CN101846888B - 曝光机台、阵列基板、图案化薄膜、光刻胶层及形成方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了曝光机台、图案化薄膜的形成方法、图案化光刻胶层的形成方法、主动元件阵列基板以及图案化薄膜，该曝光机台适于对一薄膜上的一光刻胶层进行曝光，以于光刻胶层上形成多个条状曝光图案，而曝光机台包括一光源、一透镜组以及一光掩模。透镜组配置于光刻胶层与光源之间，透镜组包括多个彼此平行排列的条状透镜，其中任二相邻条状透镜的重迭区域定义为一透镜接合区域，而透镜接合区域以外的区域则定义为多个透镜区域。光掩模配置于光刻胶层与透镜组之间，其中光掩模具有多个遮光图案，遮光图案的外轮廓对应于条状曝光图案，而各遮光图案分别具有一条状开口，且条状开口的延伸方向实质上平行于遮光图案的延伸方向。

Description

曝光机台、阵列基板、图案化薄膜、光刻胶层及形成方法

技术领域

本发明涉及一种曝光机台、阵列基板、图案化薄膜、图案化光刻胶层，且涉及一种能曝出较小间距的曝光机台。

背景技术

随着液晶显示器的显示规格不断地朝向大尺寸发展，市场对于液晶显示器的性能要求是朝向高对比(High Contrast Ratio)、快速反应与广视角等特性，为了克服大尺寸液晶显示面板的视角问题，液晶显示面板的广视角技术也必须不停地进步与突破。其中，以多域垂直配向式(Multi-domain VerticalAlignment mode，MVA mode)的液晶显示面板为目前较为常见的广视角技术，如多域垂直配向式(Multi-domain Vertical Alignment，MVA)液晶显示面板、聚合物稳定配向(Polymer Stabilized Alignment，PSA)液晶显示面板等。

以聚合物稳定配向液晶显示面板为例，其像素电极包括多组条状图案，且各组条状图案之间以条状狭缝(slit)彼此分隔，这些条状图案例如是将像素电极划分为四个配向区域，使得液晶层内的液晶分子呈现多方向的倾倒，而达到广视角的需求。然而，以现有技术来看，条状图案的宽度(line width)与间隔(即狭缝的宽度)通常为5微米及3微米的组合，然而，在宽度/间隔为5微米/3微米的设计条件下，聚合物稳定配向液晶显示面板的液晶效率(liquidcrystal efficiency)仍有改善的空间。因此，为了进一步提升聚合物稳定配向液晶显示面板的液晶效率，必须从缩小条状图案以及狭缝的宽度着手。

一般来说，条状图案的间距(pitch)主要是由作为其掩模层的图案化光刻胶层决定，而图案化光刻胶层的间距则取决于光掩模的遮光图案的宽度及图案设计。此外，由于曝光机台的透镜组是由多个彼此平行排列的条状透镜所组成，因此，任二相邻条状透镜的衔接处会具有一重迭区域，这些重迭区域的光学特性会较差，而导致通过这些重迭区域的光线较弱。换言之，在相同的曝光条件下，会因为重迭区域的存在，导致对应到重迭区域的光刻胶材料层的曝光剂量不足，而曝出具有较大宽度及较小间隔的光刻胶图案。如此一来，以光刻胶图案为掩模所形成的条状图案虽具有相同的间距(即宽度与间隔的总和相同)，但会具有不同的宽度/间隔比例，导致聚合物稳定配向液晶显示面板的显示画面出现亮暗线的问题，即所谓的透镜色不均(Lens mura)。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种曝光机台，能曝出较小间距。

本发明另提供一种图案化薄膜的形成方法和图案化光刻胶层的形成方法，其采用上述曝光机台来进行曝光，以形成具有较小间距的图案。

本发明又提供一种主动元件阵列基板，其中分布于不同区域的图案具有不同的临界尺寸。

本发明再提供一种图案化薄膜，其中分布于不同区域的图案具有不同的宽度/间隔比例。

为实现上述目的，本发明提出一种曝光机台，适于对一薄膜上的一光刻胶层进行曝光，以于光刻胶层上形成多个条状曝光图案，而曝光机台包括一光源、一透镜组以及一光掩模。透镜组配置于光刻胶层与光源之间，透镜组包括多个彼此平行排列的条状透镜，其中任二相邻条状透镜的重迭区域定义为一透镜接合区域，而透镜接合区域以外的区域则定义为多个透镜区域。光掩模配置于光刻胶层与透镜组之间，其中光掩模具有多个遮光图案，遮光图案的外轮廓对应于条状曝光图案，而各遮光图案分别具有一条状开口，且条状开口的延伸方向实质上平行于遮光图案的延伸方向。

其中，各该遮光图案的宽度为L，任二相邻遮光图案之间的间隔为S，且宽度L与间隔S的总和为6微米。

其中，宽度L为4微米，间隔S为2微米。

其中，宽度L为3.5微米，间隔S为2.5微米。

其中，该光掩模具有多个第一曝光区域以及多个第二曝光区域，该第一曝光区域与该第二曝光区域交替排列，各该第一曝光区域分别对应于其中一透镜接合区域，且各该第二曝光区域分别对应于其中一透镜区域。

其中，位于该第一曝光区域内的遮光图案包括：多个第一遮光图案，各该第一遮光图案分别具有一第一条状开口；以及多个第二遮光图案，各该第二遮光图案分别具有一第二条状开口，其中各该第一条状开口的宽度为SB1，各该第二条状开口的宽度为SB2，且宽度SB1小于宽度SB2。

其中，在该第二曝光区域内，各该遮光图案的条状开口的宽度为SB，且宽度SB等于宽度SB1。

其中，宽度SB1为1.0微米，宽度SB2为1.1微米。

其中，该第二遮光图案随机分布于该第一曝光区域内。

其中，该第二遮光图案在该第一曝光区域内的分布密度由中央往两侧递减。

本发明另提出一种图案化薄膜的形成方法。首先，于一薄膜上形成一光刻胶层。接着，将已形成有光刻胶层的薄膜置于前文所述的曝光机台内，对光刻胶层进行曝光。然后，对光刻胶层进行显影，以于薄膜上形成一图案化光刻胶层。而后，以图案化光刻胶层为掩模，图案化薄膜。

本发明又提出一种图案化光刻胶层的形成方法。首先，将一光刻胶层置于前文所述的曝光机台内，对光刻胶层进行曝光。接着，对光刻胶层进行显影，以于薄膜上形成一图案化光刻胶层。

本发明再提出一种主动元件阵列基板。主动元件阵列基板具有多个第一区域以及多个第二区域，其中第一区域内的图案化薄膜的临界尺寸为CD1，第二区域包括多个分布于其中的补偿区域，分布于补偿区域内的图案化薄膜的临界尺寸为CD2，而分布于补偿区域以外的图案化薄膜的临界尺寸为CD3，且临界尺寸CD2小于临界尺寸CD3。其中，补偿区域例如是随机分布于第二区域中。

其中，在该第二区域内，该补偿区域所占的面积比率由中央往两侧递减。

其中，临界尺寸CD1等于临界尺寸CD3。

其中，临界尺寸CD1小于临界尺寸CD3。

本发明另提出一种图案化薄膜。图案化薄膜包括多个阵列排列的像素电极，且各像素电极包括多组不同延伸方向的条状图案，图案化薄膜具有多个第一区域以及多个第二区域，其中第一区域内的像素电极的宽度/间隔比例为L1/S1，第二区域包括多个分布于其中的补偿区域，分布于补偿区域内的像素电极的宽度/间隔比例为L2/S2，而分布于补偿区域以外的像素电极的宽度/间隔比例为L3/S3，且宽度/间隔比例L2/S2小于宽度/间隔比例L3/S3。其中，补偿区域例如是随机分布于第二区域中。

其中，该像素电极为聚合物稳定配向型态的像素电极。

其中，宽度/间隔比例L1/S1的范围为1.4～3。

其中，宽度/间隔比例L2/S2的范围为0.7～1.3。

其中，宽度/间隔比例L3/S3的范围为1.4～3。

基于上述，本发明的曝光机台能曝出具有较小间距的图案，且由于光掩模的遮光图案是对应于透镜组设计，因而能补偿透镜组的透镜接合区域与透镜区域在光学特性上的差异。

附图说明

图1A是根据本发明一实施例的一种曝光机台的示意图；

图1B是图1A的光掩模的上视示意图；

图2A至图2C是根据本发明一实施例的一种图案化薄膜的形成方法的流程剖面示意图；

图3是根据本发明一实施例的一种主动元件阵列基板的示意图；

图4是根据本发明一实施例的一种图案化薄膜的上视示意图。

其中，附图标记：

100：曝光机台

110：光源

120：透镜组

122：条状透镜

124：透镜接合区域

126：透镜区域

130：光掩模

132a、132b：曝光区域

134a、134b、134c：遮光图案

136a、136b、136c：条状开口

195：材料层

200：薄膜

210、210a：光刻胶层

212：曝光图案

300：图案化薄膜

302、304、402、404：区域

306、406：补偿区域

310a、310b、310c：像素电极

312：条状图案

400：主动元件阵列基板

401：基板

CD1、CD2、CD3：临界尺寸

D：显影

E：曝光

L、L1、L2、L3、SB、SB1、SB2：宽度

P：间距

S、S1、S2、S3：间隔

具体实施方式

图1A是根据本发明一实施例的一种曝光机台的示意图，以及图1B是图1A的光掩模的上视示意图。请参照图1A，本实施例的曝光机台100适于对一薄膜200上的一光刻胶层210进行曝光，以于光刻胶层210上形成多个条状曝光图案212。曝光机台100包括一光源110、一透镜组120以及一光掩模130。光源110可以是氟化氪激光、氟化氩激光、氟激光或是其它已知的曝光光源。透镜组120配置于光刻胶层210与光源110之间。透镜组120包括多个彼此平行排列的条状透镜122，其中任二相邻条状透镜122的重迭区域定义为一透镜接合区域124，而透镜接合区域124以外的区域则定义为多个透镜区域126。换言之，透镜组120包括交替排列的多个透镜接合区域124及多个透镜区域126。其中，透镜接合区域124的光学特性通常会比透镜区域126的光学特性差，举例来说，透镜接合区域124的透光率可能会低于透镜区域126的透光率。

请同时参照图1A与图1B，光掩模130配置于光刻胶层210与透镜组120之间，其中光掩模130具有多个遮光图案134a、134b、134c。遮光图案134a、134b、134c的外轮廓对应于条状曝光图案212，而各遮光图案134a、134b、134c分别具有一条状开口136a、136b、136c，且条状开口136a、136b、136c的延伸方向实质上平行于遮光图案134a、134b、134c的延伸方向。在本实施例中，遮光图案134a、134b、134c的外轮廓例如是条状，且遮光图案134a、134b、134c的延伸方向可以相同或不同。其中，遮光图案134a、134b、134c的宽度为L，任二相邻遮光图案134a、134b、134c之间的间隔为S，且宽度L与间隔S的总和(即间距P)例如是6微米。举例来说，在一实施例中，宽度L例如是4微米，而间隔S例如是2微米，而在另一实施例中，宽度L可以是3.5微米，而间隔S可以是2.5微米。

请参照图1B，在本实施例中，光掩模130例如是具有多个第一曝光区域132a以及多个第二曝光区域132b，第一曝光区域132a与第二曝光区域132b交替排列。各第一曝光区域132a例如是分别对应于其中一透镜接合区域124，且各第二曝光区域132b例如是分别对应于其中一透镜区域126。特别说明的是，此处的对应指的是光源110所发出的光线经过透镜接合区域124后会照射到第一曝光区域132a，而光源110所发出的光线经过透镜区域126后会照射到第二曝光区域132b。其中，位于第一曝光区域132a内的遮光图案134a、134b例如是包括多个第一遮光图案134a与多个第二遮光图案134b，各第一遮光图案134a分别具有一第一条状开口136a，以及各第二遮光图案134b分别具有一第二条状开口136b，其中各第一条状开口的宽度为SB1，而各第二条状开口的宽度为SB2，且宽度SB1小于宽度SB2。在本实施例中，第二遮光图案134b例如是平均随机分布于第一曝光区域132a内，或是第二遮光图案134b虽是随机分布在第一曝光区域132a内，但其分布密度例如是由中央往两侧递减，类似于高斯分布。举例来说，第二遮光图案134b在第一曝光区域132a的中央处的分布密度例如是30％，而由中央至两侧的分布密度例如是依序为20％及10％。当然，第二遮光图案134b的分布方式可以根据使用者及设计需求而有所不同，本发明未对其加以限制。

在本实施例中，在第二曝光区域132b内，各遮光图案134c的条状开口136c的宽度为SB，且宽度SB实质上等于宽度SB1。其中，条状开口136a、136b、136c的宽度SB1、SB2、SB例如是小于曝光机台100的最小分辨率，因此这些条状开口136a、136b、136c在曝光工艺中并不会被转移到光刻胶层210上。在本实施例中，宽度SB1例如是1.0微米、宽度SB2例如是1.1微米，以及宽度SB例如是1.0微米。其中，在第一曝光区域132a内，条状开口136a的宽度SB1例如是实质上等于第二曝光区域132b内的条状开口136c的宽度SB，而条状开口136b的宽度SB2例如是大于第二曝光区域132b内的条状开口136c的宽度SB。因此，在相同的光源强度下，相较于条状开口136a、136c，条状开口136b能允许较多的光线通过。如此一来，遮光图案134a、134b、134c的条状开口136a、136b、136c的宽度差异能补偿透镜组120在不同区域的光学特性的差异。

一般来说，现有的曝光机台所能达到的宽度L与间隔S的总和(即间距P)为8微米，而本实施例的曝光机台100利用在光掩模130的遮光图案134a、134b、134c中设计条状开口136a、136b、136c，能突破现有的工艺极限而曝出具有较小间距P的图案。此外，由于本实施例的光掩模130的遮光图案134a、134b、134c是对应于透镜组120的透镜接合区域124与透镜区域126设计，因此，能补偿透镜接合区域124与透镜区域126在光学特性上的差异。

接下来将说明以图1所示的曝光机台100来形成图案化薄膜的方法。图2A至图2C是根据本发明一实施例的一种图案化薄膜的形成方法的流程剖面示意图。请参照图2A，首先，于一薄膜200上形成一光刻胶层210。在本实施例中，薄膜200例如是形成于一材料层195上，且薄膜200的材料例如是铟锡氧化物或铟锌氧化物等适于制作像素电极的透明导电材料。光刻胶层210例如是正型光刻胶，其形成方法例如是旋转涂布法。接着，将已形成有光刻胶层210的薄膜200置于图1所示的曝光机台100内，对光刻胶层210进行曝光E。

请参照图2B，然后，对光刻胶层210进行显影D，以于薄膜200上形成一图案化光刻胶层210a，其中图案化光刻胶层210a包括多个条状曝光图案212。在本实施例的曝光机台100的光掩模130中，遮光图案134a、134b、134c的宽度为L，任二相邻遮光图案134a、134b、134c之间的间隔为S，且宽度L与间隔S的总和(即间距P)例如是6微米。因此，图案化光刻胶层210a的条状曝光图案212例如是具有宽度L及间隔S，且宽度L与间隔S的总和(即间距P)例如是6微米。此外，特别说明的是，虽然光掩模130的遮光图案134a、134b、134c中设计有条状开口136a、136b、136c，但由于条状开口136a、136b、136c的宽度SB1、SB2、SB例如是小于曝光机台100的最小分辨率，因此，这些条状开口136a、136b、136c并不会在曝光工艺中被转移到图案化光刻胶层210a上。

请参照图2C，而后，以图案化光刻胶层210a为掩模，图案化薄膜200，以形成图案化薄膜300。在本实施例中，图案化薄膜200的方法例如是干式蚀刻工艺或湿式蚀刻工艺。再者，根据光掩模130的遮光图案134a、134b、134c的设计及使用者的需求，图案化薄膜300可以形成为多种组件。在下文中，将以图案化薄膜300为配置于主动元件阵列基板中的组件层来进行详细介绍。

图3是根据本发明一实施例的一种主动元件阵列基板的示意图。请参照图3，在本实施例中，主动元件阵列基板400包括一基板401与形成于基板401上的一图案化薄膜300。主动元件阵列基板400具有多个第一区域402以及多个第二区域404，其中第一区域402内的图案化薄膜300的临界尺寸为CD1，第二区域404包括多个分布于其中的补偿区域406，且补偿区域406例如是随机分布于第二区域404中。分布于补偿区域406内的图案化薄膜300的临界尺寸为CD2，而分布于补偿区域406以外的图案化薄膜300的临界尺寸为CD3，且临界尺寸CD2小于临界尺寸CD3。

在本实施例中，图3所示的图案化薄膜300例如是以图1A所示的曝光机台100来形成，其中主动元件阵列基板400的第一区域402与第二区域404分别对应于光掩模130的第二曝光区域132b与第一曝光区域132a，补偿区域406对应于第二遮光图案134b所分布的第一曝光区域132a。再者，第一区域402内的图案化薄膜300对应于第二曝光区域132b的遮光图案134c，其具有临界尺寸CD1。补偿区域406内的图案化薄膜300对应于第一曝光区域132a的第二遮光图案134b，其具有临界尺寸CD2，而分布于补偿区域406以外的图案化薄膜300对应于第一曝光区域132a的第一遮光图案134a，其具有临界尺寸CD3。此外，在本实施例中，补偿区域406是分布于第二区域404中，且补偿区域406例如是随机分布于第二区域404中。但在另一实施例中，补偿区域406虽是随机分布在第二区域404内，但补偿区域406所占的面积比率例如是由中央往两侧递减，类似于高斯分布。举例来说，补偿区域406的在第二区域404的中央处的分布密度例如是30％，而由中央至两侧的分布密度例如是依序为20％及10％。当然，补偿区域406的分布也可以根据使用者及设计需求而有所不同，本发明未对其加以限制。特别说明的是，理论上，临界尺寸CD1应会小于临界尺寸CD3，因此本发明对应地设计具有较小临界尺寸CD2(其小于临界尺寸CD1)的图案来进行补偿。然而，由于主动元件阵列基板的各区域的临界尺寸CD1可能有些许差异，因此临界尺寸CD1也有可能实质上等于临界尺寸CD3。其中，临界尺寸CD1、CD3例如是4.5微米或3.5微米。

在本实施例之主动元件阵列基板400中，第一区域402内的图案化薄膜300具有临界尺寸CD1，而第二区域404内的图案化薄膜300具有临界尺寸CD2、CD3。当主动元件阵列基板400应用于聚合物稳定配向液晶显示面板等显示面板且图案化薄膜300包括多个阵列排列的像素电极时，不同区域的像素电极的条状图案可以具有不同的临界尺寸。如此一来，具有不同临界尺寸CD2、CD3的条状图案在搭配下能使对应于第二区域404的显示画面的整体亮度实质上与对应于第一区域402的显示画面的亮度相近。因此，本实施例的主动元件阵列基板400能解决现有的显示画面亮度不均匀的问题，以提升面板的显示质量。

图4是根据本发明一实施例的一种图案化薄膜的上视示意图。请参照图4，在本实施例中，图案化薄膜300包括多个阵列排列的像素电极310a、310b、310c，且各像素电极310a、310b、310c包括多组不同延伸方向的条状图案312。在本实施例中，像素电极310a、310b、310c例如是聚合物稳定配向型态的像素电极，且条状图案312例如是将各像素电极310a、310b、310c划分成四个配向区域。特别说明的是，虽然在图4中是以在第二区域304中配置3行像素电极310b、310c以及补偿区域306配置于第二区域304中央为例，但这仅是为了使图式清楚，而非用以限制本发明，换言之，本发明未对像素电极310a、310b、310c的数目、像素电极310a、310b、310c的条状图案312的排列方式及延伸方向、补偿区域306分布于第二区域304中的形式等条件加以限制，使用者可以根据需求与实际情况来设计。

如图4所示，图案化薄膜300具有多个第一区域302以及多个第二区域304。第一区域302与第二区域304例如是交替排列。其中，第一区域302内的像素电极310a的宽度/间隔比例为L1/S1，第二区域304包括多个分布于其中的补偿区域306，且补偿区域306例如是随机分布于第二区域304中。分布于补偿区域306内的像素电极310b的宽度/间隔比例为L2/S2，而分布于而分布于第二区域304内且分布于补偿区域306以外的像素电极310c的宽度/间隔比例为L3/S3，且宽度/间隔比例L2/S2小于宽度/间隔比例L3/S3。其中，像素电极310a的宽度/间隔比例L1/S1例如是等于像素电极310c的宽度/间隔比例为L3/S3。在本实施例中，宽度/间隔比例L1/S1的范围例如是1.4～3，宽度/间隔比例L2/S2的范围例如是0.7～1.3，以及宽度/间隔比例L3/S3的范围例如是1.4～3。此外，宽度L1、L3例如是4.5微米、间隔S1、S3例如是1.5微米，而在另一实施例中，宽度L1、L3例如是3.5微米、间隔S1、S3例如是2.5微米。特别说明的是，补偿区域306可以随机分布在第二区域304中或者是根据使用者及设计需求而有所不同，本发明未对其加以限制。举例来说，在一实施例中，在第二区域304内，补偿区域306所占的面积比率例如是由中央往两侧递减，类似于高斯分布。举例来说，补偿区域306的在第二区域304的中央处的分布密度例如是30％，而由中央至两侧的分布密度例如是依序为20％及10％，但并不以此为限制。

特别说明的是，在本实施例中，图4所示的图案化薄膜300例如是以图1A所示的曝光机台100来形成，其中图案化薄膜300的第一区域302与第二区域304分别对应于光掩模130的第二曝光区域132b与第一曝光区域132a，补偿区域306对应于第二遮光图案134b所分布的第一曝光区域132a。像素电极310a的条状图案312对应于遮光图案134c，像素电极310c与像素电极310b的条状图案312分别对应于第一遮光图案134a与第二遮光图案134b。换言之，第一区域302对应于透镜区域126，而第二区域304对应于透镜接合区域124。

在本实施例中，以图1所示的曝光机台100所形成的像素电极310a、310b、310c具有较小的宽度L1、L2、L3及间隔S1、S2、S3，因此，能提升液晶效率，使显示画面具有较高的亮度。此外，本实施例在图案化薄膜300的第一区域302内配置宽度/间隔比例为L1/S1的像素电极310a，且在第二区域304内配置具有不同的宽度/间隔比例L2/S2、L3/S3的像素电极310b、310c。如此一来，像素电极310b及像素电极310c的搭配能使第二区域304所对应的显示画面的整体亮度实质上与像素电极310a所在的第一区域302所对应的显示画面的亮度相近，因而，能解决现有的显示画面亮度不均匀的问题，以提升面板的显示质量。

综上所述，在本发明的曝光机台中，光掩模的遮光图案具有条状开口，使曝光机台能在现有的分辨率下曝出具有较小间距的图案。此外，由于光掩模的遮光图案是对应于透镜组设计，因而能补偿透镜组的透镜接合区域与透镜区域在光学特性上的差异。因此，以本发明的曝光机台进行曝光所形成的图案化薄膜具有较小间距以及补偿性的配置方式，故将其应用于形成像素电极时，能提升液晶效率且使所呈现的显示画面具有一致的亮度。

此外，实务上，本发明的曝光机台所使用的光源及曝光条件实质上与现有相同，仅须根据需求设计具有不同遮光图案的光掩模，因此，不会造成制造成本的大幅提升。再者，以本发明的图案化薄膜的形成方法来制作主动元件阵列基板的像素电极能大幅提升显示面板的良率，并避免因显示画面亮度不均匀报废主动元件阵列基板，所造成的成本增加。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (12)

1.一种曝光机台，适于对一薄膜上的一光刻胶层进行曝光，以于该光刻胶层上形成多个条状曝光图案，其特征在于，该曝光机台包括：

一光源；

一透镜组，配置于该光刻胶层与该光源之间，该透镜组包括多个彼此平行排列的条状透镜，其中任二相邻条状透镜的重迭区域定义为一透镜接合区域，该些透镜接合区域以外的区域则定义为多个透镜区域；以及

一光掩模，配置于该光刻胶层与该透镜组之间，其中该光掩模具有多个遮光图案，该遮光图案的外轮廓对应于该条状曝光图案，各该遮光图案分别具有一条状开口，且该条状开口的延伸方向平行于该遮光图案的延伸方向，

其中，通过该遮光图案的该条状开口的宽度差异补偿透镜组在不同区域的光学特性的差异，并且，该条状开口的宽度小于该曝光机台的最小分辨率，该条状开口在曝光工艺中并不会被转移到该光刻胶层上。

2.根据权利要求1所述的曝光机台，其特征在于，各该遮光图案的宽度为L，任二相邻遮光图案之间的间隔为S，且宽度L与间隔S的总和为6微米。

3.根据权利要求2所述的曝光机台，其特征在于，宽度L为4微米，间隔S为2微米。

4.根据权利要求2所述的曝光机台，其特征在于，宽度L为3.5微米，间隔S为2.5微米。

5.根据权利要求1所述的曝光机台，其特征在于，该光掩模具有多个第一曝光区域以及多个第二曝光区域，该第一曝光区域与该第二曝光区域交替排列，各该第一曝光区域分别对应于其中一透镜接合区域，且各该第二曝光区域分别对应于其中一透镜区域。

6.根据权利要求5所述的曝光机台，其特征在于，位于该第一曝光区域内的遮光图案包括：

多个第一遮光图案，各该第一遮光图案分别具有一第一条状开口；以及

多个第二遮光图案，各该第二遮光图案分别具有一第二条状开口，其中各该第一条状开口的宽度为SB1，各该第二条状开口的宽度为SB2，且宽度SB1小于宽度SB2。

7.根据权利要求6所述的曝光机台，其特征在于，在该第二曝光区域内，各该遮光图案的条状开口的宽度为SB，且宽度SB等于宽度SB1。

8.根据权利要求6所述的曝光机台，其特征在于，宽度SB1为1.0微米，宽度SB2为1.1微米。

9.根据权利要求6所述的曝光机台，其特征在于，该第二遮光图案随机分布于该第一曝光区域内。

10.根据权利要求6所述的曝光机台，其特征在于，该第二遮光图案在该第一曝光区域内的分布密度由中央往两侧递减。

11.一种图案化薄膜的形成方法，其特征在于，包括：

于一薄膜上形成一光刻胶层；

将已形成有该光刻胶层的该薄膜置于权利要求1所述的曝光机台内，对该光刻胶层进行曝光；

对该光刻胶层进行显影，以于该薄膜上形成一图案化光刻胶层；以及

以该图案化光刻胶层为掩模，图案化该薄膜。

12.一种图案化光刻胶层的形成方法，其特征在于，包括：

将一光刻胶层置于权利要求1所述的曝光机台内，对该光刻胶层进行曝光；以及

对该光刻胶层进行显影，以于该薄膜上形成一图案化光刻胶层。

Images