TWI674662B - 陣列基板的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種陣列基板的製造方法包括以下步驟。形成多條掃描線於基底上，基底具有畫素區以及扇出區。形成多條資料線。形成多個電晶體，多個電晶體各自與對應的掃描線以及對應的資料線電性連接。形成多個共同電極。形成多個畫素電極，多個畫素電極各自與對應的電晶體電性連接。依序形成多條第一扇出線、多條第二扇出線以及多條第三扇出線於扇出區內。多條第三扇出線包括透明導電層以及輔助導電層。輔助導電層位於透明導電層上且與透明導電層接觸。第三扇出線與多個共同電極是藉由相同的光罩形成。

Description

陣列基板的製造方法
本發明是有關於一種陣列基板的製造方法，特別是關於一種顯示面板之陣列基板的製造方法。
近年來，顯示面板的設計朝向減少陣列基板的週邊區面積發展，故週邊區中的部分扇出線必須改為由不同導電層彼此堆疊的形式，以適應週邊區的縮減。然而，形成更多的導電層須增加使用的光罩數，而導致製造成本的增加。
本發明之至少一實施例提供一種陣列基板的製造方法，其使用的光罩數減少，因此可降低製造陣列基板的成本。
本發明之至少一實施例的陣列基板的製造方法包括以下步驟。形成多條掃描線於基底上，基底具有畫素區以及扇出區。形成多條資料線。形成多個電晶體，多個電晶體各自與對應的掃描線以及對應的資料線電性連接。形成多個共同電極。形成多個畫素電極，多個畫素電極各自與對應的電晶體電性連接。依序形成多條第一扇出線、多條第二扇出線以及多條第三扇出線於扇出區內。多條第三扇出線包括透明導電層以及輔助導電層。輔助導電層位於透明導電層上且與透明導電層接觸。第三扇出線與多個共同電極是藉由相同的光罩形成。
本發明之至少一實施例的陣列基板的製造方法包括以下步驟。形成第一金屬層於基底上，基底包括畫素區及扇出區，且第一金屬層包括多個閘極與多條掃描線位於畫素區以及多條第一扇出線位於扇出區。形成閘極絕緣層於第一金屬層上。形成第二金屬層於閘極絕緣層上，第二金屬層包括多個源極、多個汲極與多條資料線位於畫素區以及多條第二扇出線位於扇出區。形成第一絕緣層於第二金屬層上。藉由光罩形成第一導電層以及第三金屬層於第一絕緣層上，第一導電層包括多個透明導電層位於扇出區以及多個共同電極位於畫素區，第三金屬層包括多個輔助導電層位於扇出區，且多個輔助導電層分別位於多個透明導電層上以構成多條第三扇出線於扇出區。
基於上述，本發明之至少一實施例的陣列基板的製造方法藉由使用同一光罩於扇出區中形成第一導電層以及第三金屬層，因此可減少光罩的使用，藉此可降低製造陣列基板的成本。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
以下將參照本實施例之圖式以更全面地闡述本發明。然而，本發明亦可以各種不同的形式體現，而不應限於本文中所述之實施例。圖式中的層與區域的厚度會為了清楚起見而放大。相同或相似之參考號碼表示相同或相似之元件，以下段落將不再一一贅述。另外，實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本發明。
圖1A至圖1O為本發明一實施例之陣列基板的製造方法的剖面示意圖，圖2A、圖3A至圖4A為本發明一實施例之陣列基板的製造方法的畫素區之上視示意圖，圖2B、圖3B至圖4B為本發明一實施例之陣列基板的製造方法的扇出區之上視示意圖。圖5為本發明一實施例之陣列基板之上視示意圖。圖1A為圖2A中剖線A-A’及圖2B中剖線B-B’之剖面示意圖，圖1D為圖3A中剖線A-A’及圖3B中剖線B-B’之剖面示意圖，圖1L為圖4A中剖線A-A’及圖4B中剖線B-B’之剖面示意圖，圖1O為圖5中剖線A-A’及剖線B-B’之剖面示意圖。圖6A為圖5中剖線C-C’之剖面示意圖，圖6B為圖5中剖線D-D’之剖面示意圖，圖6C為圖5中剖線E-E’之剖面示意圖。
請同時參照圖1A、圖2A以及圖2B，形成第一金屬層110於基底100上。基底100可為可撓性基板，例如聚合物基板或塑膠基板，但本發明並不限於此。在其他實施方式中，基底100也可以是剛性基板，例如玻璃基板、石英基板或矽基板。基底100具有畫素區100a以及位於畫素區100a外的扇出區100b。在一些實施例中，基底100可選擇性地包括矩形畫素區100a以及連接於畫素區100a下方的頸狀扇出區100b。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，基底100的外型可依實際需求做不同設計。
第一金屬層110的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法後再進行微影蝕刻製程而形成。舉例來說，可先利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法於基底100上全面性地形成第一金屬材料層（未繪示）。接著，於第一金屬材料層上形成光阻材料層（未繪示）。請參考圖1A，利用光罩300對光阻材料層（未繪示）進行微影製程，以形成圖案化光阻層（未繪示）。之後，以圖案化光阻層為罩幕，對第一金屬材料層進行蝕刻製程，以形成第一金屬層110。在本實施方式中，第一金屬層110係利用光罩300以第一道微影蝕刻製程形成。
第一金屬層110可包括多條掃描線SL、多個閘極G、多條第一扇出線F1、多個第一接墊P1、多個第二接墊P2以及多個第三接墊P3，為方便說明，在此僅顯示兩條掃描線SL、兩個第一接墊P1、兩個第二接墊P2以及兩個第三接墊P3，但本發明不以此為限。在本實施例中，可同時形成多條掃描線SL、多個閘極G、多條第一扇出線F1、多個第一接墊P1、多個第二接墊P2以及多個第三接墊P3。多條掃描線SL以及多個閘極G位於畫素區100a，多條第一扇出線F1、第一接墊P1、多個第二接墊P2以及多個第三接墊P3位於扇出區100b。各個閘極G與對應的掃描線SL電性連接。各個第一接墊P與對應的第一扇出線F1連接，而多個第二接墊P2以及多個第三接墊P3則會分別與後續形成的扇出線電性連接。各個第一扇出線F1具有第一延伸部F11沿延伸方向L11延伸，延伸方向L11例如不平行於各掃描線SL的延伸方向。
接下來，請參考圖1B，形成閘極絕緣層120於第一金屬層110上。閘極絕緣層120可覆蓋掃描線SL、閘極G、第一扇出線F1、第一接墊P1、第二接墊P2以及第三接墊P3。閘極絕緣層120的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法而形成。在本實施例中，閘極絕緣層120的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本發明不以此為限。閘極絕緣層120可為單層結構，但本發明並不限於此。在其他實施例中，閘極絕緣層120也可為多層結構。
請繼續參照圖1C，在形成閘極絕緣層120後，形成多個半導體層SE於閘極絕緣層120上。多個半導體層SE的形成方法例如是利用微影蝕刻製程而形成。舉例來說，可先利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法於閘極絕緣層120上全面性地形成半導體材料層（未繪示）。接著，於半導體材料層上形成光阻材料層（未繪示）。利用光罩310對光阻材料層（未繪示）進行微影製程，以形成圖案化光阻層（未繪示）。之後，以圖案化光阻層為罩幕，對半導體材料層進行蝕刻製程，以形成多個半導體層SE。在本實施方式中，多個半導體層SE係利用光罩310以第二道微影蝕刻製程形成。
在本實施例中，多個半導體層SE的材料可為非晶矽，但本發明不以此為限。多個半導體層SE的材料亦可為多晶矽、微晶矽、單晶矽、奈米晶矽或其它具有不同晶格排列之半導體材料或金屬氧化物半導體材料。多個半導體層SE例如與多個閘極G相對應地設置。
請同時參照圖1D、圖3A以及圖3B，形成第二金屬層130於閘極絕緣層120上。第二金屬層130的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法後再進行微影蝕刻製程而形成。舉例來說，可先利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法於基底100上全面性地形成第二金屬材料層（未繪示）以覆蓋閘極絕緣層120以及半導體層SE。接著，於第二金屬材料層上形成光阻材料層（未繪示）。利用光罩320對光阻材料層（未繪示）進行微影製程，以形成圖案化光阻層（未繪示）。之後，以圖案化光阻層為罩幕，對第二金屬材料層進行蝕刻製程，以形成第二金屬層130。在本實施方式中，第二金屬層130可利用光罩320以第三道微影蝕刻製程而形成。
第二金屬層130包括多條資料線DL、多條觸控訊號線TP、多個源極S、多個汲極D以及多條第二扇出線F2。換句話說，可同時形成多條資料線DL、多條觸控訊號線TP、多個源極S、多個汲極D以及多條第二扇出線F2。多條資料線DL、多條觸控訊號線TP、多個源極S以及多個汲極D位於畫素區100a，且多條第二扇出線F2位於扇出區100b。在本實施例中，閘極G、半導體層SE、源極S以及汲極D可構成主動元件T。在本實施例中，主動元件T為所屬領域中具有通常知識者所周知的任一種底部閘極型薄膜電晶體。然而，本實施例雖然是以底部閘極型薄膜電晶體為例，但本發明不限於此。在其他實施例中，主動元件T也可以是頂部閘極型薄膜電晶體或是其它合適類型的薄膜電晶體。源極S與對應的資料線SL電性連接。部分資料線DL分別與對應的第二扇出線F2連接，觸控訊號線TP與對應的第一扇出線F1電性連接。各個第二扇出線F2具有第二延伸部F21沿延伸方向L21延伸，延伸方向L21例如不平行於各掃描線SL以及各資料線DL的延伸方向。在本實施例中，第二延伸部F21完全重疊於第一延伸部F11上，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第二延伸部F21可僅部分重疊於第一延伸部F11上。
請參照圖1E，形成第一絕緣層140於第二金屬層130上。第一絕緣層140可覆蓋第二金屬層130。第一絕緣層140的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法而形成。在本實施例中，第一絕緣層140的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本發明不以此為限。第一絕緣層140可為單層結構，但本發明並不限於此。在其他實施例中，第一絕緣層140也可為多層結構。
請參照圖1F，依序形成第一導電材料層150a、第三金屬材料層160a以及光阻材料層200a於第一絕緣層140上。此外，可選擇性地形成平坦層PL於第一導電材料層150a以及第一絕緣層140之間，換句話說，第一導電材料層150a以及第一絕緣層140之間可不具有平坦層PL。平坦層PL的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法形成。在本實施例中，平坦層PL的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本發明不以此為限。平坦層PL可為單層結構，但本發明並不限於此。在其他實施例中，平坦層PL也可為多層結構。第一導電材料層150a的形成方法例如是利用濺鍍法而形成，但本發明不以此為限。第一導電材料層150a的材料可為金屬氧化物導電材料（例如：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物）、其它合適的透明導電材料、或者是上述至少二者之堆疊層。在本實施例中，第一導電材料層150a舉例係為透明導電材料層。第三金屬材料層160a的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法形成，但本發明不以此為限。在本實施例中，第三金屬材料層160a舉例係為輔助導電材料層。在本實施例中，光阻材料層200a為正型光阻，但本發明不以此為限。在其他實施例中，光阻材料層200a可為負型光阻。
請同時參照圖1F及圖1G，使用光罩330圖案化光阻材料層200a，以形成光阻層200。在本實施例中，光罩330為半調光罩（half-tone mask），光罩330具有多個第一區330a對應畫素區100a及多個第二區330b對應扇出區100b，第一區330a的透光率舉例係高於第二區330b的透光率。光阻層200包括多個第一區塊202a對應畫素區100a以及多個第二區塊204a對應扇出區100b。第二區塊204a的厚度大於第一區塊202a的厚度，各個第一區塊202a的厚度例如為各個第二區塊204a的厚度的10%~50%。
請同時參照圖1G及圖1H，使用光阻層200圖案化第三金屬材料層160a以於扇出區100b中形成多個輔助導電層162以及於畫素區100a中形成剩餘的第三金屬材料層160b。圖案化第三金屬材料層160a的方法例如是進行濕蝕刻製程，且使用的蝕刻液例如為鋁酸，但本發明不以此為限。
請同時參照圖1H及圖1I，使用光阻層200圖案化第一導電材料層150a以形成多個透明導電層152於扇出區100b以及多個共同電極154於畫素區100a。圖案化第一導電材料層150a的方法例如是進行濕蝕刻製程，且使用的蝕刻液例如為草酸，但本發明不以此為限。各個透明導電層152可分別與對應的輔助導電層162形成堆疊結構且彼此重疊。
請同時參照圖1I及圖1J，移除第一區塊202a以實質上暴露出剩餘的第三金屬材料層160b。移除第一區塊202a的方法例如是進行灰化製程，但本發明不以此為限。在藉由灰化製程移除第一區塊202a時也移除各個第二區塊204a的一部分，而形成剩餘的第二區塊204b位於輔助導電層162上。剩餘的第二區塊204b的厚度例如是第二區塊204a的厚度的20%~50%。
請同時參照圖1J及圖1K，移除位於畫素區100a的剩餘的第三金屬材料層160b。移除位於畫素區100a的剩餘的第三金屬材料層160b的方法例如是進行濕蝕刻製程，且使用的蝕刻液例如為鋁酸，但本發明不以此為限。在移除剩餘的第三金屬材料層160b之後，於畫素區100a內暴露出共同電極154的頂表面。
請參照圖1L、圖4A以及圖4B，移除剩餘的第二區塊204b。移除剩餘的第二區塊204b的方法例如是進行灰化製程，但本發明不以此為限。移除剩餘的第二區塊204b之後，形成第一導電層150以及第三金屬層160於第一絕緣層140上。第一導電層150例如由透明導電層152與共同電極154所構成，為透明導電層。第三金屬層160例如包括多個輔助導電層162且位於第一導電層150上。從另一個方向來看，多個共同電極154位於畫素區100a，且多個透明導電層152以及多個輔助導電層162位於扇出區100b。
由透明導電層152以及輔助導電層162組成的堆疊結構可構成多條第三扇出線F3。請參考圖4B，各個第三扇出線F3具有第三延伸部F31沿延伸方向L31延伸，延伸方向L31例如不平行於各掃描線SL以及各資料線DL的延伸方向。在本實施例中，第三延伸部F31可完全重疊於第一延伸部F11以及第二延伸部F21上，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一延伸部F11、第二延伸部F21與第三延伸部F31中之至少兩者係交錯堆疊，舉例來說，於基底100之法線方向上彼此相鄰近且依序排列之第一延伸部F11、第二延伸部F21與第三延伸部F31中，第二延伸部F21之至少一部分係不重疊於第一延伸部F11及第三延伸部F31。此外，共同電極154例如可藉由接觸窗H11與觸控訊號線TP電性連接。
由此可知，在本實施方式中，第一導電層150以及第三金屬層160透過利用同一個光罩330而同時形成。
基於上述，可藉由使用半調光罩（光罩330）而同時形成第一導電層150以及第三金屬層160，與習知的製程相比可減少一道光罩的使用，藉此可降低陣列基板的製造成本。
請參照圖1M，形成第二絕緣層170於第一導電層150以及第三金屬層160上。第二絕緣層170可同時覆蓋第一導電層150以及第三金屬層160。第二絕緣層170的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法而形成。在本實施例中，第二絕緣層170的材料可為無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層）、有機材料（例如：聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂）或上述之組合，但本發明不以此為限。第二絕緣層170可為單層結構，但本發明並不限於此。在其他實施例中，第二絕緣層170也可為多層結構。
請參照圖1N，於第一絕緣層140、平坦層PL、第二絕緣層170中形成接觸窗H12，以暴露出部分的汲極D。接觸窗H12的形成方法例如是利用光罩340進行微影蝕刻製程而形成。首先，於第二絕緣層170上形成光阻材料層（未繪示）。利用光罩340對光阻材料層（未繪示）進行微影製程，以形成圖案化光阻層（未繪示）。之後，以圖案化光阻層為罩幕，對第一絕緣層140、平坦層PL以及第二絕緣層170進行蝕刻製程，以形成接觸窗H12。由此可知，在本實施方式中，接觸窗H12係利用光罩340以第五道微影蝕刻製程形成。
請同時參照圖1O、圖5、圖6A、圖6B以及圖6C，形成第二導電層180於第二絕緣層170上。第二導電層180的形成方法例如是利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法後再進行微影蝕刻製程而形成。舉例來說，可先利用物理氣相沉積法或金屬化學氣相沉積法於基底100上全面性地形成第二導電材料層（未繪示）。接著，於第二導電材料層上形成光阻材料層（未繪示）。利用光罩350對光阻材料層（未繪示）進行微影製程，以形成圖案化光阻層（未繪示）。之後，以圖案化光阻層為罩幕，對第二導電材料層進行蝕刻製程，以形成第二導電層180。由此可知，在本實施方式中，第二導電層180係利用光罩350以第六道微影蝕刻製程形成。
第二導電層180例如包括多個橋接電極182、多個畫素電極184、多個連接電極186。多個畫素電極184位於畫素區100a，且多個橋接電極182位於扇出區100b。多個畫素電極184藉由接觸窗H12與汲極D電性連接。在本實施例中，各個畫素電極184具有多條狹縫184S與對應的共用電極154重疊。在本實施例中，多條狹縫184S例如呈矩形狀，但本發明不限於此。
請繼續參照圖5，多個接觸窗H2分別暴露出觸控訊號線TP以及第一扇出線F1且藉由對應的連接電極186以將其電性連接，多個接觸窗H3分別暴露部份的資料線DL以及第三扇出線F3且藉由對應的連接電極186以將其電性連接，另一部分的資料線DL舉例係直接連接對應的第二扇出線F2。
請同時參照圖5以及圖6A，在形成第二絕緣層170之後以及形成第二導電層180之前，於閘極絕緣層120、第一絕緣層140、平坦層PL及第二絕緣層170形成接觸窗H41以暴露出部分的第一金屬層110，亦即暴露出部分的第一接墊P1，且於第一絕緣層140、平坦層PL及第二絕緣層170形成接觸窗H42以暴露出部分的第二金屬層130，接觸窗H41、H42的形成方法例如是利用微影蝕刻製程而形成，然本發明不侷限於此。在其他實施例中，於形成第二金屬層130前，可於閘極絕緣層120形成接觸窗以暴露出部分的第一金屬層110，於形成第二絕緣層170之後以及形成第二導電層180之前，再於第一絕緣層140、平坦層PL及第二絕緣層170形成接觸窗與閘極絕緣層120之接觸窗貫通以暴露出部分的第一金屬層110，亦即暴露出部分的第一接墊P1。第一接墊P1上方之第二金屬層130藉由橋接電極182、接觸窗H41、H42與第一接墊P1電性連接。
請同時參照圖5以及圖6B，在形成第二絕緣層170之後以及形成第二導電層180之前，於閘極絕緣層120、第一絕緣層140、平坦層PL及第二絕緣層170形成接觸窗H51以暴露出部分的第一金屬層110，亦即暴露出部分的第二接墊P2，且於第一絕緣層140、平坦層PL及第二絕緣層170形成接觸窗H52以暴露出部分的第二金屬層130，接觸窗H51、H52的形成方法例如是利用微影蝕刻製程而形成，然本發明不侷限於此。在其他實施例中，於形成第二金屬層130前，可於閘極絕緣層120形成接觸窗以暴露出部分的第一金屬層110，於形成第二絕緣層170之後以及形成第二導電層180之前，再於第一絕緣層140、平坦層PL及第二絕緣層170形成接觸窗與閘極絕緣層120之接觸窗貫通以暴露出部分的第一金屬層110，亦即暴露出部分的第二接墊P2。第二扇出線F2藉由橋接電極182、接觸窗H51、H52與第二接墊P2電性連接。
請同時參照圖5以及圖6C，在形成第二絕緣層170之後以及形成第二導電層180之前，於閘極絕緣層120、第一絕緣層140、平坦層PL及第二絕緣層170形成接觸窗H61以暴露出部分的第一金屬層110，亦即暴露出部分的第三接墊P3，且於第二絕緣層170形成接觸窗H62以暴露出部分的第三扇出線F3，亦即暴露出部分的輔助導電層162，接觸窗H61、H62的形成方法例如是利用微影蝕刻製程而形成，然本發明不侷限於此。在其他實施例中，於形成第二金屬層130前，可於閘極絕緣層120形成接觸窗以暴露出部分的第一金屬層110，於形成第二絕緣層170之後以及形成第二導電層180之前，再於第一絕緣層140、平坦層PL及第二絕緣層170形成接觸窗與閘極絕緣層120之接觸窗貫通以暴露出部分的第一金屬層110，亦即暴露出部分的第三接墊P3。第三扇出線F3藉由橋接電極182、接觸窗H61、H62與第三接墊P3電性連接。
綜上所述，本發明之至少一實施例的陣列基板的製造方法藉由使用同一光罩於扇出區中形成第一導電層以及第三金屬層，因此由第一導電層以及第三金屬層組成的第三扇出線可與第一扇出線以及第二扇出線一起構成三層堆疊的金屬層（即，由第一延伸部、第二延伸部以及第三延伸部組成的堆疊結構），除了可使扇出區的面積縮減而間接使畫素區的面積提升外，也可減少光罩的使用，藉此可降低陣列基板的製造成本。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧基底
100a‧‧‧畫素區
100b‧‧‧扇出區
110‧‧‧第一金屬層
120‧‧‧閘極絕緣層
130‧‧‧第二金屬層
140‧‧‧第一絕緣層
150‧‧‧第一導電層
150a‧‧‧第一導電材料層
152‧‧‧透明導電層
154‧‧‧共同電極
160‧‧‧第三金屬層
160a‧‧‧第三金屬材料層
160b‧‧‧剩餘的第三金屬材料層
162‧‧‧輔助導電層
170‧‧‧第二絕緣層
180‧‧‧第二導電層
182‧‧‧橋接電極
184‧‧‧畫素電極
184S‧‧‧狹縫
186‧‧‧連接電極
200‧‧‧光阻層
200a‧‧‧光阻材料層
202a‧‧‧第一區塊
204a、204b‧‧‧第二區塊
300、310、320、330、340、350‧‧‧光罩
300a‧‧‧第一區
300b‧‧‧第二區
A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’‧‧‧剖線
D‧‧‧汲極
DL‧‧‧資料線
F1‧‧‧第一扇出線
F11、F21、F31‧‧‧延伸部
F2‧‧‧第二扇出線
F3‧‧‧第三扇出線
G‧‧‧閘極
H11、H12、H2、H3、H41、H42、H51、H52、H61、H62‧‧‧接觸窗
L11、L21、L31‧‧‧延伸方向
P1‧‧‧第一接墊
P2‧‧‧第二接墊
P3‧‧‧第三接墊
PL‧‧‧平坦層
S‧‧‧源極
SE‧‧‧半導體層
SL‧‧‧掃描線
T‧‧‧主動元件
TP‧‧‧觸控訊號線
圖1A至圖1O為本發明一實施例之陣列基板的製造方法的剖面示意圖。 圖2A、圖3A至圖4A為本發明一實施例之陣列基板的製造方法的畫素區之上視示意圖。 圖2B、圖3B至圖4B為本發明一實施例之陣列基板的製造方法的扇出區之上視示意圖。 圖5為本發明一實施例之陣列基板之上視示意圖。 圖6A為圖5中剖線C-C’之剖面示意圖。 圖6B為圖5中剖線D-D’之剖面示意圖。 圖6C為圖5中剖線E-E’之剖面示意圖。

Claims (18)

  1. 一種陣列基板的製造方法，包括：形成多條掃描線於一基底上，該基底具有一畫素區以及一扇出區；形成多條資料線；形成多個電晶體，其中該些電晶體各自與對應的掃描線以及對應的資料線電性連接；形成多個共同電極；形成多個畫素電極，其中該些畫素電極各自與對應的電晶體電性連接；形成多條第一扇出線於該扇出區內；形成多條第二扇出線於該扇出區內；以及形成多條第三扇出線於該扇出區內，其中各該第三扇出線包括：一透明導電層；以及一輔助導電層，位於該透明導電層上且與該透明導電層接觸；其中該些第三扇出線與該些共同電極是藉由相同的光罩形成。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板的製造方法，其中形成該些第三扇出線與該些共同電極的步驟包括：依序形成一透明導電材料層、一輔助導電材料層以及一光阻材料層；使用一光罩圖案化該光阻材料層，以形成一光阻層，其中該光阻層包含：多個第一區塊位於該畫素區內；以及多個第二區塊位於該扇出區內，各該第二區塊的厚度大於各該第一區塊的厚度；使用該光阻層圖案化該輔助導電材料層以形成該些輔助導電層於該扇出區以及一剩餘輔助導電材料層於該畫素區，其中各該輔助導電層的一部分係同時重疊於對應之該第一扇出線以及對應之該第二扇出線；使用該光阻層圖案化該透明導電材料層以形成該透明導電層於該扇出區以及該些共同電極於該畫素區；移除該第一區塊；移除該剩餘輔助導電材料層；以及移除該第二區塊。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板的製造方法，其中各該電晶體包括一閘極、一半導體層、一源極以及一汲極，其中該些閘極、該些掃描線以及該些第一扇出線是由相同金屬層所形成。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的陣列基板的製造方法，其中該些源極、該些汲極、該些資料線以及該些第二扇出線是由相同金屬層所形成。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的陣列基板的製造方法，更包括形成多條觸控訊號線分別電性連接於對應的共通電極，其中該些觸控訊號線、該些源極、該些汲極、該些資料線以及該些第二扇出線是由相同金屬層所形成。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板的製造方法，其中該些共同電極以及該透明導電層是由相同層導電層所形成。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板的製造方法，更包括形成多個第一接墊、多個第二接墊以及多個第三接墊於該扇出區中，其中該些第一接墊各自與對應的第一扇出線電性連接，該些第二接墊各自與對應的第二扇出線電性連接，且該些第三接墊各自與對應的第三扇出線電性連接。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板的製造方法，其中各該第一扇出線至第三扇出線具有一延伸部，各該延伸部的延伸方向不平行於各該資料線的延伸方向，對於鄰近且依序排列之該第一扇出線、該第二扇出線以及該第三扇出線，該些延伸部之一部分係完全重疊。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的陣列基板的製造方法，其中各該第一扇出線至第三扇出線具有一延伸部，各該延伸部的延伸方向不平行於各該資料線的延伸方向，對於鄰近且依序排列之該第一扇出線、該第二扇出線以及該第三扇出線，該些延伸部係交錯重疊。
  10. 一種陣列基板的製造方法，包括：形成一第一金屬層於一基底上，該基底包括一畫素區及一扇出區，該第一金屬層包括多個閘極與多條掃描線位於該畫素區以及多條第一扇出線位於該扇出區；形成一閘極絕緣層於該第一金屬層上；形成一第二金屬層於該閘極絕緣層上，該第二金屬層包括多個源極、多個汲極與多條資料線位於該畫素區以及多條第二扇出線位於該扇出區；形成一第一絕緣層於該第二金屬層上；以及藉由一光罩形成一第一導電層以及一第三金屬層於該第一絕緣層上，其中該第一導電層包括多個透明導電層位於該扇出區以及多個共同電極位於該畫素區，該第三金屬層包括多個輔助導電層位於該扇出區，該些輔助導電層分別位於該些透明導電層上以構成多條第三扇出線於該扇出區。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的陣列基板的製造方法，其中於形成該第一導電層以及該第三金屬層之步驟後，更包括：形成一第二絕緣層於該第一導電層以及該第三金屬層上；以及形成一第二導電層於該第二絕緣層上，其中該第二導電層包括：多個畫素電極位於該畫素區且分別電性連接於該些汲極；以及多個橋接電極位於該扇出區。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之陣列基板的製造方法，其中形成該第一導電層以及該第三金屬層的步驟包括：依序形成一透明導電材料層、一輔助導電材料層以及一光阻材料層於該第一絕緣層上；使用一光罩圖案化該光阻材料層，以形成一光阻層，其中該光阻層包含：多個第一區塊位於該畫素區內；以及多個第二區塊位於該扇出區內，各該第二區塊的厚度大於各該第一區塊的厚度；使用該光阻層圖案化該輔助導電材料層以形成該些輔助導電層於該扇出區以及一剩餘輔助導電材料層於該畫素區，其中各該輔助導電層的一部分係同時重疊於對應之該第一扇出線以及對應之該第二扇出線；使用該光阻層圖案化該透明導電材料層以形成該透明導電層於該扇出區以及該些共同電極於該畫素區；移除該第一區塊；移除該剩餘輔助導電材料層；以及移除該第二區塊。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之陣列基板的製造方法，其中於形成該第二金屬層於該閘極絕緣層上之步驟前，更包括形成多個半導體層位於該閘極絕緣層上且分別與該些閘極相對設置，該方法更包括形成多個第一接墊、多個第二接墊以及多個第三接墊於該扇出區中，其中該些第一接墊各自與對應的第一扇出線電性連接，該些第二接墊各自與對應的第二扇出線電性連接，且該些第三接墊各自與對應的第三扇出線電性連接。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的陣列基板的製造方法，其中各該第一扇出線至第三扇出線具有一延伸部，各該延伸部的延伸方向不平行於各該資料線的延伸方向，對於鄰近且依序排列之該第一扇出線、該第二扇出線以及該第三扇出線，該些延伸部係完全重疊。
  15. 如申請專利範圍第13項所述的陣列基板的製造方法，其中各該第一扇出線至第三扇出線具有一延伸部，各該延伸部的延伸方向不平行於各該資料線的延伸方向，對於鄰近且依序排列之該第一扇出線、該第二扇出線以及該第三扇出線，該些延伸部係交錯重疊。
  16. 一種陣列基板的製造方法，包括：形成多條掃描線於一基底上，該基底具有一畫素區以及一扇出區；形成多條資料線；形成多個電晶體，其中該些電晶體各自與對應的掃描線以及對應的資料線電性連接；形成多個共同電極；形成多個畫素電極，其中該些畫素電極各自與對應的電晶體電性連接；形成多條第一扇出線於該扇出區內；形成多條第二扇出線於該扇出區內；以及形成多條第三扇出線於該扇出區內，其中各該第三扇出線包括：一透明導電層；以及一輔助導電層，位於該透明導電層上且與該透明導電層接觸且完全重疊；其中該些第三扇出線與該些共同電極是藉由相同的光罩形成。
  17. 一種陣列基板的製造方法，包括：形成多條掃描線於一基底上，該基底具有一畫素區以及一扇出區；形成多條資料線；形成多個電晶體，其中該些電晶體各自與對應的掃描線以及對應的資料線電性連接；形成多個共同電極；形成多個畫素電極，其中該些畫素電極各自與對應的電晶體電性連接；形成多條第一扇出線於該扇出區內；形成多條第二扇出線於該扇出區內；以及形成多條第三扇出線於該扇出區內，其中各該第三扇出線包括：一透明導電層；以及一輔助導電層，位於該透明導電層上且與該透明導電層接觸；其中該些第三扇出線的該些透明導電層及該些輔助導電層與該些共同電極是藉由相同的光罩形成。
  18. 一種陣列基板的製造方法，包括：形成多條掃描線於一基底上，該基底具有一畫素區以及一扇出區；形成多條資料線；形成多個電晶體，其中該些電晶體各自與對應的掃描線以及對應的資料線電性連接；形成多個共同電極；形成多個畫素電極，其中該些畫素電極各自與對應的電晶體電性連接；形成多條第一扇出線於該扇出區內；形成多條第二扇出線於該扇出區內；以及形成多條第三扇出線於該扇出區內，其中各該第三扇出線與各該共同電極具有不同的厚度，且各該第三扇出線包括：一透明導電層；以及一輔助導電層，位於該透明導電層上且與該透明導電層接觸；其中該些第三扇出線與該些共同電極是藉由相同的光罩形成。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI709126B (zh) * 2019-11-15 2020-11-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI729328B (zh) * 2018-12-04 2021-06-01 友達光電股份有限公司 陣列基板及其製造方法
TWI697141B (zh) * 2018-12-11 2020-06-21 友達光電股份有限公司 元件基板
KR20200113065A (ko) * 2019-03-20 2020-10-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109976056B (zh) * 2019-04-08 2023-04-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置
WO2020209351A1 (ja) * 2019-04-12 2020-10-15 ラピスセミコンダクタ株式会社 表示ドライバ及び表示装置
CN110600520A (zh) * 2019-09-19 2019-12-20 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种显示面板及显示装置
CN113363281B (zh) * 2020-03-05 2024-08-13 群创光电股份有限公司 显示装置
TWI770633B (zh) * 2020-10-14 2022-07-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7405428B2 (en) * 2005-03-18 2008-07-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Transflective liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
CN101750827A (zh) * 2010-01-20 2010-06-23 友达光电股份有限公司 主动元件阵列基板
TW201024874A (en) * 2008-12-25 2010-07-01 Chi Mei Optoelectronics Corp Thin film transistor array substrate of liquid crystal display module and method for repairing the same
CN102881655A (zh) * 2012-08-09 2013-01-16 友达光电股份有限公司 画素结构及画素结构的制作方法
US8797491B2 (en) * 2009-05-11 2014-08-05 Samsung Display Co., Ltd. Display device having fanout wiring
WO2015000202A1 (zh) * 2013-07-05 2015-01-08 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板的扇出线结构及显示面板
CN107527935A (zh) * 2016-06-16 2017-12-29 三星显示有限公司 显示设备

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4006284B2 (ja) * 2002-07-17 2007-11-14 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
CN100530674C (zh) * 2006-07-25 2009-08-19 昆山维信诺显示技术有限公司 有机电致发光显示器及其制备方法
JP5901007B2 (ja) * 2011-09-12 2016-04-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR20140053626A (ko) * 2012-10-26 2014-05-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치
WO2014112560A1 (ja) * 2013-01-21 2014-07-24 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、及び表示装置
TWI514055B (zh) 2013-05-16 2015-12-21 Au Optronics Corp 顯示面板與其製造方法
TWI545734B (zh) 2014-03-12 2016-08-11 友達光電股份有限公司 畫素結構與其製造方法
KR102367954B1 (ko) * 2014-12-19 2022-02-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI539351B (zh) * 2015-03-26 2016-06-21 友達光電股份有限公司 觸控裝置
CN104950490A (zh) 2015-07-07 2015-09-30 友达光电股份有限公司 一种薄膜晶体管液晶显示装置及其制造方法
CN105655293B (zh) * 2016-01-12 2019-06-21 重庆京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法和显示装置
CN105633016B (zh) 2016-03-30 2019-04-02 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法及制得的tft基板
KR20180023106A (ko) * 2016-08-23 2018-03-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2019152832A (ja) * 2018-03-06 2019-09-12 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及び表示パネル

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7405428B2 (en) * 2005-03-18 2008-07-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Transflective liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
TW201024874A (en) * 2008-12-25 2010-07-01 Chi Mei Optoelectronics Corp Thin film transistor array substrate of liquid crystal display module and method for repairing the same
US8797491B2 (en) * 2009-05-11 2014-08-05 Samsung Display Co., Ltd. Display device having fanout wiring
CN101750827A (zh) * 2010-01-20 2010-06-23 友达光电股份有限公司 主动元件阵列基板
CN102881655A (zh) * 2012-08-09 2013-01-16 友达光电股份有限公司 画素结构及画素结构的制作方法
WO2015000202A1 (zh) * 2013-07-05 2015-01-08 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板的扇出线结构及显示面板
CN107527935A (zh) * 2016-06-16 2017-12-29 三星显示有限公司 显示设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI709126B (zh) * 2019-11-15 2020-11-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置

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Publication number Publication date
US20190386032A1 (en) 2019-12-19
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US10600812B2 (en) 2020-03-24
CN108873508A (zh) 2018-11-23
TW202002240A (zh) 2020-01-01

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