JP6469728B2 - 電子デバイスの製造方法および電子デバイス - Google Patents

Description

本発明は、有機ＥＬデバイスや有機ＴＦＴ等の電子デバイスの製造方法および電子デバイスに関する。詳しくは、電子素子をガスバリアフィルムで封止した電子デバイスの製造方法および電子デバイスに関する。

各種の電子素子として、有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）や有機ＴＦＴ（有機薄膜トランジスタ）等の有機電子素子の開発が進んでいる。

一般的に、電子素子は、水分や酸素に弱い。中でも、有機電子素子は、水分による劣化が激しい。
そのため、電子素子は、形成後、水分やガスを透過しない封止層によって封止される。ここで、生産性を考慮すると、封止層としてガスバリアフィルムを用いることが考えられる。すなわち、基板に複数の電子素子を形成すると共に、接着剤によって、ガスバリアフィルムを基板に接着することで、複数の電子素子を一度に封止することができる。

電子素子をガスバリアフィルムで封止する場合には、電子素子と外部装置とを接続するために配線を取り出す必要がある。
大型のディスプレイ等の場合には、一般的に、周辺部から配線の取り出しが行われる。
これに対し、小型の電子素子では、周辺部からの配線の取り出しが困難な場合も多い。この場合には、ガスバリアフィルムおよび接着剤層を貫通して、配線の取り出しを行うための配線用のコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールに、電子素子と外部装置とを接続するための取り出し配線を設けることが考えられる。

例えば、特許文献１には、ガスバリアフィルムおよび接着剤層を含むフィルム複合体を連続的に供給して、フィルム複合体の一部を打ち抜き加工またはスリット加工してコンタクトホール（配線取り出し部分）形成し、電子素子が形成された基板に、コンタクトホールを形成したフィルム複合体を連続的にロール貼り合わせすると共に、フィルム複合体の連続供給、コンタクトホールの形成、および、ロール貼り合わせをインラインで行う方法が開示されている。

特開２０１１−６２９５８号公報

特許文献１に記載される方法によれば、いわゆるロール・トゥ・ロールを利用することにより、高い生産効率で、引き出し配線用のコンタクトホールを設けたガスバリアフィルムで、電子素子を封止することができる。

ところで、電子素子には、ディスプレイのような大型のものや、ＩＣタグのような小型のものなど、様々な大きさの電子素子がある。
電子素子が小さい場合には、電子素子のサイズに応じて、コンタクトホールも小さくする必要がある。特に、ＩＣタグ等の小型の電子素子は、近年、小型化の要求が厳しく、それに応じて、コンタクトホールも小さくする必要がある。
また、大型の電子素子であっても、ディスプレイの表示面積などの電子素子の有効面積を考慮すれば、コンタクトホールは小さい方が好ましい。

特許文献１にも記載されるように、接着剤層を形成したガスバアリアフィルムと、電子素子を形成した基板との貼着は、通常、両者を積層して加圧する圧着によって行われる。また、圧着を行う際には、必要に応じて、接着剤層の加熱や光の照射が行われる。
ここで、ガスバリアフィルムと基板との圧着の際には、接着剤がコンタクトホールを埋めるように移動するが、コンタクトホールが小さい場合には、接着剤がコンタクトホールを塞いでしまい、配線の取り出しができなくなってしまう。

本発明の目的は、このような従来技術の問題点を解決することにあり、電子素子をガスバリアフィルムで封止した電子デバイスにおいて、外部装置と接続するための取り出し配線を形成するためのコンタクトホールが小さい場合でも、安定して配線の取り出しを行うことができる電子デバイスの製造方法および電子デバイスを提供することにある。

このような目的を達成するために、本発明の電子デバイスの製造方法の第１の態様は、ガスバリアフィルムに接着剤層を形成し、さらに、前記ガスバリアフィルムと接着剤層とを貫通するコンタクトホールを形成する工程、
少なくとも1つの電子素子が形成された基板の前記電子素子の電極に、導電性を有する突起を形成する工程、および、
前記コンタクトホールと突起とを位置合せして、前記接着剤層と前記電子素子の形成面とを対面して、前記基板と前記ガスバリアフィルムとを積層して、圧着する工程を有し、
かつ、前記コンタクトホールの径をＸ[μｍ]、前記突起の高さをＹ[μｍ]、前記接着剤の厚さをＬ[μｍ]とした際に、下記の式(１)および式(２)を満たすことを特徴とする電子デバイスの製造方法を提供する。

また、本発明の電子デバイスの製造方法の第２の態様は、ガスバリアフィルムに接着剤層を形成し、さらに、ガスバリアフィルムと接着剤層とを貫通するコンタクトホールを形成する工程、
少なくとも１つの電子素子が形成された基板の電子素子の電極とコンタクトホールとを位置合せして、接着剤層と電子素子の形成面とを対面して、基板とガスバリアフィルムとを積層する工程、
コンタクトホール内の電子素子の電極に、導電性を有する突起を形成する工程、および、
基板とガスバリアフィルムとを圧着する工程を有し、
かつ、コンタクトホールの径をＸ［μｍ］、突起の高さをＹ［μｍ］、接着剤の厚さをＬ［μｍ］とした際に、下記の式（１）および式（２）を満たすことを特徴とする電子デバイスの製造方法を提供する。

このような本発明の電子デバイスの製造方法において、突起の最大部の大きさが、コンタクトホールの径よりも小さいのが好ましい。
また、突起の高さが、接着剤層の厚さよりも高いのが好ましい。
また、突起の大きさが、高さ方向の上に向かって、漸次、小さくなるのが好ましい。
また、さらに、コンタクトホールを導電性材料で充填する工程を有するのが好ましい。
また、ガスバリアフィルムおよび基板が可撓性を有するのが好ましい。
さらに、長尺な基板およびガスバリアフィルムを用い、接着剤層の形成、コンタクトホールの形成、突起の形成、基板とガスバリアフィルムとの積層、基板とガスバリアフィルムとの圧着の少なくとも１つを、基板およびガスバリアフィルムの少なくとも一方を長手方向に搬送しつつ行うのが好ましい。

また、本発明の電子デバイスは、基板と、
基板の上に形成された少なくとも1つの電子素子と、
電子素子を封止するガスバリアフィルムと、
ガスバリアフィルムを基板に接着する接着剤層と、
ガスバリアフィルムおよび接着剤層を貫通して、電子素子の電極に対応する位置に形成されるコンタクトホールと、
コンタクトホールを通過して電子素子の電極に接続される取り出し配線とを有し、かつ、
コンタクトホールは前記取り出し配線によって満たされており、
接着剤層を貫通するコンタクトホールを満たす取り出し配線は、上方に向かって、漸次、縮径し、最小径部から、上方に向かって、漸次、拡径する、クビレ部を有し、
ガスバリアフィルムを貫通するコンタクトホールを満たす取り出し配線は、円柱状であり、
接着剤層を貫通するコンタクトホールを満たす取り出し配線と前記ガスバリアフィルムを貫通するコンタクトホールを満たす取り出し配線とは連続的な径で連通していることを特徴とする電子デバイスを提供する。

また、基板に複数の前記電子素子が形成されているのが好ましい。

このような本発明によれば、電子素子をガスバリアフィルムで封止してなる電子デバイスにおいて、配線取り出し用のコンタクトホールが小さい場合でも、安定して配線の取り出しを行うことができる。

本発明の電子デバイスの一例を概念的に示す図である。 本発明の電子デバイスの製造方法を説明するための概念図である。 本発明の電子デバイスの製造方法を説明するための概念図である。

以下、本発明の電子デバイスの製造方法および電子デバイスについて、添付の図面に示される好適例を基に、詳細に説明する。

図１に本発明の電子デバイスの一例を概念的に示す。
図１に示す電子デバイス１０は、基本的に、基板１２と、電子素子１４と、ガスバリアフィルム２０と、接着剤層２４と、取り出し配線２６とを有する。図示例において、電子素子１４は、電子素子本体１４ａと電極１４ｂとから構成される。この電子デバイス１０は、本発明の電子デバイスの製造方法で製造されたものである。

図示例においては、電子素子１４は、１枚の基板１２の上に複数個が形成されている。
本発明は、これに限定はされず、１枚の基板１２の上に、１個のみ、電子素子１４を形成したものであってもよい。しかしながら、生産性等を考慮すると、基板１２は、複数の電子素子１４を有するのが好ましい。

本発明において、電子素子１４すなわち電子デバイス１０には、特に限定はなく、公知の各種の電子素子１４が、各種、利用可能である。中でも、有機半導体を利用して作製される電子素子１４は、好適に利用される。
一例として、有機ＥＬディスプレイや有機ＥＬ照明等の有機ＥＬ素子、有機ＴＦＴからなる論理回路によって形成されたＲＦＩＤタグなどのデバイス、有機ＴＦＴを用いた各種のセンサ、有機太陽電池等の光電変換素子、有機系熱電変換素子等が例示される。
また、電極１４ｂも公知の電子素子に設けられる公知の電極である。
電子素子１４、すなわち電子素子本体１４ａおよび電極１４ｂは、いずれも公知の方法で形成すればよい。

基板１２は、各種の電子素子１４（電子デバイス１０）に用いられる公知の物であり、絶縁性を有するシート状物（フィルム）や板状物が、各種、利用可能である。
具体的には、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、シクロオレフィンコポリマ（ＣＯＣ）、シクロオレフィンポリマ（ＣＯＰ）等の樹脂や、表面に絶縁膜を設けた金属（アルミニウム箔など）、ガラス、セラミックス等からなるシート状物や板状物が例示される。
また、後述するガスバリアフィルム２０と同様のガスバリアフィルムも、基板１２として好適に利用可能である。

基板１２の厚さは、作製する電子デバイス１０の大きさや種類等に応じて、適宜、設定すればよい。
また、基板１２は、可撓性を有するのが好ましい。一般的なガスバリアフィルム２０は可撓性も有する。そのため、基板１２が可撓性を有することにより、いわゆるロール・トゥ・ロール（Roll to Roll 以下、ＲｔｏＲとも言う）を利用して、本発明の製造方法を実施することができる。

ガスバリアフィルム２０は、支持体にガスバリア層を形成してなる、公知のガスバリアフィルムである。
ガスバリアフィルム２０は、公知の各種のものが利用可能である。ただし、アルミニウム箔などの導電性層を含むガスバリアフィルムは、取り出し配線２６と導通してしまうため、無機酸化物や無機窒化物等からなるガスバリアフィルムが好ましい。より好ましくは、プラスチックフィルム等からなる支持体の上に、窒化ケイ素等からなる無機層と、この無機層の下地層となる、アクリル樹脂やメタクリル樹脂等からなる有機層との組み合わせを１以上形成してなる、有機無機積層型のガスバリアフィルムが例示される。有機無機積層型のガスバリアフィルムにおいては、最上層は、有機層でも無機層でもよい。
有機無機積層型のガスバリアフィルムは、例えば、特開２００９−０９４０５１号公報の段落番号［００１１］〜［００３０］に記載される構成が例示される。

ガスバリアフィルム２０の厚さは、作製する電子デバイス１０の大きさや種類等に応じて、適宜、設定すればよい。
なお、基板１２と同様の理由で、ガスバリアフィルム２０は、可撓性を有するのが好ましい。なお、通常のガスバリアフィルムは、可撓性を有する。

接着剤層２４は、ガスバリアフィルム２０と電子素子１４を形成した基板１２とを接着するものである。
接着剤層２４には、ガスバリアフィルム２０と電子素子１４を形成した基板１２とを接着可能な各種の接着剤が利用可能である。一例として、ヒートシール剤、感熱性接着剤、感圧性接着剤、感光性接着剤等が利用可能である。また、接着剤層２４の形成材料としては、ガスバリア性が高いエポキシ系の接着剤が好ましい。

取り出し配線２６は、電子素子１４の電極１４ｂを、電源や駆動回路等の外部装置に接続するためのものであり、電極１４ｂから立設して、接着剤層２４およびガスバリアフィルム２０を抜けて、ガスバリアフィルム２０の上面（基板１２と逆側の面）まで至って形成される。
後に製造方法の説明でも述べるが、本発明の製造方法で製造される本発明の電子デバイス１０において、取り出し配線２６は、高さ方向に大きさの変動部を有する。好ましくは、取り出し配線２６は、上方に向かって、漸次、小さくなり、最小部から、上方に向かって、漸次、大きくなる、クビレ部を有する。

なお、本発明において、上方とは、基板１２からガスバリアフィルム２０に向かう方向である。また、本発明における取り出し配線２６の大きさとは、高さ方向すなわち接着剤層２４およびガスバリアフィルム２０の厚さ方向すなわち上下方向と、直交する方向の大きさである。
すなわち、取り出し配線２６が円柱や円錐などの回転体のような形状である場合には、取り出し配線２６は、高さ方向すなわち中心線の延在方向に直径の変動部を有し、好ましくは、上方に向けて、漸次、縮径し、最小径部から、上方に向けて、漸次、拡径する、クビレ部を有する。

取り出し配線２６は、銀、金、アルミニウム、銅、白金、鉛、亜鉛、錫、クロムなどの金属、カーボン等、公知の導電性材料で形成すればよい。

以下、図２および図３を参照して、本発明の電子デバイスの製造方法を説明することにより、本発明について、より詳細に説明する。

まず、図２左側の上段に示すように、ガスバリアフィルム２０に接着剤層２４を形成する。接着剤層２４の厚さＬに関しては、後に詳述する。
接着剤層２４は、接着剤層２４の形成材料や厚さ等に応じた、公知の方法で形成すればよい。一例として、接着剤層２４となる接着剤を塗布して乾燥し、あるはさらに半硬化する方法、接着シート（粘着シート）の貼着による方法等が例示される。

次いで、このガスバリアフィルム２０と接着剤層２４との積層体に、コンタクトホール３０を形成する。コンタクトホール３０は、封止する電子素子１４の電極１４ｂに対応する位置に形成する。
コンタクトホール３０は、公知の方法で形成すればよい。一例として、打ち抜き加工、レーザ加工等が例示される。中でも、ガスバリアフィルム２０のガスバリア層の損傷が防止できる等の点で、レーザ加工は好適に利用される。

コンタクトホール３０の直径Ｘは、電子素子１４の大きさ等に応じて、適宜、設定すればよい。コンタクトホール３０の直径Ｘに関しては、後に詳述する。
コンタクトホール３０は、基本的に、円筒状である。しかしながら、コンタクトホール３０は、必ずしも円筒状である必要はなく、楕円筒状や角筒状や不定形筒状など、各種の形状のコンタクトホールが利用可能である。また、円錐台状や角錐台状、２つの円錐台を上面で接合した形状など、コンタクトホール３０の直径は、高さ方向で変化してもよい。この場合には、コンタクトホール３０に内接する円筒（すなわち最小径）を想定し、この円筒の直径を、コンタクトホール３０の直径Ｘとすればよい。

なお、コンタクトホール３０は、基板１２と積層した際に、電子素子本体１４ａと、ある程度の距離を有するように形成するのが好ましい。
コンタクトホール３０は、取り出し配線２６によって埋められる。しかしながら、取り出し配線２６は、ガスバリアフィルム２０ほどのガスバリア性を有さないので、長期間の使用によって、取り出し配線２６を通って水分が接着剤層２４に侵入し、電子素子本体１４ａに到る可能性が有る。
これに対して、コンタクトホール３０を、電子素子本体１４ａと、ある程度の距離を有して形成することにより、取り出し配線２６を通って侵入した水分が、電子素子本体１４ａに到ることを抑制できる。

ここで、水分が電子素子本体１４ａに到達する時間は、温湿度環境、および、コンタクトホール３０と電子素子本体１４ａとの距離に依存する。
従って、コンタクトホール３０と電子素子本体１４ａとの距離は、この点を考慮して、必要な耐久性が得られるように、適宜、設定すればよい。

これとは別に、図２の左下段に示すように、１つ以上の電子素子１４（電子素子本体１４ａおよび電極１４ｂ）を形成した基板１２を用意する。
この電子素子１４の電極１４ｂに、前述のガスバリアフィルム２０と接着剤層２４との積層体に形成したコンタクトホール３０に位置合せして、導電性材料からなる突起３２を形成する。あるいは、突起３２に位置合せして、ガスバリアフィルム２０と接着剤層２４との積層体にコンタクトホール３０を形成してもよい。

突起３２は、突起３２の形成材料や大きさ等に応じて、公知の方法で形成すればよい。一例として、銀ペーストや金ペースト等の金属ペーストをディスペンサ等を用いて滴下して、乾燥あるいはさらに硬化する方法、金属ペーストを用いる印刷による方法、導電性インクを使用したインクジェットによる方法等が例示される。

突起３２の形状には、特に限定はなく、電極１４ｂから立設していれば、円柱状や円錐状等の各種の形状が利用可能である。
突起３２の形状としては、好ましくは、円錐状、円錐台状、角錐状、上面が曲面になっている円錐台状、上部が曲面になっている円錐状のように、上方に向かって、大きさが、漸次、縮小（縮径）する形状が例示される。突起３２の形状を、上方に向かって、漸次、縮小する形状とすることにより、突起３２の形成が容易になる、突起３２をコンタクトホール３０に挿入させやすくなる、ガスバリアフィルム２０を圧着した際に気泡が入りにくい等の点で好ましい。
突起３２の高さＹは、電子素子１４の大きさ等に応じて、適宜、設定すればよい。突起３２の高さＹに関しては、後に詳述する。

ガスバリアフィルム２０および接着剤層２４の積層体にコンタクトホール３０を形成し、かつ、電子素子１４に突起３２を形成したら、図２右側に示すように、コンタクトホール３０と突起３２とを位置合せして、接着剤層２４と電子素子１４の形成面とを対面して、ガスバリアフィルム２０および接着剤層２４の積層体と、基板１２とを積層する。次いで、図３の上段に示すように、ガスバリアフィルム２０と基板１２とを圧着する。
ここで、本発明の製造方法においては、突起３２を有し、かつ、コンタクトホール３０の直径Ｘ［μｍ］と、突起３２の高さＹ［μｍ］と、圧着前の接着剤層２４の厚さＬ［μｍ］とが、下記の式（１）および式（２）を満たす。

本発明の製造方法は、このような構成を有することにより、小さい電子デバイス等で、コンタクトホール３０が微細である場合でも、接着剤層２４がコンタクトホールを埋めてしまうことを防止して、安定して電極１４ｂと外部装置とを接続するための取り出し配線２６を形成できる。

前述のように、ＩＣタグ等の小型の電子素子をガスバリアフィルムで封止する場合には、ガスバリアフィルムにコンタクトホールを形成して、このコンタクトホールから外部の装置と接続するための取り出し配線を設けることが考えられる。電子素子が小さい場合には、電子素子のサイズに応じて、コンタクトホールも小さくする必要がある。また、大きな電子素子でも、デバイスの有効面積を考慮すれば、コンタクトホールは小さい方が好ましい。
ここで、特許文献１にも記載されるように、接着剤層を形成したガスバアリアフィルムと、電子素子を形成した基板との貼着は、通常、両者を積層して加圧する圧着によって行われる。また、圧着の際には、必要に応じて、接着剤層の加熱や光照射が行われる。
このガスバリアフィルムと基板との圧着の際には、接着剤層（接着剤）がコンタクトホールを埋めるように移動する。ところが、コンタクトホールが小さい場合には、ガスバリアフィルムと基板との圧着の際にコンタクトホールを塞いでしまい、配線の取り出しができなくなくなってしまう。

これに対し、本発明の製造方法では、電子素子１４の電極１４ｂに突起を形成し、かつ、コンタクトホール３０の直径Ｘ（コンタクトホール３０の大きさＸ）と、突起の高さＹと、圧着前の接着剤層２４の厚さＬとが、式（１）および式（２）を満たす。
これにより、図３の上段に示すように、ガスバリアフィルム２０と基板１２とを圧着して、接着剤層２４がコンタクトホール３０を埋めるように移動しても、突起３２が接着剤層２４から突出した状態でコンタクトホール３０内に存在する。そのため、後述するように、コンタクトホール３０に導電性材料を充填することにより、電極１４ｂと接続された取り出し配線２６を安定して形成できる。

本発明者らの検討によれば、コンタクトホール３０の直径Ｘが大きいほど、接着剤層２４によってコンタクトホール３０が穴埋めされる可能性は低くなる。また、突起の高さＹが高いほど、接着剤層２４によってコンタクトホール３０が穴埋めされる可能性は低くなる。さらに、接着剤層２４の厚さＬが薄いほど、接着剤層２４によってコンタクトホール３０が穴埋めされる可能性は低くなる。

ここで、式（１）を満たさない場合、すなわち、コンタクトホール３０の直径Ｘが５０００μｍ以上では、小型の電子デバイス１０に搭載できない等の不都合が生じる。また、コンタクトホール３０の直径Ｘが５０００μｍ以上では、ガスバリアフィルム２０と基板１２とを圧着しても、接着剤層２４によってコンタクトホール３０が埋まることは、極めて少なく、突起３２を形成する意味が無くなる。

また、コンタクトホール３０の直径Ｘ、突起の高さＹ、および、接着剤層２４の厚さＬが式（２）を満たさない場合には、コンタクトホール３０の直径Ｘおよび接着剤層２４の厚さＬに対して、突起の高さＹが低すぎる。そのため、ガスバリアフィルム２０と基板１２とを圧着した際に、突起３２が接着剤層２４に埋まってしまい、電極１４ｂと接続された取り出し配線２６が形成できなくなってしまう。

コンタクトホール３０の直径Ｘ、突起３２の高さＹ、および、接着剤層２４の厚さＬは、基本的に、下記の式（１）および式（２）を満たものであればよい。
なお、突起３２の高さＹは、接着剤層２４の厚さＬより高いのが好ましい。突起３２の高さＹを、接着剤層２４の厚さＬより高くすることにより、より確実に突起３２が接着剤層２４に埋まることを防止して、電極１４ｂと接続された取り出し配線２６を安定して形成できる。

突起３２は、最大の大きさが、コンタクトホール３０の直径Ｘ（コンタクトホールの大きさ）よりも小さいのが好ましい。突起３２の最大の大きさを、コンタクトホール３０の直径Ｘよりも小さくすることにより、突起３２を好適にコンタクトホール３０に挿入して、電極１４ｂと接続された取り出し配線２６を安定して形成できる。
なお、突起３２の大きさとは、突起３２の高さと直交する方向の大きさであるのは、前述のとおりである。すなわち、突起３２が円錐状や円錐台状である場合には、底面の大きさが、突起３２の最大の大きさとなる。

接着剤層２４の厚さＬは、十分な接着力が維持できる範囲で、薄くするのが好ましい。 接着剤層２４の厚さＬを薄くすることにより、接着剤層２４の端部からの水分侵入を抑制でき、さらに、より確実に突起３２が接着剤層２４に埋まることを防止できる。

前述のように、ガスバリアフィルム２０と接着剤層２４との積層体にコンタクトホールを形成し、電子素子１４に突起を形成したら、図２の右側に示すように、コンタクトホール３０と突起３２とを位置合せして、ガスバリアフィルム２０および接着剤層２４の積層体と、基板１２とを積層する。次いで、図３の上段に示すように、ガスバリアフィルム２０と基板１２とを圧着する（ガスバリアフィルム２０と基板１２とを押圧する）。なお、ガスバリアフィルム２０と基板１２との圧着の際には、必要に応じて、接着剤層２４の加熱（加熱圧着）や、光照射を行ってもよい。
次いで、図３の中段に示すように、コンタクトホール３０を完全に埋めるように、コンタクトホール３０に導電性材料を充填して、電子素子１４と外部装置とを接続するための取り出し配線２６を形成する。

ここで、ガスバリアフィルム２０と基板１２とを圧着すると、接着剤層２４がコンタクトホール３０を埋めるように移動する。しかしながら、本発明の製造方法においては、前述のように、突起３２を形成し、かつ、コンタクトホール３０の直径Ｘ［μｍ］と、突起３２の高さＹ［μｍ］と、圧着前の接着剤層２４の厚さＬ［μｍ］とが、式（１）および式（２）を満たす。
そのため、図３の上段に示すように、ガスバリアフィルム２０と基板１２とを圧着して、接着剤層２４がコンタクトホール３０を埋めるように移動しても、突起３２が接着剤層２４に埋まることが無い。すなわち、電極１４ｂと接続される突起３２がコンタクトホール３０内に露出している。そのため、コンタクトホール３０に導電性材料を充填することにより、突起３２と導電性材料とが接続して、電子素子１４の電極１４ｂに接続する取り出し配線２６を形成できる。
また、ガスバリアフィルム２０と基板１２との圧着の際に、接着剤層２４がコンタクトホール３０に移動することにより、コンタクトホール３０を埋めて形成される取り出し配線２６には大きさの変動部が形成される。例えば、突起３２が円錐状のような、上方に向かって、漸次、縮小するような形状を有する場合には、前述のようなクビレ部を有する取り出し配線２６が形成される。

ガスバリアフィルム２０と基板１２との圧着は、公知の方法で行えばよい。例えば、ＲｔｏＲを利用する場合には、圧着ローラ対を用いて、連続的に、ガスバリアフィルム２０と基板１２との圧着を行えばよい。
また、圧着力は、接着剤層２４の形成材料や厚さＬ等に応じて、接着剤層２４によって、ガスバリアフィルム２０と基板１２とを適正に接着できる圧着力を、適宜、設定すればよい。

コンタクトホール３０への導電性材料の充填すなわち取り出し配線２６の形成は、コンタクトホール３０の大きさ等に応じて、公知の方法で行えばよい。
一例として、銀ペーストや金ペースト等の金属ペーストを充填して、必要に応じて成形を行い、乾燥あるいはさらに硬化する方法、金属ペーストを用いる印刷による方法、導電性インクを用いたインクジェットによる方法等が例示される。

このようにして電子デバイス１０を作製したら、図３の下段に示すように、切断を行い、個々の電子デバイス１０ａとする。切断は、公知の方法で行えばよい。
このような電子デバイス１０ａは、取り出し配線２６が他の電子デバイス等が形成された基板に接続されることで、ディスプレイ等の各種の装置に実装される。

本発明の製造方法は、複数の電子素子１４が形成されたシート状の基板１２およびシート状のガスバリアフィルム２０を用いて、いわゆるバッチ式で行ってもよい。
しかしながら、好ましくは、長手方向に所定間隔で電子素子１４が形成された長尺な基板１２および長尺なガスバリアフィルム２０を用いて、いわゆるＲｔｏＲを利用するのが好ましい。周知のように、ＲｔｏＲとは、長尺な被処理材料をロール状に巻回してなる材料ロールから、被処理材料を送り出し、被処理材料を長手方向に搬送しつつ各種の処理を行い、処理済の被処理材料を、再度、ロール状に巻回する製造方法である。

本発明の製造方法においては、ガスバリアフィルム２０への接着剤層２４の形成、コンタクトホール３０形成、突起３２の形成、基板１２とガスバリアフィルム２０および接着剤層２４の積層体との積層、基板１２とガスバリアフィルム２０との圧着の少なくとも１つの工程、好ましくは全ての工程をＲｔｏＲを利用して行うことにより、より高い生産性で、電子デバイス１０を製造できる。
また、個々の電子デバイス１０ａへの切断も、ＲｔｏＲで行うのが好ましい。

図２および図３に示す本発明の第１の態様の電子デバイスの製造方法では、電子素子１４に突起３２を形成した後に、基板１２とガスバリアフィルム２０とを積層して、圧着している。
これに対して、本発明の電子デバイスの製造方法の第２の態様においては、電子素子１４に突起３２を形成する前に、コンタクトホール３０と電極１４ｂとを位置合せして、接着剤層２４と電子素子１４の形成面とを対面して、基板１２と、コンタクトホール３０を形成したガスバリアフィルム２０および接着剤層２４の積層体とを積層する。次いで、コンタクトホール３０を介して電子素子１４の電極１４ｂに突起３２を形成し、その後、基板１２とガスバリアフィルム２０との圧着を行う。
この構成でも、突起３２を形成し、かつ、コンタクトホール３０の直径Ｘ［μｍ］と、突起３２の高さＹ［μｍ］と、圧着前の接着剤層２４の厚さＬ［μｍ］とが、式（１）および式（２）を満たすことにより、図２および図３に示す電子デバイスの製造方法と同様に、図１に示すような、電極１４ｂに接続された取り出し配線２６を有する電子デバイス１０を、安定して製造できる。

以上、本発明の電子デバイスの製造方法および電子デバイスについて詳細に説明したが、本発明は、上述の例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行ってもよいのは、もちろんである。

以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をより詳細に説明する。

＜ガスバリアフィルム２０の作製＞
支持体として、厚さ７５μｍのＰＥＴフィルム（東洋紡社製、コスモシャイン）を用意した。この支持体にプラズマ処理を施した。
支持体のプラズマ処理を施した面に、下記に示す重合性化合物と、重合開始剤（Lamberti社製、Esacure KTO46）と、２−ブタノンとを含む重合性組成物を乾燥膜厚が２０００ｎｍとなるように塗布成膜し、酸素含有量１００ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下で紫外線照射量０．５Ｊ／ｃｍ²で照射して硬化させ、第１有機層を作製した。

第１有機層の上に、プラズマＣＶＤによって、厚さ４０ｎｍの窒化ケイ素膜（膜中に酸素，水素を含む）を無機層として形成した。
さらに、無機層の上に、第１有機層と同様に第２有機層を形成し、支持体の上に有機層と無機層とを交互に積層したガスバリア層を有する、有機無機積層型のガスバリアフィルム２０を作製した。

＜接着剤層２４およびコンタクトホール３０の形成＞
２液混合型熱硬化型接着剤（ダイゾーニチモリ製、エポテック３１０）を離形フィルム上に所望の膜厚となるように塗布し、これを上記のように作製したガスバリアフィルム２０に転写させて接着剤層２４を形成した。
このようにして形成したガスバリアフィルム２０と接着剤層２４との積層体に、２点のコンタクトホール３０を形成した。なお、直径が５０μｍおよび１００μｍのコンタクトホールはレーザ加工によって形成し、直径が２００μｍ以上のコンタクトホール３０は、ポンチとダイを用いる打ち抜き加工で形成した。

［実施例１］
厚さ７５μｍのＰＥＴフィルム（東洋紡社製、コスモシャイン）製の基板１２に、テスト用のストライプ電極を形成した。
このストライプ電極の２点に、コンタクトホール３０と位置合せして、底面の直径が５０μｍの略円錐状の突起３２を形成した。突起３２は、ディスペンサを用いて、銀ペーストで形成した。なお、突起３２の底面の直径は、ディスペンサのノズル径を変更することで調節した。また、突起３２の高さは、銀ペーストの塗布量によって調節した。
突起３２とコンタクトホール３０とを位置合せして、基板１２とガスバリアフィルム２０とを積層し、ゴム製ローラで圧着した後、加熱硬化させた。
硬化後、コンタクトホール３０を銀ペーストで充填して、取り出し配線２６を形成し、２点の取り出し配線２６間の導通を確認した。
この導通試験を、接着剤層２４の厚さＬ、コンタクトホール３０の直径Ｘ、および、突起３２の高さＹを、種々、変更して行った。なお、前述のように、突起３２は、底面の直径が５０μｍの略円錐状である。
結果を下記の表に示す。２点の取り出し配線２６の間で導通が取れた物を『ＯＫ』、導通が取れなかったものを『ＮＧ』と示す。

上記表１〜３に示されるように、突起３２を形成し、かつ、コンタクトホール３０の直径Ｘ［μｍ］と、突起３２の高さＹ［μｍ］と、圧着前の接着剤層２４の厚さＬ［μｍ］とが、式（１）および式（２）を満たす本発明によれば、例えば、直径１００μｍや２００μｍの微細なコンタクトホールでも、電極に接続する取り出し配線を形成できる。

なお、コンタクトホール３０の直径が５０００μｍ以上のものは、導通が取れても取れなくても、電子デバイスが不要に大きくなってしまい、かつ、電子素子１４の電極１４ｂに突起３２を形成する意味がなくなってしまい、突起３２を形成する接着剤層２４によって埋まってしまうような大きさのコンタクトホール３０に対応して、電子素子１４の電極１４ｂに接続する取り出し配線を形成するという本発明の目的は達成していないのは、前述のとおりである。
以上の結果より、本発明の効果は明らかである。

有機ＥＬディスプレイや有機ＴＦＴ等の電子デバイスに、好適に利用可能である。

１０ 電子デバイス
１２ 基板
１４ 電子素子
１４ａ 電子素子本体
１４ｂ 電極
２０ ガスバリアフィルム
２４ 接着剤層
２６ 取り出し配線
３０ コンタクトホール
３２ 突起

Claims (10)

1. ガスバリアフィルムに接着剤層を形成し、さらに、前記ガスバリアフィルムと接着剤層とを貫通するコンタクトホールを形成する工程、
   少なくとも１つの電子素子が形成された基板の前記電子素子の電極に、導電性を有する突起を形成する工程、および、
   前記コンタクトホールと突起とを位置合せして、前記接着剤層と前記電子素子の形成面とを対面して、前記基板と前記ガスバリアフィルムとを積層して、圧着する工程を有し、
   かつ、前記コンタクトホールの径をＸ［μｍ］、前記突起の高さをＹ［μｍ］、前記接着剤の厚さをＬ［μｍ］とした際に、下記の式（１）および式（２）を満たすことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
   
2. ガスバリアフィルムに接着剤層を形成し、さらに、前記ガスバリアフィルムと接着剤層とを貫通するコンタクトホールを形成する工程、
   少なくとも１つの電子素子が形成された基板の前記電子素子の電極と前記コンタクトホールとを位置合せして、前記接着剤層と前記電子素子の形成面とを対面して、前記基板と前記ガスバリアフィルムとを積層する工程、
   前記コンタクトホール内の前記電子素子の電極に、導電性を有する突起を形成する工程、および、
   前記基板と前記ガスバリアフィルムとを圧着する工程を有し、
   かつ、前記コンタクトホールの径をＸ［μｍ］、前記突起の高さをＹ［μｍ］、前記接着剤の厚さをＬ［μｍ］とした際に、下記の式（１）および式（２）を満たすことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
   
3. 前記突起の最大部の大きさが、前記コンタクトホールの径よりも小さい請求項１または２に記載の電子デバイスの製造方法。
4. 前記突起の高さが、前記接着剤層の厚さよりも高い請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
5. 前記突起の大きさが、高さ方向の上に向かって、漸次、小さくなる請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
6. さらに、前記コンタクトホールを導電性材料で充填する工程を有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
7. 前記ガスバリアフィルムおよび基板が可撓性を有する請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
8. 長尺な基板およびガスバリアフィルムを用い、前記接着剤層の形成、前記コンタクトホールの形成、前記突起の形成、前記基板とガスバリアフィルムとの積層、前記基板とガスバリアフィルムとの圧着の少なくとも１つを、前記基板およびガスバリアフィルムの少なくとも一方を長手方向に搬送しつつ行う請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
9. 基板と、
   基板の上に形成された少なくとも１つの電子素子と、
   電子素子を封止するガスバリアフィルムと、
   ガスバリアフィルムを基板に接着する接着剤層と、
   ガスバリアフィルムおよび接着剤層を貫通して、電子素子の電極に対応する位置に形成されるコンタクトホールと、
   コンタクトホールを通過して電子素子の電極に接続される取り出し配線とを有し、かつ、
   コンタクトホールは取り出し配線によって満たされており、
   前記接着剤層を貫通するコンタクトホールを満たす取り出し配線は、上方に向かって、漸次、縮径し、最小径部から、上方に向かって、漸次、拡径する、クビレ部を有し、
   前記ガスバリアフィルムを貫通するコンタクトホールを満たす取り出し配線は、円柱状であり、
   前記接着剤層を貫通するコンタクトホールを満たす取り出し配線と前記ガスバリアフィルムを貫通するコンタクトホールを満たす取り出し配線とは連続的な径で連通していることを特徴とする電子デバイス。
10. 前記基板に複数の前記電子素子が形成されている請求項９に記載の電子デバイス。