JP2002198502A - 光学装置及びその製造方法並びに電子機器 - Google Patents

光学装置及びその製造方法並びに電子機器

Info

Publication number
JP2002198502A
JP2002198502A JP2000395112A JP2000395112A JP2002198502A JP 2002198502 A JP2002198502 A JP 2002198502A JP 2000395112 A JP2000395112 A JP 2000395112A JP 2000395112 A JP2000395112 A JP 2000395112A JP 2002198502 A JP2002198502 A JP 2002198502A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
hole
optical
optical element
optical device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000395112A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3738824B2 (ja
Inventor
Kazunori Sakurai
和徳 桜井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2000395112A priority Critical patent/JP3738824B2/ja
Priority to US10/032,227 priority patent/US6765236B2/en
Priority to CNB011338431A priority patent/CN1182584C/zh
Publication of JP2002198502A publication Critical patent/JP2002198502A/ja
Priority to US10/865,247 priority patent/US7524391B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3738824B2 publication Critical patent/JP3738824B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14623Optical shielding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1089Methods of surface bonding and/or assembly therefor of discrete laminae to single face of additional lamina
    • Y10T156/109Embedding of laminae within face of additional laminae
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1089Methods of surface bonding and/or assembly therefor of discrete laminae to single face of additional lamina
    • Y10T156/1092All laminae planar and face to face
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1089Methods of surface bonding and/or assembly therefor of discrete laminae to single face of additional lamina
    • Y10T156/1092All laminae planar and face to face
    • Y10T156/1093All laminae planar and face to face with covering of discrete laminae with additional lamina

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 薄型の光学装置及びその製造方法並びに電子
機器を提供することにある。 【解決手段】 光学装置は、貫通穴24が形成された基
板20と、光学的部分12を貫通穴24に向けて基板2
0に実装された光素子10と、貫通穴24に配置された
光透過性部材30と、を有する。基板20と光素子10
との間及び光透過性部材30と光素子10との間に光透
過性のアンダーフィル材34が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学装置及びその
製造方法並びに電子機器に関する。
【0002】
【発明の背景】固体撮像素子のような光素子が封止され
た光学装置が知られている。光素子は回路基板に実装さ
れ、回路基板に形成された貫通穴に光素子の受光部又は
発光部が向けられている。また、貫通穴を覆うように回
路基板にカバーガラスが貼り付けられている。このよう
に、従来の光学装置によれば、回路基板にカバーガラス
を貼り付けるので、厚みが大きくなるという問題があっ
た。あるいは、カバーガラスに加えてレンズを取り付け
ると、さらに光学装置の厚みが大きくなるという問題が
あった。
【0003】本発明は、このような問題点を解決するも
ので、その目的は、薄型の光学装置及びその製造方法並
びに電子機器を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】(1)本発明に係る光学
装置は、貫通穴が形成された基板と、光学的部分を前記
貫通穴に向けて前記基板に実装された光素子と、前記貫
通穴に配置された光透過性部材と、を有する。
【0005】本発明によれば、光透過性部材を貫通穴に
配置するので、光学装置の薄型化・小型化・軽量化が可
能である。
【0006】(2)この光学装置において、前記基板と
前記光素子との間及び前記光透過性部材と前記光素子と
の間に光透過性のアンダーフィル材が設けられていても
よい。
【0007】これによれば、アンダーフィル材によっ
て、光学的部分への水分の侵入を防止することができ
る。
【0008】(3)この光学装置において、前記光素子
と前記光透過性部材との間にはスペーサが介在していて
もよい。
【0009】これによれば、光透過性部材が光素子と接
触することを防止することができ、光透過性部材の位置
決めが可能である。
【0010】(4)この光学装置において、前記光透過
性部材は、レンズ形状をなしていてもよい。
【0011】これによれば、光透過性部材自体がレンズ
となるので、厚みを増すことなく、レンズの機能を付加
することができる。
【0012】(5)本発明に係る光学装置は、貫通穴が
形成された基板と、光学的部分を前記貫通穴に向けて前
記基板に実装された光素子と、前記貫通穴を覆うように
前記基板に設けられたレンズと、を有する。
【0013】本発明によれば、レンズによって貫通穴が
覆われているので、カバーガラスが不要となり、光学装
置の薄型化・小型化・軽量化が可能である。
【0014】(6)この光学装置において、前記基板と
前記光素子との間及び前記レンズと前記光素子との間に
光透過性のアンダーフィル材が設けられていてもよい。
【0015】これによれば、アンダーフィル材によっ
て、光学的部分への水分の侵入を防止することができ
る。
【0016】(7)この光学装置において、前記基板と
前記レンズとの間にスペーサが介在していてもよい。
【0017】これによれば、レンズの焦点距離等に応じ
て、レンズの位置を調整することができる。
【0018】(8)この光学装置において、前記基板
に、前記光素子の他に電子部品が実装されていてもよ
い。
【0019】(9)本発明に係る電子機器は、上記光学
装置を有する。
【0020】(10)本発明に係る光学装置の製造方法
は、貫通穴が形成された基板に、光学的部分を前記貫通
穴に向けて光素子を実装し、前記基板と前記光素子との
間に光透過性のアンダーフィル材を設け、前記貫通穴に
光透過性部材を配置することを含む。
【0021】本発明によれば、光透過性部材を貫通穴に
配置するので、光学装置の薄型化・小型化・軽量化が可
能である。
【0022】(11)この光学装置の製造方法におい
て、前記光素子と前記光透過性部材との間隔を、スペー
サによって規制してもよい。
【0023】これによれば、光透過性部材が光素子と接
触することを防止することができ、光透過性部材の位置
決めが可能である。
【0024】(12)この光学装置の製造方法におい
て、前記アンダーフィル材を設けた後に、前記光透過性
部材を前記貫通穴に配置してもよい。
【0025】これによれば、貫通穴が開口した状態でア
ンダーフィル材を設けるので、空気抜きも可能であり気
泡の発生を避けられる。
【0026】(13)この光学装置の製造方法におい
て、前記光透過性部材を前記貫通穴に配置した後に、前
記アンダーフィル材を設けてもよい。
【0027】これによれば、貫通穴からのアンダーフィ
ル材の流出を防止することができる。
【0028】(14)この光学装置の製造方法におい
て、前記光素子を前記基板に実装した後に、前記光透過
性部材を前記貫通穴に配置してもよい。
【0029】これによれば、光素子を実装するときの影
響を、光透過性部材に与えなくて済む。
【0030】(15)この光学装置の製造方法におい
て、前記光透過性部材を前記貫通穴に配置した後に、前
記光素子を前記基板に実装してもよい。
【0031】これによれば、光透過性部材を貫通穴に配
置するときの影響を、光素子に与えなくて済む。
【0032】(16)本発明に係る光学装置の製造方法
は、貫通穴が形成された基板に、光学的部分を前記貫通
穴に向けて光素子を実装し、前記基板と前記光素子との
間に光透過性のアンダーフィル材を設け、前記貫通穴を
覆うように前記基板にレンズを設けることを含む。
【0033】本発明によれば、レンズによって貫通穴を
覆うので、カバーガラスが不要となり、光学装置の薄型
化・小型化・軽量化が可能である。
【0034】(17)この光学装置の製造方法におい
て、前記基板と前記レンズとの間に、スペーサを設けて
もよい。
【0035】これによれば、レンズの焦点距離等に応じ
て、レンズの位置を調整することができる。
【0036】(18)この光学装置の製造方法におい
て、前記アンダーフィル材を設けた後に、前記レンズを
設けてもよい。
【0037】これによれば、貫通穴が開口した状態でア
ンダーフィル材を設けるので、空気抜きも可能であり気
泡の発生を避けられる。
【0038】(19)この光学装置の製造方法におい
て、前記レンズを設けた後に、前記アンダーフィル材を
設けてもよい。
【0039】これによれば、貫通穴からのアンダーフィ
ル材の流出を防止することができる。
【0040】(20)この光学装置の製造方法におい
て、前記光素子を前記基板に実装した後に、前記基板に
前記レンズを設けてもよい。
【0041】これによれば、光素子を実装するときの影
響を、レンズに与えなくて済む。
【0042】(21)この光学装置の製造方法におい
て、前記基板に前記レンズを設けた後に、前記光素子を
前記基板に実装してもよい。
【0043】これによれば、基板にレンズを設けるとき
の影響を、光素子に与えなくて済む。
【0044】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について図面を参照して説明する。
【0045】(第1の実施の形態)図1は、本発明を適
用した第1の実施の形態に係る光学装置を示す図であ
る。光学装置は、少なくとも1つの(1つ又は複数の)
光素子10を有する。光学装置は、光素子10をパッケ
ージ化したものである。光素子10は、光学的部分12
を有する。光素子10は、受光素子であっても発光素子
であってもよい。光素子10が発光素子であるときは、
光学的部分12は発光部であり、光素子10が受光素子
であるときは、光学的部分12は受光部である。
【0046】本実施の形態では、光素子10は、撮像素
子(イメージセンサ)である。2次元イメージセンサで
あれば、複数の画素を構成する複数の受光部(例えばフ
ォトダイオード)が、光学的部分12である。CCD
(Charge Coupled Device)型の撮像素子であれば、図
示しない転送部を有し、各画素の受光部からの電荷を高
速で転送するようになっている。本実施の形態とは異な
り、光素子10の変形例として、面発光素子、特に面発
光レーザがある。面発光レーザなどの面発光素子は、素
子を構成する基板に対して垂直方向に光を発する。
【0047】光素子10は、外部との電気的な接続を図
るために、少なくとも1つの(本実施の形態では複数
の)バンプ14を有してもよい。例えば、光学的部分1
2が形成された面に、光素子10と外部の電気的な接続
を図るバンプ14が設けられていてもよい。バンプ14
は、他の部材との電気的な接続が可能な位置に設けられ
ている。例えば、基板20の穴24を避ける位置に、バ
ンプ14は設けられている。バンプ14は、光学的部分
12よりも突出していることが好ましい。
【0048】光学装置は、基板20を有する。基板20
は、光透過性の低い(あるいは遮光性を有する)もので
あってもよい。基板20として、シリコン基板やガラス
エポキシ基板を使用してもよいし、ポリイミド樹脂など
で形成されたフレキシブル基板やフィルムを使用しても
よいし、多層基板やビルドアップ基板を使用してもよ
い。基板20には、貫通穴24が形成されている。貫通
穴24は、光学的部分12の数と同じ数で形成されてい
る。貫通穴24は、光学的部分12を囲む大きさで形成
されている。
【0049】基板20には、配線パターン22が形成さ
れている。配線パターン22は、光素子10等にボンデ
ィングされる領域としてランドが形成されていてもよ
い。配線パターン22は、基板20の貫通穴24を避け
て形成することが好ましい。また、配線パターン22
は、電気的な接続を妨げない限り、他の部材(例えば図
示しないレジスト等)で覆われることが好ましい。図1
に示す配線パターン22は、基板20の一方の面にのみ
形成されているが、基板20の両面に形成し、スルーホ
ール(図示せず)などによって電気的に接続してもよ
い。
【0050】本実施の形態では、光素子10は、フェー
スダウン構造を形成するように基板20に実装されてい
る。光素子10のバンプ14と配線パターン22とが接
合される。必要であれば、図示しないワイヤによって、
光素子10と配線パターン22とを電気的に接続しても
よい。光素子10は、その光学的部分12と貫通穴24
とが一致するように取り付ける。すなわち、光学的部分
12を貫通穴24に向けて、光素子10は基板20に実
装されている。
【0051】光学装置は、光透過性部材30を有する。
光透過性部材30は、基板20よりも光透過性の高いも
のであってもよく、透明であってもよい。光透過性部材
30は、例えば、ガラスや樹脂(プラスチック)によっ
て形成されてなる。光透過性部材30は、基板であって
もよいし、ブロック形状をなしていてもよい。光透過性
部材30は、基板20の貫通穴24に配置されている。
詳しくは、光透過性部材30は、貫通穴24に圧入され
ていてもよいし、多少のクリアランスが形成されるよう
に配置されてもよい。光透過性部材30が貫通穴24に
配置されることで、光学装置の薄型化・小型化・軽量化
が可能である。
【0052】光透過性部材30の厚みは、基板20より
も厚ければ、貫通穴24に配置しやすい。また、基板2
0における光素子10が実装された面とは反対側の面か
ら突出しないように、光透過性部材30を設けてもよ
い。図1に示す例では、基板20の面と光透過性部材3
0の面とが面一になっている。こうすることで、光透過
性部材30による厚みの増加を避けられる。
【0053】光透過性部材30と光素子10との間には
スペーサ32を設けてもよい。スペーサ32を設けるこ
とで、光透過性部材30と光素子10との間隔を規制す
ることができ、光透過性部材30が光学的部分12に接
触することを防止できる。スペーサ32は、遮光性を有
していてもよい。また、光学的部分12を囲むようにス
ペーサ32を設けてもよい。スペーサ32及び基板20
が遮光性を有し、スペーサ32が光学的部分12を囲ん
でいれば、光素子10と基板20との間から、光学的部
分12に向けて光が入射することを防止できる。すなわ
ち、光透過性部材30のみから光学的部分12に光が入
射するようになる。
【0054】光透過性部材30と光素子10との間には
アンダーフィル材34が設けられている。アンダーフィ
ル材34は、例えば樹脂であり、接着剤であってもよ
い。アンダーフィル材34は、光透過性を有し、透明で
あることが好ましい。特に、アンダーフィル材34が光
学的部分12を覆っていることが好ましい。こうするこ
とで、光学的部分12(又は光素子10における光学的
部分12が形成された面)への水分の浸入を防止でき
る。アンダーフィル材34は、基板20と光素子10と
の間にも設けられている。そして、アンダーフィル材3
4によってフィレットが形成されている。アンダーフィ
ル材34によって、光素子10と基板20との熱膨張係
数差による応力が緩和される。
【0055】図1に示すように、外部端子36を設けて
もよい。外部端子36は、例えばハンダボールなどであ
り、配線パターン22上に設ける。あるいは、配線パタ
ーン22の一部をコネクタとしたり、配線パターン22
にコネクタを実装してもよい。
【0056】本実施の形態に係る光学装置は、上述した
ように構成されており、以下その製造方法について説明
する。光学装置の製造方法では、貫通穴24が形成され
た基板20に、光学的部分12を貫通穴24に向けて光
素子10を実装する。また、基板20と光素子10との
間に光透過性のアンダーフィル材34を設ける。また、
貫通穴24に光透過性部材30を配置する。例えば、次
の形態がある。
【0057】(1)光素子10を基板20に実装して、
アンダーフィル材34を設け、その後に、光透過性部材
30を貫通穴24に配置する。この場合、光透過性部材
30は、クリアランスを以って貫通穴24に配置できる
ように、貫通穴24よりも小さいことが好ましい。そし
て、光透過性部材30を、貫通穴24内において、アン
ダーフィル材34に接着させる。これによれば、貫通穴
24が開口した状態でアンダーフィル材34を設けるの
で、その空気抜きが可能であり気泡の発生を避けられ
る。また、光素子10を基板20に実装した後に、光透
過性部材30を設けるので、光素子10を実装するとき
の影響を、光透過性部材30に与えなくて済む。
【0058】(2)光素子10を基板20に実装し、光
透過性部材30を貫通穴24に配置した後に、アンダー
フィル材34を設ける。この場合、光透過性部材30を
支持するために、光素子10にスペーサ32を設けてお
くことが好ましい。これによれば、貫通穴24を光透過
性部材30によって塞いでからアンダーフィル材34を
設けるので、貫通穴24からのアンダーフィル材34の
流出を防止することができる。また、光素子10を基板
20に実装した後に、光透過性部材30を設けるので、
光素子10を実装するときの影響を、光透過性部材30
に与えなくて済む。
【0059】(3)光透過性部材30を貫通穴24に配
置した後に、光素子10を基板20に実装し、その後、
アンダーフィル材34を設ける。この場合、光透過性部
材30を貫通穴24内に固定することが好ましい。これ
によれば、貫通穴24を光透過性部材30によって塞い
でからアンダーフィル材34を設けるので、貫通穴24
からのアンダーフィル材34の流出を防止することがで
きる。また、光透過性部材30を貫通穴24に配置した
後に、光素子10を基板20に実装するので、光透過性
部材30を貫通穴24に配置するときの影響を、光素子
10に与えなくて済む。
【0060】(4)光透過性部材30を貫通穴24に配
置し、アンダーフィル材34を設けた後に、光素子10
を基板20に実装する。この場合、アンダーフィル材3
4は、貫通穴24に配置された光透過性部材30及び光
素子10の少なくとも一方の上に設ける。また、光透過
性部材30を貫通穴24内に固定することが好ましい。
これによれば、貫通穴24を光透過性部材30によって
塞いでからアンダーフィル材34を設けるので、貫通穴
24からのアンダーフィル材34の流出を防止すること
ができる。また、光透過性部材30を貫通穴24に配置
した後に、光素子10を基板20に実装するので、光透
過性部材30を貫通穴24に配置するときの影響を、光
素子10に与えなくて済む。
【0061】以上説明した方法によって、薄型・小型・
軽量の光学装置を製造することができる。本発明は、上
記実施の形態に限定されるものではない。以下、その他
の実施の形態を説明する。
【0062】(第2の実施の形態)図2は、本発明を適
用した第2の実施の形態に係る光学装置を示す図であ
る。本実施の形態では、光透過性部材40がレンズ形状
をなしている。図2に示す例では外部端子が設けられて
いないが、これを設けてもよい。これ以外の構成及び製
造方法には、第1の実施の形態で説明した内容が該当す
る。本実施の形態によれば、光透過性部材40に入射し
た光を集光させることができる。光透過性部材40の位
置を正確に合わせるために、スペーサ32を設けること
が好ましい。そして、スペーサ32よりも内側に光を集
光させることが好ましい。本実施の形態でも、第1の実
施の形態で説明した効果を達成することができる。
【0063】(第3の実施の形態)図3は、本発明を適
用した第3の実施の形態に係る光学装置を示す図であ
る。本実施の形態に係る光学装置は、光透過性部材とし
てのレンズ50を有するので、光の集光が可能である。
また、レンズ50は、基板20の貫通穴24よりも大き
い。レンズ50は、貫通穴24を覆うように基板20に
設けられている。アンダーフィル材34は、基板20と
光素子10との間及びレンズ50と光素子10との間に
設けられている。なお、レンズ50と基板20との接着
には、図3に示すようにアンダーフィル材34を使用し
てもよいし、これとは別の接着剤を使用してもよい。本
実施の形態では、外部端子が設けられておらず、スペー
サも設けられていないが、これらを設けてもよい。これ
以外の構成には、第1の実施の形態で説明した内容を適
用することができる。本実施の形態によれば、レンズ5
0によって貫通穴24を塞いでいるので、カバーガラス
が不要であり、光学装置の薄型化・小型化・軽量化が可
能である。
【0064】本実施の形態に係る光学装置の製造方法で
は、第1の実施の形態と比べて、貫通穴24に光透過性
部材30を配置する代わりに、基板20にレンズ50を
設ける。その詳細については、第1の実施の形態で説明
した内容を適用することができる。
【0065】本実施の形態の変形例として、図4に示す
ように、レンズ50と基板20との間にスペーサ52を
設けてもよい。スペーサ52によって、焦点距離に応じ
た位置にレンズ50を設けることができる。
【0066】(第4の実施の形態)図5は、本発明を適
用した第4の実施の形態に係る光学装置を示す図であ
る。本実施の形態に係る光学装置では、基板60に、光
素子10に加えて少なくとも1つの(1つ又は複数の)
電子部品70が実装されている。電子部品70は、受動
素子(抵抗器、コンデンサ、インダクタ等)、能動素子
(半導体素子、集積回路等)、接続部品(スイッチ、配
線板等)、機能部品(フィルタ、発信子、遅延線等)、
変換部品(センサ等)のいずれであってもよい。電子部
品70は、光素子10を駆動するドライバーICであっ
てもよい。図5に示す電子部品70は、表面実装部品で
あるが、リード部品であってもよい。電子部品70の実
装形態は、特に限定されず、フェースダウン構造又はフ
ェースアップ構造のいずれを構成してもよい。配線パタ
ーン62は、光素子10と電子部品70とを電気的に接
続している。
【0067】図5に示すように、基板60は屈曲してい
てもよい。その場合には、基板60としてフレキシブル
基板を使用してもよい。また、光素子10と電子部品7
0とが接着されていてもよい。例えば、光素子10にお
ける基板60に実装される面とは反対側の面と、電子部
品70における基板60に実装される面とは反対側の面
を接着する。あるいは、基板60を屈曲させて、対面す
る部分を接着し、基板60の屈曲状態を維持してもよ
い。接着には、接着剤を使用してもよい。
【0068】本実施の形態においては、第1〜3の実施
の形態で説明した内容を適用することができる。本実施
の形態に係る光学装置も、薄型化・小型化・軽量化が可
能である。
【0069】図6には、本発明を適用した光学装置を有
する電子機器の一例として、デジタルカメラ100が示
されている。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明を適用した第1の実施の形態に
係る光学装置を示す図である。
【図2】図2は、本発明を適用した第2の実施の形態に
係る光学装置を示す図である。
【図3】図3は、本発明を適用した第3の実施の形態に
係る光学装置を示す図である。
【図4】図4は、本発明を適用した第3の実施の形態の
変形例を示す図である。
【図5】図5は、本発明を適用した第4の実施の形態に
係る光学装置を示す図である。
【図6】図6は、本発明を適用した光学装置を有する電
子機器を示す図である。
【符号の説明】
10 光素子 12 光学的部分 20 基板 24 貫通穴 30 光透過性部材 32 スペーサ 34 アンダーフィル材 40 光透過性部材 50 レンズ 52 スペーサ 60 基板 62 配線パターン 70 電子部品 100 電子機器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 31/02 H01L 27/14 D 5F088 33/00 25/04 Z H01S 5/022 31/02 B H04N 5/335 Fターム(参考) 4M118 AA08 AA10 AB01 BA10 CA02 GD03 GD07 HA23 HA25 HA27 HA31 5C024 CY47 CY48 EX23 EX43 5F041 AA47 DA20 DA35 DA39 DA43 EE17 5F044 KK01 KK02 KK03 KK07 LL13 LL17 QQ00 QQ03 RR16 5F073 AB16 AB17 FA08 FA15 FA29 5F088 BA15 BA16 JA06 JA09 JA12 JA20

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 貫通穴が形成された基板と、 光学的部分を前記貫通穴に向けて前記基板に実装された
    光素子と、 前記貫通穴に配置された光透過性部材と、 を有する光学装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の光学装置において、 前記基板と前記光素子との間及び前記光透過性部材と前
    記光素子との間に光透過性のアンダーフィル材が設けら
    れてなる光学装置。
  3. 【請求項3】 請求項1又は請求項2記載の光学装置に
    おいて、 前記光素子と前記光透過性部材との間にはスペーサが介
    在している光学装置。
  4. 【請求項4】 請求項1から請求項3のいずれかに記載
    の光学装置において、 前記光透過性部材は、レンズ形状をなしている光学装
    置。
  5. 【請求項5】 貫通穴が形成された基板と、 光学的部分を前記貫通穴に向けて前記基板に実装された
    光素子と、 前記貫通穴を覆うように前記基板に設けられたレンズ
    と、 を有する光学装置。
  6. 【請求項6】 請求項5記載の光学装置において、 前記基板と前記光素子との間及び前記レンズと前記光素
    子との間に光透過性のアンダーフィル材が設けられてな
    る光学装置。
  7. 【請求項7】 請求項5又は請求項6記載の光学装置に
    おいて、 前記基板と前記レンズとの間にスペーサが介在している
    光学装置。
  8. 【請求項8】 請求項1から請求項7のいずれかに記載
    の光学装置において、 前記基板に、前記光素子の他に電子部品が実装されてな
    る光学装置。
  9. 【請求項9】 請求項1から請求項8のいずれかに記載
    の光学装置を有する電子機器。
  10. 【請求項10】 貫通穴が形成された基板に、光学的部
    分を前記貫通穴に向けて光素子を実装し、 前記基板と前記光素子との間に光透過性のアンダーフィ
    ル材を設け、 前記貫通穴に光透過性部材を配置することを含む光学装
    置の製造方法。
  11. 【請求項11】 請求項10記載の光学装置の製造方法
    において、 前記光素子と前記光透過性部材との間隔を、スペーサに
    よって規制する光学装置の製造方法。
  12. 【請求項12】 請求項10又は請求項11記載の光学
    装置の製造方法において、 前記アンダーフィル材を設けた後に、前記光透過性部材
    を前記貫通穴に配置する光学装置の製造方法。
  13. 【請求項13】 請求項10又は請求項11記載の光学
    装置の製造方法において、 前記光透過性部材を前記貫通穴に配置した後に、前記ア
    ンダーフィル材を設ける光学装置の製造方法。
  14. 【請求項14】 請求項10から請求項13のいずれか
    に記載の光学装置の製造方法において、 前記光素子を前記基板に実装した後に、前記光透過性部
    材を前記貫通穴に配置する光学装置の製造方法。
  15. 【請求項15】 請求項10から請求項13のいずれか
    に記載の光学装置の製造方法において、 前記光透過性部材を前記貫通穴に配置した後に、前記光
    素子を前記基板に実装する光学装置の製造方法。
  16. 【請求項16】 貫通穴が形成された基板に、光学的部
    分を前記貫通穴に向けて光素子を実装し、 前記基板と前記光素子との間に光透過性のアンダーフィ
    ル材を設け、 前記貫通穴を覆うように前記基板にレンズを設けること
    を含む光学装置の製造方法。
  17. 【請求項17】 請求項16記載の光学装置の製造方法
    において、 前記基板と前記レンズとの間に、スペーサを設ける光学
    装置の製造方法。
  18. 【請求項18】 請求項16又は請求項17記載の光学
    装置の製造方法において、 前記アンダーフィル材を設けた後に、前記レンズを設け
    る光学装置の製造方法。
  19. 【請求項19】 請求項16又は請求項17記載の光学
    装置の製造方法において、 前記レンズを設けた後に、前記アンダーフィル材を設け
    る光学装置の製造方法。
  20. 【請求項20】 請求項16から請求項19のいずれか
    に記載の光学装置の製造方法において、 前記光素子を前記基板に実装した後に、前記基板に前記
    レンズを設ける光学装置の製造方法。
  21. 【請求項21】 請求項16から請求項19のいずれか
    に記載の光学装置の製造方法において、 前記基板に前記レンズを設けた後に、前記光素子を前記
    基板に実装する光学装置の製造方法。
JP2000395112A 2000-12-26 2000-12-26 光学装置及びその製造方法並びに電子機器 Expired - Fee Related JP3738824B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000395112A JP3738824B2 (ja) 2000-12-26 2000-12-26 光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US10/032,227 US6765236B2 (en) 2000-12-26 2001-12-21 Optical device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus
CNB011338431A CN1182584C (zh) 2000-12-26 2001-12-25 光学装置及其制造方法以及电子装置
US10/865,247 US7524391B2 (en) 2000-12-26 2004-06-10 Optical device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000395112A JP3738824B2 (ja) 2000-12-26 2000-12-26 光学装置及びその製造方法並びに電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002198502A true JP2002198502A (ja) 2002-07-12
JP3738824B2 JP3738824B2 (ja) 2006-01-25

Family

ID=18860629

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000395112A Expired - Fee Related JP3738824B2 (ja) 2000-12-26 2000-12-26 光学装置及びその製造方法並びに電子機器

Country Status (3)

Country Link
US (2) US6765236B2 (ja)
JP (1) JP3738824B2 (ja)
CN (1) CN1182584C (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005116628A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP2005268567A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板およびその製造方法
WO2005109513A1 (en) * 2004-05-06 2005-11-17 Optopac, Inc. Electronic package having a patterned layer on backside of its substrate, and the fabrication thereof
JP2005538545A (ja) * 2002-09-09 2005-12-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法
JP2006128431A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Dainippon Printing Co Ltd センサーパッケージおよびその製造方法
JP2006186044A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Rohm Co Ltd 光半導体装置
JP2007507879A (ja) * 2003-10-01 2007-03-29 オプトパック、インコーポレイテッド 光検出用半導体装置の電子パッケージおよびそのパッケージング方法
JP2007523473A (ja) * 2004-01-15 2007-08-16 オプトパック、インコーポレイテッド 移動電話カメラモジュールにあるフォトイメージセンサー電子パッケージ及びその製造と組立体
JP2007329430A (ja) * 2006-06-09 2007-12-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体サブモジュールおよび光半導体サブモジュール製造方法
JP2008147502A (ja) * 2006-12-12 2008-06-26 Omron Corp 光電センサ
JP2008270476A (ja) * 2007-04-19 2008-11-06 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2013011568A (ja) * 2011-06-30 2013-01-17 Seiko Instruments Inc 光センサ装置
JP2013110164A (ja) * 2011-11-17 2013-06-06 Seiko Instruments Inc 光センサ装置
JP2018088545A (ja) * 2011-06-30 2018-06-07 ムラタ エレクトロニクス オサケユキチュア システムインパッケージデバイスを製造する方法、および、システムインパッケージデバイス
JP2018157245A (ja) * 2017-03-15 2018-10-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 カメラモジュール及びその製造方法、並びに、電子機器
US10700110B2 (en) 2018-01-19 2020-06-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Fan-out sensor package

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3738824B2 (ja) 2000-12-26 2006-01-25 セイコーエプソン株式会社 光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP3867785B2 (ja) * 2002-10-15 2007-01-10 セイコーエプソン株式会社 光モジュール
JP2004241695A (ja) * 2003-02-07 2004-08-26 Seiko Epson Corp 光デバイスの製造方法
US6984866B1 (en) * 2003-03-17 2006-01-10 National Semiconductor Corporation Flip chip optical semiconductor on a PCB
JP4160851B2 (ja) * 2003-03-31 2008-10-08 富士通株式会社 指紋認識用半導体装置
DE10344762B4 (de) * 2003-09-26 2006-06-29 Siemens Ag Optisches Modul mit auf der sensitiven Fläche abgestützter Linseneinheit und optisches System
US7612390B2 (en) * 2004-02-05 2009-11-03 Cree, Inc. Heterojunction transistors including energy barriers
US7355284B2 (en) * 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
US7632713B2 (en) * 2004-04-27 2009-12-15 Aptina Imaging Corporation Methods of packaging microelectronic imaging devices
US7294827B2 (en) * 2004-09-21 2007-11-13 Delphi Technologies, Inc. Electronic module with light-blocking features
JP4324081B2 (ja) * 2004-11-22 2009-09-02 パナソニック株式会社 光学デバイス
DE102005002352A1 (de) * 2005-01-18 2006-07-27 Vishay Semiconductor Gmbh Infrarot-Transceiver und Herstellungsverfahren
JP2006245246A (ja) * 2005-03-02 2006-09-14 Sharp Corp 固体撮像装置
US7417221B2 (en) * 2005-09-08 2008-08-26 Gentex Corporation Automotive vehicle image sensor
KR100836658B1 (ko) 2005-10-11 2008-06-10 삼성전기주식회사 광 변조기 모듈 패키지 및 그 제조 방법
EP1958270A1 (en) * 2005-12-02 2008-08-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting diode module
JP2009538531A (ja) * 2006-05-23 2009-11-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置、および、製造方法
JP4490406B2 (ja) * 2006-10-11 2010-06-23 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
US7781852B1 (en) * 2006-12-05 2010-08-24 Amkor Technology, Inc. Membrane die attach circuit element package and method therefor
WO2008073400A1 (en) 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
US20100315546A1 (en) * 2007-02-21 2010-12-16 Masashi Saito Imaging Device and Manufacturing method therefor
CH713513B1 (fr) * 2007-02-22 2018-08-31 Em Microelectronic Marin Sa Module optoélectronique muni d'au moins un circuit photorécepteur.
CN101304640B (zh) * 2007-05-09 2011-03-30 深圳富泰宏精密工业有限公司 电子产品的壳体及其制造方法
CN101316486B (zh) 2007-06-01 2012-01-25 深圳富泰宏精密工业有限公司 电子产品的壳体及其制造方法
JP5431320B2 (ja) 2007-07-17 2014-03-05 クリー インコーポレイテッド 内部光学機能を備えた光学素子およびその製造方法
DE102007057240A1 (de) * 2007-11-28 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anordnung mit einem Licht emittierendem Modul und einem flexiblen Leitungsträger
US8138027B2 (en) * 2008-03-07 2012-03-20 Stats Chippac, Ltd. Optical semiconductor device having pre-molded leadframe with window and method therefor
US8171625B1 (en) * 2008-06-02 2012-05-08 Wavefront Research, Inc. Method of providing low footprint optical interconnect
JP2010161303A (ja) * 2009-01-09 2010-07-22 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および灯具ユニット
DE102009005709A1 (de) * 2009-01-22 2010-07-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
US8319247B2 (en) 2010-03-25 2012-11-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Carrier for a light emitting device
US8486761B2 (en) * 2010-03-25 2013-07-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Hybrid combination of substrate and carrier mounted light emitting devices
KR20110130851A (ko) * 2010-05-28 2011-12-06 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법
KR101208600B1 (ko) * 2010-11-30 2012-12-06 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈과 그 제조방법
CN102565965B (zh) * 2010-12-07 2014-04-02 中国科学院微电子研究所 一种叠层高密度光模块
US20120305526A1 (en) * 2011-06-03 2012-12-06 Himax Technologies Limited Method of wet etching substrates for forming through holes to embed wafer level optical lens modules
CN102866438B (zh) * 2011-07-06 2015-06-03 奇景光电股份有限公司 湿蚀刻基板的方法
US8952402B2 (en) 2011-08-26 2015-02-10 Micron Technology, Inc. Solid-state radiation transducer devices having flip-chip mounted solid-state radiation transducers and associated systems and methods
DE102014110067A1 (de) * 2014-07-17 2016-01-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
CN105047621A (zh) * 2015-06-26 2015-11-11 华天科技(西安)有限公司 一种传感芯片封装结构及其制备方法
CN106303143B (zh) * 2016-09-28 2019-09-06 威海华菱光电股份有限公司 透光结构、图像信号接收单元和图像读取装置
DE102016124270A1 (de) * 2016-12-13 2018-06-14 Infineon Technologies Ag Halbleiter-package und verfahren zum fertigen eines halbleiter-package
DE102017113375A1 (de) * 2017-06-19 2018-12-20 Schreiner Group Gmbh & Co. Kg Folienaufbau mit Erzeugen von sichtbarem Licht mittels LED-Technologie
DE102017113380A1 (de) * 2017-06-19 2018-12-20 Schreiner Group Gmbh & Co. Kg Folienaufbau mit Erzeugen von sichtbarem Licht mittels LED-Technologie
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2002A (en) * 1841-03-12 Tor and planter for plowing
US3283207A (en) * 1963-05-27 1966-11-01 Ibm Light-emitting transistor system
FR1519635A (fr) * 1966-12-28 1968-04-05 Radiotechnique Coprim Rtc Perfectionnement aux dispositifs semi-conducteurs électroluminescents
JPS5469448A (en) * 1977-11-14 1979-06-04 Minolta Camera Co Ltd Reflection optical system having masking and production of the same
JPH02278872A (ja) 1989-04-20 1990-11-15 Ibiden Co Ltd 画像センサー
JP3045556B2 (ja) 1991-03-19 2000-05-29 富士通株式会社 光結合装置の製造方法
JPH05259420A (ja) 1992-03-13 1993-10-08 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPH05259482A (ja) 1992-03-13 1993-10-08 Fujitsu Ltd 光半導体素子用パッケージ
JPH05335601A (ja) 1992-05-27 1993-12-17 Canon Inc 光半導体デバイス
JPH07114291A (ja) 1993-10-20 1995-05-02 Ricoh Co Ltd 電子写真記録装置
US5824236A (en) * 1996-03-11 1998-10-20 Eastman Kodak Company Method for forming inorganic lens array for solid state imager
JPH11121653A (ja) 1997-07-31 1999-04-30 Fuji Film Microdevices Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JP3755708B2 (ja) 1998-07-08 2006-03-15 株式会社西部技研 ガス吸着素子およびガス吸着装置
JP3531908B2 (ja) 1999-02-17 2004-05-31 キヤノン株式会社 撮像装置、放射線検出装置および画像処理システム
JP2001059923A (ja) * 1999-06-16 2001-03-06 Seiko Epson Corp 光モジュール及びその製造方法、半導体装置並びに光伝達装置
EP1119058A4 (en) * 1999-07-29 2006-08-23 Citizen Electronics LIGHT-EMITTING DIODE
JP4125848B2 (ja) * 1999-12-17 2008-07-30 ローム株式会社 ケース付チップ型発光装置
JP3738824B2 (ja) * 2000-12-26 2006-01-25 セイコーエプソン株式会社 光学装置及びその製造方法並びに電子機器

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005538545A (ja) * 2002-09-09 2005-12-15 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 半導体デバイスおよび半導体デバイスの製造方法
JP2010283380A (ja) * 2003-10-01 2010-12-16 Optopac Inc 光検出用半導体装置の電子パッケージおよびそのパッケージング方法
JP2007507879A (ja) * 2003-10-01 2007-03-29 オプトパック、インコーポレイテッド 光検出用半導体装置の電子パッケージおよびそのパッケージング方法
JP2005116628A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP2007523473A (ja) * 2004-01-15 2007-08-16 オプトパック、インコーポレイテッド 移動電話カメラモジュールにあるフォトイメージセンサー電子パッケージ及びその製造と組立体
JP2005268567A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板およびその製造方法
KR100839975B1 (ko) * 2004-05-06 2008-06-19 옵토팩 주식회사 기판의 배면 상에 패터닝된 층을 갖는 전자 패키지 및 그제조방법
WO2005109513A1 (en) * 2004-05-06 2005-11-17 Optopac, Inc. Electronic package having a patterned layer on backside of its substrate, and the fabrication thereof
JP4537828B2 (ja) * 2004-10-29 2010-09-08 大日本印刷株式会社 センサーパッケージおよびその製造方法
JP2006128431A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Dainippon Printing Co Ltd センサーパッケージおよびその製造方法
JP2006186044A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Rohm Co Ltd 光半導体装置
JP4708014B2 (ja) * 2004-12-27 2011-06-22 ローム株式会社 光半導体装置
JP2007329430A (ja) * 2006-06-09 2007-12-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光半導体サブモジュールおよび光半導体サブモジュール製造方法
JP2008147502A (ja) * 2006-12-12 2008-06-26 Omron Corp 光電センサ
USRE47188E1 (en) 2007-04-19 2019-01-01 Sony Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2008270476A (ja) * 2007-04-19 2008-11-06 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
US8450752B2 (en) 2007-04-19 2013-05-28 Sony Corporation Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2013011568A (ja) * 2011-06-30 2013-01-17 Seiko Instruments Inc 光センサ装置
JP2018088545A (ja) * 2011-06-30 2018-06-07 ムラタ エレクトロニクス オサケユキチュア システムインパッケージデバイスを製造する方法、および、システムインパッケージデバイス
JP2013110164A (ja) * 2011-11-17 2013-06-06 Seiko Instruments Inc 光センサ装置
JP2018157245A (ja) * 2017-03-15 2018-10-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 カメラモジュール及びその製造方法、並びに、電子機器
CN110431666A (zh) * 2017-03-15 2019-11-08 索尼半导体解决方案公司 相机模块及其制造方法以及电子装置
US11614606B2 (en) 2017-03-15 2023-03-28 Sony Semiconductor Solutions Corporation Camera module, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
CN110431666B (zh) * 2017-03-15 2023-10-20 索尼半导体解决方案公司 相机模块及其制造方法以及电子装置
US10700110B2 (en) 2018-01-19 2020-06-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Fan-out sensor package
US10998362B2 (en) 2018-01-19 2021-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Fan-out sensor package

Also Published As

Publication number Publication date
US7524391B2 (en) 2009-04-28
CN1361553A (zh) 2002-07-31
US20040232572A1 (en) 2004-11-25
JP3738824B2 (ja) 2006-01-25
US6765236B2 (en) 2004-07-20
US20020088987A1 (en) 2002-07-11
CN1182584C (zh) 2004-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3738824B2 (ja) 光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US6396116B1 (en) Integrated circuit packaging for optical sensor devices
US6882020B2 (en) Camera module
US20060016973A1 (en) Multi-chip image sensor package module
US20070152345A1 (en) Stacked chip packaging structure
JP2008258949A (ja) 固体撮像装置
CN108391451B (zh) 图像拾取元件封装件及其制造方法、图像拾取装置
WO2011080952A1 (ja) 素子搭載用基板、半導体モジュール、カメラモジュールおよび素子搭載用基板の製造方法
JP2003179217A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JP4174664B2 (ja) 光モジュール及びその製造方法並びに電子機器
JP4318338B2 (ja) 固体撮像装置およびその実装方法
JP2004274164A (ja) 光モジュール及びその製造方法並びに電子機器
JP5045952B2 (ja) 光デバイス、光モジュール及び電子機器
JP4292383B2 (ja) 光デバイスの製造方法
KR100630705B1 (ko) 카메라 모듈 및 그 제조방법
JP3503467B2 (ja) カメラ
JP4145619B2 (ja) 光モジュール及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP2000332225A (ja) 撮像装置
JP2008166521A (ja) 固体撮像装置
JP4138436B2 (ja) 光モジュール、回路基板及び電子機器
JP2004221876A (ja) 光モジュール及びその製造方法並びに電子機器
JP2004282227A (ja) 光モジュール及びその製造方法並びに電子機器
JPH04167494A (ja) 半導体装置
JP2003259169A (ja) 電子機器、撮像モジュール、および実装方法
JP2003060180A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050204

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050412

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050602

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050706

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20050714

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050824

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050915

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051012

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051025

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091111

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091111

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101111

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101111

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111111

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111111

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121111

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121111

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131111

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees