JP2003149679A - 凸起状構造を有するフィルム・トランジスタ液晶表示器の構造及び製造方法 - Google Patents
凸起状構造を有するフィルム・トランジスタ液晶表示器の構造及び製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
本発明は凸起状構造を有するフィルム・トランジスタ液
晶表示器の構造及びその製造方法であって、当該製造方
法は（ａ）絶縁基板を提供するステップと、（ｂ）前記
絶縁基板上において第１の導体層を形成するステップ
と、（ｃ）一部の前記第１の導体層を除去して、第１の
導体構造および第１の凸起状構造を形成すると共に、こ
の第１の凸起状構造を画素領域に位置させるステップ
と、（ｄ）前記第１の導体構造及び前記第１の導体層を
有する絶縁基板上において、順に絶縁層及び半導体層を
形成するステップと、（ｅ）一部の前記半導体層を除去
することにより半導体構造を形成するステップと、
（ｆ）前記半導体構造上において第２の導体層を形成す
るステップと、（ｇ）一部の前記第２の導体層を除去す
ることにより第２の導体構造を形成するステップとを含
んでなる。
晶表示器の構造及びその製造方法であって、当該製造方
法は（ａ）絶縁基板を提供するステップと、（ｂ）前記
絶縁基板上において第１の導体層を形成するステップ
と、（ｃ）一部の前記第１の導体層を除去して、第１の
導体構造および第１の凸起状構造を形成すると共に、こ
の第１の凸起状構造を画素領域に位置させるステップ
と、（ｄ）前記第１の導体構造及び前記第１の導体層を
有する絶縁基板上において、順に絶縁層及び半導体層を
形成するステップと、（ｅ）一部の前記半導体層を除去
することにより半導体構造を形成するステップと、
（ｆ）前記半導体構造上において第２の導体層を形成す
るステップと、（ｇ）一部の前記第２の導体層を除去す
ることにより第２の導体構造を形成するステップとを含
んでなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は凸起状構造を有する
フィルム・トランジスタ液晶表示器の構造及び製造方法
に関し、特に、反射式又は透過式フィルム・トランジス
タ表示器に関する。
フィルム・トランジスタ液晶表示器の構造及び製造方法
に関し、特に、反射式又は透過式フィルム・トランジス
タ表示器に関する。
【０００２】
【従来の技術】製造技術の日増しな進歩につれて、液晶
表示器が表示素子として科学技術の各分野に広く応用さ
れている。その動作原理は主として電界により液晶分子
の配列状態を制御し、光線が液晶分子を通過するか否か
によりスクリーン上の明暗の表示効果を達成することに
基づいている。
表示器が表示素子として科学技術の各分野に広く応用さ
れている。その動作原理は主として電界により液晶分子
の配列状態を制御し、光線が液晶分子を通過するか否か
によりスクリーン上の明暗の表示効果を達成することに
基づいている。
【０００３】反射式又は透過反射式のフィルム・トラン
ジスタ液晶表示器については、その輝度が光源の入射光
及びその反射光により決定されるので、比較的明るい表
示効果を得たい場合は光のスクリーン方向に垂直する光
散乱強度を増強しなければならない。上記目的を達成す
るためには反射特性を増強しなければならないので、図
１に示すように、第１の透明電極板１１１上に複数の透
過性樹脂粒子１１３が含まれている樹脂層１１４を形成
させ、光線がカラー・フィルタ１１２及び第１の透明電
極板を透過した後樹脂層１１４に進入した時に、複数の
透過性樹脂粒子１１３により、該光線に衝突による片寄
りを発生させる。そしてフィルム・トランジスタのアレ
イ基板１１５上の第２の透明電極板１１６と第１の透明
電極板１１１との間の電界効果を通して液晶分子に光の
散乱を発生させ、反射板１１７を透過して散乱光を反射
する。この方法の利点は光散乱角度を増して間接的に反
射方向を制御できるという点であるが、複数の透過性樹
脂粒子１１４の位置を調整することにより散乱方向を正
確に制御するという目的を達成することが困難であるの
が欠点である。
ジスタ液晶表示器については、その輝度が光源の入射光
及びその反射光により決定されるので、比較的明るい表
示効果を得たい場合は光のスクリーン方向に垂直する光
散乱強度を増強しなければならない。上記目的を達成す
るためには反射特性を増強しなければならないので、図
１に示すように、第１の透明電極板１１１上に複数の透
過性樹脂粒子１１３が含まれている樹脂層１１４を形成
させ、光線がカラー・フィルタ１１２及び第１の透明電
極板を透過した後樹脂層１１４に進入した時に、複数の
透過性樹脂粒子１１３により、該光線に衝突による片寄
りを発生させる。そしてフィルム・トランジスタのアレ
イ基板１１５上の第２の透明電極板１１６と第１の透明
電極板１１１との間の電界効果を通して液晶分子に光の
散乱を発生させ、反射板１１７を透過して散乱光を反射
する。この方法の利点は光散乱角度を増して間接的に反
射方向を制御できるという点であるが、複数の透過性樹
脂粒子１１４の位置を調整することにより散乱方向を正
確に制御するという目的を達成することが困難であるの
が欠点である。
【０００４】上記欠点の対処として、近年ではフィルム
・トランジスタのアレイ基板１２５の第２の透明電極板
１２６上において、図２に示すように樹脂層１２４が成
長し、光線がカラー・フィルタ１２２を透過した時に、
第２の透明電極板１２６と第１の透明電極板１２１との
間の電界効果を通して液晶分子に光の散乱を発生させ、
再び樹脂層１２４により散乱光を反射するようにしてい
る。この場合、樹脂層１２４が湾曲構造であることか
ら、その凹凸の表面が反射角度の大きさを制御するよう
に働くので、効果的に光の反射方向を制御することがで
きる。
・トランジスタのアレイ基板１２５の第２の透明電極板
１２６上において、図２に示すように樹脂層１２４が成
長し、光線がカラー・フィルタ１２２を透過した時に、
第２の透明電極板１２６と第１の透明電極板１２１との
間の電界効果を通して液晶分子に光の散乱を発生させ、
再び樹脂層１２４により散乱光を反射するようにしてい
る。この場合、樹脂層１２４が湾曲構造であることか
ら、その凹凸の表面が反射角度の大きさを制御するよう
に働くので、効果的に光の反射方向を制御することがで
きる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
樹脂層を形成させて光のスクリーン方向に垂直な光散乱
強度を増加する従来の技術によると、製造プロセスのコ
ストが相対的にアップする外、製造プロセスにおいて余
計に一つのフォト・マスクが増加して比較的繁雑にな
る。
樹脂層を形成させて光のスクリーン方向に垂直な光散乱
強度を増加する従来の技術によると、製造プロセスのコ
ストが相対的にアップする外、製造プロセスにおいて余
計に一つのフォト・マスクが増加して比較的繁雑にな
る。
【０００６】したがって、本発明の目的はより製造プロ
セスのコストを節減し、より簡単な製造プロセスにもか
かわらず同様な目的を達成できる、凸起状構造を有する
フィルム・トランジスタ液晶表示器の構造及び製造方法
を提供することにある。
セスのコストを節減し、より簡単な製造プロセスにもか
かわらず同様な目的を達成できる、凸起状構造を有する
フィルム・トランジスタ液晶表示器の構造及び製造方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の凸起状構造を有するフィルム・トランジス
タ表示器の構造及び製造方法は以下のように定義され
る。
め、本発明の凸起状構造を有するフィルム・トランジス
タ表示器の構造及び製造方法は以下のように定義され
る。
【０００８】第１の本発明（請求項１に対応）は凸起状
構造を有するフィルム・トランジスタ表示器の製造方法
であって、（ａ）絶縁基板を提供するステップと、
（ｂ）前記絶縁基板上において第１の導体層を形成する
ステップと、（ｃ）一部の前記第１の導体層を除去し
て、第１の導体構造および第１の凸起状構造を設定する
と共に、この第１の凸起状構造を画素領域に位置させる
ステップと、（ｄ）前記第１の導体構造及び前記第１の
導体層を有する絶縁基板上において、順に絶縁層及び半
導体層を形成するステップと、（ｅ）一部の前記半導体
層を除去することにより半導体構造を構成するステップ
と、（ｆ）前記半導体構造上において第２の導体層を形
成するステップと、（ｇ）一部の前記第２の導体層を除
去することにより第２の導体構造を構成するステップ
と、を含んでなることを特徴とする。
構造を有するフィルム・トランジスタ表示器の製造方法
であって、（ａ）絶縁基板を提供するステップと、
（ｂ）前記絶縁基板上において第１の導体層を形成する
ステップと、（ｃ）一部の前記第１の導体層を除去し
て、第１の導体構造および第１の凸起状構造を設定する
と共に、この第１の凸起状構造を画素領域に位置させる
ステップと、（ｄ）前記第１の導体構造及び前記第１の
導体層を有する絶縁基板上において、順に絶縁層及び半
導体層を形成するステップと、（ｅ）一部の前記半導体
層を除去することにより半導体構造を構成するステップ
と、（ｆ）前記半導体構造上において第２の導体層を形
成するステップと、（ｇ）一部の前記第２の導体層を除
去することにより第２の導体構造を構成するステップ
と、を含んでなることを特徴とする。
【０００９】上記第１の本発明の製造方法において、前
記フィルム・トランジスタ液晶表示器は反射式又は半透
過式のフィルム・トランジスタ液晶表示器である。
記フィルム・トランジスタ液晶表示器は反射式又は半透
過式のフィルム・トランジスタ液晶表示器である。
【００１０】また、第２の本発明（請求項２に対応）は
上記第１の本発明の製造方法において、前記第１の導体
層又は前記第２の導体層が金属層であることを特徴とす
る。
上記第１の本発明の製造方法において、前記第１の導体
層又は前記第２の導体層が金属層であることを特徴とす
る。
【００１１】また、第３の本発明（請求項３に対応）は
上記第１の本発明の製造方法において、前記ステップ
（ｅ）がさらに、前記半導体構造を構成する時に同時に
第２の凸起状構造を形成すると共に、該第２の凸起状構
造の凸起部分と前記第１の凸起状構造の凸起部分とを互
いに対応させるステップ（ｅ１）を含み、前記第２の凸
起状構造の凸起部分における表面積が前記第１の凸起状
構造の凸起部分における表面積よりも小さい、ことを特
徴とする。
上記第１の本発明の製造方法において、前記ステップ
（ｅ）がさらに、前記半導体構造を構成する時に同時に
第２の凸起状構造を形成すると共に、該第２の凸起状構
造の凸起部分と前記第１の凸起状構造の凸起部分とを互
いに対応させるステップ（ｅ１）を含み、前記第２の凸
起状構造の凸起部分における表面積が前記第１の凸起状
構造の凸起部分における表面積よりも小さい、ことを特
徴とする。
【００１２】また、第４の本発明（請求項４に対応）は
上記第１の本発明の製造方法において、前記ステップ
（ｇ）がさらに、前記第２の導体構造を構成する時に同
時に第３の凸起状構造を形成すると共に、該第３の凸起
状構造の凸起部分と前記第２の凸起状構造の凸起部分と
を互いに対応させるステップ（ｇ１）を含み、前記第３
の凸起状構造の凸起部分における表面積が前記第２の凸
起状構造の表面積よりも小さい、ことを特徴とする。
上記第１の本発明の製造方法において、前記ステップ
（ｇ）がさらに、前記第２の導体構造を構成する時に同
時に第３の凸起状構造を形成すると共に、該第３の凸起
状構造の凸起部分と前記第２の凸起状構造の凸起部分と
を互いに対応させるステップ（ｇ１）を含み、前記第３
の凸起状構造の凸起部分における表面積が前記第２の凸
起状構造の表面積よりも小さい、ことを特徴とする。
【００１３】また、第５の本発明（請求項５に対応）は
上記第３の本発明又は第４の本発明の製造方法におい
て、前記第１の凸起状構造、前記第２の凸起状構造又は
前記第３の凸起状構造の傾斜角は３゜〜２０゜の間にあ
ることを特徴とする。
上記第３の本発明又は第４の本発明の製造方法におい
て、前記第１の凸起状構造、前記第２の凸起状構造又は
前記第３の凸起状構造の傾斜角は３゜〜２０゜の間にあ
ることを特徴とする。
【００１４】さらには第６の本発明（請求項６に対応）
は凸起状構造を有するフィルム・トランジスタ液晶表示
器の構造であって、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成
された第１の導体構造と、前記絶縁基板上に形成される
と共に画素領域に位置した第１の凸起状構造と、前記第
１の導体構造及び前記第１の凸起状構造上に形成された
絶縁層と、前記絶縁層上に形成された半導体構造と、前
記半導体構造に形成された第２の導体構造と、を備えて
なることを特徴とする。
は凸起状構造を有するフィルム・トランジスタ液晶表示
器の構造であって、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成
された第１の導体構造と、前記絶縁基板上に形成される
と共に画素領域に位置した第１の凸起状構造と、前記第
１の導体構造及び前記第１の凸起状構造上に形成された
絶縁層と、前記絶縁層上に形成された半導体構造と、前
記半導体構造に形成された第２の導体構造と、を備えて
なることを特徴とする。
【００１５】上記第６の本発明の構造において、前記フ
ィルム・トランジスタ液晶表示器は反射式又は半透過式
のフィルム・トランジスタ液晶表示器であることを特徴
とする。
ィルム・トランジスタ液晶表示器は反射式又は半透過式
のフィルム・トランジスタ液晶表示器であることを特徴
とする。
【００１６】また上記第６の本発明の構造において前記
第１の導体構造又は前記第２の導体構造は金属構造であ
ることを特徴とする。
第１の導体構造又は前記第２の導体構造は金属構造であ
ることを特徴とする。
【００１７】また上記第６の本発明の構造において、前
記半導体構造を形成する時に同時に第２の凸起状構造を
形成すると共に、該第２の凸起状構造の凸起部分と前記
第１の凸起状構造の凸起部分とを互いに対応させ、前記
第２の凸起状構造の凸起部分における表面積が前記第１
の凸起状構造の凸起部分における表面積よりも小さい、
ことを特徴とする。
記半導体構造を形成する時に同時に第２の凸起状構造を
形成すると共に、該第２の凸起状構造の凸起部分と前記
第１の凸起状構造の凸起部分とを互いに対応させ、前記
第２の凸起状構造の凸起部分における表面積が前記第１
の凸起状構造の凸起部分における表面積よりも小さい、
ことを特徴とする。
【００１８】また上記第６の本発明の構造において、前
記第２の導体構造を形成する時に同時に第３の凸起状構
造を形成すると共に、該第３の凸起状構造の凸起部分と
前記第２の凸起状構造の凸起部分とを互いに対応させ、
この中前記第３の凸起状構造の凸起部分における表面積
が前記第２の凸起状構造の表面積よりも小さい、ことを
特徴とする。
記第２の導体構造を形成する時に同時に第３の凸起状構
造を形成すると共に、該第３の凸起状構造の凸起部分と
前記第２の凸起状構造の凸起部分とを互いに対応させ、
この中前記第３の凸起状構造の凸起部分における表面積
が前記第２の凸起状構造の表面積よりも小さい、ことを
特徴とする。
【００１９】また、上記第６の本発明の構造において、
前記第１の凸起状構造、前記第２の凸起状構造又は前記
第３の凸起状構造の傾斜角は３゜〜２０゜の間にあるこ
とを特徴とする。
前記第１の凸起状構造、前記第２の凸起状構造又は前記
第３の凸起状構造の傾斜角は３゜〜２０゜の間にあるこ
とを特徴とする。
【００２０】さらには第７の本発明（請求項７に対応）
は凸起状構造を有するフィルム・トランジスタ液晶表示
器の製造方法であって、（ａ）絶縁基板を提供するステ
ップと、（ｂ）前記絶縁基板上において半導体層を形成
するステップと、（ｃ）一部の前記半導体層を除去し
て、半導体構造および第１の凸起状構造を設定すると共
に、この第１の凸起状構造を画素領域に位置させるステ
ップと、（ｄ）前記半導体構造及び該半導体構造を有す
る前記絶縁基板上において順に第１の絶縁層及び第１の
導体層を形成するステップと、（ｅ）一部の前記第１の
導体層を除去することにより第１の導体構造を構成する
ステップと、（ｆ）前記第１の導体構造上において第２
の絶縁層を形成するステップと、（ｇ）一部の前記第１
の絶縁層及び前記第２の絶縁層を除去することにより、
第１のチャネル及び第２のチャネルを形成するステップ
と、（ｈ）前記第２の絶縁層上において第２の導体層を
形成するステップと、（ｉ）一部の前記第２の導体層を
除去することにより第２の導体構造を構成するステップ
と、を含んでなることを特徴とする。
は凸起状構造を有するフィルム・トランジスタ液晶表示
器の製造方法であって、（ａ）絶縁基板を提供するステ
ップと、（ｂ）前記絶縁基板上において半導体層を形成
するステップと、（ｃ）一部の前記半導体層を除去し
て、半導体構造および第１の凸起状構造を設定すると共
に、この第１の凸起状構造を画素領域に位置させるステ
ップと、（ｄ）前記半導体構造及び該半導体構造を有す
る前記絶縁基板上において順に第１の絶縁層及び第１の
導体層を形成するステップと、（ｅ）一部の前記第１の
導体層を除去することにより第１の導体構造を構成する
ステップと、（ｆ）前記第１の導体構造上において第２
の絶縁層を形成するステップと、（ｇ）一部の前記第１
の絶縁層及び前記第２の絶縁層を除去することにより、
第１のチャネル及び第２のチャネルを形成するステップ
と、（ｈ）前記第２の絶縁層上において第２の導体層を
形成するステップと、（ｉ）一部の前記第２の導体層を
除去することにより第２の導体構造を構成するステップ
と、を含んでなることを特徴とする。
【００２１】第８の本発明（請求項８に対応）は上記第
７の本発明の製造方法において、前記フィルム・トラン
ジスタ液晶表示器が低温多結晶シリコンのフィルム・ト
ランジスタ液晶表示器（ＬＴＰＳ ＴＦＴ−ＬＣＤ）、
反射式フィルム・トランジスタ液晶表示器又は半透過式
フィルム・トランジスタ液晶表示器であることを特徴と
する。
７の本発明の製造方法において、前記フィルム・トラン
ジスタ液晶表示器が低温多結晶シリコンのフィルム・ト
ランジスタ液晶表示器（ＬＴＰＳ ＴＦＴ−ＬＣＤ）、
反射式フィルム・トランジスタ液晶表示器又は半透過式
フィルム・トランジスタ液晶表示器であることを特徴と
する。
【００２２】さらには第９の本発明（請求項９に対応）
は凸起状構造を有するフィルム・トランジスタ表示器の
構造であって、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成され
た半導体構造と、前記絶縁基板上に形成されると共に画
素領域に位置した第１の凸起状構造と、前記半導体構造
及び前記第１の凸起状構造に形成された第１の絶縁層
と、前記第１の絶縁層上に形成された第１の導体構造及
び第２の凸起状構造と、前記第１の導体層及び前記第２
の凸起状構造に形成された第２の絶縁層と、前記第１の
絶縁層及び前記第２の絶縁層をそれぞれ透過した第１の
チャネル及び第２のチャネルと、前記第２の絶縁層に形
成された第２の導体構造及び第３の凸起状構造とを備え
てなることを特徴とする。
は凸起状構造を有するフィルム・トランジスタ表示器の
構造であって、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成され
た半導体構造と、前記絶縁基板上に形成されると共に画
素領域に位置した第１の凸起状構造と、前記半導体構造
及び前記第１の凸起状構造に形成された第１の絶縁層
と、前記第１の絶縁層上に形成された第１の導体構造及
び第２の凸起状構造と、前記第１の導体層及び前記第２
の凸起状構造に形成された第２の絶縁層と、前記第１の
絶縁層及び前記第２の絶縁層をそれぞれ透過した第１の
チャネル及び第２のチャネルと、前記第２の絶縁層に形
成された第２の導体構造及び第３の凸起状構造とを備え
てなることを特徴とする。
【００２３】上記第９の発明において、前記フィルム・
トランジスタ液晶表示器は低温多結晶シリコン・フィル
ム・トランジスタ液晶表示器、反射式フィルム・トラン
ジスタ液晶表示器又は半透過式フィルム・トランジスタ
液晶表示器であることを特徴とする。
トランジスタ液晶表示器は低温多結晶シリコン・フィル
ム・トランジスタ液晶表示器、反射式フィルム・トラン
ジスタ液晶表示器又は半透過式フィルム・トランジスタ
液晶表示器であることを特徴とする。
【００２４】また、第１０の本発明（請求項１０に対
応）は上記第９の本発明の構造において、前記半導体層
が多結晶シリコン層（Ｐ−Ｓｉ）であることを特徴とす
る。
応）は上記第９の本発明の構造において、前記半導体層
が多結晶シリコン層（Ｐ−Ｓｉ）であることを特徴とす
る。
【００２５】また、上記第９の本発明の構造において前
記第１の導体構造又は前記第２の導体構造は金属構造で
あることを特徴とする。
記第１の導体構造又は前記第２の導体構造は金属構造で
あることを特徴とする。
【００２６】また、上記第９の本発明の構造において、
前記第１の導体構造を形成する時に同時に第２の凸起状
構造を形成すると共に、該第２の凸起状構造の凸起部分
と前記第１の凸起状構造の凸起部分とを互いに対応さ
せ、この中前記第２の凸起状構造の凸起部分における表
面積が前記第１の凸起状構造の凸起部分における表面積
よりも小さい、ことを特徴とする。
前記第１の導体構造を形成する時に同時に第２の凸起状
構造を形成すると共に、該第２の凸起状構造の凸起部分
と前記第１の凸起状構造の凸起部分とを互いに対応さ
せ、この中前記第２の凸起状構造の凸起部分における表
面積が前記第１の凸起状構造の凸起部分における表面積
よりも小さい、ことを特徴とする。
【００２７】また、上記第９の本発明の構造において、
前記第２の導体構造を形成する時に同時に第３の凸起状
構造を形成すると共に、該第３の凸起状構造の凸起部分
と前記第２の凸起状構造の凸起部分とを互いに対応さ
せ、この中前記第３の凸起状構造の凸起部分における表
面積が前記第２の凸起状構造の表面積よりも小さいこと
を特徴とする。
前記第２の導体構造を形成する時に同時に第３の凸起状
構造を形成すると共に、該第３の凸起状構造の凸起部分
と前記第２の凸起状構造の凸起部分とを互いに対応さ
せ、この中前記第３の凸起状構造の凸起部分における表
面積が前記第２の凸起状構造の表面積よりも小さいこと
を特徴とする。
【００２８】また上記第９の本発明の構造において、前
記第１の凸起状構造、前記第２の凸起状構造又は前記第
３の凸起状構造の傾斜角は３゜〜２０゜の間にあること
を特徴とする。
記第１の凸起状構造、前記第２の凸起状構造又は前記第
３の凸起状構造の傾斜角は３゜〜２０゜の間にあること
を特徴とする。
【００２９】さらには第１１の本発明（請求項１１に対
応）は凸起状構造を有するフィルム・トランジスタ液晶
表示器の製造方法であって、（ａ）絶縁基板を提供する
ステップと、（ｂ）前記絶縁基板上において多層の積重
ね凸起状構造と、フィルム・トランジスタ構造と、該フ
ィルム・トランジスタ構造のソース／ドレーン端に接続
する透明電極構造とを形成するステップと、を含んでな
ることを特徴とする。
応）は凸起状構造を有するフィルム・トランジスタ液晶
表示器の製造方法であって、（ａ）絶縁基板を提供する
ステップと、（ｂ）前記絶縁基板上において多層の積重
ね凸起状構造と、フィルム・トランジスタ構造と、該フ
ィルム・トランジスタ構造のソース／ドレーン端に接続
する透明電極構造とを形成するステップと、を含んでな
ることを特徴とする。
【００３０】上記第１１の本発明の製造方法において、
前記フィルム・トランジスタ液晶表示器は低温多結晶シ
リコン・フィルム・トランジスタ液晶表示器（ＬＴＰＳ
ＴＦＴ−ＬＣＤ）、反射式フィルム・トランジスタ液
晶表示器又は半透過式フィルム・トランジスタであるこ
とを特徴とする。
前記フィルム・トランジスタ液晶表示器は低温多結晶シ
リコン・フィルム・トランジスタ液晶表示器（ＬＴＰＳ
ＴＦＴ−ＬＣＤ）、反射式フィルム・トランジスタ液
晶表示器又は半透過式フィルム・トランジスタであるこ
とを特徴とする。
【００３１】また、第１２の本発明（請求項１２の対
応）は上記第１１の本発明の製造方法において、前記多
層凸起状構造の傾斜角は３゜〜２０゜の間にあることを
特徴とする。
応）は上記第１１の本発明の製造方法において、前記多
層凸起状構造の傾斜角は３゜〜２０゜の間にあることを
特徴とする。
【００３２】さらには第１３の本発明（請求項１３に対
応）は凸起状構造を有するフィルム・トランジスタ液晶
表示器の構造であって、絶縁基板と、前記絶縁基板上に
形成された多層の積重ね凸起状構造と、前記絶縁基板上
に形成され、かつ、前記フィルム・トランジスタのソー
ス／ドレーン端に接続された透明電極構造と、を備えて
なることを特徴とする。
応）は凸起状構造を有するフィルム・トランジスタ液晶
表示器の構造であって、絶縁基板と、前記絶縁基板上に
形成された多層の積重ね凸起状構造と、前記絶縁基板上
に形成され、かつ、前記フィルム・トランジスタのソー
ス／ドレーン端に接続された透明電極構造と、を備えて
なることを特徴とする。
【００３３】上記第１３の本発明の構造において、前記
フィルム・トランジスタ液晶表示器は低温多結晶シリコ
ン・フィルム・トランジスタ液晶表示器（ＬＴＰＳ Ｔ
ＦＴ−ＬＣＤ）、反射式フィルム・トランジスタ液晶表
示器又は半透過式フィルム・トランジスタ液晶表示器で
あることを特徴とする。
フィルム・トランジスタ液晶表示器は低温多結晶シリコ
ン・フィルム・トランジスタ液晶表示器（ＬＴＰＳ Ｔ
ＦＴ−ＬＣＤ）、反射式フィルム・トランジスタ液晶表
示器又は半透過式フィルム・トランジスタ液晶表示器で
あることを特徴とする。
【００３４】また上記第１３の本発明の構造において、
前記多層凸起状構造の傾斜角は３゜〜２０゜の間にある
ことを特徴とする。
前記多層凸起状構造の傾斜角は３゜〜２０゜の間にある
ことを特徴とする。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、本発明をより具体的に理解
するために実施例をあげて、添付図を参照しながら説明
する。
するために実施例をあげて、添付図を参照しながら説明
する。
【００３６】図３−９は従来の技術的手段を改善するた
めに開発されたフィルム・トランジスタ液晶表示器の製
造方法の好適な実施例における製造工程図である。即
ち、図３は絶縁基板２１１上に第１の導体層（クロム、
モリブデン化タングステン、タンタラム、アルミニウム
又は銅で完成され、フィルム・トランジスタ液晶のゲー
ト導電層として使用される）を形成した後、第１のフォ
トマスク・エッチング・プロセスで第１の導体構造２１
２及び第１の凸起状構造２１２１を形成すると共に、該
第１の凸起状構造２１２１を画素領域に位置させる。次
に図４に示すように下から上へ順に絶縁層２１３、通常
非結晶シリコン層（Ａ−Ｓｉ）である半導体層２１４、
通常Ｎ+非結晶シリコン層（ｎ+−Ａ−Ｓｉ）であるハイ
・ドーピング半導体層２１５を形成する。しかる後、図
５に示すように第２のフォトマスク・エッチング・プロ
セスにより連続的に半導体構造２１６、ハイ・ドーピン
グ半導体構造２１７及び第２の凸起状構造２１６１，２
１７１を定義して該第２の凸起状構造２１６１，２１７
１の凸起部分と該第１の凸起状構造２１２１の凸起部分
とを互いに対応させ、第２の凸起状構造２１６１，２１
７１の凸起部分における表面積が第１の凸起状構造の凸
起部分２１２１における表面積より小さくなるようにす
る。次に図６に示すように第２の導体層２１８を沈積
し、しかる後図７に示すように第３のフォトマスク・エ
ッチング・プロセスにより第２の導体構造２２０及び第
３の凸起状構造２２０１を定義して該第３の凸起状構造
２２０１の凸起部分と該第２の凸起状構造２１６１，２
１７１の凸起部分とを互いに対応させ、第３の凸起状構
造２２０１の凸起部分における表面積が第２の凸起状構
造２１６１，２１７１の凸起部分における表面積よりも
小さくなるようにする。また、ハイ・ドーピング半導体
構造２１７及び第２の導体構造２２０においてチャネル
構造２１９を形成し、該第２の導体構造２２０にソース
／ドレーン構造を形成させる。次に図８に示すようにソ
ース／ドレーン構造上において通常窒化珪素層である保
護層２２１を形成した後、第４のフォトマスク・エッチ
ング・プロセスにより接触窓構造２２２を形成する。最
後に、図９に示すように通常酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）である透明電極層の沈積を行った後、第５のフォト
マスク・エッチング・プロセスにより必要な透明電極画
素領域２２３を構成する。
めに開発されたフィルム・トランジスタ液晶表示器の製
造方法の好適な実施例における製造工程図である。即
ち、図３は絶縁基板２１１上に第１の導体層（クロム、
モリブデン化タングステン、タンタラム、アルミニウム
又は銅で完成され、フィルム・トランジスタ液晶のゲー
ト導電層として使用される）を形成した後、第１のフォ
トマスク・エッチング・プロセスで第１の導体構造２１
２及び第１の凸起状構造２１２１を形成すると共に、該
第１の凸起状構造２１２１を画素領域に位置させる。次
に図４に示すように下から上へ順に絶縁層２１３、通常
非結晶シリコン層（Ａ−Ｓｉ）である半導体層２１４、
通常Ｎ+非結晶シリコン層（ｎ+−Ａ−Ｓｉ）であるハイ
・ドーピング半導体層２１５を形成する。しかる後、図
５に示すように第２のフォトマスク・エッチング・プロ
セスにより連続的に半導体構造２１６、ハイ・ドーピン
グ半導体構造２１７及び第２の凸起状構造２１６１，２
１７１を定義して該第２の凸起状構造２１６１，２１７
１の凸起部分と該第１の凸起状構造２１２１の凸起部分
とを互いに対応させ、第２の凸起状構造２１６１，２１
７１の凸起部分における表面積が第１の凸起状構造の凸
起部分２１２１における表面積より小さくなるようにす
る。次に図６に示すように第２の導体層２１８を沈積
し、しかる後図７に示すように第３のフォトマスク・エ
ッチング・プロセスにより第２の導体構造２２０及び第
３の凸起状構造２２０１を定義して該第３の凸起状構造
２２０１の凸起部分と該第２の凸起状構造２１６１，２
１７１の凸起部分とを互いに対応させ、第３の凸起状構
造２２０１の凸起部分における表面積が第２の凸起状構
造２１６１，２１７１の凸起部分における表面積よりも
小さくなるようにする。また、ハイ・ドーピング半導体
構造２１７及び第２の導体構造２２０においてチャネル
構造２１９を形成し、該第２の導体構造２２０にソース
／ドレーン構造を形成させる。次に図８に示すようにソ
ース／ドレーン構造上において通常窒化珪素層である保
護層２２１を形成した後、第４のフォトマスク・エッチ
ング・プロセスにより接触窓構造２２２を形成する。最
後に、図９に示すように通常酸化インジウム錫（ＩＴ
Ｏ）である透明電極層の沈積を行った後、第５のフォト
マスク・エッチング・プロセスにより必要な透明電極画
素領域２２３を構成する。
【００３７】なお、図１０−１８は従来の技術的手段を
改善するために開発されたフィルム・トランジスタ液晶
表示器の製造方法の好適な他の実施例における製造工程
図である。即ち、図１０に示す絶縁基板３１１上に通常
多結晶シリコン層（Ｐ−Ｓｉ）である半導体層を形成し
た後、第１のフォトマスク・エッチング・プロセスで半
導体構造３１６及び第１の凸起状構造３１６１を設定す
ると共に、該第１の凸起状構造３１６１を画素領域に位
置させる。次に図１１に示すように下から上へ順に絶縁
層３１３１及び第１の導体層３１（クロム、モリブデン
化タングステン、タンタラム、アルミニウム又は銅で完
成され、フィルム・トランジスタ液晶のゲート導電層と
して使用される）を形成する。しかる後、図１２に示す
ように第２のフォトマスク・エッチング・プロセスによ
り第１の導体構造３１及び第２の凸起状構造３１２１を
形成して該第２の凸起状構造３１２１の凸起部分と該第
１の凸起状構造３１６１の凸起部分とを互いに対応さ
せ、第２の凸起状構造３１２１の凸起部分における表面
積が第１の凸起状構造３１６１の凸起部分における表面
積よりも小さくなるようにする。次に図１３に示すよう
に第２の絶縁層３１３２を沈積し、しかる後図１４に示
すように第３のフォトマスク・エッチング・プロセスに
より一部の第１の絶縁層３１３１及び第２の絶縁層３１
３２を除去して第１のチャネル３２１及び第２のチャネ
ル３２２を設定する。次に図１５に示すように第２の絶
縁層３１３２上において第２の導体層３１８を形成す
る。しかる後、図１６に示すように第４のフォトマスク
・エッチング・プロセスにより第２の導体構造３１８１
及び第３の凸起状構造３２０１を形成して該第３の凸起
状構造３２０１の凸起部分と該第２の凸起状構造３１２
１の凸起部分とを互いに対応させ、第３の凸起状構造３
２０１の凸起部分における表面積が第２の凸起状構造３
１２１の凸起部分における表面積よりも小さくなるよう
にする。次に図１７に示すように第２の導体構造３１８
１及び第３の凸起状構造３２０１上において通常窒化珪
素層である保護層３２１を形成した後、第５のフォトマ
スク・エッチング・プロセスにより接触窓構造３２２を
形成する。最後に図１８に示すように、通常酸化インジ
ウム錫（ＩＴＯ）である透明電極層の沈積を行った後、
第６のフォトマスク・エッチング・プロセスにより必要
な透明電極画素領域３２３を構成する。
改善するために開発されたフィルム・トランジスタ液晶
表示器の製造方法の好適な他の実施例における製造工程
図である。即ち、図１０に示す絶縁基板３１１上に通常
多結晶シリコン層（Ｐ−Ｓｉ）である半導体層を形成し
た後、第１のフォトマスク・エッチング・プロセスで半
導体構造３１６及び第１の凸起状構造３１６１を設定す
ると共に、該第１の凸起状構造３１６１を画素領域に位
置させる。次に図１１に示すように下から上へ順に絶縁
層３１３１及び第１の導体層３１（クロム、モリブデン
化タングステン、タンタラム、アルミニウム又は銅で完
成され、フィルム・トランジスタ液晶のゲート導電層と
して使用される）を形成する。しかる後、図１２に示す
ように第２のフォトマスク・エッチング・プロセスによ
り第１の導体構造３１及び第２の凸起状構造３１２１を
形成して該第２の凸起状構造３１２１の凸起部分と該第
１の凸起状構造３１６１の凸起部分とを互いに対応さ
せ、第２の凸起状構造３１２１の凸起部分における表面
積が第１の凸起状構造３１６１の凸起部分における表面
積よりも小さくなるようにする。次に図１３に示すよう
に第２の絶縁層３１３２を沈積し、しかる後図１４に示
すように第３のフォトマスク・エッチング・プロセスに
より一部の第１の絶縁層３１３１及び第２の絶縁層３１
３２を除去して第１のチャネル３２１及び第２のチャネ
ル３２２を設定する。次に図１５に示すように第２の絶
縁層３１３２上において第２の導体層３１８を形成す
る。しかる後、図１６に示すように第４のフォトマスク
・エッチング・プロセスにより第２の導体構造３１８１
及び第３の凸起状構造３２０１を形成して該第３の凸起
状構造３２０１の凸起部分と該第２の凸起状構造３１２
１の凸起部分とを互いに対応させ、第３の凸起状構造３
２０１の凸起部分における表面積が第２の凸起状構造３
１２１の凸起部分における表面積よりも小さくなるよう
にする。次に図１７に示すように第２の導体構造３１８
１及び第３の凸起状構造３２０１上において通常窒化珪
素層である保護層３２１を形成した後、第５のフォトマ
スク・エッチング・プロセスにより接触窓構造３２２を
形成する。最後に図１８に示すように、通常酸化インジ
ウム錫（ＩＴＯ）である透明電極層の沈積を行った後、
第６のフォトマスク・エッチング・プロセスにより必要
な透明電極画素領域３２３を構成する。
【００３８】本発明の凸起状構造を有するフィルム・ト
ランジスタ液晶表示器の他の利点は第１の導体層及び第
２の導体層がいずれも金属層であり、かつ、第１の凸起
状構造、第２の凸起状構造及び第３の凸起状構造がいず
れも複数の凸起部分を有するという点である。この他に
本発明のフィルム・トランジスタ液晶表示器は時間、温
度等の制御によりその傾斜角度が変化するが、３゜〜２
０゜の範囲にすることが最適である。また、図１９、図
２２、図２５、図２８の表から明らかなように、各種の
異なる沈積厚さ及びパターン直径により凸起状構造が形
成されている。また、図２０、図２３、図２６、図２９
の平面図に示すように、該凸起状構造は更に多種の異な
る形状があり、さらには図２１、図２４、図２７、図３
０の側面図に示すように沈積厚さ及びパターン直径を異
ならせることにより傾斜角度が変化している。
ランジスタ液晶表示器の他の利点は第１の導体層及び第
２の導体層がいずれも金属層であり、かつ、第１の凸起
状構造、第２の凸起状構造及び第３の凸起状構造がいず
れも複数の凸起部分を有するという点である。この他に
本発明のフィルム・トランジスタ液晶表示器は時間、温
度等の制御によりその傾斜角度が変化するが、３゜〜２
０゜の範囲にすることが最適である。また、図１９、図
２２、図２５、図２８の表から明らかなように、各種の
異なる沈積厚さ及びパターン直径により凸起状構造が形
成されている。また、図２０、図２３、図２６、図２９
の平面図に示すように、該凸起状構造は更に多種の異な
る形状があり、さらには図２１、図２４、図２７、図３
０の側面図に示すように沈積厚さ及びパターン直径を異
ならせることにより傾斜角度が変化している。
【００３９】
【発明の効果】要するに、本発明のフィルム・トランジ
スタ液晶表示器は先行技術のものに比べて多層の積重ね
凸起状構造を有すると共に該凸起状構造が具備している
特定傾斜角度が反射角度の大きさの制御に用いられるの
で、光の反射方向を効果的に制御することができる。ま
た、多層の積重ね構造はフィルム・トランジスタ構造に
形成される時に同時に画素領域に位置付けられるので、
製造プロセスが簡単になり、特に、本発明の製造方法を
応用すると、先行技術の製造方法より光マスクが一つ少
くなり、かつ、高価な樹脂材料を使用する必要がないの
で、より製造コストを節減できる。
スタ液晶表示器は先行技術のものに比べて多層の積重ね
凸起状構造を有すると共に該凸起状構造が具備している
特定傾斜角度が反射角度の大きさの制御に用いられるの
で、光の反射方向を効果的に制御することができる。ま
た、多層の積重ね構造はフィルム・トランジスタ構造に
形成される時に同時に画素領域に位置付けられるので、
製造プロセスが簡単になり、特に、本発明の製造方法を
応用すると、先行技術の製造方法より光マスクが一つ少
くなり、かつ、高価な樹脂材料を使用する必要がないの
で、より製造コストを節減できる。
【００４０】上記実施例は本発明の技術的手段をより具
体的に理解するために説明したもので、当然本発明の技
術的思想はこれに限定されず、添付クレームの範囲を逸
脱しない限り、当業者による単純な設計変更、置換、付
加等はいずれも本発明の技術的範囲に属する。
体的に理解するために説明したもので、当然本発明の技
術的思想はこれに限定されず、添付クレームの範囲を逸
脱しない限り、当業者による単純な設計変更、置換、付
加等はいずれも本発明の技術的範囲に属する。
【図１】透明電極板上に樹脂層が形成された従来のフィ
ルム・トランジスタ液晶表示器の断面構成図である。
ルム・トランジスタ液晶表示器の断面構成図である。
【図２】透明電極板上に樹脂層が形成された従来のフィ
ルム・トランジスタ液晶表示器の断面構成図である。
ルム・トランジスタ液晶表示器の断面構成図である。
【図３】本発明に係るフィルム・トランジスタ液晶表示
器の製造方法の好適な実施例を示す製造工程図である。
器の製造方法の好適な実施例を示す製造工程図である。
【図４】本発明に係るフィルム・トランジスタ液晶表示
器の製造方法の好適な実施例を示す製造工程図である。
器の製造方法の好適な実施例を示す製造工程図である。
【図５】本発明に係るフィルム・トランジスタ液晶表示
器の製造方法の好適な実施例を示す製造工程図である。
器の製造方法の好適な実施例を示す製造工程図である。
【図６】本発明に係るフィルム・トランジスタ液晶表示
器の製造方法の好適な実施例を示す製造工程図である。
器の製造方法の好適な実施例を示す製造工程図である。
【図７】本発明に係るフィルム・トランジスタ液晶表示
器の製造方法の好適な実施例を示す製造工程図である。
器の製造方法の好適な実施例を示す製造工程図である。
【図８】本発明に係るフィルム・トランジスタ液晶表示
器の製造方法の好適な実施例を示す製造工程図である。
器の製造方法の好適な実施例を示す製造工程図である。
【図９】本発明に係るフィルム・トランジスタ液晶表示
器の製造方法の好適な実施例を示す製造工程図である。
器の製造方法の好適な実施例を示す製造工程図である。
【図１０】本発明に係る低温多結晶シリコンのフィルム
・トランジスタ液晶表示器製造方法の他の好適な実施例
を示す製造工程図である。
・トランジスタ液晶表示器製造方法の他の好適な実施例
を示す製造工程図である。
【図１１】本発明に係る低温多結晶シリコンのフィルム
・トランジスタ液晶表示器製造方法の他の好適な実施例
を示す製造工程図である。
・トランジスタ液晶表示器製造方法の他の好適な実施例
を示す製造工程図である。
【図１２】本発明に係る低温多結晶シリコンのフィルム
・トランジスタ液晶表示器製造方法の他の好適な実施例
を示す製造工程図である。
・トランジスタ液晶表示器製造方法の他の好適な実施例
を示す製造工程図である。
【図１３】本発明に係る低温多結晶シリコンのフィルム
・トランジスタ液晶表示器製造方法の他の好適な実施例
を示す製造工程図である。
・トランジスタ液晶表示器製造方法の他の好適な実施例
を示す製造工程図である。
【図１４】本発明に係る低温多結晶シリコンのフィルム
・トランジスタ液晶表示器製造方法の他の好適な実施例
を示す製造工程図である。
・トランジスタ液晶表示器製造方法の他の好適な実施例
を示す製造工程図である。
【図１５】本発明に係る低温多結晶シリコンのフィルム
・トランジスタ液晶表示器製造方法の他の好適な実施例
を示す製造工程図である。
・トランジスタ液晶表示器製造方法の他の好適な実施例
を示す製造工程図である。
【図１６】本発明に係る低温多結晶シリコンのフィルム
・トランジスタ液晶表示器製造方法の他の好適な実施例
を示す製造工程図である。
・トランジスタ液晶表示器製造方法の他の好適な実施例
を示す製造工程図である。
【図１７】本発明に係る低温多結晶シリコンのフィルム
・トランジスタ液晶表示器製造方法の他の好適な実施例
を示す製造工程図である。
・トランジスタ液晶表示器製造方法の他の好適な実施例
を示す製造工程図である。
【図１８】本発明に係る低温多結晶シリコンのフィルム
・トランジスタ液晶表示器製造方法の他の好適な実施例
を示す製造工程図である。
・トランジスタ液晶表示器製造方法の他の好適な実施例
を示す製造工程図である。
【図１９】本発明に係るフィルム・トランジスタ液晶表
示器の一凸起状構造の直径／厚さを表として示す図であ
る。
示器の一凸起状構造の直径／厚さを表として示す図であ
る。
【図２０】本発明に係るフィルム・トランジスタ液晶表
示器の凸起状構造の好適な実施例を示す平面図である。
示器の凸起状構造の好適な実施例を示す平面図である。
【図２１】本発明に係るフィルム・トランジスタ液晶表
示器の好適な実施例を示す側面図である。
示器の好適な実施例を示す側面図である。
【図２２】本発明に係るフィルム・トランジスタ液晶表
示器の一凸起状構造の直径／厚さを表として示す図であ
る。
示器の一凸起状構造の直径／厚さを表として示す図であ
る。
【図２３】本発明に係るフィルム・トランジスタ液晶表
示器の凸起状構造の好適な実施例を示す平面図である。
示器の凸起状構造の好適な実施例を示す平面図である。
【図２４】本発明に係るフィルム・トランジスタ液晶表
示器の好適な実施例を示す側面図である。
示器の好適な実施例を示す側面図である。
【図２５】本発明に係るフィルム・トランジスタ液晶表
示器の一凸起状構造の直径／厚さを表として示す図であ
る。
示器の一凸起状構造の直径／厚さを表として示す図であ
る。
【図２６】本発明に係るフィルム・トランジスタ液晶表
示器の凸起状構造の好適な実施例を示す平面図である。
示器の凸起状構造の好適な実施例を示す平面図である。
【図２７】本発明に係るフィルム・トランジスタ液晶表
示器の好適な実施例を示す側面図である。
示器の好適な実施例を示す側面図である。
【図２８】本発明に係るフィルム・トランジスタ液晶表
示器の一凸起状構造の直径／厚さを表として示す図であ
る。
示器の一凸起状構造の直径／厚さを表として示す図であ
る。
【図２９】本発明に係るフィルム・トランジスタ液晶表
示器の凸起状構造の好適な実施例を示す平面図である。
示器の凸起状構造の好適な実施例を示す平面図である。
【図３０】本発明に係るフィルム・トランジスタ液晶表
示器の好適な実施例を示す側面図である。
示器の好適な実施例を示す側面図である。
１１１，１２１ 第１の透明電極板
１１２，１２２ カラー・フィルタ
１１３ 樹脂粒子
１１４，１２４ 樹脂層
１１５，１２５ アレイ基板
１１６，１２６ 第２の透明電極板
１１７ 反射板
２１１ 絶縁基板
３１，５４ 第１の導体層
２１２，３１２，３１２１，４５ 第１の導体構造
２１３，５３ 絶縁層
３１３１ 第１の絶縁層
３１３２ 第２の絶縁層
２１４ 半導体層
２１５ ハイ・ドーピング半導体層
２１６ 半導体構造
２１７ ハイ・ドーピング半導体構造
２１９ チャネル構造
２１８，３１８，４２，５２ 第２の半導体層
２２０，３１８１，５２ 第２の導体構造
２２１，３２１ 保護層
２２２，３２２ 接触窓構造
２２３，３２３ 透明電極画素領域
２１２１，３１６１ 第１の凸起状構造
２１６１，２１７１，３１２１ 第２の凸起状構造
２２０１，３２０１ 第３の凸起状構造
３２１ 第１のチャネル
３２２ 第２のチャネル
４１ 透明電極層
４３ Ｎ+非結晶シリコン層
４４ 非結晶シリコン層
５１ フォトマスク層
５５ 多結晶シリコン層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 唐 文 忠
台湾、新竹科学工業園区力行一路３号
Ｆターム(参考） 2H090 HA07 HB02X HB07X HD06
2H091 FA15 FA16 GA01 GA03 GA07
GA13 LA19
2H092 JA24 JB01 JB07 JB56 JB57
JB58 KA04 KA18 KB11 MA13
MA15 MA18 NA01 PA01 PA08
PA12
Claims (13)
- 【請求項１】 （ａ）絶縁基板を提供するステップと、 （ｂ）前記絶縁基板上において第１の導体層を形成する
ステップと、 （ｃ）一部の前記第１の導体層を除去して、第１の導体
構造および第１の凸起状構造を設定すると共に、この第
１の凸起状構造を画素領域に位置させるステップと、 （ｄ）前記第１の導体構造及び前記第１の導体層を有す
る絶縁基板上において、順に絶縁層及び半導体層を形成
するステップと、 （ｅ）一部の前記半導体層を除去することにより半導体
構造を形成するステップと、 （ｆ）前記半導体構造上において第２の導体層を形成す
るステップと、 （ｇ）一部の前記第２の導体層を除去することにより第
２の導体構造を構成するステップとを含んでなることを
特徴とする、凸起状構造を有するフィルム・トランジス
タ液晶表示器の製造方法。 - 【請求項２】 前記第１の導体層又は前記第２の導体層
が金属層であることを特徴とする請求項１記載の製造方
法。 - 【請求項３】 前記ステップ（ｅ）はさらに、前記半導
体構造を構成する時に同時に第２の凸起状構造を形成す
ると共に、該第２の凸起状構造の凸起部分と前記第１の
凸起状構造の凸起部分とを互いに対応させるステップ
（ｅ１）を含み、 前記第２の凸起状構造の凸起部分における表面積が前記
第１の凸起状構造の凸起部分における表面積よりも小さ
い、ことを特徴とする請求項１記載の製造方法。 - 【請求項４】 前記ステップ（ｇ）はさらに、前記第２
の導体構造を構成する時に同時に第３の凸起状構造を形
成すると共に、該第３の凸起状構造の凸起部分と前記第
２の凸起状構造の凸起部分とを互いに対応させるステッ
プ（ｇ１）を含み、 前記第３の凸起状構造の凸起部分における表面積が前記
第２の凸起状構造における表面積よりも小さい、ことを
特徴とする請求項１記載の製造方法。 - 【請求項５】 前記第１の凸起状構造、前記第２の凸起
状構造又は前記第３の凸起状構造の傾斜角は３゜〜２０
゜の間にあることを特徴とする請求項３又は４記載の製
造方法。 - 【請求項６】 絶縁基板と、 前記絶縁基板上に形成された第１の導体構造と、 前記絶縁基板上に形成されると共に画素領域に位置した
第１の凸起状構造と、 前記第１の導体構造及び前記第１の凸起状構造上に形成
された絶縁層と、 前記絶縁層上に形成された半導体構造と、 前記半導体構造に形成された第２の導体構造と、を備え
てなることを特徴とする、凸起状構造を有するフィルム
・トランジスタ液晶表示器の構造。 - 【請求項７】 （ａ）絶縁基板を提供するステップと、 （ｂ）前記絶縁基板上において半導体層を形成するステ
ップと、 （ｃ）一部の前記半導体層を除去して、半導体構造およ
び第１の凸起状構造を設定すると共に、この第１の凸起
状構造を画素領域に位置させるステップと、 （ｄ）前記半導体構造及び該半導体構造を有する前記絶
縁基板上において順に第１の絶縁層及び第１の導体層を
形成するステップと、 （ｅ）一部の前記第１の導体層を除去することにより第
１の導体構造を構成するステップと、 （ｆ）前記第１の導体構造において第２の絶縁層を形成
するステップと、 （ｇ）一部の前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を
除去することにより、第１のチャネル及び第２のチャネ
ルを構成するステップと、 （ｈ）前記第２の絶縁層上において第２の導体層を形成
するステップと、 （ｉ）一部の前記第２の導体層を除去することにより第
２の導体構造を構成するステップと、を含んでなること
を特徴とする、凸起状構造を有するフィルム・トランジ
スタ液晶表示器の製造方法。 - 【請求項８】 前記フィルム・トランジスタ液晶表示器
は低温多結晶シリコンのフィルム・トランジスタ液晶表
示器（ＬＴＰＳ ＴＦＴ−ＬＣＤ）、反射式フィルム・
トランジスタ液晶表示器又は半透過式フィルム・トラン
ジスタ液晶表示器であることを特徴とする請求項７記載
の製造方法。 - 【請求項９】 絶縁基板と、 前記絶縁基板上に形成された半導体構造と、 前記絶縁基板上に形成されると共に画素領域に位置した
第１の凸起状構造と、 前記半導体構造及び前記第１の凸起状構造上に形成され
た第１の絶縁層と、 前記第１の絶縁層上に形成された第１の導体構造及び第
２の凸起状構造と、 前記第１の導体層及び前記第２の凸起状構造に形成され
た第２の絶縁層と、 前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層をそれぞれ透過
した第１のチャネル及び第２のチャネルと、 前記第２の絶縁層に形成された第２の導体構造及び第３
の凸起状構造とを備えてなることを特徴とする、凸起状
構造を有するフィルム・トランジスタ液晶表示器の構
造。 - 【請求項１０】 前記半導体層は多結晶シリコン層（Ｐ
−Ｓｉ）であることを特徴とする請求項９記載の構造。 - 【請求項１１】 （ａ）絶縁基板を提供するステップ
と、 （ｂ）前記絶縁基板上において多層の積重ね凸起状構造
と、フィルム・トランジスタ構造と、該フィルム・トラ
ンジスタ構造のソース／ドレーン端に接続する透明電極
構造とを形成するステップとを含んでなることを特徴と
する、凸起状構造を有するフィルム・トランジスタ液晶
表示器の製造方法。 - 【請求項１２】 前記多層凸起状構造の傾斜角は３゜〜
２０゜の間にあることを特徴とする請求項１１記載の製
造方法。 - 【請求項１３】 絶縁基板と、 前記絶縁基板上に形成された多層の積重ね凸起状構造
と、 前記絶縁基板上に形成され、かつ前記フィルム・トラン
ジスタのソース／ドレーン端に接続された透明電極と、
を備えてなることを特徴とする、凸起状構造を有するフ
ィルム・トランジスタ液晶表示器の構造。
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