CN112015016B - 阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板。阵列基板用于显示面板，阵列基板的显示区具有透射区和反射区，阵列基板包括栅极、源漏电极、第一绝缘层、像素电极和反射电极，源漏电极上开设有第一开口，至少部分第一开口位于透射区；第一绝缘层设置于源漏电极和像素电极之间，第一绝缘层上开设有第二开口，且至少部分源漏电极经由第二开口与像素电极相互连接；反射电极和像素电极相互连接，反射电极设置于阵列基板朝向液晶层的一侧，至少部分反射电极位于反射区。本发明实施例的阵列基板能够减少阵列基板上开口的数量，减少由于开口数量较多导致的液晶分子紊乱。当阵列基板用于显示面板时，能够提高显示面板的显示效果。

Description

阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板

技术领域

本发明涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板。

背景技术

随着便携式智能终端设备的发展，人们对便携式智能终端设备的需求越来越明显，为了在不同光线环境中获得更好的显示效果，半反射半透式的显示产品应运而生。

在半反射半透式的显示模组中，显示区内既设置有透光显示结构还设置有反射显示结构。显示模组通常包括层叠设置的驱动电路、绝缘层、电极和液晶层。在透光显示结构中，为了实现透光，驱动电路、绝缘层对应上需要打孔，绝缘层上的打孔部位形成台阶结构。在反射显示结构中，为了实现电极与驱动电路连接，绝缘层对应于电极和驱动电路连接的部位也需要打孔，绝缘层上对应于电极和驱动电路的连接部位也会形成台阶结构。台阶结构会使得液晶的排列出现紊乱，进而导致显示漏光。

因此，亟需一种新的阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板。

发明内容

本发明提供一种阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板，旨在改善显示面板的漏光现象。

本发明第一方面的实施例提供一种阵列基板，用于显示面板，显示面板包括彩膜基板和液晶层，液晶层位于彩膜基板和阵列基板之间，阵列基板的显示区具有透射区和反射区，阵列基板包括栅极、源漏电极、第一绝缘层、像素电极和反射电极，其中：源漏电极上开设有第一开口，至少部分第一开口位于透射区；第一绝缘层设置于源漏电极和像素电极之间，第一绝缘层上开设有第二开口，且第二开口与第一开口至少部分交叠，至少部分源漏电极经由第二开口与像素电极相互连接；反射电极和像素电极相互连接，以使反射电极通过像素电极连接于源漏电极，反射电极设置于阵列基板朝向液晶层的一侧，至少部分反射电极位于反射区。

本发明第二方面的实施例提供一种阵列基板的制造方法，阵列基板的显示区具有透光区和反射区，方法包括：

在基板上形成栅极；

在栅极背离基板的一侧形成栅间绝缘层；

在栅间绝缘层背离栅极的一侧形成源漏电极，并对源漏电极图案化处理形成第一开口，至少部分第一开口位于透光区；

在源漏电极背离栅极的一侧形成第一绝缘层，并对第一绝缘层图案化处理形成第二开口，第二开口与第一开口至少部分交叠；

在第一绝缘层背离源漏电极的一侧形成像素电极，像素电极经由第二开口与源漏电极连接；

在像素电极背离第一绝缘层的一侧形成反射电极，至少部分反射电极位于反射区。

本发明第二方面的实施例提供一种阵列基板的制造方法，阵列基板的显示区具有透光区和反射区，方法包括：

在基板上形成源漏电极，并对源漏电极图案化处理形成第一开口，至少部分第一开口位于透光区；

在源漏电极背离基板的一侧形成栅间绝缘层；

在栅间绝缘层背离源漏电极的一侧形成栅极，并对栅极图案化处理形成第三开口，在阵列基板的厚度方向上，第一开口的正投影位于第三开口的正投影之内；

在栅极背离源漏电极的一侧形成第一绝缘层，并对第一绝缘层图案化处理形成第二开口，第二开口与第一开口至少部分交叠；

在第一绝缘层背离栅极的一侧形成像素电极，像素电极经由第三开口和第二开口与源漏电极连接；

在像素电极背离第一绝缘层的一侧形成反射电极，至少部分反射电极位于反射区。

本发明第四方面的实施例提供一种显示面板，其包括上述任一第一方面实施例的阵列基板。

在本发明实施例的阵列基板中，阵列基板用于显示面板。阵列基板包括栅极、源漏电极、第一绝缘层、像素电极和反射电极。至少部分源漏电极上的第一开口位于透射区，使得背光源的光能够透过第一开口实现透光显示。第一绝缘层上设置有第二开口，且第二开口和第一开口至少部分交叠，使得源漏电极能够与像素电极相互连接。因此第一开口既能够实现透光显示，还能够使得像素电极和源漏电极相互连接，从而能够减少阵列基板上的开口数量，使得阵列基板的厚度更加均一。至少部分反射电极位于反射区，通过反射电极能够实现反射显示。反射电极和像素电极相互连接，使得反射电极带有像素电极的点位，且反射电极通过像素电极与源漏电极相连，无需为反射电极设置专门与源漏电极相连的开口，能够进一步减少阵列基板上开口的数量，减少由于开口数量较多导致的液晶分子紊乱。当阵列基板用于显示面板时，能够提高显示面板的显示效果。

附图说明

通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。

图1示出一种显示面板的局部结构示意图；

图2示出图1中I-I处的剖视图；

图3示出图1中II-II处的剖视图；

图4是本发明实施例提供的一种显示面板的局部剖视图；

图5是本发明实施例提供的一种阵列基板的局部结构示意图；

图6是图5中A-A处的剖视图；

图7是图5中B-B处的剖视图；

图8是本发明另一实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图9是本发明又一实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图10是本发明再一实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图11是另一实施例中图5中B-B处的剖视图；

图12是本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法流程图；

图13至图30本发明实施例提供的阵列基板的成型过程图；

图31是本发明另一实施例提供的一种阵列基板的制造方法流程图。

附图标记说明：

10、彩膜基板；20、液晶层；21、液晶分子；30、阵列基板；31、基板；32、扫描线；33、公共电极；34、数据线；35、半导体层；36、连接线；

100、栅极；110、第三开口；120、绝缘涂层；

200、栅间绝缘层；210、第五开口；

300、源漏电极；310、第一开口；

400、第一绝缘层；410、第二开口；411、交叠部；412、外扩部；

500、像素电极；510、透光部；520、连接部；

600、反射电极；610、第四开口。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明，并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。

请一并参阅图1至图3，图1至图3示出了现有技术中一种显示面板的结构示意图。该显示面板的显示区具有反射区AA’和透射区BA’。显示面板包括彩膜基板10’、液晶层20’和阵列基板30’，液晶层20’位于彩膜基板10’和阵列基板30’之间。阵列基板30’包括栅极100’、栅间绝缘层200’、源漏电极300’、第一绝缘层400’、像素电极500’和反射电极600’。

在显示面板的透射区，栅极100’、栅间绝缘层200’、源漏电极400’和反射电极600’上均设置有通孔，以使光源的光能够由该通孔射出以实现透光显示。在显示面板的反射区，第一绝缘层400’上设置有通孔，以使像素电极500’经由该通孔与源漏电极300’相互连接，反射电极600’通过像素电极500’与源漏电极300’相互连接，使得反射电极100’能够被驱动并带电实现反射显示。

现有技术的显示面板的阵列基板30’厚度不均一，且阵列基板30’上存在至少两处由于开通孔导致的厚度不均一部位，液晶层20’内的液晶分子21’对应于该厚度不均一的部位会发生紊乱，且存在至少两个液晶分子21’紊乱中心，加剧了显示面板的漏光并降低了对比度，严重影响显示面板的显示效果。

为了解决上述技术问题，提出本发明。为了更好的理解本发明，下面结合图4至图30说明本发明的发明构思。

请一并参阅图4，图4为本发明实施例提供的一种显示面板的剖视图。

根据本发明实施例提供的显示面板。显示面板包括彩膜基板10、液晶层20和阵列基板30，液晶层20位于彩膜基板10和阵列基板30之间。在一些实施例中，阵列基板30背离液晶层20的一侧还设置有背光组件，背光组件包括光源。

请一并参阅图5至图7，图5为本发明实施例提供的一种阵列基板30的侧视图。图6为图5中A-A处的剖视图。图7为图5中B-B处的剖视图。

根据本发明实施例提供的阵列基板30，阵列基板30用于显示面板，显示面板包括彩膜基板10和液晶层20，液晶层20位于彩膜基板10和阵列基板30之间，阵列基板30的显示区具有透射区BA和反射区AA，阵列基板30包括栅极100、源漏电极300、第一绝缘层400、像素电极500和反射电极600，其中：源漏电极300上开设有第一开口310，至少部分第一开口310位于透射区BA；第一绝缘层400设置于源漏电极300和像素电极500之间，第一绝缘层400上开设有第二开口410，且第二开口410与第一开口310至少部分交叠，至少部分源漏电极300经由第二开口410与像素电极500相互连接；反射电极600和像素电极500相互连接，以使反射电极600通过像素电极500连接于源漏电极300，反射电极600设置于阵列基板30朝向液晶层20的一侧，至少部分反射电极600位于反射区AA。

在图5中，第二开口410的轮廓被反射电极600遮挡，为了更好的展示本发明的发明构思，在图5中以虚线示出第二开口410，虚线并不够成对反射电极600结构上的限定。

在本发明实施例的阵列基板30中，阵列基板30用于显示面板。阵列基板30包括栅极100、源漏电极300、第一绝缘层400、像素电极500和反射电极600。至少部分源漏电极300上的第一开口310位于透射区BA，使得背光源的光能够透过第一开口310实现透光显示。第一绝缘层400上设置有第二开口410，且第二开口410和第一开口310至少部分交叠，使得源漏电极300能够与像素电极500相互连接。因此第一开口310既能够实现透光显示，还能够使得像素电极500和源漏电极300相互连接，从而能够减少阵列基板30上的开口数量，使得阵列基板30的厚度更加均一。至少部分反射电极600位于反射区AA，通过反射电极600能够实现反射显示。反射电极600和像素电极500相互连接，使得反射电极600带有像素电极500的电位，且反射电极600通过像素电极500与源漏电极300相连，无需为反射电极600设置专门与源漏电极300相连的开口，能够进一步减少阵列基板30上开口的数量，减少由于开口数量较多导致的液晶分子21紊乱。当阵列基板30用于显示面板时，能够提高显示面板的显示效果。

此外，在本发明实施例提供的阵列基板30中，反射电极600通过像素电极500与源漏电极300相互连接，使得反射电极600和像素电极500能够通过同一个薄膜晶体管控制，从而能够简化阵列基板30的结构。

第一开口310和第二开口410的设置方式，例如在一些可选的实施例中，第一开口310位于靠近源漏电极300的中心位置设置，第一开口310可以贯穿源漏电极300并呈通孔状。

请一并参阅图8，图8示出本发明另一实施例提供的阵列基板30的结构示意图。在另一些可选的实施例中，第一开口310与源漏电极300的边缘连通并呈开口状。

现有技术中，第一绝缘层400上设置有至少两个通孔，其中一个通孔用于使得像素电极500与源漏电极300相互连接。受限于通孔工艺，通孔的尺寸不能设置的过小，通孔尺寸较大会使得液晶分子21在通孔处严重紊乱，影响显示效果。

在本发明的一些可选的实施例中，第二开口410包括交叠部411和外扩部412，交叠部411与至少部分第一开口310相互交叠，外扩部412由交叠部411沿远离第一开口310的方向延伸，至少部分源漏电极300由外扩部412露出；像素电极500包括相互连接的透光部510和连接部520，透光部510位于第一开口310，连接部520经由外扩部412与源漏电极300相互连接。

在图6中，以点划线和箭头示出交叠部411和外扩部412的区域。点划线和箭头并不构成对本发明实施例阵列基板30的结构限定。

在这些可选的实施例中，像素电极500包括透光部510和连接部520，交叠部411与至少部分第一开口310交叠，使得透光部510能够经由交叠部411位于第一开口310内，实现透光显示。连接部520通过第二开口410的外扩部412与源漏电极300相互连接。像素电极500的连接部530经由外扩部412与源漏电极300相互搭接。通过合理设置外扩部412的尺寸，能够控制连接部520与源漏电极300的搭接面积。因此在本发明实施例中，可以通过合理设置第一开口310和第二开口410的相对位置及尺寸，能够合理控制像素电极500与源漏电极300的接触面积，避免第二开口410和/或第一开口310尺寸过大导致液晶分子21紊乱，能够进一步提高显示面板的显示效果。

连接部520的设置方式有多种，请一并参阅图9，图9示出本发明又一实施例提供的阵列基板30的结构示意图。在又一些可选的实施例中，连接部520呈环状并环绕透光部510设置。对应的，当连接部520呈环状并环绕透光部510设置时，如图9所示，外扩部412呈环状并环绕交叠部411设置，使得环状的连接部520能够经由外扩部412与源漏电极300连接。

请继续参阅图5。在一些可选的实施例中，连接部520为多个，多个连接部520在透光部510的周侧间隔分布。当连接部520为多个，多个连接部520在透光部510的周侧间隔分布时，如图5所示，外扩部412为多个，多个外扩部412在交叠部411的周侧间隔分布，且外扩部412的设置位置和连接部520的设置位置相对应，以使连接部520能够经由外扩部412与源漏电极300连接。

请一并参阅图10，图10示出本发明再一实施例提供的阵列基板30的结构示意图。在再一些可选的实施例中，连接部520设置于透光部510的一侧。当连接部520设置于透光部510的一侧时，如图10所示，外扩部412设置于交叠部411的一侧，且外扩部412和连接部520的设置位置相对应，以使连接部520能够经由外扩部412与源漏电极300连接。

在一些可选的实施例中，沿阵列基板30的厚度方向(图6中的Z方向)，连接部520在第一绝缘层400上的正投影边缘距离透光部510在第一绝缘层400上的正投影边缘的最小距离为2μm～4μm。

在这些可选的实施例中，当连接部520和透光部510的尺寸满足上述尺寸范围时，既能够保证像素电极500和源漏电极300之间的过来流量，又能够避免由于连接部520尺寸过大，外扩部412尺寸过大加剧液晶分子21的紊乱。当阵列基板30用于显示面板时，能够提高显示面板的显示效果。

在一些可选的实施例中，像素电极500与源漏电极300的接触面积小于或等于20μm²。即连接部520的面积小于或等于20μm²。即外扩部412的面积小于或等于20μm²。

请继续参阅图5，例如外扩部412为两个且两个外扩部412的面积相同，外扩部412为矩形，外扩部412在第一方向(图5中的X方向)上的延伸长度为L，外扩部412在第二方向(图5中的Y方向)上的延伸宽度为d，则外扩部412的面积满足下述关系式：

2Ld≤20μm²

当外扩部412的面积满足上述关系时，能够避免第二开口410的尺寸过大导致液晶分子21紊乱加剧，能够改善显示面板的显示效果。

在一些可选的实施例中，栅极100上开设有第三开口110，在阵列基板30的厚度方向上，第一开口310的正投影位于第三开口110的正投影之内。能够使得光源发出的光透过第一开口310和第三开口110，避免栅极100遮挡影响透光显示。

请一并参阅图11，图11示出本发明还一实施例示出的阵列基板30的结构示意图。根据本发明的还一实施例，栅极100设置于像素电极500和源漏电极300之间，像素电极500经由第二开口410和第三开口110与源漏电极300相互连接。在这些可选的实施例中，阵列基板30采用顶栅结构，栅极100设置于源漏电极300朝向像素电极500的一侧。

在一些可选的实施例中，栅极100朝向第三开口110的内壁面涂覆有绝缘涂层120。以避免栅极100和像素电极500相互电连接，使得栅极100通过像素电极500和源漏电极300相互连通。

可选的，在这些实施例中，栅间绝缘层200上开设有第五开口210，以使像素电极500经由第五开口210与源漏电极300相互连接。

在一些实施例中，第五开口210和第三开口110的尺寸大于或等于第二开口410的尺寸，以使像素电极500的连接部520能够经由第二开口410、第三开口110和第五开口210与源漏电极300相互连接。可选的，第五开口210和第三开口110的尺寸等于第二开口410的尺寸。

在一些可选的实施例中，请继续参阅图5，栅极100设置于源漏电极300背离像素电极500的一侧。在这些可选的实施例中，阵列基板30采用底栅结构，栅极100设置于源漏电极300背离像素电极500的一侧。可选的，栅极100和源漏电极300之间还设置有栅间绝缘层200，以使栅极100和源漏电极300相互绝缘设置。

在一些可选的实施例中，反射电极600上还设置有第四开口610，第四开口610和第二开口410至少部分交叠设置。使得光源发出的光能够经由第一开口310、第二开口410和第四开口610射出，实现透光显示。

第四开口610的尺寸设置方式有多种，在一些可选的实施例中，沿阵列基板30的厚度方向，第二开口410的正投影位于第四开口610正投影内。

在这些可选的实施例中，第二开口410的正投影位于第四开口610正投影内，即第四开口610的尺寸大于或等于第二开口410，能够避免反射电极600遮挡光源，保证透光显示的显示效果。

请一并参阅图12，本发明另一方面实施例还提供一种阵列基板30的制造方法，阵列基板30可以为上述任一实施例的阵列基板30。阵列基板30具有透光区和反射区AA，阵列基板30的制造方法包括：

步骤S101：在基板31上形成栅极100。

在一些实施例中，当栅极100上具有第三开口110时，步骤S101还包括：对栅极100进行图案化处理以形成第三开口110。

步骤S102：在栅极100背离基板31的一侧形成栅间绝缘层200。

步骤S103：在栅间绝缘层200背离栅极100的一侧形成源漏电极300，并对源漏电极300图案化处理形成第一开口310，至少部分第一开口310位于透光区。

步骤S104：在源漏电极300背离栅极100的一侧形成第一绝缘层400，并对第一绝缘层400图案化处理形成第二开口410，第二开口410与第一开口310至少部分交叠。

步骤S105：在第一绝缘层400背离源漏电极300的一侧形成像素电极500，像素电极500经由第二开口410与源漏电极300连接。

步骤S106：在像素电极500背离第一绝缘层400的一侧形成反射电极600，至少部分反射电极600位于反射区AA。

在一些实施例中，当反射电极600上设置有第四开口610时，步骤S106还包括：对反射电极600进行图案化处理以形成第四开口610。

在本发明实施例提供的阵列基板30的制造方法中，步骤S103中在源漏电极300上形成了第一开口310，至少部分源漏电极300上的第一开口310位于透射区BA，使得背光源的光能够透过第一开口310实现透光显示。在步骤S104中在第一绝缘层400上形成了第二开口410，且第二开口410和第一开口310至少部分交叠，使得后续步骤S105中形成的像素电极500能够经由第二开口410与源漏电极300相互连接。从而能够减少阵列基板30上的开口数量，使得阵列基板30的厚度更加均一。至少部分反射电极600位于反射区AA，通过反射电极600能够实现反射显示。反射电极600和像素电极500相互连接，使得反射电极600带有像素电极500的点位，且反射电极600通过像素电极500与源漏电极300相连，无需为反射电极600设置专门与源漏电极300相连的开口，能够进一步减少阵列基板30上开口的数量，减少由于开口数量较多导致的液晶分子21紊乱。当阵列基板30用于显示面板时，能够提高显示面板的显示效果。

请一并参阅图13至30，以图5所示的阵列基板30的结构为例，举例说明阵列基板30的制造方法。

步骤一：请一并参阅图13至图15，图14为图13中C-C处的剖视图，图15为图13中C’-C’处的剖视图。

在基板31上形成第一金属层。第一金属层包括栅极100和扫描线31。栅极100上开设有第三开口110。在一些可选的实施例中，栅极100和阵列基板30的公共电极33同层设置，第一金属层还包括公共电极33。

步骤二：请一并参阅图16至图18，图17为图16中D-D处的剖视图，图18为图16中D’-D’处的剖视图。

在第一金属层上形成第二绝缘层。第二绝缘层包括位于栅极100上的栅间绝缘层200。第二绝缘对应于扫描线31的部位开设有通孔，以使至少部分扫描线31露出。可选的，第二绝缘层整层铺设，为了更好的展示本发明实施例的阵列基板30的结构，仅示意出了部分第二绝缘层，且栅间绝缘层200上显示了第三开口310的位置。

步骤三：请一并参阅图19至图21，图20为图19中E-E处的剖视图，图22为图19中E’-E’处的剖视图。

在第二绝缘层上形成第二金属层，第二金属层包括源漏电极300和数据线34。源漏电极300上开设有第一开口310。在第二绝缘层上通孔的对应位置形成半导体层35。半导体层35通过连接线36连接于源漏电极300。为了更好地展示各部件之间的相对位置关系，图19中省略了部分第二绝缘层。

步骤四：请一并参阅图22至图24，图23为图20中F-F处的剖视图，图24为图20中F’-F’处的剖视图。

在第二金属层上形成第一绝缘层400。第一绝缘层400通常是整层铺设，为了更好的展示本发明实施例的构思，仅示出了位于源漏电极300上的部分第一绝缘层400。第一绝缘层400上开设有第二开口410，第二开口410与第一开口310交叠，且第二开口410还包括上述的外扩部412。部分源漏电极300由外扩部412露出。

步骤五：请一并参阅图25至图27，图26为图25中G-G处的剖视图，图27为图25中G’-G’处的剖视图。

在第一绝缘层400上形成像素电极500层。像素电极500由第二开口410沉陷于第一开口310内。像素电极500经由第二开口410与源漏电极300相互连接。使得像素电极500的透光部510位于第一开口310，像素电极500的连接部520与源漏电极300相互连接。

步骤六：请一并参阅图28至图30，图29为图28中G-G处的剖视图，图30为图28中G’-G’处的剖视图。在像素电极500上形成反射电极600，反射电极600上形成有第四开口610。

请一并参阅图31，图31为本发明又一方面实施例提供的一种阵列基板30的结构示意图。该阵列基板30为上述任一实施例的阵列基板30。阵列基板30的制造方法包括：

步骤S201：在基板31上形成源漏电极300，并对源漏电极300图案化处理形成第一开口310，至少部分第一开口310位于透光区。

步骤S202：在源漏电极300背离基板31的一侧形成栅间绝缘层200。

步骤S203：在栅间绝缘层200背离源漏电极300的一侧形成栅极100，并对栅极100图案化处理形成第三开口110，在阵列基板30的厚度方向上，第一开口310的正投影位于第三开口110的正投影之内。

步骤S204：在栅极100背离源漏电极300的一侧形成第一绝缘层400，并对第一绝缘层400图案化处理形成第二开口410，第二开口410与第一开口310至少部分交叠。

步骤S205：在第一绝缘层400背离栅极100的一侧形成像素电极500，像素电极500经由第三开口110和第二开口410与源漏电极300连接。

步骤S206：在像素电极500背离第一绝缘层400的一侧形成反射电极600，至少部分反射电极600位于反射区AA。

在一些实施例中，当反射电极600上设置有第四开口610时，步骤S206还包括：对反射电极600进行图案化处理以形成第四开口610。

在本发明实施例的阵列基板30的制造方法中，步骤S201中在源漏电极300上形成了第一开口310，至少部分源漏电极300上的第一开口310位于透射区BA，使得背光源的光能够透过第一开口310实现透光显示。在步骤S204中在第一绝缘层400上形成了第二开口410，且第二开口410和第一开口310至少部分交叠，使得后续步骤S205中形成的像素电极500能够经由第二开口410与源漏电极300相互连接。从而能够减少阵列基板30上的开口数量，使得阵列基板30的厚度更加均一。至少部分反射电极600位于反射区AA，通过反射电极600能够实现反射显示。反射电极600和像素电极500相互连接，使得反射电极600带有像素电极500的点位，且反射电极600通过像素电极500与源漏电极300相连，无需为反射电极600设置专门与源漏电极300相连的开口，能够进一步减少阵列基板30上开口的数量，减少由于开口数量较多导致的液晶分子21紊乱。当阵列基板30用于显示面板时，能够提高显示面板的显示效果。

依照本发明如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (11)

1.一种阵列基板，用于显示面板，所述显示面板包括彩膜基板和液晶层，所述液晶层位于所述彩膜基板和所述阵列基板之间，其特征在于，所述阵列基板的显示区具有透射区和反射区，所述阵列基板包括栅极、源漏电极、第一绝缘层、像素电极和反射电极，其中：

所述源漏电极上开设有第一开口，至少部分所述第一开口位于所述透射区；

所述第一绝缘层设置于所述源漏电极和所述像素电极之间，所述第一绝缘层上开设有第二开口，且所述第二开口与所述第一开口至少部分交叠，至少部分源漏电极经由所述第二开口与所述像素电极相互连接；

所述反射电极和所述像素电极相互连接，以使所述反射电极通过所述像素电极连接于所述源漏电极，所述反射电极设置于所述阵列基板朝向所述液晶层的一侧，至少部分所述反射电极位于所述反射区；

所述第二开口包括交叠部和外扩部，所述交叠部与至少部分所述第一开口相互交叠，所述外扩部由所述交叠部沿远离所述第一开口的方向延伸，至少部分所述源漏电极由所述外扩部露出；

所述像素电极包括相互连接的透光部和连接部，所述透光部位于所述第一开口，所述连接部经由所述外扩部与所述源漏电极相互连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述连接部呈环状并环绕所述透光部设置；

或者所述连接部为多个，多个所述连接部在所述透光部的周侧间隔分布；

或者，所述连接部设置于所述透光部的一侧。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述阵列基板的厚度方向，所述连接部在所述第一绝缘层上的正投影边缘距离所述透光部在所述第一绝缘层上的正投影边缘的最小距离为2μm～4μm。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极上开设有第三开口，在所述阵列基板的厚度方向上，所述第一开口的正投影位于所述第三开口的正投影之内。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，

所述栅极设置于所述像素电极和所述源漏电极之间，所述像素电极经由所述第二开口和所述第三开口与所述源漏电极相互连接；

或者，所述栅极设置于所述源漏电极背离所述像素电极的一侧。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述反射电极上开设有第四开口，所述第四开口和所述第二开口至少部分交叠设置。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，沿所述阵列基板的厚度方向，所述第二开口的正投影位于所述第四开口正投影内。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开口为贯穿所述源漏电极并呈通孔状，或者所述第一开口与所述源漏电极的边缘连通并呈开口状。

9.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的显示区具有透光区和反射区，所述方法包括：

在基板上形成栅极；

在所述栅极背离所述基板的一侧形成栅间绝缘层；

在所述栅间绝缘层背离所述栅极的一侧形成源漏电极，并对所述源漏电极图案化处理形成第一开口，至少部分所述第一开口位于所述透光区；

在所述源漏电极背离所述栅极的一侧形成第一绝缘层，并对所述第一绝缘层图案化处理形成第二开口，所述第二开口与所述第一开口至少部分交叠；

在所述第一绝缘层背离所述源漏电极的一侧形成像素电极，所述像素电极经由所述第二开口与所述源漏电极连接；

在所述像素电极背离所述第一绝缘层的一侧形成反射电极，至少部分所述反射电极位于所述反射区；

在所述第二开口形成交叠部和外扩部，所述交叠部与至少部分所述第一开口相互交叠，所述外扩部由所述交叠部沿远离所述第一开口的方向延伸，至少部分所述源漏电极由所述外扩部露出；

在所述像素电极形成相互连接的透光部和连接部，所述透光部位于所述第一开口，所述连接部经由所述外扩部与所述源漏电极相互连接。

10.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述阵列基板的显示区具有透光区和反射区，所述方法包括：

在基板上形成源漏电极，并对所述源漏电极图案化处理形成第一开口，至少部分所述第一开口位于所述透光区；

在所述源漏电极背离所述基板的一侧形成栅间绝缘层；

在所述栅间绝缘层背离所述源漏电极的一侧形成栅极，并对所述栅极图案化处理形成第三开口，在所述阵列基板的厚度方向上，所述第一开口的正投影位于所述第三开口的正投影之内；

在所述栅极背离所述源漏电极的一侧形成第一绝缘层，并对所述第一绝缘层图案化处理形成第二开口，所述第二开口与所述第一开口至少部分交叠；

在所述第一绝缘层背离所述栅极的一侧形成像素电极，所述像素电极经由所述第三开口和所述第二开口与所述源漏电极连接；

在所述像素电极背离所述第一绝缘层的一侧形成反射电极，至少部分所述反射电极位于所述反射区。

11.一种显示面板，其特征在于，包括根据权利要求1-8任一项所述的阵列基板。

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