JP3393708B2 - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体パッケージの製
造方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】半導体パッケージ上に搭載された半導体
チップは、外界の湿気や汚れ等からの保護のために、し
ばしばポッティング法により樹脂封止される。 【０００３】ここで半導体パッケージの製造プロセスの
一例を紹介する。まず、配線パターン等を有する電子部
品搭載用基板をあらかじめ作製する。次に、ダイボンデ
ィング工程によって、基板上のダイエリアに熱硬化性樹
脂等を介して半導体チップを搭載する。その後、樹脂硬
化工程によって樹脂を硬化させた後、ワイヤボンディン
グ工程によって半導体チップ側と基板側とを接続する。
そして、ディスペンサ等によってダイエリアにポッティ
ング樹脂を供給することにより、半導体チップを封止す
る。 【０００４】しかし、ポッティング法による樹脂封止
は、他の樹脂封止法に比較して封止部分の形成精度に劣
るという難点がある。このため、基板上のダイエリアの
周囲に、いわゆる封止枠を形成しておくという対策が採
られる場合がある。このような封止枠は、供給されたポ
ッティング樹脂の拡がりを規制する役割を果たす。封止
枠を形成する方法としては、例えば枠状部材を圧着する
方法や、封止枠形成用樹脂を印刷する方法等が知られて
いる。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】ところが、基板上に封
止枠を設けようとすると、既存の半導体パッケージ製造
プロセスとは別に、上述したような圧着や印刷等といっ
た封止枠形成工程が必要になる。よって、圧着や印刷等
を行うための専用の設備や装置等が必要になり、おのず
と半導体パッケージのコスト性や生産性が悪くなってし
まう。 【０００６】本発明は上記の課題を解消するためになさ
れたものであり、その目的は、生産性やコスト性の悪化
を招くことなく、ダイエリアの周囲に封止枠を容易に形
成することができる半導体パッケージの製造方法を提供
することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明では、ダイボンディング装
置のスタンプによって、基板上のダイエリアにダイボン
ディング用樹脂を転写するとともに、基板上のダイエリ
アの周囲に封止枠形成用樹脂を転写し、かつその転写さ
れたダイボンディング用樹脂上に半導体チップを搭載す
るダイボンディング工程を行った後、樹脂硬化工程及び
ワイヤボンディング工程を行い、さらにポッティング樹
脂によって前記半導体チップを封止する樹脂封止工程を
行う半導体パッケージの製造方法において、前記スタン
プは、ダイエリア用の転写面と封止枠形成用の転写面と
をほぼ同一平面内に備え、両転写面間には凹部が形成さ
れ、当該スタンプによって前記ダイボンディング工程を
行うとき、前記ダイボンディング用樹脂及び前記封止枠
形成用樹脂として共通の樹脂を使用して転写する半導体
パッケージの製造方法をその要旨としている。 【０００８】 【０００９】 【作用】請求項１に記載の発明によると、ダイボンディ
ング工程において使用されるスタンプによって、基板上
のダイエリアにダイボンディング用樹脂が転写されると
ともに、ダイエリアの周囲に封止枠形成用樹脂も転写さ
れる。尚、ダイボンディング工程を行うとき、ダイボン
ディング用樹脂及び封止枠形成用樹脂として共通の樹脂
が使用され、１種のスタンプによって同時に転写され
る。 【００１０】 【００１１】 【００１２】 【００１３】 【００１４】 【実施例】 〔実施例１〕以下、本発明を具体化した一実施例を図１
〜図７に基づき詳細に説明する。 【００１５】本実施例では、ダイボンディング工程（ダ
イボンディング用樹脂Ｒ1 及び封止枠形成用樹脂Ｒ2 の
転写、半導体チップ１１の搭載）の後、樹脂硬化工程、
ワイヤボンディング工程、樹脂封止工程が行われる。各
工程を説明する前に、まずダイボンディング工程におい
て使用されるダイボンディング装置１の構成について述
べる。 【００１６】図７において概略的に示されるように、こ
のダイボンディング装置１は、フィーダ部２、マウンタ
ヘッド部３、スタンプヘッド部４、ヘッド駆動手段５、
チップ供給部６、樹脂供給部７及び図示しない制御コン
ピュータを備えている。 【００１７】フィーダ部２は、図７の紙面に対して垂直
な方向に電子部品搭載用基板８を搬送する。ヘッド駆動
手段５は、マウンタヘッド部３とスタンプヘッド部４と
を備えている。マウンタヘッド部３は、ヘッド駆動手段
５からの駆動力によって、チップ供給部６とフィーダ部
２との間を水平移動するとともに、所定量だけ垂直移動
する。マウンタヘッド部３の下端には、真空吸着ノズル
９が設けられている。チップ供給部６上に載置されたチ
ップトレイ１０の中には、半導体チップ１１が並べられ
ている。そして、真空吸着ノズル９は、チップトレイ１
０内の半導体チップ１１を１個ずつピックアップする。 【００１８】スタンプヘッド部４は、ヘッド駆動手段５
からの駆動力によって、樹脂供給部７とフィーダ部２と
の間を水平移動するとともに、所定量だけ垂直移動す
る。スタンプヘッド部４の下端には、形状の異なる転写
面１２ａ，１３ａを持つ専用のスタンプ１２，１３が設
けられている。前記２つのスタンプ１２，１３の垂直方
向の位置は、図示しないスタンプ切り替え手段によって
切り替えられる。樹脂供給部７上には、樹脂トレイ１
４，１５が載置されている。これらの樹脂トレイ１４，
１５の中には、それぞれダイボンディング用樹脂Ｒ1 と
封止枠形成用樹脂Ｒ2 とが一定の厚さに引き延ばされた
状態で満たされている。 【００１９】第１のスタンプ１２はステンレス製であ
り、ダイエリアＤにダイボンディング用樹脂Ｒ1 を転写
するための略正方形状の転写面１２ａを有している。転
写面１２ａの中央部には、樹脂トレイ１４中の樹脂を確
実に付着させるための手段として、突起１２ｂが形成さ
れている。 【００２０】第２のスタンプ１３はステンレス製であ
り、ダイエリアＤの周囲に封止枠形成用樹脂Ｒ2 を転写
するための正方形状かつ枠状の転写面１３ａを有する。
第２のスタンプ１３において転写面１３ａより内部の領
域には、凹部１３ｂが形成されている。 【００２１】なお、この実施例では、ダイボンディング
用樹脂Ｒ1 として絶縁性エポキシ樹脂（日本エイブルス
ティック株式会社製，商品名９７５−２Ｌ）が使用され
ている。また、封止枠形成用樹脂Ｒ2 として前記絶縁性
エポキシ樹脂にシリコーン樹脂の粉末を添加したものが
使用されている。 【００２２】次に、上記のようなダイボンディング装置
１を用いたダイボンディング工程について説明する。図
１には、ダイボンディング工程に供される電子部品搭載
用基板８が示されている。基板８の下面側には導体パタ
ーン１６が形成されている。前記導体パターン１６の一
部は、ダイエリアＤのすぐ周囲に設けられた５つの貫通
孔１７によって露出されている。即ち、この基板８にお
いては、当該露出部分がボンディングパッド１８となっ
ている。そして、このボンディングパッド１８の上面に
は、ワイヤボンディング性を向上させるために、薄い金
めっき（図示略）が施されている。 【００２３】まず、スタンプ切り替え手段を作動させ
て、第１のスタンプ１２に切り替える。次に、スタンプ
ヘッド部４を樹脂トレイ１４の直上の位置まで移動させ
た後、スタンプヘッド部４を下降させる。このとき、第
１のスタンプ１２の転写面１２ａにダイボンディング用
樹脂Ｒ1 が付着する。次に、スタンプヘッド部４を上昇
させた後、スタンプヘッド部４を基板８におけるダイエ
リアＤの直上の位置まで移動させる。次に、スタンプヘ
ッド部４を下降させる。すると、図２に示されるよう
に、ダイエリアＤにダイボンディング用樹脂Ｒ1 が厚さ
約５０μｍ転写される。次に、スタンプヘッド部４を上
昇させた後、スタンプヘッド部４を樹脂トレイ１５の直
上の位置に退避させる。 【００２４】次に、チップトレイ１０の直上の位置にお
いて退避していたマウントヘッド部３を下降させ、真空
吸引ノズル９によって半導体チップ１１をピックアップ
する。次に、マウントヘッド部３を上昇させた後、マウ
ントヘッド部３を基板８におけるダイエリアＤの直上の
位置まで移動させる。次に、マウントヘッド部３を下降
させる。すると、図３に示されるように、転写されたダ
イボンディング用樹脂Ｒ1 上に半導体チップ１１が搭載
される。次に、マウントヘッド部３を上昇させた後、マ
ウントヘッド部３を再びチップトレイ１０の直上の位置
に退避させる。 【００２５】次に、スタンプ切り替え手段を作動させて
第１のスタンプ１２を第２のスタンプ１３に切り替えた
後、スタンプヘッド部４を下降させる。このとき、第２
のスタンプ１３の転写面１３ａに封止枠形成用樹脂Ｒ2
が付着する。次に、スタンプヘッド部４を上昇させた
後、スタンプヘッド部４を基板８におけるダイエリアＤ
の直上の位置まで移動させる。次に、スタンプヘッド部
４を下降させる。すると、ダイエリアＤの周囲に封止枠
形成用樹脂Ｒ2 が転写される。その結果、図４に示され
るように、所望の封止枠１９（この実施例では約１００
μｍ厚，約５００μｍ幅）が形成される。次に、スタン
プヘッド部４を上昇させた後、スタンプヘッド部４を樹
脂トレイ１４の直上の位置に退避させる。 【００２６】このような一連の動作によって、ダイボン
ディング用樹脂Ｒ1 の転写、半導体チップ１１の搭載及
び封止枠１９の形成の１回分が終了する。なお、基板８
上に複数のダイエリアＤが存在している場合には、必要
な回数だけ前記動作が繰り返される。なお、以上のダイ
ボンディング工程は常温において行われる。また、前記
一連の動作は、制御コンピュータに記憶されているプロ
グラムに基づいて自動的にかつ高速・高精度に行われ
る。 【００２７】ダイボンディング工程を経た基板８は、次
いで樹脂硬化工程を実施するためのキュア装置内に搬送
される。基板８は前記キュア装置内において、所定温度
で所定時間（この実施例では１５０℃〜１８０℃，１０
分〜３０分）のあいだ加熱処理される。その結果、ダイ
ボンディング用樹脂Ｒ1 及び封止枠形成用樹脂Ｒ2 が共
に硬化する。 【００２８】樹脂硬化工程を経た基板８は、次いでワイ
ヤボンディング工程を実施するためのワイヤボンダに搬
送される。ワイヤボンダでは、半導体チップ１１側の図
示しない電極と、基板８側のボンディングパッド１８と
が電気的に接続される。この実施例では、図５に示され
るように、前記電極とボンディングパッド１８とは細い
金ワイヤ２０を介して互いに接続される。 【００２９】ワイヤボンディング工程を経た基板８は、
次いでポッティング法による樹脂封止工程を行うための
ポッティング装置に搬送される。ポッティング装置の前
段にあるポッティング部は、水平方向及び垂直方向に所
定量だけ移動可能なディスペンサを備えている。ディス
ペンサは、基板８のダイエリアＤに対してノズルからポ
ッティング樹脂Ｒ3 を所定量だけ吐出する。 【００３０】ダイエリアＤ上に供給されたポッティング
樹脂Ｒ3 は、通常、ダイエリアＤの外側方向に向かって
拡がるような挙動を示す。しかし、ダイエリアＤの周囲
には封止枠１９が存在していることから、ポッティング
樹脂Ｒ3 の拡がりは規制される。このとき、ポッティン
グ樹脂Ｒ3 による封止部分の外形は、封止枠１９の外形
とほぼ同じ形状（即ち、この実施例では略正方形）にな
る。 【００３１】その後、ポッティング装置の後段にあるキ
ュア装置によって、未硬化のポッティング樹脂Ｒ3 を所
定温度で加熱硬化させる。その結果、図６に示されるよ
うに、ポッティング樹脂Ｒ3 によって半導体チップ１１
が全体的に封止された半導体パッケージ２１が形成され
る。なお、本実施例ではポッティング樹脂Ｒ3 として、
絶縁性エポキシ樹脂が使用されている。 【００３２】さて、次に本実施例の半導体パッケージ２
１の製造方法の作用効果について説明する。この実施例
の製造方法によると、ダイボンディング装置１の備える
スタンプ１２，１３のうち、第１のスタンプ１２によっ
て、基板８上のダイエリアＤにダイボンディング用樹脂
Ｒ1 が転写される。また、前記ダイボンディング装置１
の備える第２のスタンプ１３によって、ダイエリアＤの
周囲に封止枠形成用樹脂Ｒ2が転写される。つまり、封
止枠形成用樹脂Ｒ2 は、ダイボンディング用樹脂Ｒ1を
転写するダイボンディング工程において同一のダイボン
ディング装置１により転写されることになる。このた
め、従来のときとは異なり、封止枠の圧着や印刷等とい
った、既存の半導体パッケージ製造プロセスとは別の封
止枠形成工程を必要とするということがない。よって、
圧着や印刷等を行うための専用の設備や装置等も不要で
ある。ゆえに、この製造方法によれば、半導体パッケー
ジ２１のコスト性や生産性を招くことなく、ダイエリア
Ｄの周囲に封止枠１９を容易に形成することができる。 【００３３】特にこの実施例によると、ダイボンディン
グ用樹脂Ｒ1 及び封止枠形成用樹脂Ｒ2 を転写するため
に、第１のスタンプ１２及び第２のスタンプ１３という
ような専用のスタンプ１２，１３を使用している。その
ため、ダイボンディング用樹脂Ｒ1 及び封止枠形成用樹
脂Ｒ2 が個々に転写される。ゆえに、転写する樹脂の厚
さや樹脂の種類の組合せ等を任意に変更することができ
るというメリットがある。 【００３４】この実施例では、ダイボンディング用樹脂
Ｒ1 として絶縁性エポキシ樹脂が選択され、封止枠形成
用樹脂Ｒ2 として絶縁性エポキシ樹脂にシリコーン樹脂
の粉末を添加したものが選択されている。このようにコ
スト性、絶縁性及び接着性に優れたものを構成材料とし
ているため、信頼性の高い半導体パッケージ２１を安価
に得るうえで好都合となる。また、ともに同じ絶縁性エ
ポキシ樹脂であることから、ダイボンディング用樹脂Ｒ
1 を加熱硬化するときの条件設定によって、同時に封止
枠形成用樹脂Ｒ2 も硬化させることができる。よって、
工程簡略化につながるというメリットがある。 【００３５】さらに、上記のような製造方法の場合、基
本的にダイボンディング装置１の精度によって封止枠１
９の形成精度が決定される。従って、コンピュータ制御
によるこのダイボンディング装置１によれば、極めて形
成精度に優れた封止枠１９を得ることが可能である。よ
って、ポッティング樹脂Ｒ3 による封止部分の形成精度
を確実に向上させることができる。 〔実施例２〕次に、実施例２の製造方法を図８，図１０
に基づいて説明する。 【００３６】本実施例においても、実施例１と基本的に
同じく、ダイボンディング装置１によるダイボンディン
グ工程の後、樹脂硬化工程、ワイヤボンディング工程、
樹脂封止工程が行われる。ただし、ここでは実施例１の
ダイボンディング装置１のスタンプ１２，１３とは若干
構成の異なるスタンプ２５が使用されている。 【００３７】このスタンプ２５はステンレス製であり、
ダイエリアＤ用の転写面２５ａと封止枠形成用の転写面
２５ｂとをほぼ同一平面内に備えている。ダイエリアＤ
用の転写面２５ａは略正方形状であり、スタンプ２５の
下面中央部に位置している。封止枠形成用の転写面２５
ｂは正方形状かつ枠状であり、スタンプ２５の下面外周
部に位置している。転写面２５ａの中央部には、樹脂ト
レイ１４中の樹脂を確実に付着させるための手段とし
て、突起２５ｃが形成されている。転写面２５ａと転写
面２５ｂとの間の領域には、凹部２５ｄが形成されてい
る。このように構成されたスタンプ２５は、スタンプヘ
ッド部４の下端に設けられている。 【００３８】この実施例では、ダイボンディング用樹脂
及び封止枠形成用樹脂として共通の樹脂（実施例１にお
いてダイボンディング用樹脂として選択した絶縁性エポ
キシ樹脂）Ｒ4 が使用されている。従って、樹脂供給部
７上には、前記樹脂Ｒ4 が満たされた樹脂トレイ１４の
みが載置されている。なお、図１０に示されるダイボン
ディング装置１において実施例１と同じ部材番号を付し
た部分については、基本構成に差異はないため、ここで
はその詳細な説明を省略する。 【００３９】次に、ダイボンディング装置１を用いたダ
イボンディング工程について説明する。まず、スタンプ
ヘッド部４を樹脂トレイ１４の直上の位置まで移動させ
た後、スタンプヘッド部４を下降させる。すると、スタ
ンプ２５の両方の転写面２５ａ，２５ｂに絶縁性エポキ
シ樹脂Ｒ4 が付着する。次に、スタンプヘッド部４を上
昇させた後、スタンプヘッド部４を基板８におけるダイ
エリアＤの直上の位置まで移動させる。次に、スタンプ
ヘッド部４を下降させる。 【００４０】すると、図８に示されるように、ダイエリ
アＤに絶縁性エポキシ樹脂Ｒ4 が転写されると同時に、
ダイエリアＤの周囲にも絶縁性エポキシ樹脂Ｒ4 が転写
される。即ち、このとき封止枠１９が形成されることに
なる。本実施例においては、ダイエリアＤ及びその周囲
における絶縁性エポキシ樹脂Ｒ4 の厚さは、ともに約５
０μｍになる。次に、スタンプヘッド部４を上昇させた
後、スタンプヘッド部４を樹脂トレイ１４の直上の位置
に退避させる。 【００４１】次に、チップトレイ１０の直上の位置にお
いて退避していたマウントヘッド部３を下降させ、真空
吸引ノズル９によって半導体チップ１１をピックアップ
する。次に、マウントヘッド部３を上昇させた後、マウ
ントヘッド部３を基板８におけるダイエリアＤの直上の
位置まで移動させる。次に、マウントヘッド部３を下降
させる。すると、ダイエリアＤに転写された絶縁性エポ
キシ樹脂Ｒ4 上に半導体チップ１１が搭載される。次
に、マウントヘッド部３を上昇させた後、マウントヘッ
ド部３を再びチップトレイ１０の直上の位置に退避させ
る。 【００４２】このような一連の動作によって、絶縁性エ
ポキシ樹脂Ｒ4 の転写（封止枠１９の形成）及び半導体
チップ１１の搭載の１回分が終了する。なお、基板８上
に複数のダイエリアＤが存在している場合には、必要な
回数だけ前記動作が繰り返される。なお、以上のダイボ
ンディング工程は常温において行われる。また、前記一
連の動作は、制御コンピュータに記憶されているプログ
ラムに基づいて自動的にかつ高速・高精度に行われる。 【００４３】そして、ダイボンディング工程を経た基板
８は、実施例１に準じた樹脂硬化工程、ワイヤボンディ
ング工程及び樹脂封止工程を経て、図６に示されるよう
な半導体パッケージ２１となる。 【００４４】上記のような半導体パッケージ２１の製造
方法であっても、基本的には実施例１の製造方法と同等
の作用効果を得ることができる。特に、この製造方法に
よると、ダイボンディング用樹脂と封止枠形成用樹脂と
が１種のスタンプ２５によって同時に転写されるという
特徴がある。従って、実施例１と比べた場合、ダイボン
ディング装置１の動作が少なくて済むというメリットが
ある。換言すると、封止枠１９を形成しないときと同じ
所要時間で封止枠１９を形成することが可能となる。従
って、この製造方法を実施したとしても、半導体パッケ
ージ２１の生産性を害するようなことはない。 【００４５】なお、本発明は上記実施例のみに限定され
ることはなく、例えば次のように変更することが可能で
ある。 （１） ダイボンディング用樹脂Ｒ1 及び封止枠形成用
樹脂Ｒ2 として、例えば絶縁性エポキシ樹脂以外にも、
ポリイミド樹脂等といったその他の熱硬化性樹脂を使用
してもよい。 【００４６】（２） 実施例２のスタンプ２５におい
て、転写面２５ａ，２５ｂの高さは必ずしも同一でなく
てもよい。例えば、実施例２よりも高い封止枠１９を得
たいときには、転写面２５ｂを転写面２５ａよりも低く
しておけばよい。勿論、実施例２よりも低い封止枠１９
を得たいときには、この逆にすればよい。 【００４７】（３） 実施例２のスタンプ２５におい
て、２つある転写面２５ａ，２５ｂの相対的な高さを変
更可能としてもよい。このような構成にすれば、各々の
転写厚みを調節することができる。また、封止枠１９の
形成を必要としないダイエリアＤについても同スタンプ
２５を使用することができる。 【００４８】（４） 図９に示される別例のスタンプ２
６のように、外周側の転写面２６ｂを幅広にするととも
に、その長手方向中央部に全周にわたって突条２６ｅを
設けてもよい。このような突条２６ｅが形成されている
と、転写面２６ｂに樹脂トレイ１４中の樹脂が確実に付
着するようになり、結果として封止枠１９の形成精度が
向上する。 【００４９】（５） 基板８上のダイエリアＤにダイパ
ッドがある場合には、例えば導電性を有する樹脂をダイ
ボンディング用樹脂Ｒ1 として使用してもよい。 （６） 実施例１において、先に封止枠１９を転写した
後、ダイボンディング用樹脂Ｒ1 の転写及び半導体チッ
プ１１の搭載を行ってもよい。 【００５０】（７） スタンプ１２，１３，２５，２６
の形成材料としてステンレス以外の金属材料（例えば、
鉄、銅、アルミニウム等）を選択してもよい。また、金
属材料ばかりでなく、例えばゴム材料やセラミックス材
料等を選択してもよい。ただい、金属製のスタンプ１
２，１３…であると、ゴム材料に比して封止枠１９の形
成精度がよいという利点がある。また、セラミックス材
料に比して、安価でありかつ加工性がよいという利点が
ある。 【００５１】ここで、特許請求の範囲に記載された技術
的思想のほかに、前述した実施例及び別例によって把握
される技術的思想をその効果とともに以下に列挙する。 （１）請求項１の製造方法によって製造された半導体パ
ッケージ。このような半導体パッケージであると、封止
部分の形成精度に優れ、しかもコスト性や信頼性にも優
れたものとなる。 【００５２】（２） 電子部品搭載用基板を搬送するた
めの搬送手段と、搬送手段の近傍に配置されたチップ供
給部及び樹脂供給部と、基板上のダイエリアに半導体チ
ップを搭載するためのマウンタヘッド部と、ダイエリア
及びその周囲に所定の樹脂を転写するためのスタンプヘ
ッド部と、マウンタヘッド部及びスタンプヘッド部を任
意の位置に移動させるための駆動手段と、ダイボンディ
ング用樹脂を転写するため転写面を有する第１のスタン
プと、封止枠形成用樹脂を転写するため転写面を有する
第２のスタンプと、両スタンプの上下位置を切り替える
スタンプ切り替え手段とを備えたダイボンディング装
置。この装置であると、通常のダイボンディング工程内
において封止枠の形成を行うことができる。 【００５３】（３） 請求項１の半導体パッケージの製
造方法を実施するためのスタンプであって、ダイエリア
用の転写面と封止枠形成用の転写面とをほぼ同一平面内
に備えた金属製のスタンプ。このスタンプであると、ダ
イボンディング用樹脂及び前記封止枠形成用樹脂を共通
のものとし、前記樹脂を同時に転写できる。 【００５４】（４） 技術的思想（３）のスタンプであ
って、封止枠形成用の転写面に突条を有するスタンプ。
この構成であると、封止枠の形成精度をより向上でき
る。 （５） ダイボンディング装置のスタンプにより基板上
のダイエリアにダイボンディング用樹脂を転写し、かつ
その転写されたダイボンディング樹脂上に半導体チップ
を搭載するダイボンディング工程を行うとき、前記スタ
ンプによって封止枠形成用樹脂を転写することにより、
前記ダイエリアの周囲にポッティング樹脂の拡がりを規
制する封止枠を形成する半導体パッケージ用基板の封止
枠形成方法。この形成方法であると、生産性やコスト性
の悪化を招くことなく、ダイエリアの周囲に封止枠を容
易に形成することができる。 【００５５】なお、本明細書中において使用した技術用
語を次のように定義する。 「ダイエリア： 基板上における領域であって、絶縁性
または導電性のダイボンディング用樹脂によって半導体
チップを接着すべき領域をいう。」 【００５６】 【発明の効果】以上詳述したように、請求項１に記載の
発明によれば、既存の半導体パッケージ製造プロセスに
おいて封止枠が形成されるため、生産性やコスト性の悪
化を招くことなく、ダイエリアの周囲に封止枠を容易に
形成することができる。
造方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】半導体パッケージ上に搭載された半導体
チップは、外界の湿気や汚れ等からの保護のために、し
ばしばポッティング法により樹脂封止される。 【０００３】ここで半導体パッケージの製造プロセスの
一例を紹介する。まず、配線パターン等を有する電子部
品搭載用基板をあらかじめ作製する。次に、ダイボンデ
ィング工程によって、基板上のダイエリアに熱硬化性樹
脂等を介して半導体チップを搭載する。その後、樹脂硬
化工程によって樹脂を硬化させた後、ワイヤボンディン
グ工程によって半導体チップ側と基板側とを接続する。
そして、ディスペンサ等によってダイエリアにポッティ
ング樹脂を供給することにより、半導体チップを封止す
る。 【０００４】しかし、ポッティング法による樹脂封止
は、他の樹脂封止法に比較して封止部分の形成精度に劣
るという難点がある。このため、基板上のダイエリアの
周囲に、いわゆる封止枠を形成しておくという対策が採
られる場合がある。このような封止枠は、供給されたポ
ッティング樹脂の拡がりを規制する役割を果たす。封止
枠を形成する方法としては、例えば枠状部材を圧着する
方法や、封止枠形成用樹脂を印刷する方法等が知られて
いる。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】ところが、基板上に封
止枠を設けようとすると、既存の半導体パッケージ製造
プロセスとは別に、上述したような圧着や印刷等といっ
た封止枠形成工程が必要になる。よって、圧着や印刷等
を行うための専用の設備や装置等が必要になり、おのず
と半導体パッケージのコスト性や生産性が悪くなってし
まう。 【０００６】本発明は上記の課題を解消するためになさ
れたものであり、その目的は、生産性やコスト性の悪化
を招くことなく、ダイエリアの周囲に封止枠を容易に形
成することができる半導体パッケージの製造方法を提供
することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項１に記載の発明では、ダイボンディング装
置のスタンプによって、基板上のダイエリアにダイボン
ディング用樹脂を転写するとともに、基板上のダイエリ
アの周囲に封止枠形成用樹脂を転写し、かつその転写さ
れたダイボンディング用樹脂上に半導体チップを搭載す
るダイボンディング工程を行った後、樹脂硬化工程及び
ワイヤボンディング工程を行い、さらにポッティング樹
脂によって前記半導体チップを封止する樹脂封止工程を
行う半導体パッケージの製造方法において、前記スタン
プは、ダイエリア用の転写面と封止枠形成用の転写面と
をほぼ同一平面内に備え、両転写面間には凹部が形成さ
れ、当該スタンプによって前記ダイボンディング工程を
行うとき、前記ダイボンディング用樹脂及び前記封止枠
形成用樹脂として共通の樹脂を使用して転写する半導体
パッケージの製造方法をその要旨としている。 【０００８】 【０００９】 【作用】請求項１に記載の発明によると、ダイボンディ
ング工程において使用されるスタンプによって、基板上
のダイエリアにダイボンディング用樹脂が転写されると
ともに、ダイエリアの周囲に封止枠形成用樹脂も転写さ
れる。尚、ダイボンディング工程を行うとき、ダイボン
ディング用樹脂及び封止枠形成用樹脂として共通の樹脂
が使用され、１種のスタンプによって同時に転写され
る。 【００１０】 【００１１】 【００１２】 【００１３】 【００１４】 【実施例】 〔実施例１〕以下、本発明を具体化した一実施例を図１
〜図７に基づき詳細に説明する。 【００１５】本実施例では、ダイボンディング工程（ダ
イボンディング用樹脂Ｒ1 及び封止枠形成用樹脂Ｒ2 の
転写、半導体チップ１１の搭載）の後、樹脂硬化工程、
ワイヤボンディング工程、樹脂封止工程が行われる。各
工程を説明する前に、まずダイボンディング工程におい
て使用されるダイボンディング装置１の構成について述
べる。 【００１６】図７において概略的に示されるように、こ
のダイボンディング装置１は、フィーダ部２、マウンタ
ヘッド部３、スタンプヘッド部４、ヘッド駆動手段５、
チップ供給部６、樹脂供給部７及び図示しない制御コン
ピュータを備えている。 【００１７】フィーダ部２は、図７の紙面に対して垂直
な方向に電子部品搭載用基板８を搬送する。ヘッド駆動
手段５は、マウンタヘッド部３とスタンプヘッド部４と
を備えている。マウンタヘッド部３は、ヘッド駆動手段
５からの駆動力によって、チップ供給部６とフィーダ部
２との間を水平移動するとともに、所定量だけ垂直移動
する。マウンタヘッド部３の下端には、真空吸着ノズル
９が設けられている。チップ供給部６上に載置されたチ
ップトレイ１０の中には、半導体チップ１１が並べられ
ている。そして、真空吸着ノズル９は、チップトレイ１
０内の半導体チップ１１を１個ずつピックアップする。 【００１８】スタンプヘッド部４は、ヘッド駆動手段５
からの駆動力によって、樹脂供給部７とフィーダ部２と
の間を水平移動するとともに、所定量だけ垂直移動す
る。スタンプヘッド部４の下端には、形状の異なる転写
面１２ａ，１３ａを持つ専用のスタンプ１２，１３が設
けられている。前記２つのスタンプ１２，１３の垂直方
向の位置は、図示しないスタンプ切り替え手段によって
切り替えられる。樹脂供給部７上には、樹脂トレイ１
４，１５が載置されている。これらの樹脂トレイ１４，
１５の中には、それぞれダイボンディング用樹脂Ｒ1 と
封止枠形成用樹脂Ｒ2 とが一定の厚さに引き延ばされた
状態で満たされている。 【００１９】第１のスタンプ１２はステンレス製であ
り、ダイエリアＤにダイボンディング用樹脂Ｒ1 を転写
するための略正方形状の転写面１２ａを有している。転
写面１２ａの中央部には、樹脂トレイ１４中の樹脂を確
実に付着させるための手段として、突起１２ｂが形成さ
れている。 【００２０】第２のスタンプ１３はステンレス製であ
り、ダイエリアＤの周囲に封止枠形成用樹脂Ｒ2 を転写
するための正方形状かつ枠状の転写面１３ａを有する。
第２のスタンプ１３において転写面１３ａより内部の領
域には、凹部１３ｂが形成されている。 【００２１】なお、この実施例では、ダイボンディング
用樹脂Ｒ1 として絶縁性エポキシ樹脂（日本エイブルス
ティック株式会社製，商品名９７５−２Ｌ）が使用され
ている。また、封止枠形成用樹脂Ｒ2 として前記絶縁性
エポキシ樹脂にシリコーン樹脂の粉末を添加したものが
使用されている。 【００２２】次に、上記のようなダイボンディング装置
１を用いたダイボンディング工程について説明する。図
１には、ダイボンディング工程に供される電子部品搭載
用基板８が示されている。基板８の下面側には導体パタ
ーン１６が形成されている。前記導体パターン１６の一
部は、ダイエリアＤのすぐ周囲に設けられた５つの貫通
孔１７によって露出されている。即ち、この基板８にお
いては、当該露出部分がボンディングパッド１８となっ
ている。そして、このボンディングパッド１８の上面に
は、ワイヤボンディング性を向上させるために、薄い金
めっき（図示略）が施されている。 【００２３】まず、スタンプ切り替え手段を作動させ
て、第１のスタンプ１２に切り替える。次に、スタンプ
ヘッド部４を樹脂トレイ１４の直上の位置まで移動させ
た後、スタンプヘッド部４を下降させる。このとき、第
１のスタンプ１２の転写面１２ａにダイボンディング用
樹脂Ｒ1 が付着する。次に、スタンプヘッド部４を上昇
させた後、スタンプヘッド部４を基板８におけるダイエ
リアＤの直上の位置まで移動させる。次に、スタンプヘ
ッド部４を下降させる。すると、図２に示されるよう
に、ダイエリアＤにダイボンディング用樹脂Ｒ1 が厚さ
約５０μｍ転写される。次に、スタンプヘッド部４を上
昇させた後、スタンプヘッド部４を樹脂トレイ１５の直
上の位置に退避させる。 【００２４】次に、チップトレイ１０の直上の位置にお
いて退避していたマウントヘッド部３を下降させ、真空
吸引ノズル９によって半導体チップ１１をピックアップ
する。次に、マウントヘッド部３を上昇させた後、マウ
ントヘッド部３を基板８におけるダイエリアＤの直上の
位置まで移動させる。次に、マウントヘッド部３を下降
させる。すると、図３に示されるように、転写されたダ
イボンディング用樹脂Ｒ1 上に半導体チップ１１が搭載
される。次に、マウントヘッド部３を上昇させた後、マ
ウントヘッド部３を再びチップトレイ１０の直上の位置
に退避させる。 【００２５】次に、スタンプ切り替え手段を作動させて
第１のスタンプ１２を第２のスタンプ１３に切り替えた
後、スタンプヘッド部４を下降させる。このとき、第２
のスタンプ１３の転写面１３ａに封止枠形成用樹脂Ｒ2
が付着する。次に、スタンプヘッド部４を上昇させた
後、スタンプヘッド部４を基板８におけるダイエリアＤ
の直上の位置まで移動させる。次に、スタンプヘッド部
４を下降させる。すると、ダイエリアＤの周囲に封止枠
形成用樹脂Ｒ2 が転写される。その結果、図４に示され
るように、所望の封止枠１９（この実施例では約１００
μｍ厚，約５００μｍ幅）が形成される。次に、スタン
プヘッド部４を上昇させた後、スタンプヘッド部４を樹
脂トレイ１４の直上の位置に退避させる。 【００２６】このような一連の動作によって、ダイボン
ディング用樹脂Ｒ1 の転写、半導体チップ１１の搭載及
び封止枠１９の形成の１回分が終了する。なお、基板８
上に複数のダイエリアＤが存在している場合には、必要
な回数だけ前記動作が繰り返される。なお、以上のダイ
ボンディング工程は常温において行われる。また、前記
一連の動作は、制御コンピュータに記憶されているプロ
グラムに基づいて自動的にかつ高速・高精度に行われ
る。 【００２７】ダイボンディング工程を経た基板８は、次
いで樹脂硬化工程を実施するためのキュア装置内に搬送
される。基板８は前記キュア装置内において、所定温度
で所定時間（この実施例では１５０℃〜１８０℃，１０
分〜３０分）のあいだ加熱処理される。その結果、ダイ
ボンディング用樹脂Ｒ1 及び封止枠形成用樹脂Ｒ2 が共
に硬化する。 【００２８】樹脂硬化工程を経た基板８は、次いでワイ
ヤボンディング工程を実施するためのワイヤボンダに搬
送される。ワイヤボンダでは、半導体チップ１１側の図
示しない電極と、基板８側のボンディングパッド１８と
が電気的に接続される。この実施例では、図５に示され
るように、前記電極とボンディングパッド１８とは細い
金ワイヤ２０を介して互いに接続される。 【００２９】ワイヤボンディング工程を経た基板８は、
次いでポッティング法による樹脂封止工程を行うための
ポッティング装置に搬送される。ポッティング装置の前
段にあるポッティング部は、水平方向及び垂直方向に所
定量だけ移動可能なディスペンサを備えている。ディス
ペンサは、基板８のダイエリアＤに対してノズルからポ
ッティング樹脂Ｒ3 を所定量だけ吐出する。 【００３０】ダイエリアＤ上に供給されたポッティング
樹脂Ｒ3 は、通常、ダイエリアＤの外側方向に向かって
拡がるような挙動を示す。しかし、ダイエリアＤの周囲
には封止枠１９が存在していることから、ポッティング
樹脂Ｒ3 の拡がりは規制される。このとき、ポッティン
グ樹脂Ｒ3 による封止部分の外形は、封止枠１９の外形
とほぼ同じ形状（即ち、この実施例では略正方形）にな
る。 【００３１】その後、ポッティング装置の後段にあるキ
ュア装置によって、未硬化のポッティング樹脂Ｒ3 を所
定温度で加熱硬化させる。その結果、図６に示されるよ
うに、ポッティング樹脂Ｒ3 によって半導体チップ１１
が全体的に封止された半導体パッケージ２１が形成され
る。なお、本実施例ではポッティング樹脂Ｒ3 として、
絶縁性エポキシ樹脂が使用されている。 【００３２】さて、次に本実施例の半導体パッケージ２
１の製造方法の作用効果について説明する。この実施例
の製造方法によると、ダイボンディング装置１の備える
スタンプ１２，１３のうち、第１のスタンプ１２によっ
て、基板８上のダイエリアＤにダイボンディング用樹脂
Ｒ1 が転写される。また、前記ダイボンディング装置１
の備える第２のスタンプ１３によって、ダイエリアＤの
周囲に封止枠形成用樹脂Ｒ2が転写される。つまり、封
止枠形成用樹脂Ｒ2 は、ダイボンディング用樹脂Ｒ1を
転写するダイボンディング工程において同一のダイボン
ディング装置１により転写されることになる。このた
め、従来のときとは異なり、封止枠の圧着や印刷等とい
った、既存の半導体パッケージ製造プロセスとは別の封
止枠形成工程を必要とするということがない。よって、
圧着や印刷等を行うための専用の設備や装置等も不要で
ある。ゆえに、この製造方法によれば、半導体パッケー
ジ２１のコスト性や生産性を招くことなく、ダイエリア
Ｄの周囲に封止枠１９を容易に形成することができる。 【００３３】特にこの実施例によると、ダイボンディン
グ用樹脂Ｒ1 及び封止枠形成用樹脂Ｒ2 を転写するため
に、第１のスタンプ１２及び第２のスタンプ１３という
ような専用のスタンプ１２，１３を使用している。その
ため、ダイボンディング用樹脂Ｒ1 及び封止枠形成用樹
脂Ｒ2 が個々に転写される。ゆえに、転写する樹脂の厚
さや樹脂の種類の組合せ等を任意に変更することができ
るというメリットがある。 【００３４】この実施例では、ダイボンディング用樹脂
Ｒ1 として絶縁性エポキシ樹脂が選択され、封止枠形成
用樹脂Ｒ2 として絶縁性エポキシ樹脂にシリコーン樹脂
の粉末を添加したものが選択されている。このようにコ
スト性、絶縁性及び接着性に優れたものを構成材料とし
ているため、信頼性の高い半導体パッケージ２１を安価
に得るうえで好都合となる。また、ともに同じ絶縁性エ
ポキシ樹脂であることから、ダイボンディング用樹脂Ｒ
1 を加熱硬化するときの条件設定によって、同時に封止
枠形成用樹脂Ｒ2 も硬化させることができる。よって、
工程簡略化につながるというメリットがある。 【００３５】さらに、上記のような製造方法の場合、基
本的にダイボンディング装置１の精度によって封止枠１
９の形成精度が決定される。従って、コンピュータ制御
によるこのダイボンディング装置１によれば、極めて形
成精度に優れた封止枠１９を得ることが可能である。よ
って、ポッティング樹脂Ｒ3 による封止部分の形成精度
を確実に向上させることができる。 〔実施例２〕次に、実施例２の製造方法を図８，図１０
に基づいて説明する。 【００３６】本実施例においても、実施例１と基本的に
同じく、ダイボンディング装置１によるダイボンディン
グ工程の後、樹脂硬化工程、ワイヤボンディング工程、
樹脂封止工程が行われる。ただし、ここでは実施例１の
ダイボンディング装置１のスタンプ１２，１３とは若干
構成の異なるスタンプ２５が使用されている。 【００３７】このスタンプ２５はステンレス製であり、
ダイエリアＤ用の転写面２５ａと封止枠形成用の転写面
２５ｂとをほぼ同一平面内に備えている。ダイエリアＤ
用の転写面２５ａは略正方形状であり、スタンプ２５の
下面中央部に位置している。封止枠形成用の転写面２５
ｂは正方形状かつ枠状であり、スタンプ２５の下面外周
部に位置している。転写面２５ａの中央部には、樹脂ト
レイ１４中の樹脂を確実に付着させるための手段とし
て、突起２５ｃが形成されている。転写面２５ａと転写
面２５ｂとの間の領域には、凹部２５ｄが形成されてい
る。このように構成されたスタンプ２５は、スタンプヘ
ッド部４の下端に設けられている。 【００３８】この実施例では、ダイボンディング用樹脂
及び封止枠形成用樹脂として共通の樹脂（実施例１にお
いてダイボンディング用樹脂として選択した絶縁性エポ
キシ樹脂）Ｒ4 が使用されている。従って、樹脂供給部
７上には、前記樹脂Ｒ4 が満たされた樹脂トレイ１４の
みが載置されている。なお、図１０に示されるダイボン
ディング装置１において実施例１と同じ部材番号を付し
た部分については、基本構成に差異はないため、ここで
はその詳細な説明を省略する。 【００３９】次に、ダイボンディング装置１を用いたダ
イボンディング工程について説明する。まず、スタンプ
ヘッド部４を樹脂トレイ１４の直上の位置まで移動させ
た後、スタンプヘッド部４を下降させる。すると、スタ
ンプ２５の両方の転写面２５ａ，２５ｂに絶縁性エポキ
シ樹脂Ｒ4 が付着する。次に、スタンプヘッド部４を上
昇させた後、スタンプヘッド部４を基板８におけるダイ
エリアＤの直上の位置まで移動させる。次に、スタンプ
ヘッド部４を下降させる。 【００４０】すると、図８に示されるように、ダイエリ
アＤに絶縁性エポキシ樹脂Ｒ4 が転写されると同時に、
ダイエリアＤの周囲にも絶縁性エポキシ樹脂Ｒ4 が転写
される。即ち、このとき封止枠１９が形成されることに
なる。本実施例においては、ダイエリアＤ及びその周囲
における絶縁性エポキシ樹脂Ｒ4 の厚さは、ともに約５
０μｍになる。次に、スタンプヘッド部４を上昇させた
後、スタンプヘッド部４を樹脂トレイ１４の直上の位置
に退避させる。 【００４１】次に、チップトレイ１０の直上の位置にお
いて退避していたマウントヘッド部３を下降させ、真空
吸引ノズル９によって半導体チップ１１をピックアップ
する。次に、マウントヘッド部３を上昇させた後、マウ
ントヘッド部３を基板８におけるダイエリアＤの直上の
位置まで移動させる。次に、マウントヘッド部３を下降
させる。すると、ダイエリアＤに転写された絶縁性エポ
キシ樹脂Ｒ4 上に半導体チップ１１が搭載される。次
に、マウントヘッド部３を上昇させた後、マウントヘッ
ド部３を再びチップトレイ１０の直上の位置に退避させ
る。 【００４２】このような一連の動作によって、絶縁性エ
ポキシ樹脂Ｒ4 の転写（封止枠１９の形成）及び半導体
チップ１１の搭載の１回分が終了する。なお、基板８上
に複数のダイエリアＤが存在している場合には、必要な
回数だけ前記動作が繰り返される。なお、以上のダイボ
ンディング工程は常温において行われる。また、前記一
連の動作は、制御コンピュータに記憶されているプログ
ラムに基づいて自動的にかつ高速・高精度に行われる。 【００４３】そして、ダイボンディング工程を経た基板
８は、実施例１に準じた樹脂硬化工程、ワイヤボンディ
ング工程及び樹脂封止工程を経て、図６に示されるよう
な半導体パッケージ２１となる。 【００４４】上記のような半導体パッケージ２１の製造
方法であっても、基本的には実施例１の製造方法と同等
の作用効果を得ることができる。特に、この製造方法に
よると、ダイボンディング用樹脂と封止枠形成用樹脂と
が１種のスタンプ２５によって同時に転写されるという
特徴がある。従って、実施例１と比べた場合、ダイボン
ディング装置１の動作が少なくて済むというメリットが
ある。換言すると、封止枠１９を形成しないときと同じ
所要時間で封止枠１９を形成することが可能となる。従
って、この製造方法を実施したとしても、半導体パッケ
ージ２１の生産性を害するようなことはない。 【００４５】なお、本発明は上記実施例のみに限定され
ることはなく、例えば次のように変更することが可能で
ある。 （１） ダイボンディング用樹脂Ｒ1 及び封止枠形成用
樹脂Ｒ2 として、例えば絶縁性エポキシ樹脂以外にも、
ポリイミド樹脂等といったその他の熱硬化性樹脂を使用
してもよい。 【００４６】（２） 実施例２のスタンプ２５におい
て、転写面２５ａ，２５ｂの高さは必ずしも同一でなく
てもよい。例えば、実施例２よりも高い封止枠１９を得
たいときには、転写面２５ｂを転写面２５ａよりも低く
しておけばよい。勿論、実施例２よりも低い封止枠１９
を得たいときには、この逆にすればよい。 【００４７】（３） 実施例２のスタンプ２５におい
て、２つある転写面２５ａ，２５ｂの相対的な高さを変
更可能としてもよい。このような構成にすれば、各々の
転写厚みを調節することができる。また、封止枠１９の
形成を必要としないダイエリアＤについても同スタンプ
２５を使用することができる。 【００４８】（４） 図９に示される別例のスタンプ２
６のように、外周側の転写面２６ｂを幅広にするととも
に、その長手方向中央部に全周にわたって突条２６ｅを
設けてもよい。このような突条２６ｅが形成されている
と、転写面２６ｂに樹脂トレイ１４中の樹脂が確実に付
着するようになり、結果として封止枠１９の形成精度が
向上する。 【００４９】（５） 基板８上のダイエリアＤにダイパ
ッドがある場合には、例えば導電性を有する樹脂をダイ
ボンディング用樹脂Ｒ1 として使用してもよい。 （６） 実施例１において、先に封止枠１９を転写した
後、ダイボンディング用樹脂Ｒ1 の転写及び半導体チッ
プ１１の搭載を行ってもよい。 【００５０】（７） スタンプ１２，１３，２５，２６
の形成材料としてステンレス以外の金属材料（例えば、
鉄、銅、アルミニウム等）を選択してもよい。また、金
属材料ばかりでなく、例えばゴム材料やセラミックス材
料等を選択してもよい。ただい、金属製のスタンプ１
２，１３…であると、ゴム材料に比して封止枠１９の形
成精度がよいという利点がある。また、セラミックス材
料に比して、安価でありかつ加工性がよいという利点が
ある。 【００５１】ここで、特許請求の範囲に記載された技術
的思想のほかに、前述した実施例及び別例によって把握
される技術的思想をその効果とともに以下に列挙する。 （１）請求項１の製造方法によって製造された半導体パ
ッケージ。このような半導体パッケージであると、封止
部分の形成精度に優れ、しかもコスト性や信頼性にも優
れたものとなる。 【００５２】（２） 電子部品搭載用基板を搬送するた
めの搬送手段と、搬送手段の近傍に配置されたチップ供
給部及び樹脂供給部と、基板上のダイエリアに半導体チ
ップを搭載するためのマウンタヘッド部と、ダイエリア
及びその周囲に所定の樹脂を転写するためのスタンプヘ
ッド部と、マウンタヘッド部及びスタンプヘッド部を任
意の位置に移動させるための駆動手段と、ダイボンディ
ング用樹脂を転写するため転写面を有する第１のスタン
プと、封止枠形成用樹脂を転写するため転写面を有する
第２のスタンプと、両スタンプの上下位置を切り替える
スタンプ切り替え手段とを備えたダイボンディング装
置。この装置であると、通常のダイボンディング工程内
において封止枠の形成を行うことができる。 【００５３】（３） 請求項１の半導体パッケージの製
造方法を実施するためのスタンプであって、ダイエリア
用の転写面と封止枠形成用の転写面とをほぼ同一平面内
に備えた金属製のスタンプ。このスタンプであると、ダ
イボンディング用樹脂及び前記封止枠形成用樹脂を共通
のものとし、前記樹脂を同時に転写できる。 【００５４】（４） 技術的思想（３）のスタンプであ
って、封止枠形成用の転写面に突条を有するスタンプ。
この構成であると、封止枠の形成精度をより向上でき
る。 （５） ダイボンディング装置のスタンプにより基板上
のダイエリアにダイボンディング用樹脂を転写し、かつ
その転写されたダイボンディング樹脂上に半導体チップ
を搭載するダイボンディング工程を行うとき、前記スタ
ンプによって封止枠形成用樹脂を転写することにより、
前記ダイエリアの周囲にポッティング樹脂の拡がりを規
制する封止枠を形成する半導体パッケージ用基板の封止
枠形成方法。この形成方法であると、生産性やコスト性
の悪化を招くことなく、ダイエリアの周囲に封止枠を容
易に形成することができる。 【００５５】なお、本明細書中において使用した技術用
語を次のように定義する。 「ダイエリア： 基板上における領域であって、絶縁性
または導電性のダイボンディング用樹脂によって半導体
チップを接着すべき領域をいう。」 【００５６】 【発明の効果】以上詳述したように、請求項１に記載の
発明によれば、既存の半導体パッケージ製造プロセスに
おいて封止枠が形成されるため、生産性やコスト性の悪
化を招くことなく、ダイエリアの周囲に封止枠を容易に
形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （ａ）は実施例１の半導体パッケージの製造
方法において電子部品搭載用基板を示す部分断面図、
（ｂ）は同じくその部分平面図である。 【図２】 同製造方法において、（ａ）はダイエリアに
ダイボンディング用樹脂を転写した状態を示す部分断面
図、（ｂ）はその部分平面図である。 【図３】 同製造方法において、（ａ）はダイエリアに
半導体チップを搭載した状態を示す部分断面図、（ｂ）
はその部分平面図である。 【図４】 同製造方法において、（ａ）はダイエリアの
周囲に封止枠形成用樹脂を転写した状態を示す部分断面
図、（ｂ）はその部分平面図である。 【図５】 同製造方法において、（ａ）はワイヤボンデ
ィングを実施した状態を示す部分断面図、（ｂ）はその
部分平面図である。 【図６】 同製造方法において、（ａ）はポッティング
樹脂により半導体チップを封止した状態を示す部分断面
図、（ｂ）はその部分平面図である。 【図７】 同製造方法において使用されるダイボンディ
ング装置を示す概略図である。 【図８】 実施例２の製造方法において、（ａ）はダイ
ボンディング用樹脂と封止枠形成用樹脂とを転写した状
態を示す部分断面図、（ｂ）はその部分平面図である。 【図９】 別例の製造方法において、（ａ）はダイボン
ディング用樹脂と封止枠形成用樹脂とを転写した状態を
示す部分断面図、（ｂ）はその部分平面図である。 【図１０】 実施例２の製造方法において使用されるダ
イボンディング装置を示す概略図である。 【符号の説明】 １…ダイボンディング装置、８…（電子部品搭載用）基
板、１１…半導体チップ、２５，２６…スタンプ、２５
ａ，２５ｂ，２６ａ，２６ｂ…転写面、１９…封止枠、
２１…半導体パッケージ、Ｄ…ダイエリア、Ｒ1 …ダイ
ボンディング用樹脂、Ｒ2 …封止枠形成用樹脂、Ｒ3 …
ポッティング樹脂、Ｒ4 …絶縁性エポキシ樹脂。
方法において電子部品搭載用基板を示す部分断面図、
（ｂ）は同じくその部分平面図である。 【図２】 同製造方法において、（ａ）はダイエリアに
ダイボンディング用樹脂を転写した状態を示す部分断面
図、（ｂ）はその部分平面図である。 【図３】 同製造方法において、（ａ）はダイエリアに
半導体チップを搭載した状態を示す部分断面図、（ｂ）
はその部分平面図である。 【図４】 同製造方法において、（ａ）はダイエリアの
周囲に封止枠形成用樹脂を転写した状態を示す部分断面
図、（ｂ）はその部分平面図である。 【図５】 同製造方法において、（ａ）はワイヤボンデ
ィングを実施した状態を示す部分断面図、（ｂ）はその
部分平面図である。 【図６】 同製造方法において、（ａ）はポッティング
樹脂により半導体チップを封止した状態を示す部分断面
図、（ｂ）はその部分平面図である。 【図７】 同製造方法において使用されるダイボンディ
ング装置を示す概略図である。 【図８】 実施例２の製造方法において、（ａ）はダイ
ボンディング用樹脂と封止枠形成用樹脂とを転写した状
態を示す部分断面図、（ｂ）はその部分平面図である。 【図９】 別例の製造方法において、（ａ）はダイボン
ディング用樹脂と封止枠形成用樹脂とを転写した状態を
示す部分断面図、（ｂ）はその部分平面図である。 【図１０】 実施例２の製造方法において使用されるダ
イボンディング装置を示す概略図である。 【符号の説明】 １…ダイボンディング装置、８…（電子部品搭載用）基
板、１１…半導体チップ、２５，２６…スタンプ、２５
ａ，２５ｂ，２６ａ，２６ｂ…転写面、１９…封止枠、
２１…半導体パッケージ、Ｄ…ダイエリア、Ｒ1 …ダイ
ボンディング用樹脂、Ｒ2 …封止枠形成用樹脂、Ｒ3 …
ポッティング樹脂、Ｒ4 …絶縁性エポキシ樹脂。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/52
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】ダイボンディング装置のスタンプによっ
て、基板上のダイエリアにダイボンディング用樹脂を転
写するとともに、基板上のダイエリアの周囲に封止枠形
成用樹脂を転写し、かつその転写されたダイボンディン
グ用樹脂上に半導体チップを搭載するダイボンディング
工程を行った後、樹脂硬化工程及びワイヤボンディング
工程を行い、さらにポッティング樹脂によって前記半導
体チップを封止する樹脂封止工程を行う半導体パッケー
ジの製造方法において、前記スタンプは、ダイエリア用の転写面と封止枠形成用
の転写面とをほぼ同一平面内に備え、両転写面間には凹
部が形成され、当該スタンプによって前記ダイボンディ
ング工程を行うとき、前記ダイボンディング用樹脂及び
前記封止枠形成用樹脂として共通の樹脂を使用して転写
する 半導体パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15500294A JP3393708B2 (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 半導体パッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15500294A JP3393708B2 (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 半導体パッケージの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0823004A JPH0823004A (ja) | 1996-01-23 |
| JP3393708B2 true JP3393708B2 (ja) | 2003-04-07 |
Family
ID=15596559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15500294A Expired - Fee Related JP3393708B2 (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 半導体パッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3393708B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2641405B2 (ja) * | 1995-02-28 | 1997-08-13 | 九州日本電気株式会社 | 電子部品の実装装置及び実装方法 |
| JP6171613B2 (ja) * | 2013-06-21 | 2017-08-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
-
1994
- 1994-07-06 JP JP15500294A patent/JP3393708B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0823004A (ja) | 1996-01-23 |
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