TWI390292B - 半穿透半反射式液晶顯示面板及其製作方法 - Google Patents

半穿透半反射式液晶顯示面板及其製作方法 Download PDF

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Description

半穿透半反射式液晶顯示面板及其製作方法
本發明有關一種液晶顯示面板及其製作方法，特別是有關於一種半穿透半反射式(transflective)液晶顯示面板及其製作方法。
液晶顯示面板依其光源的利用及陣列基板的差異，可分為穿透式、反射式以及半穿透半反射式等三大類。隨著液晶顯示器以及可攜式電子產品的普及化，液晶顯示器必需兼顧在戶外強光環境與室內環境，甚至是在暗處時的顯示品質，而半穿透半反射式液晶顯示面板即為在上述環境中皆可提供同樣清晰之顯示效果的一較佳選擇。
請參閱第1圖，第1圖係為一習知半穿透半反射式液晶顯示面板之結構示意圖。如第1圖所示，半穿透半反射式液晶顯示面板100包含有一陣列基板102、一與陣列基板102相對之彩色濾光片基板104、以及一設置於陣列基板102與彩色濾光片基板104間的液晶分子層106。半穿透半反射式液晶顯示面板100係包含有複數個畫素區110，各畫素區110則分別包含一反射區112與一穿透區114。陣列基板102上的各畫素區110內係設置有一薄膜電晶體120；且如第1圖所示，薄膜電晶體120係設置於反射區112之內。為了使穿透光與反射光經過液晶的光程一致，習知技術更在完成薄膜電晶體120製程後，於反射區112內的陣列基板102上形成一覆蓋薄膜電晶體120的有機絕緣層130，且有機絕緣層130係利用一額外之光罩形成一預定圖案；隨後係於有機絕緣層130上形成一反射層132。由於有機絕緣層130表面所具有的預定圖案，形成於其上的反射層132會沿該預定圖案的輪廓獲得一粗糙表面，以提高反射率。而在穿透區114中，係形成一透明材質之畫素電極140，且畫素電極140透過有機絕緣層130的接觸孔(contact hole)134電性連接於薄膜電晶體120。
如前所述，為使穿透光與反射光的光程一致，半穿透半反射液晶顯示面板100需額外設置有機絕緣層130以墊高反射區112；且必需增加一光罩，以定義有機絕緣層130之位置及其表面輪廓。因此有機絕緣層130會被做得非常厚，甚至將近液晶間隙(cell gap)的一半，也就是說有機絕緣層130的設置無可避免地增加了製程時間與成本等。更值得注意的，如150所圈示，由於反射區112內的有機絕緣層130與穿透區114內陣列基板102交界處輪廓的高度斷差，後續沈積製作畫素電極140的製程控制難度會隨之增加，甚至產生畫素電極140斷線的問題。另外，為了提升反射率，習知半穿透半反射液晶顯示面板100更需利用前述額外增加的光罩形成有機絕緣層130的預定圖案，以使後續形成的反射層132具有粗糙表面。由此可知，半穿透半反射液晶顯示面板100之製作係更為複雜，其製程控制更為困難。
因此，本發明之目的之一在於提供一種半穿透半反射式液晶顯示面板及其製作方法，以解決前述習知技術所面臨之難題。
為達上述之目的，本發明提供一種製作半穿透半反射式液晶顯示面板之方法，該方法首先提供一陣列基板，該陣列基板包含複數個畫素區，且各該畫素區包含一元件區、一穿透區與一反射區。接下來於該陣列基板上形成一第一金屬層，隨後圖案化該第一金屬層，以於該元件區內形成一閘極電極，同時於該反射區內形成複數個金屬凸塊。在形成該閘極電極與該等金屬凸塊後，係於該陣列基板上形成一覆蓋該閘極電極與該等金屬凸塊之第一絕緣層；該第一絕緣層藉由位於其下方之該等金屬凸塊而具有一粗糙表面。之後，於該元件區內之該閘極電極上形成一圖案化半導體層；並於該反射區內形成一反射層，且該反射層係覆蓋該第一絕緣層而具有一粗糙表面，以及依序於該陣列基底上形成一圖案化第二絕緣層與一畫素電極。
本發明係於此另提供一種製作半穿透半反射式液晶顯示面板之方法，該方法首先提供一陣列基板，該陣列基板包含複數個畫素區，且各該畫素區包含一元件區、一穿透區與一反射區。接下來於該陣列基板之該元件區內形成一閘極電極，並於該陣列基板上依序形成一第一絕緣層與一形成於該閘極電極上方之圖案化半導體層，而在形成該圖案化半導體層後，係圖案化該第一絕緣層，以於該反射區內形成複數個凸塊。接下來於該反射區內形成一反射層，且該反射層係覆蓋該等凸塊而具有一粗糙表面；以及依序於該陣列基底上形成一圖案化第二絕緣層與一畫素電極。
根據本發明之申請專利範圍，係更提供一種半穿透半反射式液晶顯示面板，其包含有一陣列基板，該陣列基板包含複數個畫素區，且各該畫素區具有一元件區、一穿透區與一反射區；一形成於該陣列基板之該元件區內之薄膜電晶體；複數個形成於該陣列基板之該反射區內之凸塊；一形成於該反射區內之反射層，且該反射層係覆蓋該等凸塊而具有一粗糙表面；以及一形成於該穿透區與該反射區內之畫素電極，該畫素電極係電性連接至該薄膜電晶體。
為讓本發明之上述特徵能更明顯易懂，下文特舉較佳實施方式，並配合所附圖式，作詳細說明如下。然而如下之實施方式與圖式僅供說明用，並非用來對本發明加以限制者。
請參閱第2圖至第6圖，第2圖至第6圖係為本發明所提供之半穿透半反射液晶顯示面板之製作方法之一第一較佳實施例之示意圖。根據本第一較佳實施例，首先提供一陣列基板200，其可為玻璃、石英或包含其他材料之透明基板。陣列基板200包含複數個畫素區210，各畫素區210包含一元件區212、一穿透區214與一反射區216，且元件區212、穿透區214與反射區216係水平排列於畫素區210之內。於陣列基板200上形成一第一金屬層(圖未示)，第一金屬層可為鋁、鉻、鉬、鎢、鉭、銅或是上述金屬之合金。隨後係如第2圖所示，利用一第一微影暨蝕刻方法(photo-etching-process，以下簡稱為PEP)圖案化第一金屬層，以於元件區212內形成一閘極電極220，同時於反射區216內形成複數個金屬凸塊222。金屬凸塊222係用以造成後續形成的反射層的粗糙表面，降低反射層的鏡面效果，提升其反射率。本較佳實施例此處與後續揭露的各步驟中，圖案化方法較佳為PEP，但熟知該項技藝之人士應知不限於此。
請參閱第3圖。接下來於陣列基板200上依序形成一第一絕緣層230、一非晶矽層242、與一摻雜矽層244。第一絕緣層230可為一單一絕緣層或一複合(composite)膜層，其材質可包含氧化矽(SiO)、氮化矽(SiN)、或氮氧化矽(SiON)等；且第一絕緣層230係覆蓋閘極電極220與反射區216內的金屬凸塊222而於反射區216內具有一凹凸之粗糙表面。摻雜矽層244在此較佳為一N型摻雜矽層，用以和後續形成的源極/汲極形成歐姆接觸。隨後係利用一第二PEP圖案化非晶矽層242與摻雜矽層244，以於元件區212內之閘極電極220上形成一圖案化半導體層240。
請參閱第4圖。於圖案化半導體層240與第一絕緣層230上形成一第二金屬層(圖未示)，第二金屬層亦可為鋁、鉻、鉬、鎢、鉭、銅或是上述金屬之合金。隨後利用一第三PEP圖案化第二金屬層，以於元件區212內的圖案化半導體層240上形成一金屬源極/汲極250，同時於反射區216內形成一反射層252。值得注意的是，由於反射層252覆蓋第一絕緣層230與金屬凸塊222，因此反射層252亦具有一凹凸的粗糙表面，因而可增加其反射率。而元件區212內的閘極電極220、第一絕緣層230、圖案化半導體層240、以及源極/汲極250係構成一薄膜電晶體290。
請參閱第5圖。在形成反射層252之後係於陣列基底200上形成一第二絕緣層(圖未示)，且可利用一第四PEP圖案化第二絕緣層，以形成如第5圖所示之一圖案化第二絕緣層260，其覆蓋元件區212內之源極/汲極250以及穿透區214內之第一絕緣層230。值得注意的是，圖案化第二絕緣層260係具有至少一接觸洞262，用以暴露出部分源極/汲極250。
請參閱第6圖。在形成圖案化第二絕緣層260之後，係於陣列基底200上形成一畫素電極270，畫素電極270可包含氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)或氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)等透明材料。畫素電極270係利用一第五PEP圖案化而形成於穿透區214內與反射區216內的反射層252上，且畫素電極270係藉由接觸洞262電性連接於薄膜電晶體290的源極/汲極250。
另外請參閱第7圖，第7圖係本第一較佳實施例之一變化型之示意圖。由於本變化型所提供之方法有部分步驟與第一較佳實施例相同，因此該等步驟請參閱第2圖至第5圖；此外本變化型與第一較佳實施例相同之元件則亦沿用第2圖至第5圖之元件符號。
請同時參閱第5圖與第7圖。在形成圖案化半導體層240之後，係於陣列基底200上形成一第二金屬層，其材質係可同於上述第一較佳實施例所採用者。隨後利用一第三PEP圖案化第二金屬層，以於元件區212內的圖案化半導體層240上形成金屬源極/汲極250；而在反射區216內則可選擇性地如第7圖所示完全移除第二金屬層，亦不限如第5圖所示保留其於反射區216內。如前所述，閘極電極220、第一絕緣層230、圖案化半導體層240、以及源極/汲極250係構成一薄膜電晶體290。接下來則如第7圖所示，於元件區212與穿透區214內形成具有接觸洞262的圖案化第二絕緣層260。
請繼續參閱第7圖。在形成圖案化第二絕緣層260之後，係於陣列基底200上的穿透區214與反射區216內形成畫素電極270，且畫素電極270係藉由接觸洞262電性連接於源極/汲極250。而在完成薄膜電晶體290、圖案化第二絕緣層260、與畫素電極270之製作後，係於圖案化第二絕緣層260與畫素電極270上形成一第三金屬層(圖未示)，隨後圖案化第三金屬層，以於反射區216內之畫素電極270上形成一反射層280。
請重新參閱第6圖與第7圖。根據本第一較佳實施例及其變化型，用以造成反射層252/280粗糙表面的金屬凸塊222係與閘極電極220同時形成於陣列基底200上，且不影響後續製程的進行。也就是說，根據本第一較佳實施例所提供之方法，係可利用陣列基底200原有的製作流程，在不需要新增光罩的前提下完成金屬凸塊222的製作，故可簡化製程，降低成本。值得注意的是，由於反射區216並非設置於元件區212之上，而是與元件區212、穿透區214水平排列於畫素區210內，因此可避免由於反射區216與穿透區214高度斷差過大容易產生的畫素電極270斷線問題。此外，半穿透反射液晶顯示面板之反射層252可與薄膜電晶體290同時完成製作，而如第6圖所示形成於畫素電極270之下。另外反射層280亦可如第7圖所示，形成於畫素電極270之上，以更加強反射區216的光線反射能力。
請參閱第8圖至第12圖，第8圖至第12圖係本發明所提供之半穿透半反射液晶顯示面板之製作方法之一第二較佳實施例之示意圖。由於第二較佳實施例中各元件所包含之材料係同於第一較佳實施例，故於此係不再贅述。根據本第二較佳實施例，首先提供一提供一陣列基板300。陣列基板300包含複數個畫素區310，且各畫素區310包含水平排列之一元件區312、一穿透區314與一反射區316。接下來，係於陣列基板300上形成一第一金屬層(圖未示)，隨後係可利用一第一PEP圖案化第一金屬層，以於元件區312內形成一閘極電極320。請繼續參閱第8圖。接下來於陣列基板300上依序形成一第一絕緣層330、一非晶矽層342、與一摻雜矽層344。隨後係圖案化非晶矽層342與摻雜矽層344，於元件區312內之閘極電極320上形成一圖案化半導體層340。
請參閱第9圖。接下來係圖案化第一絕緣層330，以於反射區316內形成複數個絕緣凸塊332。絕緣凸塊332係用以造成後續形成的反射層的粗糙表面，降低反射層的鏡面效果，提升其反射率。
請參閱第10圖。於圖案化半導體層340、第一絕緣層330與絕緣凸塊332上形成一第二金屬層(圖未示)。隨後係圖案化第二金屬層，以於元件區312內的圖案化半導體層340上形成一金屬源極/汲極350，同時於反射區316內形成一反射層352。值得注意的是，由於反射層352覆蓋絕緣凸塊332，因此反射層352具有一凹凸的粗糙表面，因而可增加其反射率。而閘極電極320、第一絕緣層330、圖案化半導體層340、以及源極/汲極350係構成一薄膜電晶體390。
請參閱第11圖。在形成反射層352之後，係於陣列基底300上形成一第二絕緣層(圖未示)，且圖案化第二絕緣層，以形成如第11圖所示之一圖案化第二絕緣層360，其覆蓋元件區312內之源極/汲極350，並覆蓋穿透區314內之第一絕緣層330。值得注意的是，圖案化第二絕緣層360係具有至少一接觸洞362，用以暴露出部分源極/汲極350。
請參閱第12圖。在形成圖案化第二絕緣層360之後，係於陣列基底300的穿透區314內與反射區316內的反射層352上形成一畫素電極370，且畫素電極370係藉由接觸洞362電性連接於源極/汲極350。
另外請參閱第13圖至第14圖，第13圖至第14圖係本第二較佳實施例之一變化型之示意圖。由於本變化型所提供之方法有部分步驟與第二較佳實施例相同，因此該等步驟可參閱上述之第二較佳實施例；此外本變化型與第二較佳實施例相同之元件則亦沿用第8圖至第12圖之元件符號。
請參閱第13圖。在形成圖案化半導體層340之後，係於陣列基底300上形成一第二金屬層。隨後圖案化第二金屬層，以於元件區312內的圖案化半導體層340上形成金屬源極/汲極350；而在反射區316內則可選擇性地如第13圖所示完全移除第二金屬層，但亦不限如第10圖所示保留其於反射區316內。如前所述，閘極電極320、第一絕緣層330、圖案化半導體層340、以及源極/汲極350係構成一薄膜電晶體390。在形成源極/汲極350，即完成薄膜電晶體390之製作後，則於陣列基底300上形成一第二絕緣層359。
接下來請參閱第14圖。由於第一絕緣層330與第二絕緣層359蝕刻率差異不大，在圖案化第二絕緣層359時，係於元件區312與穿透區314形成圖案化第二絕緣層360；而在反射區316內，則同時圖案化第二絕緣層359與第一絕緣層330，而形成複數個絕緣凸塊364。而在形成圖案化第二絕緣層360與絕緣凸塊364之後，係於陣列基底300上的穿透區314與反射區316內形成畫素電極370，且畫素電極370係藉由接觸洞362電性連接於源極/汲極350。之後，係於凸塊364與畫素電極370上形成一第三金屬層(圖未示)，隨後圖案化第三金屬層，以於反射區316內之畫素電極370上形成一反射層380。
請重新參閱第12圖與第14圖。根據本第二較佳實施例及其變化型，用以造成反射層352/380粗糙表面的絕緣凸塊332係可利用一額外之光罩圖案化第一絕緣層330而形成於陣列基底300上。亦可在後續圖案化第二絕緣層359的同時圖案化第一絕緣層330，而於陣列基底300上在不需要新增光罩的前提下完成絕緣凸塊364的製作，故可簡化製程、降低成本。值得注意的是，由於反射區316並非設置於元件區312之上，而是與元件區312、穿透區314水平排列於畫素區310內，因此可避免由於反射區316與穿透區314高度斷差過大容易產生的畫素電極370斷線問題。此外，半穿透反射液晶顯示面板之反射層352可與薄膜電晶體390同時完成製作，而如第12圖所示形成於畫素電極370之下。反射層380亦可如第14圖所示，形成於畫素電極370之上，以更加強反射區316的光線反射能力。
綜上所述，本發明所提供之半穿透半反射式液晶顯示面板及其製作方法，係可利用陣列基底原有的製作流程，在不需要新增光罩的前提下完成凸塊的製作，故可簡化製程、降低成本。由於反射區並非設置於元件區之上，而是與元件區、穿透區水平排列於畫素區內，因此更可避免由於反射區與穿透區高度斷差過大容易產生的畫素電極斷線問題。本發明更不限於為一雙重液晶間隙(dual-cell gap)或單液晶間隙(single-cell gap)之半穿透半反射式液晶顯示面板。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100．．．半穿透半反射式液晶顯示面板
102．．．陣列基板
104．．．彩色濾光片基板
106．．．液晶分子層
110．．．畫素區
112．．．反射區
114．．．穿透區
120．．．薄膜電晶體
130．．．有機絕緣層
132．．．反射層
134．．．接觸孔
140．．．畫素電極
200、300．．．陣列基板
210、310．．．畫素區
212、312．．．元件區
214、314．．．穿透區
216、316．．．反射區
220、320．．．閘極電極
222．．．金屬凸塊
230、330．．．第一絕緣層
332．．．凸塊
240、340．．．圖案化半導體層
242、342．．．非晶矽層
244、344．．．摻雜矽層
250、350．．．源極/汲極
252、352．．．反射層
359．．．第二絕緣層
260、360．．．圖案化第二絕緣層
262、362．．．接觸洞
364．．．凸塊
270、370．．．畫素電極
280、380．．．反射層
290、390．．．薄膜電晶體
第1圖係一習知半穿透半反射式液晶顯示面板之結構示意圖。
第2圖至第6圖係本發明所提供之半穿透半反射液晶顯示面板之製作方法之一第一較佳實施例之示意圖。
第7圖係第一較佳實施例之一變化型之示意圖。
第8圖至第12圖係本發明所提供之半穿透半反射液晶顯示面板之製作方法之一第二較佳實施例之示意圖。
第13圖至第14圖係第二較佳實施例之一變化型之示意圖。
200．．．陣列基板
210．．．畫素區
212．．．元件區
214．．．穿透區
216．．．反射區
220．．．閘極電極
222．．．金屬凸塊
230．．．第一絕緣層
240．．．圖案化半導體層
242．．．非晶矽層
244．．．摻雜矽層
250．．．源極/汲極
252．．．反射層
260．．．圖案化第二絕緣層
262．．．接觸洞
270．．．畫素電極
290．．．薄膜電晶體

Claims (20)

  1. 一種製作半穿透半反射式液晶顯示面板之方法，包含有以下步驟：提供一陣列基板，該陣列基板包含複數個畫素區，且各該畫素區包含一元件區、一穿透區與一反射區；於該陣列基板上形成一第一金屬層；圖案化該第一金屬層，以於該元件區內形成一閘極電極，同時於該反射區內形成複數個金屬凸塊；於該陣列基板上形成一第一絕緣層，該第一絕緣層覆蓋該閘極電極與該等金屬凸塊，且該第一絕緣層藉由位於其下方之該等金屬凸塊而具有一粗糙表面；於該元件區內之該閘極電極上形成一圖案化半導體層；於該反射區內形成一反射層，且該反射層係覆蓋該第一絕緣層並藉由位於其下方之該第一絕緣層而具有一粗糙表面；以及於該陣列基底上形成一圖案化第二絕緣層與一畫素電極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中形成該反射層之步驟更包含：於該圖案化半導體層與該第一絕緣層上形成一第二金屬層；以及圖案化該第二金屬層，以於該圖案化半導體層上形成一源極/汲極，同時於該反射區內形成該反射層。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中形成該圖案化第二絕緣層與該畫素電極之步驟係於形成該反射層之步驟後進行。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含於形成該圖案化第二絕緣層與該畫素電極之前，先於該圖案化半導體層上形成一源極/汲極。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中形成該反射層之步驟更包含：於該圖案化第二絕緣層與該畫素電極上形成一第三金屬層；以及圖案化該第三金屬層，以於該反射區內之該畫素電極上形成該反射層。
  6. 一種製作半穿透半反射式液晶顯示面板之方法，包含有以下步驟：提供一陣列基板，該陣列基板包含複數個畫素區，且各該畫素區包含一元件區、一穿透區與一反射區；於該陣列基板之該元件區內形成一閘極電極；於該陣列基板上依序形成一第一絕緣層與一圖案化半導體層；圖案化該第一絕緣層，以於該反射區內形成複數個凸塊；於該反射區內形成一反射層，且該反射層係覆蓋該等凸塊且藉由位於其下方之該等凸塊而具有一粗糙表面；以及依序於該陣列基底上形成一圖案化第二絕緣層與一畫素電極。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中形成該反射層之步驟更包含：於該圖案化半導體層、該第一絕緣層、與該等凸塊陣列基底上形成一第一金屬層；以及圖案化該第一金屬層，以於該元件區內之該圖案化半導體層上形成一源極/汲極，同時於該反射區內形成該反射層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中形成該圖案化第二絕緣層與該畫素電極之步驟係於形成該反射層之步驟後進行。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之方法，更包含於形成該圖案化第二絕緣層與該畫素電極之前，先於該圖案化半導體層上形成一源極/汲極。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中形成該反射層之步驟更包含：於該圖案化第二絕緣層與該畫素電極上形成一第二金屬層；以及圖案化該第二金屬層，以於該反射區內之該畫素電極上形成該反射層。
  11. 一種半穿透半反射式液晶顯示面板，包含有：一陣列基板，該陣列基板包含複數個畫素區，且各該畫素區具有一元件區、一穿透區與一反射區；一薄膜電晶體，形成於該陣列基板之該元件區內；複數個凸塊，形成於該陣列基板之該反射區內；一反射層，形成於該陣列基板之該反射區內，且覆蓋該等凸塊而具有一粗糙表面；以及一畫素電極，形成於該陣列基板之該穿透區與該反射區內，且電性連接至該薄膜電晶體。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之液晶顯示面板，其中該薄膜電晶體更包含：一閘極電極；一第一絕緣層，覆蓋該閘極電極；一圖案化半導體層，形成於該第一絕緣層上；以及一第二金屬層，形成於該圖案化半導體層上，用以作為該薄膜電晶體之一源極/汲極。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示面板，其中該閘極電極與該等凸塊包含一相同之金屬材質。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之液晶顯示面板，其中該第一絕緣層、該畫素電極、與該反射層係覆蓋該等凸塊。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之液晶顯示面板，其中該畫素電極係形成於該反射層之上。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之液晶顯示面板，其中該反射層係形成於該畫素電極之上。
  17. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示面板，其中該第一絕緣層與該等凸塊包含一相同之材質。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之液晶顯示面板，其中該畫素電極與該反射層係覆蓋該等凸塊。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之液晶顯示面板，其中該畫素電極係形成於該反射層之上。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之液晶顯示面板，其中該反射層係形成於該畫素電極之上。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103955098A (zh) * 2014-04-10 2014-07-30 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板、其制作方法以及液晶显示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003202590A (ja) * 2001-12-28 2003-07-18 Acer Display Technology Inc 反射型薄膜トランジスタ液晶表示装置及びその製造方法
JP4165337B2 (ja) 2003-08-18 2008-10-15 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置、及び電子機器
KR20060100872A (ko) 2005-03-18 2006-09-21 삼성전자주식회사 반투과 액정 표시 장치 패널 및 그 제조 방법
TWI307430B (en) 2005-07-21 2009-03-11 Au Optronics Corp Transflective pixel structure
TWI299574B (en) * 2006-05-12 2008-08-01 Innolux Display Corp Method for fabricating transflective liquid crystal display
CN100543539C (zh) 2006-06-02 2009-09-23 群康科技(深圳)有限公司 半穿半反式液晶显示器制造方法
TWI318010B (en) * 2006-11-09 2009-12-01 Au Optronics Corp Pixel structure and fabricating method thereof
US7521298B2 (en) 2006-11-25 2009-04-21 Wintec Corporation Thin film transistor array panel of active liquid crystal display and fabrication method thereof
JP2009139853A (ja) 2007-12-10 2009-06-25 Sharp Corp 液晶表示装置
TWI397130B (zh) * 2008-06-10 2013-05-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 畫素結構的製作方法以及畫素結構
TWI388035B (zh) * 2008-07-04 2013-03-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 畫素結構及其製造方法

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