CN113744629B - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示装置，包括基板、扫描线、第一信号线、第一绝缘层、第二信号线、晶体管以及像素电极。扫描线设置于基板上。第一信号线设置于基板上。第一绝缘层设置于第一信号线上且具有开口。第二信号线设置于第一绝缘层上。第二信号线通过开口与第一信号线电性连接。晶体管电性连接至扫描线以及第一信号线。像素电极电性连接至晶体管且具有相邻于扫描线的第一侧以及与第一侧相对的第二侧。开口邻近第二侧且远离第一侧。本申请实施例的显示装置可降低信号线阻值或增加面板驱动能力。

Description

显示装置

技术领域

本申请涉及一种电子装置，尤其涉及一种可降低信号线阻值的显示装置。

背景技术

随电子产品蓬勃发展，应用于电子产品上的显示技术也不断改良。用于显示的电子装置不断朝向更大及更高解析度的显示效果改进。

发明内容

本申请是提供一种显示装置，其可降低信号线阻值或增加面板驱动能力。

根据本申请的实施例，显示装置包括基板、扫描线、第一信号线、第一绝缘层、第二信号线、晶体管以及像素电极。扫描线设置于基板上。第一信号线设置于基板上。第一绝缘层设置于第一信号线上且具有开口。第二信号线设置于第一绝缘层上。第二信号线通过开口与第一信号线电性连接。晶体管电性连接至扫描线以及第一信号线。像素电极电性连接至晶体管且具有相邻于扫描线的第一侧以及与第一侧相对的第二侧。开口邻近第二侧且远离第一侧。

基于上述，在本申请实施例的显示装置中，由于第二信号线设置于第一信号线上，且第二信号线可通过第一绝缘层的开口电性连接至第一信号线，因而使得本实施例的显示装置可利用双层的信号线(即第一信号线以及第二信号线)来进行信号传输。因此，本实施例的显示装置可通过双层的信号线(即第一信号线以及第二信号线)的设置来降低信号线的阻值(resistance)，以增加面板驱动能力，并利于高频(例如大于90Hz)驱动。

附图说明

包含附图以便进一步理解本申请，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本申请的实施例，并与描述一起用于解释本申请的原理。

图1A为本申请一实施例的显示装置的上视示意图；

图1B为图1A的显示装置沿剖面线A-A’的剖面示意图；

图1C为图1A的显示装置沿剖面线B-B’的剖面示意图；

图2A为本申请另一实施例的显示装置的上视示意图；

图2B为图2A的显示装置沿剖面线C-C’的剖面示意图；

图3A为本申请另一实施例的显示装置的上视示意图；

图3B为图3A的显示装置沿剖面线D-D’的剖面示意图；

图4A为本申请另一实施例的显示装置的上视示意图；

图4B为图4A的显示装置沿剖面线E-E’的剖面示意图；

图5A为本申请另一实施例的显示装置的上视示意图；

图5B为图5A的显示装置沿剖面线F-F’的剖面示意图。

附图标号说明

100、100a、100b、100c、100d：显示装置；

110：基板；

120、120’、120c、120c’：扫描线；

130：第一信号线；

131、131c：第二信号线；

140、140b、140c、140d：第一绝缘层；

141、141a、141c、142、142b、142c、142d、181、181b、181c、181d、 183、183b、183c、183d：开口；

150：晶体管；

160、160’、160b、160c、160c’、160d：像素电极；

161、161’、161c、161c’：第一侧；

162、162’、162c：第二侧；

170：缓冲层；

171：遮蔽层；

172：介电层；

172a、172b：开孔；

180、180b、180c、180d：第二绝缘层；

182、182b、182c、182d：第三绝缘层；

184：第四绝缘层；

185：共用电极；

186：第五绝缘层；

190、190d：转接垫；

GE：栅极；

GI：栅极绝缘层；

GIa、GIb：开孔；

SD1：源极；

SD2：漏极；

SE：半导体层；

W1、W2、W3、W3’、W4、W4’：最大宽度；

X、Y：方向。

具体实施方式

通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本申请，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本申请中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本申请的范围。

在下文说明书与权利要求中，“含有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。

应了解到，当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层“上”或“连接到”另一个元件或膜层时，它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件被称为“直接”在另一个元件或膜层“上”或“直接连接到”另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。

虽然术语第一、第二、第三…可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。

在本申请一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构是直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，用语“耦接”包含任何直接及间接的电性连接手段。

在本申请中，长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面影像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。

本申请的电子装置可包括显示装置、天线装置、感测装置、触控电子装置(touchdisplay)、曲面电子装置(curved display)或非矩形电子装置(free shape display)，但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。电子装置可例如包括发光二极管、液晶(liquid crystal)、荧光(fluorescence)、磷光 (phosphor)、其它合适的显示介质、或前述的组合，但不以此为限。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic lightemitting diode，OLED)、无机发光二极管(inorganic light-emitting diode，LED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot，QD，可例如为 QLED、QDLED)、或其他适合的材料或上述的任意排列组合，但不以此为限。显示装置可例如包括拼接显示装置，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。天线装置可例如包括天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统…等周边系统以支援显示装置、天线装置或拼接装置。下文将以显示装置说明本申请内容，但本申请不以此为限。

须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本申请的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。

现将详细地参考本申请的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

图1A为本申请一实施例的显示装置的上视示意图。图1B为图1A的显示装置沿剖面线A-A’的剖面示意图。图1C为图1A的显示装置沿剖面线B-B’的剖面示意图。为了附图清楚及方便说明，图1A省略示出了显示装置中的若干元件，例如省略示出了开孔GIa、开孔GIb、开孔172a以及开孔172b，但不以此为限。

请同时参照图1A、图1B以及图1C，本实施例的显示装置100包括基板 110、扫描线120、第一信号线130、第一绝缘层140、第二信号线131、晶体管150以及像素电极160。在本实施例中，基板110可例如为可挠式基板、刚性基板或前述的组合。举例而言，基板110的材料可包括玻璃、石英、蓝宝石(sapphire)、陶瓷、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide， PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其它合适的基板材料、或前述的组合，但不以此为限。

晶体管150设置于基板110上，且晶体管150包括栅极GE、绝缘层173、部分的栅极绝缘层GI、半导体层SE、源极SD1以及漏极SD2，但不以此为限。在本实施例中，栅极绝缘层GI具有开孔GIa、GIb，以暴露出部分的半导体层SE。在一些实施例中，源极SD1和/或漏极SD2的材料可包含透明导电材料或非透明导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化铟、氧化锌、氧化锡、金属材料(例如铝、钼、铜、银等)、其它合适材料或上述组合，但不以此为限。在一些实施例中，半导体层SE的材料可包括非晶质硅(amorphous silicon)、低温多晶硅(LTPS)、金属氧化物(例如氧化铟镓锌IGZO)、其他合适的材料或上述的组合，但不以此为限。在本实施例中，虽然晶体管150的栅极GE为顶栅极结构，但本申请不以此为限，也就是说，在其他实施例中，晶体管的栅极也可以为底栅极结构。

扫描线120设置于基板110上，第一信号线130设置于基板110上，且扫描线120与第一信号线130彼此相交。由于扫描线120可与晶体管150的栅极GE电性连接，且第一信号线130可与晶体管150的源极SD1电性连接，因而使得晶体管150可分别通过栅极GE以及源极SD1电性连接至扫描线120 以及第一信号线130。在一些实施例中，扫描线120及第一信号线130的材料例如可以包括钼(molybdenum，Mo)、钛(titanium，Ti)、钽(tantalum， Ta)、铌(niobium，Nb)、铪(hafnium，Hf)、镍(nickel，Ni)，铬(chromium，Cr)、钴(cobalt，Co),、锆(zirconium，Zr)、钨(tungsten，W)、铝(aluminum， Al)、铜(copper，Cu)、银(argentum，Ag)，其他合适的金属，或上述材料的合金或组合，但不以此为限。

在本实施例中，显示装置100还包括缓冲层170、遮蔽层171以及介电层172。缓冲层170以及遮蔽层171设置于晶体管150与基板110之间，且遮蔽层171对应于栅极GE设置。介电层172设置于源极SD1(或漏极SD2) 与栅极绝缘层GI之间，以覆盖栅极GE以及栅极绝缘层GI。介电层172具有开孔172a、172b，其中开孔172a连通开孔GIa以暴露出部分的半导体层SE，且开孔172b连通开孔GIb以暴露出部分的半导体层SE。在一些实施例中，缓冲层170、介电层172及栅极绝缘层GI亦可为单层或其他多层结构，且可例如包含有机材料、无机材料或前述的组合，但不以此为限。遮蔽层171可例如是金属材料或其他遮光材料，并且在一些实施例中，显示装置100亦可不设置遮蔽层171。

在本实施例中，源极SD1与漏极SD2分别设置于介电层172上。部分的源极SD1还可填入于介电层172的开孔172a以及栅极绝缘层GI的开孔GIa 内，以使源极SD1可电性连接至半导体层SE。部分的漏极SD2还可填入于介电层172的开孔172b以及栅极绝缘层GI的开孔GIb内，以使漏极SD2可电性连接至半导体层SE。

第一绝缘层140设置于第一信号线130上，且覆盖晶体管150的源极SD1、漏极SD2以及介电层172。第一绝缘层140与基板110分别设置于晶体管150 的相对两侧。第一绝缘层140具有开口141以及开口142，其中开口141暴露出部分的第一信号线130，且开口142暴露出部分的漏极SD2。第一绝缘层140亦可为单层或其他多层结构，且可例如包含有机材料、无机材料或前述的组合，但不以此为限。

第二信号线131设置于第一绝缘层140上。部分的第二信号线131还可设置于于第一绝缘层140的开口141内，以使第二信号线131可通过开口141 与第一信号线130电性连接。第二信号线131与第一信号线130分别位于第一绝缘层140的相对两侧。在本实施例中，第二信号线131可包含的材料可与第一信号线130相同或相似，于此不再赘述。在一些实施例中，第一信号线130与第二信号线131可以为相同或不相同的材料，但不以此为限。

此外，在本实施例中，第二信号线131对应于第一信号线130设置。第二信号线131于基板110上的正投影与第一信号线130于基板110上的正投影至少部分重叠。于一实施例中，第一信号线130可有部分未与第二信号线 131重叠。在显示装置100的上视图中(如图1A所示)，第一信号线130的最大宽度为W1，第二信号线131的最大宽度为W2，且第一信号线130的最大宽度W1不同于第二信号线131的最大宽度W2。在本实施例中，第二信号线 131的最大宽度W2例如是大于等于第一信号线130的最大宽度W1，但不以此为限。在一些实施例中，第二信号线131的最大宽度W2与第一信号线130 的最大宽度W1的比值例如是大于等于0.5且小于等于2，但不以此为限。当第二信号线131的最大宽度W2与第一信号线130的最大宽度W1的比值小于0.5时，则无法显著地降低信号线的阻值。当第二信号线131的最大宽度 W2与第一信号线130的最大宽度W1的比值大于2时，会显著地降低像素的开口率(apertureratio)。在本实施例中，第一信号线130的最大宽度W1以及第二信号线131的最大宽度W2例如是沿着扫描线120的延伸方向(即方向 X)进行测量。

在本实施例中，显示装置100还包括第二绝缘层180以及第三绝缘层182。第二绝缘层180设置于第二信号线131上，以覆盖第二信号线131以及第一绝缘层140。第二绝缘层180与晶体管150分别设置于第一绝缘层140的相对两侧。第二绝缘层180具有开口181，且开口181连通第一绝缘层140的开口142，以暴露出部分的漏极SD2。第三绝缘层182设置于第二绝缘层180 上，以使第三绝缘层182与第一绝缘层140分别设置于第二绝缘层180的相对两侧。第三绝缘层182具有开口183，且开口183连通第二绝缘层180的开口181以及第一绝缘层140的开口142，以暴露出部分的漏极SD2。在本实施例中，虽然在第二信号线131上设置有第二绝缘层180，但本申请不以此为限，也就是说，在其他实施例中，也可省略第二绝缘层180，而将第三绝缘层182直接设置于第二信号线131上。此外，在显示装置100的上视图中，开口183、181、142、141的轮廓是指开口183、181、142、141的底部的轮廓，例如为矩形，但不以此为限。在一些实施例中，开口183、181、142、 141的底部的轮廓也可以为圆形、椭圆形、梯形、正方形等，且上述轮廓可能包含些微边缘变形及顶点具有圆角等结构。应知道的是，其他实施例的开口于上视图中也可以具有上述的轮廓，但不以此为限。

像素电极160设置于第三绝缘层182上，且位于第四绝缘层184与第三绝缘层182之间。部分的像素电极160还可设置于开口183、开口181以及开口142内，以使像素电极160可通过开口183、开口181以及、开口142 以及漏极SD2电性连接至晶体管150。在一些实施例中，在显示装置100的上视图中，像素电极160、160’可以与第二信号线131有部分重叠，但不以此为限。第二绝缘层180及第三绝缘层182亦可为单层或其他多层结构，且可例如包含有机材料、无机材料或前述的组合，但不以此为限。像素电极160 的材料可例如包含透明导电材料，但不以此为限。

在本实施例中，在显示装置100的上视图中，将垂直于扫描线120的延伸方向的方向定义为方向Y(即垂直于方向X)。接着，如图1A所示，在显示装置100的上视图中，像素电极160对应于扫描线120(例如扫描线120可提供一电压，使得第一信号线130和/或第二信号线131根据该电压决定对像素电极160充电与否)，像素电极160’对应于扫描线120’(例如扫描线120’可提供一电压，使得第一信号线130和/或第二信号线131根据该电压决定对像素电极160’充电与否)，且像素电极160于方向Y上相邻于像素电极160’；像素电极160具有相邻于扫描线120的第一侧161以及与第一侧161相对的第二侧162，且像素电极160’具有相邻于扫描线120’的第一侧161’以及与第一侧161’相对的第二侧162’。在另一些实施例中，像素电极160、160’的第一侧161、161’及第二侧162、162’可以为非直线边缘(例如具有圆弧或凹陷边缘)，第一侧161及第二侧162为分离的两段侧边，且第一侧161相对于第二侧162 邻近扫描线120，第二侧162相对于第一侧161远离扫描线120；第一侧161’及第二侧162’为分离的两段侧边，且第一侧161’相对于第二侧162’邻近扫描线120’，第二侧162’相对于第一侧161’远离扫描线120’。接着，于方向Y上，扫描线120与像素电极160的第一侧161之间的距离可小于扫描线120与像素电极160的第二侧162之间的距离。在显示装置100的上视图中，像素电极160的第一侧161与沿着方向Y上相邻的像素电极160’的第一侧161’互相面对，且像素电极160的第二侧162与沿着方向Y上相邻的像素电极160’的第二侧162’互相背对。举例而言，像素电极160的第一侧161与像素电极160’的第一侧161’沿方向Y的距离小于像素电极160的第二侧162与像素电极160’的第二侧162’沿方向Y的距离。即，像素电极160与像素电极160’是以背对背(back-to-back)的方式进行配置。

此外，在显示装置100的上视图中，第一绝缘层140的开口141可以邻近像素电极160的第二侧162且远离像素电极160的第一侧161。即，于方向Y上，第一绝缘层140的开口141与像素电极160的第二侧162之间的距离可以小于第一绝缘层140的开口141与像素电极160的第一侧161之间的距离。因此，通过将像素电极160与像素电极160’以背对背(back-to-back)的方式进行配置，并将第一绝缘层140的开口141邻近设置在像素电极160的第二侧162，可使第一信号线130与第二信号线131的接触孔(即第一绝缘层 140的开口141)的设置远离晶体管150的区域。因此，可使第一信号线130 与第二信号线131的接触孔的制程较简单并提高制程良率，且可避免造成晶体管150的区域的开口率下降。

在本实施例中，显示装置100可选择性还包括第四绝缘层184、共用电极185以及第五绝缘层186。第四绝缘层184设置于像素电极160上以和/或第三绝缘层182的开口183内。共用电极185设置于第四绝缘层184上以和/ 或第三绝缘层182的开口183内，以使第四绝缘层184位于共用电极185与像素电极160之间。第五绝缘层186设置于像素电极160与第三绝缘层182 之间。在本实施例中，第二绝缘层180与第五绝缘层186可于显示装置100 的制作过程中降低第三绝缘层182和/或漏极SD2的损坏机率。然而，在一些实施例中，也可省略第五绝缘层186，而将像素电极160直接设置于第三绝缘层182上，如图3B及图5B所示。第四绝缘层184以及第五绝缘层186亦可为单层或其他多层结构，且可例如包含有机材料、无机材料或前述的组合，但不以此为限。共用电极185的材料可例如包含透明导电材料，但不以此为限。

在另一些实施例中，共用电极185可以设置于像素电极160与晶体管150 之间，且共用电极185可以包含一开口(未示出)，像素电极160可以通过共用电极185的开口电性连接晶体管150，但本申请不以此为限。

简言之，在本实施例显示装置100中，由于第二信号线131设置于第一信号线130上，且第二信号线131可通过第一绝缘层140的开口141电性连接至第一信号线130，因而使得本实施例的显示装置100可利用双层的信号线(即第一信号线130以及第二信号线131)来进行信号传输。因此，相较于现有的高像素的显示装置因只有单层的信号线而有高阻值(resistance)的问题，本实施例的显示装置100可通过双层的信号线(即第一信号线130以及第二信号线131)的设置来降低信号线的阻值(resistance)，以增加面板驱动能力，并利于高频(例如大于90Hz，但不限于此)驱动。

以下将列举其他实施例以作为说明。在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

图2A为本申请另一实施例的显示装置的上视示意图。图2B为图2A的显示装置沿剖面线C-C’的剖面示意图。图2A的显示装置沿剖面线A-A’的剖面示意图请参考图1B。请同时参照图1A、图1C与图2A-图2B，本实施例的显示装置100a大致相似于图1A以及图1C的显示装置100，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的显示装置100a不同于显示装置100之处主要在于，本实施例的第一绝缘层(未示出)的开口141a为沟槽，且沟槽(即开口141a)的长轴或长边以平行于扫描线120的方向(即方向X)进行延伸。

具体来说，请同时参照图1C与图2A-图2B，在本实施例的显示装置100a 中，将图1C中位于第二信号线131与第一信号线130之间的部分的第一绝缘层140移除，以形成以平行于扫描线120的方向(即方向X)进行延伸的沟槽(即开口141a)，如图2A所示。接着，如图2B所示，由于位于第二信号线131a 与第一信号线130之间的部分的第一绝缘层已被移除，而使得第二信号线 131a可于第一绝缘层的开口141a中以直接接触的方式设置在第一信号线130 上，藉此可增加第二信号线131a与第一信号线130之间的接触面积。

图3A为本申请另一实施例的显示装置的上视示意图。图3B为图3A的显示装置沿剖面线D-D’的剖面示意图。图3A的显示装置沿剖面线C-C’的剖面示意图请参考图2B。请同时参照图1A-图1B与图2A-图2B，本实施例的显示装置100b大致相似于图1A-图1B的显示装置100，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的显示装置100b不同于显示装置 100之处主要在于，本实施例的显示装置100b还包括转接垫190。

详细来说，请同时参照图3A与图3B，在本实施例中，第一绝缘层140b 具有开口142b，第二绝缘层180b具有开口181b，且第三绝缘层182b具有开口183b。第一绝缘层140b的开口142b暴露出部分的漏极SD2。第二绝缘层 180b的开口181b连通第一绝缘层140b的开口142b也暴露出部分的漏极 SD2。第三绝缘层182b的开口183b暴露出部分的转接垫190。

在本实施例中，转接垫190设置于第一绝缘层140b、第二信号线131以及第二绝缘层180b上。第二绝缘层180b设置于第二信号线131与转接垫190 之间。转接垫190设置于第三绝缘层182b与第二绝缘层180b之间。转接垫 190还可设置于第二绝缘层180b的开口181b以及第一绝缘层140b的开口 142b内，以使转接垫190可通过第二绝缘层180b的开口181b以及第一绝缘层140b的开口142b电性连接至漏极SD2。接着，由于像素电极160b除了设置于第三绝缘层182b上，还可设置于开口183b内，以使像素电极160b可通过开口183b电性连接至转接垫190。也就是说，漏极SD2可通过转接垫190 电性连接至像素电极160b。此外，由于转接垫190与第二信号线131分别设置在不同的层别，因而可避免转接垫190与第二信号线131电性连接，以确保源极SD1与漏极SD2之间不会有短路(short circuit)的问题，且可使转接垫 190相较于漏极SD2有较大的面积可与像素电极160b接触。

在本实施例中，转接垫190对应于漏极SD2设置。转接垫190于基板110 上的正投影与漏极SD2于基板110上的正投影至少部分重叠，且转接垫190 于基板110上的正投影大于漏极SD2于基板110上的正投影。在显示装置100b 的上视图中(如图3A所示)，沿方向Y上，转接垫190的最大宽度W3大于漏极SD2的最大宽度W4。在本实施例中，转接垫190的材料可包括透明导电材料或非透明导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化铟、氧化锌、氧化锡、金属材料、其它合适材料或上述组合，但不以此为限。在一些实施例中，前述金属材料可包括钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)、铌(Nb)、铪(Hf)、镍(Ni)，铬(Cr)、钴(Co),、锆(Zr)、钨(W)、铝(Al)、铜(Cu)、银 (Ag)，其他合适的金属，或上述材料的合金或组合，但不以此为限。

在本实施例中，由于转接垫190于基板110上的正投影的面积大于漏极 SD2于基板110上的正投影的面积，且在显示装置100b的上视图中(如图3A 所示)，转接垫190的最大宽度W3大于漏极SD2的最大宽度W4，因此，相较于漏极SD2，转接垫190可具有较大的面积与像素电极160b接触。因此，本实施例的显示装置100b可通过面积较大的转接垫190与像素电极160b来增加接触面积，以降低像素电极160b与漏极SD2之间的阻值。

此外，在一些实施例中，还可在像素电极160b与第三绝缘层182b之间设置一绝缘层(未示出)，以于显示装置100b的制作过程中降低第三绝缘层 182b的损坏机率。在一些实施例中，也可在第三绝缘层182b与转接垫190 之间设置一绝缘层(未示出)，以于显示装置100b的制作过程中降低转接垫190 的损坏机率。虽然本实施例中的第一绝缘层140b的开口141a为沟槽，但不以此为限，在一些实施例中，第一绝缘层140b的开口也可以为孔洞，如图1A的开口141所示。

图4A为本申请另一实施例的显示装置的上视示意图。图4B为图4A的显示装置沿剖面线E-E’的剖面示意图。请同时参照图1A-图1B与图4A-图4B，本实施例的显示装置100b大致相似于图1A-图1B的显示装置100，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的显示装置100c不同于显示装置100之处主要在于，在本实施例的显示装置100c的上视图中(如图 4A所示)，像素电极160c的第二侧162c与方向Y上相邻的像素电极160c’的第一侧161c’互相面对。

详细来说，请参照图4A，在显示装置100c的上视图中，像素电极160c 对应于扫描线120c(例如扫描线120c可提供一电压，使得第一信号线130和/ 或第二信号线131c根据该电压决定对像素电极160c充电与否)，像素电极160c’对应于扫描线120c’(例如扫描线120c’可提供一电压，使得第一信号线 130和/或第二信号线131c根据该电压决定对像素电极160c’充电与否)，且像素电极160c于方向Y上相邻于像素电极160c’；像素电极160c具有相邻于扫描线120c的第一侧161c以及与第一侧161c相对的第二侧162c，且像素电极 160c’具有相邻于扫描线120c’的第一侧161c’以及与第一侧161c’相对的第二侧(未示出)。

在本实施例的显示装置100c的上视图中，像素电极160c的第二侧162c 与沿着方向Y上相邻的像素电极160c’的第一侧161c’互相面对。也就是说，像素电极160c’的第一侧161c’邻近像素电极160c的第二侧162c，且像素电极 160c’的第一侧161c’远离像素电极160c的第一侧161c。在另一些实施例中，像素电极160c、160c’的第一侧161c、161’及第二侧162c(以及像素电极160c’的第二侧(未示出))可以为非直线边缘(例如具有圆弧或凹陷边缘)，第一侧 161c及第二侧162c为分离的两段侧边，且第一侧161c相对于第二侧162c邻近扫描线120c，第二侧162c相对于第一侧161c远离扫描线120c；第一侧161c’相对于像素电极160c’的第二侧(未示出)邻近扫描线120c’，像素电极160c’的第二侧(未示出)相对于第一侧161c’远离扫描线120c’。

请同时参照图4A与图4B，在本实施例中，第一绝缘层140c具有开口 141c以及开口142c，第二绝缘层180c具有开口181c，且第三绝缘层182c具有开口183c。第一绝缘层140c的开口141c暴露出部分的源极SD1(或第一信号线130)。第一绝缘层140c的开口142c暴露出部分的漏极SD2。第二绝缘层180c的开口181c连通第一绝缘层140b的开口142c也暴露出部分的漏极 SD2。第三绝缘层182c的开口183c连通第二绝缘层180c的开口181c以及第一绝缘层140b的开口142c也暴露出部分的漏极SD2。

在本实施例中，第二信号线131c可设置于第一绝缘层140c上以及第一绝缘层140c的开口141c内，以使第二信号线131c可通过开口141c与源极 SD1(或第一信号线130)电性连接。像素电极160c可设置于第三绝缘层182c 上，且位于开口183c、开口181c以及开口142c内，以使像素电极160c可通过开口183c、开口181c、开口142c与漏极SD2电性连接。

图5A为本申请另一实施例的显示装置的上视示意图。图5B为图5A的显示装置沿剖面线F-F’的剖面示意图。请同时参照图4A-图4B与图5A-图5B，本实施例的显示装置100d大致相似于图4A-图4B的显示装置100c，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例的显示装置100d不同于显示装置100c之处主要在于，本实施例的显示装置100d还包括转接垫190d。

详细来说，请同时参照图5A与图5B，在本实施例中，第一绝缘层140d 具有开口142d，第二绝缘层180d具有开口181d，且第三绝缘层182d具有开口183d。第一绝缘层140d的开口142d暴露出部分的漏极SD2。第二绝缘层 180d的开口181d连通第一绝缘层140d的开口142d也暴露出部分的漏极 SD2。第三绝缘层182d的开口183d暴露出部分的转接垫190d。

在本实施例中，转接垫190d设置于第一绝缘层140d、第二信号线131c 以及第二绝缘层180d上。第二绝缘层180d设置于第二信号线131c与转接垫190d之间。转接垫190d设置于第三绝缘层182d与第二绝缘层180d之间。转接垫190d还可设置于第二绝缘层180d的开口181d以及第一绝缘层140d 的开口142d内，以使转接垫190d可通过第二绝缘层180d的开口181d以及第一绝缘层140d的开口142d电性连接至漏极SD2。接着，由于像素电极160d 除了设置于第三绝缘层182d上，还可设置于开口183d内，以使像素电极160d 可通过开口183d电性连接至转接垫190d。也就是说，漏极SD2可通过转接垫190d电性连接至像素电极160d。

在本实施例中，转接垫190d对应于漏极SD2设置。转接垫190d于基板 110上的正投影与漏极SD2于基板110上的正投影可至少部分重叠，且转接垫190d于基板110上的正投影的面积大于漏极SD2于基板110上的正投影的面积。在显示装置100d的上视图中(如图5A所示)，沿方向Y上，转接垫 190d的最大宽度W3’大于漏极SD2的最大宽度W4’。在本实施例中，转接垫 190d可包含的材料可与转接垫190相同或相似，于此不再赘述。

此外，在一些实施例中，还可在像素电极160d与第三绝缘层182d之间设置一绝缘层(未示出)，以于显示装置100d的制作过程中降低第三绝缘层 182d的损坏机率。在一些实施例中，也可在第三绝缘层182d与转接垫190d 之间设置一绝缘层(未示出)，以于显示装置100d的制作过程中降低转接垫 190d的损坏机率。

综上所述，在本申请实施例的显示装置中，由于第二信号线设置于第一信号线上，且第二信号线可通过第一绝缘层的开口电性连接至第一信号线，因而使得本实施例的显示装置可利用双层的信号线(即第一信号线以及第二信号线)来进行信号传输。因此，本实施例的显示装置可通过双层的信号线(即第一信号线以及第二信号线)的设置来降低信号线的阻值(resistance)，以增加面板驱动能力，例如可有利于高频(例如大于90Hz)驱动。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：

基板；

扫描线，设置于所述基板上；

第一信号线，设置于所述基板上；

第一绝缘层，设置于所述第一信号线上，且具有开口；

第二信号线，设置于所述第一绝缘层上，且通过所述开口与所述第一信号线电性连接；

晶体管，电性连接至所述扫描线以及所述第一信号线；以及

像素电极，电性连接至所述晶体管，且具有相邻于所述扫描线的第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧，

其中所述开口邻近所述第二侧，且远离所述第一侧。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述开口为沟槽，且所述沟槽以平行于所述扫描线的方向进行延伸。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：

转接垫，设置于所述第一绝缘层以及所述第二信号线上，其中所述晶体管包括漏极，且所述漏极通过所述转接垫电性连接至所述像素电极。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，还包括：

第二绝缘层，设置于所述第二信号线与所述转接垫之间。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述第一绝缘层还具有另一开口，所述第二绝缘层具有开口，且所述第二绝缘层的所述开口连通所述第一绝缘层的所述另一开口。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述转接垫通过所述第二绝缘层的所述开口以及所述第一绝缘层的所述另一开口电性连接至所述漏极。

7.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述转接垫的最大宽度大于所述漏极的最大宽度。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一信号线的最大宽度不同于所述第二信号线的最大宽度。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述第二信号线的所述最大宽度与所述第一信号线的所述最大宽度的比值大于等于0.5且小于等于2。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二信号线的最大宽度大于等于所述第一信号线的最大宽度。

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