電気の侵入によって画素スイッチング用のＴＦＤ素子５６ａが破壊されるに起因する点欠陥などの発生を防止することができる。

ここで、データ線５２ａや配線パターン８２などの信号線が形成されている領域８０と基板割れ診断用配線９０との距離Ｇを１５０μｍ以上とし、データ線５２ａや配線パターン８２などの信号線が形成されている領域８０と基板割れ診断用配線９０とを１５０μｍ以上離した場合には、静電気が基板割れ診断用配線９０から信号線に侵入することを確実に防止できる。

［実施の形態２］
図５は、本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の構成を示す分解斜視図である。ここで、走査線は帯状であるが、図５には線として表してある。また、図５には、素子基板および対向基板においてシール材と重なる領域を一点鎖線で示し、素子基板および対向基板の基板間導通端子を黒丸で示してある。なお、図５には、素子基板および対向基板においてシール材と重なる領域を一点鎖線で示してある。また、図５では、素子基板および対向基板の基板間導通端子を黒丸で示してある。本形態は、基本的な構成が実施の形態１と共通しているので、共通する部分には、同一符号を付して図５に示すことにして、それらの説明を省略する。

図５において、本形態の電気光学装置１ａも、実施の形態１と同様、画素スイッチング素子としてＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ／薄膜ダイオード素子）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置であり、素子基板１０（本形態では第２の基板）と対向基板２０（本形態では第１の基板）とをシール材３０（樹脂層）によって貼り合わせるとともに、両基板とシール材３０とによって囲まれた領域内に電気光学物質としての液晶１９を封入する。また、素子基板１０および対向基板２０は、ガラスや石英などの光透過性を有する板状部材であり、素子基板１０の内側（液晶１９の側）表面には、上述した複数のデータ線５２ａなどが形成され、対向基板２０の内側の面上には複数の走査線５１ａが形成されている。さらに、本形態でも、素子基板１０と対向基板２０とは基板間導通が行われ、対向基板２０において、走査線５２ａはＸ方向に延びて、その端部は、基板間導通端子５２１ａとしてシール材３０と平面的に重なる領域まで延びている。これに対して、本形態の素子基板１０において、配線パターン８２は、素子基板１０のＸ方向側に位置する側辺１１、１２に沿ってＹ方向に延びた後、その端部は、基板間導通端子８２１ａとして、シール材３０と平面的に重なる領域において対向基板２０の基板間導通端子５２１ａ（走査線５２ａの端部）と平面的に重なる位置まで延びている。従って、少なくとも、シール材３０の全体、あるいはシール材３０のうち、素子基板１０の側辺１１、１２に沿う部分に基板間導通粒子を配合しておけば、走査線５１ａと配線パターン８２とを電気的に接続することができる。

本形態の電気光学装置１ａにおいても、実施の形態１と同様、素子基板１０のＩＣ実装領域５０には、多数のパッドが形成されており、これらのパッドには、第１の診断用パッド９１と第２の診断用パッド９２とが含まれている。

また、対向基板２０には、対向基板２０の側辺２１、２２、およびＹ方向側に位置する辺部分２４（張り出し領域１０ａ側とは反対側の辺部分）の３辺に沿って、基板割れ診断用配線９５が形成されており、この基板割れ診断用配線９５は、走査線５１ａ（信号線）が形成されている領域とシール材３０の外周縁３１とによって挟まれた領域内を通っている。ここで、走査線５１ａ（信号線）が形成されている領域と、基板割れ診断用配線９５との距離は１００μｍ以上、好ましくは、１５０μｍ以上である。

このように構成すると、診断用パッド９１、９２と基板割れ診断用配線９５は、異なる基板に形成されたことになる。そこで、本形態では、基板割れ診断用配線９５において、対向基板２０の辺部分２３（張り出し領域１０ａ側の辺部分）に位置する端部を基板間導通端子９５６、９５７とする。一方、素子基板１０には、第１の診断用パッド９１および第２の診断用パッド９２から対向基板２０の辺部分２３に向けて第１の配線８６および第２の配線８７を各々延ばし、第１の配線８６において基板割れ診断用配線９５の基板間導通端子９５６と平面的に重なる部分を基板間導通端子８６１とし、第２の配線８７において基板割れ診断用配線９５の基板間導通端子９５７と平面的に重なる部分を基板間導通端子８７１とする。従って、シール３０に配合した基板間導通粒子により、基板間導通端子９５６、８６１同士、および基板間導通端子９５７、８７１同士を電気的に接続すれば、対向基板２０に形成した基板割れ診断用配線９５を素子基板１０に形成した第１の診断用パッド９１および第２の診断用パッド９１に電気的に接続することができる。

その他の構成は実施の形態１と同様であるため、説明を省略するが、本形態では、第１の診断用パッド９１と第２の診断用パッド９１とが導通しているか否かを検査すれば、対向基板２０に基板割れが発生しているか否かを診断することができる。従って、素子基板１０と対向基板２０とをシール材３０で貼り合わせた以降、駆動用ＩＣ５を実装する前であれば、第１の診断用パッド９１および第２の診断用パッド９１の各々にプローブを当てて、第１の診断用パッド９１と第２の診断用パッド９２とが導通しているか否かを検査すれば、対向基板２０に基板割れが発生しているか否かを診断することができる。また、素子基板１０に駆動用ＩＣ５および可撓性基板７を実装した後であれば、電気光学装置１ａが完成品の状態でなくても、可撓性基板７を介して駆動用ＩＣ５に指令信号を出力すれば、駆動用ＩＣ５に内蔵の基板割れ診断機能によって、第１の診断用パッド９１と第２の診断用パッド９２とが導通しているか否かを検査でき、対向基板２０に基板割れが発生しているか否かを診断することができる。また、その診断結果については電気光学装置１ａで表示することもできる。

［その他の実施の形態］
実施の形態１、２では、素子基板１０に駆動用ＩＣ５および可撓性基板７が接続されている構成であったが、駆動用ＩＣをＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）実装した可撓性基板を素子基板１０に接続した電気光学装置に本発明を適用してもよい。また、本発明の要旨を変更しない範囲で、上記各実施例を変更しても若しくは上記各実施例を組み合わせてもよい。例えば、上記の実施の形態１、２では、素子基板１０に基板割れ診断用配線および診断用パッドを形成した構成、対向基板２０に基板割れ診断用配線を形成し、素子基板１０に診断用パッドを形成した構成を説明したが、対向基板２０に基板割れ診断用配線および診断用パッドを形成した構成、素子基板１０に基板割れ診断用配線を形成し、対向基板２０に診断用パッドを形成した構成を採用してもよい。また、基板割れ診断用配線についてはパネル割れが発生しやすい領域のみを経由するように形成してもよい。例えば、素子基板１０における対向基板２０の角部と重なる領域のみを経由するように基板割れ診断用配線を形成してもよい。

また、上記形態は、アクティブマトリクス型液晶装置に本発明を適用した例であるが、パッシブマトリクス型液晶装置に本発明を適用してもよい。また、図６および図７を参照して以下に示す電気光学装置に本発明を適用してもよい。また、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ及びＳｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ等）などの各種電気光学装置に本発明を適用してもよい。

図６は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図７は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネッセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。

図６に示すように、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置１００ｂでは、マトリクス状に形成された複数の画素の各々に、画素電極１０９ｂを制御するための画素スイッチング用のＴＦＴ１３０ｂが形成されており、画像信号を供給するデータ線１０６ｂが当該ＴＦＴ１３０ｂのソースに電気的に接続されている。データ線１０６ｂに書き込む画像信号は、データ線駆動回路１０２ｂから供給される。また、ＴＦＴ１３０ｂのゲートには走査線１３１ｂが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１３１ｂにパルス的に走査信号が走査線駆動回路１０３ｂから供給される。画素電極１０９ｂは、ＴＦＴ１３０ｂのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ１３０ｂを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線１０６ｂから供給される画像信号を各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１０９ｂを介して液晶に書き込まれた所定レベルのサブ画像信号は、対向基板（図省略）に形成された対向電極との間で一定期間保持される。ここで、保持されたサブ画像信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素電極１０９ｂと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１７０ｂ（キャパシタ）を付加することがある。この蓄積容量１７０ｂによって、画素電極１０９ｂの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置が実現できる。なお、蓄積容量１７０ｂを形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線１３２ｂとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線１３１ｂとの間に形成する場合もずれであってもよい。

このような構成の電気光学装置１００ｂでも、ＴＦＴアレイ基板と対向基板とがシール材（樹脂層）で貼り合わされ、かつ、その内側に液晶（電気光学物質）が配置される。また、ＴＦＴアレイ基板には、シール材の外周縁よりも内側にデータ線１０６ｂや走査線１３１ｂが形成され、場合によってはデータ線駆動回路１０２ｂや走査線駆動回路１０３ｂもシール材の外周縁よりも内側に形成される場合がある。従って、ＴＦＴアレイ基板において、データ線１０６ｂや走査線１３１ｂ、さらにはデータ線駆動回路１０２ｂや走査線駆動回路１０３ｂが形成されている領域とシール材の外周縁との間に基板割れ診断用配線を形成すれば、ＴＦＴアレイ基板の割れを効果的に診断することができる。

図７に示すように、電荷注入型有機薄膜を用いたエレクトロルミネッセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置１００ｐは、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、またはＬＥＤ（発光ダイオード）素子などの発光素子をＴＦＴで駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置であり、このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。

ここに示す電気光学装置１００ｐでは、複数の走査線１０３ｐと、この走査線１０３ｐの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線１０６ｐと、これらのデータ線１０６ｐに並列する複数の共通給電線１２３ｐと、データ線１０６ｐと走査線１０３ｐとの交差点に対応する画素１１５ｐとが構成されている。データ線１０６ｐに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１０１ｐが構成されている。走査線１０３ｐに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路１０４ｐが構成されている。また、画素１１５ｐの各々には、走査線１０３ｐを介して走査信号がゲート電極に供給される第１のＴＦＴ１３１ｐと、この第１のＴＦＴ１３１ｐを介してデータ線１０６ｐから供給される画像信号を保持する保持容量１３３ｐと、この保持容量１３３ｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のＴＦＴ１３２ｐと、第２のＴＦＴ１３２ｐを介して共通給電線１２３ｐに電気的に接続したときに共通給電線１２３ｐから駆動電流が流れ込む発光素子１４０ｐとが構成されている。発光素子１４０ｐは、画素電極の上層側には、正孔注入層、有機エレクトロルミネッセンス材料層としての有機半導体膜、リチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極が積層された構成になっており、対向電極は、データ線１０６ｐなどを跨いで複数の画素１１５ｐにわたって形成されている。

このような構成の電気光学装置１００ｐでは一枚の素子基板に全ての構成要素が作り込まれるが、素子基板にシール材（樹脂層）を介して封止基板（保護基板）を貼り合わせることがある。この場合にも、シール材の外周縁の内側に有機エレクトロルミネッセンス材料（電気光学物質）が配置される。また、素子基板には、シール材の外周縁よりも内側にデータ線１０６ｐや走査線１３１ｐなどが形成され、場合によってはデータ線駆動回路１０１ｐや走査線駆動回路１０４ｐもシール材の外周縁よりも内側に形成される場合がある。従って、素子基板において、データ線１０６ｐや走査線１３１ｐ、さらにはデータ線駆動回路１０１ｐや走査線駆動回路１０４ｐが形成されている領域とシール材の外周縁との間に基板割れ診断用配線を形成すれば、ＴＦＴアレイ基板の割れを効果的に診断することができる。

上記の電気光学装置は、モバイルコンピュータや携帯電話機などといった携帯用電子機器や、直視型表示装置や投射型表示装置などといった電子機器に用いられる。

画素スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置を対向基板の側からみた概略斜視図である。 図２に示す電気光学装置の構成を示す分解斜視図である。 図２に示す電気光学装置の素子基板の側辺部分を拡大して示す平面図である。 本発明の実施の形態２に係る電気光学装置の構成を示す分解斜視図である。 画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。 電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型表示装置のブロック図である。

符号の説明

１ａ 電気光学装置、５ 駆動用ＩＣ、７ 可撓性基板、１０ 素子基板、２０ 対向基板、３０ シール材（樹脂層）、８６ 第１の配線、８７ 第２の配線、９０、９５ 基板割れ診断用配線、９１、９２ 診断用パッド

Claims (6)

1. 対向配置された第１の基板と第２の基板とが樹脂層で貼り合わされているとともに、当該樹脂層の外周縁より内側領域に電気光学物質を備え、少なくとも前記第１の基板には前記樹脂層の外周縁よりも内側領域に前記電気光学物質を駆動するための複数の信号線が形成された電気光学装置において、
   前記第１の基板および前記第２の基板のうちの一方には、前記第１の基板の割れの有無を診断するための第１の診断用パッドおよび第２の診断用パッドが形成され、
   前記第１の基板には、前記信号線が形成されている領域と前記樹脂層の外周縁とによって挟まれた領域内を経由して前記第１の診断用パッドおよび前記第２の診断用パッドに電気的に接続する基板割れ診断用配線が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１において、前記第１の診断用パッド、前記第２の診断用パッドおよび前記基板割れ診断用配線は、いずれも前記第１の基板に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１において、前記第１の診断用パッドおよび前記第２の診断用パッドは前記第２の基板に形成されているとともに、
   当該第２の基板側には、前記第１の診断用パッドから延びた第１の配線と、前記第２の診断用パッドから延びた第２の配線とが形成され、
   前記第１の配線および前記第２の配線は各々、前記第１の基板と前記第２の基板との間に介在する基板間導通材によって前記第１の基板側に形成された前記基板割れ診断用配線に電気的に接続していることにより、前記第１の基板に形成された前記基板割れ診断用配線は、前記信号線が形成されている領域と前記樹脂層の外周縁とによって挟まれた領域内を経由して、前記第２の基板側に形成された前記第１の診断用パッドおよび前記第２の診断用パッドに電気的に接続していることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記第１の基板では、前記信号線が形成されている領域と前記基板割れ診断用配線が１００μｍ以上離れていることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記第１の基板および前記第２の基板のうち、前記第１の診断用パッドおよび前記第２の診断用パッドが形成された基板にはＩＣが実装され、当該ＩＣの複数のバンプには前記第１の診断用パッドおよび前記第２の診断用パッドに各々接続されたバンプが含まれており、
   前記ＩＣは、前記第１の診断用パッドと前記第２の基板割れ診断パッドが前記基板割れ診断用配線を介して導通しているか否かを診断することを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項１ないし５のいずれかに規定する電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。

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