TWI455576B - 具有光感測器之攝像裝置及其製造方法 - Google Patents

Description

具有光感測器之攝像裝置及其製造方法

本發明係關於一種具有光感測器之攝像裝置及其製造方法。

日本特開2010-56292號公報中有在光感測器上，經由框狀的間隔件而在下面安裝具有透鏡的玻璃板的構成。於此情況，光感測器具備半導體基板。在半導體基板的上面中央部設有受光部。在半導體基板的上面周邊部，連接焊墊連接設置於受光部。

在半導體基板的下面設有配線。例如在CMOS的情況，為了取出信號作為電壓，配線是必需的。配線的一端部經由貫穿電極而連接於連接焊墊，該貫穿電極係設於半導體基板的周邊部上所設的貫穿孔內。在除了配線的連接面(land)以外的半導體基板的下面設有絕緣膜，配線的連接面經由設於絕緣膜上的開口部而露出。在經由絕緣膜的開口部而露出的配線的連接面下面設有焊球。

在日本特開2010-56292號公報中，首先，準備比作為完成品的攝像裝置之半導體基板厚度還厚的半導體晶圓。此情況，在半導體晶圓的攝像裝置形成區域的上面中央部設有受光部，而在其周圍，連接焊墊連接設置於受光部。

其次，在與半導體晶圓相同尺寸之玻璃板的下面，將設有複數個透鏡的構件經由格子狀的間隔件安裝在半導體晶圓上。。接著，研磨半導體晶圓的下面側，使半導體晶圓的厚度變薄。在半導體晶圓的攝像裝置形成區域內的周邊部上形成貫穿孔。然後，在包含貫穿孔內的半導體晶圓的下面，藉由電解電鍍，形成配線及貫穿電極。

接著，在半導體晶圓的下面側形成具有開口部的絕緣膜。在經由絕緣膜的開口部而露出的配線的連接面下面形成焊球。然後，切斷半導體晶圓、格子狀的間隔件及與半導體晶圓相同尺寸的玻璃板，而得到複數個攝像裝置。

在上述習知的攝像裝置之製造方法中，在半導體晶圓的攝像裝置形成區域內的周邊部形成貫穿孔的步驟，如抗蝕膜形成於半導體晶圓的下面、開口部形成於抗蝕膜、藉由以抗蝕膜為遮罩的蝕刻而將貫穿孔形成於半導體晶圓、抗蝕膜的剝離之類，有步驟數比較多的問題。此外，在研磨半導體晶圓的下面側而使半導體晶圓的厚度變薄的步驟之前，為了補強，必須在半導體晶圓上配置與該半導體晶圓相同尺寸的玻璃板，有在加工製程受到限制的問題。

因此，本發明的目的在於提供一種可減少步驟數，並可使加工製程不易受限的攝像裝置及其製造方法。

依據本發明之一態樣，提供一種攝像裝置，其具備：透鏡單元，其係光從一面射入；及光感測器，其具有設置於前述透鏡單元另一面側且供由前述透鏡單元射出的光從一面射入的半導體基板，及設置於前述半導體基板另一面側的光電轉換元件區域與連接焊墊。

依據本發明之其他態樣，關於申請專利範圍第9項之發明的攝像裝置之製造方法，提供一種在於半導體晶圓的一面上設有光電轉換元件區域與連接焊墊的光感測器的前述半導體晶圓的另一面上，配置透鏡單元的攝像裝置之製造方法。

(第1實施形態)

圖1顯示作為本發明的第1實施形態的攝像裝置的剖面圖。此攝像裝置具備光感測器1。光感測器1具備由化合物半導體的砷化鎵等構成的平面方形的半導體基板2，該化合物半導體係由矽、或Ga(鎵)與As(砷)的化合物構成。在半導體基板2的下面中央部設有包含CCD(電荷耦合元件)或光二極體、光電晶體等元件的光電轉換元件區域3。在半導體基板2的下面周邊部，由鋁系金屬等構成的複數個連接焊墊4連接設置於光電轉換元件區域3轉換。

在除了半導體基板2的周邊部及連接焊墊4的中央部以外的半導體基板2的下面設有由氧化矽、氮化矽等構成的鈍化膜(絕緣膜)5，連接焊墊4的中央部經由設於鈍化膜5上的開口部6而露出。在鈍化膜5的下面設有由聚醯亞胺系樹脂等構成的保護膜(絕緣膜)7。在與鈍化膜5的開口部6對應的部分的保護膜7上設有開口部8。

在保護膜7的下面設有複數條配線9。配線9係兩層構造，包括：基底金屬層10，其由設於保護膜7的下面且由銅等構成；及上部金屬層11，其設於基底金屬層10的下面且由銅構成。配線9的一端部經由鈍化膜5及保護膜7的開口部6、8而連接於連接焊墊4。

在配線9的連接面下面設有由銅構成的柱狀電極(外部連接用電極)12。在半導體基板2的周邊部下面及包含配線9的保護膜7的下面，於柱狀電極12的周圍設有密封膜13，該密封膜13係由包含二氧化矽填料的環氧系樹脂構成。此處，柱狀電極12是以其下面與密封膜13的下面位在相同平面或者低1～2μm的方式設置。

如以上，光感測器1係包含半導體基板2、光電轉換元件區域3、連接焊墊4、鈍化膜5、保護膜7、由基底金屬層10及上部金屬層11構成的兩層構造的配線9、柱狀電極12及密封膜13而構成。並且，在光感測器1的柱狀電極12的下面設有焊球14。

在光感測器1的半導體基板2的上面，經由方形框狀的黏接劑層22而貼附有平面方形的可見光線穿透板(可見光線穿透材料)21。可見光線穿透板21具有紅外線截止濾光片的作用，由紅外線反射型或紅外線吸收型構成，其平面尺寸比光感測器1的半導體基板2的平面尺寸稍小。

作為可見光線穿透板21，只要是玻璃、甲基丙烯酸樹脂、茀系樹脂、環烯烴聚合物、環氧樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯、AS樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、二氯亞乙烯樹脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷等穿透可見光的材料即可。

在可見光線穿透板21的上面設有透鏡單元23。透鏡單元23係以在框狀透鏡架24的內部設有配置於光感測器1的光電轉換元件區域3上方的透鏡25的方式構成。並且，透鏡單元23的透鏡架24的下面經由框狀的黏接劑層26而貼附於可見光線穿透板21的上面周邊部。如在圖1中以箭頭所示，光從設於半導體基板2的另一面上的透鏡單元23側射入。通過透鏡25的光聚光於光電轉換元件區域3，傳送到配線9。

此處，透鏡25良好地穿透紅外線，光電轉換元件區域3具有高紅外線感光度，所以光感測器1的感光度主要由位於光電轉換元件區域3前面之截止紅外線的可見光線穿透板21所控制。可見光線穿透板21的紅外線反射率及紅外線吸收率均為90%以上。因此，可見光線穿透板21的紅外線穿透率為10%以下。此外，可見光線穿透板21也具有保護光電轉換元件區域3的作用。藉由反射或吸收而截止的紅外線的波長為帶有約0.7μm到1000μm範圍的頻率的電磁波。此外，穿透可見光線穿透板21的可見光線的波長為帶有380～780nm範圍的頻率的電磁波。

其次，就此攝像裝置之製造方法的一例進行說明。首先，如圖2所示，準備在晶圓狀態的半導體基板(以下稱為半導體晶圓31)的下面形成有光電轉換元件區域3、連接焊墊4、鈍化膜5、保護膜7、由基底金屬層10及上部金屬層11構成的兩層構造的配線9、柱狀電極12及密封膜13的構件。

茲就此已準備構件的製造方法的一例進行簡單說明，首先，在半導體晶圓31下形成光電轉換元件區域3、連接焊墊4、鈍化膜5及保護膜7等。其次，在其下面全體藉由無電解電鍍，形成基底金屬層(10)。其次，藉由以基底金屬層(10)作為電鍍電流路徑的電解電鍍，形成上部金屬層11及柱狀電極12。其次，藉由以上部金屬層11作為遮罩的蝕刻，去除上部金屬層11以外的區域的基底金屬層(10)，形成由基底金屬層10及上部金屬層11構成的兩層構造的配線9。其次，在保護膜7周圍的半導體晶圓31的下面及包含配線9的保護膜7的下面，於柱狀電極12的周圍形成密封膜13。如此一來，可得到圖2所示之已準備的構件。

此情況，無需在半導體晶圓31上形成貫穿電極，因此相較於在半導體晶圓31上形成貫穿電極的情況，可減少步驟數。此處，圖2所示之半導體晶圓31的厚度比圖1所示之半導體基板2的厚度厚。此外，在圖2中，以符號32所示的區域為切道(dicing street)。

其次，如圖3所示，在柱狀電極12的下面形成焊球14。作為焊球14的形成方法，首先，在柱狀電極12的下面塗布焊膏，或搭載焊球。其次，藉由進行迴焊(reflow)，在柱狀電極12的下面形成焊球14。

其次，如圖4所示，準備保護帶33。此保護帶33係以在基材薄膜34的上面設有紫外線硬化型且未硬化狀態的黏接劑層35的方式構成。並且，在包含焊球14的密封膜13的下面貼附保護帶33之未硬化狀態的黏接劑層35。於此情況，黏接劑層35的厚度比焊球14的高度厚。因此，在此狀態下，焊球14被黏接劑層35完全覆蓋。

其次，如圖5所示，準備吸盤(chuck)36。吸盤36係連接於未圖示的真空泵等的真空源，用以將載置於吸盤36上的構件予以抽吸而吸附保持。其次，將保護帶33的下面載置於吸盤36上而使其吸附保持。其次，使用磨石(未圖示)適當地研磨半導體晶圓31的下面側，使半導體晶圓31的厚度變薄。在此狀態下，於半導體晶圓31的下面側形成密封膜13，且於該密封膜13的下面側貼附保護帶33，再以吸盤36吸附保持保護帶33的下面，所以即使將半導體晶圓31的厚度變薄，半導體晶圓31亦難以翹曲。於此情況，由於未使用作為補強用的玻璃板，所以，如此一來，加工製程便不易受限。

其次，如圖6所示，在半導體晶圓31的上面，於以切道32包圍的平面方形區域內的中央部經由方形框狀的黏接劑層22而貼附平面方形的可見光線穿透板21。在密封膜13的下面側未貼附有保護帶33，且半導體晶圓31及密封膜13的合計厚度為350～300μm以下的情況，半導體晶圓31的翹曲量變大，可見光線穿透板21的貼附難以進行。對此，在本實施形態中，由於是在密封膜13的下面側貼附保護帶33，再以吸盤36吸附保持保護帶33的下面，所以即使半導體晶圓31及密封膜13的合計厚度為350～300μm以下，半導體晶圓31的翹曲量也不會變大，可見光線穿透板21的貼附也不會難以進行。

其次，解除利用吸盤36對保護帶33下面所進行的吸附保持，從吸盤36上去掉保護帶33。其次，如圖7所示，準備透鏡單元23。透鏡單元23係在框狀的透鏡架24的內部設有透鏡25而構成。並且，將透鏡單元23的透鏡架24的下面經由框狀的黏接劑層26貼附在可見光線穿透板21的上面周邊部。

其次，從保護帶33的下面側照射紫外線，使未硬化狀態的黏接劑層35硬化，使保護帶33成為可剝離狀態。其次，將保護帶33從包含焊球14的密封膜13的下面剝離時，，如圖8所示，包含焊球14的密封膜13的下面會露出。其次，如圖9所示，當沿著切道32切割半導體晶圓31及密封膜13時，可得到複數個圖1所示的攝像裝置。

在以此方式得到的攝像裝置中，如以箭頭顯示入射光的方向般，具有光從設有透鏡單元23的半導體基板2的另一面側射入的背面照射型的構造。因此，入射光穿透透鏡25，接著穿透可見光線穿透板21及半導體基板2，而到達光電轉換元件區域3。如此，因為在透鏡與光感測器之間無配線，所以透鏡與光感測器接近，成為斜的光也容易到達的構造。此時，由於設於半導體基板2之一面上的配線9或柱狀電極12位於比光電轉換元件區域3更下方，所以光不會被配線9或柱狀電極12遮住，可使效率變佳。基於此種理由，即使俯視看起來光電轉換元件區域3、及配線9或柱狀電極12重疊地形成，也不會有任何問題。此外，由於半導體基板2的厚度薄，所以容易產生翹曲，但在有柱狀電極12的構造中，由於密封膜13的厚度厚，所以可抑制翹曲。

再者，在圖2所示的狀態下，進行各光感測器形成區域的電性測試，在有被判定為不良的光感測器形成區域的情況，對於該被判定為不良的光感測器形成區域，在圖6及圖7所示的步驟中，亦可不安裝可見光線穿透板21及透鏡單元23。在以此方式構成的情況，可提高良率。

此外，在本實施形態中，對於半導體晶圓31的另一面，進行可見光線穿透板21的貼附或透鏡單元23的安裝，但也可以在切割後的半導體基板2上安裝單片化的可見光線穿透板21及透鏡單元23而形成。此外，在本實施形態中，在光感測器1的半導體基板2與透鏡單元23之間設有可見光線穿透板21，但藉由使用例如附有只穿透10%以下之紅外線的紅外線截止濾光片的透鏡25，也可如圖10所示般作成不設可見光線穿透板21的薄型構造。

(第2實施形態)

圖11是顯示作為本發明的第2實施形態的攝像裝置的剖面圖。此攝像裝置也具有光從箭頭的方向射入的背面照射型構造，與圖1所示的攝像裝置的不同點為在光感測器1中省略了柱狀電極12之點。於此情況，在與配線9之連接面(外部連接用電極)對應的部分的密封膜13上，形成有用以將焊球14連接於配線9的連接面的開口部13a。

再者，密封膜13也可利用聚醯亞胺系樹脂、阻焊劑等形成。此外，與第1實施形態同樣，在本實施形態中，也在光感測器1的半導體基板2與透鏡單元23之間設有可見光線穿透板21，但藉由使用例如附有只穿透10%以下之紅外線的紅外線截止濾光片的透鏡25，亦可如圖12所示般作成不設可見光線穿透板21的薄型構造。

以上，就本發明的實施形態進行了說明，但本發明並不限定於此，而是包含與申請專利範圍中所記載的發明和其均等的範圍。以下，附記本案申請當初的申請專利範圍中所記載的發明。

(附記)

申請專利範圍第1項之攝像裝置，其特徵在於具備：透鏡單元，其係光從一面射入；及光感測器，其具有設置於前述透鏡單元的另一面側且供由前述透鏡單元射出的光從一面射入的半導體基板、及設置於前述半導體基板另一面側的光電轉換元件區域與連接焊墊。

申請專利範圍第2項之攝像裝置，係在申請專利範圍第1項之攝像裝置中，在前述半導體基板與前述透鏡單元之間具備可見光線穿透率為90%以上且紅外線穿透率為10%以下的可見光線穿透材料。

申請專利範圍第3項之攝像裝置，係在申請專利範圍第2項之攝像裝置中，前述可見光線穿透材料包含玻璃、甲基丙烯酸樹脂、茀系樹脂、環烯烴聚合物、環氧樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯、AS樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、二氯亞乙烯樹脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷的任一者。

申請專利範圍第4項之攝像裝置，係在申請專利範圍第1項之攝像裝置中，前述光感測器具備：絕緣膜，其設置於前述半導體基板的另一面側；配線，其在前述絕緣膜的下面連接設置於前述連接焊墊；柱狀電極，其設置於前述配線的連接面下；及密封膜，其在前述配線下且在前述絕緣膜下，設置於前述柱狀電極的周圍。

申請專利範圍第5項之攝像裝置，係在申請專利範圍第4項之攝像裝置中，在前述光感測器的前述柱狀電極下設有焊球。

申請專利範圍第6項之攝像裝置，係在申請專利範圍第1項之攝像裝置中，前述光感測器具備：絕緣膜，其設置於前述半導體基板的另一面側；配線，其在前述絕緣膜的下面連接設置於前述連接焊墊，並且具有作為外部連接用電極的連接面；及密封膜，其在包含前述配線的前述絕緣膜下，設置於除了前述配線的前述連接面以外的區域上。

申請專利範圍第7項之攝像裝置，係在申請專利範圍第6項之攝像裝置中，在前述光感測器的前述配線的前述連接面下設有焊球。

申請專利範圍第8項之攝像裝置，係在申請專利範圍第1項之攝像裝置中，構成前述透鏡單元的透鏡為附有只穿透10%以下之紅外線的紅外線截止濾光片。

申請專利範圍第9項之攝像裝置之製造方法，其特徵在於：在於半導體晶圓的一面上設有光電轉換元件區域與連接焊墊的光感測器之前述半導體晶圓的另一面上，配置透鏡單元。

申請專利範圍第10項之攝像裝置之製造方法，係在申請專利範圍第9項之攝像裝置之製造方法中，在前述半導體基板與前述透鏡單元之間具備可見光線穿透率為90%以上且紅外線穿透率為10%以下的可見光線穿透材料。

申請專利範圍第11項之攝像裝置之製造方法，係在申請專利範圍第10項之攝像裝置之製造方法中，前述可見光線穿透材料包含玻璃、甲基丙烯酸樹脂、茀系樹脂、環烯烴聚合物、環氧樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯、AS樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、二氯亞乙烯樹脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷的任一者。

申請專利範圍第12項之攝像裝置之製造方法，係在申請專利範圍第9項之攝像裝置之製造方法中，形成連接於前述連接焊墊的外部連接用電極，切割前述半導體晶圓而得到複數個攝像裝置。

申請專利範圍第13項之攝像裝置之製造方法，係在申請專利範圍第10項之攝像裝置之製造方法中，在配置前述可見光線穿透材料的步驟之前，具有在前述外部連接用電極下形成焊球的步驟。

申請專利範圍第14項之攝像裝置之製造方法，係在申請專利範圍第13項之攝像裝置之製造方法中，在形成前述焊球的步驟之後，具有研磨前述半導體晶圓上面側的步驟。

申請專利範圍第15項之攝像裝置之製造方法，係在申請專利範圍第14項之攝像裝置之製造方法中，在形成前述焊球的步驟之後且在研磨前述半導體晶圓上面側的步驟之前，具有將保護帶貼附於前述半導體晶圓的前述焊球側的步驟，並且在配置前述透鏡單元的步驟之後，具有剝離前述保護帶的步驟。

申請專利範圍第16項之攝像裝置之製造方法，係在申請專利範圍第12項之攝像裝置之製造方法中，具備：配線，其在設置於前述半導體晶圓的另一面側之絕緣膜下面，連接設置於該連接焊墊；柱狀電極，其設置於前述配線的連接面下，作為前述外部連接用電極；及密封膜，其在包含前述配線的前述絕緣膜下，設置於前述柱狀電極的周圍。

申請專利範圍第17項之攝像裝置之製造方法，係在申請專利範圍第12項之攝像裝置之製造方法中，配線，其在設置於前述半導體晶圓的另一面側之絕緣膜下面，連接設置於前述連接焊墊，並且具有作為前述外部連接用電極的連接面；及密封膜，其在包含前述配線的前述絕緣膜下，設置於除了前述配線的該連接面以外的區域上。

申請專利範圍第18項之攝像裝置之製造方法，係在申請專利範圍第9項之攝像裝置之製造方法中，構成前述透鏡單元的透鏡為附有只穿透10%以下之紅外線的紅外線截止濾光器。

申請專利範圍第19項之攝像裝置之製造方法，係在申請專利範圍第10項之攝像裝置之製造方法中，進行各光感測器形成區域的電性測試，在有被判定為不良的光感測器形成區域的情況，對於該被判定為不良的光感測器形成區域，不配置前述可見光線穿透材料及前述透鏡單元。

1．．．光感測器

2．．．半導體基板

3．．．光電轉換元件區域

4．．．連接焊墊

5．．．鈍化膜

6、8、13a．．．開口部

7．．．保護膜

9．．．配線

10．．．基底金屬層

11．．．上部金屬層

12．．．柱狀電極

13．．．密封膜

14．．．焊球

21．．．光線穿透板

22．．．黏接劑層

23．．．透鏡單元

24．．．透鏡架

25．．．透鏡

26、35．．．黏接劑層

31．．．半導體晶圓

33．．．保護帶

36．．．吸盤

圖1為作為本發明的第1實施形態的攝像裝置的剖面圖。

圖2為在圖1所示的攝像裝置之製造方法的一例中，最初準備的構件的一部分的剖面圖。

圖3為接著圖2的步驟的剖面圖。

圖4為接著圖3的步驟的剖面圖。

圖5為接著圖4的步驟的剖面圖。

圖6為接著圖5的步驟的剖面圖。

圖7為接著圖6的步驟的剖面圖。

圖8為接著圖7的步驟的剖面圖。

圖9為接著圖8的步驟的剖面圖。

圖10為作為本發明的第1實施形態的其他例的攝像裝置的剖面圖。

圖11為作為本發明的第2實施形態的攝像裝置的剖面圖。

圖12為作為本發明的第2實施形態的其他例的攝像裝置的剖面圖。

1．．．光感測器

2．．．半導體基板

3．．．光電轉換元件區域

4．．．連接焊墊

5．．．鈍化膜

6．．．開口部

7．．．保護膜

8．．．開口部

9．．．配線

10．．．基底金屬層

11．．．上部金屬層

12．．．柱狀電極

13．．．密封膜

14．．．焊球

21．．．可見光線穿透板

22．．．黏接劑層

23．．．透鏡單元

24．．．透鏡架

25．．．透鏡

26．．．黏接劑層

Claims (17)

1. 一種攝像裝置，其包含以下構件：透鏡單元，其係光從第一面射入；及光感測器，其具有：半導體基板，設置於該透鏡單元的第二面側且由該透鏡單元射出的光從第一面射入；光電轉換元件區域與連接焊墊，設置於該半導體基板的該第二面側；鈍化膜，設置於該半導體基板的第二面側；配線，設置在該鈍化膜的下側而連接於該連接焊墊；柱狀電極，設置於該配線的連接面(land)下；及密封膜，在該配線下且在該鈍化膜下，設置於該柱狀電極的周圍，其中，該半導體基板及密封膜的合計厚度為350μm以下，在該半導體基板的第二面側依照該光電轉換元件、及該配線的順序予以配置。
2. 一種攝像裝置，其包含以下構件：透鏡單元，其係光從第一面射入；及光感測器，其具有：半導體基板，設置於該透鏡單元的第二面側且由該透鏡單元射出的光從第一面射入；光電轉換元件區域與連接焊墊，設置於該半導體基板的該第二面側；鈍化膜，設置於該半導體基板的該第二面側；配線，設置在該鈍化膜的下側而連接於該連接焊墊，且具有作為外部連接用電極的連接面；及密封膜，在該鈍化膜下，設置於除了該配線的該連接面以外的區域，其中，該半導體基板及密封膜的合計厚度為350 μm以下，在該半導體基板的第二面側依照該光電轉換元件、及該配線的順序予以配置。
3. 如申請專利範圍第1或2項之攝像裝置，其中在該半導體基板與該透鏡單元之間具備可見光線穿透率為90%以上且紅外線穿透率為10%以下的可見光線穿透材料。
4. 如申請專利範圍第3項之攝像裝置，其中該可見光線穿透材料包含玻璃、甲基丙烯酸樹脂、茀系樹脂、環烯烴聚合物、環氧樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯、AS樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、二氯亞乙烯樹脂(vinylidene chloride resin)、聚碳酸酯、透光性陶瓷的任一者。
5. 如申請專利範圍第1項之攝像裝置，其中在該光感測器的該柱狀電極下設有焊球。
6. 如申請專利範圍第2項之攝像裝置，其中在該光感測器的該配線的該連接面下設有焊球。
7. 如申請專利範圍第1、2或6項之攝像裝置，其中構成該透鏡單元的透鏡為附有只穿透10%以下之紅外線的紅外線截止濾光片。
8. 如申請專利範圍第1或2項之攝像裝置，其中該半導體基板中沒有貫穿電極。
9. 一種攝像裝置之製造方法，其包含以下構成：在形成於光感測器的半導體基板的第一面上之密封膜的表面，設置保護帶；在該半導體基板的第二面上，設置可見光線穿透板； 在該可見光線穿透板上，配置透鏡單元；在配置該透鏡單元後，去除該保護帶，其中該光感測器具有：光電轉換元件區域與連接焊墊，係在該半導體基板的該第一面上；絕緣膜，設置於該半導體基板的該第二面側；配線，設置在該絕緣膜的下面而連接於該連接焊墊；柱狀電極，設置於該配線的連接面下；及密封膜，其在該配線下且在該絕緣膜下，設置於該柱狀電極的周圍，其中該半導體基板及密封膜的合計厚度為350μm以下。
10. 一種攝像裝置之製造方法，其包含以下構成：在形成於光感測器的半導體基板的第一面上之密封膜的表面，設置保護帶；在該半導體基板的第二面上，設置可見光線穿透板；在該可見光線穿透板上，配置透鏡單元；在配置該透鏡單元後，去除該保護帶，其中該光感測器具有：光電轉換元件區域與連接焊墊，係在該半導體基板的該第一面上；絕緣膜；配線，設置在該絕緣膜的下面而連接於該連接焊 墊，且具有作為外部連接用電極的連接面；及密封膜，在包含該配線的該絕緣膜下，設置於除了該配線的連接面以外的區域，其中該半導體基板及密封膜的合計厚度為350μm以下。
11. 如申請專利範圍第9或10項之攝像裝置之製造方法，其中在該半導體基板與該透鏡單元之間具備可見光線穿透率為90%以上且紅外線穿透率為10%以下的可見光線穿透材料。
12. 如申請專利範圍第11項之攝像裝置之製造方法，其中該可見光線穿透材料包含玻璃、甲基丙烯酸樹脂、茀系樹脂、環烯烴聚合物、環氧樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯、AS樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、二氯亞乙烯樹脂、聚碳酸酯、透光性陶瓷的任一者。
13. 如申請專利範圍第11項之攝像裝置之製造方法，其中在配置該可見光線穿透材料的步驟之前，具有在該柱狀電極下形成焊球的步驟。
14. 如申請專利範圍第13項之攝像裝置之製造方法，其中在形成該焊球的步驟之後，具有研磨該半導體基板上面側的步驟。
15. 如申請專利範圍第14項之攝像裝置之製造方法，其中在形成該焊球的步驟之後且在研磨該半導體基板上面側的步驟之前，具有將保護帶貼附於該半導體基板的該焊球側的步驟。
16. 如申請專利範圍第9或10項之攝像裝置之製造方法， 其中構成該透鏡單元的透鏡為附有只穿透10%以下之紅外線的紅外線截止濾光器。
17. 如申請專利範圍第11項之攝像裝置之製造方法，其中進行各光感測器形成區域的電性測試，在有被判定為不良的光感測器形成區域的情況，對於該被判定為不良的光感測器形成區域，不配置該可見光線穿透材料及該透鏡單元。