JP2010027886A - 半導体装置とそれを用いたカメラモジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体装置の外部接続端子の形成性を損なうことなく、半導体基板の裏面に遮光膜を容易にかつ確実に形成することを可能にする。
【解決手段】半導体装置1は活性層3と貫通電極8とを有する半導体基板2を備える。半導体基板2の第2の面2bには裏面配線層9と保護膜10とが形成されている。保護膜10は裏面配線層9の端子形成領域を露出させる開口部11と、その周囲に設けられた第1の凸部12と、第1の凸部12より外縁側に設けられた第2の凸部とを有する。半導体基板2の第2の面2bは遮光膜15で覆われている。遮光膜15は保護膜10の第2の凸部13を覆うと共に、開口部11側の端部が第1の凸部12上または第1の凸部12より外縁側に位置している。
【選択図】図1
【解決手段】半導体装置1は活性層3と貫通電極8とを有する半導体基板2を備える。半導体基板2の第2の面2bには裏面配線層9と保護膜10とが形成されている。保護膜10は裏面配線層9の端子形成領域を露出させる開口部11と、その周囲に設けられた第1の凸部12と、第1の凸部12より外縁側に設けられた第2の凸部とを有する。半導体基板2の第2の面2bは遮光膜15で覆われている。遮光膜15は保護膜10の第2の凸部13を覆うと共に、開口部11側の端部が第1の凸部12上または第1の凸部12より外縁側に位置している。
【選択図】図1
Description
本発明は半導体装置とそれを用いたカメラモジュールに関する。
半導体集積回路技術を用いたCCDやCMOSイメージセンサ等の半導体装置は、デジタルカメラやカメラ機能付き携帯電話に広く利用されている。このような半導体装置においては搭載部品の小型・軽量に対応するために、センサチップ(半導体素子)をチップサイズパッケージ(CSP)にすることが提案されている。
センサチップ(半導体素子)をCSP化するにあたって、半導体素子(半導体基板)には表裏両面間を繋ぐ貫通孔が設けられ、この貫通孔内に形成された導電層(貫通電極)によって、半導体基板の表面に設けられた受光部を含む集積回路と裏面に設けられた外部接続端子とが電気的に接続される(特許文献1参照)。個片化された半導体装置は、半導体基板上に受光部を覆うように光透過性保護部材を配置した後、光学レンズ付きケースを装着することによりカメラモジュールとして使用される。
上述したような半導体装置において、外部接続端子は貫通電極から連続して半導体基板の裏面に形成された配線層(裏面配線層)上に設けられる。外部接続端子と貫通電極とは裏面配線層を介して電気的に接続される。さらに、半導体基板の裏面には裏面配線層を覆うように絶縁性の保護膜が形成されており、これにより裏面配線層が絶縁並びに保護されている。保護膜は裏面配線層上を含めて半導体基板の裏面を覆うように形成される。この後、保護膜に裏面配線層の端子形成領域を露出させるように開口部が形成される。外部接続端子は露出させた裏面配線層の端子形成領域に形成される。
外部接続端子に半田ボールのような突起型の電極を適用した場合、半導体装置とそれを実装する基板との間に隙間ができ、その隙間から光が半導体装置を構成する半導体基板の裏面に漏れ込む。半導体基板としてのSi基板は赤外光を透過するため、漏れ込んだ光が金属膜で構成される裏面配線層の形成部以外の領域を透過して受光部に入射するおそれがある。半導体基板の裏面側から受光部に光が入射すると裏面配線層の像が写り込む。これはCCDやCMOSイメージセンサ等の半導体装置の撮像特性を劣化させる要因となる。
半導体基板の裏面側から漏れ込む不要な光を遮断する上で、保護膜上を含めて半導体基板の裏面に遮光膜、特に波長700nm以上の赤外光を遮る遮光膜を形成することが有効である。遮光膜の形成材料としては、TiやAl等の金属材料や、遮光成分を含有する有機材料(エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等)が考えられるが、材料供給の容易性等の観点から有機材料が有利である。遮光膜は外部接続端子の形成前に、液体状態の有機材料を印刷法やディスペンス法で供給したり、あるいはスピンコート法やスプレーコート法で供給した後にパターン化することにより形成される。
しかしながら、上述した遮光膜の形成方法はいずれも液状の有機材料を供給する際やポストベークによる有機材料の硬化時に横方向に流動するおそれがある。この際、有機材料が保護膜の開口部、つまり端子形成領域となる裏面配線層の露出部に流入すると、外部接続端子の形成が困難になる。一方、有機膜の形成においては一般的に膜厚の面内均一性を高めるため、下地である保護膜表面を親水性、つまり有機材料との濡れ性を向上させ、横方向への流動を加速させる必要がある。このように、遮光膜の形成工程は流動の抑制と膜の均一性確保という相反する問題を有している。
特許文献2には半導体基板の表面に設けられた受光素子に半導体基板の裏面から光を入射する半導体装置が記載されている。このような半導体装置において、半導体基板の裏面の一部(受光素子の受光領域以外の部分)を遮光膜で覆っている。特許文献2は半導体基板の裏面から漏れ込む不要な光を遮断する遮光膜、さらには保護膜上における遮光膜の形成工程を考慮していない。特許文献3は貫通電極に接続されたパッドを遮光膜と金属膜とで順に覆うことを開示しているのみである。
国際公開第2005/022631号パンフレット
特開2006−228913号公報
特開2007−194498号公報
本発明の目的は、外部接続端子の形成性を損なうことなく、半導体基板の裏面に遮光膜を容易にかつ確実に形成することを可能にした半導体装置とそれを用いたカメラモジュールを提供することにある。
本発明の態様に係る半導体装置は、第1の面と、前記第1の面とは反対側の第2の面とを有する半導体基板と、前記半導体基板の前記第1の面に形成され、受光部を有する活性層と、前記第1の面と前記第2の面とを繋ぐように前記半導体基板に設けられ、前記活性層と電気的に接続された貫通電極と、前記半導体基板の前記第2の面に形成され、少なくとも一部が前記貫通電極と電気的に接続された裏面配線層と、前記裏面配線層上を含めて前記半導体基板の前記第2の面に形成され、前記裏面配線層の端子形成領域を露出させる開口部と、前記開口部の周囲に設けられた第1の凸部と、前記第1の凸部より外縁側に設けられた第2の凸部とを有する保護膜と、少なくとも前記半導体基板の前記第2の面の前記受光部に対応する領域に形成され、前記保護膜の前記第2の凸部を覆うと共に、前記開口部側の端部が前記第1の凸部上または前記第1の凸部より外縁側に位置する遮光膜と、前記裏面配線層の前記端子形成領域に設けられた外部接続端子とを具備することを特徴としている。
本発明の態様に係るカメラモジュールは、本発明の態様に係る半導体装置と、前記半導体基板の前記第1の面を覆うように、前記受光部上に所定の間隙を介して配置された光透過性保護部材と、前記光透過性保護部材上に設けられたレンズモジュールとを具備することを特徴としている。
本発明の態様に係る半導体装置は保護膜が第1の凸部と第2の凸部とを有するため、遮光膜で第2の凸部を覆った上で、遮光膜の開口部側の端部を第1の凸部上または第1の凸部より外縁側に位置させることができる。従って、外部接続端子の形成性を損なうことなく、半導体基板の裏面に遮光膜を容易にかつ確実に形成することが可能になる。
以下、本発明を実施するための形態について説明する。まず、本発明の第1の実施形態について、図1ないし図3を参照して説明する。図1は第1の実施形態による半導体装置を示す断面図である。図2は図1に示す半導体装置の一部を拡大して示す平面図、図3は図2のA−A線に沿った断面図である。
図1ないし図3に示す半導体装置1は半導体基板2を具備している。半導体基板2には例えばシリコン(Si)基板が用いられる。半導体基板2は第1の面2aとそれとは反対側の第2の面2bとを有している。第1の面(半導体基板2の表面)2aはフォトダイオードやトランジスタを含む集積回路、配線、電極等の形成面となり、第2の面(半導体基板2の裏面)2bは外部接続端子の形成面となる。
半導体基板2の第1の面2aにはフォトダイオードやトランジスタが形成されており、それらを配線回路で接続した活性層3を有している。活性層3は第1の面2aに照射される光や電子等のエネルギー線をフォトダイオードに収集する受光部4を有している。さらに、活性層3は電気信号のインプット・アウトプットや電源の供給等を行う複数の電極(図示せず)を有している。これらはいわゆるイメージセンサを構成している。
半導体基板2上には受光部4を有する第1の主面2aを覆うように光透過性保護部材5が配置されている。光透過性保護部材5は、第1の主面2aの周縁部に配置された接着層6を介して、半導体基板2の第1の主面2aと接着されている。光透過性保護部材5と半導体基板2の第1の主面2aとの間には、接着層6の厚さに基づく間隙7が形成されている。すなわち、半導体基板2の第1の主面2aに設けられた受光部4上には、間隙7を介して光透過性保護部材5が配置されている。
半導体基板2は第1の面2aと第2の面2bとを繋ぐ貫通電極8を備えている。貫通電極8は活性層3の電極(図示せず)と電気的に接続されている。すなわち、半導体基板2には貫通孔が形成されており、貫通孔の第1の面2a側は活性層3の電極で塞がれている。底面に電極が存在する貫通孔内には導電材料が充填されている。貫通孔内に充填された導電層は貫通電極8を構成しており、第1の面2aと第2の面2bとを接続している。図示を省略したが、半導体基板2と貫通電極8との間には絶縁層が設けられている。
半導体基板2の第2の面2bには裏面配線層9が設けられている。裏面配線層9の少なくとも一部は貫通電極8と電気的に接続されている。裏面配線層9は貫通電極8とは電気的に独立したグランド用配線等を有していてもよい。半導体基板2の第2の面2bは裏面配線層9上を含めて保護膜10で覆われている。保護膜10にはポリイミド樹脂やエポキシ樹脂、あるいはソルダーレジスト材等が適用される。
保護膜10は図2および図3に示すように、裏面配線層9の端子形成領域を露出させる開口部11と、その周囲に設けられた第1の凸部12と、第1の凸部12より外縁側に設けられた第2の凸部13とを有している。保護膜10の第1の凸部12は、裏面配線層9の端子形成領域を露出させる開口部11の周囲に形成されている。言い換えると、裏面配線層9の端子形成領域は開口部11を有する第1の凸部12の内側に設定されており、第1の凸部12に設けられた開口部11で露出されている。
保護膜10の第2の凸部13は第1の凸部12から連続して第1の凸部12の外側に形成されている。第1の凸部12と第2の凸部13は、例えば環状でも多角形状であってもよいが、同軸的に形成されていることが好ましい。なお、保護膜10は少なくとも裏面配線層9を覆うように設けられていればよい。第1の凸部12と第2の凸部13との間には、第2の凸部13が上段となる段差14が設けられている。
すなわち、第2の凸部13の膜厚(t2)は第1の凸部12の膜厚(t1)より厚い(t2>t1)ため、この膜厚の差(t2−t1)に基づいて第1の凸部12と第2の凸部13との間に段差14が設けられている。第2の凸部13はその一部が裏面配線層9と重なるように設けられている。すなわち、第1の凸部12と第2の凸部13との間の段差14は裏面配線層9上に位置している。
半導体基板2の第2の面2bは裏面配線層9の端子形成領域を除いて遮光膜15で覆われている。遮光膜15は少なくとも第1の面2a側に設けられた受光部4に対応する領域に設けられている。遮光膜15は半導体基板2の第2の面2b側から受光部4に不要な光が入射して裏面配線層9の像が写り込むことを防止するものである。遮光膜15は遮光成分を含有する非感光性または感光性の有機材料で構成されている。具体的には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂等に、カーボンブラック等の遮光成分を添加した樹脂材料(有機材料)が用いられる。
遮光膜15は保護膜10の第2の凸部13上を含めて第2の面2bに形成されており、その開口部11側の端部は第1の凸部12上に位置している。すなわち、有機材料からなる遮光膜15の流動は、保護膜10の第1の凸部12と第2の凸部13との間の段差14で阻止され、遮光膜15の開口部11内への流入を防止している。遮光膜15の流動を防止する上で、段差14は垂直もしくは逆テーパ形状を有することが好ましく、さらに段差14の高さは10μm以上であることが好ましい。
保護膜10の第1の凸部12は裏面配線層9の端子形成領域を露出させる開口部11の形成部であり、第2の凸部13は遮光膜15の形成部であると共に、第1の凸部12との間の段差14で遮光膜15の流動を防止する機能を有する。このように、第1の凸部12と第2の凸部13とを有する保護膜10を適用することによって、半導体基板2の第2の面2bを覆う遮光膜15の形成性を維持しつつ、遮光膜15の裏面配線層9の端子形成領域(開口部11内)への流入を防止することが可能となる。
裏面配線層9の端子形成領域(開口部11で露出された領域)には、外部接続端子16が設けられている。外部接続端子16には、例えば半田ボールを裏面配線層9の端子形成領域に載置し、これをリフローして接続形成した半田バンプのような突起型電極が適用される。これら各構成要素によって、チップサイズパッケージ(CSP)の半導体装置1が構成されている。この実施形態の半導体装置1は、例えばCCDやCMOSイメージセンサ等の撮像装置として用いられるものである。
第1の実施形態の半導体装置1は、例えば以下のようにして作製される。まず、図4に示すように、半導体基板2の第1の面2aにフォトダイオード、トランジスタ、それらを接続する配線回路等で構成される活性層3を形成する。活性層3内には受光部4やそれと電気的に接続された電極等が設けられる。半導体基板2は半導体ウェハとして供給され、活性層3は半導体ウェハの各装置構成領域に応じて形成される。
次に、図5に示すように、半導体基板2の第1の面2aの外周領域(受光部4を除く領域)に接着層6を形成する。接着層6には、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等からなる接着剤が用いられる。さらに、半導体基板(半導体ウェハ)2とほぼ同じ大きさを有する光透過性保護部材5を用意する。光透過性保護部材5としては、例えばホウ珪酸ガラス、石英ガラス、ソーダ石灰ガラス等からなるガラス基板を用いることができる。透過させる光が赤外光の場合には、光透過性保護部材5をシリコン(Si)基板、ガリウムヒ素(GaAs)基板等で構成してもよい。
上述したような光透過性保護部材5を半導体基板2上に配置する。そして、図6に示すように、接着層6を介して光透過性保護部材5と半導体基板2の第1の面2aとを貼り合わせる。光透過性保護部材5と半導体基板2とは接着層6を介して、例えば加圧・加熱することにより貼り合わせる。光透過性保護部材5と半導体基板2との間には、接着層6の形成位置および厚さに基づいて間隙7が形成される。半導体基板2の第1の面2aに設けられた受光部4は間隙7内に露出するように配置されている。
次に、図7に示すように、半導体基板2の第2の面2bを機械研削、化学機械研磨(Chemical Mechanical Polishing)、ウェットエッチング、ドライエッチング等により加工し、半導体基板2を第2の面2b側から薄肉化する。半導体基板2の厚さは50〜150μm程度であることが好ましい。なお、この加工工程は予め薄肉化した半導体基板2を用いる場合には必要ではないが、光透過性保護部材5が半導体基板2を機械的に補強する支持基板の役割を果たすことから、半導体基板2の最終的な加工は光透過性保護部材5を貼り合わせた後に実施することが好ましい。
次いで、図8に示すように、半導体基板2の第2の面2bから第1の面2aに向けて貫通孔を形成し、貫通孔内に活性層3の電極を露出させる。貫通孔は、所定パターンのマスクを用いたプラズマエッチング法、あるいはレーザエッチング法を適用して、半導体基板2をエッチングすることにより形成される。そして、貫通孔内に導電材料をスパッタ法やめっき法等で充填して貫通電極8を形成する。
なお、貫通孔内には予め半導体基板2と貫通電極8との間を絶縁する絶縁層を形成しておく。貫通電極8は光透過性保護部材5を接着する前に、半導体基板2の第1の面2a側から凸形状を有するように形成しておいてもよい。すなわち、半導体基板2の第1の面2a側から凹部を形成し、その内部に導電材料を充填して貫通電極8を形成してもよい。この場合、半導体基板2を薄肉化する際に、貫通電極8を第2の面2bに露出させる。
続いて、図9に示すように、半導体基板2の第2の面2bに裏面配線層9を形成する。裏面配線層9は所定パターンのマスクを用いて、スパッタ法、CVD法、蒸着法、めっき法、印刷法等を適用して形成される。半導体基板2と裏面配線層9との間には、予め絶縁層を形成しておく。貫通電極8を半導体基板2の第2の面2b側から充填する場合、裏面配線層9は貫通電極8と同時に形成してもよい。
貫通電極8や裏面配線層9には、例えば高抵抗金属材料(Ti、TiN、TiW、Ni、Cr、TaN、CoWP等)、低抵抗金属材料(Al、Al−Cu、Al−Si−Cu、Cu、Au、Ag、半田材等)、導電性樹脂材料等が用いられる。これらは単層構造もしくは複数の材料層を積層した多層構造で導電層を構成する。
次に、図10に示すように、半導体基板2の第2の面2bに保護膜10を形成する。保護膜10には前述したように、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ソルダーレジスト材等が適用される。保護膜10は所定パターンのマスクを用いて、印刷法、スピンコート法、スプレーコート法、ラミネート法等を適用して形成される。保護膜10は第1の凸部12と第2の凸部13とを有し、これらの間には段差14が設けられている。
このような段差14を有する保護膜10は以下のようにして形成される。例えば、保護膜10が感光性を有する有機材料で構成される場合には、塗付法やフィルム状で供給された有機材料に別々のパターンのマスクを用いて、2回連続でリソグラフィーを行った後、現像して一括でパターンを形成する。あるいは、有機材料の供給、リソグラフィー、現像の各工程を2回繰り返して、段差14を有する保護膜10を形成する。
次いで、図11に示すように、保護膜10上を含めて半導体基板2の第2の面2bに遮光膜15を形成する。遮光膜15には前述したように、遮光成分を含有する非感光性または感光性の有機材料(エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂等)が適用される。遮光膜15は所定パターンのマスクを用いて、印刷法、スピンコート法、スプレーコート法、ラミネート法等を適用して形成される。遮光膜15の流動を考慮して、遮光膜15の形成材料は第2の凸部13より外側に供給することが好ましい。
遮光膜15を形成するにあたって、液状の有機材料(遮光膜15の形成材料)を印刷法やディスペンス法で供給して加熱硬化させる場合、供給時に液状の有機材料が保護膜10上を流動する。塗布法やフィルム状で供給された有機材料にリソグラフィーでパターンを形成した後にポストベークする場合、ベーク時に有機材料が保護膜10上を流動する。保護膜10には裏面配線層9の端子形成領域を露出させる開口部11が設けられている。有機材料が開口部11内に流入すると、外部接続端子16の形成性が低下する。
このような点に対して、保護膜10は開口部11の周囲に設けられた第1の凸部12とそれより外縁側に設けられた第2の凸部13とを有し、それらの間には段差14が設けられている。遮光膜15の形成材料(有機材料)は第2の凸部13上を覆った後、段差14を介して第1の凸部12上に濡れ広がろうとする。このとき、遮光膜15の形成材料は図3に示したように段差14でフィレットFを形成する。段差14に基づくフィレットFにおいて、遮光膜15の形成材料の第2の凸部13上への這い上がり現象が起こる。このため、遮光膜15の形成材料の第1の凸部12上への濡れ広がりを防止することができる。
すなわち、遮光膜15の開口部11側の端部を第1の凸部12上に留めることができる。遮光膜15の端部はフィレットFの先端に位置することになる。従って、段差14の高さでフィレットFの形状を制御することで、遮光膜15の端部を第1の凸部12上、具体的には段差14近傍の第1の凸部12上に位置させることができる。保護膜10に第1の凸部12が下段となる段差14を適用することによって、遮光膜15が開口部11に向けて第1の凸部12上を濡れ広がって、開口部11内に流入することが防止できる。
この後、図12に示すように、裏面配線層9の端子形成領域(開口部11で露出された領域)に外部接続端子16を形成する。外部接続端子16は、例えば半田ボールをリフローして裏面配線層9と接続することにより形成される。これら一連の工程(ウェハ工程)が終了した後、半導体基板2をブレード等で切断して個片化することによって、図1に示す半導体装置1が作製される。
外部接続端子16を形成するにあたって、裏面配線層9の端子形成領域(開口部11内)への遮光膜15の流入が防止されているため、外部接続端子16を容易に形成することができる。従って、半導体装置1の製造歩留りを向上させることが可能となる。さらに、遮光膜15の端面から剥離が発生しても、段差14で剥離の進展が抑制されるため、遮光膜15の機械的信頼性を高めることができる。また、遮光膜15の端面は保護膜10と界面を形成するため、保護膜10と遮光膜15とが共に有機材料からなる場合には密着性が良好となり、遮光膜15の機械的信頼性をさらに向上させることができる。
次に、本発明の第2の実施形態による半導体装置について、図13ないし図15を参照して説明する。図13は第2の実施形態による半導体装置を示す断面図である。図14は図13に示す半導体装置の一部を拡大して示す平面図、図15は図14のA−A線に沿った断面図である。これらの図に示す半導体装置21は、保護膜10の形状が異なることを除いて、第1の実施形態の半導体装置1と同一構成を有している。図13ないし図15において、図1ないし図3と同一部分には同一符号を付し、その説明を一部省略する。
第2の実施形態の半導体装置21において、保護膜10の第2の凸部13は第1の凸部12から連続して第1の凸部12の外縁側に形成されている。第1の凸部12と第2の凸部13との間には、第2の凸部13が上段となる段差14が設けられている。第2の凸部13はその少なくとも一部が裏面配線層9より外縁側に位置するように設けられている。第2の凸部13は段差14が裏面配線層9の外側に位置するように形成されている。段差14の形状等は第1の実施形態と同様とされている。
遮光膜15は保護膜10の第2の凸部13上を含めて第2の面2bに形成されており、その開口部11側の端部は第1の凸部12上に位置している。すなわち、有機材料からなる遮光膜15の流動は、保護膜10の第1の凸部12と第2の凸部13との間の段差14で阻止され、遮光膜15の開口部11内への流入を防止している。このような第1の凸部12と第2の凸部13とを有する保護膜10を適用することによって、半導体基板2の第2の面2bを覆う遮光膜15の形成性を維持しつつ、遮光膜15の裏面配線層9の端子形成領域(開口部11内)への流入を防止することが可能となる。
第2の実施形態において、遮光膜15の形成材料(有機材料)は第2の凸部13上を覆った後、段差14を介して第1の凸部12上に濡れ広がろうとする。このとき、遮光膜15の形成材料は図15に示したように段差14でフィレットFを形成する。段差14に基づくフィレットFにおいて、遮光膜15の形成材料の第2の凸部13上への這い上がり現象が起こる。このため、遮光膜15の形成材料の第1の凸部12上への濡れ広がりを防止することができる。すなわち、遮光膜15の開口部11内への流入が防止される。
このように、裏面配線層9の端子形成領域(開口部11内)への遮光膜15の流入を防止することによって、外部接続端子16を容易に形成することができる。従って、半導体装置1の製造歩留りを向上させることが可能となる。さらに、遮光膜15の端面から剥離が発生しても、段差14で剥離の進展が抑制されるため、遮光膜15の機械的信頼性を高めることができる。また、遮光膜15の端面は保護膜10と界面を形成するため、保護膜10と遮光膜15とが共に有機材料からなる場合には密着性が良好となり、遮光膜15の機械的信頼性をさらに向上させることができる。
加えて、第2の実施形態では保護膜10の第2の凸部13を裏面配線層9より外側に配置しているため、遮光膜15の形成材料(有機材料)を印刷法やディスペンス法で供給するにあたって、遮光膜15の形成材料の流動に対する許容度を高めることができる。すなわち、段差14から第1の凸部12の開口部11側端部までの距離が長いため、遮光膜15の形成材料が多少流動しても、開口部11内への流入を防止することができる。このため、遮光膜15の材料選択肢が広がると共に、遮光膜15の供給位置ズレの許容範囲も広く設定できる。これらによって、半導体装置21の歩留まりがさらに向上する。
次に、本発明の第3の実施形態による半導体装置について、図16ないし図18を参照して説明する。図16は第3の実施形態による半導体装置を示す断面図である。図17は図16に示す半導体装置の一部を拡大して示す平面図、図18は図16のA−A線に沿った断面図である。これらの図に示す半導体装置31は、保護膜10の形状とそれに基づく遮光膜15の形成位置等が異なることを除いて、第1の実施形態の半導体装置1と同様な構成を有している。なお、図16ないし図18において、図1ないし図3と同一部分には同一符号を付し、その説明を一部省略する。
前述した第1の実施形態と同様に、半導体基板2の第2の面2bには裏面配線層9が設けられている。裏面配線層9の少なくとも一部は貫通電極8と電気的に接続されている。半導体基板2の第2の面2bは裏面配線層9上を含めて保護膜10で覆われている。保護膜10の構成材料は第1の実施形態と同様である。保護膜10は、裏面配線層9の端子形成領域を露出させる開口部11と、その周囲に設けられた第1の凸部12と、第1の凸部12より外縁側に設けられた第2の凸部13とを有している。
保護膜10の第2の凸部13は、第1の凸部12から不連続部分を介して、第1の凸部12の外側に形成されている。言い換えると、第1の凸部12と第2の凸部13との間には、裏面配線層9の表面が底部となる凹部32が設けられており、この凹部32に基づいて第1の凸部12と第2の凸部13とは不連続な状態で形成されている。第1の凸部12は第2の凸部13に対して独立して形成されている。第1の凸部12と第2の凸部13は環状でも多角形状であってもよいが、同軸的に形成されていることが好ましい。
第2の凸部13はその一部が裏面配線層9と重なるように形成されている。そして、第1の凸部12と第2の凸部13との間に凹部32が存在するため、第2の凸部13と裏面配線層9との間には第2の凸部13が上段となる段差33が設けられている。すなわち、裏面配線層9上における第2の凸部13の膜厚に基づいて、第2の凸部13と裏面配線層9との間には段差33が設けられている。
半導体基板2の第2の面2bは裏面配線層9の端子形成領域を除いて遮光膜15で覆われている。遮光膜15は少なくとも第1の面2a側に設けられた受光部4に対応する領域に設けられている。遮光膜15は半導体基板2の第2の面2b側から受光部4に不要な光が入射して裏面配線層9の像が写り込むことを防止するものである。遮光膜15は第1の実施形態と同様に、遮光成分を含有する非感光性または感光性の有機材料で構成される。
遮光膜15は保護膜10の第2の凸部13上を含めて第2の面2bに形成されており、その開口部11側の端部は凹部32内に位置している。すなわち、有機材料からなる遮光膜15の流動は、保護膜10の第2の凸部13と裏面配線層9との間の段差33で阻止され、遮光膜15の開口部11内への流入を防止している。遮光膜15の流動を防止する上で、段差33は垂直もしくは逆テーパ形状を有することが好ましく、さらに段差33の高さは10μm以上であることが好ましい。
保護膜10の第1の凸部12は裏面配線層9の端子形成領域を露出させる開口部11の形成部であり、第2の凸部13は遮光膜15の形成部であると共に、裏面配線層9との間の段差33で遮光膜15の流動を防止する機能を有する。このように、第1の凸部12と第2の凸部13とを有する保護膜10を適用することによって、半導体基板2の第2の面2bを覆う遮光膜15の形成性を維持しつつ、遮光膜15の裏面配線層9の端子形成領域(開口部11内)への流入を防止することが可能となる。
次に、第3の実施形態における保護膜10および遮光膜15の形成工程について説明する。なお、それ以外の工程は第1の実施形態と同様に実施される。保護膜10は所定パターンのマスクを用いて、印刷法、スピンコート法、スプレーコート法、ラミネート法等を適用して形成される。第1の凸部12と第2の凸部13はそれぞれ独立したパターンを形成しているため、1枚のマスクで同時に形成することができる。なお、裏面配線層9と保護膜10との密着性が低い場合には、第1の凸部12と第2の凸部13との間の裏面配線層9上に薄い保護膜10を存在させてもよい。
遮光膜15は保護膜10上を含めて半導体基板2の第2の面2b上に形成される。遮光膜15は所定パターンのマスクを用いて、印刷法、スピンコート法、スプレーコート法、ラミネート法等を適用して形成される。遮光膜15の形成材料は図18に示すように、段差33でフィレットFを形成する。段差33に基づくフィレットFにおいて、遮光膜15の形成材料の第2の凸部13上への這い上がり現象が起こるため、遮光膜15の形成材料の濡れ広がりを防ぐことができる。さらに、第2の凸部13上から流入した遮光膜15の形成材料は凹部32内に収容され、凹部32と第1の凸部12との間の段差形状で開口部11内への流入をより確実に防止することができる。
外部接続端子16を形成するにあたって、裏面配線層9の端子形成領域(開口部11内)への遮光膜15の流入が防止されているため、外部接続端子16を容易に形成することができる。従って、半導体装置31の製造歩留りを向上させることが可能となる。さらに、遮光膜15の端面から剥離が発生しても、段差33で剥離の進展が抑制されるため、遮光膜15の機械的信頼性を高めることができる。またさらに、第1の凸部12と第2の凸部13とを1枚のマスクで同時に形成することができるため、半導体装置31の製造コストを低減することが可能となる。
次に、本発明の第4の実施形態による半導体装置について、図19ないし図21を参照して説明する。図19は第4の実施形態による半導体装置を示す断面図である。図20は図19に示す半導体装置の一部を拡大して示す平面図、図21は図19のA−A線に沿った断面図である。これらの図に示す半導体装置41は保護膜10の形状が異なることを除いて、第3の実施形態の半導体装置31と同一構成を有している。図19ないし図21において、図16ないし図18と同一部分には同一符号を付し、その説明を一部省略する。
第4の実施形態の半導体装置41において、保護膜10の第2の凸部13は第1の凸部12から不連続部分を介して第1の凸部12の外縁側に形成されている。第2の凸部13は裏面配線層9の外側に設けられている。第1の凸部12と第2の凸部13との間には、底部が裏面配線層9および半導体基板2の第2の面2bで構成された凹部32が設けられている。第2の凸部13の端部は半導体基板2の第2の面2bとの間に段差33を形成している。段差33は裏面配線層9の外側に位置している。
第4の実施形態において、遮光膜15の形成材料(有機材料)は第2の凸部13上を覆った後、段差33を介して濡れ広がろうとする。このとき、遮光膜15の形成材料は図21に示したように段差33でフィレットFを形成する。段差33に基づくフィレットFにおいて、遮光膜15の形成材料の第2の凸部13上への這い上がり現象が起こるため、遮光膜15の形成材料の濡れ広がりを防ぐことができる。さらに、第2の凸部13上から流入した遮光膜15の形成材料は凹部32内に収容され、凹部32と第1の凸部12との間の段差形状で開口部11内への流入をより確実に防止することが可能となる。
このように、裏面配線層9の端子形成領域(開口部11内)への遮光膜15の流入を防止することによって、外部接続端子16を容易に形成することができる。従って、半導体装置41の製造歩留りを向上させることが可能となる。遮光膜15の端面から剥離が発生しても、段差33で剥離の進展が抑制されるため、遮光膜15の機械的信頼性を高めることができる。また、遮光膜15の一部は半導体基板2と界面を形成するため、遮光膜15の密着性が良好となり、遮光膜15の機械的信頼性をさらに向上させることができる。
加えて、第4の実施形態では保護膜10の第2の凸部13を裏面配線層9より外側に配置しているため、遮光膜15の形成材料(有機材料)を印刷法やディスペンス法で供給するにあたって、遮光膜15の形成材料の流動に対する許容度を高めることができる。すなわち、段差33から第1の凸部12までの距離が長いため、遮光膜15の形成材料が多少流動しても、開口部11内への流入を防止することができる。このため、遮光膜15の材料選択肢が広がると共に、遮光膜15の供給位置ズレの許容範囲も広く設定できる。これらによって、半導体装置41の歩留まりがさらに向上する。
次に、本発明のカメラモジュールの実施形態について、図22を参照して説明する。図22は本発明の実施形態によるカメラモジュールの構成を示している。図22に示すカメラモジュール51は、BGA(Ball Grid Array)タイプのパッケージ形態を有しており、その主要部として前述した実施形態の半導体装置1(21,31,41)を具備している。半導体装置1は半導体基板2の第1の面(表面)2aに設けられた受光部(CCD型撮像素子やCMOS型撮像素子等)4を含む活性層3を有している。
半導体基板2上には受光部4をキズや埃から保護するための光透過性保護部材5が配置されている。光透過性保護部材5は半導体基板2の第1の面2aを覆うように配置されている。光透過性保護部材5は、第1の面2aの周縁部に配置された接着層6を介して、半導体基板2の第1の面2aに接着されている。受光部4上には一般的に集光用のマイクロレンズが形成されており、その集光効果を損なわないように、光透過性保護部材5と受光部4との間には間隙(キャビティ)7が形成されていることが好ましい。
光透過性保護部材5の表面には、受光部4を覆うように赤外光を遮断するIR(カット)フィルタ52が形成されている。さらに、受光部4を避けた領域には接着層(図示せず)を介して、レンズホルダ53に集光用レンズ54を装着したレンズモジュール55が取り付けられている。なお、図22では集光用レンズ53を1枚しか図示していないが、集光用レンズ53は必要に応じて複数枚で構成される。
さらに、半導体装置1とレンズモジュール55とは、電気的なシールドや機械的補強を目的としたシールドキャップ56で覆われている。シールドキャップ56は、例えばアルミニウム、ステンレス材、Fe−Ni合金(42アロイ等)で構成される。これらによって、カメラモジュール51が構成されている。半導体装置1は外部接続端子16を介して配線(図示せず)を有する基板57上に実装される。半導体装置1は外部接続端子16を介して基板57の配線と電気的に接続される。
このようなカメラモジュール51においては、撮像対象物から到来する光をレンズ54で集光し、この集光した光を受光部4で受光する。受光部4で受光した光は光電変換されその出力がセンサ信号として活性層3に形成された制御IC(図示せず)に入力される。制御ICはディジタルシグナルプロセッサを含み、それによってセンサ信号を処理して静止画あるいは動画のデータを作成し、貫通電極8、裏面配線層9および外部接続端子16を介して基板57に出力する。基板57は図示しない記憶装置や表示装置に接続され、静止画や動画のデータが記憶装置に記憶され、あるいは表示装置に表示される。
この実施形態のカメラモジュール51では、半導体装置1(半導体基板2)と基板57との間隙から光が半導体基板2の裏面(第2の面)2bに漏れ込んでも、半導体基板2の第2の面2bは遮光膜15で覆われているため、半導体基板2を赤外光が透過することはない。従って、半導体基板2の第2の面2bに漏れ込んだ光によって、金属膜で構成される裏面配線層9の像が受光部4に写り込み、撮像特性を劣化させることがない。すなわち、撮像特性に優れたカメラモジュール51を安定して提供することが可能となる。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、半導体基板の表裏両面間を貫通電極で接続すると共に、半導体基板の第2の面(裏面)に配線層や遮光膜を形成する各種の半導体装置に適用することができる。そのような半導体装置も本発明に含まれる。また、本発明の実施形態は本発明の技術的思想の範囲内で拡張もしくは変更することができ、この拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれるものである。
1,21,31,41…半導体装置、2…半導体基板、2a…第1の面、2b…第2の面、3…活性層、4…受光部、5…光透過性保護部材、6…接着層、7…間隙、8…貫通電極、9…裏面配線層、10…保護膜、11…開口部、12…第1の凸部、13…第2の凸部、14,33…段差、15…遮光膜、16…外部接続端子、32…凹部、51…カメラモジュール、53…レンズホルダ、54…集光用レンズ、55…レンズモジュール。
Claims (5)
- 第1の面と、前記第1の面とは反対側の第2の面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1の面に形成され、受光部を有する活性層と、
前記第1の面と前記第2の面とを繋ぐように前記半導体基板に設けられ、前記活性層と電気的に接続された貫通電極と、
前記半導体基板の前記第2の面に形成され、少なくとも一部が前記貫通電極と電気的に接続された裏面配線層と、
前記裏面配線層上を含めて前記半導体基板の前記第2の面に形成され、前記裏面配線層の端子形成領域を露出させる開口部と、前記開口部の周囲に設けられた第1の凸部と、前記第1の凸部より外縁側に設けられた第2の凸部とを有する保護膜と、
少なくとも前記半導体基板の前記第2の面の前記受光部に対応する領域に形成され、前記保護膜の前記第2の凸部を覆うと共に、前記開口部側の端部が前記第1の凸部上または前記第1の凸部より外縁側に位置する遮光膜と、
前記裏面配線層の前記端子形成領域に設けられた外部接続端子と
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第2の凸部は前記第1の凸部から連続して形成されており、かつ前記第1の凸部と前記第2の凸部との間には前記第2の凸部が上段となる段差が設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記第2の凸部は前記第1の凸部から不連続部分を介して形成されており、かつ前記第2の凸部と前記裏面配線層または前記半導体基板の前記第2の面との間には前記第2の凸部が上段となる段差が設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか1項記載の半導体装置において、
前記第2の凸部はその少なくとも一部が前記裏面配線層より外縁側に配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか1項記載の半導体装置と、
前記半導体基板の前記第1の面を覆うように、前記受光部上に所定の間隙を介して配置された光透過性保護部材と、
前記光透過性保護部材上に設けられたレンズモジュールと
を具備することを特徴とするカメラモジュール。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008188209A JP2010027886A (ja) | 2008-07-22 | 2008-07-22 | 半導体装置とそれを用いたカメラモジュール |
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JP (1) | JP2010027886A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013214074A (ja) * | 2012-04-03 | 2013-10-17 | Axcen Photonics Corp | 光電装置 |
-
2008
- 2008-07-22 JP JP2008188209A patent/JP2010027886A/ja not_active Withdrawn
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