JP4916666B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は表示装置に係り、たとえば液晶表示装置に関する。

たとえば液晶表示装置は、その基板の液晶側の面に有機材料膜を形成する場合がある。
表示部の各画素は、導電膜、半導体膜、あるいは絶縁膜等をいわゆるフォトリソグラフィ技術による選択エッチング方法によって所定のパターンにし、かつ所定の順序で積層させて形成され、前記絶縁膜の一つとして有機材料膜を選択する場合があるからである。

有機材料膜は、それを塗布によって形成することができることから表面を平坦化できる効果を有するとともに、誘電率が小さいことから該有機材料層の上下面にそれぞれ形成される信号線の間に発生する寄生容量を小さくできる等の効果を奏する。

この場合、信号線は表示部の領域外にまで延在されて端子部に至るように構成されるとともに、絶縁膜も表示部の領域外にまで延在されて該信号線を保護するように構成されている。

前記端子部は、前記絶縁膜に形成される開口によって前記信号線の一部を露出させ、この露出部を被うようにして導電膜が形成されることによって構成される。

このような技術は下記の特許文献１あるいは特許文献２に開示されたものとなっている。また、特許文献１では、表示部の領域外にまで延在させる絶縁膜としては無機材料膜が用いられ、表示部内に形成される有機材料膜は表示部の領域外にまでは延在させていない構成が開示されている。さらに、特許文献２では有機材料膜は他の無機材料膜とともに表示部の領域外にまで延在させている構成が開示されている。

特開２０００−１７１８１７号公報 特開２００３−１６７２５８号公報

しかし、特許文献１に開示された表示装置は、その表示部の領域外にまで延在された信号線が比較的膜厚の小さな無機材料膜によってのみ被われた構成となっているため、信号線の保護が充分でないという不都合が指摘されるに至った。

すなわち、上述のように無機材料膜は表示部の領域外にまで至っていない構成となっているため、この部分における無機材料膜を選択除去する際に、前記無機材料膜に欠陥があった場合に前記信号線に損傷が生じることになる。

また、特許文献２に開示された表示装置は、有機材料膜が表示部の領域外にまで延在されているため上述のような不都合が生じないが、有機材料膜の膜厚が比較的厚いために端子部に形成する開口において信号線の露出面と該有機材料膜の表面の段差が大きくなってしまうのを免れず、この端子部において他の電子部品との接続に信頼性を確保できないという不都合が指摘されるに至った。

すなわち、他の電子部品との接続をたとえば異方性導電膜を介して圧着で行う場合、該異方性導電膜に生じる圧力に大きなばらつきが生じ、接続不良が生じ易くなる。

本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、信号線の保護が充分になされ、他の電子部品との接続に信頼性を備える表示装置を提供することにある。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

（１）本発明による表示装置は、たとえば、基板の液晶側の面の表示部に信号線とこの信号線を被って上層側に形成された有機絶縁膜とを有し、
前記信号線は前記表示部の領域外に延在されているとともに、前記有機絶縁膜は前記表示部の領域外にその膜厚が小さくなって延在され、
膜厚が小さくなっている前記有機絶縁膜に形成された開口によって露出される前記信号線の一部を被うようにして導電膜が形成され、
前記有機絶縁膜はその開口の周辺の表面が凹凸面となっており、
前記導電膜は、前記有機絶縁膜の開口から露出された前記信号線の一部から該開口の側壁面を経て前記有機絶縁膜の表面の凹凸面に至って延在されて形成されており、
前記信号線は、少なくとも前記導電膜との接触部に凹凸面が形成され、
前記信号線の凹凸面の凹面あるいは凸面は、前記信号線の走行方向と交差し該信号線の走行方向に並設されていることを特徴とする。

（２）本発明による表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記信号線の凹凸面の凹面あるいは凸面は互いの間隙および幅が均一でないことを特徴とする。

（３）本発明による表示装置は、たとえば、（２）の構成を前提とし、前記信号線の凹凸面の凹面および凸面は“く”の字形のパターンをなしていることを特徴とする。

なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

以下、図面を用いて本発明による表示装置の実施例について説明をする。

図７（ａ）は、本発明による表示装置の一態様である液晶表示装置の一実施例を示す概略平面図である。

透明基板ＳＵＢ１の主表面に液晶を介して対向配置される透明基板ＳＵＢ２がある。透明基板ＳＵＢ１は透明基板ＳＵＢ２よりも若干大きめに形成され、該透明基板ＳＵＢ２と対向しない部分には電子回路（後述の半導体チップＶＣＰ、ＨＣＰ）が搭載されるようになっている。

透明基板ＳＵＢ１に対する透明基板ＳＵＢ２は、該透明基板ＳＵＢ２の周辺に形成されたシール材ＳＬによって固定されている。このシール材ＳＬは透明基板ＳＵＢ１と透明基板ＳＵＢ２によって挟持される液晶を封止する機能をも兼ねている。

また、このシール材ＳＬによって囲まれる領域は液晶表示部ＡＲとして機能し、この液晶表示部ＡＲ内にはマトリックス状に配置された多数の画素が形成されるようになっている。

すなわち、透明基板ＳＵＢ１の主表面（液晶側の面）の液晶表示部ＡＲには、図中ｘ方向に延在されるゲート信号線ＧＬがｙ方向に多数並設されている。このゲート信号線ＧＬの一端側（図中、左側）は前記シール材ＳＬを越えて該シール材ＳＬの外側にまで延在されて構成され、その延在端にはゲート信号端子ＧＬＴが形成されている。

各ゲート信号線ＧＬは隣接するもの同士を１グループとし、これら各グループ内のゲート信号線ＧＬはシール材ＳＬを越えて延在される過程においてそれらが互いに収斂するように形成されて前記ゲート信号端子ＧＬＴに至るようになっている。

前記各グループのゲート信号端子ＧＬＴは走査信号駆動回路からなる１つの半導体チップＶＣＰの出力バンプに接続されるようになっている。前記ゲート信号線ＧＬの上述した収斂はゲート信号線ＧＬ同士の離間距離が前記半導体チップＶＣＰの出力バンプ同士の離間距離よりも大きいことによる。

なお、前記半導体チップＶＣＰの入力バンプに接続される端子も透明基板ＳＵＢ１面に形成され、この端子は該透明基板ＳＵＢ１の周辺から信号が供給されるようになっている。

この場合、半導体チップＶＣＰの各バンプと透明基板ＳＵＢ１における各端子の接続は異方性導電膜によってなされている。異方性導電膜はたとえば樹脂膜に多数の導電粒子を散在させて構成されたものである。

また、透明基板ＳＵＢ１の主表面（液晶側の面）の液晶表示部ＡＲには、図中ｙ方向に延在されるドレイン信号線ＤＬがｘ方向に多数並設されている。このドレイン信号線ＤＬの一端側（図中、上側）は前記シール材ＳＬを越えて該シール材ＳＬの外側にまで延在されて構成され、その延在端にはドレイン信号端子ＤＬＴが形成されている。

各ドレイン信号線ＤＬは隣接するもの同士を１グループとし、これら各グループ内のドレイン信号線ＤＬはシール材ＳＬを越えて延在される過程においてそれらが互いに収斂するように形成されて前記ドレイン信号端子ＤＬＴに至るようになっている。

前記各グループのドレイン信号端子ＤＬＴは映像信号駆動回路からなる１つの半導体チップＨＣＰの出力バンプに接続されるようになっている。前記ドレイン信号線ＤＬの上述した収斂はドレイン信号線ＤＬ同士の離間距離が前記半導体チップＨＣＰの出力バンプ同士の離間距離よりも大きいことによる。

なお、前記半導体チップＨＣＰの入力バンプに接続される端子も透明基板ＳＵＢ１面に形成され、この端子は該透明基板ＳＵＢ１の周辺から信号が供給されるようになっている。

この場合、半導体チップＶＣＰの各バンプと透明基板ＳＵＢ１における各端子の接続は異方性導電膜によってなされている。

ここで、ゲート信号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬとで囲まれる領域は画素領域として形成されるようになっている。

図７（ｂ）は、互いに隣接するゲート信号線ＧＬと互いに隣接するドレイン信号線ＤＬとで囲まれた画素領域内の構成を等価回路で示している。

ゲート信号線ＧＬからの信号（走査信号）の供給によってオンする薄膜トランジスタＴＦＴを有し、ドレイン信号ＤＬからの信号（映像信号）は該薄膜トランジスタＴＦＴを介して画素電極ＰＸに供給されるようになっている。

画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間には該映像信号に応じた電界が発生し、この電界によってその大きさに応じた液晶を挙動させるようになっている。なお、図中において対向電極ＣＴは画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１とは異なる他の透明基板ＳＵＢ２側に形成されているため図示されていないものとなっている。

また、当該画素領域を間にして配置される各ゲート信号線ＧＬのうち該画素領域の薄膜トランジスタＴＦＴを駆動するゲート信号線ＧＬと異なる他のゲート信号線ＧＬと画素電極ＰＸとの間には容量素子Ｃａｄｄが形成され、この容量素子Ｃａｄｄによって該画素電極ＰＸに供給された映像信号を比較的長い時間蓄積させるようになっている。

図１は、図７に示す液晶表示装置の断面図を示すもので、前記ゲート信号線ＧＬの走行方向に沿った断面図で、そのゲート信号端子ＧＬＴの部分をシール材ＳＬ近傍の部分をも含めて示している。

図７における説明と重複する部分を有するが、図１に示す構成を説明する。まず、透明基板ＳＵＢ１がある。この透明基板ＳＵＢ１の主表面（液晶側の面）には、まずゲート信号線ＧＬが形成されている。

このゲート信号線ＧＬは液晶表示部ＡＲ（透明基板ＳＵＢ２と対向する部分）側からシール材ＳＬを越えて透明基板ＳＵＢ１の周辺にまで延在されて形成されている。この延在されたゲート信号線ＧＬの一端部はゲート信号端子ＧＬＴが形成される部分となっている。

そして、透明基板ＳＵＢ１の主表面には該ゲート信号線ＧＬをも被って絶縁膜ＩＮＳが形成され、この絶縁膜ＩＮＳはシール材ＳＬを越え該シール材ＳＬの外方にも延在されて形成されている。この絶縁膜は通常の場合上述した薄膜トランジスタＴＦＴ（図示せず）のゲート絶縁膜として形成される。

また、この絶縁膜ＩＮＳの上面に保護膜ＯＰＡＳが形成されている。この保護膜ＯＰＡＳは樹脂膜で構成され、それをたとえば塗布等で形成される利点を活かして表面を平坦化したい場合、あるいは絶縁膜としての誘電率を低減させたい要望がある場合等に用いられる。なお、この保護膜ＯＰＡＳの下層であって絶縁膜ＩＮＳの上面にはドレイン信号線ＤＬ、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極等が形成されている。

ここで、保護膜ＯＰＡＳは、シール材ＳＬを越え該シール材ＳＬの外方にも延在されて形成されている。そして、シール材ＳＬを越えて若干延在した部分で段差部ＳＴを有してその膜厚が小さくなって形成され、その状態が透明基板ＳＵＢ１の周辺にまで及んでいる。

前記段差部ＳＴは、図７（ａ）に示すように、透明基板ＳＵＢ２の近接する辺とほぼ平行になって形成され、該透明基板ＳＵＢ２から露出された透明基板ＳＵＢ１の表面において該保護膜ＯＰＡＳは液晶表示部ＡＲの保護膜ＯＰＡＳよりも薄く形成されている。この部分においては半導体チップＨＣＰ、ＶＣＰが並設されて配置されるからである。

さらに、このように膜厚が小さくなった保護膜ＯＰＡＳの表面には微細な凹凸が形成されて構成されている。この凹凸は膜厚が小さくなった保護膜ＯＰＡＳの表面の全域に形成されていてもよいが、少なくともゲート信号端子ＧＬＴの形成部の周辺に形成されている必要がある。

保護膜ＯＰＡＳに形成される前記凹凸面は、段差部ＳＴを境にして膜厚を小さくする部分を選択エッチングする際のマスク（フォトレジスト）を形成する際において、その選択露光にあっていわゆるハーフ露光を用いることによって容易に形成することができる。

該ゲート信号端子ＧＬＴは、保護膜ＯＰＡＳおよび絶縁膜ＩＮＳに設けられた開口によって露出された前記ゲート信号線ＧＬの一部および該開口の側壁面を被うように形成された導電膜ＣＤＭを端子とすることによって形成されている。なお、前記導電膜ＣＤＭの材料としてはたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を用いることにより、該材料自体が酸化され難いため、いわゆるゲート信号線ＧＬの電食を回避できる効果を有する。

液晶表示部ＡＲにおける保護膜ＯＰＡＳ上の各画素領域には画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸは保護膜ＯＰＡＳに形成されコンタクトホール（図示せず）を通して前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極（ドレイン信号線ＤＬと接続される電極と異なる他方の電極）に接続されている。なお、この画素電極ＰＸはたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等からなる透光性の導電膜から構成されている。

液晶表示部ＡＲには、液晶ＬＣを介して透明基板ＳＵＢ２がシール材ＳＬによって透明基板ＳＵＢ１に固定されている。そして、透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面には各画素に共通に対向電極ＣＴが形成され、この対向電極ＣＴはたとえばＩＴＯ等からなる透光性の導電膜から構成されている。

このように構成した液晶表示装置は、上述したように、その保護膜ＯＰＡＳにおいて液晶表示部ＡＲからシール材ＳＬを越えて若干延在した部分で段差部ＳＴを有してその膜厚が小さくなって形成され、その状態が透明基板ＳＵＢ１の周辺にまで及んでいる。

ここで、膜厚を小さくした理由は、この部分の保護膜ＯＰＡＳにおいてゲート信号線ＧＬの一部を露出させる開口を形成し、少なくとも露出されたゲート信号線ＧＬを被って導電膜ＣＤＭを形成することになるが、この導電膜ＣＤＭの表面と保護膜ＯＰＡＳの表面との高さの差が大きくなるのを回避せんとすることにある。

すなわち、このようにして形成されるゲート信号端子ＧＬＴは異方性導電膜（図示せず）を介して半導体チップＶＣＰの出力バンプに接続されるようになるが、前記導電膜ＣＤＭの表面と保護膜ＯＰＡＳの表面との高さの差が大きい場合、前記異方性導電膜の圧着の際の圧力のかかり方に大きなばらつきが生じ半導体チップＶＣＰとの接続不良が生じ易くなるのを防止せんとするためである。

さらに、上述したように、保護膜ＯＰＡＳの膜厚が小さくなっている部分においてその表面に凹凸が形成されて構成されている。この場合、ゲート信号端子ＧＬＴは、たとえば、その周辺において保護膜ＯＰＡＳから剥がれ等のないものとして信頼性よく形成される効果を奏する。その理由は、前記導電膜をいわゆるフォトリソグラフィ技術による選択エッチングによって形成するが、その際に用いられるフォトレジストは該保護膜ＯＰＡＳの表面に形成された凹凸によって該保護膜ＯＰＡＳに強固な密着性が図れることになる。このことは、該フォトレジストにおいて特にゲート信号端子ＧＬＴの形成部に相当する開口付近における保護膜ＯＰＡＳとの剥がれ等が生じにくくなり、該フォトレジストのマスクとしての信頼性が向上できるからである。

また、図２は、本発明による表示装置の他の実施例を示す図で、図１に対応した図となっている。図１と異なる構成は導電膜ＣＤＭにあり、この導電膜ＣＤＭはその周辺が保護膜ＯＰＡＳの表面にまで延在され、その延在部は保護膜ＯＰＡＳの表面に形成された凹凸面上に形成されている。このようにした場合、該導電膜ＣＤＭは保護膜ＯＰＡＳの表面において前記凹凸面によって当接領域が拡大され、該保護膜ＯＰＡＳに対して密着力を向上させることができる。そして、このように構成された導電膜ＣＤＭは保護膜ＯＰＡＳおよび絶縁膜ＩＮＳを介して広い範囲にわたりゲート信号線ＧＬのゲート信号端子ＧＬＴの周辺を被うことになるため、該ゲート信号端子ＧＬＴの周辺をたとえば不純物の侵入にたいして保護する遮蔽膜としての機能を有するようになる。

さらに、図３は、本発明による表示装置の他の実施例を示す図で、図２に対応した図となっている。図１と異なる構成は導電膜ＣＤＭにあり、この導電膜ＣＤＭはその周辺がさらに延在され、保護膜ＯＰＡＳの上述した段差部ＳＴにまで至って形成されている。このようにした場合、図２に示した効果をさらに増大させる効果を奏する。

なお、図１から図３の各図において、そのいずれも、半導体チップＶＣＰの入力バンプに接続される端子の構成を省略したものとなっているが、該端子は上述したゲート信号端子と同様な構成となっているとともに、上述した本願発明が適用されていることはもちろんである。半導体チップＣＶＰの各バンプにおいて接続の信頼性を向上させるためだからである。

図４は、上述したゲート信号端子ＧＬＴのさらなる改良を施した他の実施例を示す図で、図４（ａ）は平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のｂ−ｂ線における断面図である。

図４において、導電膜ＣＤＭのうちゲート信号線ＧＬと接触する部分において、たとえばゲート信号線ＧＬの走行方向と直交する方向に延在する凸面部ＨＰが複数その幅をほぼ同じくしてほぼ等間隔に並設されている。結果として各凸面部ＨＰの間には凹面部ＬＰが形成されることになるが、これら凸面部ＨＰおよび凹面部ＬＰが交互に配置された構成となっている。すなわち、ゲート信号線ＧＬと導電膜ＣＤＭの接触面はゲート信号線ＧＬの走行方向に波うつようになっており、その表面積が該凸面部ＨＰおよび凹面部ＬＰがないものと比べて極めて大きくなっている。

このため、ゲート信号線ＧＬに対する導電膜ＣＤＭの接着性を向上でき、電気的接続の安定化と低抵抗化を図ることができる。

なお、前記凸面部ＨＰあるいは凹面部ＬＰはゲート信号線ＧＬをパターン化して形成する際に、その部分をいわゆるハーフ露光することにより容易に形成することができる。

図５は、前記ゲート信号端子ＧＬＴの他の実施例を示す図で、図４と対応した図となっている。

図４の場合と比較して異なる構成は、たとえば並設される凸面部ＨＰはその並設方向に間隙を異ならしめて配列されているとともに、その幅も変化させたものとなっている。

上述のように凸面部ＨＰあるいは凹面部ＬＰをハーフ露光で形成する場合において、この部分におけるフォトマスクは遮光部と光透過部の規則的な繰り返しパターンとなるものであるが、これらの間隙および幅が等しいと光の干渉が生じ、所望の形状の凹凸面が形成されないことから、遮光部と光透過部の間隙および幅を一様にすることを回避するようにしたものである。このようにした場合、結果として図５に示すパターンで凸面部ＨＰあるいは凹面部ＬＰが形成されることになる。

さらに、図６は、前記ゲート信号端子ＧＬＴの他の実施例を示す図で、図４（ａ）あるいは図５（ａ）と対応した図となっている。

図４（ａ）あるいは図５（ａ）と比較した場合に異なる構成は、ゲート信号線ＧＬの走行方向に交差して形成される凸面部ＨＰあるいは凹面部ＬＰは、該ゲート信号線ＧＬの仮想の中心軸の部分で屈曲されて形成されて“く”の字形状となっていることにある。この場合においてもゲート信号線ＧＬと導電膜ＣＤＭとの接着性に信頼性をもたせることができるようになる。

なお、上述した実施例では、液晶をその層厚方向に該液晶を挟持するようにして配置された一対の電極によって駆動させる構成のものについて説明したものであるが、液晶の広がり方向に並設させた一対の電極によって駆動させる構成の表示装置においても同様に適用できることはいうまでもない。

図８（ａ）は後者における構成からなる表示装置の平面図を示し、図７（ａ）と対応した図となっている。

図７（ａ）と比較して異なる構成は、まず、透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面に対向電圧信号線ＣＬを備えて形成され、この対向電圧信号線ＣＬを介して供給される対向電圧信号が各画素の対向電極ＣＴに供給されるようになっている。該対向電圧信号線ＣＬは図中ｘ方向に並設される各画素に共通に形成されているとともに、他の対向電圧信号線ＣＬとたとえば図中右端で共通に接続され、その接続信号線はシール材ＳＬを越えて対向電圧信号端子ＣＬＴに接続されている。

対向電極ＣＴは、図８（ｂ）に示すように、画素電極ＰＸと並設されて形成されている。図８（ｂ）では、それが等価回路であるため図示されていないが、実際にはそれぞれ複数からなり、透明基板ＳＵＢ１の各画素領域において、それらの電極が交互に配置されたいわゆる櫛歯パターンとして構成される。

また、対向電極ＣＴ（あるいは画素電極ＰＸ）を少なくとも画素領域の全域に形成し、ストライプ状からなる複数の画素電極ＰＸ（あるいは対向電極ＣＴ）を絶縁膜を介して前記対向電極ＣＴ（あるいは画素電極ＰＸ）と重畳して配置される構成も採用できる。

画素電極ＰＸと対向電圧信号線ＣＬとの間には容量素子Ｃｓｔｇが形成されており、上述した容量素子Ｃａｄｄと同様な機能を有する。

なお、透明基板ＳＵＢ１面に形成される前記対向電圧信号線ＣＬは、たとえばゲート信号線ＧＬと同一の層で形成される場合があり、その端子はゲート信号端子ＧＬＴと同様の構成となることから、この端子においても上述した実施例をそのまま適用することができる。

また、上述した各実施例では、ゲート信号端子ＧＬＴについて説明したものである。しかし、ドレイン信号端子ＤＬＴについても同様に上述した構成を適用することができる。

ドレイン信号線ＤＬは絶縁膜ＩＮＳと保護膜ＯＰＡＳとの間に配置され、そのドレイン信号端子ＤＬＴは該保護膜ＯＰＡＳの開口によって露出されるドレイン信号線ＤＬの一部を被うようにして導電膜を形成して構成され、ゲート信号端子ＧＬＴの場合に前記絶縁膜ＩＮＳがゲート信号線ＧＬの上層に位置づけられるという構成の違いを除き、ゲート信号端子ＧＬＴの場合と同様の構成を採用するからである。

さらに、上述した各実施例では、液晶表示装置を例に揚げて説明したが、たとえば有機ＥＬ表示装置にも適用できることはいうまでもない。

有機ＥＬ表示装置においてもゲート信号線ＧＬおよびドレイン信号線ＧＬと同機能を有する信号線を用い、絶縁膜として有機材料膜を用いる場合があるからである。

また、有機ＥＬ表示装置は、前記信号線の他に各画素の有機ＥＬ素子に電源を供給する電源供給信号線も備えるが、その端子においても本願発明を適用できることはいうまでもない。

上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。

本発明が適用される液晶表示装置の一実施例を示す部分断面図である。 本発明が適用される液晶表示装置の他の実施例を示す部分断面図である。 本発明が適用される液晶表示装置の他の実施例を示す部分断面図である。 本発明が適用される液晶表示装置のゲート信号端子の一実施例を示す平面図および断面図である。 本発明が適用される液晶表示装置のゲート信号端子の他の実施例を示す平面図および断面図である。 本発明が適用される液晶表示装置のゲート信号端子の他の実施例を示す平面図および断面図である。 本発明が適用される液晶表示装置の一実施例である概略平面図とその画素における等価回路を示した図である。 本発明が適用される液晶表示装置の他の実施例である概略平面図とその画素における等価回路を示した図である。

符号の説明

ＳＵＢ１，ＳＵＢ２…透明基板、ＬＣ…液晶、ＳＬ…シール材、ＧＬ…ゲート信号線、ＩＮＳ…絶縁膜、ＯＰＡＳ…保護膜、ＰＸ…画素電極、ＣＴ…対向電極、ＧＬＴ…ゲート信号端子、ＳＴ…段差部、ＣＤＭ…導電膜、ＨＰ…凸面部、ＬＰ…凹面部

Claims (3)

1. 基板の液晶側の面の表示部に信号線とこの信号線を被って上層側に形成された有機絶縁膜とを有し、
   前記信号線は前記表示部の領域外に延在されているとともに、前記有機絶縁膜は前記表示部の領域外にその膜厚が小さくなって延在され、
   膜厚が小さくなっている前記有機絶縁膜に形成された開口によって露出される前記信号線の一部を被うようにして導電膜が形成され、
   前記有機絶縁膜はその開口の周辺の表面が凹凸面となっており、
   前記導電膜は、前記有機絶縁膜の開口から露出された前記信号線の一部から該開口の側壁面を経て前記有機絶縁膜の表面の凹凸面に至って延在されて形成されており、
   前記信号線は、少なくとも前記導電膜との接触部に凹凸面が形成され、
   前記信号線の凹凸面の凹面あるいは凸面は、前記信号線の走行方向と交差し該信号線の走行方向に並設されていることを特徴とする表示装置。
2. 前記信号線の凹凸面の凹面あるいは凸面は互いの間隙および幅が均一でないことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記信号線の凹凸面の凹面および凸面は“く”の字形のパターンをなしていることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。

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