CN103969890B - 一种tft阵列基板及显示面板、显示装置 - Google Patents

一种tft阵列基板及显示面板、显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种TFT阵列基板及显示面板、显示装置。该TFT基板上焊盘区的测试点之间所形成的空隙，其空隙方向与配向膜的配向方向在同一平面上交错，并至少具有一交错角，且交错角中至少有一交错角大于5度。从而改善了Rubbing Mura的问题。

Description

一种TFT阵列基板及显示面板、显示装置
技术领域
本发明涉及主动阵列（Active Matrix Array）领域，特别涉及一种包括测试焊盘区（Visual Test Area）的TFT（Thin Film Transistor）阵列基板及包含该TFT阵列基板显示面板、显示装置。
背景技术
TFT-LCD（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶示器）是利用夹在液晶层上电场强度的变化，改变液晶分子的取向，从而控制透光的强弱来显示图像的。一般来讲，一块完整的液晶显示面板必须具有背光模块、偏光片、TFT阵列基板和彩膜（CF，Color Filter）基板以及由它们两块基板组成的盒中填充的液晶分子层构成。在TFT-LCD的制造过程中，在将TFT阵列基板与彩膜基板对合形成显示模组（Cell盒）之后，集成电路（IC）焊接到Cell盒之前，会有对TFT基板上各个器件的功能进行测试的步骤，即Cell Visual Test（显示模组可见化测试）。Cell Visual Test一般包括对TFT基板上的数据线、扫描线、公共电极线、TFT开关等是否能够正常工作进行测试。为了实现上述的测试，一般会在TFT基板上的显示区域的外围设计有测试焊盘区（Visual Test Area），测试焊盘区包括多个用于检测不同器件的测试点（Visual Test Pad）。如此的设计是为了避免以下情况出现，即当TFT基板上的器件存在不合格时，即器件的良率未达100%的情况下，如果一块带有不可修复的，不合格的Cell盒流入下一个工艺流程，即模组段。在模组段，会绑上IC（集成电路）。若绑上IC之后，经过点检发现不良问题，则需要拆除已经绑上的IC等相关器件，而被拆除的IC等器件，由于现有技术的工艺上的限制，会是被拆除的IC、FPC（柔性电路板）等器件损坏，必然造成IC、FPC等材料的浪费。因此，工厂往往会在Cell盒段设定检测流程，即Cell Visual Test，防止一定比率的不良的Cell盒流入下一工艺流程，带来不必要的损失。
如图1所示，为现有技术中在TFT基板上的焊盘区及测试点的结构设计示意图。其中，位于TFT基板1上外围区域B的焊盘区2（图中椭圆形虚线框），包括多个测试点（Visual Test Pad）3。由于测试点3的几何外形一般为矩形，每个测试点3的大小相等，多个测试点3的排列方式为位于同一直线上依次排列。由于测试点3与测试点3之间相互之间排列不紧密，会形成的空隙4，且空隙4面积较大。由于测试点3是形成于TFT基板1上的配向膜之前，那么如果当在TFT基板1上进行涂布配向膜时，即进行Rubbing（摩擦）工艺时，绒布滚轮扫到测试点3相互之间形成的空隙4，由于空隙4的方向H（图中虚线）与Rubbing方向R（图中虚线），接近一致，会使得绒布滚轮上的绒布会保持与空隙4形状相一致的形变，从而改变了原有绒布上已经配置好的细小的凹槽的形状，使得扫在空隙4处的绒布上的配向方向与其他部位不同，从而影响Rubbing的均匀性从而产生配向显示不均（Rubbing Mura），一般情况下是竖纹显示不均（Mura）。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种TFT阵列基板及显示面板、显示装置。
根据本发明的一个示范性的实施例，提供一种TFT阵列基板，包括：一基板，具有显示区域和所述显示区域的外围区域；焊盘测试区，形成在所述外围区域，所述焊盘测试区包括至少两个测试点，所述测试点相互之间至少存在一间隙，所述间隙具有间隙方向；配向膜，形成在所述显示区域，所述配向膜具有配向方向；所述间隙方向与所述配向方向在同一平面上交错，并至少具有一交错角；所述交错角中至少有一交错角大于5度。
根据本发明的一个示范性的实施例，提供一种显示面板，包括上述的TFT阵列基板，与所述TFT阵列基板相对设置的彩膜基板，以及位置所述TFT阵列基板与所述彩膜基板的液晶层。
根据本发明的一个示范性的实施例，提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
由经上述的技术方案可知，与现有技术相比，本发明公开了一种TFT阵列基板及显示面板、显示装置。该TFT基板上焊盘区的测试点之间所形成的空隙，其空隙方向与配向膜的配向方向在同一平面上交错，并至少具有一交错角，交错角中至少有一交错角大于5度。从而改善了Rubbing Mura的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的在TFT基板上的焊盘区及测试点的结构设计示意图；
图2为实施例一中的在TFT基板上的焊盘区及测试点的结构设计示意图；
图3为实施例二中的在TFT基板上的焊盘区及测试点的结构设计示意图；
图4为实施例三中的在TFT基板上的焊盘区及测试点的结构设计示意图；
图5为实施例四中的在TFT基板上的焊盘区及测试点的结构设计示意图；
图6为实施例五中的在TFT基板上的焊盘区及测试点的结构设计示意图；
图7为实施例六中的在TFT基板上的焊盘区及测试点的结构设计示意图；
图8为实施例七中的在TFT基板上的焊盘区及测试点的结构设计示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明公开了一种TFT阵列基板及显示面板、显示装置。该TFT基板上焊盘区的测试点之间所形成的空隙，其空隙方向与配向膜的配向方向在同一平面上交错，并至少具有一交错角度，且交错角大于5度。从而改善了Rubbing Mura的问题。
本发明及以下实施例中所提及的间隙方向与配向方向在同一平面上的交错角，是指两者交错时产生的锐角交错角；交错角的角度大小也是指锐角交错角的大小，本发明及的交错角的角度大于5度，由于是锐角交错角，故交错角的上限值为90度。
另外需要说明的是，以下实施例中所提及的Data R测试点、Data G测试点、Data B测试点、COM测试点、Gate Odd测试点、Gate Even测试点、Switch测试点、STV测试点、CLK测试点或CKB测试点，具体为：
其中：Data R测试点，即测试TFT基板上对应的彩膜基板上（CF）为红色（Red）像素的所有源极（Source）线的测试点（Pad）。
Data G测试点，即测试TFT基板上对应的彩膜基板上（CF）为绿色（Green）像素的所有源极（Source）线的测试点（Pad）。
Data B测试点，即测试TFT基板上对应的彩膜基板上（CF）为蓝色（Blue）像素的所有源极（Source）线的测试点（Pad）。
COM测试点，即测试TFT基板上所有的公共电极（Com）电极的测试点（Pad）。
Gate Odd测试点，即测试TFT基板上所有奇数行栅极（Gate）线的测试点（Pad）。
Gate Even测试点，即测试TFT基板上所有偶数行栅极（Gate）线的测试点（Pad）。
Switch测试点，由于Switch本身就是一个TFT的结构，起到开关作用的，即对起到开关作用的TFT的测试点。一般来说，在大尺寸的TFT阵列基板上的焊盘区是不设置Switch测试点，但中小尺寸的阵列基板上设有Switch测试点。
STV测试点，即测试TFT基板上所有测试起始信号端导线的测试点（Pad）。
CLK测试点、CKB测试点，测试TFT基板上所有即测试时序/时钟信号导线的测试点（Pad）。
实施例一
如图2所示，本实施例公开了一种TFT阵列基板，包括：一基板11，具有显示区域AA和显示区域的外围区域DA；焊盘测试区21（如图2中椭圆形虚线框所示），形成在所述外围区域DA，焊盘测试区21包括多个测试点31，测试点31相互之间存在间隙41，间隙41具有间隙方向G1；配向膜（图中未示出），形成在显示区域AA，配向膜具有配向方向R。
测试点31为大小相同的平行四边形，所有的测试点31的中心点位于同一直线上，即所有的测试点31是沿着同一条直线平行排列，且测试点31之间呈等间距的排列。故所有测试点31相互之间所形成的间隙41的面积，间距都是相同的。而且由于测试点31是沿着同一条直线平行排列，故测试点31相互间形成的间隙41的间隙方向G1是相同的，如图2所示。
继续参考图2，间隙方向G1与配向方向R在同一平面上交错，并具有一交错角Θ1，且交错角Θ1的角度大于5度。其原因是在进行Rubbing（摩擦）工艺时，绒布滚轮扫到测试点31相互之间形成的空隙41，由于当间隙方向G1与配向方向R在同一平面上的交错角度大于5度时，绒布滚轮上的绒布不会保持与空隙41形状相一致的形变，从而使得绒布上继续保持原有配置好的细小的凹槽的形状，使得扫在空隙41处的绒布上的配向方向与其他部位不会存在大的差异，从而保证了Rubbing的均匀性，不会产生明显的配向显示不均（Rubbing Mura）。
由上述分析可知，间隙方向G1与配向方向R在同一平面上的交错角的角度在一定范围内，是越大越好，即交错角度越大，间隙41的存在对Rubbing工艺的影响越小。
另外值得一提的是：本发明所提及的间隙方向G1与配向方向R在同一平面上的交错角，是指两者交错时产生的锐角交错角；交错角度大小也是指锐角交错角的大小，本发明及的交错角Θ1的角度大于5度，由于是锐角交错角，故交错角Θ1的上限值为90度。
另外，继续参考图2，焊盘测试区21上的测试点31，根据每个测试点31的测试项目和功能不同，可以包括有Data R测试点、Data G测试点、Data B测试点、COM测试点、Gate Odd测试点、Gate Even测试点、Switch测试点、STV测试点、CLK测试点或CKB测试点。当然焊盘测试区21上的测试点不限于前述的测试点，可以根据TFT基板功能的不同，设计出不同测试功能的测试点。
虽然本发明实施例一中测试点31的几何外形为平行四边形，是从考虑焊盘区的空间利用率来设计的。但是不限于此，一般来说，测试点的几何外形是不限定的，可以是圆形、三角形、四边形、五边形、六边形、七边形或八边形。可以从节省排列空间来考虑设计较为节省空间的，几何外形对称性高的测试点。
实施例二
本实施例在实施例一的基础上，如图3所示，本实施例公开了一种TFT阵列基板，包括一基板12，具有显示区域AA和显示区域的外围区域DA；焊盘测试区22（如图3中椭圆形虚线框所示），形成在所述外围区域DA。配向膜（图中未示出），形成在显示区域AA，配向膜具有配向方向R。
参考图3，其中焊盘测试区22包括多个测试点，交错排列成相互平行的两行，即第一行L1（如图3中矩形虚线框所示）、第二行L2（如图3中矩形虚线框所示）。位于第一行L1的测试点，即第一行测试点321；位于第二行L2的测试点，即第二行测试点322。其中第一行测试点321、第二行测试点322为大小相同的菱形，且位于同一行的测试点相互之间为等间距的排列。
继续参考图3，第一行测试点321与第二行测试点322整体上是相互平行的，且第一行测试点321与第二行测试点322是相互穿插交错排列。其原因是由于当测试点被排列成相互穿插交错的两行或者多行时，位于同一行的相邻的测试点之间，以及位于不同行的相邻的测试点之间所形成的间隙，是比较小的，而且与所述配向方向在同一平面上交错，保证了对Rubbing工艺中配向方向影响小。
继续参考图3，由于测试点是平行排列成两行，则第一行测试点321、第二行测试点322中，每个测试点与其相邻的测试点之间，至少形成两个间隙，如图3所示，以第一行测试点321其中的一个测试点为例，其与位于同一行的测试点之间以及位于第二行L2的第二行测试点322之间，至少会形成两个空隙，即间隙421、间隙422。其中间隙421具有间隙方向G21，间隙422具有间隙方向G22。
继续参考图3，间隙方向G21与配向方向R在同一平面上交错，并具有一交错角Θ21，且交错角Θ21的角度大于5度；间隙方向G22与配向方向R在同一平面上交错，并具有一交错角Θ22，且交错角Θ22的角度大于5度。如此设置的原因是由于在进行Rubbing（摩擦）工艺时，绒布滚轮扫到空隙421、间隙422，由于当间隙方向G21、间隙方向G22与配向方向R在同一平面上的交错角度大于5度时，绒布滚轮上的绒布不会保持与空隙421、空隙422形状相一致的形变，从而使得绒布上继续保持原有配置好的细小的凹槽的形状，使得扫在空隙421、空隙422处的绒布上的配向方向与其他部位不会存在大的差异，从而保证了Rubbing的均匀性，不会产生明显的配向显示不均（Rubbing Mura）。
另外，由于第一行测试点321与第二行测试点322是相互穿插交错平行排列成两行，可以减小测试点相互之间所形成的间隙，并且能够节省排列的空间，使得焊盘区的空间的利用率高。由于测试点的交错排列所形成的较小的间隙，可以大大减小在Rubbing工艺中对绒布滚轮上绒布的形变影响，保证了空隙处的配向方向不会因为空隙的存在而与其他部位不一致，使得配向膜的配向方向一致。
另外，继续参考图3，焊盘测试区22上的第一行测试点321、第二行测试点322，根据每个测试点的测试项目和功能不同，分为Data R测试点、Data G测试点、Data B测试点、COM测试点、Gate Odd测试点、Gate Even测试点、Switch测试点、STV测试点、CLK测试点或CKB测试点。当然焊盘测试区22上的测试点不限于前述的测试点，可以根据TFT基板功能的不同，设计出不同测试功能的测试点。
实施例三
在上述实施例二的基础上，如图4所示，本发明还公开了一种TFT阵列基板，包括一基板13，具有显示区域AA和显示区域的外围区域DA；焊盘测试区23（如图4中椭圆形虚线框所示），形成在所述外围区域DA。配向膜（图中未示出），形成在显示区域AA，配向膜具有配向方向R。
本实施例是基于实施例二的技术方案之上，与实施例二相同之处，在此就不再赘述。
本实施例与实施例二不同之处在于：
参考图4，其中焊盘测试区23包括多个测试点，交错排列成相互平行的两行，即第一行L1（如图4中矩形虚线框所示）、第二行L2（如图4中矩形虚线框所示）。位于第一行L1的测试点，即第一行测试点331；位于第二行L2的测试点，即第二行测试点332。其中第一行测试点331、第二行测试点322为大小相同的正方形，且位于同一行的测试点相互之间为等间距的排列。
继续参考图4，由于测试点是平行排列成两行，则第一行测试点331、第二行测试点332中，每个测试点与其相邻的测试点之间，至少形成两个间隙，如图4所示，以第一行测试点331其中的一个测试点为例，其与位于同一行的测试点之间以及位于第二行L2的第二行测试点332之间，至少会形成两个空隙，即间隙431、间隙432。
将测试点设计成大小相同的正方形，其目的是在于：由于正方形的对称性好，在测试点排列在焊盘区上，可以节省更多的焊盘区的排列空间，是实现窄边框的一个较好的解决方法。更为重要的一点是，由于正方形完美的对称性，使得测试点相互间的形成的间隙，面积十分小，对Rubbing工艺中对绒布滚轮上绒布的形变十分小，对Rubbing的均匀性基本没有影响，从而保证了配向的均匀性。
一般来说，测试点为大小相同的平行四边形、菱形或正方形，且位于同一行的测试点之间是等间距。其中较为优选的为菱形和正方形，由于这两种几何图形的对称性好，在测试点排列的时候，可以节省更多的排列空间。
虽然本发明实施例二、实施例三中测试点的几何外形为菱形、正方形，是从考虑焊盘区的空间利用率来设计的。但是不限于此，一般来说，测试点的几何外形是不限定的，可以是圆形、三角形、四边形、五边形、六边形、七边形或八边形。
实施例四
在上述实施例二、实施例三的基础上，如图5所示，本发明还公开了一种TFT阵列基板，包括一基板14，具有显示区域AA和显示区域的外围区域DA；焊盘测试区24（如图5中椭圆形虚线框所示），形成在所述外围区域DA。配向膜（图中未示出），形成在显示区域AA，配向膜具有配向方向R。
本实施例是基于实施例二、三的技术方案之上，与实施例二、三相同之处，在此就不再赘述。
本实施例与实施例二、三不同之处在于：
参考图5，其中焊盘测试区24包括多个测试点，交错排列成相互平行的三行，即第一行L1（如图5中矩形虚线框所示）、第二行L2（如图5中矩形虚线框所示）、第二行L3（如图5中矩形虚线框所示）。位于第一行L1的测试点，即第一行测试点341；位于第二行L2的测试点，即第二行测试点342；位于第二行L3的测试点，即第三行测试点343。其中第一行测试点341、第二行测试点342、第三行测试点343为大小相同的正方形，且位于同一行的测试点相互之间为等间距的排列。
将测试点设计成大小相同的正方形，且排列成相互平行的三行，其目的是在于：由于正方形的对称性好，在测试点排列在焊盘区上，可以节省更多的焊盘区的排列空间，同时由于排列成三行，可以使得测试点相互间排列更为紧密，测试点相互间所形成的间隙更小，对Rubbing工艺的影响更小。
继续参考图5，由于测试点是平行排列成三行，则第一行测试点341、第二行测试点342、第三行测试点343中，每个测试点与其相邻的测试点之间，至少形成两个间隙。如图5所示，以第二行测试点342其中的一个测试点为例，其与位于同一行的测试点之间、位于第二行L2的第二行测试点342之间，以及位于第三行L3的第三行测试点343之间，至少会形成两个空隙，即间隙441、间隙442。其中间隙441具有间隙方向G41，间隙422具有间隙方向G42。
继续参考图5，间隙方向G41与配向方向R在同一平面上交错，并具有一交错角Θ41，且交错角Θ41的角度大于5度；间隙方向G42与配向方向R在同一平面上交错，并具有一交错角Θ42，且交错角Θ42的角度大于5度。如此设置的原因是由于在进行Rubbing（摩擦）工艺时，绒布滚轮扫到空隙441、间隙442，由于当间隙方向G41、间隙方向G42与配向方向R在同一平面上的交错角度大于5度时，绒布滚轮上的绒布不会保持与空隙441、空隙442形状相一致的形变，从而使得绒布上继续保持原有配置好的细小的凹槽的形状，使得扫在空隙441、空隙442处的绒布上的配向方向与其他部位不会存在大的差异，从而保证了Rubbing的均匀性，不会产生明显的配向显示不均（Rubbing Mura）。
虽然本发明实施例四中测试点是等间距的排列成相互平行的三行，是从减小测试点间的间隙和焊盘测试区的空间利用率来设计的，但是不限于此，一般来说，可以根据TFT基板焊盘测试区的面积大小、需要测试的项目及其他因素考虑，设计测试点的排列方式，测试点之间是否需要等间距排列以及测试点的几何外形等。
实施例五
在上述实施例二、实施例三的基础上，如图6所示，本发明还公开了一种TFT阵列基板，包括一基板15，具有显示区域AA和显示区域的外围区域DA；焊盘测试区25（如图6中椭圆形虚线框所示），形成在所述外围区域DA。配向膜（图中未示出），形成在显示区域AA，配向膜具有配向方向R。
本实施例是基于实施例二、实施例三的技术方案之上，与实施例二、实施例三相同之处，在此就不再赘述。
本实施例与实施例二、实施例三不同之处在于：
参考图6，其中焊盘测试区25包括多个测试点，交错排列成相互平行的两行，即第一行L1（如图6中矩形虚线框所示）、第二行L2（如图6中矩形虚线框所示）。位于第一行L1的测试点，即第一行测试点351；位于第二行L2的测试点，即第二行测试点352。其中第一行测试点351、第二行测试点352为大小相同的等边三角形，且位于同一行的测试点相互之间为等间距的排列。
另外，等边三角形的测试点351（352）与相邻的测试点相互间排列方式为：至少会形成两个间隙，即间隙451、间隙452。其中间隙451具有间隙方向G51，间隙452具有间隙方向G52。
继续参考图6，间隙方向G51与配向方向R在同一平面上交错，并具有一交错角Θ51，且交错角Θ51的角度大于5度；间隙方向G52与配向方向R在同一平面上交错，并具有一交错角Θ52，且交错角Θ52的角度大于5度。
将测试点设计成大小相同的等边三角形，其目的是在于：由于等边三角形的对称性好，在测试点排列在焊盘区上，可以节省更多的焊盘区的排列空间，是实现窄边框的一个较好的解决方法。且如此设计也会使得测试点相互间的形成的间隙，面积十分小，对Rubbing的均匀性影响很小。
实施例六
在上述实施例二、三、五的基础上，如图6所示，本发明还公开了一种TFT阵列基板，包括一基板16，具有显示区域AA和显示区域的外围区域DA；焊盘测试区26（如图7中椭圆形虚线框所示），形成在所述外围区域DA。配向膜（图中未示出），形成在显示区域AA，配向膜具有配向方向R。
本实施例是基于实施例二、三、五的技术方案之上，与实施例二、三、五相同之处，在此就不再赘述。
本实施例与实施例二、三、五不同之处在于：
参考图7，其中焊盘测试区26包括多个测试点，交错排列成相互平行的两行，即第一行L1（如图7中矩形虚线框所示）、第二行L2（如图7中矩形虚线框所示）。位于第一行L1的测试点，即第一行测试点361；位于第二行L2的测试点，即第二行测试点362。其中第一行测试点361、第二行测试点362为大小相同的圆形，且位于同一行的测试点相互之间为等间距的排列。
另外，圆形的测试点361（362）与相邻的测试点相互间排列方式为：至少会形成两个间隙，即间隙461、间隙462。其中间隙461具有间隙方向G61，间隙462具有间隙方向G62。
继续参考图7，间隙方向G61与配向方向R在同一平面上交错，并具有一交错角Θ61，且交错角Θ61的角度大于5度；间隙方向G62与配向方向R在同一平面上交错，并具有一交错角Θ62，且交错角Θ62的角度大于5度。
将测试点设计成大小相同的圆形，其优点为在制备测试点的工艺过程中，圆形的测试点较为容易实现，工艺流程简单。
实施例七
在上述实施例一、五的基础上，如图8所示，本发明还公开了一种TFT阵列基板，包括一基板17，具有显示区域AA和显示区域的外围区域DA；焊盘测试区27（如图8中椭圆形虚线框所示），形成在所述外围区域DA。配向膜（图中未示出），形成在显示区域AA，配向膜具有配向方向R。
本实施例是基于实施例一、五的技术方案之上，与实施例一、五相同之处，在此就不再赘述。
本实施例与实施例一、五不同之处在于：
参考图8，其中焊盘测试区27包括多个测试点371，排列成一行，且测试点371相互之间为等间距的排列，且测试点371为大小相同的等边三角形。
另外，等边三角形的测试点371与相邻的测试点相互间排列方式为：至少会形成两个间隙，即间隙471、间隙472。其中间隙471具有间隙方向G71，间隙472具有间隙方向G72。
继续参考图8，间隙方向G71与配向方向R在同一平面上交错，并具有一交错角Θ71，且交错角Θ71的角度大于5度；间隙方向G72与配向方向R在同一平面上交错，并具有一交错角Θ72，且交错角Θ72的角度大于5度。
如此将测试点371设计成等边三角形，目的是在于：由于等边三角形的对称性好，在测试点排列在焊盘区上，可以节省更多的焊盘区的排列空间。
本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (11)

1.一种TFT阵列基板，包括：一基板，具有显示区域和所述显示区域的外围区域；
焊盘测试区，形成在所述外围区域，所述焊盘测试区包括至少两个测试点，所述测试点相互之间至少存在一间隙，所述间隙具有间隙方向；
配向膜，形成在所述显示区域，所述配向膜具有配向方向；
所述间隙方向与所述配向方向在同一平面上交错，并至少具有一交错角；
所述交错角中至少有一交错角大于5度。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述测试点相互间的排列方式为穿插交错排列。
3.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述测试点至少排列成两行，即第一行测试点、第二行测试点，所述第一行测试点与所述第二行测试点是相互穿插交错排列。
4.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述测试点至少排列成三行，即第一行测试点、第二行测试点、第三行测试点，所述第一行测试点、所述第二行测试点及所述第三行测试点相互间穿插交错排列。
5.如权利要求3或4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述测试点的几何外形相同且大小一致。
6.如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述测试点的几何外形为圆形、三角形、四边形、五边形、六边形、七边形或八边形。
7.如权利要求6所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述四边形为平行四边形、菱形或正方形。
8.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述焊盘测试区至少包括Data R测试点、Data G测试点、Data B测试点、COM测试点、Switch测试点、Gate Odd测试点、Gate Even测试点。
9.如权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述焊盘测试区还包括STV测试点、CLK测试点或CKB测试点。
10.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1-9任一项所述的TFT阵列基板，与所述TFT阵列基板相对设置的彩膜基板，以及位于所述TFT阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求10所述的显示面板。
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