JP2006245246A - 固体撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 従来に比較して厚さが薄い固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 配線基板２と、該配線基板２に固定された固体撮像素子１３と、該固体撮像素子１３に撮像面（有効画素領域面）１４を覆うようにして固定された透光性蓋部１７とを有する固体撮像装置において、前記配線基板２は厚さ方向に貫通する孔３を有し、該孔３に前記透光性蓋部１７の少なくとも一部が嵌入され、前記配線基板２の接続端子９と前記固体撮像素子１３の接続端子１５とが接続されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、光学装置用モジュールの構成部品として好適な固体撮像装置に関する。
従来の固体撮像装置として特許文献１に示すものが知られている。
即ち、配線基板上にＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等の固体撮像素子が撮像面と反対側の面で固定され、該固体撮像素子の撮像面を覆う透光性蓋部が固体撮像素子に接着層を介して固定されている。前記配線基板の複数の接続端子と前記固体撮像素子の複数の接続端子とがワイヤにより接続されている。
特開２００４−２９６４５３号公報
前記従来の固体撮像装置に対して薄型化が望まれていた。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、主たる目的は、配線基板に孔を形成し、該孔に透光性蓋部の少なくとも一部が嵌入状態となるようにして、従来に比較して薄い固体撮像装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、配線基板の孔内に固体撮像素子の少なくとも一部が嵌入状態となるようにすることにより、配線基板によって固体撮像素子の保護機能を高めた固体撮像装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、封止材によって強度を高められた固体撮像装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、孔内に他の電子部品の少なくとも一部が嵌入状態となるようにすることにより、配線基板によって電子部品の保護機能を高めた固体撮像装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、封止材によって強度を高められた電子部品を含む固体撮像装置を提供することにある。
本発明は前記目的を達成するために以下の如き手段を採用した。
本発明に係る固体撮像装置は、配線基板と、該配線基板に固定された固体撮像素子と、該固体撮像素子に撮像面を覆うようにして固定された透光性蓋部とを有する固体撮像装置において、前記配線基板は厚さ方向に貫通する孔を有し、該孔に前記透光性蓋部の少なくとも一部が嵌入され、前記配線基板の接続端子と前記固体撮像素子の接続端子とが接続されていることを特徴とする。
本発明に係る固体撮像装置は、前記孔の内側面に前記配線基板の一面側に臨み且つ配線基板の接続端子を有する平坦面が形成され、該平坦面に前記固体撮像素子が固定されていることを特徴とする。
本発明に係る固体撮像装置は、前記固体撮像素子及び透光性蓋部の側面と前記孔の内側面との間に形成された空間に封止材が充填されていることを特徴とする。
本発明に係る固体撮像装置は、前記孔の内側面に前記配線基板の一面側に臨み且つ配線基板の接続端子を有する段違いの２つの平坦面が形成され、奥側の平坦面に前記固体撮像素子が固定され、前記一面に近い側の平坦面に電子部品が固定され、該電子部品の接続端子と前記配線基板の接続端子とが接続されていることを特徴とする。
本発明に係る固体撮像装置は、前記電子部品及び透光性蓋部の側面と前記孔の内側面との間に形成された空間に封止材が充填されていることを特徴とする。
本発明によれば、配線基板の孔に透光性蓋部の少なくとも一部が嵌入されているので、従来に比較して薄い固体撮像装置を得ることが出来る。また、配線基板の接続端子と固体撮像素子の接続端子とが接続されているので、ワイヤボンディングによる接続の問題を一掃することが出来る。
本発明によれば、孔内に固体撮像素子の少なくとも一部が嵌入された状態となるので、配線基板によって固体撮像素子の保護を図ることが出来る。
本発明によれば、封止材によって固体撮像装置の全体の強度を高めることが出来る。
本発明によれば、孔内に電子部品の少なくとも一部が嵌入された状態となるので、配線基板によって電子部品の保護を図ることが出来る。
本発明によれば、封止材によって電子部品を含む固体撮像装置の全体の強度を高めることが出来る。
以下に本発明の実施の形態を説明する。
［第１の実施の形態］
図１は本発明の第１の実施の形態を示す模式的縦端面図、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線矢視図、図３は図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視図である。図１及び図２に示すごとく、導体配線（図示略）が施された平面視矩形の配線基板２の中央部には厚さ方向に貫通する平面視矩形の孔３が形成されている。該孔３の内側面４に、前記配線基板２の下面と平行な平坦面６を有する段部７が形成されている。該孔３の平面視形状は透光性蓋部１７が嵌まる大きさであり、同底面視形状は固体撮像素子１３が嵌まる大きさである。図３に示すごとく、前記平坦面６に複数の接続端子９が適宜間隔で設けられ、また、前記配線基板２の下面にも外部装置との接続のための複数の接続端子１０が適宜間隔で設けられている。前記接続端子９及び接続端子１０は、それぞれに対応した前記配線基板２の導体配線に接続されている。
前記配線基板２の平坦面６の各接続端子９と該接続端子９に対向する固体撮像素子１３の上面の周縁部の接続端子１５とがバンプ２０を介してフリップチップボンディングにより接続されている。このような構成により前記平坦面６に前記固体撮像素子１３が固定されている。前記固体撮像素子１３としては、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＭＯＳイメージセンサ等を挙げることが出来る。前記固体撮像素子１３は孔３内に嵌入した状態にあるが、固体撮像素子１３の一部が孔３内に嵌入するようにしてもよい。前記固体撮像素子１３は平面視矩形であり、平面視矩形の撮像面（有効画素領域面）１４は上方を向いている。前記撮像面１４を覆うようにして、該撮像面１４を塵埃から保護すると共に光学的なフィルタ機能を有する平面視矩形の透光性蓋部１７が、固体撮像素子１３の上面の接着層１８を介して固定されている。前記透光性蓋部１７は撮像面１４より大きな平面視形状を有している。前記接着層１８は前記透光性蓋部１７の全周縁に設けられている。前記透光性蓋部１７は孔３に嵌入した状態にあるが、透光性蓋部１７の一部が孔３内に嵌入するようにしてもよい。
［第２の実施の形態］
図４は本発明の第２の実施の形態を示す模式的縦端面図、図５は図４のＶ−Ｖ線矢視図、図６は図４のＶＩ−ＶＩ線矢視図である。図４〜図６に示すごとく、配線基板２の孔３の全内側面４に、前記配線基板２の下面と平行で且つ配線基板２の接続端子９を有する第１平坦面２３を備えた第１段部２４が形成されている。該第１段部２４の上側に位置するようにして前記配線基板２の下面と平行で且つ配線基板２の接続端子９を有する第２平坦面２６を備えた第２段部２７が設けられている。
前記第２平坦面２６に固体撮像素子１３が透光蓋部１７を上に向けるようにして対向させられ、前記第２平坦面２６の各接続端子９と該接続端子９に対向する前記固体撮像素子１３の接続端子１５とがバンプ２０を介してフリップチップボンディングにより接続されている。
前記第１平坦面２３の接続端子９と該接続端子９に対向する他の電子部品２９の上面の周縁部の接続端子３０とがバンプ２０を介してフリップチップボンディングにより接続されている。このような構成により前記配線基板２の第１平坦面２３に前記電子部品２９が固定されている。前記電子部品２９としては、デジタルシグナルプロセッサ、ＣＣＤイメージセンサ用のドライブ回路、外付けフィルタ回路の抵抗、コンデンサ等を挙げることが出来る。前記電子部品２９は平面視矩形である。本実施の形態においても、前記透光性蓋部１７は孔３に嵌入した状態にあり、前記電子部品２９は孔３に嵌入した状態にある。なお、前記電子部品２９の一部が孔３内に嵌入するようにしてもよい。
［第３の実施の形態］
図７は本発明の第３の実施の形態を示す模式的縦端面図である。図７に示すごとく、固体撮像素子１３の側面、接着層１８の外側面及び透光性蓋部１７の側面と孔３の内側面４との間に形成された空間に合成樹脂からなる封止材３２が充填されている。その他の構成は第１の実施の形態の構成と同様であるため、同様の構成については同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。前記封止材３２はバンプ２０の保護を図り、また、固体撮像装置の全体の強度を高める。
［第４の実施の形態］
図８は本発明の第４の実施の形態を示す模式的縦端面図である。図８に示すごとく、電子部品２９の側面と孔３の内側面４との間に形成された空間に封止材３２が充填されている。また、接着層１８の外側面及び透光性蓋部１７の側面と孔３の内側面４との間に形成された空間に封止材３２が充填されている。その他の構成は第２の実施の形態の構成と同様であるため、同様の構成については同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。前記封止材３２はバンプ２０の保護を図り、また、固体撮像装置の全体の強度を高める。
本発明の第１の実施の形態を示す模式的縦端面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線矢視図である。 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視図である。 本発明の第２の実施の形態を示す模式的縦端面図である。 図４のＶ−Ｖ線矢視図である。 図４のＶＩ−ＶＩ線矢視図である。 本発明の第３の実施の形態を示す模式的縦端面図である。 本発明の第４の実施の形態を示す模式的縦端面図である。
符号の説明
２ 配線基板
３ 孔
９ 接続端子
１３ 固体撮像素子
１４ 撮像面
１７ 透光性蓋部

Claims (5)

  1. 配線基板と、該配線基板に固定された固体撮像素子と、該固体撮像素子に撮像面を覆うようにして固定された透光性蓋部とを有する固体撮像装置において、前記配線基板は厚さ方向に貫通する孔を有し、該孔に前記透光性蓋部の少なくとも一部が嵌入され、前記配線基板の接続端子と前記固体撮像素子の接続端子とが接続されていることを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記孔の内側面に、前記配線基板の一面側に臨み且つ配線基板の接続端子を有する平坦面が形成され、該平坦面に前記固体撮像素子が固定されている請求項１記載の固体撮像装置。
  3. 前記固体撮像素子及び透光性蓋部の側面と前記孔の内側面との間に形成された空間に封止材が充填されている請求項２記載の固体撮像装置。
  4. 前記孔の内側面に、前記配線基板の一面側に臨み且つ配線基板の接続端子を有する段違いの２つの平坦面が形成され、奥側の平坦面に前記固体撮像素子が固定され、前記一面に近い側の平坦面に電子部品が固定され、該電子部品の接続端子と前記配線基板の接続端子とが接続されている請求項１記載の固体撮像装置。
  5. 前記電子部品及び透光性蓋部の側面と前記孔の内側面との間に形成された空間に封止材が充填されている請求項４記載の固体撮像装置。
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TW095107023A TWI302742B (en) 2005-03-02 2006-03-02 Solid-state image sensing device
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100824997B1 (ko) 2006-11-24 2008-04-24 테라셈 주식회사 이미지 센서용 반도체칩 패키지 제조방법
JP2008199031A (ja) * 2007-02-15 2008-08-28 Robert Bosch Gmbh 構成素子アッセンブリ
KR101026829B1 (ko) 2009-07-09 2011-04-06 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈 및 그 제조 방법
JP2011210808A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Casio Computer Co Ltd 半導体構成体及び半導体装置
US8071415B2 (en) 2009-03-27 2011-12-06 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device
JP2012039547A (ja) * 2010-08-11 2012-02-23 Nikon Corp 撮像素子ユニットおよび撮像装置
WO2012067373A2 (en) * 2010-11-16 2012-05-24 Lg Innotek Co., Ltd. Camera module
US8233064B2 (en) 2007-12-03 2012-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup apparatus, method of manufacturing the same, and electronic device including the same
WO2012067377A3 (en) * 2010-11-18 2012-09-20 Lg Innotek Co., Ltd. Camera module and method for manufacturing the same
JP2021073520A (ja) * 2016-02-18 2021-05-13 ニンボー サニー オプテック カンパニー，リミテッド 一体パッケージングプロセスベースのカメラモジュール、その一体ベース部品、およびその製造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7663095B2 (en) * 2007-09-20 2010-02-16 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Photodetector with embedded infrared filter
JP2009239898A (ja) * 2008-03-06 2009-10-15 Nec Electronics Corp 固体撮像装置および固体撮像装置用パッケージ
CN102379039B (zh) * 2009-11-26 2015-04-01 京瓷株式会社 配线基板及摄像装置以及摄像装置模块
WO2012124183A1 (ja) * 2011-03-11 2012-09-20 富士フイルム株式会社 撮像装置およびその動作制御方法
JP6817321B2 (ja) * 2015-11-13 2021-01-20 ▲寧▼波舜宇光▲電▼信息有限公司 カメラモジュール及びその電気支持体と組立方法
CN105611135B (zh) * 2015-11-13 2019-03-19 宁波舜宇光电信息有限公司 系统级摄像模组及其电气支架和制造方法
CN107644883B (zh) * 2016-07-21 2019-12-31 许志行 可携式电子装置及其影像获取模块

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5952714A (en) * 1995-08-02 1999-09-14 Matsushita Electronics Corporation Solid-state image sensing apparatus and manufacturing method thereof
US6566745B1 (en) * 1999-03-29 2003-05-20 Imec Vzw Image sensor ball grid array package and the fabrication thereof
JP4004705B2 (ja) * 2000-02-29 2007-11-07 松下電器産業株式会社 撮像装置と撮像装置組立方法
JP2001358997A (ja) * 2000-06-12 2001-12-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2002043451A (ja) * 2000-07-24 2002-02-08 Kyocera Corp 半導体装置
JP3738824B2 (ja) * 2000-12-26 2006-01-25 セイコーエプソン株式会社 光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP3646933B2 (ja) * 2001-11-22 2005-05-11 松下電器産業株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US6784534B1 (en) * 2002-02-06 2004-08-31 Amkor Technology, Inc. Thin integrated circuit package having an optically transparent window
JP4184125B2 (ja) * 2002-04-26 2008-11-19 富士フイルム株式会社 撮像素子チップモジュール
US7274094B2 (en) * 2002-08-28 2007-09-25 Micron Technology, Inc. Leadless packaging for image sensor devices
US6696738B1 (en) * 2002-11-12 2004-02-24 Kingpak Technology Inc. Miniaturized image sensor
KR100502212B1 (ko) * 2003-01-04 2005-07-19 김영호 이미지 센서 및 그 제조방법
JP2004296453A (ja) 2003-02-06 2004-10-21 Sharp Corp 固体撮像装置、半導体ウエハ、光学装置用モジュール、固体撮像装置の製造方法及び光学装置用モジュールの製造方法
JP4303610B2 (ja) * 2003-05-19 2009-07-29 富士フイルム株式会社 多層配線基板、部品実装方法、及び、撮像装置
US7645635B2 (en) * 2004-08-16 2010-01-12 Micron Technology, Inc. Frame structure and semiconductor attach process for use therewith for fabrication of image sensor packages and the like, and resulting packages

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100824997B1 (ko) 2006-11-24 2008-04-24 테라셈 주식회사 이미지 센서용 반도체칩 패키지 제조방법
JP2008199031A (ja) * 2007-02-15 2008-08-28 Robert Bosch Gmbh 構成素子アッセンブリ
US8233064B2 (en) 2007-12-03 2012-07-31 Sharp Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup apparatus, method of manufacturing the same, and electronic device including the same
US8071415B2 (en) 2009-03-27 2011-12-06 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device
KR101026829B1 (ko) 2009-07-09 2011-04-06 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈 및 그 제조 방법
JP2011210808A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Casio Computer Co Ltd 半導体構成体及び半導体装置
JP2012039547A (ja) * 2010-08-11 2012-02-23 Nikon Corp 撮像素子ユニットおよび撮像装置
WO2012067373A2 (en) * 2010-11-16 2012-05-24 Lg Innotek Co., Ltd. Camera module
WO2012067373A3 (en) * 2010-11-16 2012-09-20 Lg Innotek Co., Ltd. Camera module
US9386199B2 (en) 2010-11-16 2016-07-05 Lg Innotek Co., Ltd. Camera module
WO2012067377A3 (en) * 2010-11-18 2012-09-20 Lg Innotek Co., Ltd. Camera module and method for manufacturing the same
US9392147B2 (en) 2010-11-18 2016-07-12 Lg Innotek Co., Ltd. Camera module having elastic stiffening material for efficient shock absorbing property and method for manufacturing the same
JP2021073520A (ja) * 2016-02-18 2021-05-13 ニンボー サニー オプテック カンパニー，リミテッド 一体パッケージングプロセスベースのカメラモジュール、その一体ベース部品、およびその製造方法
US11877044B2 (en) 2016-02-18 2024-01-16 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Integral packaging process-based camera module, integral base component of same, and manufacturing method thereof

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