JPH03141308A - 受光モジュールおよびその製造方法 - Google Patents

受光モジュールおよびその製造方法

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JPH03141308A
JPH03141308A JP1182583A JP18258389A JPH03141308A JP H03141308 A JPH03141308 A JP H03141308A JP 1182583 A JP1182583 A JP 1182583A JP 18258389 A JP18258389 A JP 18258389A JP H03141308 A JPH03141308 A JP H03141308A
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substrate
fiber
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light
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Fumikazu Ohira
文和 大平
Kosuke Katsura
浩輔 桂
Takeshi Hayashi
剛 林
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、光を受けて電気信号に変換し、その電気信号
を伝送、増幅等の処理を行い外部へ信号を伝送する、受
光モジュールに関するものである。
(従来の技術) 光を受光して電気信号に変換する受光素子と、その電気
信号を伝送、増幅などする機能を持つ基板とを接続する
モジュール、およびそこに用いるファイバの位置合わせ
方法には、従来、第9図に示すものがあった。
第9図は、最も一般的な受光モジュールを示す図であっ
て、受光素子と基板とを接続するための技術さして、金
ワイヤによりパッド間を接続するワイヤボンディング技
術を用いている。第9図において、1はファイバ、2は
ファイバからの光線、3は受光素子、4は受光素子表面
上の受光部、5aは受光素子上の端子接続用パッド、6
は信号伝送等を行う基板、7aは基板6」二の端子接続
用パッド、8.8′は金ワイヤ、9はパッケージ、10
はパッケージリード、11はパッケージの蓋、12は保
持用治具である。
ファイバ1からの光線2が、受光素子3の表面に形成し
た受光部4に入射され、光信号が受光素子3で電気信号
に変換される。この電気信号は、受光素子3のパッド5
aから、基板6上のパッド7aに金ワイヤ8で接続され
た経路を通って伝送され、基板6で信号伝送、増幅等の
処理が行われる。そして、その電気信号は別の金ワイヤ
8′を通ってパッケージリード10に接続される。
第9図に示す受光モジュールにおけるファイバと受光素
子の位置合わせ法は、以下の通りである。
まず、基板6と受光素子3をパンケージ9内に固定し、
ワイヤ8.8′で接続する。パッケージ9」二に蓋11
を置き、ファイバ1を保持用治具12に固定した状態で
、蓋11上を微動させながら、光線2を受光部4へ入射
させ、パッケージリード10からの出力信号をモニター
しながらファイバの最適位置を見出す。このとき、受光
素子3はパッケージ9上に有機接着剤や金、錫等で固定
するので、精密に位置決めすることは困難であり、ファ
イバを自動的に受光部4に合わせることは不可能であっ
た。
すなわち従来は基板に受光素子を正確に位置合わせでき
なかった。
このため、受光部4に対してファイバを微調整しながら
合わせることが必要であり、このために多大な時間と労
力を費やしていた。さらに、光ファイバ1からの光線2
を受光素子3の表面側から入射させるが、位置合わせ調
整時に、ファイバ1の先端が受光部4に衝突して、受光
素子3の表面やファイバ1の先端を破損する等の問題が
あった。
また、このモジュールでは、細い金ワイヤ8゜8′のイ
ンダクタンスのために電気信号伝送の高速化に制限が生
じること、製作においては、1本ごとの金ワイヤの接続
のために組立工数が多くなることなどの問題があった。
第10図は、従来の技術の別の例を示したものである。
第9図の例に代わり、受光素子3と基板6の接続法とし
て、受光素子3と基板6のパッド上に金バンプ13をめ
っき等の方法で形成しておき、各パッド間を加圧・加熱
して接続する金バンプ接続技術を用いている。ファイバ
1からの光線2は、受光素子3の裏面から入射し、受光
素子の中を通過して受光部4に入る。5bは受光素子3
上の端子接続用パッド、7bは基板6上の端子接続用パ
ッドである。その他は第9図と同様である。
この構造においては、受光素子3と基板6の接続に、ワ
イヤに代わり金バンプを用いるので、この接続部での速
度制限の問題はなくなるという特徴はあるが、下記のよ
うな問題があった。
ファイバの位置合わせに関しては、ファイバ1を受光部
4に入射する場合に、受光素子3の裏面から光線2を入
射させる必要があるが、裏面からの入射のために目視で
きず、ファイバ1と受光部4との位置合わせは極めて困
難であった。このため、受光素子3からの電気信号出力
をモニターしながら保持用治具12を蓋11上で微動台
を用いて移動させて、試行錯誤でファイバ1と受光部4
との位置合わせを行っていた。このため、位置合わせに
多大の労力、時間を費やしていた。
また、第10図に示すモジュールの製作においては、金
バンプ13のボンディング時に、素子接続部を加圧・加
熱するので、受光素子3およびパッド部5b、 7bに
、熱や応力が加わり、素子破壊の原因になることが問題
であった。また、各パッド5b。
7[]の寸法は、数十μm程度と小さいので、パッドと
おしの位置合わせ精度が厳しく、その精度が不十分な場
合は接続が不良になること等の問題があった。
さらに、基板6から外部への信号伝送のための接続とし
ては、第9図と同様にワイヤ8′を用いており、この部
分においてインダクタンスのために信号伝送の高速化に
開眼があった。
(発明が解決しようとする課題) 本発明は、ファイバと受光素子との位置合わせに多大の
労力を費やすことがなく、ファイバ先端が受光表面に衝
突して素子表面やファイバを破損することがなく、容易
でかつ信頼性の高い位置合わせ法を実現すること、また
、受光素子と基板の接続を一括して行うことができ、し
かも接続部に加圧力が加わらず素子破壊のおそれのない
素子間接続技術を提供すること、および接続部のインダ
クタンスのために高速化が阻害されることなく高速信号
伝送を行うことができるようにすることを課題とする。
すなわち、受光素子と基板との接続を容易に行うことが
でき、また高速信号伝送が可能なモジュールを実現する
ことを目的とする。
(課題を解決するための手段) 本発明では、受光素子と基板どの接続法として、溶融す
ると表面張力で収縮する性質から、素子と基板のパッド
間の位置がずれていも、元に戻ろうとする力が働き、自
動的に位置がパッドに合うという特徴(セルフアライメ
ント作用)のある、はんだバンプを用いる。
さらに、基板から外部への信号伝送のための端子接続法
としては、はんだバンプ、または金バンプ、またはフィ
ルムキャリアを用いる。
(作 用) 本発明では、受光素子と基板との接続法として、はんだ
バンプを用いることにより、はんだのセルフアライメン
ト作用により受光素子とファイバの位置合わせが容易に
できるようになる。また、接続部に加圧力が加わらず素
子破壊のおそれがなく、ワイヤよりもはるかに短い接続
長で受光素子と基板とを接続できる。
さらに外部への接続法として、接続長が短い、またはイ
ンピーダンス整合のとれた接続子を用いるので、高速信
号伝送が可能になる。
(実施例) 以下、本発明の実施例を図面により詳細に説明する。
実施例1 第1図は、本発明の実施例で、受光素子とファイバとを
位置合わせする方法の説明図である。
第1図において、5Cは受光素子3上のバンド、7Cは
基板6上のパッド、14ははんだハンプである。
この構成では、第10図の金パップ13に代わり、受光
素子3と基板6の接続に、はんだバンプ14を用いる。
また、ここでは第10図のファイバ保持用治具12は不
要であり、ファイバ1はパッケージの蓋11に固定され
ている。また、蓋11はガラス等の透明体であり、位置
決め用治具として用いる。その一部に合わせマーク15
がファイバと精度良く位置決めされた所定の位置に形成
されている。合わせマーク15に対応して基板6上に合
わせマーク16を形成している。その他は第10図と同
様である。
このモジコールの製作方法、およびファイバと受光素子
の位置合わせ方法は以下の通りである。
受光素子3へのはんだバンブ形成法は、従来から行われ
ている通常の方法でよい。例えば、下記のような方法が
ある。
受光素子30表面のパッド5C上に、Ti/Cu/八u
等の下へ金属を形成する。その後、表面にリストン等の
厚膜レジストを塗布し、マスクを介して紫外線を照射し
て露光する。これを現像してパッド5Cに対応する部分
を窓開けする。これに、In、 Pb−3n等のはんだ
材料を蒸着法で付ける。その後、このレジストを有機溶
剤等で剥離し、いわゆるリフトオフ工程で、はんだバン
プ14を受光素子3の上に形成することができる。
一方、上記受光素子3と接続する基板6よのバラド7C
にも、上記と同様に、はんだと濡れ性が良く、かつはん
だ食われに耐える下地金属を形成しておく。〔第1図(
I)〕 次に、これら受光素子3、基板6上のパッド5c。
7Cどおしを位置合わせし、フラックスを塗布して加熱
する。これにより、はんだは溶融し、受光素子3と基板
6の間は、はんだバンプ14を介して高い位置精度で接
続される。〔第1図(■)〕次に、基板6からの信号を
外部へ伝送するためのパッケージ9への接続を行う〔第
1図(■)〕次に、ファイバと受光素子との位置合わせ
を行う。
第2図(1)〜(rV)は、はんだバンプのセルフアラ
イメント作用による受光素子と基板の精密位置決めの説
明図であって、(1)は、はんだ形成、(n)は概略位
置決め、(I)は、はんだ溶融、(rV)は精密位置合
わせ完了を示す。第2図に示すように、はんだバンプ1
4は、溶融すると表面張力で収縮する性質から、受光素
子3と基板6のパッド間の位置がずれていても、元に戻
ろうとする力が働き、自動的に受光素子側のパッド5c
の位置が下地パッド7cに合うという特徴(セルフアラ
イメント作用)がある。このセルフアライメント作用に
関しては、位置合わせ精度は1μm以内にできる特徴が
あり、受光部4の面積が数十μm角であることから充分
な精度で位置合わせが可能である。
ファイバ1の位置合わせ・固定については、ファイバ1
を保持したパッケージの蓋11には、ファイバ位置に対
して合わせマーク15を高精度に形成しておき、これと
基板6上のマーク16とを合わせるよう移動させる。こ
れにより、蓋11に固定したファイバ1と基板6は高精
度に位置が合い、その結果として、基板6上に、はんだ
バンプ14で搭載した受光素子3とも高精度に位置決め
ができる。
このときの移動については、はとんど蓋11をパッケー
ジ9に置くだけで、合わせはできており、後は、マーク
15とマーク16を目安に若干量を動かせばよく、単に
目標のマークを合わせるだげで、ファイバ1と受光部4
は位置合わせが完了することになる。その後、蓋11を
パッケージ9に対してレーザ溶接等の通常の方法で固定
すればよい。従来の例で必要であったような、目安なし
で微動台で微調整しながら最適値を探すといった作業が
不要となる。つまり、平面方向に対して厳しい位置合わ
せの必要がなく、光線2を受光素子3の裏面から受光部
4に、容易に入射させるることができる〔第1図(■)
〕。
なお、この実施例で、受光素子3の厚さは既知であり、
また、はんだバンプ14の高さも蒸着厚さで数μm程度
の精度で制御できる。このとき、高さ方向のファイバの
位置は、士数十μm程度の誤差があっても、充分良好な
結合効率が得られることが計算から求まっている。つま
り、ファイバ1の先端と、受光素子3の表面との距離を
所定値に設定して、そこで固定するだけで、高さ方向に
も充分なトレランスで自動的に位置合わせがてきる。
つまり、この方法によるファイバの位置合わせは、受光
素子3の面に平行な方向だけでなく、垂直な方向につい
ても容易である。
実施例2 第3図は、本発明の他の実施例で、受光素子とファイバ
とを位置合わせする方法の説明図である。
第3図において、24はファイバ位置決釣用基板でここ
ではSi、 25は基板24に形成したファイバ設置用
穴、14′は基板24と基板6を接続たるためのはんだ
バンプである。また、蓋11には合わせマーク15はな
い。他は第1図と同じである。
ここでは、ファイバ位置決め用治具として31基板を用
いる。この基板24には、はんだバンプ14′用のパッ
ドが形成されている。また、異方性エツチング等により
ファイバ設置用穴25がファイバを設置する位置に形成
されている。これらのパッド位置、穴位置等はすべてフ
ォ) IJソグラフィにより1μm程度の高い位置精度
で形成できる。
このモジュールの製作方法、およびファイバと受光素子
の位置合わせ方法は以下の通りである。
はんだバンプ14により受光素子3を基板6ヘボンデイ
ングすることは第1図と同様である。〔第3図(I)、
  (II)]。
その後、ファイバ位置決め用基板24を、基板6上に、
はんだバンプ14′てボンディングする。このとき、実
施例1で述べたと同様にセルフアライメント作用で、基
板24は基板6の上に高精度に位置決めされる〔第3図
(■)〕。
その結果、ファイバ1を基板24の穴に入れるだけで、
自動的にファイバ1と受光部4を極めて高精度に容易に
位置決めできる。
このように、この方法によれば、はんだバンプのセルフ
アライメント作用により、ファイバと受光素子の位置合
わせを極めて容易に、かつ高精度に行うことができる。
実施例3 第3図(■)は、本発明の別の実施例で、ファイバ位置
決め用治具を用いて、実施例1,2と同様な方法により
製作した受光モジュールを示した図である。
この構成によれば、はんだバンプのセルフアライメント
作用により、ファイバと受光素子の位置合わせが極めて
容易になり、また、はんだハングで接続する構成となっ
ているので、電気信号伝送時の高速化の制限がなく、ま
た、接続時の加圧力による素子破壊の問題もない。
実施例4 第4図は本発明の別の実施例で、レンズを用いて光入射
を行う受光モジュールを示した図である。
第4図において、17はファイバ1と接続したセルフォ
ックレンズである。その他は第1図(rV)と同様であ
る。
この構成においては、製作法は実施例1と同様であり、
ファイバに代わってレンズ付きファイバが設置されてい
る。
この構成においては、レンズを通して光を通過させるの
で、光線は集光され、ファイバ先端が先球化されていな
くても受光部4に効率的に入射させることができる。
実施例5 第5図は本発明の別の実施例で、基板に増幅機能を持つ
アクティブ素子を用いた受光モジュールを示した図であ
る。
第5図において、18は増幅機能を持つGaAs素子、
その他は第1図(1’V)と同様である。
この構成では、第1図(IV)で示した配線基板6に代
わり、増幅機能を持つGaAs素子18を用いることに
より、単に電気信号の伝送の機能だけでなく、増幅の機
能を持ったモジュールを構成することができる。
実施例6 第6図は本発明の別の実施例で、外部との接続に、はん
だバンプを用いた受光モジュールを示した図である。
第6図において、7dは基板6上のパッド、9dはパッ
ケージ、9d’ はパンケージの一部を取り外し可能に
した開口部分、10dは外部との接続用パッケージリー
ドで、そのリード上に形成されている配線の特性インピ
ーダンスは50オームである。19dはパッケージリー
ド上の接続用パッド、20ははんだバンプ14と融点の
異なるはんだバンプである。
その他は第1図(rV)と同様である。
まず、このモジュールの製作方法について述べる。第1
図に示したはんだバンプで一体化したモジュールの製作
に用いたのと同様の方法で、基板6上のパッケージリー
ド接続用パッド7d’上に、下地金属とはんだを形成す
る。このとき用いるはんだバンプ20の材料の融点とし
ては、受光素子3と基板6を接続するのに用いるはんだ
バンプ14の材料と異なる融点のものとする。ここでは
、はんだバンプ20は、はんだバンプ14の材料(例え
ばInはんだ)よりも、高融点の材料(例えばPb−3
nはんだ)とする。
すなわち、基板6」二のパッケージリード接続用パッド
7d’ と、パッケージリード10dの接続用パッド1
9dとを、はんだバンプ20で接続した後、受光素子3
を、はんだバンプ20よりも低い融点のはんだバンプ1
4を用いて接続する構成である。
その接続順序としては、パッケージ9dの底面の一部を
取り外し可能にした開口部分9d’を製作しておき、基
板6をパンケージリード10d上の接続用パッド19d
に位置合わせし、はんだバンプ20で接続する。その後
パッケージの開口部分9d’を取つつける。次に、受光
素子3上の端子接続用パッド5dを、基板6上の端子接
続用パッド7dに対して位置合わせし、比較的低温なは
んだ14で接続固定する。
最後に、実施例1で述べた方法でファイバ1を基板6に
対して位置合わせし、固定する。これにより、ファイバ
1からの光線2を受光部4へ入射させることができる。
このようにして製作した一体化モジュールからの信号取
り出し方として、基板6からパッケージ9d等の外部へ
の信号接続端子として、はんだバンプ20を用いている
。第6図において、パッケージ9dのパンケージリード
lod上には、特性インピーダンスが50Ωの配線が形
成されており、信号の反射等のない信号伝送を可能とし
ている。
以上より、この構成によれば、実施例1〜5で示した特
徴に加えて、パッケージ9dへの接続も含めて、モジュ
ール全体として高速信号伝送に適した構造が実現できる
実施例7 第7図は、本発明の別の実施例で、外部との接続に、金
バンプを用いた受光モジュールを示した図である。
第7図において、19eはパッケージリード10e上に
、また7e’は基板6上、それぞれ形成した接続用(金
バンブ用)パッド、13′ は金バンプである。その他
は、第6図と同様である。
第7図では、基板6とパッケージリードfoeとの接続
に、パッド上に形成した金バンプ13′をボンディング
することにより接続しており、パッケージモジュール全
体として高速信号伝送に適した構造が実現できる。
実施例8 第8図は、本発明の別の実施例で、外部との接続に、フ
ィルムキャリアを用いた受光モジュールを示した図であ
る。
第8図において、7[′は基板6上のパッケージリード
接続用パッド、9rはパッケージ、19Fハパツケージ
リード上の接続用パッド、21はインピーダンス整合し
たフィルムキャリア、22ハフイルムキヤリア上の接続
用パッド、23はフィルムキャリア接続用全ハングであ
る。その他は第6図と同様である。
フィルムキャリア21には、コプレーナ形導波路構造の
配線パターンが形成されており、その特性インピーダン
ス等の線路定数は、配線の幅、間隔等で所定の値(例え
ば特性インピーダンスは50Ω)に設計・製作されてい
る。
まず、このモジュールの製作方法について述べる。
フィルムキャリア21を、基板6上のバンド7f’と、
パンケージリード上のパッド19fに、超音波、熱圧着
等の方法で金バンプでボンディングする。
上記の方法で、パッケージ9fと基板6を接続した一体
化したモジュールを製作した後、はんだバンプ14を用
いて受光素子3を基板6にボンディングする。
次に、実施例1で述べた方法で、ファイバ1と基板6と
を位置合わせする。これによりファイバ1からの光線2
を受光部4に入射させ得る。
この構成では、製作した一体化モジュールからの信号の
取り出し方として、電気信号の反射等のない接続形態で
行うために、基板6からパッケージ9f等の外部への信
号接続端子としてフィルムキャリア21を用いている。
これにより、実施例1〜5で示した特徴に加えて、信号
伝送上の反射等の問題はなく、モジュール全体として高
速信号伝送に適した構造が実現できる。
なお上記構成では、フィルムキャリアの端子部に金等の
バンプを形成してボンティングパッドとする例を示した
が、パッド部の材料については、通常の例えばSnはん
だ等を用いてもよいことは明らかである。
なお上記のすべての実施例では、ファイバ1が1本の入
射系で説明したが、2本以上の複数のファイバでも同様
な構成が可能であることは明らかである。
また、上記のすべての実施例では、1受光素子の実装形
態について説明したが、複数の受光素子の実装を行う場
合には、多数素子の組立精度、括糾立の容易性等の点で
、はんだバンプを用いた実装の効果は一層顕著になる。
(発明の効果) 以、4二説明したように、本発明では、受光素子と基板
の接続法として、はんだバンプを用いることにより、は
んだのセルフアライメント作用により受光素子とファイ
バの位置合わせが容5にできるようになる。また、受光
素子表面にファイバが衝突するおそれもないので1、素
子を破壊することもない。
また接続部に加圧力が加わらず素子破壊のおそれがなく
、ワイヤよりもはるかに短い接続長でインダクタンスに
起因する速度制限の問題がない接続法を提供できる。
さらに外部への接続法として、接続長が短いまたはイン
ピーダンス整合のとれた接続子を用いるので、高速信号
伝送が可能になる。
このように、本発明により、従来にない高速信号伝送が
可能で、かつ接続信頼性の高い受光モジュールを提供で
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図(I)、  (II)、  (III)は本発明
の実施例で、受光素子とファイバとを位置合わせする方
法の説明図、 第1図(rV)は本発明の実施例で、上記方法により受
光素子とファイバの位置合わせを行い、ファイバからの
光を受光素子に入射し信号伝送を行う受光モジュールを
示した図、 第2図(I)、  (II)、  (I)、  (rV
)は、はんだバンプのセルフアライメント作用による受
光素子と基板の精密位置決めの説明図、 第3図(1)、  (n)、  (III)は本発明の
他の実施例で、受光素子とファイバとを位置合わせする
方法の説明図、 第3図(IV)はファイバ位置決め用治具を、配線基板
に、はんだハンプでボンディングし、ファイバからの光
を受光素子に入射し信号伝送を行う受光モジュールを示
した図、 第4図は本発明の別の実施例で、レンズを用いて光入射
を行う受光モジュールを示した図、第5図は本発明の別
の実施例で、基板に増幅機能を持つアクティブ素子を用
いた受光モジュールを示した図、 第6図は本発明の別の実施例で、外部との接続に、はん
だバンプを用いた受光モジュールを示した図、 第7図は本発明の別の実施例で、外部との接続に、金バ
ンプを用いた受光モジュールを示した図、第8図は本発
明の別の実施例で、外部との接続に、フィルムキャリア
を用いた受光モジュールを示した図、 第9図は従来の金ワイヤを用いて受光素子と基板とを接
続した受光モジュールを示した図、第10図は従来の金
バンプを用いて受光素子と基板とを接続した受光モジュ
ールを示した図である。 1・・・光ファイバ 2・・・光線 3・・・受光素子 4・・受光部 5a、 5b、 5c、 5d、 5e、 5f−・・
受光素子上の端子接続用パッド 6・・・基板 7a、 7b、 7c、 7d、 7e、 7f・・・
基板上の端子接続用パッド 7d’ 、 7e’ 、 7f’・・・基板上のパッケ
ージリード接続用パッド 8.8′・・・金ワイヤ 9、 9d、 9e、 9f ・−パッケージ9d’ 
、 9e’・・・パッケージの開口部分10、10d、
 10e、 10f −=パッケージリード11・・・
パッケージの蓋 12・・・保持用治具 13、13’・・・金バンプ 14、14’・・・はんだバンプ 15・・・蓋上の合わせマーク 16・・・基板上の合わせマーク 17・・・セルフォックレンズ 18−GaAs素子 19d、 19e、 19f・・・パッケージリード上
の接続用バラド 20・・・はんだバンプ 21・・・フィルムキャリア 22・・・フィルムキャリア上の接続用パラ23・・・
フィルムキャリア接続用全バンブ24・・・ファイバ位
置決め用基板 25・・・ファイバ設置用穴 ド

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、光を受けて電気信号に変換する少なくとも1個以上
    の受光素子を基板上に搭載して該電気信号の伝送を行う
    モジュールの製造方法において、まず、はんだバンプを
    用いて該基板上に該受光素子の端子接続を行い、次に、
    ファイバと高精度な位置関係を持つファイバ位置決め用
    治具と該基板とを位置合わせて配置し、その後に、該受
    光素子の受光部の背面から該ファイバにより光を該受光
    部に入射できるようにしてファイバ位置合わせを行うこ
    とにより、受光モジュールを製造することを特徴とする
    受光モジュールの製造方法。 2、光を受けて電気信号に変換する少なくとも1個以上
    の受光素子を基板上に搭載して該電気信号の伝送を行う
    モジュールにおいて、はんだバンプを用いて該基板上に
    端子接続した該受光素子と、該基板と精密に位置合わせ
    して配置した、ファイバと高精度な位置関係を持つファ
    イバ位置決め用治具と、該受光素子の受光部の背面から
    光を該受光部に入射するように配置した該ファイバとを
    有することを特徴とする受光モジュール。 3、特許請求の範囲第2項記載の受光モジュールにおい
    て、該基板から外部への信号伝送用に、該基板と外部端
    子との間を接続する前記はんだバンプの材料と融点の異
    なるはんだバンプまたは金バンプを有することを特徴と
    する受光モジュール。 4、特許請求の範囲第2項記載の受光モジュールにおい
    て、該基板から外部への信号伝送用に、該基板と外部端
    子との間を接続するインピーダンス整合をさせたフィル
    ムキャリアを有することを特徴とする受光モジュール。
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