CN210691003U - 显示面板及其主动元件阵列基板 - Google Patents

Abstract

本申请公开一种显示面板及其主动元件阵列基板。主动元件阵列基板包括一基板以及多个像素单元。基板上被定义出多个像素区，而多个像素单元设置在基板上，并分别配置在多个所述像素区内。每一像素单元包括主动元件、平坦层、像素电极层以及反射层。平坦层覆盖主动元件，并具有对应于主动元件的一连接孔。像素电极层设置在平坦层上，并通过连接孔电性连接于主动元件。反射层设置在像素电极层上并具有一开口，且开口对准于连接孔。

Description

显示面板及其主动元件阵列基板

技术领域

本申请涉及一种显示面板及其主动元件阵列基板，特别是涉及一种可提升反射对比的液晶显示面板及其主动元件阵列基板。

背景技术

液晶显示器(LCD)具有省电、体积小、高分辨率、画质稳定等多项优势，现已被广泛使用于计算机、电视等信息产品的显示屏幕。液晶显示器依其光源机制可分为穿透式、反射式及半穿反式三种类型。

在现有的半穿反式或反射式液晶显示面板中，在反射区内，会将一平坦层设置在薄膜晶体管(TFT)上。平坦层的厚度通常很厚，约2000nm至3000nm，以在薄膜晶体管上形成一平坦表面。另外，平坦层内通常具有一由平坦表面延伸至薄膜晶体管的其中一电极(源极或漏极)的连接孔，以使设置在平坦层上的像素电极可通过前述连接孔，电性连接于薄膜晶体管的其中一电极。

当反射层设置在平坦层的平坦表面上时，两个相对的上、下基板之间所定义出的间距(cell gap)在反射区内可保持一致，且可使显示面板具有较佳的反射率。

然而，由于反射层也会设置在平坦层的连接孔内壁面上，且在连接孔处为液晶的配向弱区，因此会造成暗态漏光，导致反射对比下降。前述的暗态漏光是指在暗态时，于连接孔处会产生亮点。尤其是当把像素区分割成多个不同的显示区时，所需要的连接孔也会越多，从而使暗态漏光的情况更严重。但若使用遮光层来遮蔽连接孔，虽然可抑制暗态漏光，但也会大幅牺牲反射率以及反射色度。

实用新型内容

本申请所要解决的技术问题在于，如何在避免大幅牺牲反射率与反射色度的情况下，减少半穿反式或反射式显示面板的暗态漏光，以提升反射对比。

为了解决上述的技术问题，本申请所采用的其中一技术方案是，提供一种主动元件阵列基板。主动元件阵列基板包括一基板以及多个像素单元。基板上被定义出多个像素区，而多个像素单元设置在基板上，并分别配置在多个所述像素区内。每一像素单元包括主动元件、平坦层、像素电极层以及反射层。平坦层覆盖主动元件，并具有对应于主动元件的一连接孔。像素电极层设置在平坦层上，并通过连接孔电性连接于主动元件。反射层设置在像素电极层上并具有一开口，且开口对准于连接孔。

为了解决上述的技术问题，本申请所采用的另一技术方案是，提供一种显示面板，其包括前述的主动元件阵列基板、彩色滤光阵列基板以及液晶层。彩色滤光阵列基板相对于主动元件阵列基板设置，而液晶层设置于主动元件阵列基板以及彩色滤光阵列基板之间。

本申请的其中一有益效果在于，本申请所提供的显示面板及其主动元件阵列基板，其能通过“反射层设置在像素电极层上并具有一开口，且开口对准于连接孔”的技术方案，可在避免过度牺牲反射率与反射色度的情况下，减少半穿反式或反射式显示面板的暗态漏光，以提升反射对比。

为使能更进一步了解本申请的特征及技术内容，请参阅以下有关本申请的详细说明与图式，然而所提供的图式仅用于提供参考与说明，并非用来对本申请加以限制。

附图说明

图1为本申请第一实施例的显示面板的局部剖面示意图。

图2为本申请实施例的主动元件阵列基板的局部上视示意图。

图3为本申请第二实施例的显示面板的局部剖面示意图。

符号说明

M1、M2 显示面板

1 主动元件阵列基板

10 基板

P 像素区

P1 反射区

P2 穿透区

11 第一信号线

12 第二信号线

13 像素单元

130 主动元件

CH 半导体层

130L 栅绝缘层

130G 栅极

130D 漏极

130S 源极

131 平坦层

131H 连接孔

131s 平坦表面

132 像素电极层

133 反射层

133H 开口

134 保护层

135 低反射导电层

2 彩色滤光阵列基板

LC 液晶层

具体实施方式

以下是通过特定的具体实施例来说明本申请所公开有关“显示面板及其主动元件阵列基板”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本申请的优点与效果。本申请可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本申请的构思下进行各种修改与变更。另外，本申请的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本申请的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本申请的保护范围。

应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种组件，但这些组件不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一组件与另一组件。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。

参阅图1至图2，本申请实施例提供一种显示面板M1，其包括：主动元件阵列基板1、彩色滤光阵列基板2以及液晶层LC。彩色滤光阵列基板2与主动元件阵列基板1彼此分隔并相对设置，而液晶层LC被夹设于主动元件阵列基板1与彩色滤光阵列基板2之间。

如图1与图2所示，主动元件阵列基板1包括基板10、多条第一信号线11、多条第二信号线12以及多个像素单元13。

在本实施例中，基板10可为透明绝缘基板，例如玻璃基板、塑料基板等，但不以此为限。请参照图2，第一信号线11与第二信号线12交错设置于基板10上，以定义出多个像素区P。须说明的是，图2中仅绘示两条第一信号线11以及一条第二信号线12为例来进行说明。另外，虽然第一信号线11以及第二信号线12在俯视方向上相互交错，但是第一信号线11与第二信号线12彼此电性绝缘。第一信号线11可为数据线，且第二信号线12可为扫描线，但不以此为限。

请参阅图2，每一个像素区P包括一反射区P1及一穿透区P2，穿透区P2位于反射区P1的一侧。另外，多个像素单元13(图2中绘示一个为例)设置在基板10上，并分别配置在多个像素区P内。

请参照图1，每一像素单元13包括主动元件130、平坦层131、像素电极层132以及反射层133。

主动元件130可以是薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)。以栅极薄膜晶体管作为主动元件130为例进一步说明。参照图1，主动元件130可包括一栅极130G、一栅绝缘层130L、一半导体层CH、一源极130S以及一漏极130D。

参照图1以及图2，栅极130G设置在基板10上，并且电性连接于第二信号线12(扫描线)。栅绝缘层130L覆盖在栅极130G上。半导体层CH设置于栅绝缘层130L上，且半导体层CH的材料可以是多晶硅、非晶硅或者金属氧化物半导体，本申请并不限制。

请参照图1，源极130S和漏极130D相对设置于半导体层CH上，且源极130S与漏极130D彼此分隔而相互绝缘。在本实施例中，源极130S会电性连接于对应的第一信号线11(数据线)，而漏极130D会电性连接于像素电极层132。在本实施例中，像素单元13还进一步包括设置在主动元件130上的保护层134。保护层134的材料可以是氧化硅或者是其他绝缘材料，本申请并不限制。

请参照图1，平坦层131具有一预定厚度，并覆盖在主动元件130上。在一实施例中，平坦层131的厚度约2000nm至3000nm，并具有一平坦表面131s，以设置反射层133。平坦层131的材料可以是有机绝缘材料或者是无机绝缘材料。有机绝缘材料例如树脂，而无机绝缘材料例如氧化硅或氮化硅，但不以此为限。

在本实施例中，平坦层131是设置在保护层134上。然而，在其他实施例中，保护层134也可以被省略。平坦层131具有一连接孔131H，且连接孔131H的位置对应于主动元件130的漏极130D或者源极130S的位置，以使像素电极层132可通过连接孔131H而电性连接于主动元件130。

在本实施例中，主动元件130的源极130S电性连接于第一信号线11，因此连接孔131H的位置会对应于漏极130D的位置，以使像素电极层132可电性连接于漏极130D。进一步而言，如图1所示，连接孔131H是由平坦层131的平坦表面131s向下延伸至漏极130D。另外，请参照图2，本申请实施例中，连接孔131H是位于反射区P1内。

请再参照图1，像素电极层132设置在平坦层131上，并通过连接孔131H电性连接于主动元件130。进一步而言，像素电极层132的其中一部份设置在平坦层131上，而另一部分覆盖连接孔131H的内壁面，并电性连接于主动元件130的漏极130D。像素电极层132例如是透明导电薄膜，如：氧化铟锡(ITO)。

反射层133设置在像素电极层132上，并具有与连接孔131H对准的开口133H。如图1所示，反射层133设置在平坦层131的平坦表面131s上，以反射来自于外部环境的光线。参照图2，在本实施例中，显示面板M1为半穿反式显示面板，只在反射区P1内设置反射层133，而穿透区P2内则未设置反射层133。然而，在其他实施例中，若是显示面板M1为反射式显示面板，反射层133可以覆盖整个像素区P。因此，反射层133的位置以及面积大小可以根据实际需求而决定，本申请并不限制。

参照图1与图2，在本申请实施例中，反射层133具有对准于连接孔131H所设置的开口133H，以减少暗态漏光。进一步而言，反射层133并未设置在连接孔131H内。据此，反射层133只覆盖位于平坦层131上的一部分像素电极层132，而并未覆盖位于连接孔131H内的另一部分像素电极层132。由于连接孔131H内并未设置任何反射层133，因此当显示面板M1处于暗态时，可避免在连接孔131H产生亮点。

另外，参照图2，反射层133的开口133H孔径会大于或者等于平坦层131的连接孔131H的孔径。在这个情况下，连接孔131H可由开口133H被裸露出来，如图2所示。然而，在另一实施例中，开口133H的侧壁会与连接孔131H的侧壁切齐。反射层133的开口133H的截面形状可以是圆形、椭圆形或多边形，其中多边形如三角形、梯形、正方形、菱形、星形等几何形状。

在一实施例中，开口133H的俯视形状会与连接孔131H的俯视形状相符。举例而言，开口133H与连接孔131H的俯视形状可以都是圆形、椭圆形或者多边形等几何形状。

然而，只要反射层133不填入连接孔131H内，本申请并不限制开口133H的俯视形状以及连接孔131H的俯视形状必须相同。在一实施例中，连接孔131H的俯视形状为三角形，而开口133H的俯视形状可以是四边形，但本申请不以此为限。

另外，为了避免过度降低反射率以及反射色度，开口133H区域相较于反射层133的面积占比R介于0.75％至3％之间。假设开口133H所占区域的面积为A1，反射层133的总面积(包括开口133H所占区域的面积A1)为A2，则前述的面积占比R＝(A1/A2)*100％。

请参照图3，显示本申请第二实施例的显示面板的局部剖面示意图。与前一实施例的显示面板M1不同之处在于，本实施例的显示面板M2中，像素单元13还进一步包括一低反射导电层135。

如图3所示，低反射导电层135是位于连接孔131H下方，并电性连接于主动元件130以及像素电极层132之间。详细而言，低反射导电层135位于主动元件130与连接孔131H之间，并接触位于连接孔131H底部的像素电极层132。进一步而言，低反射导电层135会覆盖漏极130D以及源极130S中的至少其中一者。在本实施例中，低反射导电层135会覆盖漏极130D以及源极130S。然而，在其他实施例中，低反射导电层135也可以只覆盖位于连接孔131H下方的漏极130D或者是源极130S。

由于漏极130D或者源极130S会位于连接孔131H下方，且漏极130D或者源极130S的材料通常为金属材料，因此当外部环境光投射到连接孔131H内时，有可能也会被漏极130D或者源极130S反射，而造成暗态漏光。在本实施例中，在连接孔131H正下方设置低反射导电层135，可以避免外部环境光再度被反射而造成暗态漏光。

另外，设置于连接孔131H内的一部份像素电极层132会接触位于连接孔131H下方的低反射导电层135，进而电性连接于主动元件130的漏极130D或者源极130S。在一实施例中，低反射导电层135的材料为氧化钼，且低反射导电层135的厚度范围是介于500至1000μm，对可见光的反射率是0至20％。

值得一提的是，低反射导电层135对可见光的反射率与厚度之间并非呈线性关系。相较于厚度小于550μm或大于750μm的低反射导电层135而言，厚度范围550μm至750μm的低反射导电层135对可见光的反射率较低。因此，在一较佳实施例中，低反射导电层135的厚度范围较佳是550μm至750μm，且低反射导电层135对可见光的反射率是0至15％。

实施例的有益效果

本申请的其中一有益效果在于，本申请所提供的显示面板及其主动元件阵列基板，其能通过“反射层133设置在平坦层131上并具有一开口133H，且开口133H对准于连接孔131H”的技术方案，可在避免过度牺牲反射率与反射色度的情况下，减少半穿反式或反射式显示面板的暗态漏光，以提升反射对比。

更进一步来说，本申请另一实施例的显示面板中，在连接孔131H下方设置覆盖漏极130D的低反射导电层135，可避免漏极130D反射外部环境光，而进一步减少暗态漏光。

以上所公开的内容仅为本申请的优选可行实施例，并非因此局限本申请的申请专利范围，所以凡是运用本申请说明书及图式内容所做的等效技术变化，均包含于本申请的申请专利范围内。

Claims (10)

1.一种主动元件阵列基板，其特征在于，所述主动元件阵列基板包括：

一基板，其定义出多个像素区；

多个像素单元，其设置在所述基板上，并分别配置在多个所述像素区内，其中，每一所述像素单元包括：

一主动元件；

一平坦层，其覆盖所述主动元件，并具有对应于所述主动元件的一连接孔；

一像素电极层，其设置在所述平坦层上，并通过所述连接孔电性连接于所述主动元件；以及

一反射层，其设置在所述像素电极层上并具有一开口，且所述开口对准所述连接孔。

2.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，每一所述像素单元还进一步包括：一低反射导电层，其配置在所述主动元件以及所述连接孔之间，并接触位于所述连接孔底部的所述像素电极层，其中，所述主动元件通过所述低反射导电层电性连接于所述像素电极层。

3.如权利要求2所述的主动元件阵列基板，其特征在于，所述低反射导电层的厚度范围介于550至750μm。

4.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，所述反射层覆盖位于所述平坦层上的一部分所述像素电极层，而未覆盖位于所述连接孔内的另一部分所述像素电极层。

5.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，所述主动元件包括一栅极、一栅绝缘层、一半导体层、一源极以及一漏极，所述栅绝缘层覆盖所述栅极，所述半导体层设置于所述栅绝缘层上，所述源极和所述漏极相对设置于所述半导体层上，所述源极或者所述漏极位于所述连接孔下方，且所述像素电极层通过所述连接孔电性连接于所述源极或者所述漏极。

6.如权利要求5所述的主动元件阵列基板，其特征在于，每一所述像素单元还进一步包括：一低反射导电层，其配置在所述主动元件以及所述连接孔之间，并接触位于所述连接孔底部的所述像素电极层，其中，所述低反射导电层覆盖所述漏极或者所述源极。

7.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，所述反射层的所述开口的孔径大于所述连接孔的孔径。

8.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，所述反射层的所述开口的截面形状为圆形、椭圆形或多边形。

9.如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，所述主动元件阵列基板还进一步包括：

多条第一信号线，其设置在所述基板上；

多条第二信号线，其设置在所述基板上，其中，多条所述第一信号线与多条所述第二信号线彼此电性绝缘，且多条所述第一信号线与多条所述第二信号线彼此交错，以定义出多个所述像素区。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

如权利要求1至9中任一项所述的主动元件阵列基板；

一彩色滤光阵列基板，其相对于所述主动元件阵列基板设置；以及

一液晶层，其设置于所述主动元件阵列基板以及所述彩色滤光阵列基板之间。

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