TWI395030B - 畫素結構與包含此畫素結構之顯示面板及光電裝置以及其製造方法 - Google Patents
畫素結構與包含此畫素結構之顯示面板及光電裝置以及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI395030B TWI395030B TW096110594A TW96110594A TWI395030B TW I395030 B TWI395030 B TW I395030B TW 096110594 A TW096110594 A TW 096110594A TW 96110594 A TW96110594 A TW 96110594A TW I395030 B TWI395030 B TW I395030B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- pixel
- pixel structure
- metal layer
- substrates
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 298
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 88
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 71
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 49
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 27
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 81
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 16
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- -1 polybenzazoles Polymers 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 11
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 11
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N cadmium;oxotin Chemical compound [Cd].[Sn]=O BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 8
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 description 8
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 8
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 6
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 239000013080 microcrystalline material Substances 0.000 description 4
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 4
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- BCZWPKDRLPGFFZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynecerium Chemical compound [Ce]#N BCZWPKDRLPGFFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WXANAQMHYPHTGY-UHFFFAOYSA-N cerium;ethyne Chemical compound [Ce].[C-]#[C] WXANAQMHYPHTGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N methylidyneniobium Chemical compound [Nb]#C UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004291 polyenes Chemical class 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- KNEXRQWDSVGRMS-UHFFFAOYSA-N phthalic acid;hydrate Chemical compound O.OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O KNEXRQWDSVGRMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
- G02F1/133555—Transflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
本發明是有關於一種液晶顯示裝置，且特別是有關於一種畫素結構以及其製造方法。
第1A圖是繪示一種傳統半穿透半反射(transflective)多區域垂直排列(Multi-domain Vertical Alignment；MVA)畫素結構的上視圖。此種半穿透半反射多區域垂直排列畫素結構100是由二條共同線122以及二條資料線124來定義出一個畫素區域110。畫素區域110中包含有二個次畫素區域，其中一者為反射區域112，而另一者則為透光區域114。反射區域112與透光區域114靠連接電極151而使其電性相連接。
第1B圖為第1A圖沿AA’線的剖面圖。畫素結構100中包含一對玻璃基板130及140，且在此對玻璃基板130及140之間設置有液晶層150。玻璃基板130上依序設置有彩色濾光層132以及平坦化(overcoat)層134。反射區域112中具有一圖案化有機材料層164，設置於平坦化層134上。共同電極(common electrode)136覆蓋於透光區域114之平坦化層134以及反射區域112之圖案化有機材料層164上。共同電極136的材質為氧化銦錫(ITO)。凸起物162及166設置於共同電極136上，且其上方對應設置黑色矩陣(black matrix)172及176。
多晶矽層141、絕緣層142、第一金屬層(M1)143、絕緣層144、第二金屬層(M2)145、保護層146及畫素電極(pixel electrode)148、149依序形成於玻璃基板140之上，並分別被圖案化而構成薄膜電晶體128、儲存電容129、共同線122、掃描線126、接觸孔(contact hole)182及介層孔(hole)184。保護層146之材質為氮化矽，而於透光區域114中之畫素電極148的材質為氧化銦錫。於反射區域112中之畫素電極149之材質為反射材質，亦稱反射層，相對於圖案化有機材料層164而設置於保護層146上，以供反射反射區域112中的光線。
此種畫素結構100在其反射區域112及透光區域114中都會設置凸起物162及166，藉以在畫素結構100之共同電極136及畫素電極148、149間具有電位差時改變電力線的分佈，而使液晶層150中的液晶分子往凸起物162及166的方向傾倒，如此達成多區域來增加視角並改善單區域畫素結構固有的灰階反轉問題。而且，此種畫素結構100大多會製作成雙間隙(dual gap)的結構，亦即在其反射區域112中會設置作為調整光程差之用的圖案化有機材料層164，其目的是使得反射的光程差與穿透的光程差近似相同，以致於穿透與反射的光學表現才會最佳。
然而，如第2圖所示，位於圖案化有機材料層164邊緣的液晶分子152，卻可能受到此圖案化有機材料層164邊緣地形的影響而在暗態時無法如理想般垂直地排列，造成在圖案化有機材料層164邊緣會有暗態漏光的現象產
生，因而降低此傳統畫素結構100的穿透對比。
本發明的目的是提供一種畫素結構及其製造方法，可避免畫素結構產生暗態漏光的現象，並提升其穿透對比。
此種畫素結構包含一對相對應設置的基板、一液晶層、複數個畫素區域、一圖案化有機材料層以及一遮光層。液晶層設置於該對基板之間。畫素區域提供於該對基板上，各該畫素區域是由至少二條共同線及至少一條資料線所定義，且其具有至少二個次畫素區域，其中各該畫素區域具有一包含至少一主狹縫之畫素電極，且該主狹縫鄰近於該等次畫素區域之交界處。圖案化有機材料層設置於該對基板之其中一者上，且相對應於該些次畫素區域之其中一者。遮光層則相對應設置於該主狹縫之處。
此種畫素結構的製造方法包含提供一對相對應設置的基板。在該對基板上形成複數個畫素區域，各該畫素區域是由至少二條共同線及至少一條資料線所定義，且其具有至少二個次畫素區域。在各該畫素區域中形成一包含至少一主狹縫之畫素電極，其中該主狹縫鄰近於該兩個次畫素區域之交界處。在該對基板之其中一者上設置一圖案化有機材料層，且該圖案化有機材料層是相對應於該些次畫素區域之其中一者。形成一遮光層，相對應於該主狹縫之處。
本發明之另一目的是提供一種包含上述畫素結構之顯示面板以及其製造方法。
本發明之另一目的是提供一種包含上述顯示面板之光電裝置及其製造方法。
第3圖依照本發明第一實施例繪示一種畫素結構的上視圖。此畫素結構300是由至少二條共同線322以及至少一條資料線324來定義出一個畫素區域310。畫素區域310中包含有至少二個次畫素區域。以下實施方式是以一個次畫素區域為反射區域312，而另一個次畫素區域為透光區域314作為實施範例來進行說明，但並不限於此。亦可選擇一個畫素區域中之所有次畫素區域皆為透光區域或皆為反射區域的畫素結構來實施本發明。
反射區域312與透光區域314以連接電極351而使其電性相連接。畫素區域310中具有包含一主狹縫358之畫素電極(未標示)。主狹縫358是位於反射區域312以及透光區域314之間。第一實施例將遮光層，例如金屬層368a(如第4A圖所示)、金屬層368b(如第4B圖所示)、不透光的絕緣層368c(如第4C圖所示)、或上述之組合，相對應地設置於主狹縫358之處，如此來減少畫素結構300的暗態漏光。以下藉由第4A~4C圖所示之畫素結構300a~300c的剖面圖來說明第3圖所示之畫素結構300的多種變化例。
第4A圖為第3圖中畫素結構300之第一種變化例的剖面圖，其中畫素結構300a是沿著第3圖中AA’線而繪示。畫素結構300a包含一對相對應設置的基板330及340。在
此對基板330及340之間設置有液晶層350。基板330及340之其中至少一者之材質包含透明材料(如：玻璃、石英、或其它材料)、不透明之材料(如：矽片、陶瓷、或其它材料)、可撓性材料(如：聚酯類、聚烯類、聚醯類、聚醇類、聚環烷類、聚芳香族類、或其它材料、或上述之組合)、或上述之組合。第一實施例之基板330及340是以玻璃基板為實施範例。
基板330上設置有彩色濾光層332，以及覆蓋於彩色濾光層332上的平坦化層334。反射區域312中具有一圖案化有機材料層364，設置於平坦化層334上。圖案化有機材料層364可使反射區域312中的反射光程差與穿透光程差近似相同，以致於穿透與反射的光學表現為最佳。共同電極336覆蓋於透光區域314之平坦化層334以及反射區域312之圖案化有機材料層364之上。共同電極336的材質為透明導電材料，如：銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、或其他材料、或上述之組合。在共同電極336上設置有配向元件362及366，且在配向元件362及366的上方對應設置黑色矩陣372及376。
半導體層341、絕緣層342、第一金屬層(M1)343、絕緣層344、第二金屬層(M2)345、保護層346以及畫素電極348及349依序形成於基板340之上，並分別被圖案化而構成薄膜電晶體328、儲存電容329、共同線322、掃描線326、接觸孔382及介層孔384。
絕緣層342、絕緣層344、平坦化層334、與保護層346
之其中至少一者之材質包含：有機材質(如：光阻、聚丙醯醚(polyarylene ether；PAE)、聚醯類、聚酯類、聚醇類、聚烯類、苯並環丁烯(benzocyclclobutene；BCB)、HSQ(hydrogen silsesquioxane)、MSQ(methyl silesquioxane)、矽氧碳氫化物(SiOC-H)、或其它材質、或上述之組合)、無機材質(如：矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物、碳化矽、氧化鉿、或其它材料、或上述之組合)、或上述之組合。在透光區域314之畫素電極348的材質為透明導電材料，如：銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、或其他材料、或上述之組合。
半導體層341例如為含矽之多晶材質、含矽之微晶材質、含矽之單晶材質、含矽之非晶材質、或上述之組合。在反射區域312中之畫素電極349，其為反射材質，亦稱為反射層，是相對於圖案化有機材料層364而設置於保護層346上，以供反射反射區域312中的光線。此畫素電極349是利用保護層346製作出具有凹凸之表面，再鍍上一層高反射率的反射金屬層(如：鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈮(Nb)、鈦、鉭、鎢、釹、或上述之合金、或其它材料、或上述之組合)、或使用反射金屬層形成具有凹凸之表面、或上述之組合。
遮光層可選擇為不透光的金屬層、不透光的絕緣層、或上述之組合。第4A圖之第一種變化例是選擇位於第二金屬層345的不透光之金屬層368a來作為畫素結構300a的遮光層。而且，此金屬層368a可選擇性地與或不與同樣位
於第二金屬層345的資料線324相連接。也就是說，此作為遮光層之用的金屬層368a可連接至一特定電位，或不連接至任何電位而成為浮接(floating)的狀態。
第4B圖為第3圖中畫素結構300之第二種變化例的剖面圖，其中畫素結構300b是沿著第3圖中AA’線而繪示。第4B圖之第二種變化例是選擇位於第一金屬層343的不透光之金屬層368b來作為畫素結構300b的遮光層。而且，此金屬層368b，較佳地，可不連接至任何電位而為浮接的狀態，亦可連接同樣位於第一金屬層343的掃描線326相連接並具有一特定電位。
第4C圖為第3圖中畫素結構300之第三種變化例的剖面圖，其中畫素結構300c是沿著第3圖中AA’線而繪示。第4C圖之第三種變化例是使用不透光的絕緣層368c來作為畫素結構300c的遮光層。此不透光的絕緣層368c之材質，較佳地，例如為光阻材料或其他有機材料(如：黑色、淡色、多色堆疊、或其它色彩)、或無機材料、或上述之組合，且可選擇地形成於基板340、絕緣層342、絕緣層344、及保護層346之其中至少一者上，例如設置於第4C圖中之主狹縫358處，但亦可選擇性地設置於上述圖式(第4A~4C圖)所述之實施位置上、或其它位置上。當然，第一實施例中之遮光層的設置，可選擇性使用上述圖式(第4A~4C圖)之至少二種來組合實施。例如，第4D圖繪示第3圖中畫素結構300之另一種變化例的剖面圖，如第4D圖所示之畫素結構300d中包含設置了兩層遮光層368a與368c，上述兩
層遮光層368a與368c皆對應設置於主狹縫358之處，且其中本實施例中的遮光層368a之位置大致與第4A圖之實施例相同，如第4A圖與第4D圖所示，遮光層368a是選擇位於第二金屬層345的不透光之金屬層368a來作為畫素結構300a的遮光層。而本實施例中的遮光層368c之位置大致與第4C圖之實施例相同，如第4C圖與第4D圖所示，遮光層368c是使用不透光的絕緣層368c來作為畫素結構300c的遮光層。
第5圖依照本發明第一實施例繪示一種製造方法的流程圖，以下說明請同時參照第3圖及第4A~4C圖。此種製造方法首先提供一對相對應設置的基板330及340(步驟502)。在基板330及340上形成複數個畫素區域310，各畫素區域310是由至少二條共同線322及至少一條資料線324所定義，且其具有至少二個次畫素區域(步驟504)，例如反射區域312及透光區域314，但不限於此，亦可皆為反射區域、或皆為透光區域。在畫素區域310中形成一包含至少一主狹縫358之畫素電極348、349，其中主狹縫358鄰近於兩個次畫素區域312及314之交界處(步驟506)。在基板330及340之其中一者上設置一圖案化有機材料層364，且圖案化有機材料層364是相對應於次畫素區域312及314之其中一者(步驟508)。形成一遮光層，例如金屬層368a、金屬層368b、不透光的絕緣層368c、或上述之組合，其相對應於主狹縫358之處(步驟510)。
第6圖繪示當第3圖之畫素結構300在畫素電極348、
349與共同電極336間具有電位差時，其液晶層之液晶分子排列的上視示意圖。根據第一實施例，在畫素結構300之畫素電極與共同電極間具有電位差時，不論其遮光層是否具有電位，位於反射區域312及透光區域314交界處的液晶分子排列都是相當整齊的。也就是說，當畫素結構因畫素電極與共同電極間具有電位差而被驅動於亮態時，是否使用金屬層來作為遮光層以及此金屬層是否具有電位，都不會影響此畫素結構在亮態時的正常表現。因此，可有效地改善傳統液晶分子，因圖案化有機材料層邊緣地形的影響。
第7A圖繪示第4A圖之畫素結構300a在畫素電極348、349與共同電極336間具有電位差時(即亮態時)，其液晶分子352a排列的剖面示意圖；第7B圖則繪示第4A圖之畫素結構300a在畫素電極348、349與共同電極336間之電位差接近於零時(即暗態時)，其液晶分子352b排列的剖面示意圖。第7A圖以及第7B圖中所示之金屬層368a與資料線324相連接，使得作為遮光層之金屬層368a與資料線324有相同的電位。由第7B圖可知，當位於圖案化有機材料層364邊緣的液晶分子352b因圖案化有機材料層364地形的影響而在暗態時無法如理想般垂直地排列時，畫素結構300a可藉由金屬層368a(或是第4B圖所示之金屬層368b，或是第4C圖所示之不透光的絕緣層368c、或上述之組合)來遮擋光線，如此來避免產生暗態漏光的現象，並可提升畫素結構的穿透對比。
第8圖依照本發明第二實施例繪示一種畫素結構的上視圖。此畫素結構800是由至少二條共同線822以及至少一條資料線824來定義出一個畫素區域810。畫素區域810中包含有至少二個次畫素區域。以下實施方式是以一個次畫素區域為反射區域812，而另一個次畫素區域為透光區域814作為實施範例來進行說明，但並不限於此。亦可選擇一個畫素區域中之所有次畫素區域皆為透光區域或皆為反射區域的畫素結構來實施本發明。
反射區域812與透光區域814以連接電極851而使其電性相連接。反射區域812中具有薄膜電晶體828、接觸孔882及介層孔884。畫素區域810具有包含一主狹縫858之畫素電極(未標示)。主狹縫858是位於反射區域812以及透光區域814之間。
在第二實施例中，除了在畫素結構800中對應主狹縫858之處設置遮光層，例如金屬層868之外，並可對應此遮光層的位置設置黑色矩陣878，如此來加強減少暗態漏光的效果。黑色矩陣878可選擇性地設置於一對基板之至少一者上，本實施例是以黑色矩陣878設置於非具有薄膜電晶體之基板為實施範例，但不限於此，黑色矩陣878亦可設置於具有薄膜電晶體之基板上。此外，此處的遮光層可為上述位於第一金屬層的不透光金屬層、第二金屬層的不透光金屬層、或是不透光的絕緣層、或上述之組合。也就是說，在本領域中具有通常知識者，當可根據本發明之實施例選擇單獨地或組合地使用上述多種不同遮光層的式樣，
並可選擇地再搭配上黑色矩陣，如此來達成減少畫素結構暗態漏光的要求。
第9圖依照本發明第三實施例繪示一種畫素結構的上視圖。此畫素結構900是由至少二條共同線922以及至少一條資料線924來定義出一個畫素區域910。畫素區域910中包含有至少二個次畫素區域。以下實施方式是以一個次畫素區域為反射區域912，而另一個次畫素區域為透光區域914作為實施範例來進行說明，但並不限於此。亦可選擇一個畫素區域中之所有次畫素區域皆為透光區域或皆為反射區域的畫素結構來實施本發明。
反射區域912與透光區域914以連接電極951而使其電性相連接。畫素區域910中具有包含一主狹縫958之畫素電極(未標示)。主狹縫958是位於反射區域912以及透光區域914之間。第三實施例將遮光層，例如金屬層968a(如第10A圖所示)、金屬層968b(如第10B圖所示)、不透光的絕緣層968c(如第10C圖所示)、或上述之組合，相對應地設置於主狹縫958之處，如此來減少畫素結構900的暗態漏光。以下藉由第10A~10C圖所示之畫素結構900a~900c的剖面圖來說明第9圖所示之畫素結構900的多種變化例。
第10A圖為第9圖中畫素結構900之第一種變化例的剖面圖，其中畫素結構900a是沿著第9圖中AA’線而繪示。畫素結構900a包含一對相對應設置的基板930及940。在此對基板930及940之間設置有液晶層950。基板930及940之其中至少一者之材質包含透明材料(如：玻璃、石英、
或其它材料)、不透明之材料(如：矽片、陶瓷、或其它材料)、可撓性材料(如：聚酯類、聚烯類、聚醯類、聚醇類、聚環烷類、聚芳香族類、或其它材料、或上述之組合)、或上述之組合。第三實施例之基板930及940是以玻璃基板為實施範例。
基板930上設置有彩色濾光層932，以及覆蓋於彩色濾光層932上的平坦化層934。共同電極936形成於平坦化層934上。共同電極936的材質為透明導電材料，如：銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、或其他材料、或上述之組合。在共同電極936上設置有配向元件962及966，且在配向元件962及966的上方對應設置黑色矩陣972及976。
半導體層941、絕緣層942、第一金屬層(M1)943、絕緣層944、第二金屬層(M2)945、保護層946、圖案化有機材料層964以及畫素電極948及949依序形成於基板940之上，並分別被圖案化而構成薄膜電晶體928、儲存電容929、共同線922、掃描線926、接觸孔982及介層孔984。
絕緣層942、絕緣層944、平坦化層934、與保護層946之其中至少一者之材質包含：有機材質(如：光阻、聚丙醯醚(polyarylene ether；PAE)、聚醯類、聚酯類、聚醇類、聚烯類、苯並環丁烯(benzocyclclobutene；BCB)、HSQ(hydrogen silsesquioxane)、MSQ(methyl silesquioxane)、矽氧碳氫化物(SiOC-H)、或其它材質、或上述之組合)、無機材質(如：矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物、碳化矽、氧
化鉿、或其它材料、或上述之組合)、或上述之組合。在透光區域914之畫素電極948的材質為透明導電材料，如：銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、或其他材料、或上述之組合。
半導體層941例如為含矽之多晶材質、含矽之微晶材質、含矽之單晶材質、含矽之非晶材質、或上述之組合。反射區域912中之圖案化有機材料層964是設置於絕緣層946上，使得反射區域912中的反射光程差與穿透光程差近似相同，以致於穿透與反射的光學表現為最佳。在圖案化有機材料層964上則設置畫素電極949，其為反射材質，亦稱為反射層，以供反射反射區域912中的光線。此畫素電極949是利用圖案化有機材料層964製作出具有凹凸之表面，再鍍上一層高反射率的反射金屬層(如：鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈮(Nb)、鈦、鉭、鎢、釹、或上述之合金、或其它材料、或上述之組合)、或使用反射金屬層形成具有凹凸之表面、或上述之組合。
遮光層可選擇為不透光的金屬層、不透光的絕緣層、或上述之組合。第10A圖之第一種變化例是選擇位於第二金屬層945的不透光之金屬層968a來作為畫素結構900a的遮光層。而且，此金屬層968a可選擇性地與或不與同樣位於第二金屬層945的資料線924相連接。也就是說，此作為遮光層之用的金屬層968a可連接至一特定電位，或不連接至任何電位而成為浮接(floating)的狀態。
第10B圖為第9圖中畫素結構900之第二種變化例的
剖面圖，其中畫素結構900b是沿著第9圖中AA’線而繪示。第10B圖之第二種變化例是選擇位於第一金屬層943的不透光之金屬層968b來作為畫素結構900b的遮光層。而且，此金屬層968b，較佳地，可不連接至任何電位而為浮接的狀態，亦可連接同樣位於第一金屬層943的掃描線926相連接並具有一特定電位。
第10C圖為第9圖中畫素結構900之第三種變化例的剖面圖，其中畫素結構900c是沿著第9圖中AA’線而繪示。第10C圖之第三種變化例是使用不透光的絕緣層968c來作為畫素結構900c的遮光層。此不透光的絕緣層968c之材質，較佳地，例如為光阻材料或其他有機材料(如：黑色、淡色、多色堆疊、或其它色彩)，、或無機材料、或上述之組合，且可選擇地形成於基板940、絕緣層942、絕緣層944、及保護層946之其中至少一者上，例如設置於上述圖式(第10A~10C圖)所述之實施位置上、或其它位置上。當然，第三實施例中之遮光層的設置，可選擇性使用上述圖式(第10A~10C圖)之至少二種來組合實施。
以上第4A-4C圖及第10A-10C圖之第一及第三實施例的變化例描述了畫素結構之彩色濾光層與薄膜電晶體分別位於不同基板上時的實施方式。以下將以第四及第五實施例來說明畫素結構之彩色濾光層與薄膜電晶體位於同一基板上時的實施方式。
第11圖依照本發明第四實施例繪示一種畫素結構的剖面圖。以下實施方式是以一個次畫素區域為反射區域
1112，而另一個次畫素區域為透光區域1114作為實施範例來進行說明，但並不限於此。亦可選擇一個畫素區域中之所有次畫素區域皆為透光區域或皆為反射區域的畫素結構來實施本發明。
畫素結構1100包含一對相對應設置的基板1130及1140。在此對基板1130及1140之間設置有液晶層1150。基板1130及1140之其中至少一者之材質包含透明材料(如：玻璃、石英、或其它材料)、不透明之材料(如：矽片、陶瓷、或其它材料)、可撓性材料(如：聚酯類、聚烯類、聚醯類、聚醇類、聚環烷類、聚芳香族類、或其它材料、或上述之組合)、或上述之組合。第四實施例之基板1130及1140是以玻璃基板為實施範例。
基板1130上設置有平坦化層1134。反射區域1112中具有一圖案化有機材料層1164，設置於平坦化層1134上。圖案化有機材料層1164可使反射區域1112中的反射光程差與穿透光程差近似相同，以致於穿透與反射的光學表現為最佳。共同電極1136覆蓋於透光區域1114之平坦化層1134以及反射區域1112之圖案化有機材料層1164之上。共同電極1136的材質為透明導電材料，如：銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、或其他材料、或上述之組合。在共同電極1136上設置有配向元件1162及1166，且在配向元件1162及1166的上方對應設置黑色矩陣1172及1176。
半導體層1141、絕緣層1142、第一金屬層(M1)1143、
絕緣層1144、第二金屬層(M2)1145、保護層1146、反射層1149、彩色濾光層1132以及畫素電極1148依序形成於基板1140之上，並分別被圖案化而構成薄膜電晶體1128、儲存電容1129、共同線1122、掃描線1126、接觸孔1182及介層孔1184。
絕緣層1142、絕緣層1144、保護層1146及平坦化層1134之其中至少一者之材質包含：有機材質(如：光阻、聚丙醯醚(polyarylene ether；PAE)、聚醯類、聚酯類、聚醇類、聚烯類、苯並環丁烯(benzocyclclobutene；BCB)、HSQ(hydrogen silsesquioxane)、MSQ(methyl silesquioxane)、矽氧碳氫化物(SiOC-H)、或其它材質、或上述之組合)、無機材質(如：矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物、碳化矽、氧化鉿、或其它材料、或上述之組合)、或上述之組合。畫素電極1148的材質為透明導電材料，如：銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、或其他材料、或上述之組合。
半導體層1141例如為含矽之多晶材質、含矽之微晶材質、含矽之單晶材質、含矽之非晶材質、或上述之組合。反射層1149為反射材質，是相對於圖案化有機材料層1164而設置在保護層1146上，以供反射反射區域1112中的光線。此反射層1149是利用保護層1146製作出具有凹凸之表面，再鍍上一層高反射率的反射金屬層(如：鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鈮(Nb)、鈦、鉭、鎢、釹、或上述之合金、或其它材料、或上述之組合)、或於反射金
屬層上形成具有凹凸之表面、或上述之組合。
第11圖所示之第四實施例選擇位於第二金屬層1145的不透光之金屬層1168來作為畫素結構1100的遮光層。作為遮光層之用的金屬層1168是相對於畫素電極1148之主狹縫1158處而設置，且可連接至一特定電位，或不連接至任何電位而成為浮接(floating)的狀態。根據第四實施例之其他變化例，亦可選擇位於第一金屬層1143的不透光之金屬層，或使用不透光的絕緣層(較佳地，例如為光阻材料或其他有機材料(如：黑色、淡色、多色堆疊、或其它色彩)、或無機材料、或上述之組合)、或上述之組合來作為遮光層，並可選擇地再搭配上黑色矩陣，以減少畫素結構1100的暗態漏光。當然，此遮光層及黑色矩陣之設置，可選擇性依上述變化例來組合實施。
第12圖依照本發明第五實施例繪示一種畫素結構的剖面圖。以下實施方式是以一個次畫素區域為反射區域1212，而另一個次畫素區域為透光區域1214作為實施範例來進行說明，但並不限於此。亦可選擇一個畫素區域中之所有次畫素區域皆為透光區域或皆為反射區域的畫素結構來實施本發明。
畫素結構1200包含一對相對應設置的基板1230及1240。在此對基板1230及1240之間設置有液晶層1250。基板1230及1240之其中至少一者之材質包含透明材料(如：玻璃、石英、或其它材料)、不透明之材料(如：矽片、陶瓷、或其它材料)、可撓性材料(如：聚酯類、聚烯類、聚
醯類、聚醇類、聚環烷類、聚芳香族類、或其它材料、或上述之組合)、或上述之組合。第五實施例之基板1230及1240是以玻璃基板為實施範例。
基板1230上設置有平坦化層1234。共同電極1236形成於平坦化層1234上。共同電極1236的材質為透明導電材料，如：銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、或其他材料、或上述之組合。在共同電極1236上設置有配向元件1262及1266，且在配向元件1262及1266的上方對應設置黑色矩陣1272及1276。
半導體層1241、絕緣層1242、第一金屬層(M1)1243、絕緣層1244、第二金屬層(M2)1245、絕緣層1246、圖案化有機材料層1264、反射層1249、彩色濾光層1232以及畫素電極1248形成於基板1240之上，並分別被圖案化而構成薄膜電晶體1228、儲存電容1229、共同線1222、掃描線1226、接觸孔1282及介層孔1284。
絕緣層1242、絕緣層1244、絕緣層1246及平坦化層1234之其中至少一者之材質包含：有機材質(如：光阻、聚丙醯醚(polyarylene ether；PAE)、聚醯類、聚酯類、聚醇類、聚烯類、苯並環丁烯(benzocyclclobutene；BCB)、HSQ(hydrogen silsesquioxane)、MSQ(methyl silesquioxane)、矽氧碳氫化物(SiOC-H)、或其它材質、或上述之組合)、無機材質(如：矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物、碳化矽、氧化鉿、或其它材料、或上述之組合)、或上述之組合。畫素電極1248的材質為透明導電材料，如：
銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、鎘錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、或其他材料、或上述之組合。
半導體層1241例如為含矽之多晶材質、含矽之微晶材質、含矽之單晶材質、含矽之非晶材質、或上述之組合。反射區域1212中之圖案化有機材料層1264是設置於絕緣層1246上，使得反射區域1212中的反射光程差與穿透光程差近似相同，以致於穿透與反射的光學表現為最佳。在圖案化有機材料層1264上則設置反射層1249，其為反射材質，以供反射反射區域1212中的光線。此反射層1249是利用圖案化有機材料層1264製作出具有凹凸之表面，再鍍上一層高反射率的反射金屬層(如：銀、鋁、錫、鎢、或其它材料、或上述之組合)、或使用反射金屬層形成具有凹凸之表面、或上述之組合。
第12圖所示之第五實施例選擇位於第二金屬層1245的不透光之金屬層1268來作為畫素結構1200的遮光層。作為遮光層之用的金屬層1268是相對於畫素電極1248之主狹縫1258處而設置，可連接至一特定電位，或不連接至任何電位而成為浮接(floating)的狀態。根據第五實施例之其他變化例，亦可選擇位於第一金屬層1243的不透光之金屬層、或使用不透光的絕緣層(較佳地，例如為光阻材料或其他有機材料(如：黑色、淡色、多色堆疊、或其它色彩)、或無機材料、或上述之組合)、或上述之組合來作為遮光層，並可選擇地再搭配上黑色矩陣，以減少畫素結構1200的暗態漏光。當然，此遮光層之設置，可選擇性依上述變
化例來組合實施。
第11圖及第12圖的實施例說明了彩色濾光層位於薄膜電晶體之上(color filter on array；COA)的畫素結構。在此領域技術中具有通常知識者應可理解本發明亦可應用於薄膜電晶體位於彩色濾光層之上(array on color filter；AOC)的畫素結構中，且可選擇地將其圖案化有機材料層設置於兩個基板其中之一者上。
再者，本發明並不限制畫素結構之配向元件以及薄膜電晶體的形式。配向元件可為圓形凸起物、錐形凸起物、配向溝槽、配向狹縫、或是其他形式的配向元件、或其組合。而且，配向元件在單一個次畫素區域中的數目可為一個或數個，並可選擇地設置於兩個基板其中之一者上，或是同時位於兩個基板上。另外，上述實施例中所舉例的薄膜電晶體均為頂閘極(top-gate)的形式，然而本發明畫素結構中的薄膜電晶體亦可採用底閘極(bottom-gate)或是其他的形式來製作。
另一方面，本發明之第六實施例更提供一種顯示面板及其製造方法，此顯示面板包含了上述畫素結構以及其製造方法。
此外，本發明之第七實施例更提供一種光電裝置及其製造方法，此光電裝置包含了上述顯示面板以及其製造方法。
第13圖是根據本發明第七實施例繪示一種光電裝置的示意圖。光電裝置1300包含運用第一至第五實施例所述之
畫素結構(如300、800、900、1100或1200)的顯示面板1310。光電裝置1300更具有一與顯示面板1310連接之電子元件1320，如：控制元件、操作元件、處理元件、輸入元件、記憶元件、驅動元件、發光元件、保護元件、感測元件、偵測元件、或其它功能元件、或上述之組合。而光電裝置1300之類型包括可攜式產品(如手機、攝影機、照相機、筆記型電腦、遊戲機、手錶、音樂播放器、電子相片、電子信件收發器、地圖導航器或類似之產品)、影音產品(如影音放映器或類似之產品)、螢幕、電視、戶內或戶外看板、投影機內之面板等。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧畫素結構
110‧‧‧畫素區域
112‧‧‧反射區域
114‧‧‧透光區域
122‧‧‧共同線
124‧‧‧資料線
126‧‧‧掃描線
128‧‧‧薄膜電晶體
129‧‧‧儲存電容
130‧‧‧玻璃基板
132‧‧‧彩色濾光層
134‧‧‧平坦化層
136‧‧‧共同電極
140‧‧‧玻璃基板
141‧‧‧多晶矽層
142、144、‧‧‧絕緣層
143‧‧‧第一金屬層
145‧‧‧第二金屬層
146‧‧‧保護層
148‧‧‧畫素電極
149‧‧‧反射層
150‧‧‧液晶層
151‧‧‧連接電極
152‧‧‧液晶分子
162、166‧‧‧凸起物
164‧‧‧圖案化有機材料層
172、176‧‧‧黑色矩陣
182‧‧‧接觸孔
184‧‧‧介層孔
300、300a、300b、300c、300d、800、900、900a、900b、900c、1100、1200‧‧‧畫素結構
310、810、910‧‧‧畫素區域
312、812、912、1112、1212‧‧‧反射區域
314、814、914、1114、1214‧‧‧透光區域
322、822、922、1122、1222‧‧‧共同線
324、824、924‧‧‧資料線
326、826、926、1126、1226‧‧‧掃描線
328、928、1128、1228‧‧‧薄膜電晶體
329、929、1129、1229‧‧‧儲存電容
330、930、1130、1230‧‧‧基板
332、932、1132、1232‧‧‧彩色濾光層
334、934、1134、1234‧‧‧平坦化層
336、936、1136、1236‧‧‧共同電極
340、940、1140、1240‧‧‧基板
341、941、1141、1241‧‧‧半導體層
342、344、942、944、946、1142、1144、1242、1244、
1246‧‧‧絕緣層
343、943、1143、1243‧‧‧第一金屬層
345、945、1145、1245‧‧‧第二金屬層
346、1146‧‧‧保護層
348、349、948、949、1148、1248‧‧‧畫素電極
849、1149、1249‧‧‧反射層
350、950、1150、1250‧‧‧液晶層
351、951、1151、1251‧‧‧連接電極
352a、352b‧‧‧液晶分子
362、366、862、866、962、966、1162、1166、1262、1266‧‧‧配向元件
364、964、1164、1264‧‧‧圖案化有機材料層
372、376、872、876、878、972、976、1172、1176、1272、1276‧‧‧黑色矩陣
358、858、958、1158、1258‧‧‧主狹縫
368a、368b、968a、968b、1168、1268‧‧‧金屬層
368c、968c‧‧‧絕緣層
382、882、982、1182、1282‧‧‧接觸孔
384、884、984、1184、1284‧‧‧介層孔
502、504、506、508、510‧‧‧步驟
868‧‧‧遮光層
1300‧‧‧光電裝置
1310‧‧‧顯示面板
1320‧‧‧電子元件
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之詳細說明如下：第1A圖繪示一種傳統半穿透半反射多區域垂直排列畫素結構的上視圖；第1B圖為第1A圖沿AA’線的剖面圖；第2圖繪示第1A圖之畫素結構在畫素電極與共同電極間之電位差接近於零時(即暗態時)，其液晶分子排列的剖面
示意圖；第3圖依照本發明第一實施例繪示一種畫素結構的上視圖；第4A圖為第3圖中畫素結構之第一種變化例的剖面圖，其沿著第3圖中AA’線而繪示；第4B圖為第3圖中畫素結構之第二種變化例的剖面圖，其沿著第3圖中AA’線而繪示；第4C圖為第3圖中畫素結構之第三種變化例的剖面圖，其沿著第3圖中AA’線而繪示；第4D圖繪示第3圖中畫素結構之另一種變化例的剖面圖，其沿著第3圖中AA’線而繪示；第5圖依照本發明第一實施例繪示一種製造方法的流程圖；第6圖繪示當第3圖之畫素結構在畫素電極與共同電極間具有電位差時，其液晶層中液晶分子排列的上視示意圖；第7A圖繪示第4A圖之畫素結構在畫素電極與共同電極間具有電位差時(即亮態時)，其液晶分子排列的剖面示意圖；第7B圖繪示第4A圖之畫素結構在畫素電極與共同電極間之電位差接近於零時(即暗態時)，其液晶分子排列的剖面示意圖；第8圖依照本發明第二實施例繪示一種畫素結構的上視圖；
第9圖依照本發明第三實施例繪示一種畫素結構的上視圖；第10A圖為第9圖中畫素結構之第一種變化例的剖面圖，其沿著第9圖中AA’線而繪示；第10B圖為第9圖中畫素結構之第二種變化例的剖面圖，其沿著第9圖中AA’線而繪示；第10C圖為第9圖中畫素結構之第三種變化例的剖面圖，其沿著第9圖中AA’線而繪示；第11圖依照本發明第四實施例繪示一種畫素結構的剖面圖；第12圖依照本發明第五實施例繪示一種畫素結構的剖面圖；以及第13圖是根據本發明第七實施例繪示一種光電裝置的示意圖。
300a‧‧‧畫素結構
310‧‧‧畫素區域
312‧‧‧反射區域
314‧‧‧透光區域
322‧‧‧共同線
324‧‧‧資料線
326‧‧‧掃描線
328‧‧‧薄膜電晶體
329‧‧‧儲存電容
330‧‧‧基板
332‧‧‧彩色濾光層
334‧‧‧平坦化層
336‧‧‧共同電極
340‧‧‧基板
341‧‧‧半導體層
342、344‧‧‧絕緣層
351‧‧‧連接電極
343‧‧‧第一金屬層
345‧‧‧第二金屬層
346‧‧‧保護層
348‧‧‧畫素電極
349‧‧‧畫素電極
350‧‧‧液晶層
362、366‧‧‧配向元件
364‧‧‧圖案化有機材料層
372、376‧‧‧黑色矩陣
358‧‧‧主狹縫
368a‧‧‧金屬層
382‧‧‧接觸孔
384‧‧‧介層孔
Claims (17)
- 一種畫素結構，包含：一對相對應設置的基板；一液晶層，設置於該對基板之間；複數個畫素區域，提供於該對基板上，各該畫素區域是由至少二條共同線及至少一條資料線所定義，且其具有至少二個次畫素區域，其中各該畫素區域具有一包含至少一主狹縫之畫素電極，且該主狹縫鄰近於該等次畫素區域之交界處；一圖案化有機材料層，設置於該對基板之其中一者上，且相對應於該些次畫素區域之其中一者；以及複數個遮光層，該些遮光層皆設置於該主狹縫之處且皆在該對基板中同一側基板上，該等遮光層其中一遮光層與另一遮光層的設置位置位於一第一金屬層、一第二金屬層與一保護層上其中至少兩者，該些遮光層包含一不透光之金屬層、不透光之絕緣層、或上述之組合。
- 如請求項1所述之畫素結構，其中該些次畫素區域包含反射區域、透光區域、及上述之組合。
- 如請求項1所述之畫素結構，其中該些遮光層包含不透光之金屬層，且該不透光之金屬層與該資料線連接。
- 如請求項1所述之畫素結構，其中該些遮光層包含 不透光之金屬層，且該不透光之金屬層不與該資料線連接。
- 如請求項1所述之畫素結構，更包含至少一掃描線及一薄膜電晶體，設置於該圖案化有機材料層所對應之該次畫素區域之下。
- 如請求項1所述之畫素結構，更包含一彩色濾光層，設置於該對基板之其中一者。
- 如請求項1所述之畫素結構，更包含一配向元件，設置於該些次畫素區域中。
- 一種顯示面板，包含如請求項1所述之畫素結構。
- 一種光電裝置，包含：一電子元件；以及如請求項8所述之一種顯示面板，其與該電子元件連接。
- 一種畫素結構的製造方法，包含：提供一對相對應設置的基板；在該對基板上形成複數個畫素區域，各該畫素區域是由至少二條共同線及至少一條資料線所定義，且其具有至少二個次畫素區域； 在各該畫素區域中形成一包含至少一主狹縫之畫素電極，其中該主狹縫鄰近於該兩個次畫素區域之交界處；在該對基板之其中一者上設置一圖案化有機材料層，且該圖案化有機材料層是相對應於該些次畫素區域之其中一者；以及形成複數個遮光層於該主狹縫之處且皆在該對基板中同一側基板上，該等遮光層其中一遮光層與另一遮光層的設置位置位於一第一金屬層、一第二金屬層與一保護層上其中至少兩者，該些遮光層包含一不透光之金屬層、不透光之絕緣層、或上述之組合。
- 如請求項10所述之畫素結構的製造方法，其中該些次畫素區域包含反射區域、透光區域、及上述之組合。
- 如請求項10所述之畫素結構的製造方法，其中該些遮光層包含不透光之金屬層，且該不透光之金屬層與該資料線連接。
- 如請求項10所述之畫素結構的製造方法，其中該些遮光層包含不透光之金屬層，且該不透光之金屬層不與該資料線連接。
- 如請求項10所述之畫素結構的製造方法，更包含：在該對基板之其中一者上設置一彩色濾光片。
- 如請求項10所述之畫素結構的製造方法，更包含：在該圖案化有機材料層所對應之該次畫素區域之下形成至少一掃描線及一薄膜電晶體。
- 如請求項10所述之畫素結構的製造方法，更包含設置一配向元件，於該些次畫素區域中。
- 一種顯示面板之製造方法，包含如請求項10所述之畫素結構的製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW096110594A TWI395030B (zh) | 2007-03-27 | 2007-03-27 | 畫素結構與包含此畫素結構之顯示面板及光電裝置以及其製造方法 |
| US11/865,994 US20080239227A1 (en) | 2007-03-27 | 2007-10-02 | Pixel Structure, Display Panel, Electro-Optical Device, and Method for Manufacturing the Same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW096110594A TWI395030B (zh) | 2007-03-27 | 2007-03-27 | 畫素結構與包含此畫素結構之顯示面板及光電裝置以及其製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200839395A TW200839395A (en) | 2008-10-01 |
| TWI395030B true TWI395030B (zh) | 2013-05-01 |
Family
ID=39793681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW096110594A TWI395030B (zh) | 2007-03-27 | 2007-03-27 | 畫素結構與包含此畫素結構之顯示面板及光電裝置以及其製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080239227A1 (zh) |
| TW (1) | TWI395030B (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090050835A (ko) * | 2007-11-16 | 2009-05-20 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| KR20090126767A (ko) * | 2008-06-05 | 2009-12-09 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| TWI374325B (en) * | 2008-08-19 | 2012-10-11 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display panel and pixel structure thereof |
| TWI373680B (en) * | 2008-10-06 | 2012-10-01 | Au Optronics Corp | Fabricating method of pixel structure |
| TWI470307B (zh) * | 2010-04-08 | 2015-01-21 | Au Optronics Corp | 顯示面板 |
| CN104733456B (zh) * | 2015-03-23 | 2018-04-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| JP7331614B2 (ja) * | 2019-10-16 | 2023-08-23 | 凸版印刷株式会社 | 液晶表示装置 |
| CN114299894B (zh) * | 2022-01-26 | 2022-10-11 | 惠科股份有限公司 | 阵列基板及液晶显示面板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW426810B (en) * | 1996-05-15 | 2001-03-21 | Nippon Electric Co | Liquid crystal display apparatus having high wide visual angle and high contrast |
| US6583836B2 (en) * | 1999-12-28 | 2003-06-24 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Multi-domain liquid crystal display device having a dielectric structure controlling alignment of the liquid crystal molecules |
| CN1924682A (zh) * | 2006-09-25 | 2007-03-07 | 友达光电股份有限公司 | 半穿反、穿透式及反射式液晶显示面板 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW418340B (en) * | 1997-10-06 | 2001-01-11 | Nippon Electric Co Corp | Liquid crystal display device, its manufacturing method and its driving procedure |
| US6335776B1 (en) * | 1998-05-30 | 2002-01-01 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Multi-domain liquid crystal display device having an auxiliary electrode formed on the same layer as the pixel electrode |
| KR100357216B1 (ko) * | 1999-03-09 | 2002-10-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
| TWI290252B (en) * | 2000-02-25 | 2007-11-21 | Sharp Kk | Liquid crystal display device |
| KR100820647B1 (ko) * | 2001-10-29 | 2008-04-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반투과 액정 표시 장치용 어레이기판 및 이의 제조방법 |
| JP3675420B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2005-07-27 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置及び電子機器 |
| JP4110885B2 (ja) * | 2002-08-27 | 2008-07-02 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| US20040239846A1 (en) * | 2003-05-29 | 2004-12-02 | Chi-Jain Wen | Transflective liquid crystal display |
| TWI283326B (en) * | 2003-07-25 | 2007-07-01 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Pixel structure of transflective liquid crystal display device |
-
2007
- 2007-03-27 TW TW096110594A patent/TWI395030B/zh active
- 2007-10-02 US US11/865,994 patent/US20080239227A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW426810B (en) * | 1996-05-15 | 2001-03-21 | Nippon Electric Co | Liquid crystal display apparatus having high wide visual angle and high contrast |
| US6583836B2 (en) * | 1999-12-28 | 2003-06-24 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Multi-domain liquid crystal display device having a dielectric structure controlling alignment of the liquid crystal molecules |
| CN1924682A (zh) * | 2006-09-25 | 2007-03-07 | 友达光电股份有限公司 | 半穿反、穿透式及反射式液晶显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20080239227A1 (en) | 2008-10-02 |
| TW200839395A (en) | 2008-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI395030B (zh) | 畫素結構與包含此畫素結構之顯示面板及光電裝置以及其製造方法 | |
| WO2017031908A1 (zh) | 阵列基板及其制作方法和显示装置 | |
| TWI459076B (zh) | 顯示裝置 | |
| WO2020228058A1 (zh) | Tft阵列基板及显示面板 | |
| US20110220923A1 (en) | Conductor Structure, Pixel Structure, and Methods of Forming the Same | |
| CN101409263B (zh) | 像素结构、显示面板以及光电装置的制造方法 | |
| TWI386741B (zh) | 影像顯示系統及其製造方法 | |
| TWI680603B (zh) | 畫素陣列基板 | |
| JP2003167270A (ja) | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 | |
| US8094268B2 (en) | Liquid crystal display substrate, liquid crystal display device and manufacturing method of the liquid crystal display substrate | |
| CN101236335B (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| KR20130013534A (ko) | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 | |
| US9921445B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| CN1310074C (zh) | 液晶显示器 | |
| JP2008020772A (ja) | 液晶表示パネル | |
| JP4271000B2 (ja) | 異なるセルギャップを有する、半透過型液晶ディスプレイ装置 | |
| JP2008076702A (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| JP4363473B2 (ja) | 半透過型液晶表示パネル及び電子機器 | |
| US20040141127A1 (en) | Liquid crystal display | |
| KR20200055775A (ko) | Tft 기판의 제조 방법 및 그 구조 | |
| US10747080B2 (en) | Active device array substrate and display device using same | |
| TWI333112B (en) | Liquid crystal driving electrode and liquid crystal display using the same | |
| TWI695528B (zh) | 半導體裝置 | |
| US7889301B2 (en) | Array substrate adopted for liquid crystal display device comprising insulating layer having free ends in specific profile | |
| JP2008116528A (ja) | 液晶表示パネル |