JPH05291319A

JPH05291319A - 樹脂封止型半導体装置

Info

Publication number: JPH05291319A
Application number: JP4085792A
Authority: JP
Inventors: Masao Mochizuki; 正生望月; Tomoaki Takubo; 知章田窪; Hideko Mukoda; 秀子向田; Hiroshi Tazawa; 浩田沢; Mamoru Sasaki; 衛佐々木; Osatake Yamagata; 修武山方; Hideo Ota; 英男太田; Yoichi Hiruta; 陽一蛭田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1992-04-07
Filing date: 1992-04-07
Publication date: 1993-11-05

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】中空封止を低コストで実現する。【構成】第１の樹脂封止型半導体装置は、半導体チッ
プ６と、半導体チップ６の表面側に、接続用の突起電極
を介して、チップ６のパッドに直接接続せしめられた金
属配線を備えた可撓性フィルム基板３と、前記半導体チ
ップ６の外縁部に配設された枠体４とを、前記半導体チ
ップ６の裏面を覆うように配置せしめられた第１の封止
用樹脂シート１と、それに対向するように可撓性フィル
ム基板３を介してチップ６の表面側に配置せしめられた
第２の封止用樹脂シート２とで挟んで一体的に固着され
た積層体と、前記金属配線に接続しこの積層体から導出
されされたリード７とから構成されている。本発明の第
２の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップ６の表面側
に対向する領域に絶縁板を具備した第２の封止用樹脂シ
ートとで挟み一体的に固着された積層体とを具備し、こ
の積層体からリード構成体７の一部が導出されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に係り、特にエアブリッジ配線構造を有する半導体集積
回路を用いた半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路の分野では、集積
化が進められており、入出力信号や電源電圧を供給する
ためのパッド数は益々増大し、動作速度の迅速化は進む
一方である。

【０００３】例えば、ガリウム砒素（GaAs）基板を用い
た電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を集積化して形成さ
れ、１００ピコ秒程度のスイッチング速度で高速論理動
作をおこなうような半導体集積回路もある。

【０００４】ところで、このような半導体集積回路を超
高速で動作させるためには、その配線間寄生容量を小さ
くする必要がある。

【０００５】そこで、この配線間寄生容量を低減すべ
く、従来から、基板上配線において配線間が交差する部
分に空間をもたせたエアブリッジ配線構造が提案されて
いる。このエアブリッジ配線構造をもつ半導体集積回路
を、トランスファ成型法を用いて樹脂封止する場合、図
１０に示すように、基板３６内に形成された電界効果ト
ランジスタなどの素子間を接続する配線間に空間３７を
設けたエアブリッジ配線構造の空間内に封止樹脂３８が
侵入し、空間が潰れてしまい、寄生容量が増大し、エア
ブリッジ配線構造とした効果が低減されてしまうという
問題があった。このように従来、樹脂封止型半導体装置
はトランスファ成型法によって得られていた。この方法
は、エポキシ樹脂および充填剤などを主体にしたエポキ
シ成型材料等の熱溶融性樹脂を、加熱して溶融させ、ト
ランスファ―成型機を用いて金型に注入し、高温高圧状
態（１６０〜１８０℃，７０〜１００ｋｇ／cm²）で成
型して、硬化することにより、リードフレームに搭載さ
れた半導体チップを封止する方法である。この方法で形
成される樹脂封止型半導体装置は、半導体チップをエポ
キシ樹脂組成物が完全に覆うため、信頼性に優れてお
り、また金型で緻密に成型するため、パッケ―ジの外観
も良好であるが、その半面、上述したようにエアブリッ
ジ配線を用いた場合樹脂の流れ込みにより、寄生容量の
増大を招いてしまうという問題がある。

【０００６】また、このようなパッケージをプリント基
板上に実装する場合、プリント基板のパッドに半田ぺー
ストをスクリーン印刷し、位置合わせ後にパッケージを
搭載してリフローすることにより固着するという方法が
とられる。この場合個々のリードを半田付けするのとは
異なり、リフロー時にはパッケージを含めた基板全体が
加熱されることになる。チップサイズが大きくなると、
このように全体が２００℃以上の高温にさらされること
により、封止樹脂３８内部に吸湿された水分がダイパッ
ドの下側にある封止樹脂およびチップの上側にある封止
樹脂にクラックを発生させるという問題があった。この
樹脂クラックはボンディングワイヤの切断を招いたり半
導体チップの耐湿性を劣化させ、その結果半導体装置の
信頼性を著しく劣化させる。

【０００７】このように、従来のトランスファ用エポキ
シ成型材料は、種々の改良にもかかわらず、電子機器の
小型化薄型化の流れに対応していくのは極めて困難であ
った。また、半導体デバイスの多ピン化の動向に対し
て、従来のトランスファ成型法では、数百ピン以上のピ
ン数を有するパッケージの製造は困難になってきてお
り、多ピン化に対応できる新しいパッケージの開発が必
要になっている。

【０００８】さらに、半導体集積回路素子と封止樹脂の
熱膨張率の差に起因する熱応力が、パッケージの大型化
に伴い特に大きくなり、ソルダリングの際の加熱や熱サ
イクル試験によって半導体集積回路素子や封止樹脂にク
ラックが発生し易くなり、従来のトランスファー成型用
エポキシ樹脂材料の使用を困難にしている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】このようにエアブリッ
ジ配線構造をもつ半導体集積回路を、トランスファ成型
法を用いて樹脂パッケージ内に実装する場合、エアブリ
ッジ配線構造の空間内に樹脂が侵入し、空間が潰れてし
まい、寄生容量が増大し、エアブリッジ配線構造にした
効果が低減されてしまうという問題があった。

【００１０】このため、エアブリッジ配線構造をもつ半
導体集積回路は、樹脂モールドに比べて大幅にコストの
高いセラミックパッケージを用いており、これがコスト
の低減を阻む原因となっていた。

【００１１】また、エアブリッジ配線構造をもたない半
導体装置においても、モールド樹脂の金型への射出圧力
や、成型時のクラックによって、例えばボンディングワ
イヤの切断を招く等の問題があった。

【００１２】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、高速デバイスの特性を良好に発揮せしめ信頼性の高
い半導体装置を低コストで実装することを目的とする。

【００１３】特に、エアブリッジ配線構造をもつ半導体
集積回路を低コストで実装することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】そこで本発明では、可撓
性フィルム基板上に形成された金属箔配線と、半導体集
積回路チップのパッドとを接続用の突起電極を介して接
続するとともに、これら突起電極の外側または内側に枠
状のダムパターンを形成し、封止用樹脂シートで挟んで
一体的に成型せしめられている。

【００１５】望ましくはこれら封止用樹脂シートは、樹
脂を含浸させたプリプレグで構成する。

【００１６】さらに望ましくは、可撓性フィルム基板上
に形成された金属箔配線と、半導体集積回路チップのパ
ッドとをエアブリッジ配線の高さよりも十分に大きい接
続用の突起電極を介して接続するとともに、これら突起
電極の外側または内側にこれと同程度の高さを有する枠
状のダムパターンを形成し、封止用樹脂シートで挟んで
一体的に成型せしめる。

【００１７】また本発明の第２では、封止用樹脂シート
のうち、半導体チップの表面に対向する面側に配置する
ものに半導体チップよりもやや大きい絶縁板を具備した
ものを用いるようにしている。

【００１８】形成に際しては、例えば複数のリードを有
するとともに枠状のダムパターンを有するリードフレー
ムを形成し該リードフレームにエアブリッジ配線構造を
有する半導体チップ等の半導体チップを搭載したのち、
第１の封止用シート，前記リードフレーム，第２の封止
用シートを順次積層し、加圧しつつ硬化成型させるよう
にしている。

【００１９】ここで封止用樹脂シートとしては、樹脂を
硬化する前のシート状体、例えばガラス繊維等の基体に
樹脂を含浸させたいわゆるプリプレグなどを含めた未架
橋部分を残したシート状体を出発材料として用いること
ができ、半導体チップと共に積層後、硬化成型される。

【００２０】またここで硬化方法としては、熱硬化性樹
脂を加熱して架橋させ硬化させる方法、光硬化性樹脂を
光照射して架橋させ硬化させる方法を用いることがで
き、金型内で一旦溶融させ架橋により硬化させる他、所
望であれば界面のみを溶融させ加圧状態で硬化させ固着
するようにしてもよい。また金型を用い、誘導加熱によ
り樹脂のみを選択的に加熱するようにしてもよい。

【００２１】本発明で使用されるリード構成体の材質、
形状機能は、特に制限されない。封止用樹脂シ―トの材
質については、未硬化の光および熱硬化性樹脂、熱可塑
性樹脂、エンジニアリングプラスチックスなどの樹脂素
材を使用してもよいが、一体成型時の樹脂粘度が低いほ
ど緻密な封止を行うことができる。

【００２２】本発明で使用されるリード構成体の材質、
形状機能は、特に制限されない。封止用樹脂シ―トの材
質については、未硬化の光および熱硬化性樹脂、熱可塑
性樹脂、エンジニアリングプラスチックスなどの樹脂素
材を使用してもよいが、一体成型時の樹脂粘度が低いほ
ど緻密な封止を行うことができる。

【００２３】例えば、熱硬化性樹脂としては、エポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂、マレイミド樹脂、シリコ―ン樹
脂、フェノ―ル樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂
などが挙げられる。光硬化性樹脂としては、アクリレー
ト系、ジアゾニウム系、ｏ−キノンアジド類、また感光
性低分子である重クロム酸塩、有機アジド化合物、イオ
ウ化合物などがある。これらの樹脂は単独で用いても、
組み合わせてもよく、またこれらの樹脂の中に硬化剤、
触媒、可塑剤、着色剤、難燃化剤、充填剤、その他各種
添加剤を含有したものでもよい。

【００２４】本発明において用いられる封止用樹脂シ―
トは、例えば以下のような方法で作成することができ
る。エポキシ樹脂、硬化剤、触媒、シリカ粉末、その他
の材料を粉砕、混合して、アセトンなどの溶剤に溶解し
て濃度調整を行い、そのまま放置する、加熱する、又は
減圧下におく等の方法により、溶媒を揮発させるか、あ
るいはガラス織布等の織布に、この溶液を塗布するか、
溶液中にガラス織布を含浸させ、放置する、加熱する、
又は減圧下におく等の方法により、溶媒を揮発させプリ
プレグを作製することができる。

【００２５】また、織布の材質としては無機系ではガラ
ス、石英、炭素繊維、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ア
ルミニウム、アルミナ、ジルコニア、チタン酸カリウム
繊維などがあり、有機系ではナイロン系、アクリル系、
ビニロン系、ポリ塩化ビニル系、ポリエステル系、アラ
ミド系、フェノ―ル系、レ―ヨン系、アセテ―ト系、
綿、麻、絹、羊毛などがある。これらを単独で用いて
も、組み合わせて用いてもよい。

【００２６】加圧硬化させる工程においては、ボイドの
発生を防止し、空気の膨脹によるパッケージクラックの
発生を防止するために、金型内を減圧することが望まし
い。さらに、成型後に封止樹脂の各種特性を向上するた
めに、アフタ―キュアを行うことが望ましい。

【００２７】

【作用】上記第１の構成によれば、可撓性フィルム基板
上に形成された金属箔配線と、半導体集積回路チップの
パッドとを接続用の突起電極を介して接続するととも
に、これら突起電極の外側または内側に枠状のダムパタ
ーンを形成し両面を封止用樹脂シートで挟んで一体成型
するようにしているため、トランスファ成型の場合のよ
うに、金型内に溶融状態の樹脂を流入する際にエアブリ
ッジ配線等の配線が溶融樹脂の流入時の圧力によって変
形せしめられたりすることもなく、熱あるいは光が金型
から良好かつ均一に供給され少量の熱で良好な状態に溶
融し硬化せしめられる。このため、トランスファー成型
に比べ、溶融時の粘度が大きくてもエアブリッジ配線等
を加圧することもなく良好に封止を行うことができる。
このように、突起電極の内側または外側に形成される枠
体によって半導体集積回路チップと可撓性フィルム基板
との間に形成される空間の存在によりエアブリッジ配線
等の配線は良好に保護され、樹脂が入り込むようなこと
もない。可撓性フィルム基板上に形成された金属箔配線
と、半導体集積回路チップのパッドとをエアブリッジ配
線の高さよりも十分に大きい接続用の突起電極を介して
接続するとともに、これら突起電極の外側または内側に
これと同程度の高さを有する枠状のダムパターンを形成
し両面を封止用樹脂シートで挟んで一体成型するように
すればなお十分にエアブリッジ配線の効果を奏効せしめ
ることができる。

【００２８】さらに本発明の第２によれば、封止用樹脂
シートのうち、半導体チップの表面に対向する面側に配
置するものに半導体チップよりもやや大きい絶縁板を具
備したものを用いるようにしているため、チップの位置
に開口部を有するフィルムキャリアを用いた場合にもチ
ップ表面への樹脂の流入はこの絶縁板で良好に保護され
る。

【００２９】また本発明の樹脂封止型半導体装置は、製
造工程のインライン化により自動的に製造を行うことが
できる。このように本発明によれば、製造工程の簡略化
が可能となり、長期にわたって良好な信頼性を保持する
ことができる。

【００３０】本発明において、半導体チップを載置する
フィルムキャリア、リードフレームなどのリード構成体
およびプリプレグは、リ―ル方式で供給することができ
る。両者がそれぞれ対応するようにリ―ルで供給し、合
体、封止することにより、半導体デバイスの封止工程を
完全にインライン化することができ、半導体装置のアセ
ンブリから封止までを連続工程で行うことができる。こ
れは、従来のトランスファ成型法ではバッチ処理によら
なければならなかったのに比べ、決定的に有利な点であ
る。

【００３１】封止工程がインライン化できることによ
り、本発明の製造方法は多品種少量生産に適したフレキ
シブルな製造方法となる。

【００３２】本発明の構造は、機械的強度が高いことか
ら、半導体パッケ―ジが薄く、チップ面積が大きく、か
つ表面実装用の半導体装置に最適である。

【００３３】また、金属箔配線に突起電極を形成し、こ
の突起電極側が半導体集積回路チップのパッドと向かい
合うように形成すれば、枠体の絶縁を考慮しなくてもよ
いため、装着が容易となる。

【００３４】さらに、第１および第２の封止用樹脂シー
トとの間に枠体の存在によって形成される凹部内にエア
ブリッジ配線構造の半導体集積回路チップがくるように
し、不活性ガスと共に封止するようにすれば、この凹部
によってエアブリッジ配線は保護され、不活性ガスによ
って配線を保護することができる。

【００３５】さらに、本発明によれば、従来は高価なセ
ラミックパッケージを用いていたエアブリッジ配線構造
の半導体集積回路の実装に、樹脂やアルミニウム等の金
属等、セラミック以外の安価なパッケージを用いること
ができるため、コストの大幅な低減をはかることができ
る。

【００３６】

【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
つつ詳細に説明する。

【００３７】実施例１図１は、本発明の第１の実施例の半導体装置を示す図で
ある。

【００３８】この半導体装置は、第１および第２の封止
用樹脂シート１，２の間に、ポリイミドフィルム上にマ
イクロストリップ構造の伝送線路を形成した実装基板３
（ＴＡＢ基板）に形成された枠状のダム電極４ｓおよび
その上に無電界めっきによって形成されたダムパターン
４の存在によって形成される凹部５内にGaAsヘテロ接合
バイポーラトランジスタ集積回路チップ６のエアブリッ
ジ配線構造がくるようにし、不活性ガスと共に封止し、
この凹部によってエアブリッジ配線を保護するようにし
たことを特徴とするものである。

【００３９】ここで半導体チップの表面のボンディング
パッドを除く領域はポリイミド樹脂で被覆されており、
ダムパターンが金属で構成されていても導通のおそれは
ない。このリードフレームとしてのフィルムキャリア
は、比誘電率３．２、厚さ（Ｈ）７５μｍのポリイミド
フィルム３の表面に、集積回路チップ６の周縁部に形成
されたボンディングパッド（図示せず）と直接電気的に
接続されるように形成され先端にスルーホール８を介し
てバンプ７ｐを有した厚さ１８μｍの舌片状の銅箔から
なる内部リード７ａと、この内部リード７ａのそれぞれ
に対応して該ポリイミドフィルムの外方に伸長する厚さ
１８μｍの舌片状の銅箔からなる外部リード７ｃと、こ
れら内部リードと外部リードとをそれぞれ接続する厚さ
１８μmの銅箔パターンからなる伝送線路部７ｂと、さ
らに裏面に枠状をなすように形成されたダム電極４ｓお
よびダムパターン４とから構成されている。ここで、バ
ンプ７ｐ形成のためのめっき工程でこのダムパターンは
ダム電極４ｓの上に無電界めっきによって形成される。

【００４０】そして、これら伝送線路部７ｂ等の表面は
ソルダレジストと呼ばれる絶縁性樹脂膜で被覆されてい
る。

【００４１】組み立てに際しては、次のようにして行
う。

【００４２】この半導体装置の製造工程図を、封止工程
図を図２(a) 乃至(d) に、これに用いられる半導体封止
装置を図３に示す。

【００４３】まず、フェノールノボラックタイプのエポ
キシ樹脂１００部、ＵＶ硬化性アクリレート２０部、硬
化剤としてジシアンジアミド６部、充填材としてシリカ
を３００部、および触媒としてベンジルジメチルアミン
０．５部をメチルセロソルブ１００部に溶解してワニス
を調整し、ガラスクロスに浸漬した後、風乾し、乾燥機
中で、８０℃×４時間の加熱乾燥を行い、図２(a) に示
すように厚さ２００μm のプリプレグを形成し、これを
所望の形状にカットする。

【００４４】そして前記フィルムキャリア３を図３に示
すような半導体封止装置を用いて、供給リール１００と
巻取リール５００との間で移動せしめつつ連続的に実装
する。この装置は、供給リール１００と、半導体チップ
載置部２００と、上方と下方から２枚のプリプレグを供
給し貼着するシート貼着部３００と、プレス成型部４０
０と、巻取部５００とから構成されている。

【００４５】まず図２(b) および(c) に示すようにチッ
プ載置部２００で位置合わせを行いつつフィルムキャリ
ア３上にチップ６をフェイスダウンでバンプ７ｐを介し
て接続する。すなわち、このフィルムキャリアの内部リ
ード７ａと半導体チップのパッドとをバンプ７ｐを介し
て接合する。

【００４６】この後シート貼着部３００で、図２(a) に
示したプリプレグ１を半導体チップ６の裏面およびフィ
ルムキャリア３側の半導体チップ６と対合する位置に貼
り付ける（図２(d) ）。

【００４７】そしてさらに、プレス成型部４００におい
て１７０℃に加熱された金型４０１内で１分間、圧縮成
型して図１に示したように樹脂封止型半導体装置を作製
した。４０２はヒータである。ここで成型されたパッケ
―ジの厚さは１mmであった。成型されたパッケ―ジを金
型から外し、巻き取り部５００で巻き取りリール（巻取
機）を用いて巻き取った後、アフターキュア部（図示せ
ず）で１８０℃４時間のアフタ―キュアを行う。

【００４８】ここで金型の凹部の形状は図４に拡大説明
図を示すようにプリプレグの形状とほぼ等しく形成され
ておりかつ金型凹部の容積は、２枚のプリプレグの体積
の合計よりもやや小さく、成型時にプリプレグが加圧さ
れるようにしたものを用いる。またさらに金型４０１内
を減圧にするための真空系４０３が配設されている。

【００４９】このようにして極めて容易にインライン方
式で自動実装を行うことが可能となる。

【００５０】そして最後にバリ取りを行い、ここの半導
体装置に分割することによって薄型パッケージが完成す
る。

【００５１】このようにして形成された樹脂封止型半導
体装置は、チップとリードとの間に寄生容量が形成され
ることもなく、耐湿性および放熱性が良好で、機械的強
度が極めて高いものとなった。

【００５２】かかる構成によれば、封止用樹脂シートの
間に設置される枠体（ダムパターン）により凹部内に半
導体チップが空間を形成して不活性ガスと共に封入され
ており、エアブリッジ配線構造を良好に維持することが
できる。

【００５３】なお、前記実施例ではフィルムキャリアの
伝送線路部等を半導体チップ側ではなく裏面側に形成
し、ビアホールを介して接続するようにしたが、図５に
示すようにフィルムキャリアの伝送線路部等が半導体チ
ップ側に位置するようにし、樹脂等の絶縁性の枠体（ダ
ムパターン）１４を形成するようにしてもよい。これは
フィルムキャリア上にパターン印刷等の方法により形成
しておくようにしてもよいし、実装に際して挾むように
してもよい。この絶縁性の枠体に樹脂を用いる場合は、
プリプレグの溶融硬化温度で、流動化しないものを用い
る必要がある。

【００５４】なお、上記実施例で説明したそれぞれ伝送
回路の構造は、それぞれの伝送回路構造に限定されるこ
となく、相互にマイクロストリップ構造やコプレナ構
造、グランド付きコプレナ構造などにも適用可能である
ことはいうまでもない。但し枠体形成面側に伝送線路が
形成される場合は、絶縁性樹脂で枠体を形成するなどの
伝送線路との絶縁を行うようにする必要がある。

【００５５】また、樹脂封止装置としては前記実施例で
用いたものに限定されることなく、図６に示すように封
止用樹脂シートの貼着および加圧成型を同一装置（箇
所）で行うようにしてもよい。ここでは封止用樹脂シー
ト供給機Ｋが圧縮成型機に近接して設けられており、フ
ィルムキャリア２に搭載されて搬送されてきた半導体チ
ップ６が金型４０１の位置にきたところで、封止用樹脂
シート供給機Ｋによって封止用樹脂シート１，２が半導
体チップの両面に貼着され、続いてその位置でヒータ４
０２によって加熱されつつ金型４０１で加圧成型され樹
脂封止がなされる。さらに図７に示すように、封止用
樹脂シート１，２をテープＴ1 ，Ｔ2 上に載置して、連
続的に供給し、フィルムキャリアに搭載された半導体チ
ップ６の両面に貼着部３００で封止用樹脂シート１，２
を貼着し、圧縮成型部４００で加圧成型するようにして
もよい。このとき封止用樹脂シート供給後のテープは巻
きとりリールによって巻き取られる。

【００５６】実施例２次に本発明の第２の実施例について説明する。

【００５７】この例では、図８(a) および(b) にその封
止工程を示すようにフィルムキャリアの半導体チップ搭
載位置近傍に開口部ｈが形成されているものの封止に用
いられるもので、封止用樹脂シートのうち、半導体チッ
プの表面に対向する面側に配置するものに半導体チップ
よりもやや大きい絶縁板１２を配設し、前記実施例１と
同様に加圧成型したことを特徴とするものである。

【００５８】すなわち、フィルムキャリアの半導体チッ
プ搭載位置近傍に開口部ｈが形成されており、このフィ
ルムキャリア１の開口部ｈに突出する舌片状の銅箔から
なる内部リード７ａのバンプ７ｐを介して半導体チップ
６とフィルムキャリアとが直接接合（ダイレクトボンデ
ィング）されており、この半導体チップおよびその周辺
領域に相当するフィルムキャリアの一部が、絶縁性樹脂
例えばエポキシ系樹脂よりなるダムパターン１４（１４
₁〜１４₃）を挾んで封止用樹脂シート１，２によって
加圧硬化せしめられている。

【００５９】この構造では、半導体チップ６の表面に対
向する面側に配置するものに半導体チップよりもやや大
きい絶縁板１２を具備したプリプレグを用いるようにし
ているため、チップの位置に開口部ｈを有するフィルム
キャリアを用いた場合にもチップ表面への樹脂の流入は
この絶縁板で良好に保護される。

【００６０】ここで、エアブリッジ配線の高さは、基板
表面から２〜３μm 程度とし、バンプの高さは２０〜３
０μm とする。このバンプはめっきを複数回繰り返すか
あるいは半田を厚膜スクリーン印刷によって形成するか
あるいはボールバンプ法を用いて半田ボールを付着せし
める等の方法で高く形成するとよい。

【００６１】なお、この例では、フィルムキャリアにつ
いて説明したが、リードフレームの裏面に樹脂フィルム
を貼着したものを用いてもよい。

【００６２】さらにいずれの場合もバンプは実装基板側
に形成しても良いし、チップ側に形成しても良いことは
いうまでもない。。

【００６３】加えて、絶縁板は完全に架橋されていなく
ても良く、加圧成型時に硬化せしめるようにしてもよい
が、その場合には他の部分よりも粘度の高いものを用い
る必要がある。

【００６４】また、本発明は、ワイヤボンディングの場
合にも適用可能である。

【００６５】この半導体装置は図９に示すように、裏面
に樹脂フィルム２０の貼着されたリードフレームのイン
ナーリード２１のボンディング領域よりも外側に、エア
ブリッジ配線の高さよりも高い絶縁性部材からなる枠体
２４を配設し、この枠体によってできる空間によってチ
ップおよびエアブリッジ配線およびボンディングワイヤ
を保護するようにしたものである。ここで封止用樹脂シ
ートは実施例２と同様にチップと対向する領域に絶縁板
２２を形成したものを用いる。

【００６６】この場合もチップ表面側は枠体と絶縁板２
２とによってできる空間によって良好に保護され、高速
デバイスの特性を損なうことなく良好に封止することが
できる。

【００６７】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、半導体チップの周りを囲むように配設された枠体を
挾んで封止用樹脂シートと共に一体成型しているため、
半導体チップの素子形成面を中空状態に維持することが
でき、良好に封止を行うことができる上この空間の存在
によりエアブリッジ配線等を良好に保護することがで
き、高速でかつ信頼性の高い半導体装置を提供すること
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の半導体装置を示す図

【図２】同半導体装置の製造工程図

【図３】樹脂封止装置を示す図

【図４】同装置の要部拡大図

【図５】他の樹脂封止装置を示す図

【図６】他の樹脂封止装置を示す図

【図７】本発明の第２の実施例の半導体装置を示す図

【図８】本発明の第３の実施例の半導体装置の製造工程
を示す図

【図９】本発明の第４の実施例の半導体装置を示す図

【図１０】従来例の半導体装置を示す図

【符号の説明】

１第１の封止用樹脂シート２第１の封止用樹脂シート３フィルムキャリア４枠体５空間６チップ７リード８スルーホール１２絶縁板１４枠体２０樹脂フィルム２１インナーリード２２絶縁板２４枠体

フロントページの続き (72)発明者田沢浩神奈川県川崎市幸区小向東芝町１株式会社東芝総合研究所内 (72)発明者佐々木衛神奈川県川崎市幸区小向東芝町１株式会社東芝総合研究所内 (72)発明者山方修武神奈川県川崎市幸区小向東芝町１株式会社東芝総合研究所内 (72)発明者太田英男神奈川県川崎市幸区小向東芝町１株式会社東芝総合研究所内 (72)発明者蛭田陽一神奈川県川崎市幸区小向東芝町１株式会社東芝総合研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体チップと前記半導体チップの表面
側に、接続用の突起電極を介して、前記半導体チップの
パッドに接続せしめられた金属配線を具備してなる可撓
性フィルム基板と、前記半導体チップの外縁部に配設された枠体と、前記半導体チップの裏面を覆うように配置せしめられた
第１の封止用樹脂シートと前記第１の封止用樹脂シート
に対向するように前記可撓性フィルム基板を挾んで前記
半導体チップの表面側に配置せしめられた第２の封止用
樹脂シートとが積層され一体的に固着された積層体と前
記金属配線から導出された外部リードとを具備したこと
を特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】前記第１および第２の封止用樹脂シート
は、樹脂を含浸させたプリプレグであることを特徴とす
る請求項１記載の樹脂封止型半導体装置
【請求項３】半導体チップと前記半導体チップを搭載
するとともに電気的に接続された複数のリードを有する
リード構成体と、前記リード構成体の前記半導体チップ搭載面側に前記半
導体チップの周りを囲むように配設された枠体と前記半
導体チップの裏面を覆うように配置された第１の封止用
樹脂シートと前記半導体チップの表面側に対向する領域
に絶縁板を具備した第２の封止用樹脂シートとが積層さ
れ一体的に固着された積層体からなり前記積層体から前
記リードの端部が導出されていることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。