KR100461093B1 - 경사진 확산기를 갖는 반사형 ｔｆｔ-ｌｃｄ의 제조 방법 - Google Patents

경사진 확산기를 갖는 반사형 ｔｆｔ-ｌｃｄ의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

거친 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치를 형성하는 방법을 기재한다. 그 방법은 다음의 단계로 이루어진다. 먼저, 제1 금속층을 기판 상에 형성한다. 그리고, 제1 금속층을 식각하는 제1 식각 공정으로 기판 상에 게이트 구조와 복수의 리지 범프를 형성한다. 각각의 리지 범프는 장사면(long bevel)과 단사면(short bevel)을 갖는다. 다음, 제1 절연층을 게이트 구조와 복수의 리지 범프 및 기판 상에 형성하고, 장사면에 증착되는 절연층은 장경사면을, 단사면에 증착되는 단경사면을 갖는다. 이 후, 채널로서 작용하는 게이트 구조 위의 제1 절연층 상에 반도체층을 형성하고 패턴화한다. 그리고, 제2 절연층을 반도체층과 제1 절연층 상에 증착한다. 제2 절연층을 식각하여 게이트 구조 위에 식각 스토퍼를 형성한다. 이어서, 제2 금속층을 그 위에 형성하고 제2 금속층을 식각하는 제3 식각 공정으로 식각 스토퍼 옆에 드레인/소스 구조를 형성한다. 드레인/소스 구조 상에 패시베이션층을 형성하고 패턴화 한 후, 패시베이션층 상에 화소 전극을 형성한다.

Description

경사진 확산기를 갖는 반사형 ＴＦＴ-ＬＣＤ의 제조 방법 {A PROCESS FOR MANUFACTURING REFLECTIVE TFT-LCD WITH SLANT DIFFUSERS}
본 발명은 TFT 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히, TFT-LCD 장치의 반사 부재(reflection member)로 작용하는 경사진 확산기(slant diffuser)를 갖는 화소 전극을 제조하는 방법에 관한 것이다.
박막 트랜지스터 제조 기술의 발전으로, 소형, 휴대성과 저전력 소비와 같은 이점으로 인해, 액정 표시 장치(liquid crystal display)(LCD)는 PDA, 랩탑(laptop), 셀룰러폰(cellular phone), 고해상도 TV 등의 전기 제품에 널리 응용되고 있다. 특히, 최근의 반사형 LCD 장치는 외부 입사광의 반사를 보통 이용하며, 금속 재료로 구성되는 화소 전극은 반사 부재로 작용하도록 사용된다. 따라서, 화소 전극에서 반사된 광은 액정 분자와 컬러 필터를 통해 디스플레이에 화상을 표시한다. 백 라이트(back light)가 필요 없는 반사형 LCD는, 전력 절감과 박막이며 경량으로 인해 활발하게 개발되고 있다. 또한, 백 라이트 부재가 필요하지 않으므로, 비용을 줄일 수 있다.
반사형 LCD의 광원은 외부의 조명이기 때문에 광 반사 효율을 높이는 것이 대단히 중요하다. 종래 기술에서, 반사율을 증가시키기 위하여 편광판을 도입하여 입사광의 위상을 조절한다. 하지만, 추가적인 편광판을 반사형 LCD에 사용하는 것은 실용적이지 못하다. 다른 해법은 외부 조명을 완벽하게 이용하고 반사율과 콘트라스트(contrast)를 높이기 위하여 반사 확산기(reflection diffuser)로 작용하는 거친 표면을 갖는 화소 전극을 제조하는 것이다.
도 1은 종래 기술로 제조된 거친 반사형 TFT-LCD의 단면도이다. 관련 공정은 다음의 단계로 이루어진다. 먼저, 유리 기판(10) 상에 게이트 구조(12)를 형성한다. 이 후, 게이트 구조(12)의 표면 상에 절연층(14)을 형성한다. 비결정 실리콘과 같은 반도체층(16)과 도핑된 실리콘층(doped silicon layer)(18) 및 금속층을 연속하여 게이트 구조(12) 위에 형성한다. 다음, 포토리소그라피 공정(photolithography process)을 행하여 드레인 구조(20)와 소스 구조(22)를 형성한다. TFT-LCD를 제조한 후, 화소 전극을 형성하는 영역에 감광제(photoresist)로 구성되는 복수의 범프(26)를 형성하기 위한 추가 단계를 행한다. 다음, 중합체 재료(polymer material)와 같은 패시베이션층(passivation layer)(30)을 상기 층들 위에 형성한다. 따라서, 거칠고 불균일한 표면을 갖는 화소 전극으로 인해 반사율이 증가한다.
하지만, 범프(26)를 형성하기 위해서는, 먼저 유리 기판(10) 상에 감광층을 증착하고, 리소그라피, 현상 및 굽기 공정을 행하여 범프 패턴을 형성한다. 상기 공정을 수행하기 위한 추가적인 레티클(reticle)을 제조하는 것이 필요하다. 따라서, 추가적인 포토마스크와 관련 공정으로 인해 순환 주기가 길어지고 스루풋(throughput)이 감소한다.
게다가, 도 1에 도시한 범프(26)는 외부 광원으로부터 반사 부재의 수광 효율을 증가시키는 데 사용할 수 있지만, 확산기에서 반사되는 광의 각도와 범위를조절하거나 표준화할 수 없어 휘도(brightness)는 여전히 제한된다. 따라서, 추가 레티클 없이 거친 전극을 갖는 TFT-LCD를 제조하는 방법과 사용자의 가능한 시야각 내에서 반사광을 집속하는 방법이 요즈음의 가장 큰 이슈이다.
본 발명의 제1 목적은 반사광의 세기를 증가시키기 위한 거친 표면을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제2 목적은 복수의 리지 범프(ridge bump)를 형성하여 소정 각도로 최대로 외부 광원이 반사될 수 있도록 함으로써, 필요한 반사각을 갖는 화소 전극을 형성하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제3 목적은 확산기로 작용하는 경사지고 거친 표면을 갖는 화소 전극을 형성하는 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 거친 반사 부재(rough reflection member)를 갖는 TFT-LCD 장치를 설명하는 투명 기판의 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 제1 금속층과 그 위에 리지 형상(ridge shape)을 갖는 감광제(photoresist)의 형성 단계를 설명하는 투명 기판의 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 게이트 구조와 복수의 리지 범프 형성 단계를 설명하는 투명 기판의 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 제1 절연층, 게이트 절연층, 반도체층 및 제2 절연층을 순차적으로 형성하는 단계를 설명하는 투명 기판의 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 식각 스토퍼 형성 단계와 제2 금속층 증착 단계를 설명하는 투명 기판의 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 드레인/소스 구조 형성 단계를 설명하는 투명 기판의 단면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 패시베이션층 상에 화소 전극 형성 단계를 설명하는 투명 기판의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 리지 범프 상에 제2 절연층 증착 단계를 설명하는 투명 기판의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제2 실시예에 따른 제1 절연층의 제1 경사면 상에 절연 돌기 형성 단계를 설명하는 투명 기판의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 절연 돌기 상에 화소 전극 형성 단계를 설명하는 투명 기판의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 금속 돌기를 배치하여 화소 전극이 거칠고 불균일한 표면을 갖는 단계를 설명하는 투명 기판의 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제4 실시예에 따른 금속 및 절연 돌기를 형성하여 화소 전극이 거칠고 불균일한 표면을 갖는 단계를 설명하는 투명 기판의 단면도이다.
도 13은 본 발명에 따른 백 채널(back channel) 식각 공정을 행하여 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 설명하는 투명 기판의 단면도이다.
도 14는 본 발명에 따른 패시베이션층 상에 화소 전극을 형성하는 단계를 설명하는 투명 기판의 투명 기판의 단면도이다.
도 15는 본 발명에 따른 금속 돌기를 형성하여 화소 전극이 거칠고 불균일한 표면을 갖는 단계를 설명하는 단면도이다.
도 16은 본 발명에 따른 상부 게이트형 조립 단계를 적용하여 드레인/소스 구조와 리지 금속 범프 형성 단계를 설명하는 투명 기판의 단면도이다.
도 17은 본 발명에 따른 반도체층과 절연층 및 제2 금속층 형성 단계를 설명하는 투명 기판의 단면도이다.
도 18은 본 발명에 따른 패시베이션층 상에 화소 전극을 형성하는 단계를 설명하는 투명 기판의 단면도이다.
확산기로 작용하는 경사진 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치의 제조 방법을 기술한다. 제1 실시예에서, 제조 방법은 다음 단계로 이루어진다. 먼저, 제1 금속층을 기판에 형성한다. 제1 금속층을 식각하는 제1 식각 공정을 행하여 게이트 구조(gate structure)를 형성한다. 하프톤형 레티클(halftone reticle)과 슬릿형 레티클(slit reticle)을 사용하여 게이트 구조를 형성할 때와 동시에 제1 금속층의 리지 범프를 형성하기 위한 경사진 감광 패턴을 형성할 수 있음을 유의하여야 한다. 각각의 리지 범프는 제1 사면(bevel)과 제2 사면을 갖는다. 다음, 게이트 구조와 복수의 리지 범프 및 기판 상에 제1 절연층을 형성하고, 제1 절연층은 제1 사면에 나란한 제1 경사면과 제2 사면에 나란한 제2 경사면을 갖는다. 이 후, 채널(channel)로 작용하는 반도체층을 게이트 구조 위의 제1 절연층 상에 형성한다. 그리고, 제2 절연층을 증착하고 제2 식각 공정으로 식각하여 게이트 구조 위에 식각 스토퍼(etching stopper)를 형성한다. 순차적으로, 제2 금속층을 그 위에 형성하고 제2 금속층을 식각하는 제3 식각 공정을 행하여 식각 스토퍼 옆에 드레인/소스 구조를 형성한다. 다음, 드레인/소스 구조와 제1 절연층 위에 패시베이션층(passivation layer)을 형성하고, 패시베이션층의 일부를 식각하여 드레인/소스 구조를 노출시킨다. 이 후, 화소 전극을 패시베이션층 상에 형성한다.
본 발명의 제2 실시예에서, 제2 절연층을 식각하는 제2 식각 공정을 행할 때와 동시에 리지 범프 상에 복수의 절연 돌기(plural insulating protrusion)를 형성하고, 절연 돌기는 제1 절연층의 제1 경사면을 따라 증착된다. 따라서, 나중에 증착되는 화소 전극은 리지 범프와 돌기의 형상을 복제하여 거칠고 불균일한 확산기를 형성할 수 있다.
유사하게, 제3 실시예에서, 제2 금속층을 식각하는 제3 식각 공정을 행할 때, 리지 범프 위에 복수의 금속 돌기를 형성하고, 금속 돌기는 제1 경사면을 따라 증착된다. 따라서, 거칠고 불균일한 확산기를 갖는 화소 전극은 확산기 부재(diffuser member)로 작용할 수 있다.
제4 실시예에서, 고밀도의 거칠기(highly concentrated roughness)를 위해 금속 돌기와 절연 돌기 모두를 제1 경사면에 증착한다. 물론, 상기 돌기들을 제1 및 제2 경사면에 증착하여 반사율을 높일 수 있다.
확산기로 작용하는 경사진 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법을 이하에서 설명한다. 박막 트랜지스터 형성 단계에서 화소 전극을 형성하기 위한 영역에 복수의 리지 범프를 형성한다. 따라서, 화소 전극은 하부의 리지 범프에서 불균일한 표면을 복제할 수 있다. 그리고, 화소 전극의 거칠기는 조명의 반사율을 높이기 위하여 리지 범프 상에 절연 및 금속 돌기를 배치함으로써 증대될 수 있다. 따라서, 패시베이션층과 화소 전극과 같은 후반에 증착되는 박막은 상기 범프와 돌기의 거칠고 불균일한 형상을 복제할 수 있다. 이하에서 상세히 설명한다.
제1 실시예
도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에서, 스퍼터링(sputtering)과 같은 PVD 공정으로 투명 절연 기판(50) 상에 제1 금속층(52)을 형성한다. 기판(50)은 유리, 석영 등으로 구성되는 것이 바람직하다. 그리고 제1 금속층(52)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크로뮴(Cr), 텅스템(W), 탄탈륨(Ta), 합금(alloy) 및 이들의 결합의 군(group)에서 선택될 수 있다. 이 때, 반응성 이온 식각(reactve ion etching)(RIE)과 같은 제1 식각 공정을 행하여 제1 금속층(52)을 식각하고 기판 상에 게이트 구조(54)와 복수의 리지 금속 범프(58)를 동시에 형성한다. 바람직한 실시예에서, 감광층(photoresist layer)을 우선 제1 금속층(52) 상에 도포한다. 감광층을 노광 및 현상 공정으로 형성하여 제1 금속층(52) 상에 감광 범프(54, 55)를 형성한다. 이 때, 감광 범프(54)는 게이트 패턴을 형성하는 식각 마스크로 작용하고, 경사진 리지 형상을 갖는 감광 범프(55)는 리지 금속 범프(58)를 형성한다.
일반적으로, 하프톤형 레티클과 슬릿형 레티클을 사용하여 경사진 리지 감광 범프를 형성할 수 있다. 그리고 다중 노광 공정(multi-exposure process)과 같은 방법으로 경사진 감광 패턴을 형성할 수 있다. 리지 범프(58)는 나중에 화소 전극을 증착하기 위한 영역에 형성됨을 유의하여야 한다. 각각의 리지 범프(58)는 장사면(long bevel)과 단사면(short bevel)을 갖는다. 공지된 바와 같이, 캐패시터 스토리지 전극, 데이터 라인 및 스캔 라인(모두 도시하지 않음)은 게이트 구조(56)를 형성하는 제1 식각 공정에서 기판(50) 상에 동시에 형성된다.
도 3에 도시한 바와 같이, 잔여 감광 범프(54, 55)를 완전히 제거한 후, 게이트 구조(56)와 리지 범프(58) 및 기판(50) 상에 제1 절연층(60)을 증착한다. 리지 범프(58)의 장사면(58a)을 따라 증착된 제1 절연층(60)은 장경사면(long inclined plane)(60a)을, 단사면(58b)을 따라 증착된 제1 절연층(60)은 단경사면(60b)을 갖는다. 일반적으로, 제1 절연층(60)은 옥사이드(oxide), 니트라이드(nitride)와 옥시니트라이드(oxynitride) 등으로 구성되는 군에서 선택될 수 있다. 바람직한 실시예에서, 제1 절연층(60)은 플라즈마 강화 화학 기상 증착(plasam enhanced chemical vapor deposition)(PECVD) 공정에 의해 실리콘 옥사이드층으로 구성된다.
도 4를 참조하면, 제1 절연층(60)을 증착한 후, 게이트 절연층(62)과 반도체층(64)을 제1 절연층(60) 상에 연속하여 증착한다. 이 후, 반도체층(64)과 게이트 절연층(62)을 식각하여 게이트 구조(56) 위에 채널 패턴을 형성하고 제1절연층(60)의 표면을 노출시킨다. 게이트 절연층(62)은 나이트라이드 등으로 구성되는 것이 바람직하다. 그리고 비결정 실리콘과 같은 재료를 사용하여 나중에 증착되는 TFT 장치의 채널을 형성하기 위한 반도체층(64)을 형성한다. 이 후, 제2 절연층(66)을 형성하여 반도층(64)과 제1 절연층(60)을 커버한다.
도 5에 도시한 바와 같이, 제2 절연층(66)을 식각하는 제2 식각 공정을 행하여 게이트 구조(56)와 반도체층(64) 위에 식각 스토퍼(67)를 형성한다. 다음, 도핑된 실리콘층(68)과 제2 금속층(70)을 식각 스토퍼(67)와 반도체층(64)과 제1 절연층(60)의 외부면에 형성한다. 다음, 도 6을 참조하면, 제2 금속층(70)과 도핑된 실리콘층(68)을 식각하여 반도체층(64) 위와 식각 스토퍼(67) 옆에 각각 소스 구조(72)와 드레인 구조(74)를 형성한다. 식각 스토퍼(67)는 식각 공정에서 반도체층(64)의 손상을 방지한다. 소스 구조(72)와 드레인 구조(74)를 형성한 후, 기판(50)에 패시베이션층을 형성하고, 식각 공정을 행하여 소스 구조(72)와 드레인 구조(74)의 일부를 노출시키며 전기적 연결을 위한 접촉 구멍(contact hole)을 형성한다.
도 7을 참고하면, 드레인 구조(74)를 전기적으로 연결시키는 패시베이션층(76) 상에 화소 전극(78)을 형성한다. 금속과 같은 고반사율의 재료를 사용하여 화소 전극을 형성할 수 있는 데, 이는 화소 전극(78)이 반사형 TFT-LCD 장치에서 또한 반사 부재로 작용하기 때문이다. 바람직한 실시예에서, 화소 전극(78)은 알루미늄으로 구성된다. 주의적으로, 제1 식각 공정에서 화소 전극(78)의 영역에 형성되는 복수의 리지 범프(58)가 있다. 따라서, 나중에 증착되는 제1 절연층(60)은 장경사면(60a)과 단경사면(60b)을 갖는 리지 범프(58)의 리지 형상을 복제할 수 있다. 그리고, 패시베이션층(76)도 각각의 경사진 형상을 복제할 수 있다. 따라서, 화소 전극은 거친 반사기로 작용하는 굴곡 형상을 갖는다.
제2 실시예
도 8을 참조하면, 제1 실시예와 유사하게, 투명 절연 기판(50) 상에 제1 금속층을 형성하고, 이 후 제1 식각 공정을 행하여 게이트 구조(56)와 리지 범프(58)를 기판 상에 형성한다. 리지 범프(58)는 나중에 증착되는 화소 전극을 형성할 영역에 형성됨을 유의하여야 한다. 이 후, 제1 절연층(60)을 게이트 구조(56)와 기판(50) 상에 증착한다. 다음에 연속하여, 게이트 절연층(62)과 반도체층(64)을 제1 절연층(60) 상에 형성한다. 제2 절연층(66)을 반도체층(64)과 제1 절연층(60) 상에 형성한다. 도 9를 참조하면, 제2 절연층(66)을 식각하는 식각 단계를 행하여 게이트 구조(56) 위에 식각 스토퍼(67)를 형성함과 동시에 리지 범프(58) 위의 절연층(60) 상에 복수의 절연 돌기(69)를 형성한다. 절연 돌기(69)는 소정 간격을 갖는 제1 절연층(60)의 장경사면(60a) 상에 증착되는 기둥 형상(pillar shape)을 갖는다. 명백히, 공정을 고려하여 필요한 경우에는 절연 돌기(69)는 제1 절연층(60)의 단경사면(60b) 상에 증착될 수 있다. 또한, 장단경사면 모두에 증착될 수 있다. 게다가, 절연 돌기의 형상, 크기, 간격 등은 요구에 따라 조절될 수 있다.
도 10을 참조하면, 제2 절연층의 패턴을 형성한 후, 제1 실시예에서 언급한 바와 같이, 도핑된 실리콘층(68)과 제2 금속층(70)을 기판(50) 상에 형성한다. 식각 공정으로 소스 구조(72)와 드레인 구조(74)를 식각 스토퍼(67) 옆에 형성한다. 이어서 패시베이션층(76)을 박막 트랜지스터와 절연 돌기 상에 형성한다. 이 후, 다른 식각 공정으로 소스 구조(72)와 드레인 구조(74)의 일부를 노출시킨다. 다음, 화소 전극(78)을 전기적으로 드레인 구조와 연결시키는 패시베이션층(76) 상에 형성한다. 따라서, 절연 돌기(69)는 식각 스토퍼(67)가 식각 공정에서 형성될 때와 동시에 제1 절연층(60) 상의 장경사면(60a) 상에 형성된다. 유사하게, 그 위에 형성되는 패시베이션층(76)은 거칠고 불균일한 형상을 복제할 수 있다. 그리고, 나중에 증착되는 화소 전극은 거친 반사기로 작용하는 굴곡면을 갖는다. 도 10에 도시한 바와 같이, 화소 전극(78)은 고밀도의 거친 표면을 갖도록 리지 범프(58)와 절연 돌기(69) 모두의 형상을 복제할 수 있다.
제3 실시예
도 11을 참고하면, 전술한 바와 같이, 제1 금속층(52)을 투명 절연 기판(50) 상에 형성하고, 이 후 제1 식각 공정으로 기판 상에 게이트 구조(56)와 리지 범프(58)를 동시에 형성한다. 기판 상에 제1 절연층(60)을 증착한 후, 게이트 절연층(62)과 반도체층(64)을 형성한다. 그리고, 제2 절연층(66)을 반도체층(64)과 제1 절연층(60) 상에 증착한다. 다음, 제2 절연층(66)을 식각하여 게이트 구조(56) 위에 식각 스토퍼(67)를 형성한다. 이 후, 도핑된 실리콘층(62)과 제2 금속층을 기판(50) 상에 형성한다. 또 다른 식각 공정으로 식각 스토퍼(67) 옆에 소스 구조(72)와 드레인 구조(74)를 형성하고, 동시에 리지 범프(58) 위의 제1 절연층(60) 상에 복수의 금속 돌기(71)를 형성한다. 이러한 기둥 모양을 갖는 금속돌기(71)가 소정 간격을 갖는 제1 절연층(60)의 장경사면(60a) 상에 증착된다. 금속 돌기는 또한 제1 절연층의 단경사면(60b) 또는 장단 경사면 모두에 증착될 수 있음은 명백하다. 또한, 금속 돌기(71)의 형상, 크기, 간격 등도 필요에 따라 조절될 수 있다.
박막 트랜지스터와 금속 돌기(71) 상에 패시베이션층(76)을 증착하고 형성한 후, 화소 전극(78)을 패시베이션층(76) 상에 증착하여 드레인 구조와 전기적으로 연결시킨다. 따라서, 금속 돌기(71)와 제1 절연층(60) 위에 형성되는 패시베이션층(76)은 거칠고 불균일한 형상을 복제할 수 있다. 그리고, 나중에 증착되는 화소 전극(78)은 거친 확산기로 작용하는 굴곡면을 복제할 수 있다. 도 11에 도시한 바와 같이, 화소 전극(78)은 고밀도의 표면 거칠기를 갖도록 리지 범프(58)와 금속 돌기(71) 모두의 형상을 복제할 수 있다.
제4 실시예
도 12를 참조하면, 복수의 절연 돌기(69)는 제2 절연층(66)을 식각할 때 장경사면(60a) 상에 형성됨을 유의하여야 한다. 또한, 복수의 금속 돌기(71)는 소스 구조(72)와 드레인 구조(74)를 식각할 때 장경사면(60a)에 형성된다. 금속 돌기(71)와 절연 돌기(69)는 제1 절연층(60) 상에 서로 엇갈리게 증착된다. 금속 돌기 (71) 각각은 인접한 2개의 절연 돌기(69) 사이에 증착된다. 또한, 절연 돌기는 금속 돌기 사이에 증착된다. 전술한 바와 같이, 금속 돌기와 절연 돌기는 단경사면 또는 장단 경사면 모두에 증착될 수 있다. 또한, 금속 돌기와 절연 돌기의 형상, 크기, 간격은 필요에 따라 조절될 수 있다. 따라서, 나중에 형성되는 화소전극(78)은 거친 반사기로 작용하는 굴곡면을 갖는다.
전술한 공정은 또한 백채널 식각형(back channel etching type)(BCE type) TFT-LCD 장치를 제조하는 데도 적용할 수 있다. 도 13 내지 15를 참조하면, 게이트 구조(56)와 리지 범프(58)를 형성한 후, 제1 절연층(60)을 그 위에 형성한다. 이 후, 박막 증착 공정과 리소그라피 식각 공정으로 게이트 절연층(62)과 반도체층(64)을 게이트 구조(56) 위에 형성한다. BCE 공정에서는 식각 스토퍼 형성 단계가 필요하지 않으므로, 도핑된 실리콘(68)과 제2 금속층(70)을 반도체층(64)과 제1 절연층(64) 상에 직접 형성할 수 있다. 도 15에 도시한 바와 같이, 제2 금속층(70)과 도핑된 실리콘층(68)을 식각하는 BCE 공정에 의해, 소스 구조(72)와 드레인 구조(74)를 반도체층(70) 상에 형성한다. 다음, 패시베이션층(76)을 기판 위에 증착하여 박막과 구조 위를 균일하게 덮는다. 그리고, 식각 공정으로 소스 구조와 드레인 구조의 일부를 노출시켜 전기적으로 연결시키기 위하여 패시베이션층(76)에 접촉 구멍(contact hole)을 형성한다. 이어서, 화소 전극(78)을 패시베이션층(76) 상에 형성하여 드레인 구조를 전기적으로 연결시킨다.
도 15에 도시한 바와 같이, 복수의 금속 돌기(71)는 소스 구조와 드레인 구조를 형성하는 식각 공정에서 동시에 리지 범프(58) 위의 제1 절연층(60) 상에 배치될 수 있다. 기둥 모양을 갖는 이러한 금속 돌기(71)는 소정 간격으로 제1 절연층(60)의 장경사면(60a)을 따라 배치될 수 있다. 금속 돌기는 또한 단경사면(60b) 또는 장단 경사면 모두에 배치될 수 있다. 그리고, 금속 돌기의 형상, 크기, 간격은 필요에 따라 조절될 수 있다.
또한, 전술한 공정은 상부 게이트형(top gate type) TFT-LCD 장치를 제조하는 데도 적용될 수 있다. 도 16 내지 18을 참조하면, 기판(100) 위에 제1 금속층을 증착한 후, 제1 식각 공정으로, 기판 상에 소스 구조(102)와 드레인 구조(104) 및 리지 범프(106)를 형성한다. 장사면(106a)과 단사면(106b)을 갖는 복수의 리지 범프를 나중에 화소 전극을 형성할 영역에 형성한다. 도 17을 참조하면, 소스 구조, 드레인 구조, 리지 범프(106)와 기판 상에 비결정 실리콘층(108)과 절연층(110)과 제1 금속층(112)을 증착한다. 비결정 실리콘층(108)은 트랜지스터의 채널을 형성한다. 그리고, 절연층(110)은 게이트 절연체로 작용한다. 바람직한 실시예에서, 절연층(110)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드 및 실리콘 옥시나이트라이드 군에서 선택된다.
도 18을 참조하면, 박막을 증착한 후, 제2 금속층(112)과 절연층(110) 및 비결정 실리콘층(108)을 식각하여 소스 구조와 드레인 구조 상에 각각 게이트 구조(113)와 게이트 절연체(111) 및 채널(109)를 형성한다. 이 후, 보다 두꺼운 패시베이션층(114)을 기판 위에 형성하여 게이트 구조(113), 게이트 절연체(111), 채널 및 리지 범프(106)를 커버한다. 유사하게, 패시베이션층을 식각하여 접촉 구멍을 형성하고 게이트 구조(113)의 일부를 노출시켜 소스 구조와 드레인 구조를 전기적으로 연결시킨다. 이어서, 드레인 구조를 연결시키는 패시베이션층(114) 상에 화소 전극(116)을 형성한다. 소스 구조와 드레인 구조를 형성하는 제1 식각 공정에서 화소 전극(116)을 형성하는 영역에 복수의 리지 범프를 형성하므로, 패시베이션층(114)과 화소 전극(116)은 리지 형상을 복제할 수 있다. 따라서, 화소 전극(116)은 필요한 거칠기를 갖는 확산기로 작용할 수 있다.
유사하게, 확산기의 효율을 높일 목적으로, 게이트 구조(113)와 게이트 절연층(111)과 채널(109)을 형성하는 식각 공정에서 리지 금속 범프(106) 상에 복수의 돌기를 배치한다. 이러한 돌기는 제2 금속층(112), 절연층(110)과 비결정 실리콘층(108)으로 임의로 적층되는 기둥 구조를 가지며, 리지 금속 범프(106) 상에 배치된다. 예를 들면, 비결정 실리콘(112)으로 구성되는 반도체 돌기는 채널(109)을 형성하는 비결정 실리콘층(108) 식각 단계에서 리지 범프(106)의 장단 경사면(106a, 106b) 상에 배치될 수 있다. 또 하나의 예를 들면, 채널(109)과 게이트 절연층(111)을 형성한 후, 그 위에 제2 금속층을 증착하고 식각하여 게이트 절연층(111) 상에 게이트 구조를 형성하고 동시에 리지 범프(106) 상에 복수의 금속 돌기를 형성한다.
당업자가 이해하는 바와 같이, 본 발명의 전술한 바람직한 실시예는 본 발명을 제한하는 것이 아니라 예시적인 것이다. 첨부된 청구 범위의 사상과 범위 내에 여러 변형과 유사한 배치를 포함하고자 하였으며, 본 발명의 범위는 그러한 변형과 유사 구조를 포함하는 가장 광범위한 것으로 해석되어져야 한다.
본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만, 본 발명의 사상과 범위를 벗어나지 않는 다양한 변경이 가능함을 인식할 것이다.
본 발명은 다양한 이점을 제공할 수 있다. 우선, 경사진 리지 형상을 갖는감광제를 증착함으로써, 제1 식각 공정에서 형성되는 리지 범프는 경사진 형상을 복제할 수 있다. 따라서, 각각의 리지 범프는 장사면과 단사면을 갖는다. 그리고, 거기에 증착되는 화소 전극은 장사면에 대응하는 장경사면을 가지며, TFT-LCD 장치의 휘도를 증가시키기 위하여 소정 각도로 대부분의 반사광을 집속할 수 있다.
또한, 절연 및 금속 돌기 모두를 장경사면 상에 증착할 수 있으므로, 확산기로 작용하는 화소 전극의 거칠기를 증대시켜 외부 조명을 적절하게 반사시킬 수 있다. 그리고, 상기 돌기들은 원래 공정의 식각 단계에서 형성되므로, 상기 돌기들을 제조하기 위한 추가적인 포토 레티클 및 리소그라피 공정을 필요하지 않음을 유의하여야 한다. 따라서, 화소 전극 확산기를 본 발명을 적용하여 제조할 경우 TFT-LCD 제조의 스루풋(throughput)을 유지할 수 있다. 또한, 리지 범프와 절연 돌기 및 금속 돌기를 순서대로 배치하여 화소 전극의 굴곡면의 형상과 각도를 조절할 수 있다. 그리고, 리지 범프와 돌기의 크기, 형상, 위치 및 간격을 조절하여 화소 전극의 거칠기와 광 반사각을 조절할 수 있다.

Claims (19)

  1. 경사진 화소 전극(slant pixel electrode)을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법에 있어서,
    기판 상에 제1 금속층을 형성하고, 상기 제1 금속층을 식각하는 제1 식각 공정을 행하여 상기 기판 상에 게이트 구조와 제1 사면(bevel)과 제2 사면을 갖는 복수의 리지 범프(ridge bump)를 동시에 형성하는 단계,
    상기 게이트 구조, 상기 리지 범프 및 상기 기판 상에, 상기 제1 사면에 증착되는 제1 경사면(inclined plane)과 상기 제2 사면에 증착되는 제2 경사면을 갖는 제1 절연층을 증착하는 단계,
    상기 게이트 구조 위의 상기 제1 절연층 상에 반도체층을 형성하여 TFT-LCD의 채널을 형성하는 단계,
    상기 반도체층 및 제1 절연층 상에 제2 절연층을 형성하고, 상기 제2 절연층을 식각하는 제2 식각 공정을 행하여 상기 게이트 구조 위의 상기 반도체층 상에 스토퍼(etching stopper)를 형성하는 단계,
    상기 스토퍼, 상기 반도체층, 및 상기 제1 절연층 상에 제2 금속층을 형성하고, 상기 제2 금속층을 식각하는 제3 식각 공정을 행하여 상기 스토퍼 옆에 드레인/소스 구조를 형성하는 단계,
    상기 기판 상에 패시베이션층(passivation layer)을 형성하여 상기 드레인/소스 구조의 일부를 노출시키는 단계, 및
    상기 패시베이션층 상에 화소 전극을 형성하여 상기 드레인/소스 구조를 전기적으로 연결시키는 단계
    를 포함하고,
    상기 제2 절연층을 식각하는 제2 식각 공정에서 상기 리지 범프 상에 상기 제1 절연층의 제1 경사면에 증착되는 제1 절연 돌기(insulating protrusion)가 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 경사진 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 금속층을 형성하는 단계 후에,
    상기 제1 금속층 상에 감광층(photoresist layer)을 도포하는 단계, 및
    리소그라피 공정을 행하여 상기 감광층 위에 게이트 구조와 복수의 리지 패턴(ridge pattern)을 형성하는 단계
    를 추가로 포함하며,
    상기 리소그라피 공정은 다중 노광 단계(multi-exposure procedure)를 포함하며, 상기 리소그리피 공정에 사용되는 레티클(reticle)은 하프톤형(half tone) 레티클 및 슬릿형(slit) 레티클로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 경사진 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 금속층을 식각하는 제3 식각 공정에서 상기 제1 금속층 상에 복수의 금속 돌기가 동시에 형성되며, 상기 금속 돌기와 절연 돌기는 상기 제1 절연층의 제1 경사면에 교차되어(interlaced) 배치되는 것을 특징으로 하는 경사진 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 각각의 금속 돌기는 인접한 2개의 상기 절연 돌기 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 경사진 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 절연 돌기는 상기 제1 경사면과 제2 경사면 상에 배치되는 경사진 화소 전극(slant pixel electrode)을 갖는 것을 특징으로 하는 경사진 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 금속층을 식각하는 제3 식각 공정에서 상기 제1 절연층 상에 복수의 금속 돌기는 동시에 형성되며, 상기 금속 돌기와 절연 돌기는 상기 제1 절연층의 제1 경사면과 제2 경사면 상에 교차되어 배치되는 것을 특징으로 하는 경사진 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), 합금 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 경사진 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법.
  9. 경사진 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법에 있어서,
    기판 상에 제1 금속층을 형성하고, 상기 제1 금속층을 식각하는 제1 식각 공정을 행하여 상기 기판 상에 게이트 구조와 각각이 제1 사면과 제2 사면을 갖는 복수의 리지 범프를 동시에 형성하는 단계,
    상기 게이트 구조, 상기 리지 범프 및 상기 기판 상에, 상기 제1 사면에 증착되는 제1 경사면과 상기 제2 사면에 증착되는 제2 경사면을 갖는 제1 절연층을 증착하는 단계,
    상기 게이트 구조 위의 상기 제1 절연층 상에 반도체층을 형성하여 TFT-LCD의 채널을 형성하는 단계,
    상기 반도체층과 상기 제1 절연층 상에 제2 금속층을 형성하고, 상기 제2 금속층을 식각하는 제2 식각 공정을 행하여 상기 스토퍼 옆에 드레인/소스 구조를 형성하는 단계,
    상기 기판 상에 패시베이션층(passivation layer)을 형성하여 상기 드레인/소스 구조의 일부를 노출시키는 단계, 그리고
    상기 패시베이션층 상에 화소 전극을 형성하여 상기 드레인/소스 구조를 전기적으로 연결시키는 단계
    를 포함하고,
    상기 제2 금속층을 식각하는 제2 식각 공정에서 상기 리지 범프 상에 상기 복수의 금속 돌기가 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 경사진 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 금속층을 형성하는 단계 후에,
    상기 제1 금속층 상에 감광층을 도포하는 단계, 그리고
    리소그라피 공정을 행하여 상기 감광층 상에 게이트 패턴과 복수의 리지 패턴을 형성하는 단계
    를 추가로 포함하며,
    상기 리소그라피 공정은 다중 노광 단계를 포함하며, 상기 리소그라피 공정에 사용되는 레티클은 하프톤형 레티클 및 슬릿형 레티클로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 경사진 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법.
  11. 삭제
  12. 제9항에 있어서,
    상기 금속 돌기는 상기 제1 절연층의 제1 경사면 상에 소정 간격으로 배치되는 것을 특징으로 하는 경사진 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 제1 금속층과 제2 금속층은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), 합금 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 경사진 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법.
  14. 경사진 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법에 있어서,
    기판 상에 제1 금속층을 형성하고, 상기 제1 금속층을 식각하는 제1 식각 공정을 행하여 드레인/소스 구조와 각각이 제1 사면과 제2 사면을 갖는 복수의 리지범프를 동시에 형성하는 단계,
    상기 드레인/소스 구조, 상기 리지 범프 및 상기 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계,
    상기 반도체층 상에 절연층을 형성하는 단계,
    상기 제2 금속층,상기 절연층 및 TFT-LCD 장치의 채널로서 작용하는 상기 반도체층을 식각하는 제2 식각 공정을 행하여 게이트 구조를 형성하는 단계,
    상기 기판 상에 패시베이션층을 형성하여 상기 드레인/소스 구조의 일부를 노출시키는 단계, 그리고
    상기 패시베이션층 상에 화소 전극을 형성하여 상기 드레인/소스 구조를 전기적으로 연결시키는 단계
    를 포함하고,
    상기 리지 범프 상에 상기 제2 금속층, 상기 절연층 및 상기 반도체층을 적층하여 형성되는 복수의 돌기가 상기 제2 식각 공정에서 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 경사진 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 금속층을 형성하는 단계 후에,
    상기 제1 금속층 상에 감광층을 도포하는 단계, 그리고
    리소그라피 공정을 행하여 상기 감광층 상에 드레인/소스 패턴과 복수의 리지 패턴을 형성하는 단계
    를 추가로 포함하며,
    상기 리소그라피 공정은 다중 노광 단계를 포함하며, 상기 리소그라피 공정에 사용되는 레티클은 하프톤형 레티클 및 슬릿형 레티클로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 경사진 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법.
  16. 삭제
  17. 제14항에 있어서,
    상기 제2 식각 공정에서 상기 리지 범프 상에 복수의 금속 돌기가 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 경사진 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 제2 식각 공정에서 상기 리지 범프 상에 복수의 반도체 돌기가 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 경사진 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 제1 금속층과 제2 금속층은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), 합금 및 이들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 경사진 화소 전극을 갖는 TFT-LCD 장치를 제조하는 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102305459B1 (ko) 2015-06-29 2021-09-27 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10288789A (ja) * 1997-04-16 1998-10-27 Canon Inc 液晶表示装置とその製造方法
KR19990037368A (ko) * 1997-10-27 1999-05-25 가나이 쓰도무 반사형 액정표시장치
JP2000221526A (ja) * 1999-02-04 2000-08-11 Seiko Epson Corp 液晶装置および電子機器
US6163405A (en) * 1999-04-15 2000-12-19 Industrial Technology Research Institute Structure of a reflection-type light diffuser in a LCD
US6291146B1 (en) * 1999-04-09 2001-09-18 Industrial Technology Research Institute Method for reforming a reflection-type light diffuser
KR20010092293A (ko) * 2000-03-13 2001-10-24 야마자끼 순페이 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
KR20010093230A (ko) * 1998-12-28 2001-10-27 아끼구사 나오유끼 반사형 액정표시장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10288789A (ja) * 1997-04-16 1998-10-27 Canon Inc 液晶表示装置とその製造方法
KR19990037368A (ko) * 1997-10-27 1999-05-25 가나이 쓰도무 반사형 액정표시장치
KR20010093230A (ko) * 1998-12-28 2001-10-27 아끼구사 나오유끼 반사형 액정표시장치
JP2000221526A (ja) * 1999-02-04 2000-08-11 Seiko Epson Corp 液晶装置および電子機器
US6291146B1 (en) * 1999-04-09 2001-09-18 Industrial Technology Research Institute Method for reforming a reflection-type light diffuser
US6163405A (en) * 1999-04-15 2000-12-19 Industrial Technology Research Institute Structure of a reflection-type light diffuser in a LCD
KR20010092293A (ko) * 2000-03-13 2001-10-24 야마자끼 순페이 반도체 디바이스 및 그 제조 방법

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