JPH1131756A - Bga型半導体装置 - Google Patents
Bga型半導体装置Info
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- JPH1131756A JPH1131756A JP18505897A JP18505897A JPH1131756A JP H1131756 A JPH1131756 A JP H1131756A JP 18505897 A JP18505897 A JP 18505897A JP 18505897 A JP18505897 A JP 18505897A JP H1131756 A JPH1131756 A JP H1131756A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
を形成し、該溝中にパワーリングを収納したことを特徴
とするBGA型半導体装置を提供せんとするものであ
る。
Description
装置に関する。
に示すように、基板101 のチップ102周辺に2個のパワ
ーリング103,104 が形成されており、1個はグランドに
つながるグランド用のパワーリング103 であり、他方は
電源につながる電源用パワーリング104 であり、これら
のパワーリング103,104 はチップ102 との間にワイヤー
ボンディングがなされている。また、チップ102 とイン
ナーリード105 との間にも他のワイヤーボンディングが
なされている。
線で示すように、BGA型半導体装置100 の製造過程に
おけるワイヤーボンディング時及びモールディング工程
時に、モールド樹脂106のモールド時圧力や重み等によ
り、チップ102 に結線したワイヤー107 が倒伏したり変
形したりして、他のワイヤー107 や他のパワーリング10
3,104 と干渉して、製品不良を生起するおそれがあっ
た。
置においては、低ループワイヤーボンディングが必要と
なるため、外側のパワーリング104 にワイヤーボンディ
ングした際に、ワイヤー107 が下方に垂れて内側のパワ
ーリング103 に干渉するおそれが多い。
プ周辺に環状溝を形成し、該溝中にパワーリングを収納
したことを特徴とするBGA型半導体装置を提供せんと
するものである。
に環状溝を形成し、該溝中にパワーリングを収納し、チ
ップとの間のワイヤーボンディングをするものであるた
め、パワーリングが溝中に内蔵され、基板面より一段低
位置にあることになる。
ルドした際の樹脂圧力により、ワイヤーが垂れても、隣
接した他のパワーリングに干渉するおそれがない。
を参照して具体的に説明する。
1及び図2に示すように、略正方形の基板2の表面上の
中央にチップ3をAgペーストを介して固着し、同チップ
3の周辺に2本の矩形枠状の環状溝5,6 を形成し、内側
の環状溝5にグランド用のパワーリング7を収納する一
方、外側の環状溝6に電源用のパワーリング8を収納
し、各パワーリング7,8 とチップ3とを金素材のボンデ
ィングワイヤー9により接続している。
グランド用のパワーリング7を形成することにより、ノ
イズの浸入を遮蔽している。また、広幅のグランド用及
び電源用のパワーリング7,8 を形成することにより、グ
ランドライン及び電源ラインの電気抵抗を可及的に減少
させている。
状溝6の周辺に複数のボンディングパッド10を矩形枠状
に配列し、各ボンディングパッド10とチップ3とをボン
ディングワイヤー9により接続し、さらに、モールド樹
脂4によりチップ3を密封している。一方、基板2の裏
面に複数の半田ボール12を溶着固定し、同半田ボール12
と前記ボンディングパッド10とをそれぞれ基板2上に形
成したインナーリード13及びスルーホール14を介して接
続している。図中、15はレジスト層である。
により矩形枠状に刻設することによって形成し、さら
に、同環状溝5,6 の底面にパワーリングをアディティブ
法によりインナーリード13とともに一括して形成してい
る。
るとともに、同環状溝5,6 の底面にグランド用及び電源
用のパワーリング7,8 をそれぞれ形成しているため、パ
ワーリング7,8 が環状溝5,6 中に内蔵され、基板2の表
面より一段低い位置にあることになる。
チップ3をモールド樹脂4で密封するモールド工程にお
いて、モールド圧が外側のパワーリング8に接続したボ
ンディングワイヤー9に掛かっても、ボンディングワイ
ヤー9が環状溝6のエッジに支えられるため、ボンディ
ングワイヤー9が垂れにくい構造となっている。
ー9が垂れたとしても、パワーリング7が基板2の表面
より一段低い位置にあるため、ボンディングワイヤー9
とパワーリング7とが干渉することはない。従って、電
源ラインとグランドラインとの短絡に起因して漏電や発
熱等を引き起こすといった製造不良を防止することがで
きる。
ルド工程におけるモールド圧でボンディングパッド10に
接続したボンディングワイヤー9が垂れても、基板2の
表面より一段低い位置にあるパワーリング7,8 と干渉す
ることがない。従って、BGA型半導体装置1の製造に
際して、製造不良を防止でき、歩留りを向上させること
ができる。
環状溝を形成し、該溝中にパワーリングを収納したため
に、ワイヤーボンディング時やモールド時に、外側のパ
ワーリングとチップとの間にボンディングしたワイヤー
が垂れても基板面より一段低い位置にある他の内側のパ
ワーリングと干渉することがなく、更には、他のワイヤ
ー同志との干渉も防止することができる効果がある。
Claims (1)
- 【請求項1】 基板のチップ周辺に環状溝を形成し、該
溝中にパワーリングを収納したことを特徴とするBGA
型半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18505897A JP3723324B2 (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | Bga型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18505897A JP3723324B2 (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | Bga型半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1131756A true JPH1131756A (ja) | 1999-02-02 |
JP3723324B2 JP3723324B2 (ja) | 2005-12-07 |
Family
ID=16164076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18505897A Expired - Lifetime JP3723324B2 (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | Bga型半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3723324B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001143886A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Asahi National Lighting Co Ltd | 放電灯点灯装置 |
US6441502B2 (en) * | 1999-12-24 | 2002-08-27 | Dainippon Printing Co., Ltd. | Member for mounting of semiconductor |
US6707145B2 (en) * | 2000-12-29 | 2004-03-16 | Intel Corporation | Efficient multiple power and ground distribution of SMT IC packages |
-
1997
- 1997-07-10 JP JP18505897A patent/JP3723324B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001143886A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Asahi National Lighting Co Ltd | 放電灯点灯装置 |
US6441502B2 (en) * | 1999-12-24 | 2002-08-27 | Dainippon Printing Co., Ltd. | Member for mounting of semiconductor |
US6707145B2 (en) * | 2000-12-29 | 2004-03-16 | Intel Corporation | Efficient multiple power and ground distribution of SMT IC packages |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3723324B2 (ja) | 2005-12-07 |
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