TW517393B - TFT LCD structure with protrusion structure and its manufacturing method - Google Patents

TFT LCD structure with protrusion structure and its manufacturing method Download PDF

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Hung-Huei Hsu
Hong-Da Liu
Wen-Chung Tant
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Description

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五、發明說明（1) 發明領域 顯示器 式薄螟 本案係提供一種具凸狀結構之薄膜電晶體液晶 之結構及其製造方法，尤指一種反射式或半穿透式 電晶體液晶顯示器。 x 發明背景 隨著製造技術之日益進展，液晶顯示器（L i qu i d Crystal Display’LCD)已經是一種被廣泛應用的顯示元 件，而其工作原理主要利用電場來控制液晶分子之排列狀 態’藉由光線可通過液晶分子與否以達成螢幕上明暗之顯 示效果。因此’對於液晶顯示器來說，如何有效獲得較明 亮之顯示效果，實為一重要之研究目標。 對於反射式或穿透反射式薄膜電晶體液晶顯示器而 言’由於其亮度係由光源之入射光及其反射光所決定，因 此若要獲得較明亮之顯示效果，則必須增加光在垂直於榮 幕方向之光散射強度。為達到上述目的，勢必加強反射特 性’於是便有在一第一透明電極板丨丨1上形成包含有複數 個具穿透性的樹脂珠粒11 3之一樹脂層1丨4，如第一圖（a )所示’以使一光線透過該彩色濾光片丨丨2及該第一透明 電極板111後而進入該樹脂層114時，藉由該複數個具穿透 性的樹脂珠粒11 3而使該光線因碰撞而產生偏移，且經由 薄膜電晶體之陣列基板11 5上的第二透明電極板丨丨6及第一 透明電極板間的電場效應使的液晶分子產生光的散射，並 透過反射板11 7將散射光反射出去。此法的優點是可以增
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加光散射角度，以間接控制光反射方向，但缺點
由調整複數個具穿透性的小球114位置以達到準確控^難精 射方向之目的 I 針對以上之缺失，後來更有直接在薄膜電晶體之陣列 基板125之第二透明電極板126上成長一樹脂層124之製 程，如第一圖（b )所示，當一光線透過該彩色濾光片工2 2 %，經由第一透明電極板1 2 6及第一透明電極板1 21間的電 場效應使的液晶分子產生光的散射，再由該樹脂層1 2 4將 該散射光反射出來，因該樹脂層丨2 4係為一曲狀結構，其 不平整之表面可用以控制反射角度之大小，因此可有效控 制光反射方向。 雖然習用技術以形成一樹脂層來增加光在垂直於螢幕 方向之光散射強度，但其製程成本相對提高，而製程技術 也較為繁複（多一道光罩）。因此，如何能更節省成本及 使用更簡單之製程技術而能同樣達到上述之目的，實為本 發明之首要目標。 職是之故，申請人鑑於習知技術之缺失，乃經悉心試 驗與研究，並一本鍥而不捨之精神，終研發出本案之『具 凸狀結構之薄膜電晶體液晶顯示器之結構及其製造方 法』〇 發明概述 本案之主要目的為提供一種具凸狀結構之薄膜電晶體 液晶顯示器之製造方法，該製造方法包括下列步驟··提供
517393 五、發明說明（3) 一絕緣基板；於該絕緣基板上形成一第一導體層；去除部 份該第一導體層，藉以定義出一第一導體結構及一第一凸 狀結構，且該第一凸狀結構位於一像素區域；於該第一導 體結構及具有該第一導體層之該絕緣基板上依序形成一絕 緣層及一半導體層；去除部份該半導體層，藉以定義出一 半導體結構；於該半導體結構上形成一第二導體層；以及 去除部份該第二導體層，藉以定義出一第二導體結構。 根據上述構想，該薄膜電晶體液晶顯不為一反射式 薄膜電晶體液晶顯示器。 根據上述構想，該薄膜電晶體液晶顯示器為一半穿透 式薄膜電晶體液晶顯示器。 根據上述構想，該第一導體層係為一金屬層。 根據上述構想，該第一凸狀結構之傾斜角度範圍介於 3〜2 0 °之間。 根據上述構想，該第二導體層係為一金屬層。 根據上述構想，該步驟（e )中又包含一步驟（e 1 )，即定義該半導體結構時，同時定義一第二凸狀結構， 且該第二凸狀結構之凸起部份與該第一凸狀結構之凸起部 份相對應，又第二凸狀結構之凸起部份之表面積小於該第 一凸狀結構之凸起部份之表面積。 根據上述構想，該步驟（g )中又包含一步驟（g 1 )，即定義該第二導體結構時，同時定義一第三凸狀結 構，且該第三凸狀結構之凸起部份與該第二凸狀結構之凸 起部份相對應，又第三凸狀結構之凸起部份之表面積小於
517393 五、發明說明（4) 該第二凸狀結構之凸起部份之表面積。 根據上述構想，該第二凸狀結構之傾斜角度範圍介於 3〜2 0 °之間。 根據上述構想，該第三凸狀結構之傾斜角度範圍介於 3〜2 0 °之間。 本案之次一目的為提供一種具凸狀結構之薄膜電晶體 液晶顯示器之結構，其包括：一絕緣基板；一第一導體結 構及一第一凸狀結構，形成於該絕緣基板上，且該第一凸 狀結構位於一像素區域；一絕緣層，形成於該第一導體結 構及該第一凸狀結構上；一半導體結構，形成於該絕緣層 上；以及一第二導體結構，形成於該半導體結構。 根據上述構想，該薄膜電晶體液晶顯示器為一反射式 薄膜電晶體液晶顯示器。 根據上述構想，該薄膜電晶體液晶顯示器為一半穿透 式薄膜電晶體液晶顯示器。 根據上述構想，該第一導體結構係為一金屬結構。 根據上述構想，該第一凸狀結構之傾斜角度範圍介於 3〜2 0 °之間。 根據上述構想，該第二導體結構係為一金屬結構。 根據上述構想，於形成該半導體結構時，同時形成一 第二凸狀結構，且該第二凸狀結構之凸起部份與該第一凸 狀結構之凸起部份相對應，又第二凸狀結構之凸起部份之 表面積小於該第一凸狀結構之凸起部份之表面積。 根據上述構想，於形成該第二導體結構時，同時形成
517393 五、發明說明（5) 一第三凸狀結構，且該第三凸狀結構之凸起部份與該第二 凸狀結構之凸起部份相對應，又第三凸狀結構之凸起部份 之表面積小於該第二凸狀結構之凸起部份之表面積。 根據上述構想，該第二凸狀結構之傾斜角度範圍介於 3〜2 0 °之間。 根據上述構想，該第三凸狀結構之傾斜角度範圍介於 3〜2 0 °之間。 本案又一目的為提供一種具凸狀結構之薄膜電晶體液 晶顯示器之製造方法，該製造方法包括下列步驟··提供一 絕緣基板；於該絕緣基板上形成一半導體層；去除部份該 半導體層，藉以定義出一半導體結構及一第一凸狀結構， 且該第一凸狀結構位於一像素區域；於該半導體結構及具 有該半導體結構之該絕緣基板上依序形成一第一絕緣層及 一第一導體層；去除部份該第一導體層，藉以定義出一第 一導體結構；於該第一導體結構上形成一第二絕緣層；去 除部份該第一絕緣層及該第二絕緣層，藉以定義出一第一 通道及一第二通道；於該第二絕緣層上形成一第二導體 層；以及去除部份該第二導體層，藉以定義出一第二導體 結構。 根據上述構想，該薄膜電晶體液晶顯示器為一低溫多 晶矽薄膜電晶體液晶顯示器（LTPS TFT-LCD )。 根據上述構想，該薄膜電晶體液晶顯示器為一反射式薄膜 電晶體液晶顯示器。 根據上述構想，該薄膜電晶體液晶顯示器為一半穿透
517393 五、發明說明（6) 式薄膜電晶體液晶顯示器。 根據上述構想，該半導體層係為一多晶矽層（p-s i )0 根據上述構想，該第一導體層係為一金屬層。 根據上述構想，該第一凸狀結構之傾斜角度範圍介於 3〜2 0 °之間。 根據上述構想，該第二導體層係為一金屬層。 根據上述構想，該步驟（e )中又包含一步驟（e 1 )，即定義該第一導體結構時，同時定義一第二凸狀結 構，且該第二凸狀結構之凸起部份與該第一凸狀結構之凸 起部份相對應，又第二凸狀結構之凸起部份之表面積小於 該第一凸狀結構之凸起部份之表面積。 根據上述構想，該步驟（h )中又包含一步騍（h 1 )，即定義該第二導體結構時，同時定義一第三凸狀結 構，且該第三凸狀結構之凸起部份與該第二凸狀結構之凸 起部份相對應，又第三凸狀結構之凸起部份之表面積小於 該第二凸狀結構之凸起部份之表面積。 根據上述構想，該第二凸狀結構之傾斜角度範圍介於 3〜2 0 °之間。 根據上述構想，該第三凸狀結構之傾斜角度範圍介於 3〜2 0 °之間。 本案再一目的為提供一種具凸狀結構之薄膜電晶體液 晶顯示器之結構，其包括：一絕緣基板；一半導體結構及 一第一凸狀結構，形成於該絕緣基板上，且該第一凸狀結
517393 五、發明說明（7) 構位於一像素區域；一第一絕緣層，形成於該半導體結構 及該第一凸狀結構上；一第一導體結構及一第二凸狀結 構，形成於該第一絕緣層上；一第二絕緣層，形成於該第 一導體層及該第二凸狀結構上；一第一通道及第二通道， 皆穿透該第一絕緣層及該第二絕緣層；以及一第二導體結 構及一第三凸狀結構，形成於該第二絕緣層上。 根據上述構想，該薄膜電晶體液晶顯示器為一低溫多 晶矽薄膜電晶體液晶顯示器（LTPS TFT-LCD)。 根據上述構想，該薄膜電晶體液晶顯示器為一反射式 薄膜電晶體液晶顯不。 根據上述構想^該薄膜電晶體液晶顯不為一半穿透 式薄膜電晶體液晶顯示器。 根據上述構想，該半導體層係為一多晶矽層（P-S i )° 根據上述構想，該第一導體結構係為一金屬結構。 根據上述構想，該第一凸狀結構之傾斜角度範圍介於 3〜2 0 °之間。 根據上述構想，該第二導體結構係為一金屬結構。 根據上述構想，於形成該第一導體結構時，同時形成 一第二凸狀結構，且該第二凸狀結構之凸起部份與該第一 凸狀結構之凸起部份相對應，又第二凸狀結構之凸起部份 之表面積小於該第一凸狀結構之凸起部份之表面積。 根據上述構想，於形成該第二導體結構時，同時形成 一第三凸狀結構，且該第三凸狀結構之凸起部份與該第二
第10頁 517393 五、發明說明（8) 凸狀結構之凸起部份相對應，又第三凸狀結構之凸起部份 之表面積小於該第二凸狀結構之凸起部份之表面積。 根據上述構想，該第二凸狀結構之傾斜角度範圍介於 3〜2 0 °之間。 根據上述構想，該第三凸狀結構之傾斜角度範圍介於 3〜2 0 °之間。 本案另一目的為提供一種具凸狀結構之薄膜電晶體液 晶顯示器之製造方法，該製造方法包括下列步驟：（a)提 供一絕緣基板；以及（b)於該絕緣基板上形成一多層堆疊 凸狀結構、一薄膜電晶體結構及一透明電極結構，且該透 明電極層連接該薄膜電晶體結構之源/>及極端。 根據上述構想，該薄膜電晶體液晶顯示器為一反射式 薄膜電晶體液晶顯示器。 根據上述構想，該薄膜電晶體液晶顯示器為一半穿透 式薄膜電晶體液晶顯示器。 根據上述構想，該薄膜電晶體液晶顯示器為一低溫多 晶矽薄膜電晶體液晶顯示器（LTPS TFT-LCD )。 根據上述構想，該多層凸狀結構之傾斜角度範圍介於 3〜2 0 °之間。 本案之最後目的為提供一種具凸狀結構之薄膜電晶體 液晶顯示器之結構，其包括：一絕緣基板；一多層堆疊凸 狀結構，形成於該絕緣基板上；一薄膜電晶體結構，形成 於該絕緣基板上；以及一透明電極結構，形成於該絕緣基 板上’且該透明電極結構連接該薄膜電晶體結構之源/>及
五、發明說明（9) 極端。 根據上述構想，該薄膜電晶體液晶顯示器為一反射式 ，專膜電晶體液晶顯示器。 根據上述構想’該薄膜電晶體液晶顯示器為一半穿透 式薄膜電晶體液晶顯示器。 根據上述構想，該薄膜電晶體液晶顯示器為一低溫多 晶石夕薄膜電晶體液晶顯示器（LTPS TFT〜LCD )。 根據上述構想’該多層凸狀結構之傾介於 3〜20。之間。 實施例說明 。月二閱第_圖，其係本案為改善上述習用手段而發展 出來之薄膜電晶體液晶顯示器製造方法之較佳實施例步驟 示言其中第二圖（a )表示出在一絕緣基板2 11上形成 蒲2層（可用鉻、鉬化鎢、鈕、鋁或銅來完成，可 作二1水1日日體液晶之閘導電層）後以第一道光罩微影蝕 刻:ΐ : Ϊ出一第一導體結構21 2及-第-凸狀結構 圖ϋ所一-凸狀結構2121位於一像素區域；，接著如 導體層214 (通常為非⑪ 成I緣層213、-丰 體層215 (通常為心非晶矽層+ —a )、一兩摻雜半導 圖（c )所示，接著連續利 1 ))，，、、、、後如第二 定義出半導體結構216、一古f 一逼光罩微影蝕刻製程來 凸狀結構2161、2171，摻雜半導體結構217及一第二 ^第一凸狀結構2 1 6 1、2 1 71之凸 517393 五、發明說明（10) _ 起部份與該第—凸狀結構2 1 2 1之凸耙邓份相斟 凸狀結構2161、2171之凸起部目：應’又第二 積-第二導體細，=Λ。如圖第 ί ί ： ^ ^ ^ ^ i 凸狀結構2 2 0 1，且該第二凡此从 久 弟一 二凸狀結構21 6 1、2 1 71之凸起；：2:; J凸：=份與該第 ，之凸起部份之表面積小於狀二 =凸起部份之表面，’並於該高掺雜半導 =弟二導體結構220形成-通道結構m以使；；構二 結構形成有-源/汲極結構。第 便：弟-—體 J極結構上形成一保護層(通常為氮化石夕層於該二 K道光罩微影蝕刻製程定義出_接觸窗結構丄第二 (I; 電極層（通常為氧化銦錫 mu))之沈積後，再以第五道光罩微影蝕 出所需之一透明電極像素區域223。 主疋 請參閱第三圖，其传太垒氣> ¥ 出來之板W容曰石々〇上述習用手段而發展 出來之低/皿多日日矽薄膜電晶體液晶顯示器 較佳實施例步驟示意圖，其中第 氣二方法之另- 緣基板311上形成一半導體層（通（;）表不出在一絕 -像素區域，接著如第三圖（b;1;凸；結構3161位於 成一篦一绍矮够 彡所不’由下而上依序形 成第、.、巴緣層3131及弟一導體層31 (可用絡、翻化鶴、
第13頁 )後以第一道光罩微影飿刻製程來定義夕曰“夕層η) 316及一第一凸狀結構3m，且疋義出一丰導體結構 1義 517393
五、發明說明 钽、=或銅來完成，可作為薄膜電晶體液晶 )，然後如第三圖⑷所示，接著利用第二道1 導電層 蝕刻製程來定義出第一導體結構312及一第二凸狀=微影 3121 ’且該第二凸狀結構3121之凸起部份與該第—、、、°構 構3 1 6 1之凸起部份相對應，又第二凸狀結構3 1 2 1之^狀， 份之表面積小於該第一凸狀結構3丨6丨之凸起部份之起部 積。如第三圖（d)所示再沈積一第二絕緣層3lh，然面 如第三圖（e)所示，以第三道光罩微影蝕刻製程去 份該第一絕緣層3 1 3 1及該第二絕緣層3丨3 2，藉以定義出一 第一通道321及一第二通道322，如第三圖（f )所示，於 該第二絕緣層3 1 3 2上形成一第二導體層3丨8，然後第三圖 (g)所示，並以第四道光罩微影蝕刻製程來定義出一第 一導體結構3181及一第三凸狀結構3201，且該第三凸狀結 構320 1之凸起部份與該第二凸狀結構3121之凸起部份相對 應’又第二凸狀結構3201之凸起部份之表面積小於該第二 凸狀結構3121之凸起部份之表面積。第三圖表示出 於該第二導體結構3 181及該第三凸狀結構320 1上形成一保 護層（通常為氮化矽層）3 2 1後，再以第五道光罩微影蚀刻 製程定義出一接觸窗結構32 2。第三圖（h)係表示出進行 一，=電極層（通常為氧化銦錫（I TO))之沈積後，再 以第/、道光單微影蝕刻製程定義出所需之一透明電極像素 區域3 2 3。
金屬層 —較佳處為該第一導體層及第二導體層皆<為 又該第一凸狀結構、該第二凸狀結構及該第三
517393 五、發明說明（12) 凸狀結構皆具有複數個凸起部份，並會β 間、溫度…控制而改變其傾斜角度但範g 為最佳，由第四圖（al)(b〗）（cl)(dl)之 種不同沈積厚度及圖案直徑所形成之凸狀 圖（a2)(b2)(c2)(d2)之俯視圖可見該凸狀 不同之形狀，其中再由第四圖（a3) (b3) 圖可見因沈積厚度及圖案直徑之不同所形 化。 一 綜上所述，本案相較於習用技術之薄 示器，乃具有多層堆疊凸狀結構，且該凸 特定傾斜角度可用以控制反射角度之=小 制光反射方向。多層堆疊結構係於成長薄 同時形成於像素區，因此，製程步驟簡單 案之製造方法比習用技術少一道光罩及不 脂材料，因而更節省製造成本，是以本 本案得由熟悉本技藝之人士任施匠 然皆不脫如附申請專利範圍所欲保護者 i蝕刻劑濃度、時 Ϊ介於3〜20之間 列表可顯示由各 、結構，且如第四 結構更可有多種 (c3)(d3)之側視 成之傾斜角度變 膜電晶體液晶顯 狀結構所具有之 ，因此可有效控 膜電晶體結構時 ’特別是利用本 需使用昂貴之樹 實具產業發展之 而為諸般修飾， 517393 圖式簡單說明 本案藉由下列圖示及詳細說明’俾得一更深入了解： 第一圖（a)(b):習用之於透明電極板上成長一樹脂層之薄 膜電晶體液晶顯示器之示意圖。 第二圖（a)(b)(c)(d)(e)(f)(S) ·本案較佳實施例之薄膜 電晶體液晶顯示器製造方法步驟示意圖。 第三圖（a)(b)(c)(d)(e)(f)(g)(h)(i) ··本案又一較佳實 施例之低溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示器製造方法步驟示 意圖。
第四圖（a 1 ) ( b 1 ) ( c 1 ) ( d 1 ) ··本案較佳實施例之薄膜電晶體 液晶顯示器之凸狀結構之直徑/厚度列表。 第四圖（a2)(b2)(c2)(d2):本案較佳實施例之薄膜電晶體 液晶顯示器之凸狀結構之俯視圖。 第四圖（a3)(b3)(c3)(d3):本案較佳實施例之薄膜電晶體 液晶顯示器之凸狀結構之側視圖。 本案圖式中所包含之各元 第一透明電極板1 11 、1 2 1 樹脂珠粒11 3 陣列基板115、125 反射板117 第一導體層31、54 第一導體結構212、312、3121 絕緣層2 1 3、5 3 第二絕緣層3 1 3 2 件列示如下： 彩色濾光片112、122 樹脂層114、124 第二透明電極板116、126 絕緣基板2 11 '45 第一絕緣層3 1 3 1 半導體層214
第16頁
兩摻雜半導體層215 高摻雜半導體結構21 7 卓一導體層 218、318、42、52 第二導體結構220、3181、52 保護層221、321 透明電極像素區域223、323 第二凸狀結構2161、2171 第一通道321 透明電極層41 非晶碎層4 4 多晶石夕層5 5 +導體結構2 16 通道結構2 19 接觸窗結構222、322 第一凸狀結構2121、3161 第三凸狀結構220 1、320 1 第二通道322 N+非晶矽層43 光阻層5 1
第17頁

Claims (1)

  1. 517393 案號 90127954 曰 修正 \ψ 正 六、申請專利範圍 1. 一種具凸狀結構 該製造方法包括下 (a )提供一絕 (b )於該絕緣 (c )去 結構及一第 域； (d )於 基板上依序 (e )去 構； (f )於 (g )去 結構。 2. 如申請專 晶體液晶顯 3. 如申請專 晶體液晶顯 4. 如申請專 體層係為一 5. 如申請專 狀結構之傾 6. 如申請專 體層係為一 該半導 除部份 利範圍 示器為 利範圍 示器為 利範圍 金屬層 利範圍 斜角度 利範圍 金屬層 之薄膜電晶體液晶顯示器之製造方法， 列步驟： 緣基板； 基板上形成一第一導體層； 除部份該第一導體層，藉以定義出一第一導體 一凸狀結構，且該第一凸狀結構位於一像素區 該第一導體結構及具有該第一導體層之該絕緣 形成一絕緣層及一半導體層； 除部份該半導體層，藉以定義出一半導體結 體結構上形成一第二導體層；以及 該第二導體層，藉以定義出一第二導體 第1項所述之製造方法，其中該薄膜電 ^一反射式薄膜電晶體液晶顯不1§。 第1項所述之製造方法，其中該薄膜電 一半穿透式薄膜電晶體液晶顯示器。 第1項所述之製造方法，其中該第一導 〇 第1項所述之製造方法，其中該第一凸 範圍介於3〜20 °之間。 第1項所述之製造方法，其中該第二導
    2323-修正.ptc 第18頁 517393 _ 案號90127954 年夕月7^曰 修正_ 六、申請專利範圍 7. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該步驟（e )中又包含一步驟（e 1 )，即定義該半導體結構時，同時 定義一第二凸狀結構，且該第二凸狀結構之凸起部份與該 第一凸狀結構之凸起部份相對應，又第二凸狀結構之凸起 部份之表面積小於該第一凸狀結構之凸起部份之表面積。 8. 如申請專利範圍第7項所述之製造方法，其中該步驟 (g)中又包含一步驟（gl)，即定義該第二導體結構 時，同時定義一第三凸狀結構，且該第三凸狀結構之凸起 部份與該第二凸狀結構之凸起部份相對應，又第三凸狀結 構之凸起部份之表面積小於該第二凸狀結構之凸起部份之 表面積。 9. 如申請專利範圍第8項所述之製造方法，其中該第二凸 狀結構之傾斜角度範圍介於3〜20°之間。 1 0.如申請專利範圍第9項所述之製造方法，其中該第三凸 狀結構之傾斜角度範圍介於3〜20°之間。 11. 一種具凸狀結構之薄膜電晶體液晶顯示器之結構，其 包括： 一絕緣基板； 一第一導體結構及一第一凸狀結構，形成於該絕緣 基板上，且該第一凸狀結構位於一像素區域； 一絕緣層，形成於該第一導體結構及該第一凸狀結 構上； 一半導體結構，形成於該絕緣層上；以及 一第二導體結構，形成於該半導體結構。
    2323-修正.ptc 第19頁 517393 _案號90127954 彳丨年1月/ j曰 修正_ 六、申請專利範圍 1 2.如申請專利範圍第1 1項所述之結構，其中該薄膜電晶 體液晶顯示器為一反射式薄膜電晶體液晶顯示器。 1 3.如申請專利範圍第11項所述之結構，其中該薄膜電晶 體液晶顯示器為一半穿透式薄膜電晶體液晶顯示器。 1 4.如申請專利範圍第1 1項所述之結構，其中該第一導體 結構係為一金屬結構。 1 5.如申請專利範圍第11項所述之結構，其中該第一凸狀 結構之傾斜角度範圍介於3〜2 0 °之間。 1 6.如申請專利範圍第11項所述之結構，其中該第二導體 結構係為一金屬結構。 1 7.如申請專利範圍第11項所述之結構，其中於形成該半 導體結構時，同時形成一第二凸狀結構，且該第二凸狀結 構之凸起部份與該第一凸狀結構之凸起部份相對應，又第 二凸狀結構之凸起部份之表面積小於該第一凸狀結構之凸 起部份之表面積。 1 8.如申請專利範圍第1 7項所述之結構，其中於形成該第 二導體結構時，同時形成一第三凸狀結構，且該第三凸狀 結構之凸起部份與該第二凸狀結構之凸起部份相對應，又 第三凸狀結構之凸起部份之表面積小於該第二凸狀結構之 凸起部份之表面積。 1 9.如申請專利範圍第1 8項所述之結構，其中該第二凸狀 結構之傾斜角度範圍介於3〜2 0 °之間。 2 0.如申請專利範圍第1 9項所述之結構，其中該第三凸狀 結構之傾斜角度範圍介於3〜20 °之間。
    2323-修正.ptc 第20頁 517393 _案號90127954 今/年。月；^曰 修正_ 六、申請專利範圍 2 1. —種具凸狀結構之薄膜電晶體液晶顯示器之製造方 法，該製造方法包括下列步驟： (a )提供一絕緣基板； (b )於該絕緣基板上形成一半導體層； 去除部份該半導體層，藉以定義出一半導體結構及一第一 凸狀結構，且該第一凸狀結構位於一像素區域； (c )於該半導體結構及具有該半導體結構之該絕緣 基板上依序形成一第一絕緣層及一第一導體層； (d)去除部份該第一導體層，藉以定義出一第一導 體結構； (e )於該第一導體結構上形成一第二絕緣層； (f )去除部份該第一絕緣層及該第二絕緣層，藉以 定義出一第一通道及一第二通道； (g )於該第二絕緣層上形成一第二導體層；以及 (h)去除部份該第二導體層，藉以定義出一第二導 體結構。 2 2.如申請專利範圍第2 1項所述之製造方法，其中該薄膜 電晶體液晶顯不為一低溫多晶石夕薄膜電晶體液晶顯不 (LTPS TFT-LCD )。 2 3.如申請專利範圍第21項所述之製造方法，其中該薄膜 電晶體液晶顯示器為一反射式薄膜電晶體液晶顯示器。 2 4.如申請專利範圍第2 1項所述之製造方法，其中該薄膜 電晶體液晶顯示器為一半穿透式薄膜電晶體液晶顯示器。 2 5.如申請專利範圍第21項所述之製造方法，其中該半導
    2323-修正.ptc 第21頁 517393 _案號90127954 9 /年9月曰 修正_ 六、申請專利範圍 體層係為一多晶矽層（P-Si )。 2 6.如申請專利範圍第2 1項所述之製造方法，其中該第一 導體層係為一金屬層。 2 7.如申請專利範圍第21項所述之製造方法，其中該第一 凸狀結構之傾斜角度範圍介於3〜2 0 °之間。 2 8.如申請專利範圍第21項所述之製造方法，其中該第二 導體層係為一金屬層。 2 9.如申請專利範圍第21項所述之製造方法，其中該步驟 (e)中又包含一步驟（el)，即定義該第一導體結構 時，同時定義一第二凸狀結構，且該第二凸狀結構之凸起 部份與該第一凸狀結構之凸起部份相對應，又第二凸狀結 構之凸起部份之表面積小於該第一凸狀結構之凸起部份之 表面積。 3 〇.如申請專利範圍第2 9項所述之製造方法，其中該步驟 (h )中又包含一步驟（h 1 )，即定義該第二導體結構 時，同時定義一第三凸狀結構，且該第三凸狀結構之凸起 部份與該第二凸狀結構之凸起部份相對應，又第三凸狀結 構之凸起部份之表面積小於該第二凸狀結構之凸起部份之 表面積。 3 1 ·如申請專利範圍第3 0項所述之製造方法，其中該第二 凸狀結構之傾斜角度範圍介於3〜20°之間。 3 2 ·如申請專利範圍第3 1項所述之製造方法，其中該第三 凸狀結構之傾斜角度範圍介於3〜20°之間。 33. —種具凸狀結構之薄膜電晶體液晶顯示器之結構，其
    2323-修正.ptc 第22頁 517393 --90127954 兮/年7月>孓曰 修正 〆 六、申請專利範圍 ’ 包括： 一絕緣基板； 一半導體結構及一第一凸狀結構，形成於該絕緣基 板上’且該第一凸狀結構位於一像素區域； 一第一絕緣層，形成於該半導體結構及該第一凸狀 結構上； 卓 導體結構及一第'一凸狀結構，形成於該第一 絕緣層上； 一第二絕緣層，形成於該第一導體層及該第二凸狀 結構上； 一第一通道及第二通道，皆穿透該第一絕緣層及該 第二絕緣層；以及 第二導體結構及一第三凸狀結構，形成於該第二 絕緣層上。 34·如申請_專利範圍第33項所述之結構’其中該薄膜電晶 體液晶顯示器為一低溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示哭 (LTPS TFT〜LCD ) 。 ^ 3 5 ·如申請專利範圍第3 3項所述之結構，其中該薄膜電晶 體液晶顯示器為一反射式薄膜電晶體液晶顯示器。 36·、如申請_專利範圍第33項所述之結構，其中該薄膜電晶 體液晶顯示器為一半穿透式薄膜電晶體液晶顯示器。 Μ ·、如申明專利範圍第3 3項所述之結構，其中該半導體層 係為一多晶矽層（p —Si )。 38·如申請專利範圍第33項所述之結構，其中該第一導體
    517393 _案號90127954 β /年勹月 > (曰 修正_ 六、申請專利範圍 結構係為一金屬結構。 3 9.如申請專利範圍第3 3項所述之結構，其中該第一凸狀 結構之傾斜角度範圍介於3〜20 °之間。 4 0.如申請專利範圍第33項所述之結構，其中該第二導體 結構係為一金屬結構。 41.如申請專利範圍第33項所述之結構，其中於形成該第 一導體結構時，同時形成一第二凸狀結構，且該第二凸狀 結構之凸起部份與該第一凸狀結構之凸起部份相對應，又 第二凸狀結構之凸起部份之表面積小於該第一凸狀結構之 凸起部份之表面積。 4 2.如申請專利範圍第41項所述之結構，其中於形成該第 二導體結構時，同時形成一第三凸狀結構，且該第三凸狀 結構之凸起部份與該第二凸狀結構之凸起部份相對應，又 第三凸狀結構之凸起部份之表面積小於該第二凸狀結構之 凸起部份之表面積。 4 3.如申請專利範圍第42項所述之結構，其中該第二凸狀 結構之傾斜角度範圍介於3〜20 °之間。 4 4.如申請專利範圍第43項所述之結構，其中該第三凸狀 結構之傾斜角度範圍介於3〜20 °之間。 4 5. —種具凸狀結構之薄膜電晶體液晶顯示器之製造方 法，該製造方法包括下列步驟： (a) 提供一絕緣基板；以及 (b) 於該絕緣基板上形成一多層堆疊凸狀結構、一 薄膜電晶體結構及一透明電極結構，且該透明電極層連接
    2323-修正.ptc 第24頁 517393 ---室j虎901jj954 彳(年乃月7今曰— 修不―___ 六、申請料m® "~' " 該薄膜電晶體結構之源/汲極端。 46·如申請專利範圍第45項所述之製造方法，其中該薄膜 電晶體液晶顯示器為一反射式薄膜電晶體液晶顯示器。 4 7 ·如申請專利範圍第α項所述之製造方法，其中該薄膜 電晶體液晶顯示器為一半穿透式薄膜電晶體液晶顯示器。 48·如申請專利範圍第45項所述之製造方法，其中該薄膜 電晶體液晶顯示器為一低溫多晶矽薄膜電晶體液晶顯示界 (LTPS TF丁-LCD ) 。 °口 4 9 ·如申請專利範圍第4 5項所述之製造方法，其中該多層 凸狀結構之傾斜角度範圍介於3〜2 0 之間。 5 〇 · —種具凸狀結構之薄膜電晶體液晶顯示器之結構，其 包括： 一絕緣基板； 一多層堆疊凸狀结構，形成於該絕緣基板上； 一薄膜電晶體結構，形成於該絕緣基板上；以及 一透明電極結構，形成於該絕緣基板上，且該透明 電極結構連接該薄膜電晶體結構之源/汲極端。 5 1 ·如申請專利範圍第5 〇項所述之結構，其中該薄膜電晶 體液晶顯示器為—反射式薄膜電晶體液晶顯示器。 52·如申請專利範圍第5〇項所述之結構，其中該薄犋電晶 體液晶顯示器為—半穿透式薄膜電晶體液晶顯示器。 53·如申請專利範圍第5〇頊所述之結構，其中該薄瞑電晶 體液晶顯示器為—低溫多晶矽薄膜電晶體液晶_示器 (LTPS TFT-LCD )。
    517393
    2323-修正.ptc 第26頁
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