CN1870278A - 透射反射型液晶显示板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及晶体管阵列板，其包括：基板；设置于基板上的透明电极；设置于基板上的栅线；设置于透明电极和栅线上的栅绝缘层；设置于栅绝缘层上的半导体层；设置于半导体层上的数据线和漏电极；具有不平坦表面的第一绝缘层，该第一绝缘层设置于数据线和漏电极上；以及设置于第一绝缘层上的反射电极，该反射电极连接至透明电极和漏电极，其中至少部分透明电极被暴露。

Description

透射反射型液晶显示板及其制造方法
技术领域
本公开内容涉及一种透射反射型液晶显示器，尤其是一种包括晶体管阵列板的透射反射型液晶显示器及其制造方法。
背景技术
液晶显示器(LCD)包括面板组件(panel assembly)，该面板组件包括例如晶体管阵列板、滤色器板和插入其间的液晶层。由于LCD是一种不发光装置，因此面板组件之后配备用于提供光的背光单元。从背光单元发射的光的透射率根据液晶层中液晶分子的排列状态而决定。
LCD的种类包括用于通过利用例如背光单元的内部光源来显示图像的透射型LCD、用于通过利用例如自然光的外部光源来显示图像的反射型LCD以及透射反射型LCD。透射反射型LCD包括透射显示模式和反射显示模式。透射显示模式，其中图像通过利用内部光源来显示，能够用于外部光有限例如室内或暗处的场所。反射显示模式，其中图像通过反射外部光来显示，能够用于外部光充足例如室外或亮处的场所。
透射型LCD包括配置于面板组件之后的背光单元，并且从背光单元发射的光通过面板组件。透射型LCD与反射型LCD相比消耗更多能量并且更重和更厚。
反射型LCD与透射型LCD相比由于没有使用背光单元而消耗更少的能量。然而，使用外部光的反射型LCD当外部光未被充分提供时可能不能正确显示图像。
因为能够利用内部和/或外部光，透射反射型LCD能够具有充足亮度而不管周围亮度。
透射反射型LCD的常规晶体管阵列板通常通过使用大约七或八个掩模来制造。掩模例如用于形成栅电极、半导体层、源/漏电极、保护膜上的接触孔、有机绝缘层中的接触孔、透明电极和反射电极。
透射反射型LCD可在像素部分的反射区域和透射区域采用双单元间隙结构以减少例如由于光的路径差而引起的不平坦亮度。然而，由于用于形成双单元间隙结构的有机模的台阶差(step difference)，透明电极和反射电极在透射区域中会断开。此外，用于形成反射电极的蚀刻工艺可能损害透明电极。另外，当透明电极以台阶差形成时，用于反射电极的蚀刻剂能够沿着台阶差流至透明电极。在这一情况下，透明电极可能被腐蚀。
发明内容
根据本发明实施例的晶体管阵列板包括像素部分和焊盘(pad)部分。像素部分向液晶分子施加电场，焊盘部分向像素部分施加外部输入电压。
像素部分可包括具有薄模晶体管开关功能的栅电极、用于在一帧期间保持施加电压的辅助电容器电极、设置于栅电极和辅助电容器电极上的栅绝缘层、其中形成有沟道的半导体层、n+非晶硅层、提供有图像信息信号的数据线、源电极、漏电极、设置于源和漏电极上并且防止与外部电极短路的保护膜(钝化膜)、以及设置于保护膜上的不平坦有机层。
像素部分可包括反射区域和透射区域。反射区域可包括反射像素电极，其反射外部光并可设置于不平坦有机层上。透射区域可包括透明像素电极，其透射从配置于液晶显示板组件后表面的光源单元发出的光。该透明像素电极可设置于与栅电极和辅助电容器电极相同的层上。
根据本发明的一个实施例，反射像素电极和透明像素电极可在透射区域附近相互接触。
透明像素电极可包括铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。栅电极可包括铬(Cr)、铝合金(例如AlNd)和钼(Mo)中的至少一种金属。例如，栅电极可具有铬的单层结构、铬和铝的多层结构或钼和铝的多层结构。
源电极和漏电极可包括铬、铝合金(例如AlNd)和钼(Mo)中的至少一种金属。例如，源电极和漏电极可具有铬和铝或者钼、铝、和钼的多层结构。
焊盘部分可包括包括了连接至栅线并接收来自外部装置的控制信号的的栅扇出(fan-out)部分的栅焊盘部分、以及包括了连接至数据线并接收来自外部装置的图像信号的数据扇出部分的数据焊盘部分。
根据本发明的实施例，栅焊盘部分和数据焊盘部分可包括设置于基板上表面上的透明焊盘电极。透明焊盘电极可从与栅电极相同的层形成并可在透射区域与透明像素电极同时构图。
在根据本发明的实施例的栅焊盘部分中，透明焊盘电极可接触栅扇出部分。在透明焊盘电极和栅扇出部分上，可形成绝缘层、保护膜、和具有不平坦上表面的有机层。在有机层上，可形成接触透明焊盘电极和栅扇出部分的反射焊盘电极。
根据本发明的实施例的数据焊盘部分中，栅绝缘层、数据扇出部分、以及具有不平坦上表面的有机层可形成在透明焊盘电极上。在有机层上，可形成接触透明焊盘电极和栅扇出部分的反射焊盘电极。
缓冲层可在每一数据焊盘部分和栅焊盘部分中的反射焊盘电极和透明焊盘电极之间形成。缓冲层可包括绝缘层或金属层。缓冲层能够防止由透明焊盘电极和反射焊盘电极的电子亲合性(electron affinity)造成的腐蚀。
根据本发明的另一实施例的栅焊盘部分中，可形成栅扇出部分、形成在栅扇出部分上的栅绝缘层、保护膜、形成在保护膜上并具有不平坦上表面的有机层、以及形成在有机层上的反射焊盘电极。栅扇出部分可形成在与栅电极相同的层中并与栅电极一起构图。有机层可具有不平坦上表面，并且反射焊盘电极可接触栅扇出部分。
根据本发明的实施例的数据焊盘部分，可形成在栅绝缘层上形成的数据扇出部分、保护膜、具有不平坦上表面的有机层、以及形成在有机层上并接触数据扇出部分的反射焊盘电极。
根据本发明的实施例，像素部分中透射区域的透明像素电极可形成在基板上，该基板包括像素部分和焊盘部分，然后栅焊盘、栅电极、和辅助电容器电极可形成在基板上。接着，可形成薄膜晶体管(TFT)，其包括源电极、漏电极和半导体层。然后，在基板的像素部分，可形成有机层，其具有不平坦上表面并具有暴露TFT的漏电极的接触孔和用于透射区域透明像素电极的接触孔。然后，像素部分中的反射像素电极和基板的焊盘部分中的反射焊盘电极可被形成。反射像素电极和反射焊盘电极在像素部分和焊盘部分间的边界附近可彼此分离。可形成透射反射电极(transflective electrode)，其用于反射从有机层图案上部照射的光并透射从有机层图案下部照射的光，由此完成透射反射型液晶显示器。
根据本发明的实施例，第一光刻步骤可用于在基板上的像素部分的透射区域内形成透明像素电极。透明像素电极可包括铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。然后，栅金属层可沉积于基板上并通过采用第二光刻步骤构图。
栅电极可包括铬、铝合金和钼中的至少一种金属。例如，栅电极可包括铬的单层结构、铬/铝的多层结构或钼/铝的多层结构。
然后，栅绝缘层可被沉积，之后第三光刻步骤可用于依序形成包括沟道部分、源电极和漏电极的半导体部件，其形成薄膜晶体管。
半导体部件可具有非晶硅膜和n+非晶硅膜的双层结构。
源电极和漏电极可包括铬、铝合金(例如AlNd)和钼中的至少一种金属。例如，源电极和漏电极可包括铬-铝或钼-铝-钼的多层结构。
半导体层及用于源电极和漏电极的金属层被依序沉积之后，将光致抗蚀剂应用到金属层上。光致抗蚀剂可以是正光致抗蚀剂和负光致抗蚀剂，正光致抗蚀剂的曝光部分通过显影工艺被去除，负光致抗蚀剂的曝光部分通过显影工艺不被去除。
在应用光致抗蚀剂之后，照射在光致抗蚀剂上的曝光量通过利用狭缝掩模(slit mask)或透射反射掩模(transflective mask)可被调整从而在金属层上形成光致抗蚀剂图案。光致抗蚀剂图案可包括第一部分和第二部分，第一部分中将形成半导体部件、源电极和漏电极，第二部分具有比第一部分的厚度小的厚度。
然后，半导体部件、源电极和漏电极可利用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模而形成。然后，回蚀工艺可在光致抗蚀剂图案上执行，从而仅保留光致抗蚀剂图案的第一部分。之后，可形成沟道部分。
保护膜和有机层可依序沉积在基板上，该基板上形成有膜薄晶体管。有机层可直接沉积在源电极和漏电极上而没有保护膜。
当有机层直接接触沟道部分时，薄膜晶体管的OFF特性由于非晶硅的悬空键(dangling bond)可能劣化。该问题可通过烘烤工艺(bake process)得以解决。此外，由于液晶显示器的生产工艺以相应于大约200度或更高温度的热能执行，薄膜晶体管可自然地稳定，因此保护膜可省略。
然后，执行第四掩模蚀刻工艺以形成有机绝缘层，其具有不平坦上表面、暴露薄膜晶体管的漏电极的接触孔和用于透射区域的透明像素电极的接触孔。第四掩模工艺中，可涂敷感光膜并通过调整经过狭缝掩模或半透明掩模的曝光量而构图，从而不平坦上表面和接触孔可通过使用一个掩模而形成。
不平坦上表面对应于掩模的狭缝部分，并且暴露漏电极和透明电极的接触孔对应于掩模的开口。然后，干蚀刻工艺可通过使用有机层作为掩模来执行，从而去除留在透明电极上的栅绝缘层的部分。
反射金属层可依序形成在形成有有机层的基板上。可在反射金属层上执行第五掩模蚀刻工艺，从而在像素部分的反射区域中形成反射电极来反射外部光，并且去除像素部分的透射区域中的反射金属层的部分来暴露基板上的透明电极。该第五掩模蚀刻工艺可在栅焊盘部分和数据焊盘部分形成反射焊盘电极。
像素部分上的反射电极可接触透明电极和漏电极。缓冲层，具有防止电子亲和性引起的腐蚀的功能，可形成在反射层和透明区域的透明电极之间。
根据本发明的实施例，晶体管阵列板包括基板、设置于基板上的透明电极、设置于基板上的栅线、设置于透明电极和栅线上的栅绝缘层、设置于栅绝缘层上的半导体层、设置于半导体层上的数据线和漏电极、具有不平坦表面的第一绝缘层、以及设置于第一绝缘层上的反射电极，该第一绝缘层设置于数据线和漏电极上，该反射电极连接至透明电极和漏电极，其中至少一部分透明电极被暴露。
晶体管阵列板还可包括设置于第一绝缘层和数据线之间的第二绝缘层。
第一绝缘层可包括有机层，第二绝缘层可包括无机层。
第一绝缘层可包括感光膜。
第一绝缘层可具有暴露透明电极和漏电极的开口，并且反射电极可通过开口接触透明电极和漏电极。
晶体管阵列板还可包括在基板上形成的辅助电容器电极，并且该辅助电容器电极可与栅电极分离，并交迭漏电极。
晶体管阵列板还可包括设置于基板上的栅焊盘，并且栅焊盘(gate pad)可由与透明电极相同的层形成，并且接触栅线。
晶体管阵列板还可包括设置于第一绝缘层上的接触辅助部，并且第一绝缘层和栅绝缘层可具有暴露栅焊盘的接触孔，并且接触辅助部可通过接触孔连接至栅焊盘。
晶体管阵列板还包括设置于基板上的数据焊盘。该数据焊盘可由与透明电极相同的层形成，并可接触数据线。
晶体管阵列板可还包括设置于第一绝缘层上的接触辅助部。
该第一绝缘层和栅绝缘层可具有暴露数据焊盘和数据线的接触孔。接触辅助部可通过接触孔连接至数据线和数据焊盘。
晶体管阵列板还可包括设置于第一绝缘层上的接触辅助部。
该第一绝缘层和栅绝缘层可具有暴露栅线的部分的接触孔。接触辅助部可通过接触孔连接至栅线。
晶体管阵列板还可包括设置于第一绝缘层上的接触辅助部。
该第一绝缘层和栅绝缘层可具有暴露数据线的部分的接触孔。接触辅助部可通过接触孔连接至数据线。
根据本发明的实施例，制造晶体管阵列板的方法包括：在基板上形成透明电极，在基板上形成栅线，在栅线上形成栅绝缘层、半导体层、数据线和漏电极，形成具有不平坦表面和暴露漏电极和透明电极的开口的第一绝缘层，以及在该第一绝缘层上形成反射电极，其中反射电极通过开口接触漏电极和透明电极。
根据本发明的实施例，液晶显示器包括晶体管阵列板，该晶体管阵列板包括：基板；设置于基板上的透明电极；设置于基板上的栅线和数据线；连接至栅线和数据线的薄膜晶体管；具有不平坦表面并设置于栅线、数据线和薄膜晶体管上的第一绝缘层；和设置于第一绝缘层上的反射电极，其中反射电极连接至透明电极和薄膜晶体管，并且反射电极包括暴露至少一部分透明电极的透射窗；提供光给面板组件的光源；和提供电信号给光源和晶体管阵列板的驱动电路单元。
附图说明
本发明的示例性实施例可通过结合附图的以下描述更详细地理解，附图中：
图1是设置图，示出了根据本发明实施例的晶体管阵列板；
图2是晶体管阵列板沿图1的线A-A′的剖面图；
图3至8是晶体光阵列板的剖面图，用于显示制造根据本发明实施例的晶体管阵列板的方法；
图9是剖面图，示出了包括根据本发明实施例的晶体管阵列板的面板组件；
图10是透视图，示出了采用根据本发明实施例的面板组件的LCD；
图11是设置图，示出了根据本发明另一实施例的晶体管阵列板；以及
图12是晶体管阵列板沿图11的线B-B′的剖面图。
具体实施方式
本发明的具体实施例通过参考附图在下面充分说明。本发明可通过多种不同形式实施而不应被解释为限于此处阐明的实施例。
参考图1和2描述了根据本发明实施例的用于反射型LCD的晶体管阵列板。图1是设置图，示出了根据本发明实施例的晶体管阵列板。图2是晶体管阵列板沿图1的线A-A′的剖面图。
参考图1和2，多个透明电极21、多个栅焊盘22、多个数据焊盘23、多个栅线31、多个辅助电容器电极线34形成在绝缘基板10上，该基板包括例如透明玻璃。
透明电极21具有基本矩形形状并以预定间隔排列在基板10的中心区域。栅焊盘22和数据焊盘23以预定间隔设置于基板10的左部和上部。透明电极21、栅焊盘22和数据焊盘23包括透明导体材料，例如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)。栅电极32可与透射区域中的透明电极21同时构图。
栅线31传递栅信号并基本上在横向延伸。栅线31彼此分离。栅线31包括多个向上突出的栅电极32。每一栅线31的一端设置于栅焊盘22并接触栅焊盘22。
每一辅助电容器电极线34基本上在横向延伸并设置得靠近两相邻栅线31中下面的一条。每一辅助电容器电极线34包括多个向上突出的凸起(projection)。辅助电容器电极线34被供给预定电压，例如公共电压。
栅线31和辅助电容器电极线34可包括例如铝基金属例如铝(Al)和铝合金、银基金属例如银(Ag)和银合金、铜基金属例如铜(Cu)和铜合金、钼基金属例如钼(Mo)和钼合金、铬(Cr)、钛(Ti)或钽(Ta)。
根据本发明的实施例，栅线31和辅助电容器电极线34可具有多层结构，该多层结构包括不同物理特性的两导电层。两导电层之一可包括具有低电阻率的金属，例如铝基金属、银基金属和铜基金属以减少信号延迟或电压降。另一导电层可包括具有与其它材料的良好的物理、化学和电接触特性的材料，例如ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、钼基金属、铬、钛和钽。根据本发明的实施例，可采用下部铬或钼(合金)层和上部铝(合金)层的组合。栅线31和辅助电容器电极线34可包括各种金属和导体材料。
包括例如硅氮化物或硅氧化物的栅绝缘层41可在透明电极21、栅焊盘22、数据焊盘23、栅线31和辅助电容器电极线34上形成。
多个半导体带51在栅绝缘层41上形成。半导体带51基本上在纵向延伸。半导体带51可包括例如氢化非晶硅或多晶硅。半导体带51包括多个凸出54，该凸出54向着栅电极32、辅助电容器电极线34的扩大部分和透明电极21延伸。
多个线形和岛形欧姆接触52和53，包括例如硅化物或重掺杂n型杂质的n+氢化非晶硅，在半导体带51上形成。线形欧姆接触52包括多个凸出。线形欧姆接触52的凸出和岛形欧姆接触53的每对设置于半导体带51的凸出54上。
多个数据线61和多个漏电极63在欧姆接触52和53以及栅绝缘层41上形成。
数据线61基本上在纵向延伸从而与栅线31和辅助电容器电极线34交叉。数据线61传送数据电压。每数据线61包括多个向着栅电极32延伸的源电极62和覆盖数据焊盘23的端部。
每一漏电极63与源电极62关于插入其间的栅电极32而面对。漏电极63朝向辅助电容器电极线34和透明电极21延伸从而交迭辅助电容器电极线34的凸出和透明电极21。
根据本发明的实施例，数据线61和漏电极63包括例如钼基金属、耐熔金属(refractory metal)例如铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)、或其合金。数据线61和漏电极63可具有包括例如耐熔金属和低电阻率导电层的导电层的多层结构。作为多层结构实例，可采用下部铬(或钼合金)层和上部铝合金层的双层结构以及下部钼合金层、中间铝合金层和上部钼合金层的三层结构。根据本发明的实施例，可采用各种金属和导电材料。
欧姆接触52和53插入在下面的半导体51和上覆的数据线61之间以及下面的半导体51和上覆的漏电极63之间。欧姆接触52和53能够减少其间的接触电阻。半导体带51具有基本上与数据线61和漏电极63的形状相同的平坦形状。根据本发明的实施例，半导体带51暴露未被数据线61和漏电极63覆盖的部分，例如设置于源电极62和漏电极63之间的部分。
栅电极32、源电极62、漏电极63和半导体带51的凸出54形成薄膜晶体管(TFT)。薄膜晶体管的沟道形成于源电极62和漏电极63之间的凸出54内。
保护膜71和有机层75在数据线61、漏电极63和栅绝缘层41上形成。根据本发明的实施例，保护膜71包括无机材料例如硅氮化物和硅氧化物，有机层75包括感光有机材料。有机层75表面的高度是均匀的，并且有机层75的表面是不平坦的。分别暴露栅焊盘22和数据焊盘23的多个接触孔91和92、以及暴露透明电极21的多个开口93形成在有机层75、保护膜71和栅绝缘层41上。每个开口93还暴露漏电极63，以及每个接触孔92还暴露数据线61的端部。
多个反射电极83和多个接触辅助部81和82在有机层75上形成。
反射电极83通过开口93连接至漏电极63和透明电极21，并具有通过开口93暴露透明电极21的透射窗94。反射电极83具有对应于有机层75的不平坦表面的不平坦表面。
每一接触辅助部81通过接触孔91连接至栅焊盘22，每一接触辅助部82通过接触孔92连接至数据线61的端部和/或数据焊盘23。
反射电极83和接触辅助部81和82包括反射金属例如铝、铝合金、银合金和银。铝合金包括例如AlNd。银合金可以例如是AgPdCu(APC)。
在实施例中，缓冲层(未示出)可形成在焊盘22和23与接触辅助部81和82之间。缓冲层可包括例如绝缘材料或金属。缓冲层可防止腐蚀，该腐蚀例如由焊盘22和23及接触辅助部81和82的电子亲和性引起。
根据本发明的实施例，薄膜晶体管通过接触辅助部82和数据焊盘23接收从数据线61供给的数据电压。薄膜晶体管根据通过接触辅助部81和栅焊盘22从栅线31供给的栅信号来传送数据电压至反射电极83和透明电极21。反射电极83和透明电极21与在相对的面板(未示出)内的公共电极(未示出)一起产生电场。该电场决定插入在电极间的液晶层(未示出)中液晶分子的取向，从而通过液晶层的光的偏振可改变。
从基板10上部通过液晶层入射至反射电极83上的第一类型光被反射电极83反射并通过液晶层。从基板10下部通过透射窗94入射的第二类型光通过液晶层。第一类型光可由LCD的环境光来产生，而第二类型光可由配置到LCD的后表面或下侧的光源单元来产生。
透明电极21、反射电极83和公共电极与其中插入的液晶层起形成液晶电容器，其在薄膜晶体管断开后维持电压。为了提高电压储存能力，储存电容器与液晶电容器并联形成。储存电容器可通过交迭辅助电容器电极线34、电极83和21、及漏电极63而形成。
制造根据本发明实施例的图1和2中所示的薄膜晶体管阵列板的方法参考图3至8来描述。
参考图3，多个透明电极21、多个栅焊盘22和多个数据焊盘23形成在基板10上，该基板包括例如玻璃。参考图4，多个包括栅电极32的栅线31形成在基板10上。
参考图5，具有预定厚度的栅绝缘层41在基板10、透明电极21和栅线31上形成。
参考图6，本征非晶硅层、重掺杂n型杂质的非本征非晶硅层以及数据金属层依序形成在栅绝缘层41上。
利用包括光透射区域、光阻挡区域和半透明区域的掩模(未示出)形成具有与位置相关的厚度的感光膜。感光膜用于形成多条包括源电极62的数据线61、多个漏电极63、多个欧姆接触52和53以及多个包括凸出54的半导体带(stripe)51。在实施例中，掩模可以是狭缝掩模或半透明掩模(或双色调掩模(two-tone mask))。狭缝掩模在半透明区域具有狭缝，而半透明掩模在半透明区域具有半透明层。
参考图7，保护膜71和有机层75被沉积。在替代实施例中，保护膜71可省略。通过使用狭缝掩模或半透明掩模，有机层75被构图以形成多个接触孔91和92和多个开口93。利用掩模的狭缝或半透明层形成有机层75的不平坦表面或减少有机层75在焊盘22和23附近的高度。
参考图8，多个反射电极83和多个接触辅助部81和82在有机层75上形成。反射电极83通过开口93连接至漏电极63和透明电极21。接触辅助部81通过开口91连接至栅焊盘22。接触辅助部82通过接触孔92连接至数据线61和数据焊盘23。
图9示出了根据本发明实施例的面板组件160。面板组件包括图1和2中所示的晶体管阵列板161。
液晶层165插入晶体管阵列板161和滤色器板162之间。液晶层165调整光量以显示图像。面板组件160通过密封剂163密封以防止液晶分子泄漏。电信号由外部驱动电路通过短路件164施加于透明电极21。短路件164位于滤色器板162和晶体管阵列板161之间。因此，在透明电极21和反射电极83与公共电极之间产生电势差，因此可调整液晶层165中液晶分子的排列。
图10示出了包括图9中所示的面板组件160的LCD 100。LCD 100包括例如面板组件160、背光光源单元110和驱动电路单元120，该驱动电路单元传递由外部电路提供给光源单元110和面板组件160的电信号。
驱动电路单元120包括柔性印刷电路膜。驱动电路单元120传送外部电信号至光源单元110和面板组件160的半导体芯片。由于面板组件160是非发光装置，为了显示图像，需要用于提供具有充分亮度的光给面板组件160的光源。
在一实施例中，具有高亮度的发光二极管(LED)可用作光源单元110。发光二极管可用于应用在例如移动电话的装置中的中型或小型LCD。发光二极管可安装于驱动电路单元120上。
来自驱动电路单元120上的光源110的发光路径通过光导板140和反射板130从面板组件160的横向改变到纵向。
反射板130设置于光导板140之下。反射板130将来自光导板140的光反射回光导板140，因此从光导板140发出的光的发送效率被提高。
光导板140可收纳于壳体(container)170内。光源单元110包括例如点型(point-type)光源或棒型(bar-type)光源。光导板140转换来自光源单元110的入射光成为如同从类似板式光源发射出的光。
光学片150包括漫射片151、第一棱镜片152、第二棱镜片153和反射偏振片154。漫射板151将从光导板140发射的光漫射于漫射片151的整个区域上。当漫射于漫射片151的整个区域的光入射到面板组件160上时，如果入射光垂直于面板组件160，则光效率具有最高值。根据本发明的实施例，棱镜片152和153被层叠以在面板组件160的垂直方向引导通过漫射片151的光。
来自光导板140和反射板130的垂直入射光可通过排列于第一和第二棱镜片152和153上的三角棱镜被会聚。排列于第一棱镜片152上的第一棱镜的延伸方向垂直于排列于第二棱镜片153上的第二棱镜的延伸方向。由棱镜片152和153聚焦的光通过反射偏振片154发射，该反射偏振片154可包括例如双亮度增强膜(DBEF)。
反射偏振片154防止通过第和第二棱镜片152和153的光之中具有受限光学特性的光进入面板组件160，因此防止光效率下降。反射偏振片154反射来自面板组件160顶部表面的入射光并将反射光返回至面板组件160。
图11是设置图，示出了用于根据本发明另一实施例的透射反射型LCD的晶体管阵列板。图12是沿图11的线B-B′截取的晶体管阵列板的剖面图。
根据关于图1和2及图11和12描述的实施例，可用五个掩模制造晶体管阵列板。通过使用第一掩模透明电极21在像素部分的透射区域形成。包括栅电极32和端部33的多条栅线31、以及多条辅助电容器电极线34通过使用第二掩模构图栅导电层而形成。栅导电层可包括例如ITO或IZO。
然后，栅绝缘层41、包括例如非晶硅的半导体层和n+非晶硅层被沉积。之后，数据金属层被沉积。通过采用第三掩模工艺，数据金属层、n+非晶硅层和半导体层被构图从而形成多条包括数据电极62和端部64的数据线61、多个漏电极63、多个欧姆接触52和53、及多个半导体带51。如前参照图6所述，该步骤可通过使用狭缝掩模或透射反射掩模(transflective mask)来执行。
然后，在数据线61和漏电极63上沉积保护膜71和有机层75。之后，使用例如狭缝掩模或半透明掩模的第四掩模工艺被执行从而形成多个暴露栅线31的端部33的接触孔91、多个暴露数据线61的端部64的接触孔92、多个暴露漏电极63和透明电极21的开口93。此时，形成有机层75的不平坦表面。在实施例中，可省略保护膜71。
然后，将反射金属层沉积于有机层75上，并在反射金属层上执行第五掩模工艺从而形成多个反射电极83和多个接触辅助部81和82。在一实施例中，每个反射电极83接触漏电极63和透明电极21，接触辅助部81和82接触栅线31的端部33和数据线61的端部64。
根据本发明实施例的晶体管阵列板中，在像素部分反射区域的反射电极与像素部分透射区域的透明电极之间提供平滑台阶差。像素部分的反射电极在有机层上形成，并且像素部分透射区域的透明电极在基板上形成。结果，有助于双单元间隙结构的实现。
根据本发明实施例的晶体管阵列板的制造方法中，与传统方法相比使用了更少的掩模。
尽管已经参考附图描述了本发明的示例性实施例，应当理解本发明并不应限于这些确切的实施例，而是多种改变和修改可被本领域普通技术人员实施而不偏离本发明的实质和范围。所有这些改变和修改意图包括在如所附权利要求所限定的本发明的范围中。

Claims (21)

1.一种晶体管阵列板，包括：
基板；
设置于所述基板上的透明电极；
设置于所述基板上的栅线；
设置于所述透明电极和所述栅线上的栅绝缘层；
设置于所述栅绝缘层上的半导体层；
设置于所述半导体层上的数据线和漏电极；
具有不平坦表面的第一绝缘层，其中该第一绝缘层设置于所述数据线和所述漏电极上；以及
设置于所述第一绝缘层上的反射电极，其中该反射电极连接至所述透明电极和所述漏电极，并且至少部分所述透明电极被暴露。
2.如权利要求1的晶体管阵列板，其中所述部分透明电极通过所述反射电极中的透射窗而暴露。
3.如权利要求1的晶体管阵列板，还包括设置于所述第一绝缘层与所述数据线之间的第二绝缘层。
4.如权利要求3的晶体管阵列板，其中该第一绝缘层包括有机层，并且该第二绝缘层包括无机层。
5.如权利要求4的晶体管阵列板，其中该第一绝缘层包括感光膜。
6.如权利要求1的晶体管阵列板，其中该第一绝缘层具有暴露所述透明电极和所述漏电极的开口，并且其中所述反射电极通过该开口接触所述透明电极和所述漏电极。
7.如权利要求1的晶体管阵列板，还包括在所述基板上形成的辅助电容器电极，其中该辅助电容器电极与所述栅电极分离，并且交迭所述漏电极。
8.如权利要求1的晶体管阵列板，还包括设置于基板上的栅焊盘，其中该栅焊盘由与所述透明电极相同的层形成，并接触所述栅线。
9.如权利要求8的晶体管阵列板，还包括设置于所述第一绝缘层上的接触辅助部，
其中所述第一绝缘层和所述栅绝缘层具有暴露所述栅焊盘的接触孔，并且该接触辅助部通过该接触孔连接至栅焊盘。
10.如权利要求1的晶体管阵列板，还包括设置于所述基板上的数据焊盘，其中该数据焊盘由与所述透明电极相同的层形成，并接触所述数据线。
11.如权利要求10的晶体管阵列板，还包括设置于所述第一绝缘层上的接触辅助部，
其中所述第一绝缘层和所述栅绝缘层具有暴露所述数据焊盘和所述数据线两者的接触孔，并且其中该接触辅助部通过该接触孔连接至所述数据线和所述数据焊盘。
12.如权利要求1的晶体管阵列板，还包括设置于所述第一绝缘层上的接触辅助部，
其中所述第一绝缘层和所述栅绝缘层具有暴露所述栅线的部分的接触孔，并且该接触辅助部通过该接触孔连接至所述栅线。
13.如权利要求1的晶体管阵列板，还包括设置于所述第一绝缘层上的接触辅助部，
其中所述第一绝缘层具有暴露所述数据线的部分的接触孔，并且该接触辅助部通过该接触孔连接至所述数据线。
14.一种制造晶体管阵列板的方法，该方法包括：
在基板上形成透明电极；
在所述基板上形成栅线；
在所述栅线上形成栅绝缘层、半导体层、数据线和漏电极；
形成具有不平坦表面的第一绝缘层和暴露所述漏电极和所述透明电极两者的开口；以及
在所述第一绝缘层上形成反射电极，其中该反射电极通过该开口接触所述漏电极和所述透明电极。
15.如权利要求14的方法，还包括：
形成接触所述栅线的栅焊盘和接触所述数据线的数据焊盘，其中该栅焊盘和该数据焊盘分别设置于所述栅线和数据线之下；
在第一绝缘层中形成第一接触孔和第二接触孔，其中该第一接触孔暴露所述栅焊盘以及该第二接触孔暴露部分所述数据线和所述数据焊盘；以及
在所述第一绝缘层上形成第一接触辅助部和第二接触辅助部，其中该第一接触辅助部通过所述第一接触孔接触所述栅焊盘并且该第二接触辅助部通过所述第二接触孔接触所述数据焊盘和所述数据线。
16.如权利要求14的方法，还包括：
在第一绝缘层中形成第一接触孔和第二接触孔，其中该第一接触孔暴露部分所述栅线以及该第二接触孔暴露部分所述数据线；以及
在所述第一绝缘层上形成第一接触辅助部和第二接触辅助部，其中该第一接触辅助部通过所述第一接触孔接触所述栅线并且该第二接触辅助部通过所述第二接触孔接触所述数据线。
17.如权利要求14的方法，其中所述栅绝缘层、所述半导体层、所述数据线和所述漏电极利用狭缝掩模或半透明掩模而形成。
18.如权利要求14的方法，其中所述第一绝缘层的不平坦表面通过使用狭缝掩模或半透明掩模而形成。
19.如权利要求14的方法，还包括：
在所述第一绝缘层与所述数据线之间以及所述第一绝缘层和所述漏电极之间形成第二绝缘层。
20.如权利要求14的方法，其中所述第一绝缘层包括感光膜。
21.一种液晶显示器，包括：
晶体管阵列板，其包括：
基板；
设置于所述基板上的透明电极；
设置于所述基板上的栅线和数据线；
连接至所述栅线和所述数据线的薄膜晶体管；
具有不平坦表面并设置于所述栅线、所述数据线和所述薄膜晶体管上的第一绝缘层；以及
设置于所述第一绝缘层上的反射电极，其中该反射电极连接至所述透明电极和所述薄膜晶体管，并且该反射电极包括暴露至少部分透明电极的透射窗；
向所述晶体管阵列板提供光的光源；以及
向所述晶体管阵列板供给电信号的驱动电路单元。
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