JP2002118207A - 半導体パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

半導体パッケージ及びその製造方法

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JP2002118207A
JP2002118207A JP2001222515A JP2001222515A JP2002118207A JP 2002118207 A JP2002118207 A JP 2002118207A JP 2001222515 A JP2001222515 A JP 2001222515A JP 2001222515 A JP2001222515 A JP 2001222515A JP 2002118207 A JP2002118207 A JP 2002118207A
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dam
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Kyei Chan Park
桂 燦 朴
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Tobu Denshi KK
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Tobu Denshi KK
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型化と薄型化が可能であり、信頼性を
確保できる半導体パッケージ及びその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 上部面の四辺にボンディングパッド３０
ａが配列された半導体チップ３０；各ボンディングパッ
ド３０ａ上に形成された金バンプ４１；金バンプ４１で
半導体チップ３０のボンディングパッド３０ａと連結さ
れるインナーパターン３１と、インナーパターン３１と
隔離されたアウターパターン３３、及びインナーパター
ン３１とアウターパターン３３の間をつなぐ連結パター
ン３２で成る金属パターン３５；枠状にダム３６が形成
されたガラス基板４０；金属パターン３５のアウターパ
ターン３３を除いたダム３６までの半導体チップ３０周
辺のガラス基板４０との間の空間を封止するシーリング
材４２及びアウターパターン３３上のソルダーボール４
０を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体パッケージに
関し、より詳しくは、小型化と薄型化が可能で且つ信頼
性を確保できる半導体パッケージ及びその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、電子製品は消費者の要望
を満たすために、より高機能化、及び、より小型化、薄
型化していく傾向にあり、これに合わせてマザー・ボー
ド上に実装される半導体パッケージもまた高密度実装が
可能となるよう、より小型化および薄型化されている。
このような半導体パッケージは、大部分半導体のチップ
がＥＭＣ（ＥｐｏｘｙＭｏｌｄｉｎｇ Ｃｏｍｐｏｕｎ
ｄ）のような封止材で封止され、多数のリードが前記封
止材の外側に引出し乃至はフォーミングされた形を有す
る。ところが、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ
Ｄｅｖｉｃｅ）のような素子はそのアクティブ領域を
開放しておかなければならない特性を有するため、ＥＭ
Ｃによる封止は困難である。これはＣＣＤの開放された
アクティブ領域にＥＭＣが接触するとＣＣＤに欠陥が生
じるためである。従って、ＣＣＤなどの半導体チップの
パッケージングのために、ベースモールド及び蓋を利用
したパッケージング方法が提案された。このようなベー
スモールド及び蓋を利用して製造された従来の半導体パ
ッケージについて、図１及び図２を参照して説明する。
【０００３】図１は、セラミックで成るベースモールド
及びガラスで成る蓋を利用して製造された従来のセラミ
ックパッケージを示す断面図である。図示されたよう
に、ＣＣＤのような半導体チップ５がセラミックで成る
セラミックベースモールド１に搭載され、半導体チップ
５の汚染が防止されるよう前記半導体チップが搭載され
たセラミックベースモールド１の上側部分がガラス蓋８
で封止されている。セラミックベースモールド１は全体
的に四角状であり、内部に階段状のキャビティ２を有
し、そして数個のリード４が一方側及び他方側の階段面
３からそれぞれ隣接した外側に引出し／フォーミングさ
れた形で備えられる。半導体チップ５は、エポキシ系の
接着剤６によりキャビティ２の底面に取り付けられる。
半導体チップ５のボンディングパッド５ａは、アルミニ
ウム又は金ワイヤ７によりリード４の一端、即ち電極パ
ッド４ａと電気的に連結される。
【０００４】図２は、ＥＭＣ及びガラスの蓋を利用して
製造された従来のプラスチックパッケージを示す断面図
である。ここで、図１と同一部分は同一の図面符号で表
わす。図示されたように、半導体チップ５がダイパッド
１１、インナーリード１２及びアウターリード１３で成
る一般のリードフレーム２０のダイパッド１１上に接着
剤により取り付けられる。半導体チップ５のボンディン
グパッド５ａは、アルミニウム又は金ワイヤ７によりリ
ードフレーム２０のインナーリード１２と電気的に連結
される。半導体チップ５の上部面と、これにワイヤボン
ディングされたインナーリード部分が覆われないよう、
半導体チップ５の下部面及びリードフレーム２０の一部
分がＥＭＣでモールディングされる。図面符号２１は、
ＥＭＣで成るＥＭＣベースモールドを表わす。半導体チ
ップ５の汚染が防止されるよう、ＥＭＣベースモールド
２１の上部がガラス蓋８で封止される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述のパッケ
ージは構造的な特性のため大幅な小型化と薄型化は困難
であり、さらに、具備可能なリード数に限界が有るため
高集積素子のパッケージングには適用し難い。しかも、
セラミックパッケージは高価なのでその利用が困難であ
る。また、プラスチックパッケージは、ＥＭＣとガラス
の間のマイクロギャップ、即ち有機物であるＥＭＣと無
機物であるガラスの間の物質自体の特性差、そしてＥＭ
Ｃから発生するアルファ粒子による半導体チップの汚染
により、その特性及び信頼性が低下する。従って、本発
明は前述の諸問題を解決するため考案されたものであ
り、本発明の目的は、小型化と薄型化が可能であり、信
頼性を確保できる半導体パッケージ及びその製造方法を
提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
半導体パッケージは、上部面にボンディングパッドが配
列された半導体チップ；前記各ボンディングパッド上に
形成された金バンプ；前記ボンディングパッドと対応す
る金属パターンが一側面上に形成されたガラス基板、前
記金属パターンは、前記金バンプを介して前記半導体チ
ップの前記ボンディングパッドと電気的に連結されるイ
ンナーパターン、前記インナーパターンと隔離されたア
ウターパターン、及び前記インナーパターンとアウター
パターンの間をつなぐ連結パターンからなる；前記連結
パターン上に、前記インナーパターンを取り囲む枠状に
形成されたダム；前記金属パターンの前記アウターパタ
ーンを除いた前記ダムまでの、前記半導体チップの周辺
部とガラス基板との空間を封止するシーリング材；及び
前記金属パターンの前記アウターパターン上に取り付け
られたソルダーボールを有する。
【０００７】このような構成を備えているために、本発
明の請求項１による半導体パッケージでは、セラミック
ベースモールドとＥＭＣの利用が省略されるため、大幅
な小型化と薄型化が容易に実現できる。また、高価なセ
ラミックベースモールドを使用しないことから、費用節
減が実現できる。同時に、アルファ粒子を発生させるＥ
ＭＣを使用しないので信頼性向上の効果が得られる。そ
して、本発明の請求項１による半導体パッケージは、半
導体チップと基板間の電気的接続がワイヤではなく、金
バンプにより行われる構造であるため、より小型化と薄
型化が更に容易に実現できる。また、前記金属パターン
の前記アウターパターンを除いた前記ダムまでの、前記
半導体チップの周辺部とガラス基板との空間が封止され
ているので、半導体チップ及び金属パターンの高い信頼
性が確保される。
【０００８】さらに、本発明の請求項１３に係る半導体
パッケージの製造方法は、上部面にボンディングパッド
が配列された半導体チップと、前記ボンディングパッド
と対応する金属パターンが一側面上に形成されたガラス
基板を提供する段階、前記金属パターンは、インナーパ
ターンとアウターパターン、及びこれらを連結する連結
パターンから成る；前記各ボンディングパッド上に金バ
ンプを形成する段階；前記連結パターン上に、前記イン
ナーパターンを取り囲む枠状にダムを形成する段階；前
記ボンディングパッドと前記インナーパターンが電気的
に連結されるよう、前記金バンプを利用して前記半導体
チップと前記ガラス基板とを結合させる段階；前記アウ
ターパターンを除いた前記ダムまでの、前記半導体チッ
プの周辺部とガラス基板との間の空間をシーリング材で
封止する段階；及び各金属パターンのアウターパターン
上に、ソルダーボールを取り付ける段階を含む。
【０００９】このような構成を備えているために、本発
明の請求項１３による半導体パッケージの製造方法で
は、セラミックベースモールドとＥＭＣの利用が省略さ
れるため、非常に小型で薄型の半導体パッケージの製造
が容易に実現できる。また、高価なセラミックベースモ
ールドを使用しないことから、より低コストの半導体パ
ッケージの製造が容易に実現できる。同時に、アルファ
粒子を発生させるＥＭＣを使用しないので、高信頼性の
半導体パッケージの製造が容易に実現できる。そして、
本発明の請求項１３による半導体パッケージの製造方法
では、半導体チップと基板間の電気的接続がワイヤでは
なく、金バンプにより行われる構造であるため、さらに
小型で薄型の半導体パッケージの製造が容易に実現で
き、製造工程の簡略化と製造速度の向上も得られる。さ
らに、前記金属パターンの前記アウターパターンを除い
た前記ダムまでの、前記半導体チップの周辺部とガラス
基板との空間が封止されるので、半導体チップ及び金属
パターンの信頼性の高い半導体パッケージの製造が容易
に実現できる。
【００１０】本発明の目的と見地及び利点は、以下に示
す発明の実施の形態の詳細な説明及び添付の図面を参照
してよりよく理解されるはずである。
【００１１】
【発明の実施の形態】図３は、本発明の一実施例に係る
半導体パッケージを示す断面図である。この半導体パッ
ケージには、ボンディングパッド３０ａが備えられた半
導体チップ３０と、ボンディングパッド３０ａと対応す
るよう金属パターン３５が形成されたガラス基板４０と
が設けられている。半導体チップ３０とガラス基板４０
は、ボンディングパッド３０ａと金属パターン３５とが
向き合うよう配置されている。ボンディングパッド３０
ａと金属パターンの一側端３１（以下、インナーパター
ンと称する）は、ボンディングパッド３０ａ上に形成さ
れた金バンプ４１によりボンディング及び電気的に連結
されている。マザーボードへの実装手段として機能する
ソルダーボール４３が金属パターンの他側端３３（以
下、アウターパターンと称する）に取り付けられてい
る。インナーパターン３１とアウターパターン３３の間
の金属パターン部分３２（以下、連結パターンと称す
る）上にダム３６（Ｄａｍ、すなわち堰）が形成されて
いる。半導体チップ３０周辺のガラス基板４０からダム
３６までの空間は、金属パターン３５のアウターパター
ン３３を除き、エポキシ又はポリマ樹脂で成るシーリン
グ材４２によって封止される。
【００１２】半導体チップ３０はＣＣＤなので、その上
部面のアクティブ領域上にはカラーフィルタ（不図示）
が形成されている。図示されてはいないが、ボンディン
グパッド３０ａが、半導体チップ３０の上部面の四辺に
近接した部分の全てにそれぞれ一列に配列される。パッ
ケージの小型化と薄型化を考慮して、金バンプ４１の高
さは５０〜１７５μｍであり、ボールの径は５０〜１０
０μｍ程度である。シーリング材４２は７０〜１２０℃
で硬化が可能な物質、例えばエポキシ又はポリマー樹脂
である。ソルダーボール４３の錫：鉛の組成比は６０〜
８０対４０〜２０ｗｔ％であり、信頼度を向上させるた
めドーパントとして銀、金、クロム、又はコバルト等を
用いることができる。ソルダーボール４３の大きさは１
０〜４０ｍｉｌ（＝１０／１０００〜４０／１０００イ
ンチ、すなわち、ＳＩ単位に換算すれば、約０．２５４
〜１．０１６ｍｍ）程度である。図４に示されたよう
に、金属パターン３５は、半導体チップの各ボンディン
グパッドと対応する位置にそれぞれ形成され、ダム３６
が金属パターン３５のインナーパターン３１を取り囲む
枠状に形成される。
【００１３】金属パターン３５は、インナーパターン３
１、アウターパターン３３、及びこれらの間をつなぐ連
結パターン３２で構成される。金属パターン３５は、イ
ンジウム＋錫、インジウム＋錫＋銅、インジウム＋錫＋
金、又はインジウム＋錫＋銅＋金の中から選択される一
つの混合物で成る。或いは、前記混合物と類似する電気
的特性を有する金属で構成される。金属パターン３５
は、１μｍより大きい厚さ、好ましくは１〜３μｍ程度
の厚さを有し、５０μｍより大きい、好ましくは５０〜
７０μｍ程度の幅を有する。インナーパターン３１は、
金バンプ４１との接続を考慮して、少なくとも５０×５
０μｍを超える大きさ、好ましくは５０×５０μｍから
１００×１００μｍの大きさを有する。アウターパター
ン３３は、ソルダーボール４３の取り付けを考慮して、
７５×７５μｍを超える大きさ、好ましくは７５×７５
μｍ〜１００×１００μｍの大きさを有する。
【００１４】ダム３６は、インナーパターン３１を取り
囲む形、すなわち枠状を有し、連結パターン３２及びガ
ラス基板４０上に形成される。ダム３６はエポキシ、又
はポリマー樹脂のように溶剤のない不透明系の樹脂から
なり、３０〜１００μｍの幅と１０〜７０μｍの高さを
有する。前述のような構造を有する本発明の半導体パッ
ケージは、高価なセラミックベースモールドを使用しな
いので経済的な利点を有する。さらに、アルファ粒子を
発生させるＥＭＣを使用しないので信頼性が確保され
る。以下、前述の本発明の半導体パッケージの製造方法
について、図５から図８を参照しながら説明する。
【００１５】図５を参照すれば、先ず、四辺周囲にそれ
ぞれボンディングパッド３０ａが一列に配列された半導
体チップ３０を提供する。金バンプ４１を各ボンディン
グパッド３０ａ上に形成する。金バンプ４１は、好まし
くはスタッド・バンプ・ボンディング（Ｓｔｕｄ Ｂｕ
ｍｐ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法によって、１５０〜２８０℃
の温度、２０〜２５０ｇｆ／Ｂｕｍｐの圧力、３０〜１
５０ｍＷの出力で形成される。そして、金バンプ４１は
高さが５０〜１７５μｍ、直径が５０〜１００μｍ程度
を有する。このとき、その高さはテアリング（ｔｅａｒ
ｉｎｇ）、プリング（ｐｕｌｌｉｎｇ）、又はコイニン
グ（ｃｏｉｎｉｎｇ）等の方法を介して調節することが
できる。図６を参照すれば、ボンディングパッド３０ａ
と対応するように金属パターン３５を形成し、次に、ダ
ム３６が形成されたガラス基板４０を提供する。金属パ
ターン３５は、インナーパターン３１、連結パターン３
２、及びアウターパターン３３からなり、ダム３６を、
ダム３６がインナーパターン３１を取り囲むように、連
結パターン３２とガラス基板４０上に枠状に形成され
る。ダム３６は、連結パターン上にインナーパターン３
１から約２０μｍ離して、１０〜７０μｍの高さ及び３
０〜１００μｍの幅を有するように、スクリーン・プリ
ンティング又はディスペンシング法によって形成する。
【００１６】図７を参照すれば、ボンディングパッド３
０ａ上の金バンプ４１がインナーパターン３１の上部に
配置されるように、半導体チップ３０がガラス基板４０
の上部に整列される。次に、半導体チップ３０は、熱圧
着工程によりガラス基板４０に結合される。このとき、
ボンディングパッド３０ａとインナーパターン３１は、
金バンプ４１により電気的に連結される。前記熱圧着工
程は、温度が１００〜１５０℃、圧力が２０〜５０ｇｆ
／Ｂｕｍｐ、そして時間が２〜５秒の条件で行なわれ
る。図８を参照すれば、半導体チップ３０の周辺、即ち
金属パターン３５のアウターパターン３３を除いた半導
体チップ３０の四辺を、ダム３６までシーリング材４２
により封止する。シーリングの目的は、半導体チップ３
０及び金属パターン３５の信頼性を確保するためであ
る。例えばエポキシ又はポリマー樹脂などの、７０〜１
２０℃で硬化する材料がシーリング材４２として使用さ
れる。
【００１７】次に、図３に示したように、マザーボード
上の実装手段として機能するソルダーボール４３を、金
属パターン３５のアウターパターン３３上に取り付け、
それにより本発明の半導体パッケージが完成される。ソ
ルダーボール４３は、約１０〜４０ｍｉｌ（＝１０／１
０００〜４０／１０００インチ、すなわち、ＳＩ単位に
換算すれば、約０．２５４〜１．０１６ｍｍ）の大きさ
を有する。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体パッケー
ジは、セラミックベースモールドとＥＭＣの利用が省略
されるため、費用節減及び信頼性向上の効果が得られ
る。さらに、本発明の半導体パッケージは半導体チップ
と基板間の電気的接続が金バンプにより行われる構造で
あるため、より小型化と薄型化が更に容易に実現でき
る。一方、ここでは本発明の特定の実施例に対して説明
し図示したが、当業者によりこれに対する修正と変形を
行なうことができる。従って、前記の特許請求の範囲は
本発明の正しい思想と範囲に属する限り、全ての修正と
変形を含むものと理解することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のセラミックパッケージを示す断面図
【図２】従来のプラスチックパッケージを示す断面図
【図３】本発明の半導体パッケージを示す断面図
【図４】本発明のガラス基板を示す平面図
【図５】本発明に係る半導体パッケージの製造方法を説
明するための各工程を示す断面図
【図６】本発明に係る半導体パッケージの製造方法を説
明するための各工程を示す断面図
【図７】本発明に係る半導体パッケージの製造方法を説
明するための各工程を示す断面図
【図８】本発明に係る半導体パッケージの製造方法を説
明するための各工程を示す断面図
【符号の説明】
３０ 半導体チップ ３０ａ ボンディングパッド ３１ インナーパターン ３２ 連結パターン ３３ アウターパターン ３５ 金属パターン ３６ ダム ４０ ガラス基板 ４１ 金バンプ ４２ シーリング材 ４３ ソルダーボール

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 以下の構成を有する半導体パッケージ：
    上部面にボンディングパッドが配列された半導体チッ
    プ；前記各ボンディングパッド上に形成された金バン
    プ；前記ボンディングパッドと対応する金属パターンが
    一側面上に形成されたガラス基板、前記金属パターン
    は、前記金バンプを介して前記半導体チップの前記ボン
    ディングパッドと電気的に連結されるインナーパター
    ン、前記インナーパターンと隔離されたアウターパター
    ン、及び前記インナーパターンとアウターパターンの間
    をつなぐ連結パターンからなる；前記連結パターン上
    に、前記インナーパターンを取り囲む枠状に形成された
    ダム；前記金属パターンの前記アウターパターンを除い
    た前記ダムまでの、前記半導体チップの周辺部とガラス
    基板との空間を封止するシーリング材；及び前記金属パ
    ターンの前記アウターパターン上に取り付けられたソル
    ダーボール。
  2. 【請求項２】 前記半導体チップは、その上部面のアク
    ティブ領域上に形成されたカラーフィルタを含むことを
    特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
  3. 【請求項３】 前記金バンプの高さは５０〜１７５μ
    ｍ、直径は５０〜１００μｍであることを特徴とする請
    求項１記載の半導体パッケージ。
  4. 【請求項４】 前記金属パターンはインジウム＋錫、イ
    ンジウム＋錫＋銅、インジウム＋錫＋金、又はインジウ
    ム＋錫＋銅＋金の中から選択される一つの混合物で成る
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
  5. 【請求項５】 前記金属パターンは１〜３μｍの厚さ、
    及び５０〜７０μｍの幅を有することを特徴とする請求
    項１記載の半導体パッケージ。
  6. 【請求項６】 前記インナーパターンの大きさは５０×
    ５０μｍ〜１００×１００μｍ、アウターパターンの大
    きさは７５×７５μｍ〜１００×１００μｍであること
    を特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
  7. 【請求項７】 前記ダムはエポキシ、又はポリマー樹脂
    で成ることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケー
    ジ。
  8. 【請求項８】 前記ダムは幅が３０〜１００μｍ、高さ
    が１０〜７０μｍであることを特徴とする請求項１記載
    の半導体パッケージ。
  9. 【請求項９】 前記シーリング材はエポキシ、又はポリ
    マー樹脂であることを特徴とする請求項１記載の半導体
    パッケージ。
  10. 【請求項１０】 前記ソルダーボールは錫：鉛の組成比
    が６０〜８０：４０〜２０ｗｔ％の物質で成ることを特
    徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
  11. 【請求項１１】 前記ソルダーボールはドーパントとし
    て銀、金、クロム、又はコバルトを含むことを特徴とす
    る請求項１０記載の半導体パッケージ。
  12. 【請求項１２】 前記ソルダーボールの大きさは、１０
    〜４０ｍｉｌ（＝１０／１０００〜４０／１０００イン
    チ、すなわち、ＳＩ単位に換算すれば、約０．２５４〜
    １．０１６ｍｍ）であることを特徴とする請求項１記載
    の半導体パッケージ。
  13. 【請求項１３】 以下の各段階を含むことを特徴とする
    半導体パッケージの製造方法：上部面にボンディングパ
    ッドが配列された半導体チップと、前記ボンディングパ
    ッドと対応する金属パターンが一側面上に形成されたガ
    ラス基板を提供する段階、前記金属パターンは、インナ
    ーパターンとアウターパターン、及びこれらを連結する
    連結パターンから成る；前記各ボンディングパッド上に
    金バンプを形成する段階；前記連結パターン上に、前記
    インナーパターンを取り囲む枠状にダムを形成する段
    階；前記ボンディングパッドと前記インナーパターンが
    電気的に連結されるよう、前記金バンプを利用して前記
    半導体チップと前記ガラス基板とを結合させる段階；前
    記アウターパターンを除いた前記ダムまでの、前記半導
    体チップの周辺部とガラス基板との間の空間をシーリン
    グ材で封止する段階；及び各金属パターンの前記アウタ
    ーパターン上に、ソルダーボールを取り付ける段階。
  14. 【請求項１４】 前記半導体チップの上部面のアクティ
    ブ領域上にカラーフィルタを形成する段階を含むことを
    特徴とする請求項１３記載の半導体パッケージの製造方
    法。
  15. 【請求項１５】 前記金バンプの形成段階を、温度が１
    ５０〜２８０℃、圧力が２０〜２５０ｇｆ／Ｂｕｍｐ
    （＝バンプ１個当り２０〜２５０ｇｆ）、パワーが３０
    〜１５０ｍＷの条件で実施することを特徴とする請求項
    １３記載の半導体パッケージの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記金バンプの形成段階では、５０〜
    １７５μｍの高さ、及び５０〜１００μｍのボール直径
    の前記金バンプを形成することを特徴とする請求項１３
    記載の半導体パッケージの製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記金バンプの形成段階では、前記金
    バンプの高さを、テアリング（ｔｅａｒｉｎｇ）、プリ
    ング（ｐｕｌｌｉｎｇ）、又はコイニング（ｃｏｉｎｉ
    ｎｇ）の方法で調節することを特徴とする請求項１６記
    載の半導体パッケージの製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記金属パターンは、インジウム＋
    錫、インジウム＋錫＋銅、インジウム＋錫＋金、又はイ
    ンジウム＋錫＋銅＋金の中から選択される一つの混合物
    で成ることを特徴とする請求項１３記載の半導体パッケ
    ージの製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記金属パターンは１〜３μｍの厚
    さ、及び５０〜７０μｍの幅に形成することを特徴とす
    る請求項１３記載の半導体パッケージの製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記インナーパターンは５０×５０μ
    ｍ〜１００×１００μｍの大きさ、アウターパターンは
    ７５×７５μｍ〜１００×１００μｍの大きさに形成す
    ることを特徴とする請求項１３記載の半導体パッケージ
    の製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記ダムはエポキシ、又はポリマー樹
    脂で形成することを特徴とする請求項１３記載の半導体
    パッケージの製造方法。
  22. 【請求項２２】 前記ダムの形成段階では、前記ダムを
    ３０〜１００μｍの幅、及び１０〜７０μｍの高さに形
    成することを特徴とする請求項１３記載の半導体パッケ
    ージの製造方法。
  23. 【請求項２３】 前記ダムの形成段階は、スクリーン・
    プリンティングとディスペンシング法のいずれかによっ
    て実施することを特徴とする請求項１３記載の半導体パ
    ッケージの製造方法。
  24. 【請求項２４】 前記半導体チップとガラス基板の間の
    結合段階は、熱圧着工程によって実施することを特徴と
    する請求項１３記載の半導体パッケージの製造方法。
  25. 【請求項２５】 前記熱圧着工程は、温度が１００〜１
    ５０℃、圧力が２０〜５０ｇｆ／Ｂｕｍｐ（＝バンプ１
    個当り２０〜５０ｇｆ）、そして、時間が２〜５秒の条
    件で行なうことを特徴とする請求項２４記載の半導体パ
    ッケージの製造方法。
  26. 【請求項２６】 前記シーリング材はエポキシ、又はポ
    リマー樹脂で形成することを特徴とする請求項１３記載
    の半導体パッケージの製造方法。
  27. 【請求項２７】 前記シーリング材は、７０〜１２０℃
    で硬化されることを特徴とする請求項１３記載の半導体
    パッケージの製造方法。
  28. 【請求項２８】 前記ソルダーボールは、錫：鉛の組成
    比が６０〜８０：４０〜２０ｗｔ％の物質で構成するこ
    とを特徴とする請求項１３記載の半導体パッケージの製
    造方法。
  29. 【請求項２９】 前記ソルダーボールには、ドーパント
    として銀、金、クロム、又はコバルトが含まれているこ
    とを特徴とする請求項２８記載の半導体パッケージの製
    造方法。
  30. 【請求項３０】 前記ソルダーボールは、１０〜４０ｍ
    ｉｌ（＝１０／１０００〜４０／１０００インチ、すな
    わち、ＳＩ単位に換算すれば、約０．２５４〜１．０１
    ６ｍｍ）の大きさで形成されることを特徴とする請求項
    １３記載の半導体パッケージの製造方法。
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