CN114333563A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
本揭露的实施例提供一种显示装置，包括基板。基板包括多个正常像素以及多个功能像素。每个功能像素包括功能像素电极及第一公共电极。第一公共电极与功能像素电极彼此错位。
Description
技术领域
本揭露涉及一种显示装置。
背景技术
随着电子装置的应用持续的增广，显示技术的发展也日新月异。随着不同的应用条件，对于电子装置的显示质量的要求越来越高,进而电子装置面临不同的问题。因此，电子装置的研发需持续更新与调整。
发明内容
本揭露是针对一种显示装置，其具有良好的显示质量。
根据本揭露的实施例，显示装置包括基板。基板包括多个正常像素及多个功能像素。每个功能像素包括功能像素电极以及第一公共电极。第一公共电极与功能像素电极彼此错位。
附图说明
图1为本揭露一实施例的显示装置的上视示意图；
图2A为本揭露一实施例的正常区中的正常像素的上视示意图；
图2B为图2A的剖面线A-A’的剖视示意图；
图3A为本揭露一实施例的功能区中的功能像素的上视示意图；
图3B为图3A的剖面线B-B’的剖视示意图；
图4为本揭露另一实施例的功能像素的剖视示意图；
图5A为本揭露再一实施例的功能区中的功能像素的上视示意图；
图5B为在图5A的功能像素上设置黑色矩阵层的上视示意图；
图6为本揭露再一实施例的功能区中的功能像素的上视示意图；
图7为本揭露又一实施例的功能区中的功能像素的上视示意图。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。
揭露通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。因此，当本揭露的描述中使用术语“包括”、“含有”和/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在。
本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。在附图中，各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
应当理解到，当组件或膜层被称为“连接至”另一个组件或膜层时，它可以直接连接到此另一组件或膜层，或者两者之间存在有插入的组件或膜层。当组件被称为“直接连接至”另一个组件或膜层时，两者之间不存在有插入的组件或膜层。本揭露中所叙述的电性连接或耦接，皆可以指直接连接或间接连接，于直接连接的情况下，两电路上元件的端点直接连接或以一导体线段互相连接，而于间接连接的情况下，两电路上元件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、电阻、其他适合的元件，或上述元件的组合，但不限于此。
在本揭露中，长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面影像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。
术语“等于”、“相等”、“相同”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
本揭露中所叙述的一结构(或层别、组件、基材)位于另一结构(或层别、元件、基材)之上，可以指二结构相邻且直接连接，或是可以指二结构相邻而非直接连接，非直接连接是指二结构之间具有至少一仲介结构(或仲介层别、仲介组件、仲介基材、仲介间隔)，一结构的下侧表面相邻或直接连接于仲介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于仲介结构的下侧表面，而仲介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成，并无限制。在本揭露中，当某结构配置在其它结构“上”时，有可能是指某结构“直接”在其它结构上，或指某结构“间接”在其它结构上，即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。
本揭露说明书内的“第一”、“第二”...等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”、或“部分”是用于与“第二元件”、“部件”、“区域”、“层”、或“部分”区隔，而非用于限定顺序或特定元件、部件、区域、层和/或部分。
本揭露的电子装置可包括显示装置、天线装置、感测装置、触控电子装置(touchdisplay)、曲面电子装置(curved display)或非矩形电子装置(free shape display)，但不以此为限。电子装置可为可卷曲、可拉伸、可弯折或可挠式电子装置。电子装置可例如包括液晶(liquid crystal)、发光二极管(light emitting diode，LED)、量子点(quantumdot，QD)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他适合之材且其材料可任意排列组合或其他适合的显示介质，或前述的组合；发光二极管可例如包括有机发光二极管(organiclight emitting diode，OLED)、毫米/次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(microLED)或量子点发光二极管(quantum dot，QD，可例如为QLED、QDLED)，但不以此为限。显示装置可例如包括拼接显示装置或透明显示装置，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。天线装置可例如包括天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统…等周边系统以支援显示装置、天线装置或拼接装置。下文将以显示装置说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。
在本揭露中，以下所述的各种实施例可在不背离本揭露的精神与范围内做混合搭配使用，例如一实施例的部分特征可与另一实施例的部分特征组合而成为另一实施例。
现将详细地参考本揭露的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1为本揭露一实施例的显示装置的上视示意图。图2A为本揭露一实施例的正常区中的正常像素的上视示意图。图2B为图2A的剖面线A-A’的剖视示意图。为了附图清楚及方便说明，图1、图2A及图2B省略示出了若干元件。请参考图1，本实施例的显示装置10包括基板100。基板100包括正常区11以及功能区12。基板100还包括环绕正常区11以及功能区12的周边区13。外部电子元件200设置于周边区13。举例来说，外部电子元件200可以是可挠性电路板(flexible circuit board，FPC)、覆晶薄膜(chip-on-film，COF)、驱动芯片或其他合适的电子元件。正常区11例如是显示区，而环绕正常区11的周边区13例如是非显示区。功能区12设置于正常区11中。在本实施例中，正常区11定义为包括多个正常像素PX1的区域，而功能区12定义为包括多个功能像素PX2的区域。在一些实施例中，功能区12例如可对应重叠光学检测模块(未示出)。举例来说，光学检测模块可包括光学照相机(optical camera)或红外线传感器(infrared sensor)。在其他实施例中，光学检测模块还包括闪光灯、红外光(infrared，IR)光源、其他传感器、电子元件、或上述组合，但不限于此。在上述的设置下，显示装置10例如是具有屏下相机(camera under display，CUD)、屏下闪光灯、屏下柔光灯、屏下红外光人脸识别系统、屏下红外光虹膜识别系统、其他功能、或上述功能的组合的显示装置，但不限于此。在另一些实施例中，显示装置10还包括背光模块(未示出)，但不以此为限。本实施例的显示装置10可以是应用驱动液晶分子的液晶显示面板(LCD)技术、自发光型的发光二极管显示面板(LED)技术或自发光型的有机发光二极管显示面板(OLED)技术，但不以此为限。
请继续参考图1，功能区12设置于正常区11的角落，例如是正常区11的右上角，但不以此为限。在一些实施例中，功能区12也可以设置于正常区11的左上角、右下角或左下角。在另一些实施例中，功能区12也可以设置于正常区11的右侧边、上侧边、左侧边或下侧边。在其他实施例中，功能区12也可以设置于正常区11的中间，本实施例并不加以限制。在此须注意的是，为了图示清楚以及方便说明，图1在正常区11中示出了一个功能区12，但本实施例不以图1所示的功能区12的尺寸与数目所限制。也就是说，本揭露的功能区12的尺寸大小、形状与数目不被限定。在本实施例中，由于功能区12除了具有显示功能，还可具有其他使用者所定义的功能，因此显示装置10具有良好的质量。以下将简单说明正常像素PX1与功能像素PX2的结构。
请参考图1、图2A及图2B，在本实施例中，依据不同的需求，基板100可以为硬质基板、可挠性基板或前述的组合，基板100的材料例如可包括玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石、塑胶、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚丙烯(polypropylene，PP)或聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其他合适的材料或前述材料的组合，但并不以此为限。此外，基板100的透光率不加以限制，也就是说，基板100可为透光基板、半透光基板或不透光基板。
在本实施例中，可以在Z轴方向(即：垂直基板100的方向或是基板100表面的法线方向)上，在基板100上设置多层绝缘层以及多层导电层。详细说明，多层导电层设置于基板100上，以作为信号线。信号线例如包括多条扫描线SL以及多条数据线DL。扫描线SL例如沿着X轴方向延伸，而数据线DL例如沿着Y轴方向延伸。X轴与Y轴彼此垂直，且X轴与Y轴垂直于Z轴。如此一来，扫描线SL与数据线DL可以交错地设置于正常区11中。在本实施例中，扫描线SL及与数据线DL的材料可以包括透明导电材料或非透明导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化铟、氧化锌、氧化锡、金属材料(例如铝、钼、铜、银等)、其它合适材料或上述组合，但不以此为限。
在本实施例中，相邻的两条扫描线SL与相邻的两条数据线DL可以大致定义出像素的尺寸。举例来说，正常像素PX1大致可由扫描线SL以及数据线DL所环绕的区域定义出来。在一些实施例中，相邻的两条扫描线SL为两条具有相同功能的扫描线且两条相同功能的扫描线之间不存在其他与上述两条具有相同功能的扫描线；相邻的两条数据线DL线为两条具有相同功能的数据线且两条相同功能的数据线之间不存在其他与上述两条具有相同功能的数据线，但本揭露不以此为限。在本实施例中，正常像素PX1可为扫描线SL的下缘、相邻的扫描线SL的下缘、数据线DL的左缘及相邻的数据线DL的左缘所围成的区域。在另一些实施例中，正常像素PX1也可为扫描线SL沿X轴方向延伸的中心线、相邻的扫描线SL沿X轴方向延伸的中心线、数据线DL沿Y轴方向延伸的中心线及相邻的数据线DL沿Y轴方向延伸的中心线所围成的区域。在另一些实施例中，正常像素PX1也可为扫描线SL的上缘、相邻的扫描线SL的上缘、数据线DL的右缘及相邻的数据线DL的右缘所围成的区域，但本揭露不以此为限。此外，多个正常像素PX1可在在X轴及Y轴上以阵列排列于基板100上。于本揭露的实施例中，正常像素PX1可以为一子像素，正常像素PX1可以包含红色、绿色、蓝色、白色或是其他颜色的像素，但本揭露不以此为限。对此，正常像素PX1的颜色可为自发光所产生的颜色或由彩色滤光片(Color Filter，CF)所产生，本揭露并不加以限制。
在本实施例中薄膜晶体管阵列可设置于基板100上。薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管T在X轴及Y轴上以阵列设置于基板100上。薄膜晶体管T可电性连接至扫描线SL或数据线DL。薄膜晶体管T例如包括半导体通道层(未示出)、栅极(与扫描线SL电性连接)、以及与半导体通道层电性连接的源极与漏极。半导体通道层的材料例如包括非晶硅(amorphous silicon)、低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)或金属氧化物(metal oxide)，或上述材料的组合，本揭露不限于此。在一些实施例中，不同的薄膜晶体管可具有上述不同的半导体材料。此外，薄膜晶体管可视需要而包括顶部栅极(top gate)晶体管、底部栅极(bottom gate)晶体管、双栅极(dual gate)晶体管以及双重栅极(doublegate)晶体管，但并不以此为限。
在本实施例中，栅极可电性连接扫描线SL，而源极可电性连接数据线DL。栅极的材料可以包括钼(molybdenum，Mo)、钛(titanium，Ti)、钽(tantalum，Ta)、铌(niobium，Nb)、铪(hafnium，Hf)、镍(nickel，Ni)，铬(chromium，Cr)、钴(cobalt，Co),、锆(zirconium，Zr)、钨(tungsten，W)、铝(aluminum，Al)、铜(copper，Cu)、银(argentum，Ag)、其他合适的金属、或上述材料的合金或组合，但不以此为限。源极与漏极的材料可以包括透明导电材料或非透明导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化铟、氧化锌、氧化锡、金属材料(例如铝、钼、铜、银等)、其它合适材料或上述组合，但不以此为限。
如图2A及图2B所示，正常像素PX1包括正常像素电极PE1及部分的第二公共电极CE1。在本实施例中，在Z轴上，正常像素电极PE1至少部分重叠第二公共电极CE1。此外，正常像素电极PE1的电性连接至薄膜晶体管T。在本实施例中，正常像素电极PE1及第二公共电极CE1的材料包括金属材料或透明导电材料，例如氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)，但不以此为限。在一些实施例中，第二公共电极CE1可为全面电极，即第二公共电极CE1可以与多个正常像素电极PE1重叠，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，第二公共电极CE1与位于功能区12中的第一公共电极CE2可以是同一层电极(即：可通过同一道制作工艺进行制作)，但本揭露不以此为限。
在本实施例中，正常像素电极PE1包括多个条状部PE11以及狭缝PE12。条状部PE11大致沿着扫描线SL的延伸方向延伸(例如X轴方向延伸)。狭缝PE12位于相邻的条状部PE11之间，且大致沿着扫描线SL的延伸方向延伸(例如X轴方向延伸)。如图2A及图2B所示，绝缘层120设置于基板100上，第二公共电极CE1设置于绝缘层120上。绝缘层140设置于第二公共电极CE1上，且正常像素电极PE1设置于绝缘层140上。绝缘层120、140可以为单层或多层结构，且可例如包含有机材料、无机材料或前述的组合，但不以此为限。所述有机材料可包含聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚乙烯(polyethylene，PE)、聚醚砜(polyethersulfone，PES)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、感光型聚酰亚胺(photosensitive polyimide，PSPI)或前述的组合，而所述无机材料可包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或前述的组合，但不以此为限。
在本实施例中，条状部PE11以及狭缝PE12在Z轴上重叠第二公共电极CE1。换句话说，正常区11中的正常像素PX1例如是共用电极在下(bottom com)的形式，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，第二公共电极CE1也可设置于正常像素电极PE1上的共用电极在上(top com)的形式。
在上述的设置下，正常像素电极PE1可以驱动显示介质层(未示出，例如：液晶分子)而达成显示功能。
图3A为本揭露一实施例的功能区中的功能像素的上视示意图。图3B为图3A的剖面线B-B’的剖视示意图。为了附图清楚及方便说明，图3A及图3B省略示出了若干元件。如图3A及图3B所示，功能区12中设置有彼此交错的扫描线SL与数据线DL、薄膜晶体管T以及绝缘层120、140。扫描线SL与数据线DL、薄膜晶体管T以及绝缘层120、140的设置关系及材料与前述相似，故不重复赘述。功能区12中的功能像素PX2包括功能像素电极PE2及部分的第一公共电极CE2。在本实施例中，相邻的两条扫描线SL与相邻的两条数据线DL可以大致定义出像素的尺寸。举例来说，功能像素PX2大致可由扫描线SL以及数据线DL所环绕的区域定义出来。在一些实施例中，相邻的两条扫描线SL为两条具有相同功能的扫描线且两条相同功能的扫描线之间不存在其他与上述两条具有相同功能的扫描线；相邻的两条数据线DL线为两条具有相同功能的数据线且两条相同功能的数据线之间不存在其他与上述两条具有相同功能的数据线，但本揭露不以此为限。在本实施例中，功能像素PX2可为扫描线SL的下缘、相邻的扫描线SL的下缘、数据线DL的左缘及相邻的数据线DL的左缘所围成的区域。在另一些实施例中，功能像素PX2也可为扫描线SL沿X轴方向延伸的中心线、相邻的扫描线SL沿X轴方向延伸的中心线、数据线DL沿Y轴方向延伸的中心线及相邻的数据线DL沿Y轴方向延伸的中心线所围成的区域。在另一些实施例中，功能像素PX2也可为扫描线SL的上缘、相邻的扫描线SL的上缘、数据线DL的右缘及相邻的数据线DL的右缘所围成的区域，但本揭露不以此为限。
在本实施例中，功能像素电极PE2及第一公共电极CE2的材料包括金属材料或透明导电材料，例如氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)，但不以此为限。
值得注意的是，由于功能区12具有显示或其他使用者所设定的功能，因此功能像素PX2的设计可不同于正常像素PX1。举例来说，在垂直基板100的方向上(即Z轴方向上)，功能像素PX2的面积大于正常像素PX1的面积。也就是说，功能区12的穿透率与正常区11的穿透率不同，而可能在视觉上具有差异。所述功能像素PX2的面积和/或正常像素PX1的面积例如为上述定义的相邻的两条扫描线SL与相邻的两条数据线DL所围成的区域的面积，但本揭露不以此为限。另所述穿透率例如为显示面板之中包括基板和/或第该区域中的其他膜层所构成的穿透率。举例而言，沿Z轴方向提供一入射光给显示装置的正常区11，该入射光从显示装置的一侧进入且通过基板100和/或正常区11中的其他膜层后从显示装置的另一侧得到一出射光，上述入射光可包含可见光(例如波长介于380nm至780nm之间)或紫外光(例如波长小于365nm)，但不限于此，意即当入射光为可见光时，穿透率可为波长380nm至波长780nm范围内的出射光频谱积分值除以相同范围内的入射光频谱积分值的百分比。功能区的穿透率定义方法与正常区大致相同或相似，于此不再赘述。因此，在本实施例中，可通过调整功能像素PX2与正常像素PX1的像素电压，以使功能像素PX2与正常像素PX1的灰阶亮度趋于一致。举例来说，于相同的灰阶亮度下，本实施例的功能像素PX2具有第一像素电压，而正常像素PX1具有第二像素电压。第一像素电压与第二像素电压不同。例如，功能像素PX2的第一像素电压可以小于正常像素PX1的第二像素电压。藉此将功能像素PX2的穿透率调整至近似正常像素PX1的穿透率，以具有大致相似的视觉效果。如此一来，可以提升显示装置10的显示质量。
在一些实施例中，功能像素PX2的第一像素电压也可以大于正常像素PX1的第二像素电压。或者，功能像素PX2的第一像素电压也可以等于正常像素PX1的第二像素电压，依使用者的需求以及像素的设计而决定。
另外，第一公共电极CE2包括多个狭缝CE21，且狭缝CE21对应功能像素电极PE2设置。详细来说，功能像素电极PE2具有多个条状部PE21以及另一狭缝PE22。条状部PE21大致沿着扫描线SL的延伸方向延伸(例如X轴方向延伸)。另一狭缝PE22位于相邻的条状部PE21之间，且大致沿着扫描线SL的延伸方向延伸(例如X轴方向延伸)。如图3A及图3B所示，在Z轴上，条状部PE21对应狭缝CE21设置，且第一公共电极CE2对应另一狭缝PE22设置。也就是说，在垂直基板100的方向上(即Z轴上)，所述功能像素电极PE2的条状部PE21与所述第一公共电极CE2不重叠。具体而言，沿Z轴方向观察，功能像素电极PE2的至少一个条状部PE21的至少ㄧ部分与第一公共电极CE2的至少一个狭缝CE21的至少一部分重叠。
请参考图3B，于Y轴上，功能像素电极PE2的条状部PE21与第一公共电极CE2之间具有距离。上述距离S1定义为：沿Y轴方向上，对应狭缝CE21，且邻近第一公共电极CE2的条状部PE21的边133，以及邻近条状部PE21的第一公共电极CE2的边153之间的最短距离。所述条状部PE21还具有在Y轴上延伸的宽度W1。在本实施例中，距离S1可例如为大于0微米，且小于等于条状部PE21的宽度W1(例如0<S1≦W1)。
在上述的设置下，于Y轴上，第一公共电极CE2与功能像素电极PE2彼此错位。藉此，可通过调控功能像素电极PE2整体重叠第一公共电极CE2的比率，以使功能像素PX2与正常像素PX1的电压-穿透率关系曲线趋于一致。如此一来，于相同电压下，功能像素PX2的穿透率可被调整至近似正常像素PX1的穿透率，以具有大致相似的视觉效果，可以提升显示装置10的显示质量。此外，由于第一公共电极CE2的狭缝CE21对应功能像素电极PE2的条状部PE21设置，因此功能像素电极PE2重叠第一公共电极CE2的面积可以减少。藉此，功能区12中的功能像素电极PE2与第一公共电极CE2之间所形成的存储电容可被降低而调整至小于或等于正常区11中的正常像素电极PE1与第一公共电极CE2之间所形成的存储电容。如此一来，显示装置10驱动像素的能力可被改善或具有良好的显示质量。
然而，本揭露的实施例不以上述为限。在另一些实施中，本揭露的第一公共电极CE2与功能像素电极PE2彼此错位的特征可例如为：第一公共电极CE2的狭缝CE21对应功能像素电极PE2的条状部PE21设置，且第一公共电极CE2与功能像素电极PE2的条状部PE21至少部分重叠。举例来说，在一些实施例中，在垂直基板100的方向上(即Z轴上)，功能像素电极PE2的条状部PE21与所述第一公共电极CE2至少部分重叠。请参考图4，图4为本揭露另一实施例的功能像素的剖视示意图。
于Z轴方向上，功能像素电极PE2的条状部PE21的部分与第一公共电极CE2的部分重叠。上述重叠的部分于Y轴方向上具有重叠宽度S2。所述重叠宽度S2定义为：与第一公共电极CE2部分重叠的条状部PE21的边133’，以及与所述条状部PE21部分重叠的第一公共电极CE2的边153’之间的最大距离。所述条状部PE21还具有在Y轴上延伸的宽度W2。在本实施例中，重叠宽度S2可例如为大于等于0微米，且重叠宽度S2小于等于条状部PE21的宽度W2的一半(例如0≦S2≦W2/2)。
在一些实施例中，功能区12的第一公共电极CE2可不包括狭缝。也就是说，第一公共电极CE2可为全面电极，即第一公共电极CE2可以与多个功能像素电极PE2的多个条状部PE21重叠，但本揭露不以此为限。在上述的设置下，可通过调整功能像素PX2与正常像素PX1的像素电压，以使功能像素PX2的像素电压不同于正常像素PX1的像素电压。藉此，使功能像素PX2与正常像素PX1的灰阶亮度趋于一致，以具有大致相似的视觉效果。如此一来，可以提升显示装置10的显示质量。
如图4所示，条状部PE21的宽度W2的相对两端的边133’及边133”可以一边重叠而另一边不重叠第一公共电极CE2，但本揭露不以此为限。在一些实施例中，边133’及边133”可以同时重叠(未示出)或不重叠第一公共电极CE2(即：图3B所示的实施例)。也就是说，在Y轴方向上，图4的条状部PE21的边133”与第一公共电极CE2的边153”之间可具有重叠宽度。或者，条状部PE21的边133”与第一公共电极CE2的边153”之间可具有一距离，但本揭露不以此为限。在上述的实施例中，边133”与边153”之间的距离或重叠宽度的定义与距离S1或重叠宽度S2的定义相同，故不再次赘述。
简言之，由于本揭露一实施例的显示装置10，其可通过调整功能像素PX2与正常像素PX1的像素电压，以使功能像素PX2与正常像素PX1的灰阶亮度趋于一致，使得正常区与功能区有大致相似的视觉效果以提升显视质量。此外，第一公共电极CE2的狭缝CE21可对应功能像素电极PE2的条状部PE21设置。藉此，可调控功能像素电极PE2重叠第一公共电极CE2的比率，以使功能像素PX2与正常像素PX1的电压-穿透率关系曲线趋于一致。如此一来，于相同电压下，功能像素PX2的穿透率可被调整至近似正常像素PX1的穿透率，以具有大致相似的视觉效果，可以提升显示装置10的显示质量。另外，由于功能像素电极PE2重叠第一公共电极CE2的面积可以减少，因此功能区12中的功能像素电极PE2与第一公共电极CE2之间所形成的存储电容可被降低而调整至小于或等于正常区11中的正常像素电极PE1与第一公共电极CE2之间所形成的存储电容。如此一来，显示装置10驱动像素的能力可被改善。或者，显示装置10能具有良好的显示质量。
以下将列举其他实施例以作为说明。在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图5A为本揭露再一实施例的功能区中的功能像素的上视示意图。图5B为在图5A的功能像素上设置黑色矩阵层的上视示意图。为了附图清楚及方便说明，图5A及图5B省略示出了若干元件。本实施例的显示装置10A大致相似于图2A及图3A的显示面板10，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于显示装置10之处主要在于，功能像素PX2A是由多个彼此电性连接的像素子电极PX21A、PX22A所构成。详细来说，功能像素PX2A包括功能像素电极PE2A以及第一公共电极CE2A。在垂直所述基板100的方向(即Z轴)上，第一公共电极CE2A与功能像素电极PE2A重叠。上述重叠的定义为第一公共电极CE2A与功能像素电极PE2A至少部分重叠。更具体来说，像素子电极PX21A、PX22A可重叠于第一公共电极CE2A，但不以此为限。举例来说，功能区12的第一公共电极CE2A可不包括狭缝。也就是说，第一公共电极CE2A为全面电极，即第一公共电极CE2A可以与多个功能像素电极PE2A重叠，但本揭露不以此为限。在上述的设置下，可通过调整功能像素PX2A与正常像素PX1的像素电压，以使功能像素PX2A的像素电压不同于正常像素PX1的像素电压。藉此，使功能像素PX2A与正常像素PX1的灰阶亮度趋于一致，以具有大致相似的视觉效果。如此一来，可以提升显示装置10A的显示质量。
功能像素电极PE2A是由多个像素子电极PX21A、PX22A所构成。举例来说，像素子电极PX21A与像素子电极PX22A在X轴上排列。像素子电极PX21A或像素子电极PX22A为相似的最小重复单元。以像素子电极PX21A为例，像素子电极PX21A包括沿大致X轴延伸的条状部PE21A以及设置于两个条状部PE21A之间的另一狭缝PE22A。如图5A及图5B所示，多个像素子电极(包括像素子电极PX21A及像素子电极PX22A)可沿着X轴及Y轴排列成3x3的阵列，但不以此为限。在此须注意的是，本揭露不以图5A及图5B所示的像素子电极PX21A的结构图案及数量为限。实际上，像素子电极PX21A可具有更多个条状部PE21A或另一狭缝PE22A。功能像素电极PE2A也可以包括更少或更多个像素子电极PX21A。
在本实施例中，功能像素电极PE2A还包括连接部PE23A设置于像素子电极PX21A与像素子电极PX22A之间。举例来说，在X轴上，连接部PE23A电性连接至像素子电极PX21A与像素子电极PX22A。此外，在Y轴上，像素子电极也彼此电性连接。在上述的设置下，多个像素子电极PX21A、PX22A彼此电性连接以构成功能像素电极PE2A。在一些实施例中，连接部PE23A可大致沿扫描线SL的延伸方向(例如X轴方向)延伸，且在Y轴方向上具有大致相似的宽度；连接部PE23A可大致沿数据线DL的延伸方向(例如Y轴方向)延伸，且在X轴方向上具有大致相似的宽度，但本揭露不以此为限。
如图5B所示，显示装置10A还包括黑色矩阵层BM。黑色矩阵层BM设置于正常区11和/或功能区12中，但不以此为限。黑色矩阵层(black matrix)的材料可包括金属或掺有色料的不透光树脂或有机材料，或者是其他合适的遮光材料或上述材料的组合，但不限于此。上述金属举例可为铬金属(Chromium，Cr)，但不以此为限。上述树脂举例可为环氧树脂(epoxy resin)或压克力树脂(acrylic resin)，或其他合适的材料或上述材料的组合，但不以此为限。黑色矩阵层BM例如是整面的设置于基板100上，覆盖部分的功能像素电极PE2A以及部分的第一公共电极CE2A。黑色矩阵层BM具有多个开口H2。开口H2对应每个功能像素电极PE2A的多个彼此电性连接的像素子电极PX21A、PX22A。也就是说，黑色矩阵层BM开口H2可暴露出至少部分的像素子电极PX21A和/或像素子电极PX22A。在另一些实施例中，开口H2可用来定义出功能像素电极PE2A中的最小重复单元：像素子电极PX21A。
请再次参考图2A、图5A及图5B。在Z轴上，正常区11中的正常像素电极PE1的尺寸大致相似功能区12中的功能像素电极PE2A的尺寸。因此，黑色矩阵层BM设置于正常像素电极PE1上的开口的面积尺寸与功能像素电极PE2A中的一个像素子电极PX21A的面积尺寸可以相同或相似。
在上述的设置下，一个正常像素PX1上的黑色矩阵层BM的开口的面积除以正常像素PX1的面积可为第一开口率。一个功能像素PX2A上的黑色矩阵层BM的所有开口H2的面积总合(例如：如图5B所示，为九个开口H2的面积总合)除以一个功能像素PX2A的面积为第二开口率。且第一开口率大致相似于第二开口率。因此，正常像素PX1的开口率可以大致相同于功能像素PX2A的开口率，以使显示装置10A能具有良好的显示效果。
值得注意的是，请同时参考图2A及图5A，于图2A，相邻的正常像素电极PE1之间具有间距。所述间距的定义例如是一个正常像素电极PE1的边缘沿着X轴延伸至相邻的另一个正常像素电极PE1的相同对应的边缘之间的距离。于图5A，像素子电极PX21A与像素子电极PX22A之间的间距可定义为：像素子电极PX21A的一个边缘131沿着X轴延伸至相邻的像素子电极PX22A的相同对应的另一个边缘131’之间的距离。由于本实施例的功能像素电极PE2A可将其多个彼此电性连接的像素子电极PX21A、PX22A的间距调整成与正常像素电极PE1之间的间距相似。也就是说，正常像素电极PE1之间的间距可相等于相邻的像素子电极PX21A与像素子电极PX22A之间的间距。如此一来，正常区11与功能区12的显示效果可更趋一致，进而提升显示装置10的显示质量。
另外，显示装置10A还可通过对功能像素电极PE2A或正常像素电极PE1施加不同电压，使正常区11与功能区12的显示效果可更趋一致，进而提升显示装置10A的显示质量。
此外，在另一些实施中，第一公共电极CE2A还可选择性包括多个开口H1。开口H1至少部分重叠功能像素电极PE2A的连接部PE23A。黑色矩阵层BM重叠开口H1。也就是说，开口H1是位于第一公共电极CE2A重叠黑色矩阵层BM的部分。因此，开口H1所造成的显示暗纹不会被使用者所观察到，而具有良好的显示效果。另外，开口H1可减少第一公共电极CE2A重叠功能像素电极PE2A的面积。藉此，功能区12中的功能像素电极PE2A与第一公共电极CE2A之间所形成的存储电容可被降低而调整至小于或等于正常区11中的正常像素电极PE1与第一公共电极CE2A之间所形成的存储电容。如此一来，显示装置10A驱动像素的能力可被改善或具有良好的显示质量。
图6为本揭露再一实施例的功能区中的功能像素的上视示意图。为了附图清楚及方便说明，图6省略示出了若干元件。本实施例的显示装置10B大致相似于图5A的显示面板10A，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于显示装置10A之处主要在于，相对于显示装置10A的像素子电极PX21A重叠于第一公共电极CE2B，本实施例的像素子电极PX21A可与第一公共电极CE2B错位。举例来说，第一公共电极CE2B还包括多个狭缝CE21B。第一公共电极CE2B的狭缝CE21B可对应像素子电极PX21A的条状部PE21A设置。此外，在Z轴上，部分的第一公共电极CE2B还可重叠像素子电极PX21A的狭缝PE22A。如图6所示，狭缝CE21B的轮廓可大致对应条状部PE21A。此外，在Y轴方向上，条状部PE21A的边与第一公共电极CE2B的边可以切齐或不切齐。或者，条状部PE21A的边可以重叠或不重叠第一公共电极CE2B，本实施例不以此为限。
藉此，功能像素电极PE2A重叠第一公共电极CE2B的比率可被调控，以使功能像素PX2B与正常像素PX1的电压-穿透率关系曲线趋于一致。如此一来，于相同电压下，功能像素PX2B的穿透率可被调整至近似正常像素PX1的穿透率，以具有大致相似的视觉效果，可以提升显示装置10B的显示质量。另外，由于功能像素电极PE2A重叠第一公共电极CE2B的面积可以减少，因此功能区12中的功能像素电极PE2A与第一公共电极CE2B之间所形成的存储电容可被降低而调整至小于或等于正常区11中的正常像素电极PE1与第一公共电极CE2B之间所形成的存储电容。如此一来，显示装置10B驱动像素的能力可被改善。或者，显示装置10B能具有良好的显示质量。另外，显示装置10B还可获致与上述实施例相似的优良技术效果。
图7为本揭露又一实施例的功能区中的功能像素的上视示意图。为了附图清楚及方便说明，图7省略示出了若干元件。本实施例的显示装置10C大致相似于图6的显示面板10B，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于显示装置10B之处主要在于，功能像素PX2B是沿着Y轴延伸。详细来说，功能像素PX2B的功能像素电极PE2A包括多个像素子电极PX21A、PX22A。像素子电极PX21A可视为构成功能像素电极PE2A的最小重复单元。像素子电极PX21A包括沿Y轴延伸的条状部PE21A以及相邻两个条状部PE21A之间的另一狭缝PE22A。像素子电极PX21A与子像素PX22A在Y轴上设置，且像素子电极PX21A通过连接部PE23A电性连接至子像素PX22A。此外，像素子电极PX21A也可在X轴上排列。如图7所示，多个像素子电极可在X轴与Y轴上排列成3x3的阵列，以构成功能像素PX2B。在此须注意的是，本实施例不以图7所示的像素子电极PX21A的结构图案及数量为限。
在本实施例中，第一公共电极PE2A包括狭缝CE21B。狭缝CE21B沿着Y轴延伸。狭缝CE21B对应像素子电极PX21A的条状部PE21A。此外，在Z轴上，第一公共电极CE2B还可重叠像素子电极PX21A的另一狭缝PE22A。如图7所示，狭缝CE21B的轮廓可大致对应条状部PE21A。此外，在X轴上，条状部PE21A的边与第一公共电极CE2B的边可以切齐或不切齐。或者，条状部PE21A的边可以重叠或不重叠第一公共电极CE2B，本实施例不以此为限。
藉此，功能像素电极PE2A重叠第一公共电极CE2B的比率可被调控，以使功能像素PX2B与正常像素PX1的电压-穿透率关系曲线趋于一致。如此一来，于相同电压下，功能像素PX2B的穿透率可被调整至近似正常像素PX1的穿透率，以具有大致相似的视觉效果。如此一来，可以提升显示装置10B的显示质量。
另外，狭缝CE21B对应像素子电极PX21A的条状部PE21A。此外，开口H1可以重叠连接部PE23A，因此功能像素电极PE2A重叠第一公共电极CE2B的面积可以减少。藉此，功能区12中的功能像素电极PE2A与第一公共电极CE2B之间所形成的存储电容可被降低而调整至小于或等于正常区11中的正常像素电极PE1与第一公共电极CE2B之间所形成的存储电容。如此一来，显示装置10B驱动像素的能力可被改善。或者，显示装置10B能具有良好的显示质量。另外，显示装置10B还可获致与上述实施例相似的优良技术效果。
综上所述，在本揭露一实施例的显示装置中，由于可通过调整功能像素与正常像素的像素电压，以使功能像素与正常像素的灰阶亮度趋于一致，使得正常区与功能区有大致相似的视觉效果以提升显视质量。或者，第一公共电极的狭缝对应功能像素电极的条状部设置。藉此，可调控功能像素电极重叠第一公共电极的比率，以使功能像素与正常像素的电压-穿透率关系曲线趋于一致。如此一来，于相同电压下，功能像素的穿透率可被调整至近似正常像素的穿透率，以具有大致相似的视觉效果。如此一来，可以提升显示装置的显示质量。另外，功能像素电极重叠第一公共电极的面积可以减少，因此功能区中的功能像素电极与第一公共电极之间所形成的存储电容可被降低而调整至小于或等于正常区中的正常像素电极与第一公共电极之间所形成的存储电容。如此一来，显示装置驱动像素的能力可被改善。此外，显示装置能具有良好的显示质量。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板，所述基板包括：
多个正常像素；以及
多个功能像素，每个所述功能像素包括功能像素电极及第一公共电极，
其中所述第一公共电极与所述功能像素电极彼此错位。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述多个正常像素的每个包括正常像素电极及第二公共电极，所述功能像素电极包括多个彼此电性连接的像素子电极，其中两相邻的所述多个正常像素中的两个相邻的正常像素电极之间的间距相等于两相邻的所述多个像素子电极之间的间距。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，还包括黑色矩阵层，所述黑色矩阵层具有多个开口，所述多个开口对应每个所述功能像素电极的所述多个彼此电性连接的像素子电极。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一公共电极包括多个狭缝，所述多个狭缝对应所述功能像素电极。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述功能像素电极具有多个条状部，其中在垂直所述基板的一方向上，所述多个条状部与所述第一公共电极不重叠。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，其中所述多个条状部中的一个与所述第一公共电极之间于一另一方向上具有一距离，且所述距离大于0且小于等于所述多个条状部中的所述一个于所述另一方向上的宽度。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述功能像素电极具有多个条状部，其中在垂直所述基板的方向上，所述多个条状部与所述第一公共电极至少部分重叠，
其中于一另一方向上，所述多个条状部中的一个重叠所述第一公共电极的部分具有重叠宽度，且所述重叠宽度大于等于0且小于等于所述多个条状部中的所述一个于所述另一方向上的的宽度的一半。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述功能像素具有第一像素电压，所述正常像素具有第二像素电压，所述第一像素电压与所述第二像素电压不同。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在垂直所述基板的一方向上，所述功能像素的面积大于所述正常像素的面积。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一公共电极还包括开口，所述开口至少部分重叠所述功能像素电极的部分。
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