JP2007133137A - 露光用マスクと当該露光用マスクを用いた反射型または半透過型液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 反射型液晶表示装置または半透過型液晶表示装置の反射電極に、所望の反射特性を実現するような凹凸形状を形成するには、精密なプロセス管理や複雑な工程が必要である。
【解決手段】 露光分解能以上の大きさを有するパターンと露光装置の分解能未満の部分を有するパターンを有し、その分解能未満の部分と前記露光分解能以上の大きさを有するパターンとが、露光分解能未満の距離だけ離れている箇所を有する露光用マスクを用いて、感光性の有機樹脂膜に露光することにより、所望の反射特性を有する液晶表示装置を作成することが可能である。
【選択図】 図4
【解決手段】 露光分解能以上の大きさを有するパターンと露光装置の分解能未満の部分を有するパターンを有し、その分解能未満の部分と前記露光分解能以上の大きさを有するパターンとが、露光分解能未満の距離だけ離れている箇所を有する露光用マスクを用いて、感光性の有機樹脂膜に露光することにより、所望の反射特性を有する液晶表示装置を作成することが可能である。
【選択図】 図4
Description
本発明は、外部より入射した光を反射させて表示を行う反射型液晶表示装置および半透過型液晶表示装置の製造方法と、その製造に用いる露光マスクに関するものであり、特にコントラスト特性とペーパーホワイト性に優れる表示装置の製造方法とその製造に用いる露光マスクに関するものである。
液晶表示装置(Liquid Crystal Display;以下、LCDという)は、CRTに代わるフラットパネルディスプレイのひとつとして活発に開発が行われており、特に消費電力が小さいことや薄型であるという特徴を活かしてノートブック型コンピュータ、カーナビゲーション、携帯端末などの他、TVとして実用化されている。一般に液晶を用いた電気光学素子は、お互いに対向する電極をそれぞれ備えた基板の間に液晶層が挟持され、さらに両基板の外側には偏光板が設置され、透過型のものでは背面にバックライトが設置された構造をもっている。
LCDには、前述のように光源として内蔵されたバックライトの光を透過させて表示を行う透過型の他に、バックライトを用いずに外部から入射した光を反射させて表示を行う反射型、さらには両者の機能を兼ね備えた半透過型もしくは部分反射型とがある。反射型においては透過型のようなバックライト光源が不要であるため、さらに消費電力が低く、薄型で軽い表示装置が実現できることから携帯式の端末用LCDとして注目されている。また、反射型の利点と透過型の利点とを有している半透過型においても、外部から入射した光と表示光との明暗差に起因する視認性の低下を抑制できる効果を活かした用途に用いられている。
反射型液晶表示装置においては、表示装置の反射板が平坦だといわゆる鏡面となり、背景が画面に映り込むために表示内容が見づらいという問題がある。その解決のためには、蛍光灯や太陽等の光源からの光線のみならず、周囲の壁等からの間接的な反射光も含めた自然光全ての光線を有効に集め、利用者側の目線に反射させるような凸部または凹部を有する反射板を形成することが重要である。従来、このような反射板の製造として、反射率の高い金属薄膜を局所的にエッチングして凹凸を形成する方法があった。(たとえば、特許文献1参照)
しかし、最近では反射型液晶表示装置でも半透過型液晶表示装置でも、有機樹脂膜に凹凸形状を形成し、その上にAlやAgのような反射率の高い金属膜を成膜形成することによって、前記凹凸の高さや平面レイアウトを工夫することで光の反射特性を制御する方法が主に用いられている。たとえば、反射特性の良好な凹凸形状を形成するために、写真製版工程において角の滑らかな凸形状を有するように感光性樹脂膜を加工した後、さらにその上に2層目の樹脂膜を塗布することにより、凸部の平坦な面を無くした滑らかな凹凸形状を形成する方法が知られている。(たとえば、特許文献2参照)
また、写真製版工程において、凸形状を有するように感光性の有機樹脂膜を加工した後に、メルトフロー法を用いることにより、有機樹脂膜の塗布回数を1回にとどめたうえで滑らかな凹凸形状を形成する方法が知られている。(たとえば、特許文献3参照)
また、感光性有機樹脂膜を塗布した後にアンダー露光もしくはデフォーカス露光を行うことにより、滑らかな凹凸形状を形成する方法が知られている。(特許文献4参照)
上記文献に記載された従来の反射板形成プロセスにおいて、感光性樹脂膜にフォトリソグラフィで凸部パターンを形成し、次にその上にさらに有機樹脂膜を全面に塗布して凹凸形状を形成するプロセスによれば、感光性樹脂膜を完全に現像して凸部パターンを形成するので現像バラツキによる凸部形状のバラツキは抑えられるものの、その上にさらに有機樹脂膜を塗布するので工程が複雑になるという問題と、工程数が増大するという問題と、塗布工程の温度管理のみならず有機膜樹脂の粘性管理もする必要があり有機膜の凹凸形状を制御し管理することが困難であるという問題とがあった。
メルトフロー法を用いたり、アンダー露光やデフォーカス露光を用いたりする手法によれば、有機樹脂膜の塗布回数を1回にとどめたうえで滑らかな凹凸形状を形成することができるが、凹凸形状のバラツキを制御するのが困難であるという問題があった。またアンダー露光やデフォーカス露光を用いる方法においては、有機樹脂膜の露光感度のバラツキや、露光量の面内分布や現像プロセスの現像濃度や現像液温等のバラツキおよびベーク温度のバラツキ等により凹凸形状にもバラツキが発生するうえに、その制御が困難であるという問題があった。
この発明は、上記のような問題を解決するためになされたもので、有機樹脂膜の塗布回数を1回のみとしながら、ばらつきが少なく制御性に優れた製造方法により、ペーパーホワイト性に優れた反射散乱特性を有する所望の凹凸形状を製造し、背景が画面に移り込むことの無い良好な画像表示が可能な反射型または半透過型液晶表示装置を得ることを目的とする。さらに、所望の凹凸形状を製造するために適した露光用マスクを得ることを目的とする。
上記目的を実現するために本発明に係る露光用マスクは、露光分解能以上の大きさを有するパターンと露光装置の分解能未満の部分を有するパターンを有し、その分解能未満の部分と前記露光分解能以上の大きさを有するパターンとが、露光分解能未満の距離だけ離れている箇所を有する露光用マスクである。
上記目的を実現するために、本発明に係る反射型または半透過型液晶表示装置の製造方法は、一対の基板と、当該一対の基板間に介在される液晶層とを含んで構成され、前記一対の基板のうちの一方の基板上には、少なくとも表面に凹部を備えた凹凸形状を有する樹脂層と、前記樹脂層の少なくとも一部を覆い表面に凹凸を有する光反射電極とが形成されている反射型または半透過型液晶表示装置に関するものであり、感光性を備えた樹脂膜を塗布する工程と、露光分解能以上の大きさを有するパターンと露光装置の分解能未満の部分を有するパターンを有し、その分解能未満の部分と前記露光分解能以上の大きさを有するパターンとが、露光分解能未満の距離だけ離れている箇所を有する露光用マスクを用いて前記樹脂膜に露光を行う工程と、前記樹脂膜を現像することにより所望の光反射特性を有する凹部を備えた凹凸形状を形成する工程と、前記樹脂膜に形成された前記凹凸形状を少なくとも一部覆うようにして光反射率が高い金属膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする製造方法である。
本発明においては、感光性の有機樹脂膜に対し、露光装置の最小分解能以下の間隙を有したマスクを用いた露光と現像を行うことにより、所望の反射特性がえられるような凹部を有機樹脂膜に形成することができる。そしてこの方法を用いることにより、有機樹脂膜を2回塗布する必要も無く、所望の反射特性を有する反射型または半透過型表示装置を製造することができるという効果を奏する。
発明の実施の形態1.
本発明の実施の形態1に係る半透過型液晶表示装置において、最良の形態である実施の形態1について説明する。図1は、本発明の実施の形態1における半透過型液晶表示装置の1つの画素部分を示す平面図であり、図2は、図1に示す半透過型液晶表示装置においてA−A線で示す個所の断面構造を示す断面図である。図中、同一、相当部分には同一符号を付している。
本発明の実施の形態1に係る半透過型液晶表示装置において、最良の形態である実施の形態1について説明する。図1は、本発明の実施の形態1における半透過型液晶表示装置の1つの画素部分を示す平面図であり、図2は、図1に示す半透過型液晶表示装置においてA−A線で示す個所の断面構造を示す断面図である。図中、同一、相当部分には同一符号を付している。
図1、図2において、絶縁性基板1上に形成されたゲート電極配線2と補助容量電極3とを覆うゲート絶縁膜となる第1の絶縁膜4と、その上部に形成された半導体能動膜5と、オーミックコンタクト膜6を介してTFT部7において半導体能動膜5と接続されるソース電極8およびドレイン電極9と、ソース電極8につながるソース配線10と、ソース電極8とドレイン電極9とソース配線10とを覆う第2の絶縁膜11および有機樹脂膜12と、有機樹脂膜12の表面に形成された凹部13により生成する凹凸部と、ドレイン電極9上の第2の絶縁膜11および有機樹脂膜12に形成されたコンタクトホール14を介してドレイン電極9と接続するとともに開口部15を覆うようにして形成される画素透過電極16と、凹部13を覆うとともに開口部15の一部もしくは全部を覆わないようにして形成される画素反射電極17とからなるTFTアレイ基板が示されている。
本実施の形態1における半透過型液晶表示装置は、図1および図2に示すようなTFTアレイ基板上の各画素中に、光を透過する画素透過電極16と、表面に凹部13を備えた凹凸部が形成されて光を反射する画素反射電極17を有するもので、このTFTアレイ基板に、透明な共通電極を有する対向電極基板(図示せず)を対向して配置し、それらの基板間に液晶を配置したものである。
本実施の形態1における半透過型液晶表示装置の製造方法を説明するために、製造方法に対応する第1工程〜第6工程のプロセスについて説明する。図3(a)〜(g)は、図1で示す半透過型液晶表示装置のA−A線で示す個所の断面構造について、第1工程〜第6工程の6つのプロセスに沿って示す断面図である。以下、図3(a)〜(g)を用いて具体的に説明する。
図3(a)を参照して、第1工程のプロセスについて説明する。まず、ガラス基板等の絶縁性基板1の上に、スパッタリング等の方法で第1の金属薄膜を成膜し、第1のフォトリソグラフィを用いてパターニングし、ゲート電極配線2、電気容量を形成するための補助容量電極3を形成する。
第1の金属薄膜としてはたとえば、クロム(Cr)、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、タングステン(W)および銅(Cu)等やこれらの物質に微量の不純物を添加した合金等を用いることができる。またこれらの金属や合金を積層した積層膜を用いることもできる。膜厚は100nmから500nmとするのが好ましい。好適な実施例としてここでは、第1の金属薄膜として200nm厚のCr膜を成膜し、第1のフォトリソグラフィを用いてパターニングして、公知の硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸を含む薬液を用いてウエットエッチングを行い、図1および図3(a)に示すゲート電極配線2と補助容量電極3とのパターンを形成した。
図3(b)を参照して、第2工程のプロセスについて説明する。まず、第1の絶縁膜4、半導体能動膜5、オーミックコンタクト膜6を連続で成膜する。第1の絶縁膜4としては50nmから400nm厚のSiNまたはSiO2、半導体能動膜5としては100nmから250nmのアモルファスシリコン(a−Si)またはポリシリコン(p−Si)膜、そしてオーミックコンタクト層6としては20nmから70nm程度の厚さのシリコンにリン(P)を微量にドーピングしたn+a−Si膜等を用いることができる。その後、レジスト(図示せず)を塗布して第2のフォトリソグラフィによるパターニング後、露出しているオーミックコンタクト膜6と半導体能動膜5とをエッチング除去し、レジストを除去することにより、図1および図3(b)に示す半導体能動膜5とオーミックコンタクト膜6のパターニングを行なった。
好適な実施例としてここでは、プラズマCVDを用いて第1の絶縁膜4として100nm厚のSiN膜、半導体能動膜5として150nm厚のa−Si膜、そしてオーミックコンタクト層6として30nm厚のn+a−Si膜を連続で成膜し、第2のフォトリソグラフィを用いて図1および図3(b)に示すようにTFT部7とゲート電極配線2とソース配線10との交差部のパターンを形成した。なお、オーミックコンタクト膜6と半導体能動膜5のエッチングは、少なくともハロゲン元素を含むガスを用いた公知のドライエッチング法により行なった。
図3(c)を参照して、第3工程のプロセスについて説明する。まず、スパッタリング等の方法で第2の金属薄膜を成膜する。第2の金属薄膜としてはたとえば、Cr、Mo、Ta、Ti、W等やこれらの物質に微量の不純物を添加した合金等を用いることができる。またAlおよびCu等の低抵抗物質を用いる場合は、下層のオーミックコンタクト膜6との良好な電気的コンタクト特性を得るために、前述のCr、Mo、Ta、Ti、W等の物質を下層とした積層膜とするのが好ましい。第2の金属薄膜の膜厚は100nmから500nmとするのが好ましい。その後、レジスト(図示せず)を塗布して第3のフォトリソグラフィを用いてパターニングし、露出している第2の金属薄膜をエッチング除去することによりソース配線10、TFT部のソース電極8およびドレイン電極9を形成した。さらに、露出しているオーミックコンタクト膜6とレジストとを除去した。
好適な実施例としてここでは第2の金属薄膜として200nm厚のCr膜を成膜し、第3のフォトリソグラフィを用いてパターニングしてソース配線10、TFT部のソース電極8およびドレイン電極9を形成した。なおCr膜は公知の硝酸セリウムアンモニウムと過塩素酸を含む薬液を用いてウエットエッチングを行った。その後、ソース電極8、ドレイン電極9、ソース配線10で被覆されずに露出しているオーミックコンタクト膜6をドライエッチングにより除去した。以上によって図3(c)に示す構造が形成される。
図3(d)、図3(e)を参照して、第4工程のプロセスについて説明する。まず、図3(d)に示すように、例えばプラズマCVDを用いてSiNからなる第2の絶縁膜11を10nmから150nm程度の膜厚で形成した後に、有機樹脂からなる有機樹脂膜12を2.5μmから4.0μm程度の膜厚で形成する。有機樹脂の材料や膜厚の設定の際には、形成後の表面がほぼ平坦になるような条件に設定するのが好ましい。有機樹脂膜12の形成は、例えばPET(ポリエチレンテレフタレート)からなるベースフィルム上に層状形成されたものを基板に転写した後にベースフィルムを除去して形成する方法、あるいはノズルから有機樹脂膜を基板に吐出し、スピン法を用いて塗布する方法などを用いることができる。
また有機樹脂膜12としては、感光性または非感光性のものが存在するが、本発明においては感光性のものを使用した。このような感光性の有機樹脂膜12としては例えば公知のJSR製PC335またはPC403等を用いることができる。好適な実施例としてここではJSR製PC335をスピン法を用いて2.5μmから3.9μmの膜厚で塗布成膜した。この有機樹脂膜12はいわゆるポジ型であり、露光時の光強度が強いほど光が有機樹脂膜の深部まで届き、現像による膜厚の減少量が増大する特性を持っている。すなわち、露光の際の光強度が強いほど、現像処理後に残存する有機樹脂膜12の膜厚は薄くなる。
次に、図3(e)を参照して、第4工程のプロセスの続きについて説明する。有機樹脂膜12が感応する光を局所的に光量を変えて露光を行った後に現像を行うことにより、有機樹脂膜12にコンタクトホール14、開口部15を形成するとともに、画素反射電極17に相当する領域に複数個の凹部13を形成することにより、凹部13を備えた凹凸形状を形成した。この凹部13の形成方法の詳細については後述する。有機樹脂膜12に凹部13、コンタクトホール14、開口部15を形成した後は、少なくとも弗素元素を含むガスを用いた公知のドライエッチング法により、コンタクトホール14の下地である第2の絶縁膜11と、開口部15の下地である第2の絶縁膜11と第1の絶縁膜4とを除去すれば、図3(e)に示す構造が得られる。
図3(f)を参照して、第5工程のプロセスについて説明する。まず、スパッタリング等の方法で透明導電膜を成膜する。本実施の形態1においては、ITO膜を5〜15nmの膜厚で堆積した。その後、第5のフォトリソグラフィを用いて透明導電膜をパターニングして、画素透過電極16を形成した。画素透過電極16はコンタクトホール14を介してドレイン電極9と接続されている。また、開口部15を介してガラス基板1の表面とも接触している。
図3(g)を参照して、第6工程のプロセスについて説明する。まず、スパッタリング等の方法で第3の金属薄膜を成膜する。下地である有機樹脂膜12は、凹部13が形成されていない箇所と凹部13とで形成される凹凸形状を有するが、第3の金属薄膜もその下地形状を反映した凹凸形状をもつこととなる。その後、第6のフォトリソグラフィを用いて第3の金属薄膜をパターニングすることによって、凹部13を被覆するとともに開口部15の大部を開口して、画素透過電極16の一部と重なるようにしてなる画素反射電極17を形成する。
第3の金属薄膜は画素部の反射板を兼ねる画素反射電極17となるので、なるべく反射率の高い物質を用いることが好ましい。たとえば波長550nmの可視光で90%以上の反射率特性を有するAl、銀(Ag)、またはこれらの物質に微量の不純物を添加した合金を用いることができる。膜厚は50nmから400nm程度とするのが好ましいが、画素部の凹凸部での段差部における断線不良の防止、ならびに物質本来の優れた反射特性を充分に発揮するために100nm以上とするのがより好ましい。
また密着力や下層金属薄膜との電気的コンタクト特性を向上させるために、下層にCr、Mo、Ta、Ti、W等の金属薄膜を設けた積層構成としてもよい。好適な実施例としてここでは第3の金属薄膜として300nm厚のAl膜を用いた。
以上により図1、図2に示すような本発明の実施の形態に係る半透過型液晶表示装置のTFTアレイ基板が完成する。バックライト等の光源が透過する部位である開口部15には画素透過電極16が形成されておりドレイン電極9を介して表示に必要な電力が供給される。また、自然光などの光を反射する部位である画素反射電極17は、下地である有機樹脂膜12に形成された凹部13の形状が反映した凹凸形状を備えている。
ここで、第4工程のプロセスにおいて有機樹脂膜12に露光と現像を行うことにより、凹部13を有する凹凸形状とコンタクトホール14と開口部15とを形成する方法について説明する。露光の際にコンタクトホール14、開口部15を形成するためのマスクと、複数個の凹部13を形成するためのマスクとを用い、それぞれ異なる光量を用いて露光を行った。ここで、本実施の形態1においては複数個の凹部13を含む凹凸形状を形成するために図4に示すような露光用マスクを使用して露光を行った。
図4に示す露光用マスクには、円状のホールパターン101が複数個配置されており、各ホールパターンの周囲にはホールパターン101と同心円となる円周を境界として有するリング状のスリット102が同じくリング状である間隙領域103を隔てて配置されている。ここで、ホールパターン101の直径は、使用する露光装置の最小分解能以上の寸法である。
また、スリット102と隣接する他のスリット102との間の間隙104も、使用する露光装置の最小分解能以上の寸法である。一方、スリット102の幅と間隙領域103の幅とはそれぞれ露光装置の最小分解能未満の寸法である。また、図4に示す露光用マスクにおいては、ホールパターン101と、スリット102のみが光を透過し、それ以外の個所は間隙領域103も含めて光を透過しないようになっており、露光の際に有機樹脂膜12に照射される光についても同様である。
このような露光用マスクを使用して露光を行った場合の当該マスクパターンと、現像処理後の有機樹脂膜12の凹凸形状に含まれる凹部13の断面形状との関係を図5に示した。また、本発明の効果を理解するために比較例として、スリット102が無い場合についても図6に示した。
図5(a)には、図4と同様の露光マスクパターンを示した。付番も図4と同様である。図5(a)においてA−Aで示した点線に該当する断面図を図5(b)に示した。図5(b)から、光を透過させる領域は、ホールパターン101とスリット102のみであることがわかる。したがって、図5(a)や図5(b)に示す露光マスクを通して露光を行った場合に、有機樹脂膜12に照射される光の強度は図5(c)に示すような分布となる。
一方、図6(a)に示すように、ホールパターン101しかなく、スリット102が無いマスクパターンの場合は、光を透過させる領域は図6(b)に示すようにホールパターン101のみであり、露光時に有機樹脂膜12に照射される光の強度は図6(c)に示すような分布を示す。ここで、図5(c)と図6(c)との光強度分布特性を比較すると、図5(c)に示す光強度分布の方が図6(c)に示す分布よりもなだらかな裾野がより広がった特性を示している。この違いは、図5(c)においては、露光装置の分解能よりも細い幅を有するスリットパターン102と間隙領域103とを有する露光マスクパターンを使用していることにより、ホールパターン101の周囲にも光がにじんで透過することによって起きるものである。
図5(c)や図6(c)に示すような光強度分布で露光した後に現像処理を行った場合に得られる有機樹脂膜12の凹部13の断面形状をそれぞれ図5(d)と図6(d)に示す。本実施の形態に係るスリット102と間隙領域103とを有する図5(a)に示す露光用マスクを用いた場合、図5(c)のように裾野がより広い光強度分布のもとで有機膜樹脂12への露光を行うため、図5(d)に示すように現像処理後の仕上がり形状もそれに応じて凹部13の直径が大きくなり、凹部13のテーパー部13aの傾斜も緩やかなものとなる。
一方、スリット102が無い場合の比較例を示した図6(d)においては、凹部13の直径は図5(d)で示したものより小さく、テーパ−部13aはより急峻な傾斜を有している。本発明の実施の形態においては、露光用マスクのホールパターン101の周囲に間隙領域103とスリット102とを追加して露光の光強度分布の裾野をよりなだらかにすることにより、有機樹脂膜12に形成される凹部13の直径を拡大し、テーパー部13aの傾斜を緩やかにできる。
このようにして、有機樹脂膜12の表面に得られる複数の凹部13を含む凹凸形状の上部に画素反射電極17が形成された場合の散乱光の反射特性を図7(a)、(b)に示す。横軸に散乱角度を示し、縦軸には散乱光の強度を示している。図7(a)においては、図6(d)で示したようなスリット102や間隙領域103が無い露光用マスクを用いることにより形成された凹部13に対応した散乱光強度の角度依存性を示した。一方、図7(b)は、本発明の実施の形態にかかる露光用マスクにより形成された図5(d)に示す凹部13と対応した散乱光強度の角度依存性を示したものである。2つの図を比較すると、図7(a)で散乱光強度のピークを示す角度θ1よりも、図7(b)でピークを示す角度θ2の方が大きい。すなわち、本発明の実施の形態にかかる露光用マスクを用いることにより、表示装置の散乱光強度の角度依存性を変更することが可能である。
さらに、スリット102の幅や間隙領域103の幅を露光装置の最小分解能以下の範囲で微妙に調整することにより所望の加工形状をえることもできる。例えば、スリット102の幅や間隙領域103の幅を大きくすると、露光の光強度分布においてホールパターン101の周囲に光のにじみが増大するため凹部テーパー部13aの傾斜はよりなだらかなものとなり、逆にスリット102の幅や間隙領域103の幅を細くしていくと凹部テーパー部13aの傾斜はより急峻なものとなる。このように、スリット102の幅や間隙領域103の幅を最小分解能以下の範囲で調整することにより、所望の光反射特性に応じた凹凸形状となるように有機樹脂膜15を加工することができ、ひいては図7(b)に示したように表示装置の散乱光強度の角度依存性を所望の特性にすることができる。
さらに、露光マスクパターンの各ホールパターン101においては、スリット102の幅と間隙領域103の幅とは全て均一にしなくともよく、露光装置の分解能未満の大きさであればさまざまに異ならせてもよい。それによって、画素内にさまざまなテーパー形状を有する複数の凹部を形成することができるので、たとえば、表示光の正反射成分を強める場合は、急峻なテーパー形状を有する凹部13の密度を増やし、逆に反射の分散を強めたい場合は、なだらかなテーパー形状を有する凹部13の密度を増やすというように所望の反射特性に応じて凹部13を形成することも可能である。
また、特定の角度成分のみの反射光をえるには、その角度に相当するテーパー角度の凹部のみ形成することによって実現できる。逆に、図7(c)に示すようにさまざまな散乱角成分がほぼ同等の散乱光強度を持つようにさまざまなテーパー形状を有する凹部13を混在させて形成することもできる。このように混在させて形成する場合は、散乱光強度の角度依存性が無いことからプロセス変動の影響を受けにくいという効果もある。
今まで説明した露光パターンマスクは、スリット102がホールパターン101の全周囲を囲むように配置したものであったが、スリット102はホールパターン101の全周囲でなく一部のみ配置されている露光マスクパターンでもよい。図8(a)、図8(b)に、スリット102がホールパターン101の全周囲でなく一部のみ配置されている露光用マスクとその断面図を示す。さらに、図9(a)、図9(b)に、2個のスリット102がホールパターン101を挟んで対向するように配置した露光用マスクとその断面図を示す。
この場合、図8(c)や図9(c)に示すような非対称の光強度分布を有する露光がなされるため、有機樹脂膜12には、図8(d)や図9(d)に示されるような凹部13が形成されることになる。例えば、図8(d)に示す凹部を備えた表示装置においては、スリット102からホールパターン101の方向へと見た場合とそれ以外の方向から見た場合とで反射特性が異なることになる。また、図9(d)に示す凹部を備えた表示装置においても同様に、スリット102からホールパターン101の方向へと見た場合と、スリット102が無い箇所からホールパターン101へと見た場合とで反射特性が異なることになる。このように、表示装置における所望の反射特性の方向依存性が非対称の場合は、スリット102と間隙領域103の配置位置をホールパターン101に対して非対称に配置することによって、所望の反射特性を実現することが可能である。
ここで、複数個の凹部13は直径が3μmから10μm程度とするのが好ましく、その大きさも1種類とするのではなく複数種類をランダムに配置するのが好ましい。凹部のテーパー部13aの傾斜は、前述の通り所望の反射特性に応じて形状や異なる形状の密度比率を調整すればよい。
なお、本実施の形態では感光性の有機樹脂膜としてポジ型の材料を使用した場合について記載したが、逆にネガ型の材料を用いても凹凸の関係が逆転するだけであり、本発明の効果を得ることは可能である。また、ネガ型の材料を用いて、露光マスクパターンの透過部と非透過部とを逆転させてもよい。さらに、凹凸形状を形成するのに十分な感光性を有していれば有機材料に限定する必要もない。
また、本実施の形態1では、ホールパターン101として円状のパターンを用いた場合について説明を行ったが、パターン形状は円形でなくてもよく、四角形や正方形であってもよい。露光装置の分解能未満の部分を有するパターンを有し、その分解能未満の部分と露光分解能以上の大きさを有するパターンとが、露光分解能未満の距離だけ離れている箇所を有する露光用マスクであれば同様の効果を得ることが可能である。
また、本発明の実施の形態においては、凹部13を形成するための露光マスクと、コンタクトホール14と開口部15とを形成するための露光マスクとを別々に用い、各々の光量を異ならせる製造方法について説明したが、マスクを共通化して1回の露光ですませることも可能である。コンタクトホール14や開口部15に対応するパターンよりも、凹部13に対応するパターンの方の光透過率が小さくなるように、例えば、ホールパターン101やスリット102の箇所に50nm以下の極薄の金属膜等を形成して透過率を下げたマスクを使用しても良い。この露光マスクを用いると1回の露光で、凹部13、コンタクトホール14、開口部15を形成できるため製造コストを低減できる。
比較例1.
本発明の実施の形態においては、スリット102と間隙領域103とを設けたことを特徴としているが、それらの幅が露光装置の最小分解能よりも細いことも特徴としている。この効果についての理解を深めるために、比較例1として図10(a)〜(d)を用い、以下に説明する。図10(a)、(b)に示したのは、スリット102と間隙領域103とが設けられた露光マスクパターンとその断面図である。ここで、スリット102と間隙領域103との幅が露光装置の最小分解能以上である点が、図5(a)、(b)と異なっている。
本発明の実施の形態においては、スリット102と間隙領域103とを設けたことを特徴としているが、それらの幅が露光装置の最小分解能よりも細いことも特徴としている。この効果についての理解を深めるために、比較例1として図10(a)〜(d)を用い、以下に説明する。図10(a)、(b)に示したのは、スリット102と間隙領域103とが設けられた露光マスクパターンとその断面図である。ここで、スリット102と間隙領域103との幅が露光装置の最小分解能以上である点が、図5(a)、(b)と異なっている。
そのため、図10(c)に示す露光の光強度分布においても、スリット102による光のにじみがホールパターン101の光と混ざらないため、ホールパターン101に起因する光強度分布の凸曲線の裾野にスリット102に起因するピークが出てしまい、なだらかな光強度分布にはならない。また、スリット102においてはホールパターン101と同様に光が充分透過するため、光強度分布の凸曲線の裾野は若干広がるものの、裾野部分の傾斜はホールパターン101しか無い場合を示した図6(c)とさほど変わらない。そのため、図10(d)において示すように、比較例1においては凹部13のテーパー部13aに凸部18が形成されてしまうことに加え、テーパー部13a自体の傾斜を緩やかにする効果もほとんど得られないことになる。このように、スリット102と間隙領域103との幅を露光装置の分解能より小さくするという本実施の形態の特徴は、有機樹脂膜12の凹部13を成形加工することにより所望の反射特性を得るために必須であることがわかる。
本発明の実施の形態においては、感光性の有機樹脂膜に対し最小分解能以下の間隙を有した露光用マスクを用いた露光と現像を行うことにより、所望の反射特性がえられるような凹部を形成することができる。そしてこの方法を用いることにより、有機樹脂膜を2回塗布する必要も無く低コストで、所望の反射特性を有する反射型または半透過型表示装置を製造することができるという効果を奏する。
また、本実施の形態1においては、半透過型液晶表示装置の製造方法について説明をしたが、本発明を反射型液晶表示装置にも適用できることは言うまでも無い。この場合、開口部15を形成することなく、さらに画素透過電極16を形成する第5工程を削除してもよい。すなわち、有機樹脂膜12に凹部13とコンタクトホール14とを形成した後に、コンタクトホール14の底に露出する第2の絶縁膜11を除去した後、第3の金属膜を成膜してコンタクトホール14を介してドレイン電極9と接続されて凹部13を被覆する画素反射電極17を形成すればよい。第3の金属膜は必要に応じて積層構造としてもよく、例えば、下層として高融点金属膜を形成し、上層としてAl合金膜を形成してもよい。このようにして形成した反射型液晶表示装置においても、本実施の形態1に説明した効果と同等の効果を得ることが可能である。さらに、本実施の形態においては逆スタガ型の薄膜トランジスタについて適用した場合について説明を行なったが、トップゲート型の薄膜トランジスタに適用してもよい。
1 絶縁性基板、2 ゲート電極配線、3 補助容量電極、
4 第1の絶縁膜、5 半導体能動膜、6 オーミックコンタクト膜、7 TFT部、
8 ソース電極、9 ドレイン電極、10 ソース配線、11 第2の絶縁膜、
12 有機樹脂膜、13 凹部、13a 凹部のテーパー部、
14 コンタクトホール、15 開口部、
16 画素透過電極、17 画素反射電極、18 凸部、
101 ホールパターン、102 スリット、103 間隙領域、104 間隙
4 第1の絶縁膜、5 半導体能動膜、6 オーミックコンタクト膜、7 TFT部、
8 ソース電極、9 ドレイン電極、10 ソース配線、11 第2の絶縁膜、
12 有機樹脂膜、13 凹部、13a 凹部のテーパー部、
14 コンタクトホール、15 開口部、
16 画素透過電極、17 画素反射電極、18 凸部、
101 ホールパターン、102 スリット、103 間隙領域、104 間隙
Claims (3)
- 露光分解能以上の大きさを有するパターンと露光装置の分解能未満の部分を有するパターンとを有し、その分解能未満の部分と前記露光分解能以上の大きさを有するパターンとが、露光分解能未満の距離だけ離れている箇所を有することを特徴とする露光用マスク。
- 前記露光分解能以上の大きさを有するパターンは円形状のホールパターンであり、前記露光装置の分解能未満の部分を有するパターンは円弧状のスリット状のパターンである露光用マスクにおいて、前記円弧状のスリット状のパターンは、その幅が露光装置の分解能未満であって前記ホールパターンとは同心円となるように配置されており、それらの間隙領域の幅は露光分解能未満であることを特徴とする請求項1に記載の露光用マスク。
- 基板上に感光性の樹脂膜を形成するステップと、
露光用マスクを用いた露光後に現像を行なうことにより前記樹脂膜の表面に凹部を含んだ凹凸部を形成するステップとを備えた液晶表示装置の製造方法であって、
請求項1に記載の露光用マスクを露光に用いて、前記露光分解能以上の大きさを有するパターンに対応した凹部を樹脂膜表面に形成することにより凹凸部を形成することを特徴とする反射型液晶表示装置または半透過型液晶表示の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005325945A JP2007133137A (ja) | 2005-11-10 | 2005-11-10 | 露光用マスクと当該露光用マスクを用いた反射型または半透過型液晶表示装置の製造方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103676465A (zh) * | 2013-12-24 | 2014-03-26 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 用于在有机绝缘膜中形成过孔的掩膜板和方法 |
JP2020512583A (ja) * | 2017-03-13 | 2020-04-23 | 武漢華星光電技術有限公司Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd | フォトマスク構造及びcoa型アレイ基板 |
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2005
- 2005-11-10 JP JP2005325945A patent/JP2007133137A/ja active Pending
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JP2020512583A (ja) * | 2017-03-13 | 2020-04-23 | 武漢華星光電技術有限公司Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd | フォトマスク構造及びcoa型アレイ基板 |
EP3598234A4 (en) * | 2017-03-13 | 2021-01-27 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | PHOTOMASK STRUCTURE AND COA TYPE MATRIX SUBSTRATE |
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