CN1258115C - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

液晶显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1258115C
CN1258115C CNB011197919A CN01119791A CN1258115C CN 1258115 C CN1258115 C CN 1258115C CN B011197919 A CNB011197919 A CN B011197919A CN 01119791 A CN01119791 A CN 01119791A CN 1258115 C CN1258115 C CN 1258115C
Authority
CN
China
Prior art keywords
district
insulation course
liner
organic insulator
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB011197919A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1368655A (zh
Inventor
张龙圭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN1368655A publication Critical patent/CN1368655A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1258115C publication Critical patent/CN1258115C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13458—Terminal pads
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133388—Constructional arrangements; Manufacturing methods with constructional differences between the display region and the peripheral region
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

一种LCD装置及其制造方法，该装置的驱动电路和COG、COF和FPC之间的连结稳定性得以提高。在对应于衬底有源区的中心部分形成包括TFT的象素。在对应于衬垫区的周围部分形成栅极和数据输入衬垫。在衬底的整个表面上形成一个有机绝缘层。通过曝光和显影有机绝缘层而形成用于形成起伏的反射电极的起伏结构。形成一个有机绝缘层以减小衬垫和与衬垫相邻的部分之间的台阶。衬垫和COG、COF或FPC之间的连结失败大大减少。因为在衬垫之间插入了有机绝缘层，所以可避免衬垫之间的短路。

Description

液晶显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置(LCD)及其制造方法，并尤其涉及这样一种LCD装置及其制造方法，该装置的驱动电路和玻璃上的芯片(COG)、薄膜上的芯片(COF)或挠性印刷电路薄膜(FPC)之间的连结稳定性都得以提高。
背景技术
在当今的信息领域，电子显示装置作为信息传输媒介变得越来越重要，各种电子显示装置广泛地用于工业设备或家庭应用中。这种电子显示装置正在被不断地改进，从而具备满足信息领域各种需求的适当功能。
一般地，电子显示装置显示各项信息并传递给使用这些信息的用户。即电子显示装置把电子设备输出的电信息信号转换成由用户通过眼睛识别的光信息信号。
在分为发射型显示装置和非发射型显示装置的电子显示装置中，发射型显示装置通过光发射现象显示光信息信号，非发射型显示装置通过反射、散射或干涉显示光信息信号。发射型显示装置包括阴极射线管(CRT)、等离子体显示板(PDP)、发光二极管(LED)和电致发光显示器(ELD)。发射型显示装置称作有源显示装置。称作无源显示装置的非发射型显示装置包括液晶显示器(LCD)、电化学显示器(ECD)和电泳图象显示器(EPID)。
因为CRT具有较高的质量和较低的制造成本，所以长期以来被用作电视或计算机监视器的显示装置。但是CRT有一些缺点，如比较沉重、体积大和高功耗。
近来，对新式电子显示装置如具有厚度小、轻盈、低驱动电压和低功耗等优良特性的平板显示装置的需求增大。这种平板显示装置可以按照发展迅速的半导体技术制造。
在平板显示装置中，液晶显示装置(LCD)被广泛地用于各种电子装置，因为LCD装置具有很薄的厚度、低功耗和近乎与CRT一样的高显示质量。另外，LCD装置可以在很低的驱动电压下工作，并且易于制造，因此变得日益盛行。
LCD装置一般被分为透射型LCD装置和反射型LCD装置。透射型LCD装置利用外光源显示信息，反射型LCD装置利用自然光显示信息。透射型或反射型LCD装置的制造方法已在各种文献中有所披露。
图1A～1C是制造常规LCD装置的方法截面图。
参见图1A，金属层如铝(Al)层或铬(Cr)层形成在绝缘材料组成的衬底10上，金属层被构图，以形成栅电极15和栅极衬垫20。然后，在形成有栅电极15和栅极衬垫20的衬底10的整个表面上，通过沉积氮化硅并通过离子化学气相沉积法，形成栅绝缘层25。
接着，在栅绝缘层25上形成非晶硅和就地掺杂n+非晶硅并形成图案之后，在栅电极15上形成一个非晶硅层30和欧姆接触层35。
然后，在栅电极15上沉积一种金属，如钼(Mo)、铝、铬或钨(W)，并构图，形成一个源极40和漏极45。由此，在衬底10对应于有源区50周围部分的衬垫区70之外的有源区50中，形成具有栅极15、非晶硅层30、欧姆接触层35、源电极40和漏电极45的薄膜晶体管(TFT)60。
参见图1B，由一种有机抗蚀材料组成的有机绝缘层75形成在衬底10的有源区50和衬垫区70上，从而完成LCD装置的下衬底。
参见图1C，在有机绝缘层75上放置一个掩模(未示出)以形成一个接触孔80和衬垫口81。然后，在利用掩模对有机绝缘层75曝光并显影之后，在有机绝缘层75中形成暴露漏电极45的接触孔80。在此，通过同时除去有机绝缘层75下方的栅绝缘层25，在衬垫区70中形成部分暴露衬垫20的衬垫口81。
接着，在把具有良好反射性的金属如铝或镍(Ni)涂敷到接触孔80中和有机绝缘层75上之后，给金属构图以形成具有一个象素的预定形状的反射电极85。此时，在衬垫口81中和位于衬垫区70中衬垫口81的周围部分的有机绝缘层75上形成一个衬垫电极86。
然后，在所得的结构上形成一个取向层并制备一个对应于下衬垫的上衬底(未示出)。上衬底包括一个色彩滤波器(color filter)，一个透明电极和一个取向层。并接着在上衬底和下衬底之间插入几个隔离物以将上衬底和下衬底结合，并在上衬底和下衬底之间形成一个液晶层，由此完成LCD装置。
为了从外部给LCD装置施加一个驱动信号，把玻璃上的芯片(COG)、薄膜上的芯片(COF)或挠性印刷电路膜(FPC)连结到LCD装置作为一个连结装置。
但是，在常规的制造LCD装置的方法中，因为在TFT上形成有机绝缘层或具有较厚厚度的层作为TFT的保护层，所以当把外部装置如COG、COF或FPC连结到LCD装置的衬垫区时，由于在具有金属形成于其下部的衬垫区和周围区域之间的台阶，外部装置和LCD装置之间的连结可能会失败。
图2是连结到图1所示LCD装置衬垫区的外部装置截面图。
参见图2，有机绝缘层75涂敷到包括衬垫20的衬垫区70上之后，通过曝光和显影有机绝缘层75而形成敞口81，然后在敞口81中以及接近敞口81定位的有机绝缘层的一部分上形成衬垫电极86。
接下来，为了结合衬垫电极86和COG或COF，在把具有导体球92的各向异性导电膜90放置在衬垫电极86上之后，COG或COF的输出端或COG或COF输入部分的突出部94关于衬垫电极86对齐。接着，通过一个压缩过程把衬垫电极86和突出部94经导体球92彼此电连结。
因为在衬垫区70上涂敷厚度较厚的有机绝缘层75以保护TFT并形成反射电极85，所以可以在衬垫区70放置衬垫20的部分和衬垫区70的其它部分之间产生大约3～4μm高度的台阶。当通过压缩过程把COG或COF连结到此衬垫区70时，由于图2所示衬垫区70中的台阶，可能会在衬垫20和COG或COF之间的衬垫敞口81中出现连结失败。LCD装置模块由此可能会因为连结失败而不能被操作或被误操作。
特别是，因为在常规的压缩过程中COG利用直径大致为5μm的导体球连结到衬垫，COG和衬垫直径的连结失败可能会增加。
另外，当除去形成在衬垫上和周围区域的有机绝缘层时，因为有机绝缘层防止多个衬垫中相邻衬垫之间的电路短路，相邻衬垫之间电路短路的可能性增加，由此降低产量的可靠性。
发明内容
因此，本发明的第一个目的在于提供一种液晶显示装置(LCD)，当把玻璃芯片(COG)、薄膜上的芯片(COF)或挠性印刷电路(FPC)连结到LCD装置的驱动电路时，该装置通过降低衬垫区域和其相邻区域之间的台阶而具有提高的连结稳定性。
本发明的第二个目的在于提高一种制造LCD装置的方法，其中当把玻璃芯片(COG)、薄膜上的芯片(COF)或挠性印刷电路(FPC)连结到LCD装置的驱动电路时，该装置通过降低衬垫区域和其相邻区域之间的台阶而具有提高的连结稳定性。
为了实现本发明的第一个目的，本发明的一个优选实施例提供了一种显示装置，该装置包括一个具有第一区和第二区的衬底以及一个形成在第一区和第二区上的绝缘层。第一区包括一个象素区和一个包围象素区的周围(外)区，象素形成在象素区以产生图象。第二区有一个连结到象素的衬垫，用于从外部向象素施加电信号，所述第二区包括所述衬垫和所述衬垫的一周围部分。绝缘层有一个形成在第二区域的敞口以暴露衬垫。绝缘层在第二区的第二厚度小于绝缘层周围区的第一厚度。
另外，为了实现本发明的第一目的，本发明的另一个优选实施例提供了一种反射型液晶显示装置，该装置包括一个具有第一区和第二区的第一衬底，一个与第一衬底相对的第二衬底，一个液晶层，一个形成在第一衬底中心部位的反射电极和一个有机绝缘层。第一衬底的第一区包括一个处于第一衬底中心部位的象素区和一个包围象素区的周围(外)区，象素形成在象素区以产生图象，在第二区中形成一个连结到象素的衬垫，用于从外部给象素施加电信号，所述第二区包括所述衬垫和所述衬垫的一周围部分。液晶形成在第一和第二衬底之间，反射电极具有一种由较高和较低部分组成的起伏结构。有机绝缘层形成在第一衬底和反射电极之间并且也形成在第一和第二区中。有机绝缘层在第一区的中心部分具有与反射电极相同的起伏结构，并在第二区中有一个敞口以暴露衬垫。有机绝缘层在第二区的第二厚度小于有机绝缘层在周围区的第一厚度。
为了实现本发明的第二目的，本发明的一个实施例提供一种制造显示装置的方法，包括步骤：
在一个衬底第一区的象素区中形成一个象素，第一区包括象素区和围绕象素区的周围区，并在衬底的第二区中形成一个用于给象素施加电信号的衬垫，所述第二区包括所述衬垫和所述衬垫的一周围部分；
在第二区中形成一个具有暴露衬垫的敞口的绝缘层，其中在第一区和第二区中形成绝缘层，绝缘层中第二区的第二厚度小于第一区中绝缘层的厚度：和在敞口中和形成在第二区中敞口周围的绝缘层上形成一个衬垫电极。
象素区位于衬底的中心部位，第二区位于衬底的周围区。象素包括一个作为开关装置的薄膜晶体管，衬垫包括一个栅极入射衬垫和一个把电信号施加给开关装置的数据输入衬垫。本方法最好还包括在象素区中绝缘层上形成一个反射电极以及在第二区中的衬垫上形成一个衬垫电极。
根据本发明的一个实施例，形成绝缘层的步骤这样执行：在衬底上形成一个第一绝缘层、在第二区中选择性地除去第一绝缘层、在第一区和第二区中形成一个第二绝缘层和对第二绝缘层构图以在第二绝缘层中形成一个敞口。
在第二区中除去第一绝缘层的步骤这样执行：当把第一掩模放置在第一绝缘层上之后以一定的曝光量对第一绝缘层完全曝光，以除去第一绝缘层，对曝光的第一绝缘层显影和在第一绝缘层中形成一个用于连结象素的接触孔。
在对第二绝缘层构图的步骤这样执行：第二掩模放置到第二绝缘层上，在把用于形成敞口的第二掩模放置到第二绝缘层上之后，以一曝光量对第二绝缘层曝光，和对第二绝缘层显影，由此之后在第二绝缘层上形成起伏的结构。
根据本发明的另一实施例，形成绝缘层的步骤这样执行：在衬底上形成一个第一绝缘层，在第一绝缘层上制作图案以在象素区中形成绝缘层图案并且选择性地除去第二区中的第一绝缘层，在第一区和第二区中形成一个第二绝缘层，在第二区中的第二绝缘层上形成一个敞口。
在第一绝缘层上形成图案的步骤这样执行：在第一绝缘层上确定第一掩模的位置以用于形成一种起伏的结构和一个接触孔，以一定的曝光量对第一绝缘层完全曝光，并对曝光的第一绝缘层显影。
形成敞口的步骤这样执行：在第二绝缘层上确定第二掩模的位置以形成接触孔和敞口，对第二绝缘层曝光和对曝光的第二绝缘层显影。
根据本发明的另一个实施例，形成绝缘层的步骤这样执行：在衬底上形成一个有机绝缘层，以完全曝光量首先对有机绝缘层曝光以除去衬垫上的有机绝缘层，从而在第二区中形成一个敞口，对第二区中的有机绝缘层局部曝光，并通过对曝光的有机绝缘层显影局部地除去第二区中敞口周围的有机绝缘层。
首先曝光有机绝缘层的步骤这样执行：在有机绝缘层上确定第一掩模的位置以用于形成敞口和电连结象素的接触孔后，以完全的曝光量对有机绝缘层曝光。
局部曝光的步骤这样执行：以较小的曝光量对有机绝缘层和第二区曝光以用于在有机绝缘层上形成反射电极。
根据本发明，可以通过对单层有机绝缘层或双层有机绝缘层曝光并显影而减小有机绝缘层在衬垫区的一部分和有机绝缘层邻近衬垫区的另一部分之间的高度差。因此，当把COG、COF、FPC压到LCD装置的衬垫时，LCD装置的衬垫和COG、COF、FPC之间的连结失败可以大大减少。另外，因为有机绝缘层保持在衬垫之间，所以可以避免LCD装置衬垫之间的电路短路，同时可以大大降低衬垫之间的台阶。另外，当对有机绝缘层曝光并显影以形成接触孔和反射电极时，因为衬垫区中的一部分有机绝缘层和邻近衬垫区的另一部分有机绝缘层之间的高度差减小，所以衬垫区中的台阶可以降低而无需执行另外的过程降低台阶。
附图说明
本发明的上述目的和优点通过下列参考附图对优选实施例的描述将变得更加清晰，其中：
图1A～1C是常规液晶显示装置制造步骤的截面图；
图2是连结到图1C所示衬垫区的外部装置截面图；
图3是根据本发明第一实施例制造液晶显示装置的方法平面示图；
图4A～4G是沿图3中A-A’线截取的截面图，表示根据本发明第一实施例的液晶显示装置的制造步骤；
图5A～5D是根据本发明第二实施例制造液晶显示装置的方法的截面示图；
图6A-6D是根据本发明第三实施例制造液晶显示装置的方法的截面示图。
具体实施方式
以下将参考附图对本发明进行更全面的描述，其中展示了本发明的优选实施例。但是，本发明可以以不同的形式实施，其结构不局限于在此提出的实施例。这些实施例的提供只是为了更全面、彻底地描述本发明，把本发明的原理全面地转达给本领域的技术人员。所有附图中各个层的厚度和尺寸为清楚起见均被放大。
实施例1
图3是根据本发明第一实施例制造液晶显示装置的方法平面示图，图4A～4F是沿图3中A-A’线截取的截面图，表示根据本发明第一实施例的液晶显示装置的制造步骤。
在反射型LCD装置或半透明型LCD装置中，为了在反射电极上形成一个凸出和凹陷部分，在有机绝缘层被曝光和显影以在有机绝缘层的表面上具有凸出和凹陷部分之后，把反射电极涂敷到具有起伏表面的有机绝缘层上，以得到一个起伏的形状。可以执行对双层有机绝缘层的全曝光过程、对单层有机绝缘层的局部曝光过程或对单层有机绝缘层的狭缝曝光作为在有机绝缘层上形成起伏表面的过程。
在本实施例中，将描述通过使用双层有机绝缘层的全曝光工艺来减小衬垫区的台阶的方法。
参见图3和图4A，在由非导体材料如玻璃或陶瓷组成的第一衬底100上形成一个作为开关装置的薄膜晶体管。首先，把金属如钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)、铜(Cu)或钨(W)沉积到第一衬底100上形成一个金属层。第一衬底100分为第一区170和第二区180。第一区170包括形成有象素以产生图象的象素区和围绕象素区171的周围区172的部分。不在第一衬底100的第一区170中形成衬垫。第二区180是一个衬垫区，在那儿形成有连结到象素的衬垫以便向象素施加电信号。即象素区171位于第一衬底100的中心部分，周围区172位于第一衬底100的周围部分。平视看到，第二区180形成在周围区172中。即第二区180成为周围区172的一部分。
通过光刻法在金属层上形成图案，从而在形成有象素以产生图象的第一区170的象素区171中形成栅极线115和与栅极线115分叉的栅电极105。同时，为了把电信号施加到象素，在对应于围绕第一衬底100第一区170的象素区171的周围区172部分形成一个从栅极线延伸的栅极输入衬垫110。在这种情况下，栅极输入衬垫110具有宽于栅电极105的面积，栅极衬垫110的面积宽于栅极线115的面积。栅电极105、栅极输入衬垫110和栅极线115可以通过利用包含铝-铜(Al-Cu)或铝-硅-铜(Al-Si-Cu)的合金形成。
参见图4B，在形成栅电极105、栅极输入衬垫110和栅极线115的第一衬底100上形成一个氮化硅(SixNy)层。该氮化硅层通过等离子体化学气相沉积法形成。
然后，在通过等离子体化学气相沉积法把非晶硅和就地掺杂(in-situdoped)n+非晶硅层形成到栅极绝缘层120上之后，在非晶硅和n+非晶硅层上形成图案以在栅极绝缘层120上形成一个半导体层130和一个欧姆接触层135，栅极绝缘层120之下设置栅电极105。在这种情况下，可以通过在非晶硅层上辐射预定强度的激光束而把半导体层130变成聚硅层。
接着，由铝、钼、钽、钛、铬、钨或铜组成的金属层形成到具有最终结构的第一衬底100上之后，在金属层上形成图案以便形成一条垂直于栅极线115的数据线160，形成一条与数据线160分叉的源电极140，并形成一个连结到数据线160的数据输入衬垫150。然后，在位于第一衬底100中间部分的第一区170中形成包括栅电极105、半导体层130、欧姆接触层135、源极140和漏极145的TFT 155。另外，栅极输入衬垫110和数据输入衬垫150形成在位于第一衬底100周围部分的第二区180中。第二区180对应于衬垫区。此时，栅绝缘层120插在数据线160和栅极线115之间以防止在数据线和栅极线160、115之间发生电路短路。
参见图4C，通过旋转涂敷法在第一衬底100的第一区170和第二区180的整个表面上涂敷厚度在2～3μm的光敏有机抗蚀剂，从而形成第一有机绝缘层190。
参见图4D，在第一掩模185放置到第一有机绝缘层190上暴露接触孔175后，对第一有机绝缘层190进行全曝光过程，并再在第一有机绝缘层190中通过显影过程形成暴露TFT 155漏极145的接触孔175。这种情况下，在全曝光和显影过程中除去形成在第二区180中栅极和数据输入衬垫110、150上及周围的第一有机绝缘层190部分。即在全曝光和显影过程中除去形成在第一衬底100周围部分上及周围的第一有机绝缘层190的一部分，第一衬底100之上栅极输入衬垫110位于象素区171之外。另外，除去第一有机绝缘层190形成在数据输入衬垫150上及周围的一部分(即位于第二区180中的第一有机绝缘层190部分)。此时，通过干蚀刻过程并利用第一有机绝缘层190作为掩模除去形成在第二区180中的栅绝缘层120以暴露栅极输入衬垫110。
参见图4E，为了形成一个隔绝栅极和数据输入衬垫110、150的绝缘层以防止栅极和数据输入衬垫110、150之间的电路短路，在第一衬底100的第一和第二区域170、180上形成一个第二有机绝缘层195。即把与第一有机绝缘层190一样的有机抗蚀剂分别涂敷到对应于第一和第二区170、180的有源区、衬垫区170、180上之后，在有源区170和衬垫区180上形成第二有机绝缘层195。通过旋转涂敷法涂敷有机抗蚀剂，并且有机抗蚀剂的厚度大约0.5～1.5μm，最好大致为1.0μm。因此，在包括栅极输入衬垫110、数据输入衬垫150和衬垫110、150周围部分的第二区180上只形成第二有机绝缘层。
然后，在第二有机绝缘层195上放置第二掩模200以在第二有机绝缘层195上形成起伏的结构205并形成暴露栅极输入衬垫110的敞口176。接着，以少量的曝光量对象素区171曝光，从而在位于第一衬底100第一区170的象素区171上的第二有机绝缘层195上形成由多个微透镜组成的起伏结构。另外，对第二区180中第二有机绝缘层195的一部分曝光以形成敞口176。执行显影过程之后，在第二有机绝缘层195上形成起伏结构205并通过敞口176暴露栅极输入衬垫110。此时，数据输入衬垫150也被暴露。
起伏结构205由较高部分和较低部分组成。即起伏结构205有多个具有较高高度的凸起和多个具有较低高度的凹陷。在这种情况下，凹陷的深度(或凸起的高度)大致为0.5～1.0μm。
如上所述，在除去形成在对应于衬垫区的第二区180上的第一有机绝缘层190之后，因为在第二区180上形成具有较薄厚度的第二有机绝缘层195并且栅极和数据输入衬垫110、150经曝光和显影过程曝光，所以可以大大减小设置栅极和数据输入衬垫110、150的部分和邻近衬垫110、150的部分之间的台阶。
参见图4F，在衬垫区180上、具有起伏结构205的第一和第二有机绝缘层190、195的表面上和暴露漏极145的接触孔175上涂敷具有良好反射性的金属，如铝、镍、铬或银(Ag)之后，在金属层上形成图案，在第一衬底100的象素区171中形成具有象素形状的反射电极210。因此，反射电极210具有与第一和第二有机绝缘层190、195的起伏结构205相符的起伏表面。在这种情况下，衬垫电极215形成在栅极和数据输入衬垫110、150上。衬垫电极215具有单调的形状并具有比接触孔175的深度浅的高度。
本发明LCD装置的后续制造过程与LCD装置的常规制造方法相同。
图4G是根据本发明的完整的LCD装置截面图。
参见图4G，在所得的结构上形成第一取向层300之后，在第一衬底100上设置与第一衬底100相对的第二衬底305。第二衬底305包括一个彩色滤光片310，一个公共电极315、一个第二取向层320，一个相位片325和一个偏振片330。第二衬底305由与第一衬底100相同的材料制成，如玻璃或陶瓷。相位片325和偏振片330依次形成在第二衬底305上。彩色滤光片310位于第二衬底305之下，公共电极315和第二取向层320依次形成在彩色滤光片310之下。
液晶层230插在由第一衬底100和第二衬底305之间夹插的多个隔离物提供的空间中，由此实现一种反射型LCD装置或半透明型LCD装置。
然后，在形成于第一衬底100的衬垫区180中形成的输入衬垫110、150上涂敷有导体球292的各向异性导体膜290，压COG、COF或FPC的凸起294并再把输入衬垫110、150连结到COG、COF或FPC，由此实现一种反射型LCD模块或半透明型LCD模块。
如图4G所示，LCD装置包括由第一和第二有机绝缘层190、195组成的绝缘层。第一有机绝缘层190形成在形成有象素的第一区170，并且第一有机绝缘层190具有大约2～3μm的厚度。另外，LCD装置具有第二有机绝缘层195。第二有机绝缘层195形成在衬垫区180中并具有大约0.5～1.5μm的厚度。在位于第一区170不形成衬垫110、150的象素区171上的第一绝缘层190的表面形成起伏的结构205。第二有机绝缘层195具有暴露衬垫110、150的敞口176。
根据本发明，通过对由第一和第二绝缘层组成的双层有机绝缘层曝光和显影，衬垫和邻近衬垫的有机绝缘层部分之间的台阶低于接触孔和邻近接触孔的有机绝缘层部分之间的台阶。因此，当压COG、COF或FPC以连结COG、COF或FPC和LCD装置的衬垫时可以大大减少衬垫和COG、COF或FPC之间的连结失败。
实施例2
在本发明的第一实施例中，通过全曝光过程除去第一有机绝缘层之后在第二区中形成第二有机绝缘层。但是，第二有机绝缘层可以在绝缘层上形成图案后形成，绝缘层上形成图案是用于在对应于有源区的第一区上形成起伏结构。所以，根据本发明的第二实施例，先在第一区中的有机绝缘层上形成用于形成起伏结构的绝缘层图案。
图5A和5B是根据本发明第二实施例的制造LCD装置的方法截面图。
参见图5A，在第一衬底100的第一区170上形成第一有机绝缘层190，而在第一衬底100上根据图4A至4C所示的过程已经形成了TFT155。然后，在第一区170的第一有机绝缘层190上及其中形成一种用于形成起伏的结构和接触孔175的第一绝缘层图案190a。第一掩模185设置在第一区170中的第一有机绝缘层190上以暴露包括栅极输入衬垫110、数据输入衬垫150和邻近衬垫110、150的周围部分的衬垫区180之后，以预定的曝光量(即形成接触孔175的充足曝光量)进行全曝光过程。随后，执行曝光过程以在第一有机绝缘层190中形成暴露TFT 155的漏极145的接触孔175。这种情况下，在象素区171中形成第一绝缘图案190a以用于在反射电极的表面上形成起伏的结构，并除去第一有机绝缘层190位于栅极和数据输入衬垫110、150上的以及位于邻近第二区180中的衬垫110、150的周围部分上的一部分。即，除象素区171以外，除去周围区172中在栅极输入衬垫110周围形成的第一有机绝缘层190的部分。另外，同时除去形成在数据输入衬垫150周围的第一有机绝缘层190部分。然后剩下周围区172中除第二区180中形成有衬垫110、150的部分以外的第一有机绝缘层190。
参见图5B，第二有机绝缘层195涂敷在第一衬底100的第一和第二区170、180上。第二有机绝缘层195通过旋转涂敷法形成并具有大约0.3～3μm的厚度，优选大约0.5～1.5μm的厚度，最好1μm。第二有机绝缘层195由一种与第一有机绝缘层190相同的有机抗蚀剂组成。第二有机绝缘层195位于第一绝缘层图案190a上和包括形成在其上的第一有机绝缘层190的第一衬底100上。因此，在象素区171中形成与第一绝缘层图案190a一致的起伏结构205，并且第二有机绝缘层195涂敷到第二区180上。
随后，为了形成一个暴露第二区180中的数据输入衬垫150的敞口176和形成象素区171中的接触孔175，在第一衬底100上放置第二掩模200。然后，在执行曝光和显影过程之后以用于形成敞口176的预定的曝光量在第一有机绝缘层190中形成接触孔175，并在第二区180中形成敞口176以暴露栅极和数据输入衬垫110、150。
除去位于第二区180中的第一有机绝缘层190部分并且在第二区180中形成具有较低厚度的第二有机绝缘层195之后，因为栅极和数据输入衬垫110、150经曝光和显影过程曝光，所以可以大大降低衬垫110、150和第二有机绝缘层195邻近衬垫110、150的部分之间的台阶。
参见图5C，通过与图4F中所示方法相同的方法形成反射电极210。然后，在象素区171中反射电极210的表面上形成与第二有机绝缘层195的形状相符的起伏结构205。此时，在数据和栅极输入衬垫110、150上形成衬垫电极215，并且衬垫电极215具有低于接触孔175的深度的高度。
图5D是根据本发明的一个完整的LCD装置截面图。
与图4G所示的方式相同，在第一衬底100上的所得结构上形成第一取向层300之后，在第一衬底100上设置第二衬底305。第二衬底305包括一个彩色滤光片310、一个公共电极315、一个第二取向层320、一个相位片325和一个偏振片330。
在第一衬底100和第二衬底305之间插入多个隔离物335、336之后，把液晶层230插入形成在第一和第二衬底100、305之间由隔离物335、336形成的空间中，由此完成一种反射型或半透明型LCD装置。
各向异性导体膜290放置在形成于第一衬底100的衬垫区180中的输入衬垫110、150上后，压COG、COF或FPC的凸起294以连结到衬垫110、150，由此实现一种反射型LCD模块或半透明型LCD模块。
如图5D所示，在根据本发明的完整的LCD装置中，在象素区171中形成厚度约2.5～4.5μm的有机绝缘层，并在第二区180中形成厚度大致为0.5～1.5μm的有机绝缘层。
第一区170中的有机绝缘层包括第一绝缘层图案190a和第二有机绝缘层195。即形成在第一区170中的有机绝缘层包括象素区171中的第一绝缘层图案190a以用于形成反射电极图案，周围区172中的有机绝缘层包括形成在周围区172的第一有机绝缘层190和具有暴露第二区180中衬垫110、150的敞口176的第二有机绝缘层195。第二有机绝缘层195具有与第一绝缘层图案190a相符的起伏结构并延伸到第二区180中。
根据本实施例，在先形成第一有机绝缘层之后，对有源区执行全曝光过程以形成接触孔和绝缘层图案，同时对衬垫区执行曝光过程。然后，在有源区形成接触孔和绝缘层以用于形成反射电极，并且在显影过程之后选择性地除去衬垫区中的第一有机绝缘层部分。随后，在第二有机绝缘层涂敷到所得的结构上后，对有源区执行显影过程以用于在第二有机绝缘层中形成接触孔，并对衬垫区执行显影过程以用于形成敞口，然后执行显影过程。因此，当COG、COF或FPC连结到LCD装置的衬垫时可以降低衬垫和邻近衬垫的部分之间的有机绝缘层的台阶，以拥有低于接触孔周围的台阶的高度，由此极大地减少图2中所示的连结失败。
实施例3
图6A-6D是根据本发明第三实施例制造液晶显示装置的方法的截面示图。根据本发明第一和第二实施例形成双层有机绝缘层，根据本实施例形成单层有机绝缘层以降低衬垫区中的台阶。
根据图4A～4C所述的过程在第一衬垫100上形成一个TFT155。
参见图6A，通过旋转涂敷法在具有TFT155的第一衬底100的在第一区170和第二区180上涂敷有机抗蚀剂，以形成厚度大致为2.4～4.0μm的有机绝缘层165。
接着，在把第一掩模185设置到有机绝缘层165上以用于形成分别暴露TFT155的漏极145和衬垫110的接触孔175和敞口176后，以全曝光量对有机绝缘层165执行主曝光过程(即在有机绝缘层165中形成接触孔175的全曝光过程)。当有机绝缘层165被曝光时，同时形成如虚线所示的接触孔175和衬垫敞口176。在第一区170的象素区171中形成接触孔175以暴露漏极145，并在第二区180中形成衬垫敞口176以暴露栅极和数据输入衬垫110、150。
参见图6B，把用于形成反射电极的第二掩模200放置到有机绝缘层165上之后，以透镜曝光量(lens exposure amount，即形成反射电极的透镜的曝光量)对第一区170中的有机绝缘层165和第二区180的整个表面曝光。在这种情况下，通过部分曝光法以透镜曝光量或通过狭缝曝光法(slit exposingmethod)完成第二曝光过程。
然后，当曝光的有机绝缘层165被显影时，在象素区171的有机绝缘层上形成一个起伏结构205，并在位于第二区的有机绝缘层165中形成敞口176。通过除去第二区180中衬垫110、150周围的有机绝缘层165形成敞口176。因此，因为部分地除去有机绝缘层而同时不在第二区180中的输入衬垫110、150之间产生电路短路，所以可以降低栅极输入衬垫110和邻近栅极输入衬垫110的部分之间的台阶。另外，还可以降低数据输入衬垫150和邻近数据输入衬垫150的部分之间的台阶，同时部分地保留每个数据输入衬垫150之间的有机绝缘层165。此时，第二区中有机绝缘层165的厚度大致为0.3～3.0μm。
象素区171上的起伏结构205包括多个凹陷和凸起并具有大约0.5～1.0μm的高度(凹陷的深度或凸起的高度)。以起伏结构205的凹陷为基础，有机绝缘层165的厚度大致为1.0～3.0μm。因此，以起伏结构205的凸起为基础，象素区171中有机绝缘层165的厚度减小0.2～1.0μm。在这种情况下，栅极和数据输入衬垫110、150按照与衬垫区180的敞口176中的栅极绝缘层120一样通过干蚀刻法暴露。
参见图6C，反射电极210通过图4F中所述的方法形成。所以，象素区171中的反射电极210在其上具有与有机绝缘层165的起伏结构205一致的起伏结构。此时，衬垫电极215形成在栅极和数据输入衬垫110、150上。衬垫电极215具有高于接触孔175的高度。
图6D是表示本实施例的一个完整的LCD装置的截面图。
与图4G所述的方式相同，在第一衬底100上的所得结构上形成第一取向层300之后，在第一衬底100上设置与第一衬底相对的第二衬底305。第二衬底305包括一个彩色滤光片310、一个公共电极315、一个第二取向层320、一个相位片325和一个偏振片330。
在第一衬底100和第二衬底305之间插入多个隔离物335、336之后，把液晶层230插入形成在第一和第二衬底100、305之间由隔离物335、336形成的空间中，由此完成一种反射型或半透明型LCD装置。
包括导体球292的各向异性导体膜290放置在形成于第一衬底100的衬垫区180中的输入衬垫110、150上后，压COG、COF或FPC的凸起294以连结到衬垫110、150，由此实现一种反射型LCD模块或半透明型LCD模块。
如图6D所示，在根据本实施例的完整的LCD装置中，在第一区170中形成厚度大致为0.5～4.0μm的绝缘层。这种情况下绝缘层在象素区171中具有0.5～4.0μm的厚度，并在围绕象素区的周围区具有2.5～4.0μm的厚度。另外，在衬垫区172中形成厚度大致为0.3～3.0μm的绝缘层。在象素区171的绝缘层部分上形成起伏结构205，并在衬垫区172的绝缘层部分形成敞口176。此时，通过调节第二次曝光时的曝光量，象素区171中绝缘层的厚度可能小于第二区180中绝缘层的厚度。
按照局部曝光过程改进衬垫之间台阶的效果测试
根据本发明第一实施例的方法制造LCD装置。
LCD装置的有机绝缘层具有3.0～4.0μm的厚度。测量没有局部曝光过程和斜曝光过程的衬垫之间的台阶。测量的台阶示于表1。
表1
数据FPC衬垫 第一COG输入衬垫 第二COG输入衬垫 COG输出衬垫
台阶(μm) 3.4 3.4 4.0 3.2
根据图5B所示的方法，通过改变曝光量对COG输入和输出衬垫执行局部曝光过程。执行局部曝光过程后测得的衬垫之间的台阶列于表2。在这种情况下，不对FPC衬垫执行局部曝光过程或狭缝曝光过程。
表2
 局部曝光量(ms)  数据FPC衬垫(μm) 第一COG输入衬垫(μm)  第二COG输入衬垫(μm)   COG输出衬垫(μm)
 2500  3.40 1.36  1.60   1.18
 2600  3.56 1.30  1.58   1.10
 2700  3.40 1.15  1.39   0.96
 2800  3.45 1.10  1.35   0.91
 2900  3.48 1.03  1.26   0.82
 3000  3.46 0.96  1.19   0.75
 3100  3.50 0.90  1.05   0.66
 3200  3.48 0.80  1.00   0.60
如表1和表2所示，COG的输入和输出衬垫大大地降低，并且根据局部曝光量的增大线性地减小。
透镜曝光量相当于2600ms，以用于在作为透镜的绝缘层上形成起伏的结构。在这种透镜曝光量下，当对衬垫区中的绝缘层局部曝光时台阶降低1.1～1.6μm。因此，跟不执行局部曝光的常规制造法相比，第一和第二区之间的台阶降低2.1～2.4μm。
根据本发明，可以通过对单层有机绝缘层或双层有机绝缘层进行曝光和显影来减小衬垫区中有机绝缘层的一部分和邻近衬垫区的有机绝缘层的另一部分之间的高度差。因此，当COG、COF、FPC压到LCD装置的衬垫时，可以大大减少LCD装的衬垫和COG、COF、FPC之间的连结失败。
另外，因为有机绝缘层保留在衬垫之间，同时衬垫之间的台阶大大地降低，所以可以避免LCD装置的衬垫之间的电路短路。
另外，当曝光和显影有机绝缘层以形成接触孔和反射电极时，因为减小了衬垫区中有机绝缘层的一部分与邻近衬垫区的有机绝缘层的另一部分之间的高度差，所以可以不执行其它降低台阶的过程来降低衬垫区中的台阶。
在本发明的上述实施例中，制造了反射型或半透明型LCD装置，但也可以根据本发明的方法制造具有较厚的绝缘层和衬垫电极的任何显示装置。例如，可以通过本发明的上述方法制造透射型LCD装置。
虽然以上参考附图对本发明的优选实施例进行了详细的描述，并且使用了具体地的限度，但本发明并不局限于此，本领域的技术任意在不脱离本发明实质和范围的前提下可以做各种改型。

Claims (29)

1.一种显示装置，包括：
一个具有第一区和第二区的衬底，其中，所述第一区包括一个象素区和一个包围所述象素区的周围区，象素形成在象素区以产生图象，第二区有一个连结到象素的衬垫，用于从外部向象素施加电信号，所述第二区包括所述衬垫和所述衬垫的一周围部分；和
一个形成在第一区和第二区上的绝缘层，其中该绝缘层有一个形成在第二区的敞口以暴露衬垫，所述绝缘层在第二区的一第二厚度小于所述绝缘层在所述周围区的第一厚度。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中所述象素区位于衬底的中心部分，所述周围区位于所述象素区的周围并且所述周围区围绕所述第二区。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中象素包括一个作为开关装置的薄膜晶体管，衬垫包括一个栅极输入衬垫和数据输入衬垫。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中所述绝缘层是有机绝缘层，并且第二厚度为0.3～3.0μm。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中所述绝缘层是有机绝缘层，并且第二厚度和第一厚度之差为2.1～2.4μm。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中在象素区中的绝缘层上形成一种起伏的结构。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中所述绝缘层是有机绝缘层，并且象素区中的绝缘层厚度不超过第一厚度。
8.如权利要求1所述的显示装置，其中所述绝缘层包括形成在第一区中的一第一有机绝缘层和形成在第一及第二区中的第二有机绝缘层，其中第二有机绝缘层包括一个形成在象素区中的起伏结构和一个形成在第二区中的敞口。
9.如权利要求1所述的显示装置，其中所述绝缘层包括：
第一绝缘层图案，具有形成在所述象素区中的一第一绝缘层的反射电极图案和覆盖周围区的第一绝缘层的外围图案；和
一第二绝缘层，具有在象素区中的起伏结构和暴露第二区中衬垫的一个敞口，其中第二绝缘层覆盖第一绝缘层图案，并且第二绝缘层从第一区到第二区连续地形成。
10.一种显示装置，包括：
一个具有一第一区和一第二区的第一衬底，其中所述第一区包括一个处于所述第一衬底的一中心部位的象素区和一个包围所述象素区的周围区，象素形成在象素区以产生图象，在第二区中形成一个连结到象素的衬垫，用于从外部给象素施加一电信号，所述第二区包括所述衬垫和所述衬垫的一周围部分；
一个与所述第一衬底相对的第二衬底；
一个形成在所述第一衬底和所述第二衬底之间的液晶层；和
一个形成在所述第一衬底中心部位的反射电极，所述反射电极具有一由较高和较低部分组成的起伏结构；和
一个有机绝缘层，有机绝缘层形成在所述第一衬底和所述反射电极之间并且形成在第一和第二区之中，其中所述有机绝缘层在第一区的中心部分具有与所述反射电极的所述起伏结构相同的一起伏结构，并在所述第二区中有一个敞口以暴露衬垫，并且，所述有机绝缘层在第二区的一第二厚度小于所述有机绝缘层在所述周围区的一第一厚度。
11.如权利要求10所述的显示装置，其中所述起伏结构包括多个具有较高高度的凸起和多个具有较低高度的凹陷。
12.如权利要求10所述的显示装置，其中第二厚度为0.3～3.0μm。
13.如权利要求10所述的显示装置，其中第二厚度和第一厚度之差为2.1～2.4μm。
14.如权利要求10所述的显示装置，其中所述有机绝缘层在所述象素区中的厚度不大于第一厚度。
15.一种制造显示装置的方法，包括步骤：
在一个衬底的一第一区的一象素区中形成一个象素，所述第一区包括所述象素区和围绕所述象素区的周围区，并在衬底的一第二区中形成一个用于给象素施加一电信号的衬垫，所述第二区包括所述衬垫和所述衬垫的一周围部分；
形成一个绝缘层，其具有在所述第二区中暴露衬垫的敞口，并且其中，该绝缘层形成在所述第一区和所述第二区中，在第二区的绝缘层的一第二厚度小于在所述第一区中的绝缘层的一第一厚度；和
在所述敞口中和形成在所述第二区中的敞口周围的所述绝缘层上形成一个衬垫电极。
16.如权利要求15所述的制造显示装置的方法，其中所述象素区位于衬底的中心部位，并且所述第二区位于衬底的周围区。
17.如权利要求16所述的制造显示装置的方法，其中象素包括一个作为开关装置的薄膜晶体管，衬垫包括一个栅极输入衬垫和一个数据输入衬垫，用于把电信号施加给开关装置。
18.如权利要求15所述的制造显示装置的方法，其中还包括在象素区中绝缘层上形成一个反射电极以及在第二区中的衬垫上形成一个衬垫电极。
19.如权利要求18所述的制造显示装置的方法，其中通过在绝缘层上涂敷由一反射金属组成的一金属层并给金属层形成图案而同时形成反射电极和衬垫电极。
20.如权利要求15所述的制造显示装置的方法，其中形成绝缘层的步骤还包括：
在衬底上形成一个第一绝缘层；
在所述第二区中选择性地除去该第一绝缘层；
在所述第一区和所述第二区中形成一个第二绝缘层；和
对第二绝缘层构图，以在该第二绝缘层中形成一个敞口。
21.如权利要求20所述的制造显示装置的方法，其中第一和第二绝缘层由有机抗蚀剂组成。
22.如权利要求20所述的制造显示装置的方法，其中在所述第二区中除去所述第一绝缘层的步骤还包括：
当把一第一掩模放置在第一绝缘层上之后以一定的曝光量对第一绝缘层完全曝光，以除去第一绝缘层；
对曝光的第一绝缘层显影，和
在第一绝缘层中形成一个用于连结象素的接触孔。
23.如权利要求20所述的制造显示装置的方法，其中对第二绝缘层构图的步骤还包括：
将一第二掩模放置到第二绝缘层上；
在把用于形成敞口的第二掩模放置到第二绝缘层上之后，以一曝光量对第二绝缘层曝光；和
对曝光的第二绝缘层显影，由此在第二绝缘层上形成一起伏结构。
24.如权利要求15所述的制造显示装置的方法，其中形成绝缘层的步骤还包括：
在衬底上形成一个第一绝缘层；
对第一绝缘层构图以在所述象素区中形成绝缘层图案并且选择性地除去所述第二区中的第一绝缘层；
在所述第一区和所述第二区中形成一个第二绝缘层；和
在所述第二区中的第二绝缘层上形成一个敞口。
25.如权利要求24所述的制造显示装置的方法，其中对第一绝缘层构图的步骤还包括：
在第一绝缘层上放置一第一掩模，以用于形成一起伏结构和一个接触孔；
以一定的曝光量对第一绝缘层完全曝光；和
对曝光的第一绝缘层显影。
26.如权利要求25所述的制造显示装置的方法，其中形成敞口的步骤这样执行：在第二绝缘层上放置一第二掩模以形成接触孔和敞口，对第二绝缘层曝光和对曝光的第二绝缘层显影。
27.如权利要求15所述的制造显示装置的方法，其中形成绝缘层的步骤还包括：
在衬底上形成一个有机绝缘层；
以完全曝光量对有机绝缘层首次曝光以除去衬垫上的有机绝缘层，从而在所述第二区中形成一个敞口；
对所述第二区中的有机绝缘层局部曝光；
并通过对曝光的有机绝缘层显影局部地除去在所述第二区中的敞口周围的有机绝缘层。
28.如权利要求27所述的制造显示装置的方法，其中对有机绝缘层首次曝光的步骤这样执行：在有机绝缘层上放置一第一掩模之后，以完全的曝光量对有机绝缘层曝光，用于形成敞口和电连结象素的一接触孔。
29.如权利要求28所述的制造显示装置的方法，其中对有机绝缘层局部曝光的步骤这样执行：以透镜曝光量对有机绝缘层和所述第二区曝光以用于在有机绝缘层上形成反射电极。
CNB011197919A 2001-01-29 2001-05-31 液晶显示装置及其制造方法 Expired - Lifetime CN1258115C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR4087/01 2001-01-29
KR1020010004087A KR100715943B1 (ko) 2001-01-29 2001-01-29 액정표시장치 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1368655A CN1368655A (zh) 2002-09-11
CN1258115C true CN1258115C (zh) 2006-05-31

Family

ID=19705057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB011197919A Expired - Lifetime CN1258115C (zh) 2001-01-29 2001-05-31 液晶显示装置及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6985193B2 (zh)
JP (1) JP4846123B2 (zh)
KR (1) KR100715943B1 (zh)
CN (1) CN1258115C (zh)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100604718B1 (ko) * 1999-07-05 2006-07-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 액정표시장치의 킥백전압 보정방법.
KR100640089B1 (ko) * 2001-02-07 2006-10-31 삼성전자주식회사 반사형 액정 표시 장치 및 그 제조방법
CN100378551C (zh) * 2001-10-22 2008-04-02 三星电子株式会社 液晶显示器及其制造方法
US6882394B2 (en) * 2002-05-30 2005-04-19 Fujitsu-Display Technologies Corporation Reflective liquid crystal display including a step of applying charged particles on the organic resin and film method of manufacturing
CN100458511C (zh) * 2002-12-24 2009-02-04 统宝光电股份有限公司 液晶显示装置
KR20040062074A (ko) * 2002-12-31 2004-07-07 엘지전자 주식회사 광기록재생기용 스윙 암 조립체의 에프피시비 고정구조
US8125601B2 (en) * 2003-01-08 2012-02-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Upper substrate and liquid crystal display device having the same
KR100602062B1 (ko) * 2003-04-03 2006-07-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수평 전계 인가형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
TW200531284A (en) 2003-07-29 2005-09-16 Samsung Electronics Co Ltd Thin film array panel and manufacturing method thereof
KR100935673B1 (ko) 2003-09-05 2010-01-07 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
KR101209489B1 (ko) * 2003-08-22 2012-12-07 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR100546668B1 (ko) 2003-09-08 2006-01-26 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 디스플레이 패널 제조 방법
KR100561646B1 (ko) * 2003-10-23 2006-03-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101006438B1 (ko) 2003-11-12 2011-01-06 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR101024651B1 (ko) * 2004-06-05 2011-03-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 모기판 및 그 제조 방법
KR100968339B1 (ko) 2004-06-30 2010-07-08 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2006047827A (ja) * 2004-08-06 2006-02-16 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置およびその製造方法
JP2006178426A (ja) * 2004-11-24 2006-07-06 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置および表示装置の製造方法
JP4916666B2 (ja) * 2005-01-12 2012-04-18 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
KR101119196B1 (ko) * 2005-02-16 2012-03-22 삼성전자주식회사 표시장치 및 이의 제조 방법
JP2006309028A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 表示装置および表示装置の製造方法
JP4662350B2 (ja) 2005-07-21 2011-03-30 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP2007047533A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置及び電子機器
KR100709255B1 (ko) * 2005-08-11 2007-04-19 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100742376B1 (ko) 2005-09-30 2007-07-24 삼성에스디아이 주식회사 패드부 및 그 제조 방법
US7602199B2 (en) * 2006-05-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Mini-prober for TFT-LCD testing
US7786742B2 (en) * 2006-05-31 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Prober for electronic device testing on large area substrates
US20070290375A1 (en) * 2006-06-01 2007-12-20 Chin-Hai Huang Active device array mother substrate
KR101296652B1 (ko) * 2007-06-27 2013-08-14 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 패드부 및 그의 제조방법
JP2009031362A (ja) * 2007-07-24 2009-02-12 Mitsubishi Electric Corp 配線基板、その製造方法、及び表示装置
JP4485559B2 (ja) 2007-09-26 2010-06-23 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
KR101346921B1 (ko) * 2008-02-19 2014-01-02 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
CN101556414B (zh) * 2008-04-10 2011-08-24 北京京东方光电科技有限公司 半透明半反射式液晶显示器阵列基板及其制造方法
US8329060B2 (en) * 2008-10-22 2012-12-11 General Electric Company Blue-green and green phosphors for lighting applications
KR101593538B1 (ko) 2009-04-09 2016-02-29 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판의 제조 방법과 이에 의한 박막트랜지스터 기판
CN101562162B (zh) * 2009-05-12 2013-01-09 南通华科知识产权服务有限公司 一种平板显示装置焊盘结构
KR101591476B1 (ko) 2009-10-19 2016-02-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
CN107886916B (zh) * 2009-12-18 2021-09-21 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及其驱动方法
WO2012127779A1 (ja) * 2011-03-24 2012-09-27 パナソニック株式会社 フレキシブル半導体装置及びその製造方法
CN102812541B (zh) * 2011-03-24 2016-02-03 松下知识产权经营株式会社 挠性半导体装置及其制造方法、以及使用挠性半导体装置的图像显示装置及其制造方法
CN102314009A (zh) * 2011-09-09 2012-01-11 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示模组及液晶显示面板
US8772083B2 (en) * 2011-09-10 2014-07-08 Ati Technologies Ulc Solder mask with anchor structures
US8618675B2 (en) * 2011-10-26 2013-12-31 Continental Automotive Systems, Inc. Thin semiconductor die package
TWI531835B (zh) * 2011-11-15 2016-05-01 友達光電股份有限公司 顯示面板
KR102423443B1 (ko) * 2016-01-15 2022-07-21 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 액정표시장치의 제조 방법
KR102508527B1 (ko) 2016-07-01 2023-03-09 삼성전자주식회사 필름형 반도체 패키지
KR102079606B1 (ko) * 2017-12-12 2020-02-20 동우 화인켐 주식회사 패드 연결 구조물 및 이를 포함하는 터치 센서
CN112071819B (zh) * 2019-06-11 2023-05-16 群创光电股份有限公司 电子装置
US11978743B2 (en) * 2020-12-01 2024-05-07 Everdisplay Optronics (Shanghai) Co., Ltd TFT array substrate and display panel including the same

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0823641B2 (ja) * 1988-02-10 1996-03-06 株式会社精工舎 非晶質シリコン薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法
EP0536898B1 (en) 1991-09-10 1997-07-02 Sharp Kabushiki Kaisha Reflection type liquid crystal display device and method of manufacturing the same
TW540747U (en) 1992-02-19 2003-07-01 Sharp Kk A reflective substrate and a liquid crystal display device using the same
JP3098345B2 (ja) * 1992-12-28 2000-10-16 富士通株式会社 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法
JPH06250200A (ja) * 1993-02-25 1994-09-09 Kyocera Corp 液晶表示装置
US5610741A (en) 1994-06-24 1997-03-11 Sharp Kabushiki Kaisha Reflection type liquid crystal display device with bumps on the reflector
KR0145900B1 (ko) * 1995-02-11 1998-09-15 김광호 박막 트랜지스터 액정디스플레이 소자 및 그 제조방법
EP0775931B1 (en) * 1995-11-21 2005-10-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing a liquid crystal display
JPH10274779A (ja) * 1997-03-31 1998-10-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示パネルおよびその製造方法
KR100262953B1 (ko) * 1997-06-11 2000-08-01 구본준 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법
JP3320644B2 (ja) 1997-11-05 2002-09-03 松下電器産業株式会社 半導体装置
JP4017754B2 (ja) * 1998-07-07 2007-12-05 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP4278745B2 (ja) * 1998-12-02 2009-06-17 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 カラー液晶パネルの製造方法
KR100421901B1 (ko) * 1998-12-10 2004-04-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형액정표시장치의반사판
FR2792231B1 (fr) 1999-04-16 2001-06-15 Andreas Kogler Materiau de garnissage
KR100612990B1 (ko) * 1999-06-30 2006-08-14 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100394069B1 (ko) * 1999-09-01 2003-08-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시패널의 고유번호 표시부의 구조 및 그 제조방법
KR100498630B1 (ko) * 1999-09-01 2005-07-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
US6985193B2 (en) 2006-01-10
US20020145694A1 (en) 2002-10-10
CN1368655A (zh) 2002-09-11
JP4846123B2 (ja) 2011-12-28
KR100715943B1 (ko) 2007-05-08
KR20020063424A (ko) 2002-08-03
JP2002229058A (ja) 2002-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1258115C (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN1258114C (zh) 液晶显示器及其制造方法
CN1258117C (zh) 用于液晶显示器的薄膜晶体管及其制造方法
CN1165970C (zh) 供液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN1293609C (zh) 薄膜的光刻方法
CN1605918A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN1992291A (zh) 薄膜晶体管基板及其制造方法
CN1808252A (zh) 薄膜晶体管阵列面板和包括该面板的液晶显示器
CN1229677C (zh) 半透射型显示器件的制造方法和半透射型显示器件
CN1707338A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN101059633A (zh) 用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
CN1904702A (zh) 液晶显示器及其制造方法
CN1716062A (zh) 液晶显示器件的阵列基板的制造方法
CN1892385A (zh) 液晶显示器及其制造方法
CN1451996A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和掩模
CN1707341A (zh) 透反射式液晶显示器件及其制造方法
CN1495477A (zh) 显示器基板、液晶显示器和制造该液晶显示器的方法
CN100346217C (zh) 反射式液晶显示装置及其制造方法
CN1991456A (zh) 液晶显示器及其制造方法
CN1808719A (zh) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN1201183C (zh) 电光装置及其制造方法、电子设备
CN1940661A (zh) 液晶显示器及其制造方法
CN1790140A (zh) 薄膜晶体管阵列面板及其修理方法
CN1758126A (zh) 液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板
CN1885549A (zh) 电光显示装置及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG MONITOR CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Effective date: 20121029

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20121029

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: Samsung Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: Samsung Electronics Co., Ltd.

CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20060531