JP2003202590A - 反射型薄膜トランジスタ液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 散光表面を形成するための凸状バンプを
形成する工程前にすでに完成している素子又は絶縁透過
基板などに傷害を与えずに生産性を高めることができる
反射型薄膜トランジスタ液晶表示装置及び製造方法を提
供する。 【解決手段】 透明絶縁基板と、該基板上に成膜・形成
した第１金属層にエッチングを行なって形成したゲート
構造と、該構造上に成膜・形成した第１絶縁層と、該層
上のゲート極絶縁層と、該層上に所定のパターンを形成
した半導体層と、該層上に形成したドーピングケイ素層
と、該層上に形成したドレイン構造とソース構造とを形
成した第２金属層と、上層に形成される保護層と画素電
極とを具えてなり、前記透明絶縁基板上には、該ゲート
構造と凸状の第１バンプを形成し、該半導体層と該ドー
ピングケイ素層との間に第２絶縁層を介在させ、該層を
エッチングしてなるエッチングストップを該半導体層上
の該ゲート極に対応する位置に設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
液晶表示装置(TFT-LCD)及び、その製造方法に関し、特
に凹凸構造の散光表面（slant diffuser）を反射層（r
eflected layer）とする画素電極を具える反射型薄膜
トランジスタ液晶表示装置及び、その製造方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】薄膜トランジスタの製造技術の急速な進
歩によって、液晶表示装置は、体積が小さく、軽量で、
パワーの消費が少ないなどの優れた特徴を具えるように
なった。このためパーソナルデジタルアシスト、ノート
ブックタイプのコンピュータ、高画質カラーテレビ、も
しくは携帯電話機など各種の電子製品に幅広く、かつ大
量に使用されるようになった。

【０００３】新しい世代の反射型液晶表示装置を例に挙
げると、これは外部から入射する光源を利用してディス
プレー効果を得るものであって、薄膜トランジスタのド
レインに対して電気的に接続した画素電極（pixel ele
ctrode）は、金属材質によって構成されて必要とされる
反射特性を得る。また、外部の光源から光がこの種の画
素電極に照射されると、該照射された光が反射し、液晶
分子及びカラーフィルタを透過して、対応する画像をデ
ィスプレーに結像する。このような液晶表示装置は、外
部の光線を液晶表示装置の光源とするため、液晶表示装
置を構成する上でバックライトを付加する必要がなく、
従来の液晶表示装置に比してさらに軽量、薄型化を達成
することができ、かつさらに大きな節電効果を得る液晶
表示装置であるといえる。

【０００４】上述の反射型液晶表示装置において技術上
注意すべき点は、外部から照射される光線を光源とする
点にある。即ち、如何にして画素電極の光線反射効率を
高めるかが極めて重要なポイントとなる。よって、従来
の反射型液晶表示装置においては、分極板などの手段を
設けることによって入射光の位相を調整し、光線の反射
効率を高める技術が応用されている。

【０００５】しかし、分極板などの手段を付加すること
は、実際の生産に応用した場合、工程数を増加して手間
がかかるのみならず、製造コストも高くなる。

【０００６】このため、上述の問題に対する改善策とし
て、凹凸構造の画素電極を利用して反射層とする技術が
常用されている。即ち、該画素電極の凹凸構造ｍｐ表面
が散光特性（diffuser）を有することによって、外部か
ら入射する光を十分に利用し、反射効率を大幅に高めて
液晶表示装置の輝度を高める技術である。

【０００７】図１は従来の技術によって凹凸構造の反射
面を形成した薄膜トランジスタ液晶表示装置の絶縁透過
基板の断面図である。この断面図に関する従来の製造工
程は次の通りである。即ち、ガラス基板（１０）上にゲ
ート極構造（１２）を形成し、該ゲート極構造（１２）
の表面を覆う絶縁層（１４）を形成する。次いで、該ゲ
ート極構造（１２）の上方に当たる位置に半導体層（１
６）、ドーピングケイ素層（１８）と金属層との積層構
造を形成する。該半導体層（１６）は無定形ケイ素（am
orphous Si）を選択してもよい。また、マイクロフォ
トエッチングの工程を経てドレイン（２０）とソース
（２２）とを形成し、薄膜トランジスト（２４）全体の
構造を形成した後、さらに別途、次の工程を進める。即
ち、後続の工程において画素電極を形成する領域にフォ
トレジスタ材料によってなる複数の凸状バンプ（bump）
（２６）を形成する。そして、例えば高分子ポリマー材
料による保護層（２８）を該凸状バンプ上に塗布し、且
つ画素電極（３０）をその上に形成する。このため、形
成された画素電極（３０）は凹凸形状が連続して起伏す
る波状の粗い表面を具えることになり、全体的な反射効
率を高めることができる。

【０００８】しかし、フォトレジスタ材料によって前記
凸状バンプ（２６）を形成する場合は、フォトレジスタ
層をガラス基板（１０）の表面に成膜してレジストコー
ティングを行い、さらに露光の工程によってそれぞれの
凸状のバンプ（２６）のパターンを形成し、ついで現
像、焼き付けなどの工程を実施する。即ち、フォトマス
クを利用したマイクロフォト関連工程が余分に追加され
ることになり、液晶表示装置の製造工程が煩雑となると
ともに、このように別途製造工程を追加することは液晶
表示装置の製造工程に必要する時間を延長させることに
なり、生産性を低下させることに繋がる。

【０００９】また、薄膜トランジスタ（２４）、走査線
構造、データ線構造、及び保存コンデンサなどの素子は
いずれも凸状のバンプ（２６）を形成する工程の前にす
でに作成が完了している。よって後続のフォトレジスタ
材料に係る一連のステップを経て、バンプ（２６）を形
成する工程は、前記のそれぞれの素子に傷害を与える可
能性が自ずから発生し、甚だしくは絶縁透過基板（１
０）を損傷する場合もある。よって、液晶表示装置の歩
留まりが容易に低下することになる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は、凹凸構造の散光表面を反射層とする画素電極を具え
る反射型薄膜トランジスタ液晶表示装置において、該散
光表面を形成するための凸状バンプを形成する以前の工
程ですでに完成している素子、もしくは絶縁透過基板な
どに対して、バンプを形成する工程によって傷害を与え
て製品の歩留まりが低下することのない反射型薄膜トラ
ンジスタ液晶表示装置及びその製造方法を提供すること
にある。

【００１１】また、本発明の課題は、従来の技術に見ら
れるようにフォトマスクを利用した製造工程を追加する
ことなく、生産性を高めることのできる反射型薄膜トラ
ンジスタ液晶表示装置及びその製造方法を提供すること
にある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載する反射
型薄膜トランジスタ液晶表示装置は、凹凸構造の散光面
を形成してなる画素電極を具えてなり、透明絶縁基板上
と、該透明絶縁基板上に成膜して形成した第１金属層に
マイクロフォトエッチングを行なって形成したゲート構
造と、該ゲート極構造上に成膜して形成した第１絶縁層
と、該第１絶縁層上に成膜して形成したゲート極絶縁層
と、該ゲート極絶縁層上に成膜して形成し、かつ所定の
パターンを形成した半導体層と、該半導体層上に形成し
たドーピングケイ素層と、ドーピングケイ素層上に形成
し、かつ該第２のマイクロフォトエッチング工程によっ
てドレイン構造とソース構造とを形成した第２金属層
と、上層に形成される保護層と画素電極とを有し、さら
に、前記透明絶縁基板上には、該第１金属層に対してマ
イクロフォトエッチングを行う場合に、エッチングによ
って該ゲート構造と同時に凸状の第１バンプを形成し、
また、該半導体層と該ドーピングケイ素層との間に第２
絶縁層を介在させ、該第２絶縁層をエッチングしてなる
エッチングストップ（Etching Stop）を該半導体層上の
該ゲート極に対応する位置に設ける。

【００１３】請求項２に記載する反射型薄膜トランジス
タ液晶表示装置は、請求項１における透明絶縁基板とゲ
ート極構造の表面に形成した第１絶縁層上にゲート極絶
縁層と半導体層とを順に成膜して形成し、かつマイクロ
フォトエッチングを行ない、ゲート極構造の上方に所要
の半導体層のパターンを形成し、さらに第２絶縁層を形
成して該半導体層と第１絶縁層の表面を覆い、該第２絶
縁層に対してマイクロフォトエッチングを行い該ゲート
極構造の上方にエッチングストップ（EtchingStop）を
形成するとともに、後続の工程によって画素電極を構成
する領域に画素電極に対応する凸状の第２バンプを第２
絶縁層によって形成する。

【００１４】請求項３に記載する反射型薄膜トランジス
タ液晶表示装置は、請求項２における前記透過基板上に
第１金属層を形成し、該第１金属層にマイクロフォトエ
ッチングによって該ゲート極構造を形成する場合、同時
に構造の工程によって画素電極を形成する領域に第１の
バンプを形成し、該第１のバンプと前記第２バンプとが
上下対応する位置において積層構造を形成するか、もし
くは上下の位置が交錯した構造を形成するか、もしくは
これら構造を組み合わせる。

【００１５】請求項４に記載する反射型薄膜トランジス
タ液晶表示装置は、請求項２、もしくは請求項３におけ
る第２金属層にマイクロエッチングを行い、ソース構造
とドレイン構造を形成する場合、後続の工程で画素電極
を形成するエリアに、該第２金属層によってなる第３の
バンプを同時に形成する。

【００１６】請求項５に記載する反射型薄膜トランジス
タ液晶表示装置の製造方法は透明絶縁基板に凹凸構造の
表面を有する画素電極を形成してなる反射型薄膜トラン
ジスタ液晶表示装置の製造方法であって、該透明絶縁基
板上に第1金属層を成膜して形成し、該第１金属層に第
１のマイクロフォトエッチングによってゲート構造を形
成し、該ゲート極構造上に第１絶縁層と半導体層とを成
膜して形成し、かつ該半導体層のパターンをゲート極上
に形成し、さらに、ドーピングケイ素層と、第２金属層
とを成膜して形成し、かつドーピングケイ素層と、第２
金属層とに該第２のマイクロフォトエッチング工程によ
ってドレイン構造とソース構造とを形成し、該ドレイン
構造とソース構造上に保護層と画素電極を形成し、前記
第１のマイクロフォトエッチング工程と第２のマイクロ
フォトエッチング工程を進行させる場合に、第１金属層
によって凸状の第１バンプを同時に形成し、また第２金
属層によって凸状の第２バンプを同時に形成し、かつ該
第１バンプ、もしくは第２バンプの少なくともいずれか
が、透明絶縁基板上の画素電極を形成する位置に対応し
た位置に形成されて、後続の工程によって形成される画
素電極が該第１バンプ、もしくは第２バンプの凸状に沿
って起伏し、凹凸構造の散光表面を形成する工程によっ
てなる。

【００１７】請求項６に記載する反射型薄膜トランジス
タ液晶表示装置の製造方法は、請求項５における半導体
層のパターンを形成した後、さらに第２絶縁層を成膜し
て形成し、かつ該第２絶縁層に対して第３のマイクロフ
ォトエッチングを進行させる工程を含み、前記ゲート極
構造の上方の半導体層の表面にエッチングストップ（Et
ching Stop）を形成するとともに、透明絶縁基板上の画
素電極を形成する位置に対応した位置に該第２絶縁層に
よってなる凸状の第３のバンプを形成する工程を含む。

【００１８】請求項７に記載する記載する反射型薄膜ト
ランジスタ液晶表示装置の製造方法は、請求項６にける
第２絶縁層が窒化ケイ素を材料である。

【００１９】請求項８に記載する記載する反射型薄膜ト
ランジスタ液晶表示装置の製造方法は、請求項５におけ
る第１金属層と、第２金属層とがアルミか、クロムか、
チタンか、もしくはタングステンか、タンタルか、もし
くはモリブデンから選択されるか、またはこれら金属か
ら任意に選択し、組み合わせた合金によってなる。

【００２０】請求項９に記載する記載する反射型薄膜ト
ランジスタ液晶表示装置の製造方法は、該透明絶縁基板
上に第１金属層を形成し、該第１金属層に第１のマイク
ロフォトエッチングを行なって、該透明絶縁基板上にゲ
ート構造を形成し、該ゲート極構造と透過基板の表面に
第１絶縁層を形成し、該第１絶縁層の表面で該ゲート極
構造の上方の位置に半導体層を形成し、該半導体層と第
１絶縁層の表面に第２絶縁層を形成し、該第２絶縁層に
第２のマイクロフォトエッチングを行い、該ゲート構造
上方の半導体層上にエッチングストップ（Etching Sto
p）を形成し、該エッチングストップ（Etching Stop）
と、該半導体層と、該第絶縁層の表面に第２金属層を形
成し、該第２金属層に第３のマイクロエッチングを行
い、該エッチングストップ（Etching Stop）の両側の位
置にドレイン構造とソース構造とを形成し、該透過基板
上方に保護層を形成し、かつ該ドレイン構造とソース構
造の一部表面を露出させ、該保護層の表面に画素電極を
形成し、かつ該ドレイン構造と電気的に接続する反射型
薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法であって、該
第１のマイクロフォトエッチング工程か、第２のマイク
ロエッチング工程か、もしくは第３のマイクロフォトエ
ッチングの工程を行う場合、該透明絶縁基板上の画素電
極を形成する領域に、少なくとも一種類以上の凸状のバ
ンプを形成し、後続の工程において保護層と画素電極を
形成する場合、該保護層と画素電極が凸状のバンプの形
状に沿って表面を起伏させ、該画素電極に凹凸構造の散
光表面を形成する。

【００２１】請求項１０に記載する反射型薄膜トランジ
スタ液晶表示装置の製造方法は、請求項９における第１
金属層と、第２金属層とがアルミか、クロムか、チタン
か、もしくはタングステンか、タンタルか、もしくはモ
リブデンから選択されるか、またはこれら金属から任意
に選択し、組み合わせた合金によってなる。

【００２２】請求項１１に記載する反射型薄膜トランジ
スタ液晶表示装置の製造方法は、請求項９における第１
絶縁層の材料が窒化ケイ素か、酸化ケイ素か、もしくは
窒酸化ケイ素から選択されるか、またはこれらを任意に
組み合わせてなる。

【００２３】請求項１２に記載する反射型薄膜トランジ
スタ液晶表示装置の製造方法は、請求項９における第２
金属層を成膜して形成する工程の前に、さらにドーピン
グケイ素層を該半導体層と、エッチングストップ（Etch
ing Stop）の表面に形成する工程を含む。

【００２４】請求項１３に記載する反射型薄膜トランジ
スタ液晶表示装置の製造方法は、請求項９における保護
層を形成した後、さらに被覆層を形成して該保護層の表
面を覆い、画素電極の凹凸構造の表面角度を調整するこ
と工程を含む。

【００２５】請求項１４に記載するに記載する反射型薄
膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法は、透明絶縁基
板に第１金属層を形成し、該第１金属層に第１のマイク
ロフォトエッチングを行ない、ゲート構造と複数の第１
バンプを該透明絶縁基板上に形成し、該ゲート極構造と
第１バンプの表面に第１絶縁層を形成し、該第１絶縁層
の表面で該ゲート極構造の上方の位置に半導体層を形成
し、該半導体層と第１絶縁層の表面に第２絶縁層を形成
し、該第２絶縁層に第２のマイクロフォトエッチングを
行い、該ゲート構造上方の半導体層表面にエッチングス
トップ（Etching Stop）を形成し、該エッチングストッ
プ（Etching Stop）と、該半導体層と、該第絶縁層の表
面に第２金属層を形成し、該第２金属層に第３のマイク
ロエッチングを行い、該エッチングストップ（Etching
Stop）の両側の位置にドレイン構造とソース構造とを形
成し、該透過基板上方に保護層を形成し、かつ該ドレイ
ン構造とソース構造の一部表面を露出させ、該保護層の
表面に画素電極を形成し、かつ該ドレイン構造と電気的
に接続する反射型薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造
方法であって、該第１バンプによって、後続の工程にお
いて保護層と画素電極を形成する場合、該保護層と画素
電極が凸状のバンプの形状に沿って表面を起伏させ、該
画素電極に凹凸構造の散光表面を形成する。

【００２６】請求項１５に記載するに記載する反射型薄
膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法は、請求項１４
における保護層を形成した後、さらに被覆層を形成して
該保護層の表面を覆い、画素電極の凹凸構造の表面角度
を調整する工程を含む。

【００２７】請求項１６に記載するに記載するに記載す
る反射型薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法は、
請求項１４における第２絶縁層に対して第２のマイクロ
フォトエッチングを行う場合、該第２絶縁層によってな
る複数の第２バンプを該第１絶縁層の表面に形成するこ
と工程を含む。

【００２８】請求項１７に記載するに記載するに記載す
る反射型薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法は、
請求項１４における第２金属層に対して第３のマイクロ
フォトエッチングを行う場合、該第２金属層によってな
る複数の第３バンプを該第１絶縁層の表面に形成する工
程を含む。

【００２９】

【発明の実施の形態】本発明による反射型薄膜トランジ
スタ液晶表示装置は、凹凸構造の散光面を形成してなる
画素電極を有する反射型薄膜トランジスタ液晶表示装置
であって、透明絶縁基板上に形成する各層を利用してバ
ンプを形成し、該バンプの凸形状に沿って画素電極に凹
凸構造を形成するものである。かかる反射型薄膜トラン
ジスタ液晶表示装置の構造と特徴及びその製造方法を説
明するために、具体的な実施例を挙げ、図面を参照にし
て以下に詳述する。

【００３０】

【実施例】［第１の実施例］本発明の第１の実施例は、
図２に開示するように透明絶縁基板（５０）上に第1金
属層（５２）を形成する。好ましくは、該透明絶縁基板
（５０）は例えばガラス、石英、若しくはその他透過性
を有する絶縁材料によってなる。また、第１金属層（５
２）を成膜しる工程は例えば、スパッタリングなどの物
理的気相成膜の工程によって該透明絶縁基板（５０）の
表面に形成する。該第1金属層（５２）はアルミか、チ
タンか、クロムか、タングステンか、タンタルか、もし
くはモリブデンから選択される。または、これら金属を
任意に選択してなる合金であってもよい。

【００３１】次いで、フォトレジスタ材料を該第１金属
層（５２）の表面に塗布し、露光、現像を含むマイクロ
フォトの工程によってフォトレジスタブロック（５４）
を該該第１金属層（５２）上に形成する。

【００３２】次いで、図３に開示するように、フォトレ
ジスタブロック（５４）をエッチングマスクとして、第
１金属層（５２）に対して第１のマイクロフォトエッチ
ング工程を行い、ゲート極構造（５６）と複数の第１バ
ンプ（５８）とを同時に透明絶縁基板（５０）上に形成
する。該第１バンプ（５８）は後続の工程によって画素
電極を形成する領域A内に形成される。ここにおいて当
業者が熟知するようにゲート極構造（５６）を形成する
第１マイクロフォトエッチングの工程において同時にコ
ンデンサ保存電極、データライン構造、及び走査線構造
（いずれも図示しない）を同時に透明絶縁基板（５０）
の表面に形成してもよい。また、第１金属層（５２）に
対してパターン形成の工程を行なう場合は、イオン反応
エッチング（RIE）の工程によって必要とするゲート極
構造（５６）と第１バンプ（５８）を形成してもよい。
第１マイクロフォトエッチングの工程が完了した後、余
剰のフォトレジスタブロック（５４）を除去する。

【００３３】次に、図４に開示するように、ゲート極構
造（５６）と、第１バンプ（５８）と、透明絶縁基板
（５０）の表面に第１絶縁層（６０）を形成する。該第
１絶縁層（６０）は、例えば酸化物、窒化物、若しくは
窒酸化ケイ素などの一般に用いられる適宜な絶縁材料に
よってなる。好ましくは低温化学気相成膜法（CVD）に
よって窒酸化ケイ素材料を成膜し、第１絶縁層（６０）
を形成する。ついでゲート極絶縁層（６２）と半導体層
（６４）を第１絶縁層（６０）の表面に順に形成する。
該ゲート極絶縁層（６２）は、例えば窒化ケイ素などの
絶縁材料を選択して形成する。また、半導体層（６４）
は半導体（例えば無定形ケイ素）等によって構成し、後
続の工程によって薄膜トランジスタ（TFT）のチャネル
を形成する。

【００３４】図５においては、半導体層（６４）とゲー
ト極絶縁層（６２）に対してエッチングを行い、ゲート
極構造（５６）の上方に所定のチャネルパターンを形成
する。半導体層（６４）と、ゲート極絶縁層（６２）の
その他部分は除去して第１絶縁層（６０）の表面を露出
させる。次に第２絶縁層（６６）を形成し、半導体層
（６４）と第１絶縁層（６０）の表面を覆う。

【００３５】図６においては、第２絶縁層（６２）に対
して第２のマイクロフォトエッチング工程を施し、ゲー
ト極構造（５６）上方の半導体層（６４）の表面にエッ
チングストップ（Etching Stop）（６７）を形成する。
ついで、該エッチングによって形成されたエッチングス
トップ（Etching Stop）（６７）と、半導体層（６４）
と、及び第１絶縁層（６０）の表面にドーピングケイ素
層（６８）と第２金属層（７０）とを順に成膜して形成
する。

【００３６】図７に開示する工程においては、第２金属
層（７０）とドーピングケイ素層（６８）に対して、第
３のマイクロフォトエッチング工程を施し、ソース構造
（７２）と、ドレイン構造（７４）とを該エッチングに
よって形成されたエッチングストップ（Etching Stop）
（６７）の両側で、半導体層（６４）の表面の位置に形
成する。該エッチングストップ（Etching Stop）（６
７）は、下方の半導体層（６４）を第３のマイクロフォ
トエッチングの工程によって発生する傷害から保護する
ものである。ソース構造（７２）とドレイン構造（７
４）を形成した後、透明絶縁基板（５０）の後方に保護
層（７０）を形成し、且つ後続の電気的接続工程のため
にエッチング工程によってソース構造（７２）とドレイ
ン構造（７４）の一部表面を露出させる。

【００３７】図８においては、画素電極（７８）を保護
層（７６）の表面に形成し、ドレイン構造（７４）と電
気的に接続させる。反射型の薄膜トランジスタ液晶表示
装置においては、画素電極（７８）は反射層としての作
用をも有する。よってその材質は、例えば金属材料など
の好ましい反射特性を有する材料から選択される。好ま
しくは、アルミ金属から選択される。ここにおいて注目
すべき点は、上述のゲート極構造（５６）を形成する第
１のマイクロフォトエッチングの工程において、画素電
極（７８）を形成する領域に複数の第１バンプ（５８）
を同時に形成する点である。このように形成することに
よって、第１バンプ（５８）の表面に成膜する第１絶縁
層（６０）と保護層（７６）も第１バンプ（５８）に対
応する起伏した表面が形成される。従って、最終的に成
膜する画素電極（７８）もまた保護層（７６）の表面の
起伏に沿って形成され、凹凸構造の散光表面(diffuser)
が形成される。

【００３８】［第２の実施例］図９から図１１に本発明
の第２の実施例を開示する。第２の実施例は上述の第１
の実施例に類似する。即ち、図９に開示する工程におい
ては、透明絶縁基板（５０）上に第１金属層を形成し、
該第１金属層にマイクロフォトエッチングを施して、ゲ
ート極構造（５６）を形成する。但し、ゲート極構造
（５６）を形成する場合には、図３に開示するように後
続の工程において、画素電極を形成する領域Aに第１バ
ンプ（５８）を形成しない。次いで、ゲート極構造（５
６）と透明絶縁基板（５０）の表面に第１絶縁層（６
０）を形成する。第１絶縁層（６０）は第１の実施例と
同様に窒酸化ケイ素材料によってなる。

【００３９】図１０においては、第１絶縁層（６０）の
表面に、ゲート極絶縁層（６２）と半導体層（６４）と
を順に成膜して、さらにエッチングを行ない、ゲート極
構造（５６）の上方に所要の半導体層（６４）のパター
ンを形成する。次いで第１の実施例と同様に第２絶縁層
で半導体層（６４）と第１絶縁層（６０）の表面を覆
う。次いで、第２絶縁層に対して第２のマイクロフォト
エッチングの工程を進行させ、ゲート極構造（５６）の
上方にエッチングストップ（Etching Stop）（６７）を
形成する。同時に後続の工程によって画素電極を構成す
る領域Aに第２絶縁層によってなる複数の第２バンプ
（６９）を形成する。

【００４０】図１１においては、第１の実施例と同様に
ドーピングケイ素層と第２金属層を透明絶縁基板（５
０）上に成膜して形成し、さらに第３のマイクロフォト
エッチングの工程によってエッチングストップ（Etchin
g Stop）（６７）の両側にそれぞれソース構造（７２）
とドレイン構造（７４）とを形成する。次に薄膜トラン
ジスタと第２バンプ（６９）の表面に保護層（７６）を
形成し、エッチングによって該ソース構造（７２）とド
レイン構造（７４）の一部表面を露出させる。さらに、
画素電極（７８）を保護層（７６）の表面に形成し、且
つドレイン構造（７４）と電気的に接続させる。ここで
注目すべき点はエッチングストップ（Etching Stop）
（６７）を形成する第２のマイクロフォトエッチングの
工程において画素電極（７８）を形成する領域に複数の
第２バンプ（６９）を同時に形成する点である。このよ
うに形成することによって第２バンプ（６９）の表面に
成膜しる保護層（７６）は第２バンプに対応して起伏す
る表面が形成される。また、画素電極（７８）について
も保護層（７６）に対応して起伏する表面が形成され、
この為凹凸構造の散光表面が形成される。

【００４１】即ち、上述の第1実施例においては、第1金
属層（５２）に対してエッチングを行なう場合画素電極
（７８）を形成する透明絶縁基板（５０）上に複数の第
1バンプ（５８）を同時に形成し、後続の工程において
各層を成膜しる場合の形状を伝達する効果を達成する。
よって反射層としての作用を有する画素電極（７８）は
凹凸構造の散光表面を具えることになる。第2の実施例
においては、第２絶縁層(６６)に対してエッチングを行
なう場合、複数の第２バンプ（６９）を同時に形成し、
後続の工程によって形成される画素電極（７８）が起伏
する散光表面を具えるようにする。

【００４２】当然のことながら、上述の実施例において
は第２金属層（７０）のエッチング工程を応用して、凹
凸構造の起伏を形成してもよい。これは当業者にとって
容易に想到し得ることである。即ち、第２金属層（７
０）を第１絶縁層（６０）の上に成膜した後、第三のマ
イクロフォトエッチング工程を進行させる場合、前記ソ
ース構造（７２）及び、ドレイン構造（７４）を形成す
る以外に画素電極（７８）を形成する領域内に複数の第
３のバンプ（７１）を同時に形成しても良い。このよう
にしても後続の工程において、保護層（７６）と画素電
極（７８）とを形成した後、同様に画素電極（７８）は
凹凸構造の反射表面を同様に具えることになる。

【００４３】また、前記第１バンプ、第２バンプ、及び
第３バンプはその厚さが第１金属層（５２）、第２絶縁
層、及び第２金属層（７０）の制限を受ける。即ち、実
際の製造工程においては、前記のそれぞれのバンプの高
さはゲート極構造エッチングストップ（Etching Stop）
及びドレイン構造の厚さによって制限と影響を受ける。
但し、それぞれのバンプの幅について言えば、画素電極
（７８）の散光表面が必要とする粗さの程度によって相
対的に調整を行なうことができる。例えば画素電極（７
８）が密集した凹凸構造の表面であることを必要とする
場合、それぞれのバンプを形成する際に隣り合うバンプ
の間の距離を短縮し、且つ、バンプの幅を短縮すること
によって密集した配列にする。この為画素電極は起伏が
密集した凹凸構造の表面に形成する事ができる。

【００４４】また、上述の実施例においては、いずれも
特定のバンプ（例えば第１バンプ、第２バンプ、若しく
は第３バンプ）によって所望の凹凸構造の反射面を形成
する。但し、実際に応用する場合、画素電極表面の起伏
の特性に対する異なる要求に合わせてこれらバンプを任
意に選択するか、若しくは組み合わせて用いることがで
きる。即ち薄膜トランジスタを形成すると同時に、画素
電極を形成する領域に三種類のバンプを任意に組み合わ
せた堆積構造を形成することによって、後続の工程で成
膜して形成する画素電極及びその散光表面に更に多くの
選択性を持たせることができる。また、前記第１、第
２、第３のバンプを交錯させて配列し、これを堆積する
ことによってバンプの凸構造に高さを持たせることがで
き、画素電極の起伏の高さを調整する目的を達成するこ
とができる。

【００４５】以上の説明の態様について、図面を参考に
して以下に説明する。即ち、前記バンプの可能な体積方
法を図１２から図２０に開示する。

【００４６】図１２は第１金属層（５２）に対するエッ
チングを利用して、複数の第１バンプを透明絶縁基板上
に形成する。次いで第１絶縁層（６０）を成膜した後、
第２のマイクロフォトエッチングによって第２絶縁層
（６６）のパターンを形成し、第２バンプ（６９）を形
成する。該第２バンプ（６９）は隣り合う第１バンプ
（５８）の間に位置する。この為第１バンプ（５８）と
第２バンプ（６９）を結合させ、画素電極（７８）の表
面の起伏の形状を調整することができる。

【００４７】図１３においては、第２バンプ（６９）を
第１バンプ（５８）の真上に形成する。このため画素電
極（７８）は、起伏の高さが更に大きくなる。

【００４８】図１４においては、第２バンプ（６９）を
第１バンプ（５８）の真上と、及び隣合う第１バンプ
（５８）の間に形成し、密集させる。

【００４９】図１５においては、第１バンプ（５８）、
第２バンプ（６９）、及び第３バンプ（７１）を堆積し
た状態を開示する。該第２バンプ（６９）は第１バンプ
（５８）の真上に位置し、第３バンプ（７１）は隣合う
第１バンプ（５８）の間に形成する。

【００５０】図１６においては、先に第１バンプ（５
８）の真上に第２バンプ（６９）を形成し、更に第３バ
ンプ（７１）を該第２バンプ（６９）上と、及び第１絶
縁層（６０）の表面で隣合う第１バンプ（５８）の間の
位置に形成する。

【００５１】図１７から図１９においては、第１バンプ
（５８）に対して第３バンプ（７１）を任意の位置に設
けて堆積し、画素電極（７８）を形成した状態を開示す
る。

【００５２】図２０は図１５の開示に近似する。即ち第
１バンプ（５８）上に第３バンプ（７１）を形成し、隣
合う第１バンプ（５８）の間に第２バンプ（６９）を形
成して凹凸構造の反射面の効果を達成する。

【００５３】ここにおいて、注目すべき点は三種類のバ
ンプ（５８）（６９）（７１）を配列し、堆積すること
によって様々の構造上の変化を持たすことができ、画素
電極の表面の起伏の状態について調整を行なうことがで
きるが、画素電極の表面に勾配の緩い起伏を形成する
か、若しくは更に一歩進んで粗い表面の起伏の角度を調
整する場合は、画素電極を形成する前に被覆層を形成し
なければならない点である。

【００５４】図２４に開示するように保護層（７６）を
成膜した後、先に被覆層（８０）を該保護層（７６）の
表面に塗布し、更に画素電極（７８）を成膜して形成す
る。画素電極（７８）を形成する領域Aにおいては、既
に透明絶縁基板（５０）の表面に第１金属層によって構
成される第１バンプ（５８）が形成されている。よっ
て、後続の工程で第１絶縁層（６０）と保護層（７６）
を成膜して形成した場合、第１バンプ（５８）の表面の
形状が上層に伝達される。よって例えば有機材料などに
よる被覆層（８０）を塗布した場合表面の起伏が緩和さ
れた形状となり、画素電極（７８）の表面起伏角度
（θ）を調整する目的を達することができる。

【００５５】図２１、２２、２３は、前記の三つのバン
プ（５８）（６９）（７１）と被覆層（８０）とを組み
合わせてなる起伏の形状を開示する。図２１において
は、第１金属層（５２）に対してエッチングを行なう場
合、図面に開示する第１バンプ（５８）を同時に形成
し、次いで第１絶縁層（６０）を形成した後、第１バン
プ（５８）の真上に第２絶縁層（６６）によってなる第
２バンプ（６９）と第２金属層（７０）によってなる第
３バンプ（７１）を順に形成する。該第３バンプ（７
１）は第２バンプ（６９）の真上に位置し、第２バンプ
（６９）に比して表面積を小さく形成する。また、第２
バンプ（６９）は第１バンプ（５８）に比して表面積を
小さく形成する。この為図面に開示するようにテーパ状
の堆積構造が形成される。また、被覆層（８０）を該堆
積構造上に成膜して形成し、勾配が緩和された表面が突
起する効果を達成する。よって後続の工程によって形成
される画素電極（７８）が必要とする起伏形状を得るこ
とができる。

【００５６】図２２においても同様の原理で画素電極
（７８）の表面の起伏形状を調整する。但し第１バンプ
（５８）と第２バンプ（６９）と第３バンプ（７１）の
大きさを調整し、異なる堆積方法を構成する。該第３バ
ンプ（７１）は下方の第２バンプ（６９）を覆うと共に
一端が延伸して第１絶縁層（６０）に至り、起伏が更に
緩和された表面の形状を形成する事ができる。よって後
続の工程において被覆層（８０）と画素電極（７８）を
形成した場合、図２２に開示する表面の形状を得ること
ができる。

【００５７】図２３においては、第２バンプ（６９）の
大きさが第１バンプ（５８）と第３バンプ（７１）との
間の大きさに調整される。よってこのような堆積構造に
よる起伏は図面に開示するように明らかな起伏形状とな
る。

【００５８】また、第１の実施例においては、エッチン
グによる傷害を防ぐ為に、保護層を設けた薄型トランジ
スタ液晶表示の構造と製造方法について開示した。但
し、該保護層を具えないバックチャネルエッチング（ba
ck channel etching/BCE）タイプの薄型トランジスタ液
晶表示装置の場合、その構造と製造方法については、上
述の第１の実施例に比して、第２絶縁層を形成する工程
および第２のマイクロフォトエッチングの工程が省かれ
る点において異なる。即ち、この場合は、第２絶縁層を
半導体層と第１絶縁層上に形成しない。よって、第２絶
縁層に対して第２のマイクロフォトエッチング工程を進
行させる場合、エッチングストップ（Etching Stop）を
ゲート極構造の上方に形成することなく、同時に第２バ
ンプを画素電極形成領域に形成しない。よって、第１の
実施例における第１バンプと第２バンプのみを形成す
る。このため、画素電極の表面に形成される凹凸状の起
伏は、該第１バンプと第３バンプとを任意に組み合わせ
て堆積し、形成する。その製造方法は上述の実施例に開
示する通りであって、ここでは詳述しない。

【００５９】本発明による製造方法によって製造される
反射型薄膜トランジスタ液晶表示装置において画素電極
に凹凸構造を形成する第１、第２もしくは第３のバンプ
は、本発明による製造方法の工程におけるマイクロフォ
トエッチングを利用して、第１金属層か、第２絶縁層
か、もしくは第２金属層の内の少なくとも１によってな
る。また、これらバンプを交錯させて形成して画素電極
の凹凸構造の起伏を調整することができる。よって、従
来の技術に見られるように、別途フォトマスクとフォト
レジスタ層によるエッチングを行う工程を追加してバン
プを形成する必要がなく、散光作用を有する画素電極を
形成することができ、好ましい生産性を維持することが
できる。

【００６０】また、本発明による製造方法における第３
のエッチングを行う場合に、第３のバンプを同時に形成
し、第１、第２、第３のバンプの任意の組み合わせ構造
にすることができる。また、バンプを形成する間隔を調
整することができる。よって、これらバンプの堆積構
造、配列間隔などを調整することによって、後続の工程
によって形成する画素電極の凹凸構造の起伏角度、高さ
などを調整することができる。

【００６１】以上は本発明の好ましい実施例であって、
本発明の実施の範囲を制限するものではない。例えば、
実施例においてはエッチングストップ（Etching Stop）
によって下方の半導体層の浸食を防ぐようにしたが、実
際に応用する場合は、生産性を考慮して同様の構造と特
徴を、フォトマスクによる工程を省いたバックチャネル
エッチング（back channel etching）に応用して、該エ
ッチングストップ（Etching Stop）を形成する工程を省
いてもよい。また、本発明の実施例においては、いずれ
もボトムゲート型のトランジスタを例に挙げたが、当業
者が本発明による製造方法をトップゲート型のトランジ
スタに応用することは容易なことである。よって、当業
者のなし得る修正、変更であって、本発明に対して均等
の効果を有し、かつ本発明の精神と、特許請求の範囲の
範疇に含まれるものは、いずれも本発明の特許請求の範
囲に含まれるものとする。

【００６２】

【発明の効果】 本発明による反射型薄膜トランジスタ
液晶表示装置は、画素電極に散光作用を具える凹凸構造
を形成する。その製造工程において、該散光表面を形成
するための凸状バンプを形成する以前の工程ですでに完
成している素子、もしくは絶縁透過基板などに対して、
バンプを形成する工程によって傷害を与えて製品の歩留
まりが低下することがない。また、本発明は、従来の技
術に見られるようにフォトマスクを利用した製造工程を
追加することないため、生産性を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 従来の技術による凹凸構造を有する反射型薄
膜トランジスタ液晶表示装置断面図である。

【図２】 本発明による凹凸構造を有する反射型薄膜ト
ランジスタ液晶表示装置の製造方法の第１の工程を説明
する断面図である。

【図３】 本発明による凹凸構造を有する反射型薄膜ト
ランジスタ液晶表示装置の製造方法の第２の工程を説明
する断面図である。

【図４】 本発明による凹凸構造を有する反射型薄膜ト
ランジスタ液晶表示装置の製造方法の第３の工程を説明
する断面図である。

【図５】 本発明による凹凸構造を有する反射型薄膜ト
ランジスタ液晶表示装置の製造方法の第４の工程を説明
する断面図である。

【図６】 本発明による凹凸構造を有する反射型薄膜ト
ランジスタ液晶表示装置の製造方法の第５の工程を説明
する断面図である。

【図７】 本発明による凹凸構造を有する反射型薄膜ト
ランジスタ液晶表示装置の製造方法の第６の工程を説明
する断面図である。

【図８】 本発明による凹凸構造を有する反射型薄膜ト
ランジスタ液晶表示装置の製造方法の第８の工程を説明
する断面図である。

【図９】 本発明の第２の実施例の第１の工程を説明す
る断面図である。

【図１０】本発明の第２の実施例の第２の工程を説明す
る断面図である。

【図１１】本発明の第２の実施例の第３の工程を説明す
る断面図である。

【図１２】本発明によるバンプの堆積のその他態様を表
わす断面図である。

【図１３】本発明によるバンプの堆積のその他態様を表
わす断面図である。

【図１４】本発明によるバンプの堆積のその他態様を表
わす断面図である。

【図１５】本発明によるバンプの堆積のその他態様を表
わす断面図である。

【図１６】本発明によるバンプの堆積のその他態様を表
わす断面図である。

【図１７】本発明によるバンプの堆積のその他態様を表
わす断面図である。

【図１８】本発明によるバンプの堆積のその他態様を表
わす断面図である。

【図１９】本発明によるバンプの堆積のその他態様を表
わす断面図である。

【図２０】本発明によるバンプの堆積のその他態様を表
わす断面図である。

【図２１】本発明によるバンプの堆積のその他態様を表
わす断面図である。

【図２２】本発明によるバンプの堆積のその他態様を表
わす断面図である。

【図２３】本発明によるバンプの堆積のその他態様を表
わす断面図である。

【図２４】本発明による凹凸構造を有する反射型薄膜ト
ランジスタ液晶表示装置で凹凸の起伏を調整した例を説
明する断面図である。

【符号の説明】

１０ ガラス基板 １２ ゲート極構造 １４ 絶縁層 １６ 半導体層 １８ ドーピングケイ素層 ２０ ドレイン ２２ ソース ２４ 薄膜トランジスタ ２６ 凸状バンプ ２８ 保護層 ３０ 画素電極 ５０ 透明絶縁基板 ５２ 第１金属層 ５４ フォトレジスタブロック ５６ ゲート極構造 ５８ 第１バンプ ６０ 第１絶縁層 ６２ ゲート極絶縁層 ６４ 半導体層 ６６ 第２絶縁層 ６７ エッチングストップ ６８ ドーピングケイ素層 ６９ 第２バンプ ７０ 第２金属層 ７１ 第３バンプ ７２ ソース構造 ７４ ドレイン構造 ７６ 保護層 ７８ 画素電極 ８０ 被覆層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 JA24 JA34 JA41 MA15 MA17 MA27 NA25 PA12 5F110 AA16 BB01 CC07 DD02 DD03 EE03 EE04 FF02 FF03 FF04 FF09 FF29 GG02 GG15 HK09 NN12 NN72

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 凹凸構造の散光面を形成してなる画素
   電極を有する反射型薄膜トランジスタ液晶表示装置であ
   って、 透明絶縁基板と、 該透明絶縁基板上に成膜して形成した第１金属層にマイ
   クロフォトエッチングを行なって形成したゲート構造
   と、 該ゲート極構造上に成膜して形成した第１絶縁層と、 該第１絶縁層上に成膜して形成したゲート極絶縁層と、 該ゲート極絶縁層上に成膜して形成し、かつ所定のパタ
   ーンを形成した半導体層と、 該半導体層上に形成したドーピングケイ素層と、 該ドーピングケイ素層上に形成し、かつ該第２のマイク
   ロフォトエッチング工程によってドレイン構造とソース
   構造とを形成した第２金属層と、 上層に形成される保護層と画素電極とを具え、 さらに、前記透明絶縁基板上には、該第１金属層に対し
   てマイクロフォトエッチングを行う場合に、エッチング
   によって該ゲート構造と同時に凸状の第１バンプを形成
   し、 また、該半導体層と該ドーピングケイ素層との間に第２
   絶縁層を介在させ、該第２絶縁層をエッチングしてなる
   エッチングストップ（Etching Stop）を該半導体層上の
   該ゲート極に対応する位置に設けたことを特徴とする反
   射型薄膜トランジスタ液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記透明絶縁基板とゲート極構造の表
   面に形成した第１絶縁層上にゲート極絶縁層と半導体層
   とを順に成膜して形成し、かつマイクロフォトエッチン
   グを行ない、ゲート極構造の上方に所要の半導体層のパ
   ターンを形成し、さらに第２絶縁層を形成して該半導体
   層と第１絶縁層の表面を覆い、該第２絶縁層に対してマ
   イクロフォトエッチングを行い該ゲート極構造の上方に
   エッチングストップ（Etching Stop）を形成するととも
   に、後続の工程によって画素電極を構成する領域におい
   て画素電極に対応する凸状の第２バンプを第２絶縁層に
   よって形成することを特徴とする請求項１に記載の反射
   型薄膜トランジスタ液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記透過基板上に第１金属層を形成
   し、該第１金属層にマイクロフォトエッチングによって
   該ゲート極構造を形成する場合、同時に構造の工程によ
   って画素電極を形成する領域に第１のバンプを形成し、
   該第１のバンプと前記第２バンプとが上下対応する位置
   において積層構造を形成するか、もしくは上下の位置が
   交錯した構造を形成するか、もしくはこれら構造を組み
   合わせたことを特徴とする請求項２に記載の反射型薄膜
   トランジスタ液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記第２金属層にマイクロエッチング
   を行い、ソース構造とドレイン構造を形成する場合、後
   続の工程で画素電極を形成するエリアに、該第２金属層
   によってなる第３のバンプを同時に形成することを特徴
   とする請求項１、もしくは請求項２、もしくは請求項３
   に記載の反射型薄膜トランジスタ液晶表示装置。
5. 【請求項５】 透明絶縁基板に凹凸構造の表面を有す
   る画素電極を形成してなる反射型薄膜トランジスタ液晶
   表示装置の製造方法であって、 該透明絶縁基板上に第1金属層を成膜して形成し、 該第１金属層に第１のマイクロフォトエッチングによっ
   てゲート構造を形成し、 該ゲート極構造上に第１絶縁層と半導体層とを成膜して
   形成し、かつ該半導体層のパターンをゲート極上に形成
   し、 さらに、ドーピングケイ素層と、第２金属層とを成膜し
   て形成し、かつドーピングケイ素層と、第２金属層とに
   該第２のマイクロフォトエッチング工程によってドレイ
   ン構造とソース構造とを形成し、 該ドレイン構造とソース構造上に保護層と画素電極を形
   成し、 前記第１のマイクロフォトエッチング工程と第２のマイ
   クロフォトエッチング工程を進行させる場合に、第１金
   属層によって凸状の第１バンプを同時に形成し、また第
   ２金属層によって凸状の第２バンプを同時に形成し、か
   つ該第１バンプ、もしくは第２バンプの少なくともいず
   れかが、透明絶縁基板上の画素電極を形成する位置に対
   応した位置に形成されて、後続の工程によって形成され
   る画素電極が該第１バンプ、もしくは第２バンプの凸状
   に沿って起伏し、凹凸構造の散光表面を形成することを
   特徴とする反射型薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造
   方法。
6. 【請求項６】 前記半導体層のパターンを形成した
   後、さらに第２絶縁層を成膜して形成し、かつ該第２絶
   縁層に対して第３のマイクロフォトエッチングを進行さ
   せる工程を含み、前記ゲート極構造の上方の半導体層の
   表面にエッチングストップ（Etching Stop）を形成する
   とともに、透明絶縁基板上の画素電極を形成する位置に
   対応した位置に該第２絶縁層によってなる凸状の第３の
   バンプを形成することを特徴とする請求項５に記載の反
   射型薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
7. 【請求項７】 前記第２絶縁層が窒化ケイ素を材料と
   することを特徴とする請求項６に記載の反射型薄膜トラ
   ンジスタ液晶表示装置の製造方法。
8. 【請求項８】 前記第１金属層と、第２金属層とがア
   ルミか、クロムか、チタンか、もしくはタングステン
   か、タンタルか、もしくはモリブデンから選択される
   か、またはこれら金属から任意に選択し、組み合わせた
   合金によってなることを特徴とする請求項５に記載の反
   射型薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
9. 【請求項９】 該透明絶縁基板上に第１金属層を形成
   し、 該第１金属層に第１のマイクロフォトエッチングを行な
   って，該透明絶縁基板上にゲート構造を形成し、 該ゲート極構造と透過基板の表面に第１絶縁層を形成
   し、 該第１絶縁層の表面で該ゲート極構造の上方の位置に半
   導体層を形成し、 該半導体層と第１絶縁層の表面に第２絶縁層を形成し、 該第２絶縁層に第２のマイクロフォトエッチングを行
   い、該ゲート構造上方の半導体層上にエッチングストッ
   プ（Etching Stop）を形成し、 該エッチングストップ（Etching Stop）と、該半導体層
   と、該第絶縁層の表面に第２金属層を形成し、 該第２金属層に第３のマイクロエッチングを行い、該エ
   ッチングストップ（Etching Stop）の両側の位置にドレ
   イン構造とソース構造とを形成し、 該透過基板上方に保護層を形成し、かつ該ドレイン構造
   とソース構造の一部表面を露出させ、 該保護層の表面に画素電極を形成し、かつ該ドレイン構
   造と電気的に接続する反射型薄膜トランジスタ液晶表示
   装置の製造方法であって、 該第１のマイクロフォトエッチング工程か、第２のマイ
   クロエッチング工程か、もしくは第３のマイクロフォト
   エッチングの工程を行う場合、該透明絶縁基板上の画素
   電極を形成する領域に、少なくとも一種類以上の画素電
   極に対応する凸状のバンプを形成し、後続の工程におい
   て保護層と画素電極を形成する場合、該保護層と画素電
   極が凸状のバンプの形状に沿って表面を起伏させ、該画
   素電極に凹凸構造の散光表面を形成することを特徴とす
   る反射型薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記第１金属層と、第２金属層とが
    アルミか、クロムか、チタンか、もしくはタングステン
    か、タンタルか、もしくはモリブデンから選択される
    か、またはこれら金属から任意に選択し、組み合わせた
    合金によってなることを特徴とする請求項９に記載の反
    射型薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記第１絶縁層の材料が窒化ケイ素
    か、酸化ケイ素か、もしくは窒酸化ケイ素から選択され
    るか、またはこれらを任意に組み合わせてなることを特
    徴とする請求項９に記載の反射型薄膜トランジスタ液晶
    表示装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記第２金属層を成膜して形成する
    工程の前に、さらにドーピングケイ素層を該半導体層
    と、エッチングストップ（Etching Stop）の表面に形成
    することを特徴とする請求項９に記載の反射型薄膜トラ
    ンジスタ液晶表示装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記保護層を形成した後、さらに被
    覆層を形成して該保護層の表面を覆い、画素電極の凹凸
    構造の表面角度を調整することを特徴とする請求項９に
    記載の反射型薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方
    法。
14. 【請求項１４】 透明絶縁基板に第１金属層を形成
    し、 該第１金属層に第１のマイクロフォトエッチングを行な
    い、ゲート構造と複数の第１バンプを該透明絶縁基板上
    に形成し、 該ゲート極構造と第１バンプの表面に第１絶縁層を形成
    し、 該第１絶縁層の表面で該ゲート極構造の上方の位置に半
    導体層を形成し、 該半導体層と第１絶縁層の表面に第２絶縁層を形成し、 該第２絶縁層に第２のマイクロフォトエッチングを行
    い、該ゲート構造上方の半導体層表面にエッチングスト
    ップ（Etching Stop）を形成し、 該エッチングストップ（Etching Stop）と、該半導体層
    と、該第絶縁層の表面に第２金属層を形成し、 該第２金属層に第３のマイクロエッチングを行い、該エ
    ッチングストップ（Etching Stop）の両側の位置にドレ
    イン構造とソース構造とを形成し、 該透過基板上方に保護層を形成し、かつ該ドレイン構造
    とソース構造の一部表面を露出させ、 該保護層の表面に画素電極を形成し、かつ該ドレイン構
    造と電気的に接続する反射型薄膜トランジスタ液晶表示
    装置の製造方法であって、 該第１バンプによって、後続の工程において保護層と画
    素電極を形成する場合、該保護層と画素電極が凸状のバ
    ンプの形状に沿って表面を起伏させ、該画素電極に凹凸
    構造の散光表面を形成することを特徴とする反射型薄膜
    トランジスタ液晶表示装置の製造方法。
15. 【請求項１５】 前記保護層を形成した後、さらに被
    覆層を形成して該保護層の表面を覆い、画素電極の凹凸
    構造の表面角度を調整することを特徴とする請求項１４
    に記載の反射型薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方
    法。
16. 【請求項１６】 前記第２絶縁層に対して第２のマイ
    クロフォトエッチングを行う場合、該第２絶縁層によっ
    てなる複数の第２バンプを該第１絶縁層の表面に形成す
    ることを特徴とする請求項１４に記載の反射型薄膜トラ
    ンジスタ液晶表示装置の製造方法。
17. 【請求項１７】 前記第２金属層に対して第３のマイ
    クロフォトエッチングを行う場合、該第２金属層によっ
    てなる複数の第３バンプを該第１絶縁層の表面に形成す
    ることを特徴とする請求項１４に記載の反射型薄膜トラ
    ンジスタ液晶表示装置の製造方法。