JP2007507879A - 光検出用半導体装置の電子パッケージおよびそのパッケージング方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図10
Description
光検出用半導体ウエハは、複数のダイを持ち、各ダイは、他の半導体ウエハのようにウエハの上部の表面上に形成された集積回路を持つ。各ダイは、複数のボンディングパッドを持つ。前記ウエハは、その表面上にパターンされたパッシベーション層(passivation layer)を持ち、前記パッシベーション層は、その下の集積回路を保護するためのものである。前記パッシベーション層は、前記ボンディングパッド上に開口部を持つ。このような各光検出用ダイは、その上部の表面に少なくとも1つの光検出領域を持つ。
Claims (29)
- (a) i.所定範囲の波長内の光をほぼ通す材料から構成される基板、
ii.前記基板の上部の表面領域の周りの前記基板上に形成された少なくとも1つの第1の金属層、
iii.前記第1の金属層上に延長されるように形成され、パターニングされて前記第1の金属層上でそれぞれ複数の第1および第2のソルダーバンプパッドを示す複数の第1および第2の接近開口を形成し、前記第1のソルダーバンプパッドのそれぞれは、少なくとも1つの前記第2のソルダーバンプパッドに連結されている少なくとも1つのパッシベーション層
を含むアセンブリ部、
(b) 少なくとも1つの光検出用ダイを持ち、前記光検出用ダイは、その順方向の表面で前記所定範囲の波長内の光を光電子的に変換するための少なくとも1つの光検出領域を形成し、前記光検出領域は、前記アセンブリ部基板の前記上部の表面領域に対向し、前記光検出用ダイは、その上に前記光検出領域と電気的に結合された複数のソルダーバンプパッドを形成した検出部、および
(c) 前記検出部およびアセンブリ部を結合させる複数の第1のソルダージョイント
を含み、これら第1のソルダージョイントのそれぞれは、前記検出部の1つのソルダーバンプパッドと前記アセンブリ部の1つの第1のソルダーバンプパッドの間に延長されていることを特徴とする光検出用装置パッケージ。 - 前記第2のソルダーバンプパッドから外部回路に実装するための前記アセンブリ部の前記1つの第2の接近開口までそれぞれ延長されている複数の第2のソルダージョイントを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の光検出用装置パッケージ。
- 前記第2のソルダージョイントのそれぞれは、前記第2のバンプパッドから前記検出部の前記光検出用ダイを横切って延長されていることを特徴とする請求項2に記載の光検出用装置パッケージ。
- 前記アセンブリ部は、前記基板の上部の表面領域の周りの前記基板上に形成される少なくとも1つのダストシール層を持ち、
前記ダストシール層は、前記基板と前記光検出部の間を横切って延長され、その間に封印された仕切りを取り囲むことを特徴とする請求項1に記載の光検出用装置パッケージ。 - 前記ダストシール層は、ポリマー材料から形成されることを特徴とする請求項4に記載の光検出用装置パッケージ。
- 前記基板は、ホウケイ酸ガラス材料から形成されることを特徴とする請求項1に記載の光検出用装置パッケージ。
- 前記基板は、大略250マイクロメータないし800マイクロメータの範囲の厚さから形成されることを特徴とする請求項6に記載の光検出用装置パッケージ。
- 前記基板は、大略250マイクロメータないし800マイクロメータの範囲の厚さを持つホウケイ酸ガラス材料から形成されることを特徴とする請求項4に記載の光検出用装置パッケージ。
- 前記光検出用ダイの前記光検出領域は、通過された光を受信するための前記基板の前記上部の表面領域に対して光学的に整列された状態に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の光検出用装置パッケージ。
- 前記アセンブリ部は、前記パッシベーション層上に少なくとも部分的に形成された第2の金属層を持ち、
前記第2の金属層は、パターニングされて前記第1および第2のソルダーバンプパッドを連結させるために前記第1および第2の接近開口上で少なくとも部分的に延長されていることを特徴とする請求項1に記載の光検出用装置パッケージ。 - 前記基板は、その一方で前記上部表面と対向する下部表面を持ち、
前記基板は、前記上部および下部表面の中で少なくとも1つに形成され、前記所定範囲の波長内の光の透過率を変化させるための薄膜コーティングを持つことを特徴とする請求項1に記載の光検出用装置パッケージ。 - 前記基板は、その一方で前記上部表面と対向する下部表面を持ち、
前記基板は、前記上部および下部表面の中で少なくとも1つに形成され、前記所定範囲の波長内の光の透過率を変化させるための薄膜コーティングを持つことを特徴とする請求項4に記載の光検出用装置パッケージ。 - 前記検出部の前記各ソルダーバンプパッドと前記アセンブリ部の前記第1および第2のソルダーバンプパッドは、少なくとも接着層、拡散障壁層およびソルダー吸収層を持つ多層構造で形成されることを特徴とする請求項1に記載の光検出用装置パッケージ。
- (a) 所定範囲の波長内の光を光電子的に変換するために順方向の表面に形成された少なくとも1つの集積された光検出領域を持つ少なくとも1つの光検出用ダイを設定する段階、
(b) 前記光検出用ダイ上に前記光検出領域と電気的に連結された複数の第1のソルダーバンプを形成する段階、
(c) 前記所定範囲の波長内の光をほぼ通す材料から形成された少なくとも1つの単位基板を設定する段階、
(d) 前記単位基板上の上部の表面領域の周りに少なくとも1つの金属層を形成する段階、
(e) 複数の第1および第2のソルダーバンプパッドと、少なくとも1つの前記第1のソルダーバンプパッドと少なくとも1つの前記第2のソルダーバンプパッドの間にそれぞれ延長されている複数の相互連結配線を定義するように前記金属層をパターニングする段階、
(f) 少なくとも1つのパッシベーション層が前記金属層上に延長されるように形成する段階、
(g) 前記第1および第2のソルダーバンプパッドに対してそれぞれ整列された複数の第1および第2の接近開口を定義するように前記パッシベーション層をパターニングする段階、
(h) 前記第1のソルダーバンプのそれぞれを前記パッシベーション層の1つの第1の接近開口と結合して1つの第1のソルダーバンプパッドと接触させることで、前記光検出用ダイの前記光検出領域が前記単位基板の前記上部の表面領域と整列されて案内されるように前記単位基板上に前記光検出用ダイを逆に位置させる段階、および
(i) 単位基板の前記第1のソルダーバンプパッドに接着するための特性リフロー温度まで前記第1のソルダーバンプを加熱する段階
を含むことを特徴とする光検出用装置のパッケージング方法。 - 複数の第2のソルダーバンプを前記第2の接近開口を通じて前記第2のソルダーバンプパッドにそれぞれ接着する段階を更に含むことを特徴とする請求項14に記載の光検出用装置のパッケージング方法。
- 前記(g)段階の遂行後、前記単位基板の前記上部の表面領域の周りにダストシール層を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項14に記載の光検出用装置のパッケージング方法。
- 前記第2のソルダーバンプが直径寸法において、前記第1のソルダーバンプよりもっと大きくソルダーボール構成で、前記第1および第2のソルダーバンプをあらかじめ形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項15に記載の光検出用装置のパッケージング方法。
- 前記パッシベーション層上に少なくとも部分的に上部金属層を形成し、前記上部金属層は、前記第1および第2の接近開口上に少なくとも部分的に延長するように構成され、前記第1および第2のソルダーバンプパッドと接触するようにする段階を更に含むことを特徴とする請求項14に記載の光検出用装置のパッケージング方法。
- 前記複数の単位基板は、基板上に一体に構成され、前記単位基板を互いに分離するため、前記(i)段階の遂行後に前記基板が切断されることを特徴とする請求項14に記載の光検出用装置のパッケージング方法。
- 前記複数の光検出用ダイは、ウエハ上に一体に構成され、前記光検出用ダイを互いに分離するため、前記(h)段階の遂行前に前記ウエハが切断されることを特徴とする請求項14に記載の光検出用装置のパッケージング方法。
- 前記光検出用ダイを前記単位基板の対応する1つにそれぞれ位置させるため、ピック−フリップ−プレース動作が順次に遂行されることを特徴とする請求項20に記載の光検出用装置のパッケージング方法。
- (a) 所定範囲の波長内の光を光電子的に変換するために順方向の表面に定義された少なくとも1つの集積された光検出領域を持つ少なくとも1つの半導体ダイを設定する段階、
(b) 前記半導体ダイ上に前記光検出領域と電気的に連結された複数のソルダーバンプパッドを形成する段階、
(c) 複数のソルダーバンプを前記半導体ダイ上に形成された前記ソルダーバンプパッドにそれぞれ接着する段階、
(d) 前記所定範囲の波長内の光をほぼ通す材料から形成された少なくとも1つの単位基板を設定する段階、
(e) 前記単位基板上の上部の表面領域の周りに少なくとも1つの第1の金属層を塗布する段階、
(f) 前記第1の金属層部分を選択的に除去し、複数の第1および第2のソルダーバンプパッドと、少なくとも1つの第1のソルダーバンプパッドおよび少なくとも1つの前記第2のソルダーバンプパッドの間にそれぞれ延長されている複数の相互連結配線を定義する段階、
(g) 前記第1の金属層上に延長されるように少なくとも1つのパッシベーション層を形成する段階、
(h) 前記パッシベーション層部分を選択的に除去し、前記第1および第2のソルダーバンプパッドに対してそれぞれ整列された複数の第1および第2の接近開口を定義する段階、
(i) 前記第1のソルダーバンプのそれぞれを前記パッシベーション層の1つの前記第1の接近開口と結合して1つの前記第1のソルダーバンプパッドと接触させることで、前記半導体ダイの前記光検出領域が前記単位基板の前記上部の表面領域と整列されて案内されるように前記単位基板上に前記半導体ダイを逆に位置させる段階、および
(j) 前記単位基板の前記第1のソルダーバンプパッドに接着するための特性リフロー温度まで前記第1のソルダーバンプを加熱する段階
を含むことを特徴とする光検出用半導体装置のパッケージング方法。 - 複数の第2のソルダーバンプを前記第2の接近開口を通じて前記第2のソルダーバンプパッドにそれぞれ接着する段階を更に含むことを特徴とする請求項22に記載の光検出用半導体装置のパッケージング方法。
- 前記(h)段階の遂行後、前記パッシベーション層の少なくとも一部の上にダストシール材料を塗布する段階、および、
前記ダストシール材料部分を選択的に除去して前記単位基板の前記上部の表面領域の周りにダストシール層を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項22に記載の光検出用半導体装置のパッケージング方法。 - 前記複数の単位基板は、基板上に一体に構成され、前記(j)段階の遂行後に前記単位基板を互いに分離するために前記基板が切断されることを特徴とする請求項22に記載の光検出用半導体装置のパッケージング方法。
- 前記複数の半導体ダイは、ウエハ上に一体に構成され、前記半導体ダイを互いに分離するため、前記(i)段階遂行の前に前記ウエハが切断されることを特徴とする請求項22に記載の光検出用半導体装置のパッケージング方法。
- 前記半導体ダイを前記単位基板の対応する1つにそれぞれ位置させるためにピック−フリップ−プレース動作が順次に遂行されることを特徴とする請求項26に記載の光検出用半導体装置のパッケージング方法。
- 前記(c)段階および前記(i)段階の遂行前に、ソルダーフラックス材料を前記半導体ダイの前記ソルダーバンプパッドと前記単位基板の前記第1のソルダーバンプパッドにそれぞれ塗布する段階を更に含むことを特徴とする請求項22に記載の光検出用半導体装置のパッケージング方法。
- 前記パッシベーション層上に少なくとも部分的に第2の金属層を形成し、前記第1および第2のソルダーバンプパッドと接触させるために前記第1および第2の接近開口上に少なくとも部分的に延長するように前記第2の金属層をパターニングする段階を更に含むことを特徴とする請求項22に記載の光検出用半導体装置のパッケージング方法。
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