JPH02241040A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02241040A JPH02241040A JP6243889A JP6243889A JPH02241040A JP H02241040 A JPH02241040 A JP H02241040A JP 6243889 A JP6243889 A JP 6243889A JP 6243889 A JP6243889 A JP 6243889A JP H02241040 A JPH02241040 A JP H02241040A
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- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体集積回路（以下ＩＣと称す）を配線基板
上に直接マウントするいわゆるＣ０Ｂ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ
Ｂｏａｒｄ）工法に関するもノテある。
上に直接マウントするいわゆるＣ０Ｂ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ
Ｂｏａｒｄ）工法に関するもノテある。
従来の技術
従来の半導体パッケージを配線基板（例えばエポキシ基
板、セラミック基板、ガラス基板等）上に実装する面実
装工法に代わって、高密度化、コストダウン等をめざし
たペアチップを直接マウントするＣＯＢ工法が量産化の
段階に入ってきた。
板、セラミック基板、ガラス基板等）上に実装する面実
装工法に代わって、高密度化、コストダウン等をめざし
たペアチップを直接マウントするＣＯＢ工法が量産化の
段階に入ってきた。
この製造工程は第２図に示す如（、導体配線１の施され
た配線基板２の所定の位置に例えばエポキシ系のダイボ
ンド接着剤３をデイスペンサー、転写方式等により供給
しく第２図ａ）、上記ダイボンド接着剤３に合わせてＩ
Ｃ４を載置させ、接着固定する（第２図ｂ）。続いて上
記ＩＣ４のパッド（図示せず）と上記導体配線１を金、
アルミ等の導体線５で接続しく第２図ｃ）、更に上記Ｉ
Ｃ４゜上記導体線５を例えばボッティング、印刷方式
等を用いてエポキシ系の封止樹脂６で封止する（第２図
ｄ）。高密度実装のために上記導体配線１は上記ＩＣ４
の近傍まで配線されていることから上記導体配線１に接
触させないために上記ダイボンド接着剤３の供給量は少
な（上記ＩＣ４を接着固定しても上記ダイボンド接着剤
３が上記ＩＣ４の端面全面にはみだすことはない。つま
り上記ＩＣ４の裏面の一部には空洞が発生していること
になる。この上記ＩＣ４の裏面に空洞を持った状態で大
形基板でのＣＯＢ工法に敵した常圧充填であるボッティ
ング、印刷方式で封止樹脂６を供給すると、上記封止樹
脂６は常圧供給であるため上記ＩＣ４の裏面の一部にで
きた空洞の中には充填されず気泡７が残ることになる。
た配線基板２の所定の位置に例えばエポキシ系のダイボ
ンド接着剤３をデイスペンサー、転写方式等により供給
しく第２図ａ）、上記ダイボンド接着剤３に合わせてＩ
Ｃ４を載置させ、接着固定する（第２図ｂ）。続いて上
記ＩＣ４のパッド（図示せず）と上記導体配線１を金、
アルミ等の導体線５で接続しく第２図ｃ）、更に上記Ｉ
Ｃ４゜上記導体線５を例えばボッティング、印刷方式
等を用いてエポキシ系の封止樹脂６で封止する（第２図
ｄ）。高密度実装のために上記導体配線１は上記ＩＣ４
の近傍まで配線されていることから上記導体配線１に接
触させないために上記ダイボンド接着剤３の供給量は少
な（上記ＩＣ４を接着固定しても上記ダイボンド接着剤
３が上記ＩＣ４の端面全面にはみだすことはない。つま
り上記ＩＣ４の裏面の一部には空洞が発生していること
になる。この上記ＩＣ４の裏面に空洞を持った状態で大
形基板でのＣＯＢ工法に敵した常圧充填であるボッティ
ング、印刷方式で封止樹脂６を供給すると、上記封止樹
脂６は常圧供給であるため上記ＩＣ４の裏面の一部にで
きた空洞の中には充填されず気泡７が残ることになる。
更に上記ＩＣ４の厚みは通常４００μｍ程度と厚いため
に、常圧で上記封止樹脂６を上記ＩＣ４の上方から急速
に供給すると上記ＩＣ４の近傍には上記封止樹脂６が完
全には供給されず、同じ（上記気泡７が残存することに
なる。
に、常圧で上記封止樹脂６を上記ＩＣ４の上方から急速
に供給すると上記ＩＣ４の近傍には上記封止樹脂６が完
全には供給されず、同じ（上記気泡７が残存することに
なる。
発明が解決しようとする課題
一般的なＩＣパッケージの場合、リードフレーム上に載
置固定されたｒＣの裏面にダイボンド接着剤の無い空洞
が発生していても、封止方式が数１０ｂ／ｃｄの圧力で
封止樹脂を充填するトランスファー成形法であるため、
比較的空洞中に封止樹脂が充填され、またＩＣの厚みが
厚（とも同じく充填圧力が高いため封止樹脂に気泡が残
ることはほとんどない。ところが上記のごとく封止樹脂
６の充填がボッティング、印刷方式のように常圧による
方式であれば封止樹脂６中に気泡７の残存する確率は大
である。この封止樹脂６中に気泡７を残存させたままＩ
Ｃ４の信頼性試験である例えば１２１℃、２気圧中に配
線基板２を放置するプレッシャークツカー試験にかけた
状態を第３図を見ながら説明する。封止樹脂６中の気泡
７も圧力が２気圧となり配線基板２を大気中に出すと２
気圧の気体が封じ込められた上記気泡７が急激に彫版し
て極端にはＩＣ４を浮きあがらせ上記封止樹脂６を破壊
し、導体線５を断線させる状態が発生する。このような
問題点を解決するために、ダイボンド接着剤３の供給面
積を広げ、上記ＩＣ４の裏面に空洞ができないようにす
る方式としてデイスペンサ一方式では先端の細いマルチ
ノズルを用いるがマルチノズルではノズル１本ずつの量
コントロールが非常に困難であることと供給量の再現性
が問題であった。一方転写方式では転写治具で引き上げ
る接着剤の量のばらつきが大きくまた厚みのばらつきも
大きいものであった。更に封止樹脂の供給においては、
ボッティング方式、印刷方式ともに供給速度を極端に落
とせば気泡を内蔵する確率は少なかったが量産性に欠け
るものであった。
置固定されたｒＣの裏面にダイボンド接着剤の無い空洞
が発生していても、封止方式が数１０ｂ／ｃｄの圧力で
封止樹脂を充填するトランスファー成形法であるため、
比較的空洞中に封止樹脂が充填され、またＩＣの厚みが
厚（とも同じく充填圧力が高いため封止樹脂に気泡が残
ることはほとんどない。ところが上記のごとく封止樹脂
６の充填がボッティング、印刷方式のように常圧による
方式であれば封止樹脂６中に気泡７の残存する確率は大
である。この封止樹脂６中に気泡７を残存させたままＩ
Ｃ４の信頼性試験である例えば１２１℃、２気圧中に配
線基板２を放置するプレッシャークツカー試験にかけた
状態を第３図を見ながら説明する。封止樹脂６中の気泡
７も圧力が２気圧となり配線基板２を大気中に出すと２
気圧の気体が封じ込められた上記気泡７が急激に彫版し
て極端にはＩＣ４を浮きあがらせ上記封止樹脂６を破壊
し、導体線５を断線させる状態が発生する。このような
問題点を解決するために、ダイボンド接着剤３の供給面
積を広げ、上記ＩＣ４の裏面に空洞ができないようにす
る方式としてデイスペンサ一方式では先端の細いマルチ
ノズルを用いるがマルチノズルではノズル１本ずつの量
コントロールが非常に困難であることと供給量の再現性
が問題であった。一方転写方式では転写治具で引き上げ
る接着剤の量のばらつきが大きくまた厚みのばらつきも
大きいものであった。更に封止樹脂の供給においては、
ボッティング方式、印刷方式ともに供給速度を極端に落
とせば気泡を内蔵する確率は少なかったが量産性に欠け
るものであった。
課題を解決するための手段
そして上記問題点を解決する本発明の技術的手段は、配
線基板上にＩＣより広い面積となるようにダイボンド接
着剤を設け、ＩＣの外周部をこのダイボンド接着剤に埋
設して接着固定し、その後、印刷方式にてＩＣを封止樹
脂で封止するものである 作用 このようにＩＣの外周部をダイボンド接着剤が覆ってい
ることにより、ＩＣの端面の急峻な段差が緩和され、封
止樹脂を印刷方式でｌｃ上に供給した場合、気泡が封じ
込められることがないことから製造歩留りを上げ、信頼
性を向上させることが可能である。
線基板上にＩＣより広い面積となるようにダイボンド接
着剤を設け、ＩＣの外周部をこのダイボンド接着剤に埋
設して接着固定し、その後、印刷方式にてＩＣを封止樹
脂で封止するものである 作用 このようにＩＣの外周部をダイボンド接着剤が覆ってい
ることにより、ＩＣの端面の急峻な段差が緩和され、封
止樹脂を印刷方式でｌｃ上に供給した場合、気泡が封じ
込められることがないことから製造歩留りを上げ、信頼
性を向上させることが可能である。
実施例
以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明す
る。第１図は本発明の実施例によるＣＯＢ工法の製造プ
ロセスフローを示す。導体配線１１の施された配線基板
１２の一部に例えば絶縁性エポキシ樹脂のダイボンド接
着剤１３を印刷方式にて供給する（第１図ａ）。この場
合上記ダイボンド接着剤１３の印刷面積は載置するＩＣ
１４の面積よりも大きくしている。例えばＩＣ１４が５
×５１１ＩＩ１１であれば印刷面積は５．５Ｘ５．５ｍ
ｍとした。これはＩＣ１４の四辺の端面の一部を上記ダ
イボンド接着剤１３で覆うためである。ちなみに本実施
例での印刷方式は２００メツシユのステンレススクリー
ン版を用いており上記ダイボンド接着剤１３の厚みは３
５ＩＪＩＩであった。また印刷方式は上記ダイボンド接
着剤１３の印刷面積、厚みの制御が比較的容易であるた
め、上記導体配線１１の近傍まで印刷することが可能で
ある。次に上記ダイボンド接着剤１３のほぼ中央部に５
ｘ５ｘ０．４ｍｍｔのＩＣ１４を載置し、所定の荷重を
かけマウントする（第１図ｂ）。この荷重により上記ダ
イボンド接着剤１３の一部が上記ＩＣ１４の外周面１５
の一部に盛り上がり被覆する。上記ダイボンド接着剤１
３の印刷形状が上記ＩＣ１４と相似系でしかも大きいこ
とから、上記ＩＣ１４の四辺の上記外周面１５をほぼ均
等に上記ダイボンド接着剤１３が覆うことになる。この
ことから上記ＩＣ１４の上記外周面１５の急峻な段差は
上記ダイボンド接着剤１３でテーパーが形成され緩和さ
れる。ちなみに上記外周面１５への上記ダイボンド接着
剤１３の盛り上がりは上記ＩＣ１４の底辺から０．２ｍ
ｍｍ程度であった。また、上記ダイボンド接着剤１３は
均一な厚みに印刷されているため、上記配線基板１２と
上記ＩＣ１４の裏面の間には空洞は生じない。続いて上
記ＩＣ１４のアルミパッド（図示せず）と上記導体配線
１１を例えば金、アルミ等の導体線１６で接続する（第
１図Ｃ）。最後に上記導体配線１１．ダイボンド接着剤
１３．ＩＣ１４゜導体線１６の一部を封止樹脂１７で封
止する（第１図ｄ）。この場合の上記封止樹脂１７の供
給方法は所定のパターンが形成された印刷用スクリーン
、メタル等の印刷版１８を用い、例えばウレタン製のス
キージで上記封止樹脂１７を印刷塗布する。印刷する上
記封止樹脂１７の厚みは上記印刷版１８と上記配線基板
１１の間隔Ａ、上記印刷版１８の厚み等で任意に設定が
可能である。ちなみに本実施例では上記印刷版１８に厚
み０．２ｍｍのメタルマスクを用い、上記間隔Ａを０．
５ｍｍに設定した場合上記封止樹脂１７の厚みは０．６
ｍであった。本実施例では上記ダイボンド接着剤１３に
は絶縁性エポキシ樹脂を用いたが必要に応じて導電性で
あっても、また、印刷方式で印刷が可能であればいずれ
の接着剤でもかまわない。更に上記ダイボンド接着剤１
３の印刷面積も上記ＩＣ１４より太き（しているが上記
ＩＣ１４をマウントして上記外周面１５を均等に覆うよ
うにすれば上記ダイボンド接着剤１３の厚みを厚くして
、印刷面積は上記ＩＣ１４より小さくしても構わない。
る。第１図は本発明の実施例によるＣＯＢ工法の製造プ
ロセスフローを示す。導体配線１１の施された配線基板
１２の一部に例えば絶縁性エポキシ樹脂のダイボンド接
着剤１３を印刷方式にて供給する（第１図ａ）。この場
合上記ダイボンド接着剤１３の印刷面積は載置するＩＣ
１４の面積よりも大きくしている。例えばＩＣ１４が５
×５１１ＩＩ１１であれば印刷面積は５．５Ｘ５．５ｍ
ｍとした。これはＩＣ１４の四辺の端面の一部を上記ダ
イボンド接着剤１３で覆うためである。ちなみに本実施
例での印刷方式は２００メツシユのステンレススクリー
ン版を用いており上記ダイボンド接着剤１３の厚みは３
５ＩＪＩＩであった。また印刷方式は上記ダイボンド接
着剤１３の印刷面積、厚みの制御が比較的容易であるた
め、上記導体配線１１の近傍まで印刷することが可能で
ある。次に上記ダイボンド接着剤１３のほぼ中央部に５
ｘ５ｘ０．４ｍｍｔのＩＣ１４を載置し、所定の荷重を
かけマウントする（第１図ｂ）。この荷重により上記ダ
イボンド接着剤１３の一部が上記ＩＣ１４の外周面１５
の一部に盛り上がり被覆する。上記ダイボンド接着剤１
３の印刷形状が上記ＩＣ１４と相似系でしかも大きいこ
とから、上記ＩＣ１４の四辺の上記外周面１５をほぼ均
等に上記ダイボンド接着剤１３が覆うことになる。この
ことから上記ＩＣ１４の上記外周面１５の急峻な段差は
上記ダイボンド接着剤１３でテーパーが形成され緩和さ
れる。ちなみに上記外周面１５への上記ダイボンド接着
剤１３の盛り上がりは上記ＩＣ１４の底辺から０．２ｍ
ｍｍ程度であった。また、上記ダイボンド接着剤１３は
均一な厚みに印刷されているため、上記配線基板１２と
上記ＩＣ１４の裏面の間には空洞は生じない。続いて上
記ＩＣ１４のアルミパッド（図示せず）と上記導体配線
１１を例えば金、アルミ等の導体線１６で接続する（第
１図Ｃ）。最後に上記導体配線１１．ダイボンド接着剤
１３．ＩＣ１４゜導体線１６の一部を封止樹脂１７で封
止する（第１図ｄ）。この場合の上記封止樹脂１７の供
給方法は所定のパターンが形成された印刷用スクリーン
、メタル等の印刷版１８を用い、例えばウレタン製のス
キージで上記封止樹脂１７を印刷塗布する。印刷する上
記封止樹脂１７の厚みは上記印刷版１８と上記配線基板
１１の間隔Ａ、上記印刷版１８の厚み等で任意に設定が
可能である。ちなみに本実施例では上記印刷版１８に厚
み０．２ｍｍのメタルマスクを用い、上記間隔Ａを０．
５ｍｍに設定した場合上記封止樹脂１７の厚みは０．６
ｍであった。本実施例では上記ダイボンド接着剤１３に
は絶縁性エポキシ樹脂を用いたが必要に応じて導電性で
あっても、また、印刷方式で印刷が可能であればいずれ
の接着剤でもかまわない。更に上記ダイボンド接着剤１
３の印刷面積も上記ＩＣ１４より太き（しているが上記
ＩＣ１４をマウントして上記外周面１５を均等に覆うよ
うにすれば上記ダイボンド接着剤１３の厚みを厚くして
、印刷面積は上記ＩＣ１４より小さくしても構わない。
発明の効果
本発明である印刷方式でダイボンド接着剤を供給するこ
とにより配線基板とＩＣの間に空間が生じず、また、Ｉ
Ｃの外周面の一部も均等な高さまでダイボンド接着剤で
覆い、ＩＣの段差を緩和した状態で、同じく印刷方式に
て封止樹脂で封止すればＩＣの段差が緩和されているこ
とから、封止樹脂中に気胞が生じることがなく、半導体
装置として信頼性を向上させることが可能となる。更に
封止方式として印刷方式を用いることから量産性を向上
させることも可能である。
とにより配線基板とＩＣの間に空間が生じず、また、Ｉ
Ｃの外周面の一部も均等な高さまでダイボンド接着剤で
覆い、ＩＣの段差を緩和した状態で、同じく印刷方式に
て封止樹脂で封止すればＩＣの段差が緩和されているこ
とから、封止樹脂中に気胞が生じることがなく、半導体
装置として信頼性を向上させることが可能となる。更に
封止方式として印刷方式を用いることから量産性を向上
させることも可能である。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の製造フローを示す断面
図、第２図（ａ）〜（ｄ）は従来の製造フローを示す断
面図、第３図は信頼性試験による従来工法のＩＣの破壊
状態を示す断面図である。 １３・・・・・・ダイボンド接着剤、１４・・・・・・
ＩＣ１１５・・・・・・端面、１７・・・・・・封止樹
脂、１８・・・・・・印刷版。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第１図 第 図 第 図
図、第２図（ａ）〜（ｄ）は従来の製造フローを示す断
面図、第３図は信頼性試験による従来工法のＩＣの破壊
状態を示す断面図である。 １３・・・・・・ダイボンド接着剤、１４・・・・・・
ＩＣ１１５・・・・・・端面、１７・・・・・・封止樹
脂、１８・・・・・・印刷版。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名第１図 第 図 第 図
Claims (1)
- 配線基板上の一部に印刷方式によりダイボンド接着剤を
半導体集積回路より広い面積となるように供給する工程
と、上記ダイボンド接着剤上に半導体集積回路の外周部
を埋設して固定する工程と、上記半導体集積回路を配線
基板上で印刷方式により封止樹脂で封止する工程よりな
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6243889A JP2679224B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6243889A JP2679224B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02241040A true JPH02241040A (ja) | 1990-09-25 |
| JP2679224B2 JP2679224B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=13200203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6243889A Expired - Fee Related JP2679224B2 (ja) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2679224B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05114620A (ja) * | 1991-10-24 | 1993-05-07 | Nippon Retsuku Kk | 電気部品の樹脂封止法 |
| JP2008028040A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製法 |
| JP2010239162A (ja) * | 2010-07-26 | 2010-10-21 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2014110282A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Toyota Motor Corp | 金属微粒子含有ペーストを用いる接合方法 |
-
1989
- 1989-03-15 JP JP6243889A patent/JP2679224B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05114620A (ja) * | 1991-10-24 | 1993-05-07 | Nippon Retsuku Kk | 電気部品の樹脂封止法 |
| JP2008028040A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製法 |
| JP2010239162A (ja) * | 2010-07-26 | 2010-10-21 | Oki Semiconductor Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2014110282A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Toyota Motor Corp | 金属微粒子含有ペーストを用いる接合方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2679224B2 (ja) | 1997-11-19 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |