JP2005234091A

JP2005234091A - 表示装置

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Publication number: JP2005234091A
Application number: JP2004041190A
Authority: JP
Inventors: Hideji Nomura; 秀次野村; Yasuko Goto; 泰子後藤; Toshiteru Kaneko; 寿輝金子; Kenta Kamoshita; 健太鴨志田
Original assignee: Hitachi Displays Ltd
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2004-02-18
Filing date: 2004-02-18
Publication date: 2005-09-02
Also published as: US20090086148A1; US7466389B2; US20050179849A1

Abstract

【課題】
【解決手段】基板上に半導体チップが搭載される表示装置であって、該半導体チップの各バンプに接続される端子が、第１の絶縁膜の下層に形成された信号線の一部を露出させる該第１の絶縁膜の第１の開口によって形成され、前記信号線の表示部への延在部は、第２の絶縁膜とこの第２の絶縁膜の下層に形成される前記第１の絶縁膜を貫通する第２の開口によって露出されるととともに、この第２の絶縁膜上に形成される他の導電層と接続され、前記第１の開口の第１の絶縁膜における側壁面の基板に対する角度は第２の開口の第１の絶縁膜における側壁面の基板に対する角度よりも小さく、かつ、端子側の第２の絶縁膜の端辺における側壁面の基板に対する角度は第２の開口の第２の絶縁膜の側壁面の基板に対する角度よりも小さく設定されている。
【選択図】図１

Description

本発明は表示装置に係り、たとえば液晶表示装置に関する。

たとえば液晶表示装置は、その基板の一方の面において、並設された複数の信号線が縦横に配置され、これら信号線に供給する信号によって各画素を駆動させるようになっている。

各画素はマトリクス状に配置され、これらの集合体においてそれに対応する他の基板との間の液晶とともに液晶表示部を構成するようになっている。

前記信号線は前記液晶表示部の外側の領域にまで延在されて端子を備えるようになっている。この端子はフェースダウンして搭載される半導体装置のバンプに接続される部分となり、該半導体装置から信号線に信号を供給するようになっている。

ここで、信号線は液晶表示部の領域内において絶縁膜に被われているのが通常であり、該絶縁膜は液晶表示部の外側にまで至って形成されている。このため、前記端子は前記絶縁膜に孔開けをすることによって信号線の一部を露出させ、この露出された部分においてたとえば電蝕に強い導体層を積層させて形成している。

さらに、液晶表示部内においても、層を異にして配置される導電層を有し、これら導電層を互いに接続させる場合、それらの間の絶縁膜に孔（スルーホール）開けを行なう作業がなされるが、この場合、前記端子部における前記孔（スルーホール）開けを同時に行なうのが通常である。製造工数の低減を考慮するからである。

また、前記絶縁膜はその下層の導電膜と上層の導電膜との重畳部における容量の低減を図るため、たとえば無機材料層と有機材料層との順次積層膜から構成するようにしたものが知られている（下記特許文献１参照）。

特開２０００−１７１８１７号公報

このような構成からなる液晶表示装置において、端子部に形成する絶縁膜のスルーホールは、その側壁面の傾斜がなだらかであることが望ましい。半導体装置のバンプと該端子との接続はたとえば異方性導電膜等を介してなされるため、それらの接続に信頼性を有するからである。このことは異方性導電膜に限らず蝋材を介してなされる場合も同様である。

しかし、該スルーホールを液晶表示部内の他のスルーホールの形成の際に同時に形成する場合、該液晶表示部内の他のスルーホールの側壁面の傾斜もなだらかにせざるを得ず、いわゆる開口率の低減をもたらす不都合が生じる。

また、半導体装置を基板上に搭載させた後において、それらの接続が良好でない場合、該半導体装置を基板から外し、新たに搭載させ直す作業（リペア）がなされるのが通常である。

この場合、上述したように保護膜としてその上層に有機材料層等が形成されている場合、前記半導体装置を基板から外す際に該有機材料層に剥がれが生じ、これが原因となり端子部において信頼性のある接続環境が破壊される不都合が生じる。
この端子部およびその周辺にて該有機材料層を形成させないようにしておくことが好ましいが、その選択除去のために製造工数の低減が妨げられることになる。

本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、端子部に形成する絶縁膜のスルーホールの側壁面の傾斜を他のスルーホールのそれよりもなだらかに形成された表示装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、接続に信頼性を有する端子部のスルーホールが得られる表示装置を提供することにある。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
（１）本発明は、たとえば、基板上に半導体チップが搭載される表示装置であって、該半導体チップの各バンプに接続される端子が、第１の絶縁膜の下層に形成された信号線の一部を露出させる該第１の絶縁膜の第１の開口によって形成され、前記信号線の表示部への延在部は、第２の絶縁膜とこの第２の絶縁膜の下層に形成される前記第１の絶縁膜を貫通する第２の開口によって露出されるととともに、この第２の絶縁膜上に形成される他の導電層と接続され、前記第１の開口の第１の絶縁膜における側壁面の基板に対する角度は第２の開口の第１の絶縁膜における側壁面の基板に対する角度よりも小さく、かつ、端子側の第２の絶縁膜の端辺における側壁面の基板に対する角度は第２の開口の第２の絶縁膜の側壁面の基板に対する角度よりも小さく設定されていることを特徴とする。

（２）本発明による表示装置は、たとえば、基板の液晶側の面に表示部と端子部の各領域を有し、前記表示部と端子部に第１の絶縁膜、および少なくとも前記端子部およびその周辺を除く他の領域に第２の絶縁膜が順次形成され、前記表示部にて前記第２の絶縁膜および第１の絶縁膜を貫通して設けた第１のスルーホールと、前記端子部にて前記第１の絶縁膜に設けた第２のスルーホールを備え、第２のスルーホールの第１の絶縁膜における側壁面の基板に対する角度は第１スルーホールの第１の絶縁膜における側壁面の基板に対する角度よりも小さく、かつ、端子部側の第２の絶縁膜の端辺における側壁面の基板に対する角度は第１スルーホールの第２の絶縁膜の側壁面の基板に対する角度よりも小さく設定されていることを特徴とする。

（３）本発明による表示装置は、たとえば、（２）の構成を前提とし、第１の絶縁膜は無機材料層から構成され、第２の絶縁膜は有機材料層から構成されていることを特徴とする。

（４）本発明による表示装置は、たとえば、（３）の構成を前提とし、表示部の各画素には薄膜トランジスタを介して信号が供給されるように構成され、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜は該薄膜トランジスタを被って形成される保護膜として機能させていることを特徴とする。

（５）本発明による表示装置は、たとえば、（２）の構成を前提とし、前記端子部は、前記第１の絶縁膜に設けた第２のスルーホールから該第１の絶縁膜の下層に形成した信号線の一部が露出され、その露出された部分を少なくとも被って酸化導電膜が形成されていることを特徴とする。

（６）本発明による表示装置は、たとえば、（５）の構成を前提とし、前記酸化導電膜は第２のスルーホールの周辺の第１の絶縁膜の上面に第２の絶縁膜を介層させて延在されていることを特徴とする。

（７）本発明による表示装置は、たとえば、（５）、（６）の構成を前提とし、前記酸化導電膜はＩＴＯであることを特徴とする。

（８）本発明による表示装置は、たとえば、（２）の構成を前提とし、前記信号線は、前記液晶表示部の各画素に信号線を供給するドレイン信号線であることを特徴とする。

（９）本発明による表示装置は、たとえば、（２）の構成を前提とし、前記信号線は、前記表示部の一群の各画素にそれぞれ薄膜トランジスタを介して信号を供給するに際し、該薄膜トランジスタをオンするための信号を供給するゲート信号線であることを特徴とする。

なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

以下、本発明による表示装置を液晶表示装置を例にとりその実施例を図面を用いて説明する。

図２は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す等価回路図である。
同図において、液晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入されている。

シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成されている。
各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線ＤＬとで囲まれた領域は画素領域を構成し、これら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部ＡＲを構成するようになっている。

また、ｘ方向に並設される各画素領域のそれぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に対して基準となる電圧を供給するための信号線となる。

各画素領域には、その片側のゲート信号線ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸが形成されている。
この画素電極ＰＸは、前記対向電圧信号線ＣＬと接続された対向電極ＣＴとの間に電界を発生させ、この電界によって液晶の光透過率を制御させる。

前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は走査信号駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子ＧＬＴを構成するようになっている。また、前記走査信号駆動回路Ｖの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板（図示せず）からの信号が入力されるようになっている。

走査信号駆動回路Ｖは複数個の半導体装置からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線ＧＬどおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるようになっている。

同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端子ＤＬＴを構成するようになっている。また、前記映像信号駆動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板（図示せず）からの信号が入力されるようになっている。

この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線ＤＬどおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるようになっている
また、前記対向電圧信号線ＣＬは図中右側の端部で共通に接続され、その接続線はシール材ＳＬを超えて延在され、その延在端において端子を構成している。この端子からは映像信号に対して基準となる電圧が供給されるようになっている。

前記各ゲート信号線ＧＬは、走査信号駆動回路Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択されるようになっている。
また、前記各ドレイン信号線ＤＬのそれぞれには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給されるようになっている。

図３は、その右側において前記画素の領域と、左側においてドレイン信号線ＤＬの端子ＤＬＴを示す断面図である。

まず、画素の領域において、透明基板ＳＵＢ１の表面にゲート信号線ＧＬが形成され、このゲート信号線ＧＬをも被って絶縁膜ＧＩが形成されている。このゲート信号線ＧＩの上面であって前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたとえばアモルファスのＳｉからなる半導体層ＡＳが形成されている。

この半導体層ＡＳは薄膜トランジスタＴＦＴのそれであって、該薄膜トランジスタＴＦＴは、前記ゲート信号線ＧＬの一部をゲート電極、前記絶縁膜ＧＩをゲート絶縁膜とし、さらに後述するドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ２を備えるいわゆる逆スタガ構造のＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）トランジスタによって構成される。

絶縁膜ＧＩの上面には前記半導体層ＡＳをも被って絶縁膜ＩＮＳが形成され、この絶縁膜ＩＮＳの表面にはドレイン信号線ＤＬが形成されている。ドレイン信号線ＤＬはその一部が前記半導体層ＡＳの一端部に重畳するように延在され、この延在部はその下層の絶縁膜ＩＮＳに形成されたスルーホールを通して該半導体層ＡＳに接続されて前記ドレイン電極ＳＤ１を形成する。

また、ソース電極ＳＤ２は前記ドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時に形成され前記半導体層ＡＳの他端部にてその上層の絶縁膜ＩＮＳに形成されたスルーホールを通して該半導体層ＡＳに接続されている。なお、このソース電極ＳＤ２は、画素電極ＰＸと接続される電極で、その接続部を確保するため画素の中央方向へ若干延在する延在部を備えたものとなっている。

そして、ドレイン信号線ＤＬ（ドレイン電極ＳＤ１）、ソース電極ＳＤ２が形成された表面にはこれらドレイン信号線ＤＬ等をも被って保護膜ＰＡＳが形成されている。この保護膜ＰＣＶは薄膜トランジスタＴＦＴを液晶との直接の接触を回避させる膜で、該薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止するようになっている。

また、保護膜ＰＣＶはたとえばＳｉＮ等からなる無機材料層からなる保護膜ＰＡＳとたとえば樹脂からなる有機材料層からなる保護膜ＯＰＡＳの順次積層構造から構成されている。保護膜ＰＡＳによって保護機能に信頼性をもたせるとともに、保護膜ＯＰＡＳによって保護膜ＰＣＶ全体の容量を低減させるためである。

保護膜ＰＣＶはその一部にて保護膜ＯＰＡＳ、保護膜ＰＡＳを貫通するスルーホールが形成され、該保護膜ＰＣＶの上面に形成された画素電極ＰＸは該スルーホールを通して薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２に接続されている。

なお、前記画素電極ＰＸとの間に電界を生じせしめる対向電極ＣＴ（および対向電圧信号線ＣＬ）が図示されていないが、画素電極ＰＸと同層に形成されていてもよく、また、他の層間、たとえば絶縁膜ＩＮＳと保護膜ＰＡＳとの間に形成されていてもよい。

また、端子ＤＬＴの形成領域においては、絶縁膜ＩＮＳの上面にドイレン信号線ＤＬが延在されており、この延在部の一部は保護膜ＰＡＳに形成されたスルーホールによって露出され、その露出部は当該部分およびその周辺に形成された導電層ＣＤによって接続されている。

この導電層ＣＤは、画素電極ＰＸがたとえばITO (Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO (Indium Zinc Oxide)、SnO₂（酸化スズ）、In₂O₃（酸化インジウム）等で形成されている場合において、その形成と同時に形成することにより、製造工数を低減できるとともに電蝕に対して信頼性のある端子を構成することができる。
なお、前記保護膜ＯＰＡＳは、該端子ＤＬＴおよびこの周辺には形成されてなく、該端子ＤＬＴの近傍で液晶表示部ＡＲから延在された端辺を有する。

ここで、同図の画素部における保護膜ＰＡＳのスルーホール部（図中丸枠Ａ）と端子ＤＬＴ部における保護膜ＰＡＳのスルーホール部（図中丸枠Ｂ）の関係の詳細を図１に示している。

図１において、丸枠Ａの部分における詳細を図中左側に、丸枠Ｂの部分における詳細を図中右側に示している。
同図から明らかとなるように、端子部のスルーホールの保護膜ＰＡＳにおける側壁面の透明基板ＳＵＢ１に対する角度θ２は画素部のスルーホールの保護膜ＰＡＳにおける側壁面の透明基板ＳＵＢ１に対する角度θ１よりも小さく設定されている。

また、保護膜ＰＡＳであって、その端子部側の端辺における側壁面の透明基板ＳＵＢ１に対する角度θ４は画素部のスルーホールの側壁面の透明基板ＳＵＢ１に対する角度θ３よりも小さく設定されている。

このように構成された液晶表示装置は、端子部におけるスルーホールの側壁面の傾斜がなだらかに形成され、導電層ＣＤの被着が信頼性よくでき、さらに半導体装置のバンプとの接続も良好に行うことができる。

そして、端子部におけるスルーホールは、その側壁面の傾斜において、画素部にて形成したスルーホールのそれと比較してなだらかに形成され、該画素部のいわゆる開口率を余儀なくさせてしまう不都合を解消できる。

また、端子部およびその周辺には保護膜ＯＰＡＳが形成されていない構成となっており、たとえば前記半導体装置のリペアを必要とする場合であっても、該保護膜ＯＰＡＳの剥がれによる不都合を憂慮しなくても済むようになる。

この場合、該保護膜ＯＰＡＳの端子部側の端辺の側壁面の傾斜が、画素部内のスルーホールにおける側壁面よりもなだらかに形成されているのは、端子部における前記スルーホールを形成する際のマスクとして該保護膜ＯＰＡＳを用いていることを示している。

図４は、前記ドレイン信号線ＤＬの端子ＤＬＴ部の製造方法の一実施例を示した工程を示す図である。図４の左欄には（ａ）ないし（ｅ）を経る各工程をその工程名とともに記し、中央欄は該当する工程における端子部の平面図を、また、右欄は中央欄に示す平面図のＡ−Ａ’線における断面図を示している。以下、工程順に説明する。

工程（ａ）
透明基板ＳＵＢ１の上面に絶縁膜ＧＩを介してドレイン信号線ＤＬに接続される端子が形成され、これらドレイン信号線ＤＬおよび端子をも被って無機材料からなる保護膜ＰＡＳおよび有機材料からなる保護膜ＯＰＡＳを順次形成する。

工程（ｂ）
保護膜ＯＰＡＳにコンタクト用の孔開けを行なうため、該保護膜ＯＰＡＳをハーフ露光する。ハーフ露光に用いるマスクＰＭとして、該コンタクトの形成に対応する部分は完全に遮光させ、その周辺において一部の光を透過させ残りを遮光させ、さらにその周辺において光を充分に透過させるものを用いる。
これに応じ、保護膜ＯＰＡＳには、そのコンタクト用の孔の形成領域において光が遮光され、それ以外の領域において光が透過されるが、該孔の形成領域の周辺には一部光が遮光される露光がなされる。

工程（ｃ）
保護膜ＯＰＡＳをエッチングする。保護膜ＯＰＡＳはその遮光度合いに応じて除去され、これにより、コンタクトを形成する領域には下層の保護膜ＰＡＳの表面が露呈される程度に孔開けがなされるが、その周辺はいまだ保護膜ＰＡＳの表面が露呈されることなく凹部が形成されるに止まる。

工程（ｄ）
前記保護膜ＯＰＡＳをマスクとして、その下層の保護膜ＰＡＳをエッチングする。コンタクトを形成する領域において該保護膜ＰＡＳに孔開けがなされ、該保護膜ＰＡＳの下層の端子が露呈されるようになる。この際、保護膜ＯＰＡＳの表面もほぼ一様にエッチングがなされ、該コンタクトを形成する領域の周辺の部分（前記凹部に相当する部分）にて保護膜ＰＡＳの表面を露呈させるまで除去されるようになる。

工程（ｅ）
ＩＴＯ膜を形成し、これを選択エッチングすることにより、前記コンタクトを形成する領域にてドレイン信号線ＤＬの端子に接続される導電層が形成される。この導電層は前記保護膜ＯＰＡＳの除去された領域内にて形成され、該保護膜ＯＰＡＳを跨いで形成されないようになっている。

上述した実施例では、ドレイン信号線ＤＬの端子部における構成を画素部内のスルーホールとの関係で示したものである。しかし、図３の構成におけるゲート信号線ＧＬの端子ＧＬＴ部においても適用できることはいうまでもない。

図５は、この場合における製造方法の一実施例を示した図で、図４に対応した図となっている。以下、工程順に説明する。

工程（ａ）
透明基板ＳＵＢ１の上面にゲート信号線ＧＬに接続される端子を形成し、このゲート信号線ＧＬをも被って絶縁膜ＧＩを形成する。さらに、この絶縁膜ＧＩの上面には無機材料からなる保護膜ＰＡＳおよび有機材料からなる保護膜ＯＰＡＳを順次形成する。

工程（ｂ）
保護膜ＰＡＳにコンタクト用の孔開けを行なうため、該保護膜ＯＰＡＳをハーフ露光する。ハーフ露光に用いるマスクＰＭとして、該コンタクトの形成に対応する部分は完全に遮光させ、その周辺において一部の光を透過させ残りを遮光させ、さらにその周辺において光を充分に透過させるものを用いる。
これに応じ、保護膜ＯＰＡＳには、そのコンタクト用の孔の形成領域において光が遮光され、それ以外の領域において光が透過されるが、該孔の形成領域の周辺には一部光が遮光される露光がなされる。

工程（ｄ）
前記保護膜ＯＰＡＳをマスクとして、その下層の保護膜ＰＡＳ、さらにその下層の絶縁膜ＧＩをエッチングする。コンタクトを形成する領域において該保護膜ＰＡＳ、絶縁膜ＧＩに孔開けがなされ、該絶縁膜ＧＩの下層の端子が露呈されるようになる。この際、保護膜ＯＰＡＳの表面もほぼ一様にエッチングがなされ、該コンタクトを形成する領域の周辺の部分（前記凹部に相当する部分）にて保護膜ＰＡＳの表面を露呈させるまで除去されるようになる。

工程（ｅ）
ＩＴＯ膜を形成し、これを選択エッチングすることにより、前記コンタクトを形成する領域にてドレイン信号線ＤＬの端子に接続される導電層ＣＤが形成される。この導電層は前記保護膜ＯＰＡＳの除去された領域内にて形成され、該保護膜ＰＡＳを跨いで形成されないようになっている。

図４に示した製造方法は、保護膜ＯＰＡＳをマスクとして保護膜ＰＡＳにスルーホールを形成する際に、やがて保護膜ＯＰＡＳから露出される保護膜ＰＡＳの表面を軽くエッチングしないように配慮したものであるが、これに限らず、軽くエッチングがなされるようにしてもよいことはいうまでもない。

図６は、このような製造方法の一実施例を示したもので、以下、工程順に説明する。
工程（ａ）
透明基板ＳＵＢ１の上面に絶縁膜ＧＩを介してドレイン信号線ＤＬに接続される端子が形成され、これらドレイン信号線ＤＬおよび端子をも被って無機材料からなる保護膜ＰＡＳおよび有機材料からなる保護膜ＯＰＡＳを順次形成する。

工程（ｄ）
前記保護膜ＯＰＡＳをマスクとして、その下層の保護膜ＰＡＳをエッチングする。コンタクトを形成する領域において該保護膜ＰＡＳに孔開けがなされ、該保護膜ＰＡＳの下層の端子が露呈されるようになる。この際、保護膜ＯＰＡＳの表面もほぼ一様にエッチングがなされ、該コンタクトを形成する領域の周辺の部分（前記凹部に相当する部分）にて保護膜ＰＡＳの表面を露呈させるまで除去されるようになる。そして、さらにエッチングを持続させ、保護膜ＯＰＡＳから露出された保護膜ＰＡＳの表面を軽くエッチングさせる。

同様の思想で、図５に示した製造方法においてもこのようにすることができる。図７は、このような製造方法の一実施例を示したもので、以下、工程順に説明する。
工程（ａ）
透明基板ＳＵＢ１の上面にゲート信号線ＧＬに接続される端子を形成し、このゲート信号線ＧＬをも被って絶縁膜ＧＩを形成する。さらに、この絶縁膜ＧＩの上面には無機材料からなる保護膜ＰＡＳおよび有機材料からなる保護膜ＯＰＡＳを順次形成する。

工程（ｄ）
前記保護膜ＯＰＡＳをマスクとして、その下層の保護膜ＰＡＳ、さらにその下層の絶縁膜ＧＩをエッチングする。コンタクトを形成する領域において該保護膜ＰＡＳ、絶縁膜ＧＩに孔開けがなされ、該絶縁膜ＧＩの下層の端子が露呈されるようになる。この際、保護膜ＯＰＡＳの表面もほぼ一様にエッチングがなされ、該コンタクトを形成する領域の周辺の部分（前記凹部に相当する部分）にて保護膜ＰＡＳの表面を露呈させるまで除去されるようになる。そして、さらにエッチングを持続させ、保護膜ＯＰＡＳから露出された保護膜ＰＡＳの表面を軽くエッチングさせる。

工程（ｅ）
ＩＴＯ膜を形成し、これを選択エッチングすることにより、前記コンタクトを形成する領域にてゲート信号線ＧＬの端子に接続される導電層ＣＤが形成される。この導電層は前記保護膜ＯＰＡＳの除去された領域内にて形成され、該保護膜ＰＡＳを跨いで形成されないようになっている。

図４に示した製造方法は、保護膜ＯＰＡＳをマスクとして保護膜ＰＡＳにスルーホールを形成する際に、該スルーホールの周辺において該保護膜ＯＰＡＳが残存しないように配慮したものであるが、これに限らず、薄い膜として若干残存するようにしてもよいことはいうまでもない。同様の効果が得られるからである。

図８は、このような製造方法の一実施例を示したもので、以下、工程順に説明する。
工程（ａ）
透明基板ＳＵＢ１の上面に絶縁膜ＧＩを介してドレイン信号線ＤＬに接続される端子が形成され、これらドレイン信号線ＤＬおよび端子をも被って無機材料からなる保護膜ＰＡＳおよび有機材料からなる保護膜ＯＰＡＳを順次形成する。

工程（ｄ）
前記保護膜ＯＰＡＳをマスクとして、その下層の保護膜ＰＡＳをエッチングする。コンタクトを形成する領域において該保護膜ＰＡＳに孔開けがなされ、該保護膜ＰＡＳの下層の端子が露呈されるようになる。この際、保護膜ＯＰＡＳの表面もほぼ一様にエッチングがなされるようになるが、保護膜ＰＡＳの表面を露出させるまではなされず、スルーホールの周辺に薄い層として保護膜ＯＰＡＳを残存させている段階でエッチングを止める。

工程（ｅ）
ＩＴＯ膜を形成し、これを選択エッチングすることにより、前記コンタクトを形成する領域にてドレイン信号線ＤＬの端子に接続される導電層が形成される。この導電層はその周辺にて前記保護膜ＯＰＡＳを介層させて形成される。

同様の思想で、図５に示した製造方法においてもこのようにすることができる。図９は、このような製造方法の一実施例を示したもので、以下、工程順に説明する。
工程（ａ）
透明基板ＳＵＢ１の上面にゲート信号線ＧＬに接続される端子を形成し、このゲート信号線ＧＬをも被って絶縁膜ＧＩを形成する。さらに、この絶縁膜ＧＩの上面には無機材料からなる保護膜ＰＡＳおよび有機材料からなる保護膜ＯＰＡＳを順次形成する。

工程（ｄ）
前記保護膜ＯＰＡＳをマスクとして、その下層の保護膜ＰＡＳ、さらにその下層の絶縁膜ＧＩをエッチングする。コンタクトを形成する領域において該保護膜ＰＡＳ、絶縁膜ＧＩに孔開けがなされ、該絶縁膜ＧＩの下層の端子が露呈されるようになる。この際、保護膜ＯＰＡＳの表面もほぼ一様にエッチングがなされるようになるが、保護膜ＰＡＳの表面を露出させるまではなされず、スルーホールの周辺に薄い層として保護膜ＯＰＡＳを残存させている段階でエッチングを止める。

工程（ｅ）
ＩＴＯ膜を形成し、これを選択エッチングすることにより、前記コンタクトを形成する領域にて、ゲート信号線ＧＬの端子に接続される導電層が形成される。この導電層はその周辺にて前記保護膜ＯＰＡＳを介層させて形成される。

なお、上述した各製造方法において、保護膜ＯＰＡＳを露光する場合、端子部の近傍において該端子の並設方向（該端子に接続される信号線の並設方向に相当）は、該端子の延在方向よりも反射光（信号線による反射）による露光のばらつきが発生し、これにより均一な露光ができないことが確かめられた。

それ故、図１０（ａ）に示すように、たとえば並設される各ドレイン信号線ＤＬの間に該ドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時に形成されるダミー用の信号線ＤＭＬを設けるようにした。
これにより、図中矢印Ａ方向における光の反射率がほぼ一定になり、ばらつきのない露光を達成させることができる。

また、保護膜ＯＰＡＳへの露光は上述したようにハーフ露光がなされ、そのマスクＰＭの一部光透過がなされ一部遮光する部分は一方向に延在し該一方向に交差する方向に並設された多数の帯状の遮光部で形成されている。

このため、該遮光部との関係で、端子の延在方向に干渉縞が形成される不都合が生じたため、図１０（ｂ）に示すように、前記ダミー用の信号線ＤＭＬをその長手方向に沿って断続的に形成し、それらのピッチにおいて、前記帯状の遮光部のピッチの整数倍を回避させた値とするようにした。

上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。
また、上述した実施例では、画素部に形成したスルーホールは画素電極においてその下層側に位置づけられる導体層と接続されるためのものであるが、画素電極に代えて対向電極としてもよいことはもちろんである。液晶に印加される電界は相対的なものであり、そのいずれか一方の電極は画素電極であっても対向電極であっても相違がないことに基づくものである。

なお、上述した実施例では、いずれも液晶表示装置を例に挙げて説明したものであるが、たとえば有機ＥＬ表示装置等の他の表示装置にも適用できることはいうまでもない。有機ＥＬ表示装置は、液晶の代わりに固体からなる発光層を画素電極と対向電極の間に挟持させ、これら電極を通して発光層に電流を流す構成に違いを有し、他の構成は上述した構成と変りがなく、少なくとも画素部に設けるスルーホールおよび端子部に設けるスルーホールに関し上述した課題を有していたからである。

本発明による表示装置の要部における構成の一実施例を示す説明図である。本発明による表示装置の全体の一実施例を示す等価回路図である。本発明による表示装置の画素の構成の一実施例を示す断面図である。本発明による表示装置の画素の構成の一実施例を示す断面図である。本発明による表示装置の端子部における製造方法の一実施例を示した工程図である。本発明による表示装置の端子部における製造方法の他の実施例を示した工程図である。本発明による表示装置の端子部における製造方法の他の実施例を示した工程図である。本発明による表示装置の端子部における製造方法の他の実施例を示した工程図である。本発明による表示装置の端子部における製造方法の他の実施例を示した工程図である。本発明による表示装置の端子部における他の実施例を示す平面図である。

符号の説明

ＳＵＢ…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイン信号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＰＸ…画素電極、ＣＴ…対向電極、ＤＬＴ…端子（ドレイン信号線）、ＧＬＴ…端子（ゲート信号線）、ＰＡＳ…保護膜（無機材料層）、ＯＰＡＳ…保護膜（有機材料層）。

Claims

基板上に半導体チップが搭載される表示装置であって、該半導体チップの各バンプに接続される端子が、第１の絶縁膜の下層に形成された信号線の一部を露出させる該第１の絶縁膜の第１の開口によって形成され、
前記信号線の表示部への延在部は、第２の絶縁膜とこの第２の絶縁膜の下層に形成される前記第１の絶縁膜を貫通する第２の開口によって露出されるととともに、この第２の絶縁膜上に形成される他の導電層と接続され、
前記第１の開口の第１の絶縁膜における側壁面の基板に対する角度は第２の開口の第１の絶縁膜における側壁面の基板に対する角度よりも小さく、かつ、端子側の第２の絶縁膜の端辺における側壁面の基板に対する角度は第２の開口の第２の絶縁膜の側壁面の基板に対する角度よりも小さく設定されていることを特徴とする表示装置。
基板面に表示部と端子部の各領域を有し、前記表示部と端子部に第１の絶縁膜、および少なくとも前記端子部およびその周辺を除く他の領域に第２の絶縁膜が順次形成され、
前記表示部にて前記第２の絶縁膜および第１の絶縁膜を貫通して設けた第１のスルーホールと、前記端子部にて前記第１の絶縁膜に設けた第２のスルーホールを備え、
第２のスルーホールの第１の絶縁膜における側壁面の基板に対する角度は第１スルーホールの第１の絶縁膜における側壁面の基板に対する角度よりも小さく、かつ、端子部側の第２の絶縁膜の端辺における側壁面の基板に対する角度は第１スルーホールの第２の絶縁膜の側壁面の基板に対する角度よりも小さく設定されていることを特徴とする表示装置。
第１の絶縁膜は無機材料層から構成され、第２の絶縁膜は有機材料層から構成されていることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
表示部の各画素には薄膜トランジスタを介して信号が供給されるように構成され、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜は該薄膜トランジスタを被って形成される保護膜として機能させていることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
前記端子部は、前記第１の絶縁膜に設けた第２のスルーホールから該第１の絶縁膜の下層に形成した信号線の一部が露出され、その露出された部分を少なくとも被って酸化導電膜が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
前記酸化導電膜は第２のスルーホールの周辺の第１の絶縁膜の上面に第２の絶縁膜を介層させて延在されていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
前記酸化導電膜はＩＴＯであることを特徴とする請求項５、６に記載の表示装置。
前記信号線は、前記表示部の各画素に信号線を供給するドレイン信号線であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
前記信号線は、前記表示部の一群の各画素にそれぞれ薄膜トランジスタを介して信号を供給するに際し、該薄膜トランジスタをオンするための信号を供給するゲート信号線であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。