JPH05283456A - 封止用シート、樹脂封止装置および樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

封止用シート、樹脂封止装置および樹脂封止型半導体装置の製造方法

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JPH05283456A
JPH05283456A JP4078055A JP7805592A JPH05283456A JP H05283456 A JPH05283456 A JP H05283456A JP 4078055 A JP4078055 A JP 4078055A JP 7805592 A JP7805592 A JP 7805592A JP H05283456 A JPH05283456 A JP H05283456A
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sealing
semiconductor device
sheet
reels
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JP4078055A
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Inventor
Tomoaki Takubo
知章 田窪
Mamoru Sasaki
衛 佐々木
Hiroshi Tazawa
浩 田沢
Osatake Yamagata
修武 山方
Hideko Mukoda
秀子 向田
Masao Mochizuki
正生 望月
Yasuhiro Yamaji
泰弘 山地
Hideo Ota
英男 太田
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、大型化、薄型化が容易で、信頼性
の高い樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とす
る。 【構成】 本発明の第1では、封止樹脂層が切断可能に
支持された長尺状の封止用シートで構成している。また
本発明の第2では、複数の供給リールと、各供給リール
からのシートを巻き取る巻き取りリールと、前記各供給
リールから、封止用樹脂シート、半導体チップの搭載さ
れたリードフレーム、封止用樹脂シートを位置合わせし
つつ重ね合わせて貼着し積層体を形成する貼着部と、貼
着された積層体を加圧しつつ硬化成型せしめる成型部と
を含み、供給リールから供給しつつ封止するようにして
いる。本発明の第3では、前記第2の封止装置を用いて
樹脂封止をおこなう。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置お
よび樹脂封止型半導体装置の製造方法に係り、半導体チ
ップを超薄型に封止する樹脂封止に関する。
【0002】
【従来の技術】近年半導体装置の高集積化に伴うチップ
の大型化によって、樹脂封止型半導体装置のパッケ―ジ
の大型化が進む一方、実装スペースの微細化にともない
薄型化の傾向を強めており、この傾向は今後益々強くな
っていくと考えられる。また、パッケ―ジの種類も今後
益々多様化し、従来のトランスファ成型法で十分な対応
ができなくなってきている。このような状況の中で、多
品種少量生産ができるフレキシブルな生産様式の開発が
望まれている。
【0003】例えば、近年の半導体集積回路技術の進歩
は、マイクロプロセッサとその外部とのデータ転送量お
よびスピードの増大への要求を強くしておりこの要求に
いかに答えるかが、マイクロプロセッサを用いたシステ
ムの動作スピード、能力を上げるための重要な課題であ
るといえる。そのために従来から、ウェハスケールイン
テグレーションやマルチチップモジュールなどの高密度
実装技術等の開発が行われているがそれらのいずれもメ
モリチップやロジックチップを2次元平面上に高密度に
実装する技術である。たとえばメモリチップを2次元平
面上に高密度に実装した場合マイクロプロッセッサから
の距離が近いチップと遠いチップとが存在するため、遠
いチップからマイクロプロセッサまでの信号遅延時間が
マイクロプロセッサとメモリチップとのデータ転送スピ
ードを律速することになる。この問題を解決するための
技術としてメモリチップやパッケージを3次元状に厚さ
方向に積層する方法が提案されている。この場合できる
だけ多くのチップを配置するためにはチップの薄型化が
必要となる。
【0004】ところで従来、樹脂封止型半導体装置はト
ランスファ成型法によって得られていた。この方法は、
エポキシ樹脂および充填剤などを主体にしたエポキシ成
型材料等の未硬化の熱硬化性樹脂を、加熱して溶融さ
せ、トランスファ―成型機を用いて金型に注入し、高温
高圧状態(160〜180℃,70〜100kg/c
m2)で成型して、硬化することにより、リードフレーム
に搭載された半導体チップを封止する方法である。この
方法で形成される樹脂封止型半導体装置は、半導体チッ
プをエポキシ樹脂組成物が完全に覆うため、信頼性に優
れており、また金型で緻密に成型するため、パッケ―ジ
の外観も良好であることから、現在ではほとんどの樹脂
封止型半導体装置はこの方法で製造されている。
【0005】しかしながら、未硬化の熱硬化性樹脂をト
ランスファ成型器の金型に注入する方法では薄型の実装
は困難である。
【0006】またこのようなパッケージをプリント基板
上に実装する場合、プリント基板のパッドに半田ぺース
トをスクリーン印刷し、位置合わせ後にパッケージを搭
載してリフローすることにより固着するという方法がと
られる。この場合個々のリードを半田付けする場合とは
異なり、リフロー時にはパッケージを含めた基板全体が
加熱されることになる。このように全体が200℃以上
の高温にさらされることにより、チップサイズが大きく
なると封止樹脂内部に吸湿された水分がダイパッドの下
側にある封止樹脂およびチップの上側にある封止樹脂に
クラックを発生させるという問題があった。この樹脂ク
ラックはボンディングワイヤの切断を招いたり半導体チ
ップの耐湿性を劣化させ、その結果半導体装置の信頼性
を著しく劣化させる。
【0007】このように、従来のトランスファ用エポキ
シ成型材料は、種々の改良にもかかわらず、電子機器の
小型化、薄型化の流れに対応していくのは極めて困難で
あった。
【0008】さらに、半導体集積回路素子と封止樹脂の
熱膨張率の差に起因する熱応力が、パッケージの大型化
に伴い特に大きくなり、ソルダリングの際の加熱や熱サ
イクル試験によって半導体集積回路素子や封止樹脂にク
ラックが発生するし易くなり、半導体集積回路の大型化
とそれに伴うパッケージの大型化は従来のトランスファ
ー成型用エポキシ樹脂材料の使用を困難にしている。
【0009】また、半導体デバイスの多ピン化の動向に
対して、従来のトランスファ成型法では、数百ピン以上
のピン数を有するパッケージの製造は困難になってきて
おり、多ピン化に対応できる新しいパッケージの開発が
必要になっている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】このように、高密度実
装への要求に応え、パッケージの大型化および薄型化に
備えて、実装が簡単で、自動化が容易な樹脂封止方法が
望まれていた。
【0011】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、大型化、薄型化が容易で、信頼性の高い樹脂封止型
半導体装置を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】そこで本発明の第1で
は、封止樹脂層が切断可能に支持された長尺状の封止用
シートで構成している。望ましくは、封止用シートは送
り穴を具備した長尺状体で構成するようにしている。こ
のシートは、中央に封止樹脂層が形成されるか、全面に
樹脂層が形成され、開口部が開けられて切断可能に支持
される。
【0013】また本発明の第2では、複数の供給リール
と、各供給リールからのシートを巻き取る巻き取りリー
ルと、前記各供給リールから、封止用樹脂シート、半導
体チップの搭載されたリードフレーム、封止用樹脂シー
トを位置合わせしつつ重ね合わせて貼着し積層体を形成
する貼着部と、貼着された積層体を加圧しつつ硬化成型
せしめる成型部とを含み、供給リールから供給しつつ封
止するようにしている。 本発明の第3では、前記第2
の封止装置を用いて樹脂封止をおこなう。
【0014】ここで封止用樹脂シートとしては、樹脂を
硬化する前のシート状体、例えばガラス繊維等の基体に
樹脂を含浸させたいわゆるプリプレグなどを含めた未架
橋部分を残したシート状体を出発材料として用いること
ができ、半導体チップと共に積層後、硬化成型される。
【0015】またここで硬化方法としては、熱硬化性樹
脂を加熱して架橋させ硬化させる方法、光硬化性樹脂を
光照射して架橋させ硬化させる方法を用いることがで
き、金型内で一旦溶融させ架橋により硬化させる他、所
望であれば界面のみを溶融させ加圧状態で硬化させ固着
するようにしてもよい。また金型を用い、誘導加熱によ
り樹脂のみを選択的に加熱するようにしてもよい。
【0016】本発明で使用されるリード構成体の材質、
形状機能は、特に制限されない。封止用樹脂シ―トの材
質については、未硬化の光および熱硬化性樹脂、熱可塑
性樹脂、エンジニアリングプラスチックスなどの樹脂素
材を使用してもよいが、一体成型時の樹脂粘度が低いほ
ど緻密な封止を行うことができる。
【0017】例えば、熱硬化性樹脂としては、エポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂、マレイミド樹脂、シリコ―ン樹
脂、フェノ―ル樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂
などが挙げられる。光硬化性樹脂としては、アクリレー
ト系、ジアゾニウム系、o−キノンアジド類、また感光
性低分子である重クロム酸塩、有機アジド化合物、イオ
ウ化合物などがある。これらの樹脂は単独で用いても、
組み合わせてもよく、またこれらの樹脂の中に硬化剤、
触媒、可塑剤、着色剤、難燃化剤、充填剤、その他各種
添加剤を含有したものでもよい。
【0018】本発明において用いられる封止用樹脂シ―
トは、例えば以下のような方法で作成することができ
る。エポキシ樹脂、硬化剤、触媒、シリカ粉末、その他
の材料を粉砕、混合して、アセトンなどの溶剤に溶解し
て濃度調整を行い、そのまま放置する、加熱する、又は
減圧下におく等の方法により、溶媒を揮発させるか、あ
るいはガラス織布等の織布に、この溶液を塗布するか、
溶液中にガラス織布を含浸させ、放置する、加熱する、
又は減圧下におく等の方法により、溶媒を揮発させプリ
プレグを作製することができる。
【0019】また、織布の材質としては無機系ではガラ
ス、石英、炭素繊維、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ア
ルミニウム、アルミナ、ジルコニア、チタン酸カリウム
繊維などがあり、有機系ではナイロン系、アクリル系、
ビニロン系、ポリ塩化ビニル系、ポリエステル系、アラ
ミド系、フェノ―ル系、レ―ヨン系、アセテ―ト系、
綿、麻、絹、羊毛などがある。これらを単独で用いて
も、組み合わせて用いてもよい。
【0020】加圧硬化させる工程においては、ボイドの
発生を防止し、空気の膨脹によるパッケージクラックの
発生を防止するために、金型内を減圧することが望まし
い。さらに、成型後に封止樹脂の各種特性を向上するた
めに、アフタ―キュアを行うことが望ましい。
【0021】
【作用】本発明の第1では、少なくとも1側辺に沿って
所定の間隔で形成された送り穴を有する長尺状体によっ
て封止用樹脂シートを構成しているため、極めて容易に
封止用樹脂シートを供給することができ、半導体装置の
実装が極めて容易となる。
【0022】また本発明の第2では、複数の供給リール
と、各供給リールからのシートを巻き取る複数の巻き取
りリールと、前記各供給リールから、封止用樹脂シー
ト、半導体チップの搭載されたリード構成体、封止用樹
脂シートを位置合わせしつつ重ね合わせて貼着し積層体
を形成する貼着部と、貼着された積層体を加圧しつつ硬
化成型せしめる成型部とを含み、供給リールから供給し
つつ封止するようにしているため、自動化が容易で半導
体装置を極めて容易に実装することができる。
【0023】また本発明の樹脂封止型半導体装置は、製
造工程のインライン化により自動的に製造を行うことが
できる。このように本発明によれば、製造工程の簡略化
が可能となり、長期にわたって良好な信頼性を保持する
ことができる。
【0024】封止工程がインライン化できることによ
り、本発明の製造方法は多品種少量生産に適したフレキ
シブルな製造方法となる。
【0025】本発明の構造は、機械的強度が高いことか
ら、半導体パッケ―ジが薄く、チップ面積が大きく、か
つ表面実装用の半導体装置に最適である。
【0026】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。
【0027】実施例1 本発明の第1の実施例の樹脂封止型半導体装置の製造装
置について説明する。この装置では全て巻取方式で自動
的に実装を行うようにしている。
【0028】この装置は、図1に示すようにそれぞれ7
個の供給リールからなる供給部100と、これらを重ね
合わせて加圧し貼着する貼着部200と、プレス成型部
300と、巻取り部400とから構成されている。ここ
でフィルムキャリアは図2に示すように、フィルムキャ
リア本体としての厚さ50μm のポリイミドテープ3s
に設けられたチップ搭載用開口部32に半導体チップ3
1が搭載され、チップ搭載用開口部32を囲むように設
けられた開口部33を通過するように金属箔配線34が
形成され、この金属箔配線34とチップの電極とをバン
プを介して接続したものである。36はサポート部であ
りさらにこのフィルムキャリアの両端には送り穴35が
形成されている。
【0029】さらに図3に示すようにフィルムキャリア
と同一幅、同一ピッチで形成された厚さ50μm のガラ
スクロスからなる基材1に、フィルムキャリアの開口部
33と一致するように形成された開口部13で囲まれた
領域をサポート部12で支持しこの両面の矩形領域に厚
さ50μm の封止用の樹脂層11が形成され、プリプレ
グを構成している。図4および図5はそれぞれこの基材
1の形状(樹脂層形成前)および樹脂層11形成後の裏
面図を示す図である。また幅方向の両端には送り穴15
が形成されている。
【0030】また銅箔テープ2は図6に示すように同様
に厚さ15μm の銅箔21からなりフィルムキャリアと
同一幅、同一ピッチで形成されたもので、ほぼ同様に形
状加工がなされている。22はサポート部、23は開口
部,25は送り穴である。
【0031】これら全てを供給リール7に巻きとってお
く。8,9はガイドローラである。この後シート貼着部
200で、プリプレグ1、銅箔2、プリプレグ1,フィ
ルムキャリア3,プリプレグ1、銅箔2、プリプレグ1
の順に開口部が重なるように位置合わせをして(図8
(a) )貼着ローラ10によって加圧しながら重ね合わせ
る。
【0032】そしてさらに、重ね合わされた状態で、プ
レス成型部300においてヒータ5によって170℃に
加熱された金型6内で1分間、圧縮成型して図8(b) に
示すような樹脂封止型半導体装置4を作製した。すなわ
ち図7に要部拡大図を示すように、プレス成型部300
において170℃に加熱された金型401内で1分間、
圧縮成型して図2に示すような樹脂封止型半導体装置を
作製した。403は金型内を減圧にするための真空系で
ある。ここで成型されたパッケ―ジの厚さは1層500
μm 、全体で1.2mmであった。
【0033】これら長尺状のフィルムは図中の矢印の方
向に移動していき、巻き取りリール12に巻き取られた
後、アフタキュア部でアフタキュアを行った後個々に分
断される。分断は、図3に示した樹脂シートが形成され
たガラスクロス、図6に示した銅箔テープ、図2に示し
たフィルムキャリア共に、サポート部12,22,36
と内部の矩形領域の継ぎ目で切断することにより行う。
同時に図2に示したフィルムキャリアの開口33外周位
置でリード34の切断を行う。これらは加圧成型用の金
型により一括して切断することにより行う。
【0034】なお図ではテープの各矩形領域に対しサポ
ート部を形成するため四辺に開口を設けるようにした
が、対向する2辺に開口を設け残る2辺を切断するよう
にしてもよい。分断後の半導体装置を図9に示す。図1
0は分断前の平面破断図である。このようにして形成さ
れた半導体装置の厚さは500μm と極めて薄いもので
あった。
【0035】さらに前記実施例では、1層のフィルムキ
ャリアに装着された半導体チップの封止について説明し
たが、変形例として図11に封止装置を示すと共に図1
2乃至図14に製造工程図を示すように、複数のフィル
ムキャリアを積層してもよい。この装置は、図11に示
すように11個の供給リール1が設けられている他は図
1に示した前記実施例の装置と同様に形成されており、
供給部100と供給部100から供給される各材料を重
ね合わせて加圧し貼着する貼着部200と、プレス成型
部300と、巻取り部400とから構成されている。す
なわちここではプリプレグ1、銅箔2、プリプレグ1,
フィルムキャリア3,プリプレグ1、フィルムキャリア
3,プリプレグ1,フィルムキャリア3,プリプレグ
1、銅箔2、プリプレグ1の順に開口部が重なるように
位置合わせをして重ね合わせる(図12)。
【0036】そしてさらに、重ね合わされた状態で、プ
レス成型部300においてヒータ5によって170℃に
加熱された金型6内で1分間、圧縮成型して図13に示
すような樹脂封止型半導体装置4を作製した。また図示
しないが金型内を減圧にするための真空系が配設されて
おり、加圧成型時に金型内を減圧にすることができるよ
うになっている。
【0037】これら長尺状のフィルムは図中の矢印の方
向に移動していき、加熱された金型の中で加圧成型さ
れ、金型から外して巻き取りリール12に巻き取られた
後、アフタキュア部で180℃4時間のアフタキュアを
行い、この後個々に分断される。分断後の半導体装置を
図14に示す。このようにして極めて容易にインライン
方式で自動実装を行うことが可能となる。
【0038】このようにして形成された半導体装置の厚
さは1.1mmと極めて薄いものであった。
【0039】なお、前記実施例では、樹脂層はガラスク
ロスの中央部に形成したが、全面に形成しても良い。ま
たガラスクロスを基材として用いたプリプレグについて
説明したが、これに限定されることなく、クロスの他
に、織布、繊維や多孔質のものを基材として用いること
ができ、その材質としてもガラスの他、樹脂金属等他の
材料を用い、これに樹脂を含浸させる等種々変形して実
施することができる。
【0040】またプリプレグで挟まれている銅箔は、銅
箔に限定されることなく、他の金属箔、樹脂フィルム、
セラミックなどでも良いしまた、この銅箔を除去し、プ
リプレグ、フィルムキャリア、プリプレグ、フィルムキ
ャリア、プリプレグ……というように積層してもよい。
【0041】さらに前記実施例では、金型を加熱するこ
とにより樹脂を硬化させる例について説明したが、誘導
加熱により樹脂のみを選択的に加熱する方法を用いても
良い。 また、光硬化性樹脂を用いる場合には、金型を
ガラスなどの透光性部材で構成し、金型を介して光を照
射するようにしてもよい。
【0042】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、容易にかつ薄型に形成することがで大型化に十分に
対応可能な3次元積層型の樹脂封止型半導体装置を提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の樹脂封止装置を示す図
【図2】本発明の第1の実施例で用いられるフィルムキ
ャリアを示す図
【図3】本発明の第1の実施例で用いられるプリプレグ
を示す上面図
【図4】本発明の第1の実施例で用いられるプリプレグ
の基材を示す図
【図5】本発明の第1の実施例で用いられるプリプレグ
を示す下面図
【図6】本発明の第1の実施例の樹脂封止工程図
【図7】本発明実施例の樹脂封止装置を示す図
【図8】本発明の第1の実施例の樹脂封止工程図
【図9】本発明の第1の実施例の方法で形成された樹脂
封止型半導体装置を示す図
【図10】同樹脂封止型半導体装置の一部破断平面図
【図11】本発明の第2の実施例の樹脂封止装置を示す
【図12】本発明の第2の実施例の樹脂封止工程図
【図13】本発明の第2の実施例の樹脂封止工程図
【図14】本発明の第2の実施例の方法で形成された樹
脂封止型半導体装置を示す図
【符号の説明】
1 プリプレグ 2 銅箔(キャリア) 3 フィルムキャリア 4 樹脂封止型半導体装置 5 ヒータ 6 金型 7 リール 8,9 ガイドローラ 10 ローラ 13 開口部 15 送り穴 23 開口部 25 送り穴 33 開口部 35 送り穴 100 供給部 200 シート貼着部 300 圧縮成型部 400 アフターキュア部 500 巻取部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山方 修武 神奈川県川崎市幸区小向東芝町 1 株式 会社東芝総合研究所内 (72)発明者 向田 秀子 神奈川県川崎市幸区小向東芝町 1 株式 会社東芝総合研究所内 (72)発明者 望月 正生 神奈川県川崎市幸区小向東芝町 1 株式 会社東芝総合研究所内 (72)発明者 山地 泰弘 神奈川県川崎市幸区小向東芝町 1 株式 会社東芝総合研究所内 (72)発明者 太田 英男 神奈川県川崎市幸区小向東芝町 1 株式 会社東芝総合研究所内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 封止樹脂層が切断可能に支持された長尺
    状の封止用シート。
  2. 【請求項2】 複数の供給リールと各供給リールから供
    給されるシートを巻き取る巻き取りリールと前記各供給
    リールから、封止樹脂層が切断可能に支持されたシー
    ト、半導体チップの搭載されたリード構成体、封止樹脂
    層が切断可能に支持されたシートを位置合わせしつつ重
    ね合わせて貼着し積層体を形成する貼着部と、 貼着された積層体を加圧しつつ硬化成型せしめる成型部
    とを含み、供給リールから供給しつつ封止する用に構成
    されたことを特徴とする樹脂封止装置。
  3. 【請求項3】 請求項2記載の樹脂封止装置を用いて半
    導体装置を製造することを特徴とする樹脂封止型半導体
    装置の製造方法。
JP4078055A 1992-03-31 1992-03-31 封止用シート、樹脂封止装置および樹脂封止型半導体装置の製造方法 Pending JPH05283456A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100442701B1 (ko) * 1997-08-19 2004-09-18 삼성전자주식회사 테이프/릴형 반도체 아이씨 실링장치
US6881611B1 (en) * 1996-07-12 2005-04-19 Fujitsu Limited Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device
WO2008090950A1 (ja) 2007-01-26 2008-07-31 Hitachi Chemical Co., Ltd. 封止用フィルム、及びそれを用いた半導体装置
US8551277B2 (en) 2011-08-30 2013-10-08 Nitto Denko Corporation Method for producing light emitting diode device
WO2014188742A1 (ja) * 2013-05-24 2014-11-27 日東電工株式会社 封止シートおよびその製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6881611B1 (en) * 1996-07-12 2005-04-19 Fujitsu Limited Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device
KR100442701B1 (ko) * 1997-08-19 2004-09-18 삼성전자주식회사 테이프/릴형 반도체 아이씨 실링장치
WO2008090950A1 (ja) 2007-01-26 2008-07-31 Hitachi Chemical Co., Ltd. 封止用フィルム、及びそれを用いた半導体装置
US8715454B2 (en) 2007-01-26 2014-05-06 Hitachi Chemical Company, Ltd. Sealing film and a semiconductor device using the same
US8771828B2 (en) 2007-01-26 2014-07-08 Hitachi Chemical Company, Ltd. Sealing film and a semiconductor device using the same
US8551277B2 (en) 2011-08-30 2013-10-08 Nitto Denko Corporation Method for producing light emitting diode device
WO2014188742A1 (ja) * 2013-05-24 2014-11-27 日東電工株式会社 封止シートおよびその製造方法
JP5902291B2 (ja) * 2013-05-24 2016-04-13 日東電工株式会社 封止シートおよびその製造方法

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