JP5800640B2 - 発光ダイオード装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、発光ダイオード装置の製造方法、詳しくは、発光ダイオード素子が封止樹脂層によって封止されている発光ダイオード装置の製造方法に関する。
従来、発光ダイオード素子(LED)が封止樹脂層によって封止されている発光ダイオード装置が知られている。
例えば、基板に実装されたLEDと、凹部を有する金型とを対向配置させながら、それらの間に樹脂層を介在させ、次いで、金型を基板に対して押圧することにより、樹脂層によってLEDを封止する、発光ダイオード装置の製造方法が提案されている(例えば、下記特許文献1参照。)。
この方法によれば、樹脂層を、金型の凹部に対応する形状に形成するとともに、各LEDに対応するパターンに形成することができる。
特開2010−123802号公報
しかし、特許文献1に記載の方法では、金型の凹部を厚み方向に投影したときに、LEDと重なるように配置する必要がある。従って、金型をLEDに対して正確に位置決めする必要がある。そうすると、金型の位置決めと、金型による押圧との両方が同時に必要となり、そのため、製造工程が煩雑となる。
本発明の目的は、発光ダイオード素子を確実に封止し、信頼性に優れた発光ダイオード装置を簡易かつ効率よく製造することのできる、発光ダイオード装置の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の発光ダイオード装置の製造方法は、発光ダイオード素子が封止樹脂層によって封止されている発光ダイオード装置の製造方法であって、支持層、前記支持層の厚み方向一方側に形成される拘束層、および、前記拘束層の厚み方向一方側に形成され、封止樹脂からなる前記封止樹脂層を備える積層体を用意する工程、前記積層体における前記封止樹脂層および前記拘束層を、前記発光ダイオード素子に対応するパターンに切り込む工程、前記パターンに切り込まれた前記封止樹脂層および前記拘束層において、前記発光ダイオード素子に対応しない部分を除去する工程、前記発光ダイオード素子に対応する前記封止樹脂層と、前記発光ダイオード素子とを対向させて、それらを、互いに近接する方向に押圧して、前記発光ダイオード素子を前記封止樹脂層により封止する工程、および、前記支持層および前記拘束層を前記積層体から除去する工程を備えることを特徴としている。
また、本発明の発光ダイオード装置の製造方法では、封止樹脂が、熱硬化性樹脂であり、前記封止樹脂層が、熱硬化性樹脂のBステージ樹脂から形成されていることが好適である。
また、本発明のダイオード装置の製造方法において、前記積層体を用意する工程では、蛍光体層を、前記拘束層と前記封止樹脂層との間に介在させるとともに、前記封止樹脂層を、前記蛍光体層の厚み方向一方側に形成することが好適である。
本発明の発光ダイオード装置の製造方法では、積層体における封止樹脂層および拘束層を、発光ダイオード素子に対応するパターンに切り込み、その後、発光ダイオード素子に対応する封止樹脂層と、発光ダイオード素子とを対向させて、それらを、互いに近接する方向に押圧して、発光ダイオード素子を封止樹脂層により封止する。
そのため、上記した金型の位置決めを省略することができるので、発光ダイオード素子を封止樹脂層により簡易かつ効率よく封止することができる。
さらに、積層体において、封止樹脂層が、拘束層の厚み方向一方側に形成されているので、かかる拘束層によって封止樹脂層を拘束することができる。
そのため、封止樹脂層を、拘束層によって拘束しながら、発光ダイオード素子に対応するパターンに優れた精度で切り込むことができる。
さらに、その後、発光ダイオード素子に対応しない部分の封止樹脂層を、拘束層によって拘束しながら、確実に除去することができる。
さらに、残存する封止樹脂層の形状を、拘束層によって拘束して、形状の維持を図ることができる。
さらにまた、発光ダイオード素子に対応する部分の封止樹脂層によって、発光ダイオード素子を確実に封止することができる。
従って、形状の維持が図られた封止樹脂層によって、発光ダイオード素子を確実に封止することができる。
その結果、信頼性に優れた発光ダイオード装置を簡易かつ効率よく製造することができる。
図1は、本発明の発光ダイオード装置の製造方法の一実施形態で用意する積層体の断面図を示す。 図2は、図1に示す積層体の製造方法を説明するための工程図であって、(a)は、拘束層を用意する工程、(b)は、蛍光体層を形成する工程、(c)は、封止樹脂層を形成する工程、(d)は、離型層を形成する工程、(e)は、支持層を形成する工程を示す。 図3は、積層体を切り込む工程であって、(a)は、断面図、(b)は、平面図を示す。 図4は、外枠部の離型層、封止樹脂層、蛍光体層および拘束層を引き剥がす工程を示す。 図5は、離型層を積層体から引き剥がして、封止樹脂層により発光ダイオード素子を封止する工程図であって、(a)は、粘着フィルムを配置する工程、(b)は、粘着フィルムを離型層に貼着する工程、(c)は、離型層を引き剥がす工程、(d)は、発光ダイオード素子を配置する工程、(e)は、実装基板を封止樹脂層に圧着する工程、(f)は、拘束層を引き剥がす工程工程を示す。 図6は、本発明の発光ダイオード装置の製造方法の他の実施形態において、積層体をパターンに切り込むとともに、ユニット毎に切り離す工程であって、(a)は、断面図、(b)は、平面図を示す。 図7は、図6に引き続き、発光ダイオード装置の製造方法を説明するための工程図であって、(a)は、離型層を積層体から引き剥がす工程、(b)は、発光ダイオード素子を封止樹脂層と対向させる工程、(c)は、発光ダイオード素子を封止樹脂層に埋設する工程、(d)は、拘束層を積層体から引き剥がす工程を示す。 図8は、図7(b)に示す工程において、ユニットをステージの上面に複数整列配置する工程を説明する斜視図を示す。 図9は、図7(c)に示す工程において、ユニット集合体をプレスする工程を説明する一部切欠斜視図を示す。
図1は、本発明の発光ダイオード装置の製造方法の一実施形態で用意する積層体の断面図、図2は、図1に示す積層体の製造方法を説明するための工程図、図3は、積層体を切り込む工程、図4は、外枠部の離型層、封止樹脂層、蛍光体層および拘束層を引き剥がす工程、図5は、離型層を積層体から引き剥がして、封止樹脂層により発光ダイオード素子を封止する工程図を示す。
この方法は、図5が参照されるように、発光ダイオード素子21が封止樹脂層5によって封止されている発光ダイオード装置22を製造する方法である。
この方法は、次に説明する図2〜図5の各工程を、図示しないロールによって各部材を連続して搬送しながら処理するロールトゥロール方式により実施する。なお、図2〜図5において、便宜的に、各部材の搬送方向を、紙面左側から紙面右側に向かう方向として説明する。
この方法では、まず、図1に示す積層体1を用意する。
積層体1は、搬送方向(図4および図5参照)に沿う長尺な平帯フィルム形状に形成されている。積層体1は、支持層2、支持層2の上(厚み方向一方側)に形成される拘束層3、拘束層3の上(厚み方向一方側)に形成される蛍光体層4、蛍光体層4の上(厚み方向一方側)に形成される封止樹脂層5、および、封止樹脂層5の上に形成される離型層6を備えている。
支持層2は、積層体1の外形形状に対応する対応する平帯フィルム形状に形成されており、積層体1全体を支持する支持テープ(支持フィルム)であって、ロールトゥロール方式におけるキャリアテープ(キャリアフィルム)とされている。
支持層2は、例えば、樹脂フィルム、金属箔などから形成されている。樹脂フィルムを形成する樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂などの弱粘着樹脂が挙げられる。金属箔を形成する金属材料としては、例えば、鉄、銅、ステンレスなどが挙げられる。好ましくは、弱粘着樹脂からなる樹脂フィルムが挙げられる。
支持層2の厚みは、例えば、20〜200μm、好ましくは、50〜90μmである。
なお、支持層2が、金属箔から形成される場合には、図示しない粘着層(弱粘着層、タック層)を積層して、粘着処理(弱粘着処理、タック処理)を施すこともできる。
拘束層3は、支持層2と略同一形状(長尺な平帯フィルム形状)に形成されている。拘束層3は、その上に形成される蛍光体層4および封止樹脂層5の形状を維持する拘束フィルム(基材フィルム)とされる。
拘束層3は、例えば、樹脂フィルム、金属箔などから形成されている。樹脂フィルムを形成する樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂(例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなど)などが挙げられる。金属箔を形成する金属材料としては、例えば、鉄、銅、ステンレスなどが挙げられる。拘束層3は、好ましくは、樹脂フィルムから形成されている。
拘束層3の厚みは、例えば、12〜250μm、好ましくは、25〜75μmである。
なお、拘束層3の上面には、離型処理を施すこともできる。
蛍光体層4は、拘束層3の上面全面に形成されている。
蛍光体層4は、例えば、蛍光体および樹脂を含有する蛍光体組成物から形成されている。
蛍光体としては、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体が挙げられる。そのような蛍光体としては、例えば、YAl12:Ce(YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット):Ce)などのガーネット型蛍光体などが挙げられる。
また、蛍光体は、例えば、粒子状をなし、平均粒子径が、例えば、0.1〜30μm、好ましくは、0.2〜10μmである。
樹脂は、蛍光体を分散させるマトリックスであって、例えば、熱硬化性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂などの熱硬化性樹脂や、例えば、アクリル樹脂などの熱可塑性樹脂が挙げられる。好ましくは、耐久性の観点から、熱硬化性樹脂、さらに好ましくは、熱硬化性シリコーン樹脂が挙げられる。
蛍光体の配合割合は、例えば、樹脂100質量部に対して、例えば、5〜50質量部である。
蛍光体層4の厚みは、例えば、10〜1000μm、好ましくは、50〜600μmである。
封止樹脂層5は、蛍光体層4の上面全面に形成されている。また、封止樹脂層5は、厚み方向において、拘束層3とによって、蛍光体層4を挟み込んでいる。つまり、蛍光体層4が、拘束層3と封止樹脂層5との間に介在されている。
封止樹脂層5を形成する封止樹脂としては、蛍光体組成物で例示した樹脂と同様の樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂、さらに好ましくは、熱硬化性シリコーン樹脂が挙げられる。
封止樹脂が熱硬化性樹脂であれば、それをBステージ樹脂として封止樹脂層5を形成し、それによって発光ダイオード素子21(図5参照)を比較的小さな押圧力で埋設でき、その後の加熱硬化によって、発光ダイオード素子21を封止するとともに、封止樹脂層5に耐熱性を付与することができる。
なお、封止樹脂には、必要により、上記した蛍光体や充填剤(シリカなど)を適宜の割合で添加して、封止樹脂を封止樹脂組成物として調製することもできる。
封止樹脂層5の厚みは、例えば、50〜5000μm、好ましくは、100〜1000μmである。
離型層6は、封止樹脂層5の上面全面に積層されている。
離型層6は、支持層2と略同一形状(長尺な平帯フィルム形状)に形成されており、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル樹脂フィルム、例えば、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合樹脂フィルムなどのフッ素系樹脂フィルムから形成されている。好ましくは、ポリエステル樹脂フィルムから形成されている。
なお、離型層6の下面には、離型処理を施すこともできる。
離型層6の厚みは、例えば、12〜250μm、好ましくは、25〜75μmである。
次に、この積層体1の製造方法を、図2を参照して説明する。
まず、図2(a)に示すように、拘束層3を用意する。
次いで、図2(b)に示すように、蛍光体層4を拘束層3の上に形成する。
蛍光体層4を形成するには、まず、上記した蛍光体組成物を調製する。なお、蛍光体組成物は、液状物として調製する。蛍光体組成物を液状物として調製するには、常温で液状の樹脂を用いるか、あるいは、公知の溶媒を配合する。
次いで、液状の蛍光体組成物を拘束層3の上面全面に塗布する。
蛍光体組成物を拘束層3の上面全面に塗布する方法としては、例えば、ドクターブレード法、グラビアコーター法、ファウンテンコーター法などの方法が挙げられる。
続いて、拘束層3の上面に塗布された蛍光体組成物を、例えば、100〜300℃で、5〜30分間、加熱する。
これにより、樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、樹脂を完全硬化させる(Cステージ状態とする)。
また、蛍光体組成物に溶媒が配合されている場合には、溶媒が留去される。
これにより、蛍光体層4を拘束層3の上に形成する。
次いで、図2(c)に示すように、封止樹脂層5を蛍光体層4の上に形成する。
封止樹脂層5を形成するには、まず、上記した封止樹脂を調製する。なお、封止樹脂は、液状物として調製する。封止樹脂を液状物として調製するには、常温で液状の封止樹脂を用いるか、あるいは、公知の溶媒を配合する。
次いで、液状の封止樹脂を蛍光体層4の上面全面に塗布する。
封止樹脂を蛍光体層4の上面全面に塗布する方法としては、例えば、ドクターブレード法、グラビアコーター法、ファウンテンコーター法などの方法が挙げられる。
続いて、蛍光体層4の上面に塗布された封止樹脂を、例えば、40〜150℃で、1〜60分間加熱する。
これにより、封止樹脂が、熱硬化性樹脂である場合には、封止樹脂を半硬化させる(Bステージ状態とする)。また、封止樹脂に溶媒が配合されている場合には、溶媒が留去される。
これにより、Bステージ樹脂からなる封止樹脂層5を蛍光体層4の上に形成する。
次いで、図2(d)に示すように、離型層6を封止樹脂層5の上に形成する。
具体的には、離型層6を封止樹脂層5の上面全面に貼着する。これにより、封止樹脂層5が離型層6によって保護される。
その後、図2(e)に示すように、支持層2を拘束層3の下に形成する。
具体的には、支持層2を拘束層3の下面に貼着する。
これによって、図1に示す積層体1を得る。
次いで、この方法では、図3(a)および図3(b)に示すように、積層体1における拘束層3、蛍光体層4、封止樹脂層5および離型層6を、発光ダイオード素子21(図5参照)に対応するパターン(発光ダイオード素子21の埋設領域(部分)を区画するパターン)に切り込む(切込7を形成する)。
具体的には、拘束層3、蛍光体層4、封止樹脂層5および離型層6に、略円環形状の刃型を用いて、平面視略円環形状の切込7(図3(a)の1点鎖線)を、上側から下側に向かって、長尺方向に沿って互いに間隔を隔てて複数形成する。
切込7は、厚み方向において、支持層2が切断されず、かつ、支持層2の上の各層、すなわち、拘束層3、蛍光体層4、封止樹脂層5および離型層6が切断されるように、形成される。
これにより、切込7は、平面視で、積層体1において、切込7の内側に、発光ダイオード素子21に対応する部分として埋設部分10と、切込7の外側に、発光ダイオード素子21に対応しない部分として外枠部12とを、仕切るように形成される。
外枠部12は、積層体1の幅方向(厚み方向および長尺方向に直交する方向)両端部において、長尺方向に連続するとともに、各埋設部分10の間に配置され、幅方向両端部を連結するパターンとして形成されている。
埋設部分10の直径(最大長さ)は、例えば、5〜300mm、好ましくは、7〜200mmである。また、各埋設部分10の間隔(長尺方向における間隔)は、例えば、20〜1000mm、好ましくは、50〜200mmである。
次いで、この方法では、図4に示すように、発光ダイオード素子21(図5参照)に対応しない拘束層3、蛍光体層4、封止樹脂層5および離型層6を除去する。
すなわち、外枠部12の拘束層3を支持層2から引き剥がす。具体的には、外枠部12の拘束層3、蛍光体層4、封止樹脂層5および離型層6を上方に引き上げる。
これにより、埋設部分10において、支持層2に積層される拘束層3、蛍光体層4、封止樹脂層5および離型層6が、切込7に対応するパターンに形成される。
次いで、この方法では、図5(a)〜図5(c)に示すように、埋設部分10の離型層6を封止樹脂層5から引き剥がす。
埋設部分10の離型層6を封止樹脂層5から引き剥がすには、例えば、図5(a)に示すように、まず、粘着フィルム19を封止樹脂層5の上に対向配置させる。
粘着フィルム19は、例えば、支持層2と略同一形状(長尺な平帯フィルム形状)に形成されており、例えば、アクリル系粘着剤など、公知の粘着剤から形成されている。粘着フィルム19の厚みは、例えば、30〜300μmである。
次いで、図5(b)に示すように、粘着フィルム19を離型層6の上面に貼着する。これにより、離型層6は、粘着フィルム19の下面に粘着する。
その後、図5(c)の矢印で示すように、粘着フィルム19を上方に引き上げることにより、離型層6を封止樹脂層5から引き剥がす。
次いで、この方法では、図5(d)に示すように、発光ダイオード素子21に対応する封止樹脂層5と、発光ダイオード素子21とを対向させる。
具体的には、埋設部分10の封止樹脂層5の上に、発光ダイオード素子21を対向配置させる。
この時、発光ダイオード素子21を封止樹脂層5に対して位置決めする。なお、発光ダイオード素子21の封止樹脂層5に対する位置決めは、ロールトゥロール方式における連続搬送を一旦停止して、実施される。
発光ダイオード素子21は、実装基板20に実装されており、具体的には、発光ダイオード素子21は、ワイヤボンディングまたはフリップチップボンディングなどによって実装基板20の下面に実装されている。より具体的には、発光ダイオード素子21は、厚み方向に投影したときに、実装基板20に含まれるように設けられ、詳しくは、実装基板20の下面中央部に設けられている。
なお、図5(d)において、実装基板20は、図示しないピックアップ装置(吸引装置)などによって、支持されている。
次いで、この方法では、図5(d)の矢印および図5(e)に示すように、発光ダイオード素子21および封止樹脂層5を、互いに近接する方向に押圧する。
具体的には、実装基板20を下方に押し下げて、実装基板20を封止樹脂層5に圧着する。
実装基板20の封止樹脂層5に対する押圧力は、例えば、0.01〜10MPa、好ましくは、0.1〜4MPaである。
これにより、発光ダイオード素子21は、封止樹脂層5に圧入されて、封止樹脂層5内に埋設される。
これによって、発光ダイオード素子21を封止樹脂層5により封止することができる。
次いで、この方法では、図5(f)の矢印で示すように、支持層2および拘束層3を積層体1から除去する。
具体的には、支持層2および拘束層3を封止樹脂層5に対して下方に引き下げて、拘束層3を封止樹脂層5から引き剥がす。
なお、支持層2および拘束層3の引き下げでは、それらは、支持層2の粘着性によって、剥離することなく、互いに密着している。
なお、支持層2および拘束層3の引き下げでは、ロールトゥロール方式において、停止していた連続搬送が再開される。
その後、封止樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、封止樹脂層5の封止樹脂を、例えば、150〜300℃で、5〜300分間、加熱することにより、完全硬化させる(Cステージ状態とする)。
これによって、実装基板20、発光ダイオード素子21、封止樹脂層5および蛍光体層4を備える発光ダイオード装置22を得る。
なお、発光ダイオード装置22は、図示しないピックアップ装置(吸引装置)などによって、支持されている。
そして、この方法では、積層体1における離型層6、封止樹脂層5、蛍光体層4および拘束層3を、発光ダイオード素子21に対応するパターンに切り込み、その後、埋設部分10における封止樹脂層5と、発光ダイオード素子21とを対向させて、それらを、互いに近接する方向に押圧して、発光ダイオード素子21を封止樹脂層5により封止する。
そのため、特許文献1に記載された金型の位置決めを省略することができるので、発光ダイオード素子21を封止樹脂層5により簡易かつ効率よく封止することができる。
さらに、積層体1において、封止樹脂層5および蛍光体層4が、拘束層3の上に形成されているので、かかる拘束層3によって封止樹脂層5および蛍光体層4を拘束することができる。
そのため、封止樹脂層5および蛍光体層4を、拘束層3によって拘束しながら、発光ダイオード素子21に対応するパターンに優れた精度で切り込むことができる。
さらに、その後、外枠部12の離型層6、封止樹脂層5および蛍光体層4を、拘束層3によって拘束しながら、確実に除去することができる。
さらに、残存する埋設部分10の封止樹脂層5および蛍光体層4の形状を、拘束層3によって拘束して、形状の維持を図ることができる。
さらにまた、埋設部分10の封止樹脂層5によって、発光ダイオード素子21を確実に封止することができる。
従って、形状の維持が図られた封止樹脂層5によって、発光ダイオード素子21を確実に封止することができる。
その結果、信頼性に優れた発光ダイオード装置22を簡易かつ効率よく製造することができる。
なお、図1および図2の実施形態では、積層体1に蛍光体層4を設けているが、例えば、図示しないが、蛍光体層4を積層体1に設けず、封止樹脂層5によって発光ダイオード素子21を封止した後、別途、封止樹脂層5の下面に蛍光体層4を積層(貼着)することもできる。
好ましくは、予め積層体1に蛍光体層4を設ける。この方法によれば、別途、発光ダイオード素子21を封止した後の封止樹脂層5に、蛍光体層4を設ける工程を省略することができる。
そのため、発光ダイオード装置22を一層簡便に製造することができる。
さらに、図5の実施形態では、積層体1において、支持層2を下側に配置し、また、発光ダイオード装置22において実装基板20を上側に配置しているが、上下方向の配置は特に限定されず、例えば、図示しないが、それらの逆に積層することもできる。つまり、積層体1において、支持層2を上側に配置し、発光ダイオード装置22において実装基板20を下側に配置することもできる。
図6は、本発明の発光ダイオード装置の製造方法の他の実施形態において、積層体をパターンに切り込むとともに、ユニット毎に切り離す工程、図7は、図6に引き続き、発光ダイオード装置の製造方法を説明するための工程図、図8は、図7(b)に示す工程において、ユニットをステージの上面に複数整列配置する工程を説明する斜視図、図9は、図7(c)に示す工程において、ユニット集合体をプレスする工程を説明する一部切欠斜視図を示す。
なお、上記した各部に対応する部材については、以降の各図面において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
図3(b)の実施形態では、埋設部分10を、幅方向に1列設けたが、例えば、幅方向に複数列設けることができ、具体的には、図6(b)に示すように、幅方向に2列設けることができる。
また、図5(e)の実施形態では、1個の発光ダイオード素子21を、1個の埋設部分10における封止樹脂層5に埋設させているが、例えば、図示しないが、複数個の発光ダイオード素子21を、1個の埋設部分10における封止樹脂層5に埋設させることもできる。さらに、その場合には、複数個の発光ダイオード素子21のそれぞれを各実装基板20に実装することができ、あるいは、複数個の発光ダイオード素子21を1つの実装基板20(大きな実装基板20、具体的には、ウエハなど)にまとめて実装することもできる。
また、図5の実施形態では、各工程を、ロールトゥロール方式により実施しているが、例えば、図7〜図9に示すように、枚葉方式(バッチ方式)により実施することもできる。
次に、積層体1を用意する工程(図2)および積層体1を切り込む工程(図6)を除く各工程を、枚葉方式により実施する発光ダイオード装置22の製造方法について、図7〜図9を参照して説明する。
この方法では、まず、図1および図2に示すように、長尺平帯状の積層体1を用意する。
次いで、この方法では、図6に示すように、積層体1における拘束層3、蛍光体層4、封止樹脂層5および離型層6を切り込むとともに、複数の埋設部分10を含むユニット15毎に切り分ける。
具体的には、切込7を、積層体1の幅方向および長尺方向に整列状に形成することにより、幅方向および長尺方向に整列配置される埋設部分10が形成される。
また、積層体1を、幅方向に2列、長尺方向に2列で整列配置された埋設部分10を含む、平面視略矩形状のユニット15に切り分ける。つまり、ユニット15に対応するように、支持層2、拘束層3、蛍光体層4、封止樹脂層5および離型層6を切断する。
ユニット15のサイズは、適宜選択され、長尺方向長さが、例えば、100〜1000mmであり、幅方向長さが、100〜1000mmである。各埋設部分10間の長尺方向間隔および幅方向間隔は、例えば、20〜500mm、好ましくは、50〜200mmである。
次いで、図7(a)に示すように、各ユニット15の埋設部分10の離型層6を引き剥がす。具体的には、粘着フィルム19を離型層6の上面に貼着して、続いて、粘着フィルム19を上方に引き上げる。
その後、離型層6が引き剥がされたユニット15を、図8に示すように、ステージ16の上に載置する。具体的には、ユニット15を、ステージ16の上面に、各ユニット15が幅方向および長尺方向に互いに間隔を隔てて整列配置されるように、載置する。各ユニット15間の間隔は、例えば、10〜100mmである。
ステージ16は、略矩形板状をなし、例えば、鉄板、ステンレス板などの金属板から形成されている。
これにより、ステージ16の上に複数のユニット15が載置されたユニット集合体18が作製される。
次いで、図7(b)および図9に示すように、発光ダイオード素子21を、ユニット集合体18における封止樹脂層5に対向配置させる。
その後、図7(c)に示すように、発光ダイオード素子21および封止樹脂層5を、互いに近接する方向に押圧して、発光ダイオード素子21を封止樹脂層5内に埋設させる。
具体的には、実装基板20の上面に、熱板17を配置し、かかる熱板17が実装基板20を押圧する。すなわち、熱板17およびステージ16の厚み方向における挟み込みにより、発光ダイオード素子21および封止樹脂層5を厚み方向に押圧する。
熱板17の温度は、例えば、120〜200℃、好ましくは、140〜165℃である。熱板17は、ユニット集合体18よりやや大きい略矩形板形状に形成されている。
次いで、熱板17を引き上げ、各ユニット15をステージ16から下ろし、続いて、図7(d)に示すように、支持層2および拘束層3を積層体1から除去する。具体的には、拘束層3を封止樹脂層5から引き剥がす。
その後、封止樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、封止樹脂層5を、例えば、150〜300℃で、5〜300分間、加熱することにより、完全硬化させる(Cステージ状態とする)。
これにより、発光ダイオード装置22を得る。
そして、図7の実施形態は、図3〜5の実施形態と同様の作用効果を奏し、さらに、枚葉方式であるので、発光ダイオード素子21および発光ダイオード装置22の種類あるいはサイズなどに応じて、小量生産する場合に、製造コストを低減することができる。
以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は、何らそれらに限定されない。
実施例1
(ロールトゥロール方式)
下記の各工程をロールトゥロール方式により実施した。
(積層体の製造)
上面が離型処理されたポリエチレンテレフタレートからなる拘束層を用意した(図2(a)参照)。なお、拘束層は、長尺平帯状をなし、幅300mm、厚み50μmであった。
次いで、蛍光体層を拘束層の上に形成した(図2(b)参照)。
具体的には、まず、常温液状の熱硬化性シリコーン樹脂100質量部、および、蛍光体(粒子状、平均粒子径:10μm、YAG粒子)26質量部を含有する液状の蛍光体組成物を調製し、続いて、これを、拘束層の上面全面にドクターブレード法で塗布し、続いて、100℃で、5分間加熱して、厚み100μmの完全硬化状態(Cステージ)の蛍光体層を形成した。
次いで、封止樹脂層を蛍光体層の上に形成した(図2(c)参照)。
具体的には、まず、常温液状の熱硬化性シリコーン樹脂を蛍光体層の上面全面にドクターブレード法で塗布して、続いて、120℃で、10分間加熱して、厚み900μmの半硬化状態(Bステージ状態)の封止樹脂層を形成した。
次いで、下面が離型処理されたポリエチレンテレフタレートからなる厚み50μmの離型層を、封止樹脂層の上面全面に貼着した(図2(d)参照)。なお、離型層は、サイズが拘束層と同一である長尺平帯状に形成されていた。
その後、アクリル樹脂(弱粘着剤)からなる厚み70μmの支持層を、拘束層の下面全面に貼着した(図2(e)参照)。
これによって、積層体を製造した(図1参照)。
(発光ダイオード装置の製造)
積層体における拘束層、蛍光体層、封止樹脂層および離型層を、円環形状の刃型により、発光ダイオード素子(図5参照)に対応するパターンに切り込んで、円環形状の切込を形成した(図3(a)および図3(b)参照)。切込の直径は100mm、各切込間の間隔は50mmであった。
次いで、切込の外側に仕切られた外枠部の拘束層、蛍光体層、封止樹脂層および離型層を、支持層から除去した(図4参照)。
次いで、アクリル系粘着剤からなる厚み70μmの粘着フィルムを、封止樹脂層の上に対向配置し(図5(a)参照)、続いて、粘着フィルムを離型層の上面に貼着し(図5(b)参照)、その後、粘着フィルムを上方に引き上げることにより、離型層を封止樹脂層から引き剥がした(図5(c)の矢印参照)。
次いで、埋設部分の封止樹脂層と、実装基板の下面に実装された発光ダイオード素子とを対向させて、発光ダイオード素子を封止樹脂層に対して位置決めした(図5(d)参照)。
次いで、実装基板を下方に押し下げて、実装基板を封止樹脂層に、圧力2.77MPaで圧着することにより、発光ダイオード素子を封止樹脂層に圧入させて、発光ダイオード素子を封止樹脂層内に埋設させた(図5(d)の矢印および図5(e)参照)。
これによって、発光ダイオード素子を封止樹脂層により封止した。
その後、支持層および拘束層を封止樹脂層に対して下方に引き下げて、拘束層を封止樹脂層から引き剥がした(図5(f)の矢印参照)。
その後、150℃で、120分間加熱することにより、封止樹脂層を完全硬化させた(Cステージ状態とした)。
これによって、発光ダイオード装置を得た。
実施例2
(ロールトゥロール方式および枚葉方式)
積層体を用意する工程(図2参照)および積層体を切り込む工程(図6参照)をロールトゥロール方式により実施し、それらを除く各工程を枚葉方式により実施した。
すなわち、実施例1と同様に処理して、積層体を製造した(図1および図2参照)。
続いて、積層体における拘束層、蛍光体層、封止樹脂層および離型層を切り込むとともに、4個の埋設部分を含むユニット毎に切り分けた(図6(b)参照)。
各ユニットのサイズは300×300mmであり、各埋設部分の直径は100mmであり、各埋設部分間の間隔は50mmであった。
次いで、アクリル系粘着剤からなる厚み70μmの粘着フィルムを離型層の上面に貼着し、続いて、粘着フィルムを上方に引き上げることによって、埋設部分の離型層を引き剥がした(図7(a)参照)。
その後、ユニットを、ステージの上面において、幅方向および長尺方向に互いに間隔を隔てて整列配置されるように、載置した(図8参照)。各ユニット間の間隔は20mmであった。
発光ダイオード素子を埋設部分の封止樹脂層に対向配置した(図7(b)および図8参照)。
次いで、実装基板の上面に、160℃の熱板を配置し、それによって実装基板を押圧した(図7(c)および図9参照)。
その後、熱板を引き上げ、各ユニットをステージから下ろすとともに、支持層および拘束層を積層体から除去した。
その後、150℃で、120分間加熱することにより、封止樹脂層を完全硬化させた(Cステージ状態とした)。
これにより、発光ダイオード装置を得た(図7(d)参照)。
1 積層体
2 支持層
3 拘束層
4 蛍光体層
5 封止樹脂層
11埋設部分
12外枠部
21発光ダイオード素子
22発光ダイオード装置

Claims (4)

  1. 発光ダイオード素子が封止樹脂層によって封止されている発光ダイオード装置の製造方法であって、
    支持層、前記支持層の厚み方向一方側に形成される拘束層、および、前記拘束層の厚み方向一方側に形成され、封止樹脂からなる前記封止樹脂層を備える積層体を用意する工程、
    前記積層体における前記封止樹脂層および前記拘束層を、前記発光ダイオード素子に対応するパターンに切り込む工程、
    前記パターンに切り込まれた前記封止樹脂層および前記拘束層において、前記発光ダイオード素子に対応しない部分を除去する工程、
    前記発光ダイオード素子に対応する前記封止樹脂層と、前記発光ダイオード素子とを対向させて、それらを、互いに近接する方向に押圧して、前記発光ダイオード素子を前記封止樹脂層により封止する工程、および、
    前記支持層および前記拘束層を前記積層体から除去する工程
    を備えることを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法。
  2. 封止樹脂が、熱硬化性樹脂であり、
    前記封止樹脂層が、熱硬化性樹脂のBステージ樹脂から形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の発光ダイオード装置の製造方法。
  3. 前記積層体を用意する工程では、
    蛍光体層を、前記拘束層と前記封止樹脂層との間に介在させるとともに、
    前記封止樹脂層を、前記蛍光体層の厚み方向一方側に形成する
    ことを特徴とする、請求項1または2に記載の発光ダイオード装置の製造方法。
  4. 前記積層体における前記封止樹脂層および前記拘束層を、前記発光ダイオード素子に対応するパターンに切り込む工程が、厚み方向において、前記支持層を切断せず、かつ、前記封止樹脂層および前記拘束層を切断することにより、前記積層体における前記封止樹脂層および前記拘束層を、前記発光ダイオード素子に対応するパターンに切り込む工程であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光ダイオード装置の製造方法。
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