KR100450701B1 - 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 상부기판을 절단하기 위한 스크라이브/브레이크(scribe break)공정 중 하부기판에 형성된 신호배선이 손상되는 것을 방지하기 위한 액정표시장치용 어레이기판의 구성에 관한 것이다.
본 발명은 구동부에 구성된 패드전극과 신호배선을 연결하는 연결배선들 사이에 보상패턴을 구성한 제 1 어레이기판 구성과, 상기 연결배선을 이중으로 구성한 제 2 어레이기판 구성을 제안한다.
전술한 바와 같은 구성은 상부기판을 절단하는 공정 중 상기 절단면의 하부에 구성된 연결배선의 단선확률을 줄이고 특히, 제 2 어레이기판 구성은 상기 연결배선이 단선 되어도 상기 더미배선을 통해 신호의 흐름이 원활히 이루어질 수 있도록 한다.

Description

액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법{The substrate for LCD and method for fabricating the same}
본 발명은 액정표시장치(LCD)에 관한 것으로 특히, 상부기판을 일부 절단하는 공정 중 하부기판에 형성된 신호배선의 단선발생이 최소화 되도록 하는 구성과, 신호배선이 단선되는 경우가 발생하더라도 신호의 흐름이 정상적으로 이루어지도록 하는 구성을 포함한 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다. 상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의해 상기 액정의 분자배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상을 표시한다.
상기 액정표시장치는 공통전극이 형성된 컬러필터 기판(상부기판)과 화소전극이 형성된 어레이기판(하부기판)과, 상부 및 하부기판 사이에 충진된 액정으로 이루어지는데, 이러한 액정표시장치에서는 공통전극과 화소전극이 상-하로 걸리는 전기장에 의해 액정을 구동하는 방식이고, 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하다.
현재에는 박막트랜지스터와 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬방식으로 배열된 능동행렬 액정표시장치(AM-LCD : Active Matrix LCD)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
이하, 도 1을 참조하여 능동행렬 액정표시장치를 개략적으로 설명한다.
도 1은 능동행렬 액정표시장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 액정표시장치는 블랙매트릭스(6)와 서브컬러필터(적, 녹,청)(8)를 포함한 컬러필터(7)와, 컬러필터 상에 투명한 공통전극(18)이 형성된 상부기판(5)과, 화소영역(P)과 화소영역 상에 형성된 화소전극(17)과 스위칭소자(T)를 포함한 어레이배선이 형성된 하부기판(22)으로 구성되며, 상기 상부기판(5)과 하부기판(22) 사이에는 액정(14)이 충진되어 있다.
상기 하부기판(22)은 어레이기판이라고도 하며, 스위칭 소자인 박막트랜지스터(T)가 매트릭스형태(matrix type)로 위치하고, 이러한 다수의 박막트랜지스터를 교차하여 지나가는 게이트배선(13)과 데이터배선(15)이 형성된다.
상기 화소영역(P)은 상기 게이트배선(13)과 데이터배선(15)이 교차하여 정의되는 영역이다. 상기 화소영역(P)상에 형성되는 화소전극(17)은 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명도전성 금속을 사용한다.
전술한 바와 같은 구성에서, 상기 게이트 배선(13)과 데이터 배선(15)의 끝단에는 소정의 면적으로 구성된 게이트 패드전극(24)과 데이터 패드전극(26)이 구성된다.
상기 각 패드전극(24, 26)은 외부의 신호를 직접 입력받게 되고, 상기 입력된 신호는 각 배선을 통해 상기 스위칭 소자(T)에 전달된다.
전술한 바와 같은 액정표시장치의 제작순서를 도 2를 참조하여 설명한다.
도 2는 일반적으로 적용되는 액정 셀의 제작 공정을 도시한 흐름도이다.
st1 단계에서는 먼저 하부기판을 준비한다. 상기 하부기판에는 스위칭 소자로 다수개의 박막 트랜지스터(TFT)가 배열되어 있고, 상기 TFT와 일대일 대응하게화소전극이 형성되어 있다.
st2 단계는 상기 하부기판 상에 배향막을 형성하는 단계이다.
상기 배향막(Alignment layer)형성은 고분자 박막의 증착과 러빙(Rubbing)공정을 포함한다. 상기 고분자 박막은 통상 배향막이라 하며, 하판 상의 전체에 균일한 두께로 증착되어야 하고, 러빙(rubbing)또한 균일해야 한다.
상기 러빙은 액정의 초기 배향방향을 결정하는 주요한 공정으로, 상기 배향막의 러빙에 의해 정상적인 액정의 구동이 가능하고, 균일한 디스플레이(Display)특성을 갖게 한다.
일반적으로 배향막은 유기질의 유기배향막이 주로 쓰이고 있다.
러빙공정은 천을 이용하여 배향막을 일정한 방향으로 문질러주는 것을 말하며, 러빙 방향에 따라 액정 분자들이 정렬하게 된다.
st3 단계는 씰 패턴(seal pattern)을 인쇄하는 공정을 나타낸다.
액정 셀에서 씰 패턴은 액정 주입을 위한 갭을 형성하고, 주입된 액정의 누설을 방지하는 두 가지 기능을 한다.
상기 씰 패턴은 열경화성 수지를 일정하게 원하는 패턴으로 형성시키는 공정으로써, 스크린 인쇄법이 주류를 이루고 있다.
st4 단계는 스페이서(Spacer)를 산포하는 공정을 나타낸다.
액정 셀의 제조공정에서 상부기판과 하부기판 사이의 갭을 정밀하고 균일하게 유지하기 위해 일정한 크기의 스페이서가 사용된다. 따라서, 상기 스페이서 산포시 하부기판에 대해 균일한 밀도로 산포해야 하며, 산포 방식은 크게 알코올 등에 스페이서를 혼합하여 분사하는 습식 산포법과 스페이서만을 산포하는 건식 산포법으로 나눌 수 있다.
상기 스페이서 산포 공정이 끝나면, 컬러 필터 기판인 상부기판과 박막 트랜지스터 배열 기판인 하부기판의 합착공정으로 진행된다(st5).
st6 단계는 상기 st1 내지 st5 단계에서 제작된 액정 셀을 단위 셀로 절단하는 공정이다.
일반적으로 액정 셀은 대면적의 유리기판에 다수의 액정 셀을 형성한 후, 각각 하나의 액정 셀로 분리하는 공정을 거치게 되는데, 이 공정이 셀 절단 공정이다.
초기 액정표시장치의 제조공정에서는 동시에 여러 셀에 액정을 주입한 후, 셀 단위로 절단하는 공정을 진행하였으나, 셀 크기가 증가함에 따라 단위 셀로 절단한 후, 액정을 주입하는 방법을 사용하고 있다.
st7 단계는 각 단위 셀로 절단된 액정셀에 액정을 주입하는 단계이다.
단위 액정셀은 수백 cm2의 면적에 수 μm의 갭을 갖는다. 따라서, 이러한 구조의 셀에 효과적으로 액정을 주입하는 방법으로 셀 내외의 압력차를 이용한 진공 주입법이 가장 널리 이용된다.
st8 단계 상기 액정패널중 하부 기판 상에 구성되는 구동부를 노출하기 위해 상부 기판의 일부를 절단하는 스크라이브/브레이크(scribe/break) 공정이다.
전술한 바와 같은 공정 순서에 따라 액정표시장치를 제작할 수 있으며, 종래에는 상기 상부기판의 절단 공정 중 하부기판에 형성한 배선의 단선결함이 자주 발생하였다.
이하, 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3은 종래에 따른 액정표시장치의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 액정표시장치(11)는 상부기판(5)과 하부기판(22)인 어레이기판으로 구성되며, 상기 어레이기판(22)은 서로 이격하여 가로방향으로 형성된 게이트배선(13)과 상기 게이트배선(13)의 일 끝단에는 게이트 패드전극(24)이 형성된다.
또한, 상기 게이트 배선(13)과 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 다수의 데이터배선(15)이 형성되고, 상기 데이터 배선(15)의 일 끝단에는 데이터 패드전극(26)이 형성된다.
상기 화소영역(P)에는 투명한 화소전극(17)이 형성된다.
상기 각 배선의 교차지점에는 게이트전극(30)과 액티브층(32)과 소스전극 및 드레인전극(36,38)을 포함한 박막트랜지스터(T)가 구성된다.
전술한 구성에서, 상기 각 패드전극(24,26)이 구성된 구동영역(D)은 외부의 신호를 직접 인가 받는 곳이므로 패드전극(24,26)의 일부가 노출된다.
따라서, 외부의 환경에 의한 영향을 최소화하고 외부의 신호배선과 상기 각 패드전극(24,26)과의 접착불량을 방지하기 위해 별도의 게이트 패드 단자전극(60)과 데이터 패드 단자전극(62)이 형성된다.
이때, 상기 각 신호배선(13,15)과 상기 패드전극(24,26)은 연결배선(link line)(42,46)을 통해 연결된다.
도시한 액정표시장치는 상기 st8 단계에서 설명한 스크라이브/브레이크(scribe/break) 공정으로, 상기 하부기판의 구동영역(D)을 노출하기 위해 상부기판(5)의 일부가 절단된 상태이다.
도면에 표시한 해칭 영역은 상부기판의 주변에 형성된 블랙매트릭스 영역을 나타낸다.
이하, 도 4a 내지 도 4c를 참조하여 종래의 액정표시장치용 어레이기판의 제조공정을 설명한다.
도 4a 내지 도 4c는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ,Ⅴ-Ⅴ,Ⅵ-Ⅵ을 따라 절단하여, 종래의 공정순서에 따라 도시한 어레이기판의 공정 단면도이다.
먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이, 투명한 절연기판(22)상에 알루미늄(Al), 알루미늄 합금을 포함하는 저 저항 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여 일 방향으로 게이트배선(도 3의 13)과, 상기 게이트배선에서 연장된 게이트 연결배선(42)과, 상기 게이트 연결배선(42)의 끝단에는 게이트 패드전극(24)이 형성된다.
이때, 상기 게이트전극(30)을 포함한 게이트배선(도 3의 13)과 게이트 연결배선(42)과 게이트 패드전극(24)의 높이는 약 2700Å이다.
상기 게이트 패드전극(24)과 게이트 연결배선(42)과 게이트 전극(30)을 포함하는 게이트배선(도 3의 13)이 형성된 기판(22)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함한 무기절연 물질 그룹 중 선택된 하나로 제 1 절연막인 게이트절연막(31)을 형성된다.
상기 게이트 절연막(31)은 약 4000Å의 높이로 증착된다.
다음으로, 도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 게이트 전극(30) 상부의 게이트 절연막(31)상에 아일랜드(island)형상으로 액티브층(32)과 오믹 콘택층(34)이 적층 형성된다.
상기 액티브층(32)은 일반적으로 수소를 포함하는 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 형성되며, 상기 오믹 콘택층(34)은 n+ 또는 p+의 불순물을 포함하는 불순물 비정질 실리콘으로 형성된다.
다음으로, 상기 액티브층(32)과 오믹 콘택층(34)이 형성된 기판(22)의 전면에 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti)등을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 오믹콘택층(34)과 접촉하는 소스전극 및 드레인전극(36,38)을 형성하는 동시에, 상기 소스전극(36)과 연결되는 데이터배선(15)을 형성한다.
상기 데이터 배선(15)의 일 끝단에는 데이터 연결배선(46)이 형성되며, 상기 연결배선(46)의 끝단에는 데이터 패드전극(26)이 형성된다.
이때, 상기 데이터패드 전극(26)을 포함한 데이터 배선(15)과 상기 데이터 연결배선(46)은 1500Å의 높이를 가진다.
전술한 구성에서, 상기 소스전극(36)과 드레인전극(38)은 소정간격 이격되며, 상기 이격된 공간사이로 노출된 오믹콘택층(34)은 식각되어 하부의 액티브층(32)이 노출된다.
상기 액티브층(32)은 상기 소스전극및 드레인전극(36,38)사이에 캐리어(carrier)가 전송되는 액티브채널(tive channel)의 기능을 하게 된다.
다음으로, 상기 데이터 배선(15)등이 형성된 기판(22)의 전면에 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(Acryl)계 수지(resin)를 포함한 투명한 유기절연 물질그룹 중 선택된 하나를 도포하여 보호막(50)을 형성한다.
이때, 상기 보호막은 약 2000Å의 높이를 가진다.
상기 보호막(50)을 패턴하여 상기 드레인전극(38)을 노출하는 드레인 콘택홀(52)과, 상기 게이트 패드전극(24)과 데이터 패드전극(26)을 노출하는 다수개의 게이트패드 콘택홀(54)과 데이터패드 콘택홀(56)을 형성한다.
다음으로, 도 4c에 도시한 바와 같이, 상기 다수의 콘택홀이 형성된 기판(22)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 노출된 드레인전극(38)과 접촉하면서 상기 화소영역(P)에 화소전극(17)이 형성된다.
동시에, 상기 일부가 노출된 게이트 패드전극(24)과 데이터 패드전극(26)과 접촉하는 아일랜드 형상의 게이트 패드 단자전극(60)과 데이터 패드 단자전극(62)이 형성된다.
전술한 바와 같은 공정으로 종래의 기술에 따른 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.
전술한 구성에서, 상부기판을 절단하기 위한 절단선은 상기 게이트 연결배선의 상부와 데이터 연결배선의 상부를 지나가게 된다.
이때, 상기 게이트 연결배선은 상부에 게이트 절연막과 보호막이 6000Å의 두께로 덮여 있기 때문에 절단수단이 누르는 압력에 큰 영향을 받지 않는다.
반면, 상기 데이터 연결배선은 상부에 구성된 보호막의 두께가 2000Å에 불과하기 때문에, 상기 절단선에 대응되는 연결배선의 표면에 치명적인 긁힘(scratch) 또는 찍힘이 발생하거나 연결배선이 단선 될 수 있다.
전술한 바와 같은 문제를 해결하기 위한 목적으로 본 발명이 안출 되었으며, 상기 연결배선 사이에 보상패턴을 더욱 형성한 제 1 어레이기판 구조와 상기 연결배선에 더미배선(dummy line)을 더욱 형성한 제 2 어레이기판 구조를 제안한다.
도 1은 액정표시장치를 개략적으로 도시한 분해사시도이고,
도 2는 액정표시장치의 제작공정을 설명하기 위한 공정흐름도이고,
도 3은 종래에 따른 액정표시장치의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 4a 내지 도 4c는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ,Ⅴ-Ⅴ,Ⅵ-Ⅵ을 따라 절단하여, 종래의 공정 순서에 따라 도시한 어레이기판의 공정 단면도이고,
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 6a 내지 도 6d는 도 5의 Ⅶ-Ⅶ,Ⅷ-Ⅷ,Ⅸ-Ⅸ를 따라 절단하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 공정순서에 따라 도시한 어레이기판의 공정 단면도이고,
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 8a 내지 도 8d와 도 9a 내지 도 9d는 도 7의 Ⅹ-Ⅹ, XI-XI, XII-XII, XIII-XIII, XIV-XIV를 따라 절단하여, 본 발명의 제 2 실시예의 공정순서에 따라 도시한 어레이기판의 공정단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
200 : 하부기판 201 : 상부기판
202 : 게이트배선 204 : 게이트전극
206 : 게이트 연결배선 208 : 게이트패드
210 : 제 1 더미배선 214 : 액티브층
218 : 소스전극 220 : 드레인전극
224 : 데이터 연결배선 226 : 데이터패드
228 : 제 2 더미배선 234 : 게이트 패드 콘택홀
236 : 제 2 더미배선의 제 1 콘택홀
238 : 제 2 더미배선의 제 2 콘택홀
240 : 게이트 연결배선 콘택홀 242 : 데이터패드 콘택홀
246 : 제 1 더미배선의 제 1 콘택홀
248 : 제 2 더미배선의 제 2 콘택홀
250 : 데이터 연결배선 콘택홀 254 : 게이트 패드 단자전극
256 : 제 1 투명전극 패턴 258 : 데이터 패드 단자전극
260 : 제 2 투명전극 패턴 262, 264 : 더미패턴
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제 1 특징에 따른 액정표시장치용 어레이기판은 기판과; 상기 기판 상에 구성된 게이트배선과, 게이트배선에서 연장된 게이트 연결배선과, 상기 게이트 연결배선의 끝단에 구성된 게이트 패드전극과, 게이트 패드전극과 접촉한 게이트 패드 단자전극과; 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선과, 상기 데이터 배선에서 연장된 데이터 연결배선과, 상기 데이터 연결배선의 끝단에 구성된 데이터 패드전극과, 데이터 패드 전극과 접촉한 데이터 패드 단자전극과; 상기 두 배선의 교차지점에 구성된 박막트랜지스터와; 상기 데이터 연결배선 사이에 구성된 더미패턴과; 상기 화소영역에 구성된 투명한 화소전극을 포함한다.
상기 더미패턴은 게이트 배선과 동일 층 동일물질로 형성된 제 1 더미패턴과, 상기 액티브층과 동일 층 동일물질로 형성된 제 2 더미패턴으로 구성한다.
상기 게이트 연결배선과 데이터 연결배선 사이에 보호패턴을 더욱 구성한다
본 발명의 제 1 특징에 따른 액정표시장치용 어레이기판 제조방법은 기판을 준비하는 단계와; 상기 기판 상에 게이트배선과, 게이트배선에서 연장된 게이트 연결배선과, 상기 게이트 연결배선의 끝단에 구성된 게이트 패드전극과, 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극과, 상기 게이트 패드전극이 형성된 영역과 평행하지 않은 타측에 다수개의 제 1 더미패턴을 형성하는 단계와; 상기 게이트 연결배선과 게이트 배선과 게이트 패드전극이 형성된 기판의 전면에 제 1 절연막인 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 상기 게이트 절연막이 형성된 기판의 전면에 비정질 실리콘과 불순물 비정질 실리콘을 증착하고 패턴하여, 상기 게이트 전극 상부에 아일랜드 형상으로 적층된 액티브층과 오믹콘택층과 상기 제 1 더미패턴의 상부에 제 2 더미패턴을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선과, 데이터배선에서 연장된 데이터 연결배선과, 데이터 연결배선의 끝단에 데이터 패드전극을 형성하는 단계와; 상기 데이터배선 등이 형성된 기판의 전면에 제 2 절연막인 보호막을 형성한 후 패턴하여, 상기 드레인전극의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀과, 상기 게이트 패드전극의 일부를 노출하는 게이트 패드 콘택홀과, 상기 데이터 패드전극의 일부를 노출하는 데이터 패드 콘택홀을 형성하는단계와; 상기 노출된 드레인전극과 접촉하면서 화소영역에 형성된 투명한 화소전극과, 상기 게이트 패드전극과 접촉한 투명한 게이트 패드 단자전극과, 상기 데이터 패드전극과 접촉한 투명한 데이터 패드 단자전극을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 제 2 특징에 따른 액정표시장치용 어레이기판은 기판과; 상기 기판 상에 구성된 게이트배선과, 게이트배선에서 연장된 게이트 연결배선과, 상기 게이트 연결배선의 끝단에 구성된 게이트 패드전극과, 게이트 패드전극과; 상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선과, 상기 데이터 배선에서 연장된 데이터 연결배선과, 상기 데이터 연결배선의 끝단에 구성된 데이터 패드전극과; 상기 두 배선의 교차지점에 구성되는 박막트랜지스터와; 상기 데이터 연결배선에 구성된 제 1 더미배선과, 상기 게이트 연결배선에 구성된 제 2 더미배선과; 상기 게이트 패드전극과 제 2 더미배선의 일 측과 동시에 접촉한 게이트 패드 단자전극과, 상기 게이트 연결배선과 제 2 더미배선의 타 측과 동시에 접촉한 제 1 투명전극 패턴과, 데이터 패드전극과 제 1 더미배선의 일 측과 동시에 접촉한 데이터 패드 단자전극과, 상기 데이터 연결배선과 제 1 더미배선의 타 측과 동시에 접촉한 제 2 투명전극 패턴과; 상기 화소영역에 구성된 투명한 화소전극을 포함한다.
상기 제 1 더미배선은 게이트 배선과 동일층에 구성되고, 상기 제 2 더미배선은 상기 데이터 배선과 동일층에 구성한다.
본 발명의 제 2 특징에 따른 액정표시장치용 어레이기판 제조방법은 기판을 준비하는 단계와; 상기 기판 상에 게이트배선과, 게이트배선에서 연장된 게이트 연결배선과, 상기 게이트 연결배선의 끝단에 구성된 게이트 패드전극과, 상기 게이트배선과 연결된 게이트 전극과, 상기 게이트 패드전극이 형성된 영역과 평행하지 않은 타측에 다수개의 제 1 더미배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 연결배선과 게이트 배선과 게이트 패드전극이 형성된 기판의 전면에 제 1 절연막인 게이트 절연막을 형성하는 단계와; 게이트 연결배선 등이 형성된 기판의 전면에 비정질 실리콘과 불순물 비정질 실리콘을 증착하고 패턴하여, 상기 게이트 전극 상부에 아일랜드 형상으로 적층된 액티브층과 오믹콘택층을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선과, 데이터배선에서 연장된 데이터 연결배선과, 데이터 연결배선의 끝단에 데이터 패드전극과, 상기 게이트 연결배선과 평행하게 제 2 더미배선을 형성하는 단계와; 상기 데이터 패드전극과 제 1 더미배선의 일 측과 동시에 접촉한 데이터 패드단자전극과, 상기 데이터 연결배선과 제 1 더미배선의 타측과 동시에 접촉한 제 1 투명전극 패턴과, 상기 게이트 패드전극과 제 2 더미배선의 일 측과 동시에 접촉한 게이트 패드 단자전극과, 상기 게이트 연결배선과 제 2 더미배선의 타측과 동시에 접촉한 제 2 투명전극 패턴과, 상기 드레인전극과 접촉한 투명 화소전극을 형성하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.
-- 제 1 실시예 --
본 발명에 따른 제 1 실시예의 특징은 상기 절단선에 대응하는 하부기판에 형성된 신호배선 사이에 보상패턴을 더욱 형성하는 것이다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치(99)는 다수의 구성요소가 형성된 어레이기판(하부기판)(100)과, 상기 어레이기판(100)과 소정간격 이격하여 위치한 상부기판(101)으로 구성한다.
전술한 구성에서, 상기 어레이기판(100)은 서로 소정간격 이격하여 가로방향으로 연장 형성된 게이트 배선(106)과, 상기 게이트 배선(106)과 수직하게 교차하여 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(122)을 포함한다.
상기 화소영역(P)에는 투명한 화소전극(134)을 형성한다.
상기 게이트 배선(106)의 일 끝단에 게이트 연결배선(102)을 형성하고, 상기 연결배선(102)의 끝단에는 연결배선보다 넓은 폭으로 게이트 패드전극(108)을 형성한다.
마찬가지로, 상기 데이터배선(122)의 일 끝단에는 데이터배선(122)에서 연장된 데이터 연결배선(124)을 형성하고, 상기 데이터 연결배선(124)의 끝단에는 연결배선 보다 넓은 폭으로 데이터 패드전극(126)을 형성한다.
상기 게이트배선(106)과 데이터배선(122)의 교차지점에는 게이트전극(104)과 액티브층(112)과 소스전극및 드레인전극(118,120)을 포함한 박막트랜지스터(T)를 형성한다.
상기 데이터 연결배선(124)사이에는, 상기 연결배선과 평행하게 더미패턴(109,116)을 더욱 형성한다.
상기 더미패턴(109,116)은 게이트 전극물질과 동일물질로 형성된 제 1 더미패턴(109)과, 상기 액티브층(112)을 형성하는 물질로 형성된 제 2 더미패턴(116)으로 구성한다.
결과적으로, 상기 더미패턴(109,116)이 형성된 영역은 상기 데이터 연결배선(124)이 형성된 영역보다는 높게 형성된다.
전술한 구성에서 상기 게이트 연결배선(102)과 데이터 연결배선(124)의 상부에는 투명전극으로 보호패턴(140a, 140b)을 더욱 구성한다.
이와 같은 구성은, 상기 하부기판(100) 상부의 일부 상부기판(101)을 절단하는 과정동안, 상기 데이터 연결배선(124)에 압력이 가해지더라도 상기 더미패턴(109,116)이 압력을 흡수하는 구조이기 때문에 하부의 데이터 연결배선의 결함발생률을 줄일 수 있다.
전술한 구성에서, 상기 게이트 연결배선(102)의 사이에도 더미패턴을 더욱 구성할 수 있다.
이하, 도 6a 내지 도 6d를 참조하여, 전술한 바와 같은 어레이기판 구성을 가지는 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법을 설명한다.
도 6a 내지 도 6d는 도 5의 Ⅶ-Ⅶ,Ⅷ-Ⅷ,Ⅸ-Ⅸ를 따라 절단하여, 본 발명의 제 1 실시예의 공정순서에 따라 도시한 어레이기판의 공정 단면도이다.
먼저, 도 6a에 도시한 바와 같이, 투명한 절연기판(100)상에 알루미늄(Al), 알루미늄 합금을 포함하는 저 저항 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 일 끝단에 형성한 게이트 연결배선(102)을 통해 게이트 패드전극(108)과 연결된 게이트배선(도 5의 106)과, 상기 게이트배선에 연결된 게이트 전극(104)과, 상기 게이트 패드전극(108)이 형성된 영역과 평행하지 않은 일 측 영역에 다수의제 1 더미패턴(109)을 형성한다.
이때, 상기 게이트전극(104)을 포함한 게이트배선(도 1의 106)과 게이트 연결배선(102)과 게이트 패드전극(108)과 상기 제 1 더미패턴(109)은 약 2700Å의 높이로 형성된다.
상기 게이트 패드전극(108)과 게이트 연결배선(102)과 더미패턴(109)등이 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함한 무기절연 물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여, 제 1 절연막인 게이트 절연막(110)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(110)은 약 4000Å의 높이를 가진다.
다음으로, 상기 게이트 전극(104)상부의 게이트 절연막(110)상에 아일랜드(island)형상으로 적층된 액티브층(112)과 오믹 콘택층(114)을 형성한다.
일반적으로, 상기 액티브층(112)은 수소를 포함한 비정질 실리콘(a-si:H)을 사용하며, 상기 오믹 콘택층(ohmic contact layer)은 불순물 비정질 실리콘(p+ 또는 n+a-Si:H)을 사용하여 형성한다.
동시에, 상기 순수 비정질 실리콘과 불순물 비정질 실리콘을 패턴하여, 상기 제 1 더미패턴(109)의 상부에 제 2 더미패턴(116)을 형성한다.
상기 순수 비정질 실리콘층은 약 2000Å의 두께를 가진다.
다음으로, 도 6b에 도시한 바와 같이, 상기 액티브층(112)과 오믹 콘택층(114)과 더미패턴(116)이 형성된 기판(100)의 전면에 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti)등을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 오믹콘택층(114)과 접촉하는 소스전극 및 드레인전극(118,120)을 형성하는 동시에, 상기 소스전극(118)과 연결되는 데이터 배선(122)을 형성한다.
상기 데이터 배선(122)의 일 끝단에는 데이터 연결배선(124)을 형성하고, 상기 데이터 연결배선(124)의 일 끝단에는 데이터 패드전극(126)을 형성한다.
이때, 상기 더미패턴(109,116)은 앞서 형성한 데이터 연결배선(124)사이에 위치하게 된다. 즉, 평면적으로 상기 데이터 연결배선(124)과 상기 더미패턴은 하나씩 엇갈려 형성된 구조이다.
이때, 상기 데이터 배선(122)과 연결배선(124)등의 높이는 약 1500Å의 높이로 형성된다.
전술한 구성에서, 상기 소스전극(118)과 드레인전극(120)은 소정간격 이격하여 형성하며, 상기 이격된 공간 사이로 노출된 오믹콘택층(114)을 식각하여 하부의 액티브층(112)을 노출한다. 이때 상기 제 2 더미패턴(116)의 오믹콘택층 또한 제거된다.
상기 액티브층(112)은 상기 소스전극 및 드레인전극(118,120)사이에 캐리어(carrier)가 전송되는 액티브채널(tive channel)의 기능을 하게 된다.
다음으로, 도 6c에 도시한 바와 같이, 상기 데이터 배선(122)등이 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함한 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 약 2000Å의 높이를 가지는 보호막(128)을 형성한다.
연속하여, 상기 보호막(128)을 패턴하여 상기 드레인전극(120)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(129)과, 상기 게이트 패드전극(108)과 데이터 패드전극(126)을 노출하는 다수개의 게이트패드 콘택홀(130)과 데이터패드 콘택홀(132)을 형성한다.
전술한 구성에서, 상기 각 패드전극(108,126)을 노출하는 콘택홀(130,132)을 다수개 형성하는 이유는 이후 공정에서 형성되는 각 단자전극(미도시)과 상기 보호막(128)과의 접촉면적을 늘리기 위한 것이다.
다음으로, 도 6d에 도시한 바와 같이, 상기 다수의 콘택홀이 형성된 기판(100)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 노출된 드레인전극(120)과 접촉하면서 상기 화소영역(P)에 구성되는 화소전극(134)을 형성한다.
동시에, 상기 일부가 노출된 게이트 패드전극(108)과 데이터 패드전극(126)과 접촉하는 아일랜드 형상의 게이트 패드전극(136)과 데이터 패드전극(138)을 형성한다.
동시에, 상기 게이트 연결배선(102) 상부와 데이터 연결배선(124)의 상부에 각각 약 420Å높이로 투명전극 패턴(140a,140b)을 두어 외부의 물리적인 충격을 조금이라도 완화 하고자 하였다.
전술한 바와 같은 공정으로 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판을 제작 할 수 있다.
전술한 구성에서, 상기 데이터 연결배선(124) 사이에 2700Å을 가진 제 1 더미패턴(109)과 2000Å의 두께를 가지는 제 2 더미패턴(116)을 더욱 형성함으로써, 상기 더미패턴이 형성된 영역은 10700Å이 되고 상기 데이터 연결배선이 형성된 영역은 약 7920Å의 높이로 형성된다.
따라서, 상기 데이터 연결배선(124)이 형성된 영역보다 약 3000Å정도 높게 형성되는 결과가 된다.
전술한 바와 같은 구성으로 인해, 액정패널을 완성한 후 상기 연결배선의 임의의 영역에서 진행되는 상부기판의 절단 공정 중, 상부기판이 절단되면서 발생하는 유리파편에 의해 상기 데이터 연결배선(124)이 찍혀 단선되는 것을 방지할 수 있다.
-- 제 2 실시예 --
본 발명의 제 2 실시예의 특징은 신호배선과 패드전극을 연결하는 연결배선에 더미배선을 더욱 형성하여, 상기 연결배선이 단선 되더라도 상기 더미배선을 통해 신호가 원활히 흐를 수 있도록 하는 것이다.
이하, 도 7을 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 구성을 설명한다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치(199)는 하부기판인 어레이기판(200)과 이와는 소정간격 이격된 상부기판(201)으로 구성한다.
도시한 바와 같이, 상기 어레이기판(200)의 가로방향으로 다수의 게이트 배선(202)을 평행하게 이격하여 일 방향으로 형성한다.
상기 게이트 배선(202)의 끝단에는 게이트 연결배선(206)을 통해 게이트 배선(202)과 연결된 게이트 패드전극(208)을 형성한다.
이때, 상기 게이트 연결배선(206)과 소정간격 이격하여 평행하게 제 2 더미배선(228)을 형성한다.
상기 게이트 패드전극(208)과 상기 제 2 더미배선(228)의 일측은 게이트 패드 콘택홀(234)과 제 2 더미배선(228)의 제 1 콘택홀(236)을 통해 게이트 패드 단자전극(254)과 동시에 접촉하도록 구성하고, 또한 상기 게이트 연결배선(206)의 상부에 형성한 게이트 연결배선 콘택홀(240)과 상기 제 2 더미배선(228)의 제 2 콘택홀(238)을 통해 제 1 투명전극 패턴(256)이 동시에 접촉하도록 구성한다.
따라서, 상기 게이트 패드전극(208)을 통해 입력된 신호는 상기 게이트 연결배(206)선과 상기 제 2 더미배선(228)에 동시에 흐르게 된다.
상기 게이트 배선(202)의 상부에는 상기 게이트배선(202)과 수직으로 교차하는 다수의 데이터 배선(222)을 형성하며, 상기 게이트배선(202)과 데이터배선(222)이 교차하여 정의된 영역을 화소영역(P) 이라 한다.
상기 데이터 배선(222)의 일 끝단에는 데이터 연결배선(224)을 형성하고, 상기 데이터 연결배선(224)의 일 끝단에는 데이터 패드전극(226)을 형성한다.
상기 데이터 연결배선(224)과 평행하게 소정간격 이격하여 제 1 더미배선(210)을 형성하며, 상기 데이터 패드전극(226)과 제 1 더미배선(210)은 데이터 패드 콘택홀(242)과 상기 제 1 더미배선(210)의 제 1 콘택홀(246)을 통해 데이터 패드 단자전극(226)과 동시에 접촉하도록 형성하고, 상기 데이터연결배선(224)의 상부에 형성한 데이터 연결배선 콘택홀(250)과 상기 제 1 더미배선(210)의 일 끝단 상부에 형성한 제 2 콘택홀(248)을 통해 제 2 투명전극 패턴(260)과 동시에 접촉하도록 형성한다.
전술한 각 더미배선(210,228)은 상부기판(201)을 절단하는 공정 중 절단면(B)의 하부에 위치한 연결배선(206,224)이 단선 되었을 경우, 상기 각 연결배선(206,224)을 대신하여 각 더미배선(210,228)을 통해 원활히 신호가 흐를 수 있도록 하는 것이다.
전술한 각 더미배선(210,228)은 상기 게이트 배선(202)과 데이터배선(222)을 형성하는 공정 중 제작되기 때문에 추가공정이 필요치 않은 장점이 있다.
전술한 구성에서, 절단선이 지나가는 데이터 연결배선(224)의 상부와 게이트 연결배선(206)의 상부에 투명전극으로 아일랜드 형상의 보호패턴(262,264)을 더욱 형성한다.
이하, 도 8a 내지 도8d와 도 9a 도 9d를 참조하여 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법을 설명한다.
도 8a 내지 도 8d는 도 7의 X-X을, 도 9a 내지 도 9d는 7의 XI-XI, XII-XII, XIII-XIII, XIV-XIV를 따라 절단하여, 본 발명의 제 2 실시예의 공정 순서에 따라 도시한 어레이기판의 공정 단면도이다.(이때, 도 8a 내지 도 8d는 박막트랜지스터의 공정 단면도이고, 도 9a 내지 도 9d는 게이트 패드와 게이트 연결 배선 그리고 데이터 패드와 데이터 연결 배선의 공정 단면도이다.)
먼저, 도 8a와 도 9a에 도시한 바와 같이, 투명한 절연기판(200)상에 알루미늄(Al), 알루미늄 합금을 포함하는 저 저항 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 일 방향으로 연장된 다수의 게이트 배선(도 7의 202)과 게이트 배선에서 돌출 형성된 게이트 전극(204)을 형성한다.
상기 게이트 배선의 일 끝단에서 연장하여 게이트 연결배선(206)을 형성하며, 상기 게이트 연결배선(206)의 끝단에는 게이트 패드전극(208)을 형성한다.
동시에, 상기 게이트 패드전극(208)이 형성된 영역과 평행하지 않은 일 측 영역에 소정의 길이를 가지는 다수의 제 1 더미배선(dummy line)(210)을 형성한다.
이때, 상기 게이트배선(도 7의 202)과 제 1 더미배선(210)등은 알루미늄(Al)(알루미늄합금)층 상부에 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo)등을 적층하여 2 중층으로 형성할 수 있다.
상기 게이트 패드전극(208)과 게이트 연결배선(206)과 제 1 더미배선(210)이 형성된 기판(200)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함한 무기절연 물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 제 1 절연막인 게이트 절연막(212)을 형성한다.
연속하여, 상기 게이트 절연막(212)의 상부에 순수 비정질 실리콘(a-Si:H)과 불순물이 포함된 비정질 실리콘(n+ 또는 p+a-Si:H)을 적층한 후 패턴하여, 상기 게이트 전극(204)상부의 게이트 절연막(212)상에 액티브층(214)과 오믹콘택층(216)을 형성한다.
다음으로, 도 8b와 도 9b에 도시한 바와 같이, 상기 액티브층(214)과 오믹콘택층(216)이 형성된 기판(200)의 전면에 크롬(Cr), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti)등을 포함하는 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 오믹 콘택층(216)과 접촉하는 소스전극 및 드레인전극(218,220)을 형성하는 동시에, 상기 소스전극(218)과 연결되는 데이터배선(222)을 형성한다.
상기 데이터배선(222)의 일 끝단에는 데이터 연결배선(224)을 형성하며, 상기 데이터 연결배선(224)의 끝단에는 데이터 패드전극(226)을 형성한다.
동시에, 상기 게이트 연결배선(206) 사이에 제 2 더미배선(228)을 형성한다.
연속하여, 상기 소스전극(218)과 드레인전극(220)사이의 이격된 공간사이로 노출된 오믹콘택층(216)은 식각되어 하부의 액티브층(214)이 노출된다.
상기 액티브층(214)은 상기 소스전극(218)및 드레인전극(220) 사이에 캐리어(carrier)가 전송되는 액티브채널의 기능을 하게 된다.
전술한 구성에서, 상기 데이터 연결배선(224)은 앞서 형성하였던 제 1 더미배선(210)과 소정간격 이격되어 평행하게 위치한 형상이다.
상기 제 1 더미배선(210)과 제 2 더미배선(228)은 각각 게이트 연결배선(206) 또는 데이터 연결배선(224)이 단선 되었을 경우 이를 대체하기 위한 수리배선으로 사용한다.
다음 공정으로 도 8c와 도 9c에 도시한 바와 같이, 상기 데이터 배선(222)과 소스 및 드레인전극(218,220)과 제 2 더미배선(228)등을 형성한 기판(200)의 전면에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함한 무기절연 물질 그룹 중 선택된하나를 증착하여 보호막(230)을 형성한다.
연속하여, 상기 보호막(230)과 하부의 게이트 절연막(212)을 동시에 패턴하여, 상기 드레인전극(220)을 노출하는 드레인 콘택홀(232)과, 상기 게이트 패드전극(208)의 일부를 노출하는 다수의 게이트 패드 콘택홀(234)과, 제 2 더미배선(228)의 일측 끝단과 타측 끝단의 일부를 노출하는 제 2 더미배선(228)의 제 1 콘택홀(236)과 제 2 콘택홀(238)과, 상기 제 2 콘택홀(238)과 평행한 위치에 상기 연결배선(206)의 일부를 노출하는 게이트 연결배선 콘택홀(240)을 형성한다.
동시에, 상기 데이터 패드전극(226)의 일부를 노출하는 다수의 데이터 패드 콘택홀(242)과, 상기 제 1 더미배선(210)의 일 측 끝단과 타 측 끝단의 일부를 각각 노출하는 제 1 더미배선(210)의 제 1 콘택홀(246)과 제 2 콘택홀(248)과, 상기 제 2 콘택홀(248)과 평행한 위치에 형성되고 상기 데이터 연결배선(224)의 일부를 노출하는 데이터 연결배선 콘택홀(250)을 형성한다.
다음으로, 도 8d와 도 9d에 도시한 바와 같이, 상기 다수의 콘택홀이 형성된 기판(200)의 전면에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 노출된 드레인전극(220)과 접촉하는 동시에 상기 화소영역(P)에 구성되는 화소전극(252)을 형성한다.
동시에, 상기 일부가 노출된 게이트 패드전극(208)과, 상기 제 2 더미배선의 제 1 콘택홀을 통해 일부가 노출된 제 2 더미배선(206)을 하나로 연결하는 게이트 패드 단자전극(254)을 형성하다.
동시에, 상기 노출된 게이트 연결배선(206)과 상기 제 2 콘택홀을 통해 일부가 노출된 제 2 더미배선을 하나로 연결하는 제 1 투명전극 패턴(256)을 형성한다.
동시에, 상기 노출된 데이터 패드전극(226)과 상기 제 1 더미배선(210)의 제 1 콘택홀(246)을 통해 일부가 노출된 제 1 더미배선(210)을 하나로 연결하는 데이터 패드 단자전극(258)을 형성한다.
그리고, 상기 노출된 데이터 연결배선(224)과 상기 제 1 더미배선(210)의 제 2 콘택홀(도 9c의 248)을 통해 일부가 노출된 제 1 더미배선(210)을 하나로 연결하는 제 2 투명전극 패턴(260)을 형성한다.
동시에, 도시하지는 않았지만 상기 각 연결배선(210,228)과 더미배선(210,228)의 임의의 영역 중, 상부기판(201)을 절단하는 절단면이 지나가는 부분에 아일랜드 형상의 보호패턴(도 7의 262,264)을 형성한다.
전술한 구성에서, 상기 게이트 연결배선(206)과 제 2 더미배선(228)은 게이트패드 단자전극(254)과 제 1 투명전극 패턴(256)을 통해 전기적으로 연결되는 구성이며, 상기 데이터 연결배선(224)과 제 1 더배선(210)은 상기 데이터 패드단자 전극(258)과 제 2 투명전극 패턴(260)을 통해 전기적으로 연결되는 구성이다.
이와 같은 구성은, 상부기판을 절단하는 공정 중 상기 게이트 연결배선(206) 또는 데이터 연결배선(224)에 단선불량이 발생하더라도 상기 각 더미배선(210,228)을 통해 신호를 흘려 줄 수 있게 된다.
상기 게이트 연결배선(206)은 상부에 게이트 절연막(212)과 보호막(230)의 이중 막이 존재하기 때문에 사실상 상부기판을 절단하는 공정 중 단선되는 불량은발생하지 않을 수 있다.
따라서, 공정상 편의에 따라 상기 제 2 더미배선(228)은 형성하지 않아도 무방하다.
이상과 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치용 어레이기판을 제작할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판은 상부기판을 절단하는 절단면에 대응하는 영역에 더미패턴 또는 더미배선을 형성하여 제작하기 때문에, 상부기판을 절단하는 공정 중 하부에 위치한 데이터 연결배선에 치명적인 결함이 발생하는 것을 방지 할 수 있으며 특히, 상기 더미배선의 존재는 상기 연결배선이 단선 되더라도 이를 대체할 수 있기 때문에 기판의 동작 불량을 방지 할 수 있다.
따라서, 제품의 수율을 개선할 수 있는 효과가 있다.

Claims (20)

  1. 기판과;
    상기 기판 상에 구성된 게이트배선과, 게이트배선에서 연장된 게이트 연결배선과, 상기 게이트 연결배선의 끝단에 구성된 게이트 패드전극과, 게이트 패드전극과 접촉한 게이트 패드 단자전극과;
    상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선과, 상기 데이터 배선에서 연장된 데이터 연결배선과, 상기 데이터 연결배선의 끝단에 구성된 데이터 패드전극과, 데이터 패드 전극과 접촉한 데이터 패드 단자전극과;
    상기 두 배선의 교차지점에 구성된 박막트랜지스터와;
    상기 데이터 연결배선 사이에 구성된 더미패턴과;
    상기 화소영역에 구성된 투명한 화소전극
    포함하는 액정표시장치용 어레이기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는 게이트전극과 액티브층과 소스전극 및 드레인전극으로 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항 중 어는 한 항에 있어서,
    상기 더미패턴은 게이트 배선과 동일 층 동일물질로 형성된 제 1 더미패턴과, 상기 액티브층과 동일 층 동일물질로 형성된 제 2 더미패턴으로 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 액티브층은 순수한 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 형성한 액정표시장치용 어레이기판.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 액티브층과 상기 소스 및 드레인전극 사이에 불순물 비정질 실리콘으로 형성한 오믹콘택층이 더욱 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 연결배선과 데이터 연결배선 사이에 보호패턴을 더욱 구성한 액정표시장치용 어레이기판.
  7. 제 1 항 또는 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 투명 화소전극과 보호패턴은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속물질 그룹 중 선택된 하나로 형성한 액정표시장치용 어레이기판.
  8. 기판을 준비하는 단계와;
    상기 기판 상에 게이트배선과, 게이트배선에서 연장된 게이트 연결배선과, 상기 게이트 연결배선의 끝단에 구성된 게이트 패드전극과, 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극과, 상기 게이트 패드전극이 형성된 영역과 평행하지 않은 타측에 다수개의 제 1 더미패턴을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 연결배선과 게이트 배선과 게이트 패드전극이 형성된 기판의 전면에 제 1 절연막인 게이트 절연막을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 절연막이 형성된 기판의 전면에 비정질 실리콘과 불순물 비정질 실리콘을 증착하고 패턴하여, 상기 게이트 전극 상부에 아일랜드 형상으로 적층된 액티브층과 오믹콘택층과 상기 제 1 더미패턴의 상부에 제 2 더미패턴을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선과, 데이터배선에서 연장된 데이터 연결배선과, 데이터 연결배선의 끝단에 데이터 패드전극을 형성하는 단계와;
    상기 데이터배선 등이 형성된 기판의 전면에 제 2 절연막인 보호막을 형성한 후 패턴하여, 상기 드레인전극의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀과, 상기 게이트 패드전극의 일부를 노출하는 게이트 패드 콘택홀과, 상기 데이터 패드전극의 일부를 노출하는 데이터 패드 콘택홀을 형성하는 단계와;
    상기 노출된 드레인전극과 접촉하면서 화소영역에 형성된 투명한 화소전극과, 상기 게이트 패드전극과 접촉한 투명한 게이트 패드 단자전극과, 상기 데이터 패드전극과 접촉한 투명한 데이터 패드 단자전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 게이트 연결배선과 데이터 연결배선의 상부에는 보호패턴을 더욱 구성한 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화소전극과 게이트 패드 단자전극과 데이터 패드 단자전극과 보호패턴은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속물질 그룹 중 선택된 하나로 형성한 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  11. 기판과;
    상기 기판 상에 구성된 게이트배선과, 게이트배선에서 연장된 게이트 연결배선과, 상기 게이트 연결배선의 끝단에 구성된 게이트 패드전극과, 게이트 패드전극과;
    상기 게이트 배선과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선과, 상기 데이터 배선에서 연장된 데이터 연결배선과, 상기 데이터 연결배선의 끝단에 구성된 데이터 패드전극과;
    상기 두 배선의 교차지점에 구성되는 박막트랜지스터와;
    상기 데이터 연결배선에 구성된 제 1 더미배선과, 상기 게이트 연결배선에 구성된 제 2 더미배선과;
    상기 게이트 패드전극과 제 2 더미배선의 일 측과 동시에 접촉한 게이트 패드 단자전극과, 상기 게이트 연결배선과 제 2 더미배선의 타 측과 동시에 접촉한 제 1 투명전극 패턴과, 데이터 패드전극과 제 1 더미배선의 일 측과 동시에 접촉한 데이터 패드 단자전극과, 상기 데이터 연결배선과 제 1 더미배선의 타 측과 동시에 접촉한 제 2 투명전극 패턴과;
    상기 화소영역에 구성된 투명한 화소전극
    포함하는 액정표시장치용 어레이기판.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는 게이트전극과 액티브층과 소스전극 및 드레인전극으로 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 더미배선은 게이트 배선과 동일층에 구성되고, 상기 제 2 더미배선은 상기 데이터 배선과 동일층에 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 액티브층은 순수한 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 형성한 액정표시장치용 어레이기판.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 액티브층과 상기 소스 및 드레인전극 사이에 불순물 비정질 실리콘으로 형성한 오믹콘택층이 더욱 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 데이터 연결배선과 상기 게이트 연결배선의 상부에 보호패턴을 더욱 구성한 액정표시장치용 어레이기판.
  17. 제 11 항 또는 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화소전극과 게이트 패드 단자전극과 데이터 패드 단자전극과 제 1 투명전극 패턴과 제 2 투명 전극 패턴과 보호패턴은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속물질 그룹 중 선택된 하나로 형성한 액정표시장치용 어레이기판.
  18. 기판을 준비하는 단계와;
    상기 기판 상에 게이트배선과, 게이트배선에서 연장된 게이트 연결배선과, 상기 게이트 연결배선의 끝단에 구성된 게이트 패드전극과, 상기 게이트 배선과 연결된 게이트 전극과, 상기 게이트 패드전극이 형성된 영역과 평행하지 않은 타측에 다수개의 제 1 더미배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 연결배선과 게이트 배선과 게이트 패드전극이 형성된 기판의 전면에 제 1 절연막인 게이트 절연막을 형성하는 단계와;
    게이트 연결배선 등이 형성된 기판의 전면에 비정질 실리콘과 불순물 비정질 실리콘을 증착하고 패턴하여, 상기 게이트 전극 상부에 아일랜드 형상으로 적층된 액티브층과 오믹콘택층을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 수직하게 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선과, 데이터배선에서 연장된 데이터 연결배선과, 데이터 연결배선의 끝단에 데이터 패드전극과, 상기 게이트 연결배선과 평행하게 제 2 더미배선을 형성하는 단계와;
    상기 데이터 패드전극과 제 1 더미배선의 일 측과 동시에 접촉한 데이터 패드단자전극과, 상기 데이터 연결배선과 제 1 더미배선의 타측과 동시에 접촉한 제 1 투명전극 패턴과, 상기 게이트 패드전극과 제 2 더미배선의 일 측과 동시에 접촉한 게이트 패드 단자전극과, 상기 게이트 연결배선과 제 2 더미배선의 타측과 동시에 접촉한 제 2 투명전극 패턴과, 상기 드레인전극과 접촉한 투명 화소전극을 형성하는 단계
    를 포함한 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 게이트 연결배선과 데이터 연결배선의 상부에는 보호패턴을 더욱 형성한 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  20. 제 18 항 또는 제 19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 게이트 패드 단자전극과 데이터 패드 단자전극과 제 1 투명전극 패턴과 제 2 투명전극 패턴과 보호패턴은 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함한 투명 도전성 금속물질 그룹 중 선택된 하나로 형성한 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
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