JPH09116251A - 半導体ベアチップの取付方法および取付構造 - Google Patents
半導体ベアチップの取付方法および取付構造Info
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体ベアチップは、薄くかつ細片のため、バ
ンプ形成時あるいは回路基板への取付時に位置決めが難
しかった。また、回路基板に取付た半導体ベアチップは
損傷しやすい不具合があった。 【解決手段】 半導体ベアチップ５の多数個を大版のフ
ィルムに貼付けて、ベアチップ固定用の面積を大きくし
バンプ１５を形成する。また、大版のフィルムから、こ
のベアチップ５の背面よりもはみ出す大きさのフィルム
１０を貼設した状態でこのフィルム１０を打ち抜き、ベ
アチップ５の保持面積を大きくする。半導体ベアチップ
５の背面を覆うように貼設された小片フィルム１０と、
この小片フィルム１０と回路基板１８との間に介在され
た樹脂封脂剤２５とによって、半導体ベアチップ５の保
護を図る。
ンプ形成時あるいは回路基板への取付時に位置決めが難
しかった。また、回路基板に取付た半導体ベアチップは
損傷しやすい不具合があった。 【解決手段】 半導体ベアチップ５の多数個を大版のフ
ィルムに貼付けて、ベアチップ固定用の面積を大きくし
バンプ１５を形成する。また、大版のフィルムから、こ
のベアチップ５の背面よりもはみ出す大きさのフィルム
１０を貼設した状態でこのフィルム１０を打ち抜き、ベ
アチップ５の保持面積を大きくする。半導体ベアチップ
５の背面を覆うように貼設された小片フィルム１０と、
この小片フィルム１０と回路基板１８との間に介在され
た樹脂封脂剤２５とによって、半導体ベアチップ５の保
護を図る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板上に半導
体ベアチップを取り付ける方法、いわゆる半導体ベアチ
ップの実装方法およびその取付構造に関する。
体ベアチップを取り付ける方法、いわゆる半導体ベアチ
ップの実装方法およびその取付構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】回路基板上での高密度化に伴って半導体
ベアチップを直接に回路基板に実装する実装方法が知ら
れている。前記半導体ベアチップ実装の場合は、図１０
で示すように、集積回路（不図示）が形成された裸のシ
リコンチップ素子１０１（以下、シリコンチップに限ら
ず、他のＩＣチップも含めて半導体ベアチップという）
上の電極部（各電極部間のピッチＰは１２０〜２００μ
ｍが多い）に、金または半田（ソルダ）等で突起１０２
を形成し、この半導体ベアチップ１０３の突起１０２を
回路基板１０４上の電極パターン１０５と合わせた後
に、半導体ベアチップ１０３を回路基板１０４に装着す
る。
ベアチップを直接に回路基板に実装する実装方法が知ら
れている。前記半導体ベアチップ実装の場合は、図１０
で示すように、集積回路（不図示）が形成された裸のシ
リコンチップ素子１０１（以下、シリコンチップに限ら
ず、他のＩＣチップも含めて半導体ベアチップという）
上の電極部（各電極部間のピッチＰは１２０〜２００μ
ｍが多い）に、金または半田（ソルダ）等で突起１０２
を形成し、この半導体ベアチップ１０３の突起１０２を
回路基板１０４上の電極パターン１０５と合わせた後
に、半導体ベアチップ１０３を回路基板１０４に装着す
る。
【０００３】前記電極パターン１０５と半導体ベアチッ
プ１０３の突起１０２との接合は、両者を導電性接着剤
を用いて接合する、あるいは金と金との当接時の拡散を
利用した金属結合によって接合する、あるいは加熱によ
って半田を溶融するとともにこの半田の固化によって接
合する等、種々の接合方法が採用されている。その後、
半導体ベアチップ１０３と回路基板１０４との接合強度
を高めるため、および接合部分の汚染防止等のために、
図１１に示すように、半導体ベアチップ１０３の周囲を
樹脂（いわゆる樹脂封止剤）１０６により封止して実装
が完成する。
プ１０３の突起１０２との接合は、両者を導電性接着剤
を用いて接合する、あるいは金と金との当接時の拡散を
利用した金属結合によって接合する、あるいは加熱によ
って半田を溶融するとともにこの半田の固化によって接
合する等、種々の接合方法が採用されている。その後、
半導体ベアチップ１０３と回路基板１０４との接合強度
を高めるため、および接合部分の汚染防止等のために、
図１１に示すように、半導体ベアチップ１０３の周囲を
樹脂（いわゆる樹脂封止剤）１０６により封止して実装
が完成する。
【０００４】このような実装方法によって、半導体ベア
チップの多数を回路基板に取り付け、電子部品の高密度
化、高集積化を図っている。
チップの多数を回路基板に取り付け、電子部品の高密度
化、高集積化を図っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来技術においては、半導体ベアチップ上に金等の突起を
形成する際に、あるいは、回路基板に半導体ベアチップ
を装着する際に、該チップを１個ずつ位置決め固定する
必要が有るが、半導体ベアチップは薄くかつ細片である
為に位置決め固定が困難であり、またチップの背面が露
出しているので他の電気部品等と接融して破損しやすい
等の不具合があった。
来技術においては、半導体ベアチップ上に金等の突起を
形成する際に、あるいは、回路基板に半導体ベアチップ
を装着する際に、該チップを１個ずつ位置決め固定する
必要が有るが、半導体ベアチップは薄くかつ細片である
為に位置決め固定が困難であり、またチップの背面が露
出しているので他の電気部品等と接融して破損しやすい
等の不具合があった。
【０００６】さらに、前記回路基板が柔軟性や屈曲性を
有するフレキシブル配線板等の場合、半導体ベアチップ
の外周縁と樹脂との境界部（接融部）にクラック（図１
１においてＡ部分）が入ることがあり、この防止のため
に半導体ベアチップの背面（上面）上に樹脂封止剤を盛
り上げてクラックを防止するとともに強度を増すように
すると、薄形で高密度化できるという半導体ベアチップ
の優位性が損なわれるという不具合があった。
有するフレキシブル配線板等の場合、半導体ベアチップ
の外周縁と樹脂との境界部（接融部）にクラック（図１
１においてＡ部分）が入ることがあり、この防止のため
に半導体ベアチップの背面（上面）上に樹脂封止剤を盛
り上げてクラックを防止するとともに強度を増すように
すると、薄形で高密度化できるという半導体ベアチップ
の優位性が損なわれるという不具合があった。
【０００７】本発明は、上記不具合を鑑みてなされたも
のであって、半導体ベアチップ上に金等の突起を形成す
る工程あるいは半導体ベアチップを回路基板に装着する
工程での半導体ベアチップの位置決め固定を容易にし、
薄形で高密度化できるとともに十分な実装強度が得られ
る半導体ベアチップの取り付け方法を提供することを目
的とする。
のであって、半導体ベアチップ上に金等の突起を形成す
る工程あるいは半導体ベアチップを回路基板に装着する
工程での半導体ベアチップの位置決め固定を容易にし、
薄形で高密度化できるとともに十分な実装強度が得られ
る半導体ベアチップの取り付け方法を提供することを目
的とする。
【０００８】また、半導体ベアチップの回路基板への取
り付けに際し、薄形で高密度化できるとともに十分な実
装強度が得られる半導体ベアチップの取り付け構造を提
供することを目的とする。
り付けに際し、薄形で高密度化できるとともに十分な実
装強度が得られる半導体ベアチップの取り付け構造を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１は、半
導体ベアチップを回路基板に取り付ける取付方法におい
て、半導体ベアチップの集積回路形成面と面対向する背
面を該背面を覆う大きさの大版フィルムに多数個貼り付
ける工程、前記大版フィルムから半導体ベアチップの背
面を覆う大きさ（すなわち背面よりはみ出して覆う大き
さ）で小片フィルムを打ち抜く工程、前記小片フィルム
に貼設した半導体ベアチップの電極部と回路基板の接続
端子とを導電性物質を介在させて位置決めし接合する工
程、前記導電性物質により半導体ベアチップと回路基板
とを接続した後に該回路基板と前記小片フィルムとの間
に非導電性物質を注入し半導体ベアチップを封止して硬
化する工程、とを有する。
導体ベアチップを回路基板に取り付ける取付方法におい
て、半導体ベアチップの集積回路形成面と面対向する背
面を該背面を覆う大きさの大版フィルムに多数個貼り付
ける工程、前記大版フィルムから半導体ベアチップの背
面を覆う大きさ（すなわち背面よりはみ出して覆う大き
さ）で小片フィルムを打ち抜く工程、前記小片フィルム
に貼設した半導体ベアチップの電極部と回路基板の接続
端子とを導電性物質を介在させて位置決めし接合する工
程、前記導電性物質により半導体ベアチップと回路基板
とを接続した後に該回路基板と前記小片フィルムとの間
に非導電性物質を注入し半導体ベアチップを封止して硬
化する工程、とを有する。
【００１０】本発明の請求項２は、半導体ベアチップを
回路基板に取り付ける取付方法において、半導体ベアチ
ップの集積回路形成面と面対向する背面を該背面を覆う
大きさの大版フィルムに多数個貼り付ける工程、半導体
ベアチップを多数個貼り付けた大版フィルムを固定して
各半導体ベアチップの集積回路の電極部に導電性の突起
を形成する工程、前記大版フィルムから半導体ベアチッ
プの背面を覆う大きさ（すなわち背面よりはみ出して覆
う大きさ）で小片フィルムを打ち抜く工程、前記小片フ
ィルムに貼設した半導体ベアチップの導電性の突起と前
記回路基板の接続端子との間に導電性物質を介在させて
位置決めし接合する工程、前記導電性物質により半導体
ベアチップと回路基板とを接続した後に該回路基板と前
記小片フィルムとの間に非導電性物質を注入し半導体ベ
アチップを封止して硬化する工程、とを有する。前記請
求項２における半導体ベアチップの集積回路の電極部に
導電性の突起を形成する工程では、Ａｕ、Ｃｕまたは半
田バンプの形成もしくは導電性粒子の付着が行われる。
回路基板に取り付ける取付方法において、半導体ベアチ
ップの集積回路形成面と面対向する背面を該背面を覆う
大きさの大版フィルムに多数個貼り付ける工程、半導体
ベアチップを多数個貼り付けた大版フィルムを固定して
各半導体ベアチップの集積回路の電極部に導電性の突起
を形成する工程、前記大版フィルムから半導体ベアチッ
プの背面を覆う大きさ（すなわち背面よりはみ出して覆
う大きさ）で小片フィルムを打ち抜く工程、前記小片フ
ィルムに貼設した半導体ベアチップの導電性の突起と前
記回路基板の接続端子との間に導電性物質を介在させて
位置決めし接合する工程、前記導電性物質により半導体
ベアチップと回路基板とを接続した後に該回路基板と前
記小片フィルムとの間に非導電性物質を注入し半導体ベ
アチップを封止して硬化する工程、とを有する。前記請
求項２における半導体ベアチップの集積回路の電極部に
導電性の突起を形成する工程では、Ａｕ、Ｃｕまたは半
田バンプの形成もしくは導電性粒子の付着が行われる。
【００１１】本発明の請求項３は、集積回路を形成した
半導体ベアチップを回路基板に取り付ける取付構造にお
いて、半導体ベアチップの電極部と回路基板の接続端子
とを接続する導電性物質と、前記半導体ベアチップの集
積回路形成面と面対向する背面に該背面を覆う大きさ
（すなわち背面よりもはみ出して覆う大きさ）で貼設さ
れたフィルムと、前記半導体ベアチップを封止するよう
に前記フィルムと回路基板との間に介在された樹脂封止
剤とからなる構造とする。
半導体ベアチップを回路基板に取り付ける取付構造にお
いて、半導体ベアチップの電極部と回路基板の接続端子
とを接続する導電性物質と、前記半導体ベアチップの集
積回路形成面と面対向する背面に該背面を覆う大きさ
（すなわち背面よりもはみ出して覆う大きさ）で貼設さ
れたフィルムと、前記半導体ベアチップを封止するよう
に前記フィルムと回路基板との間に介在された樹脂封止
剤とからなる構造とする。
【００１２】
【作用】請求項１の構成によると、半導体ベアチップの
背面に該背面を覆う大きさ（すなわち、背面よりはみ出
して覆い、背面の面積よりも大きな面積となる）の小片
フィルムを貼設した状態にてこの半導体ベアチップを搬
送し位置決めをして回路基板に装着し接合するで、半導
体ベアチップが薄くかつ細片であっても、位置決め固定
が容易に行えるようになる。
背面に該背面を覆う大きさ（すなわち、背面よりはみ出
して覆い、背面の面積よりも大きな面積となる）の小片
フィルムを貼設した状態にてこの半導体ベアチップを搬
送し位置決めをして回路基板に装着し接合するで、半導
体ベアチップが薄くかつ細片であっても、位置決め固定
が容易に行えるようになる。
【００１３】請求項２の構成によると、半導体ベアチッ
プの背面を該背面を覆う大きさの大版フィルムに多数個
貼り付けて固定し前記各半導体ベアチップの電極部に導
電性の突起を形成するので、半導体ベアチップが薄くか
つ細片であっても位置決め固定が容易に行えるようにな
り、また突起形成の効率化が図れるようになり、かつ、
半導体ベアチップの背面に該背面を覆う大きさ（すなわ
ち、背面よりはみ出して覆い、背面の面積よりも大きな
面積となる）の小片フィルムを貼付した状態にて半導体
ベアチップを位置決めして回路基板に接合するので、こ
の際にも位置決め固定が容易に行えるようになる。
プの背面を該背面を覆う大きさの大版フィルムに多数個
貼り付けて固定し前記各半導体ベアチップの電極部に導
電性の突起を形成するので、半導体ベアチップが薄くか
つ細片であっても位置決め固定が容易に行えるようにな
り、また突起形成の効率化が図れるようになり、かつ、
半導体ベアチップの背面に該背面を覆う大きさ（すなわ
ち、背面よりはみ出して覆い、背面の面積よりも大きな
面積となる）の小片フィルムを貼付した状態にて半導体
ベアチップを位置決めして回路基板に接合するので、こ
の際にも位置決め固定が容易に行えるようになる。
【００１４】請求項３の構成によると、半導体ベアチッ
プの背面に該背面を覆う大きさ（すなわち、背面よりは
み出して覆い、背面の面積よりも大きな面積となる）で
貼着されたフィルムがあり、このフィルムと回路基板と
の間に前記半導体ベアチップを封止するように樹脂封止
剤が介在されているので、半導体ベアチップの背面がフ
ィルムにて保護され、破損やクラック発生が防止される
とともにフィルムが薄いことによって薄形化が図れた状
態となっている。
プの背面に該背面を覆う大きさ（すなわち、背面よりは
み出して覆い、背面の面積よりも大きな面積となる）で
貼着されたフィルムがあり、このフィルムと回路基板と
の間に前記半導体ベアチップを封止するように樹脂封止
剤が介在されているので、半導体ベアチップの背面がフ
ィルムにて保護され、破損やクラック発生が防止される
とともにフィルムが薄いことによって薄形化が図れた状
態となっている。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。なお、各実施の形態において、同一構成の
要素部材には同一符号を付して説明する。 （実施の形態１）図１ないし図６は、半導体ベアチップ
の取付方法の工程を説明するための説明図、図７は前記
工程によって得られる半導体ベアチップの取付構造を説
明するための断面図である。
て説明する。なお、各実施の形態において、同一構成の
要素部材には同一符号を付して説明する。 （実施の形態１）図１ないし図６は、半導体ベアチップ
の取付方法の工程を説明するための説明図、図７は前記
工程によって得られる半導体ベアチップの取付構造を説
明するための断面図である。
【００１６】図１に示すように、フィルム材１として、
大版のポリイミド樹脂製フィルム２（厚さは約２５μ
ｍ）に接着剤層としてエポキシ樹脂３（厚さは約２５μ
ｍ）を塗布した、全体の厚さが約５０μｍ程度のものを
準備し、これを膜載台４の上に配置する。次で、半導体
ベアチップとして集積回路（ＩＣ）が形成された裸のシ
リコンチップ素子を用い、この半導体ベアチップ５（以
下、単にベアチップという）の供給部（不図示）から前
記集積回路面を上にしてベアチップ５を吸着ヘッドに吸
着し、そしてこの吸着ヘッドに内蔵の加熱手段によっ
て、ベアチップの耐熱温度範囲内の温度（例えば１６０
℃〜１８０℃）で加熱し搬送して、前記集積回路面を上
に向けて前記フィルム材１上に載置する。この載置に際
し、フィルム材１の各外縁から約１mm程度以上離すとと
もに隣接するベアチップ５とは約２mm程度離して整然と
並べる。
大版のポリイミド樹脂製フィルム２（厚さは約２５μ
ｍ）に接着剤層としてエポキシ樹脂３（厚さは約２５μ
ｍ）を塗布した、全体の厚さが約５０μｍ程度のものを
準備し、これを膜載台４の上に配置する。次で、半導体
ベアチップとして集積回路（ＩＣ）が形成された裸のシ
リコンチップ素子を用い、この半導体ベアチップ５（以
下、単にベアチップという）の供給部（不図示）から前
記集積回路面を上にしてベアチップ５を吸着ヘッドに吸
着し、そしてこの吸着ヘッドに内蔵の加熱手段によっ
て、ベアチップの耐熱温度範囲内の温度（例えば１６０
℃〜１８０℃）で加熱し搬送して、前記集積回路面を上
に向けて前記フィルム材１上に載置する。この載置に際
し、フィルム材１の各外縁から約１mm程度以上離すとと
もに隣接するベアチップ５とは約２mm程度離して整然と
並べる。
【００１７】前記ベアチップ５の加熱によって、ベアチ
ップ５をフィルム材１上の所定の位置に数秒にて固定す
ることができる。次いで、ベアチップ５が配列されたフ
ィルム材１を図２に示すように該フィルム材１の下面全
面を吸着可能な径２mm程度の多数の孔７を配したパレッ
ト８に載置すると共に、吸引（吸引装置は不図示）によ
ってこのフィルム材１を固定しながら、ワイヤボンダー
装置（不図示）に投入し、各ベアチップ５の電極部の上
に金バンプ（導電性の突起）１５を一括して形成する。
その後、パレット８をワイヤボンダー装置から取り出す
とともにこのパレット８を、回路基板としての例えば、
フレキシブル回路基板への実装位置（取り付け位置）へ
搬送する。
ップ５をフィルム材１上の所定の位置に数秒にて固定す
ることができる。次いで、ベアチップ５が配列されたフ
ィルム材１を図２に示すように該フィルム材１の下面全
面を吸着可能な径２mm程度の多数の孔７を配したパレッ
ト８に載置すると共に、吸引（吸引装置は不図示）によ
ってこのフィルム材１を固定しながら、ワイヤボンダー
装置（不図示）に投入し、各ベアチップ５の電極部の上
に金バンプ（導電性の突起）１５を一括して形成する。
その後、パレット８をワイヤボンダー装置から取り出す
とともにこのパレット８を、回路基板としての例えば、
フレキシブル回路基板への実装位置（取り付け位置）へ
搬送する。
【００１８】そして、フレキシブル回路基板への実装に
当たって、刃型（あるいは切断用のレーザー光線）によ
りベアチップ５の周囲にフィルム材を１mm程度残して１
個ずつ打ち抜く（図３参照）とともに、この打ち抜かれ
た小片のフィルム材１０が貼着された状態のベアチップ
５を第１の吸着パット９により吸着して持ち上げ、この
ベアチップ５の回路面を下側にするために、第２の吸着
パッド（不図示）によって小片の打ち抜きフィルム材１
０側を吸着して保持し、上下反転する。次いで図４に示
すように第２の吸着パッド１２で小片のフィルム材１０
側を吸着保持した状態で、約０．０４mmの厚さに延ばし
たペースト状の導電性接着剤１４の上に前記ベアチップ
５の金バンプ１５を押し付け、全部の金バンプ（突起）
１５の先端にペースト状の導電性接着剤１４を塗布す
る。
当たって、刃型（あるいは切断用のレーザー光線）によ
りベアチップ５の周囲にフィルム材を１mm程度残して１
個ずつ打ち抜く（図３参照）とともに、この打ち抜かれ
た小片のフィルム材１０が貼着された状態のベアチップ
５を第１の吸着パット９により吸着して持ち上げ、この
ベアチップ５の回路面を下側にするために、第２の吸着
パッド（不図示）によって小片の打ち抜きフィルム材１
０側を吸着して保持し、上下反転する。次いで図４に示
すように第２の吸着パッド１２で小片のフィルム材１０
側を吸着保持した状態で、約０．０４mmの厚さに延ばし
たペースト状の導電性接着剤１４の上に前記ベアチップ
５の金バンプ１５を押し付け、全部の金バンプ（突起）
１５の先端にペースト状の導電性接着剤１４を塗布す
る。
【００１９】次いで、このベアチップ５を前記第２の吸
着パッド１２によりフレキシブル回路基板１８の上方に
搬送し、加熱装置を内蔵する載置台２０上のフレキシブ
ル回路基板１８の所定の位置に対して位置合わせを行
い、装着する。このベアチップ５のフレキシブル回路基
板への装着後、金バンプとフレキシブル回路基板の配線
との間に介在するペースト状の導電性接着剤１４を基板
下面からヒーターを当接させて１６０℃で１０秒程度の
加熱を行い、硬化速度を速くして硬化する。
着パッド１２によりフレキシブル回路基板１８の上方に
搬送し、加熱装置を内蔵する載置台２０上のフレキシブ
ル回路基板１８の所定の位置に対して位置合わせを行
い、装着する。このベアチップ５のフレキシブル回路基
板への装着後、金バンプとフレキシブル回路基板の配線
との間に介在するペースト状の導電性接着剤１４を基板
下面からヒーターを当接させて１６０℃で１０秒程度の
加熱を行い、硬化速度を速くして硬化する。
【００２０】次いで、図５に示すように、フレキシブル
回路基板１８を載置した載置台２０によって、フレキシ
ブル回路基板１８を約９５℃に加熱するとともにフレキ
シブル回路基板１８とベアチップ５の上面に貼り付いた
小片のフィルム材１０との間に、樹脂封止剤としての導
電性を有しない熱硬化型のエポキシ樹脂２２を、樹脂吐
出用シリンジ２４を介して一箇所から注入する。
回路基板１８を載置した載置台２０によって、フレキシ
ブル回路基板１８を約９５℃に加熱するとともにフレキ
シブル回路基板１８とベアチップ５の上面に貼り付いた
小片のフィルム材１０との間に、樹脂封止剤としての導
電性を有しない熱硬化型のエポキシ樹脂２２を、樹脂吐
出用シリンジ２４を介して一箇所から注入する。
【００２１】注入されたエポキシ樹脂２２は、フレキシ
ブル回路基板１８の加熱によって流動性が高められるの
で、この樹脂２２は、ベアチップ５の背面からはみ出た
フィルム材１０とフレキシブル回路基板１８との間を、
ベアチップ５を回り込む様にしてかつフィルム材１０と
基板１８との間の空気を押し出す様にして、すばやく浸
透する（図６）。
ブル回路基板１８の加熱によって流動性が高められるの
で、この樹脂２２は、ベアチップ５の背面からはみ出た
フィルム材１０とフレキシブル回路基板１８との間を、
ベアチップ５を回り込む様にしてかつフィルム材１０と
基板１８との間の空気を押し出す様にして、すばやく浸
透する（図６）。
【００２２】エポキシ樹脂２２の硬化後、図７に示すよ
うにベアチップ５の外周縁５ａと樹脂封止材２５との境
界部（図７のＡ部分）は、ベアチップの背面を覆う大き
さの小片のフィルム材１０によって覆われ、この小片の
フィルム材１０にて補強された構成となる。なお、上記
の説明において、大版のフィルム材１上に載置するベア
チップ５の供給部に関しては、積回路が形成された円盤
状のシリコンウェハからダイシングにより切り離した個
々のシリコンチップ（あるいは他の材料からなるチッ
プ）を、直接用いてもよい。また、ダイシングにより切
り離した個々のベアチップを１個ずつバラ入れするよう
に区分けされたトレーに収納した後、このトレーから１
個ずつ搬出して用いてもよい。
うにベアチップ５の外周縁５ａと樹脂封止材２５との境
界部（図７のＡ部分）は、ベアチップの背面を覆う大き
さの小片のフィルム材１０によって覆われ、この小片の
フィルム材１０にて補強された構成となる。なお、上記
の説明において、大版のフィルム材１上に載置するベア
チップ５の供給部に関しては、積回路が形成された円盤
状のシリコンウェハからダイシングにより切り離した個
々のシリコンチップ（あるいは他の材料からなるチッ
プ）を、直接用いてもよい。また、ダイシングにより切
り離した個々のベアチップを１個ずつバラ入れするよう
に区分けされたトレーに収納した後、このトレーから１
個ずつ搬出して用いてもよい。
【００２３】以上述べたように、実施の形態１における
ベアチップの取り付け方法によれば、ベアチップに金
（あるいは半田等）のバンプ（導電性の突起）を形成す
る際に、ベアチップが多数個フィルム材上に配列して固
定されているので、ベアチップの位置決め固定が容易で
あり、一度に（または連続して）バンプの形成ができる
から、作業時間の短縮が図ることができる。また、ベア
チップの背面にフィルム材が貼設されていると、樹脂封
止材がフィルム材と回路基板との間ですばやく短時間で
浸透するので、作業時間の短縮を図ることができる。
ベアチップの取り付け方法によれば、ベアチップに金
（あるいは半田等）のバンプ（導電性の突起）を形成す
る際に、ベアチップが多数個フィルム材上に配列して固
定されているので、ベアチップの位置決め固定が容易で
あり、一度に（または連続して）バンプの形成ができる
から、作業時間の短縮が図ることができる。また、ベア
チップの背面にフィルム材が貼設されていると、樹脂封
止材がフィルム材と回路基板との間ですばやく短時間で
浸透するので、作業時間の短縮を図ることができる。
【００２４】またベアチップを回路基板に固定した後、
ベアチップの背面がフィルム材で保護されているから、
他の電気部品等と接触したときに破損しにくくなる。ま
た、ベアチップの外周縁と樹脂封止剤との境界部がフィ
ルム材で連接されているので、フレキシブル回路基板が
屈曲して（即ちしなりが生じて）もクラックが入らず、
しかも樹脂封止剤を盛り付けることなく薄いフィルム材
のみで補強できるので、全体として薄形化が図れる。
ベアチップの背面がフィルム材で保護されているから、
他の電気部品等と接触したときに破損しにくくなる。ま
た、ベアチップの外周縁と樹脂封止剤との境界部がフィ
ルム材で連接されているので、フレキシブル回路基板が
屈曲して（即ちしなりが生じて）もクラックが入らず、
しかも樹脂封止剤を盛り付けることなく薄いフィルム材
のみで補強できるので、全体として薄形化が図れる。
【００２５】（実施の形態２）実施の形態１では、フィ
ルム材１にベアチップ５を載置するに際し、ベアチップ
５を１６０℃〜１８０℃で加熱したがこれに限らず、図
１においてフィルム材１を載せた膜載台４の加熱によっ
てフィルム材１を加熱し、接着剤層としてのエポキシ樹
脂を加熱軟化することによってその後の硬化速度を速
め、供給されるベアチップ５の固定を数秒にて行うよう
にしてもよい。その他の工程は、実施の形態１と同じに
行う。
ルム材１にベアチップ５を載置するに際し、ベアチップ
５を１６０℃〜１８０℃で加熱したがこれに限らず、図
１においてフィルム材１を載せた膜載台４の加熱によっ
てフィルム材１を加熱し、接着剤層としてのエポキシ樹
脂を加熱軟化することによってその後の硬化速度を速
め、供給されるベアチップ５の固定を数秒にて行うよう
にしてもよい。その他の工程は、実施の形態１と同じに
行う。
【００２６】（実施の形態３）実施の形態１では、膜載
台４上のフィルム材１に対して、ベアチップ５を供給し
載置するように説明したが、これに限らず、ベアチップ
５に対してフィルム材１を供給してもよい。すなわち、
図８に示すように、集積回路が形成された円盤状のシリ
コンウェハ（不図示）からダイシングにより切り離した
個々のベアチップ３０を、１個ずつバラ入れするように
したトレー３１中に、その集積回路面を下側にして収納
し、この上から、エポキジ樹脂を接着剤３２として塗布
したポリイミド樹脂製フィルム３３をフィルム材３５と
して被せる。そして、フィルム材３５の全体を加熱する
とともに吸着する搬送台３７をフィルム材３５上に押し
付けてフィルム材３５を加熱し、その後の接着剤３２の
硬化によってベアチップ３０をフィルム材３５に固着す
る。そして、前記搬送台３７によって、フィルム材を介
して各ベアチップ３０をワイヤボンダー装置に投入し、
各ベアチップの電極部の上に金バンプ（突起）を一括し
て形成する。
台４上のフィルム材１に対して、ベアチップ５を供給し
載置するように説明したが、これに限らず、ベアチップ
５に対してフィルム材１を供給してもよい。すなわち、
図８に示すように、集積回路が形成された円盤状のシリ
コンウェハ（不図示）からダイシングにより切り離した
個々のベアチップ３０を、１個ずつバラ入れするように
したトレー３１中に、その集積回路面を下側にして収納
し、この上から、エポキジ樹脂を接着剤３２として塗布
したポリイミド樹脂製フィルム３３をフィルム材３５と
して被せる。そして、フィルム材３５の全体を加熱する
とともに吸着する搬送台３７をフィルム材３５上に押し
付けてフィルム材３５を加熱し、その後の接着剤３２の
硬化によってベアチップ３０をフィルム材３５に固着す
る。そして、前記搬送台３７によって、フィルム材を介
して各ベアチップ３０をワイヤボンダー装置に投入し、
各ベアチップの電極部の上に金バンプ（突起）を一括し
て形成する。
【００２７】その後、搬送台３７によってフィルム材を
ワイヤボンダー装置から搬出し、フレキシブル回路基板
への実装位置（取り付け位置）へ搬送する。そして前記
１個ずつバラ入れしたトレー３１と同じピッチの凹みを
有するパレット中に前記フィルム材３５を載置し、搬送
台３７を退避する。そして、フレキシブル回路基板への
実装に当たって、実施の形態１と同様に刃型（あるいは
切断用のレーザー光線）によりベアチップの周囲にフィ
ルム材を１mm程度残して大版のフィルム材から１個ずつ
打ち抜くとともに、この打ち抜かれたベアチップ３０の
小片の打ち抜きフィルム材を不図示の吸着パッドにより
吸着して持ち上げ、次いで、約０．０４mmの厚さに延ば
したペースト状の導電性接着剤の上に搬送してベアチッ
プ３０の金バンプを押し付け、各金バンプ（突起）の先
端にペースト状の導電性接着剤を塗布する。
ワイヤボンダー装置から搬出し、フレキシブル回路基板
への実装位置（取り付け位置）へ搬送する。そして前記
１個ずつバラ入れしたトレー３１と同じピッチの凹みを
有するパレット中に前記フィルム材３５を載置し、搬送
台３７を退避する。そして、フレキシブル回路基板への
実装に当たって、実施の形態１と同様に刃型（あるいは
切断用のレーザー光線）によりベアチップの周囲にフィ
ルム材を１mm程度残して大版のフィルム材から１個ずつ
打ち抜くとともに、この打ち抜かれたベアチップ３０の
小片の打ち抜きフィルム材を不図示の吸着パッドにより
吸着して持ち上げ、次いで、約０．０４mmの厚さに延ば
したペースト状の導電性接着剤の上に搬送してベアチッ
プ３０の金バンプを押し付け、各金バンプ（突起）の先
端にペースト状の導電性接着剤を塗布する。
【００２８】次いで、このベアチップ３０をフレキシブ
ル回路基板の上方に搬送し、このフレキシブル基板の所
定の位置に対して位置合わせを行い装着する。このベア
チップの装着後、前記実施の形態１と同様に、ペースト
状の導電性接着剤を１６０℃で１０秒程度の加熱を行
い、硬化速度を速くして硬化し、次いで、フレキシブル
回路基板を載置した載置台によってフレキシブル回路基
板を約９５℃に加熱するとともに、フレキシブル回路基
板とベアチップの上面に貼り付いた小片の打ち抜きフィ
ルム材との間に、樹脂止材としての導電性を有しない熱
硬化型のエポキシ樹脂を１個所から注入する。この注入
によって前記実施の形態１と同じように前記エポキシ樹
脂が浸透し、同様の構成となる。
ル回路基板の上方に搬送し、このフレキシブル基板の所
定の位置に対して位置合わせを行い装着する。このベア
チップの装着後、前記実施の形態１と同様に、ペースト
状の導電性接着剤を１６０℃で１０秒程度の加熱を行
い、硬化速度を速くして硬化し、次いで、フレキシブル
回路基板を載置した載置台によってフレキシブル回路基
板を約９５℃に加熱するとともに、フレキシブル回路基
板とベアチップの上面に貼り付いた小片の打ち抜きフィ
ルム材との間に、樹脂止材としての導電性を有しない熱
硬化型のエポキシ樹脂を１個所から注入する。この注入
によって前記実施の形態１と同じように前記エポキシ樹
脂が浸透し、同様の構成となる。
【００２９】（実施の形態４）上記の各実施の形態で
は、大版フィルム材にベアチップを貼着けた後に、この
ベアチップの電極部にバンプを形成するようにしたが、
これに限らず、本発明におけるベアチップの取付構造を
得ることができる。即ち、ベアチップの電極部にバンプ
を形成しないで、図９のように、回路基板４０の接続端
子４１に対してバンプ４２を形成しておく。一方、ベア
チップ５は、集積回路形成面と面対向する背面を大版フ
ィルム材１に貼着しておく（図１と同じ）。そして、ベ
アチップの回路基板への装着にあたり、前記回路基板側
のバンプ４２に対して、導電性接着剤４４を付与すると
ともに、前記大版フィルム材１からベアチップ５の背面
よりも外側に約１mm程度はみ出した、背面よりも面積の
大きい小片フィルム１０を刃型（あるいは切断用レーザ
ー光線）により打ち抜く。そしてこの打ち抜きの小片フ
ィルム１０を吸着保持してベアチップ５を搬送し、ベア
チップの電極部と前記回路基板側のバンプ４２とを位置
決め後、導電性接着剤４４を介して接合し接続する。そ
の後、実施の形態１のように、小片フィルム１０と回路
基板４０との間に樹脂封止材２５を注入して保持するも
のである。なお実施の形態４の場合、回路基板の接続端
子に対してバンプを形成せず、直接に接続端子に導電性
接着剤を付与するようにしてもよい。
は、大版フィルム材にベアチップを貼着けた後に、この
ベアチップの電極部にバンプを形成するようにしたが、
これに限らず、本発明におけるベアチップの取付構造を
得ることができる。即ち、ベアチップの電極部にバンプ
を形成しないで、図９のように、回路基板４０の接続端
子４１に対してバンプ４２を形成しておく。一方、ベア
チップ５は、集積回路形成面と面対向する背面を大版フ
ィルム材１に貼着しておく（図１と同じ）。そして、ベ
アチップの回路基板への装着にあたり、前記回路基板側
のバンプ４２に対して、導電性接着剤４４を付与すると
ともに、前記大版フィルム材１からベアチップ５の背面
よりも外側に約１mm程度はみ出した、背面よりも面積の
大きい小片フィルム１０を刃型（あるいは切断用レーザ
ー光線）により打ち抜く。そしてこの打ち抜きの小片フ
ィルム１０を吸着保持してベアチップ５を搬送し、ベア
チップの電極部と前記回路基板側のバンプ４２とを位置
決め後、導電性接着剤４４を介して接合し接続する。そ
の後、実施の形態１のように、小片フィルム１０と回路
基板４０との間に樹脂封止材２５を注入して保持するも
のである。なお実施の形態４の場合、回路基板の接続端
子に対してバンプを形成せず、直接に接続端子に導電性
接着剤を付与するようにしてもよい。
【００３０】この実施の形態４の場合も、ベアチップよ
りも大きい面積の小片フィルムを保持して位置決めする
ので、位置決め固定が容易であり、また取付構造は実施
の形態１と同様の効果を奏することができる。なお、実
施の形態１および３では、大版フィルムに粘着した多数
個のベアチップに対し、導電性の突起としてＡｕあるい
は半田バンプで説明したがＣｕバンプでも良く、さらに
バンプに限らず、導電性粒子を混入した導電性接着剤を
電極部に付着させて導電性の突起としてもよい。
りも大きい面積の小片フィルムを保持して位置決めする
ので、位置決め固定が容易であり、また取付構造は実施
の形態１と同様の効果を奏することができる。なお、実
施の形態１および３では、大版フィルムに粘着した多数
個のベアチップに対し、導電性の突起としてＡｕあるい
は半田バンプで説明したがＣｕバンプでも良く、さらに
バンプに限らず、導電性粒子を混入した導電性接着剤を
電極部に付着させて導電性の突起としてもよい。
【００３１】
【発明の効果】請求項１によれば、半導体ベアチップの
背面に該背面をはみ出して覆う大きさの小片フィルムを
貼設した状態にてこの半導体ベアチップを搬送し位置決
めをして回路基板に装着し接合するので、半導体ベアチ
ップが薄くかつ細片であっても位置決め固定を容易に行
なうことができる。
背面に該背面をはみ出して覆う大きさの小片フィルムを
貼設した状態にてこの半導体ベアチップを搬送し位置決
めをして回路基板に装着し接合するので、半導体ベアチ
ップが薄くかつ細片であっても位置決め固定を容易に行
なうことができる。
【００３２】請求項２によれば、多数個の半導体ベアチ
ップのそれぞれの背面を該背面を覆う大きさの大版フィ
ルムに多数個貼り付けて固定し、半導体ベアチップの電
極部にバンプを形成するので、半導体ベアチップが薄く
かつ細片であっても位置決め固定が容易に多数個一括で
行えるようになり、かつ半導体ベアチップの背面に該背
面をはみ出して覆う大きさの小片フィルムを貼設した状
態にて半導体ベアチップを位置決めして回路基板に接合
するので、この際にも位置決め固定を容易に行なうこと
ができる。
ップのそれぞれの背面を該背面を覆う大きさの大版フィ
ルムに多数個貼り付けて固定し、半導体ベアチップの電
極部にバンプを形成するので、半導体ベアチップが薄く
かつ細片であっても位置決め固定が容易に多数個一括で
行えるようになり、かつ半導体ベアチップの背面に該背
面をはみ出して覆う大きさの小片フィルムを貼設した状
態にて半導体ベアチップを位置決めして回路基板に接合
するので、この際にも位置決め固定を容易に行なうこと
ができる。
【００３３】請求項３によれば、半導体ベアチップの背
面に該背面をはみ出して覆う大きさの薄いフィルムがあ
り、このフィルムと回路基板との間に半導体ベアチップ
を封止するように樹脂封止剤が介在されているので、こ
のフィルムによって半導体ベアチップの背面の保護を図
ることができるとともにクラックの発生を防止でき、か
つフィルムが薄いので、半導体ベアチップの特性を損ね
ることがない。
面に該背面をはみ出して覆う大きさの薄いフィルムがあ
り、このフィルムと回路基板との間に半導体ベアチップ
を封止するように樹脂封止剤が介在されているので、こ
のフィルムによって半導体ベアチップの背面の保護を図
ることができるとともにクラックの発生を防止でき、か
つフィルムが薄いので、半導体ベアチップの特性を損ね
ることがない。
【図１】本発明の実施の形態１の工程の説明図。
【図２】本発明の実施の形態１の工程の説明図。
【図３】本発明の実施の形態１の工程の説明図。
【図４】本発明の実施の形態１の工程の説明図。
【図５】本発明の実施の形態１の工程の説明図。
【図６】本発明の実施の形態１の工程の説明図。
【図７】本発明の実施の形態１の半導体ベアチップの取
付構造を説明するための断面図。
付構造を説明するための断面図。
【図８】本発明の実施の形態３の説明図。
【図９】本発明の実施の形態４の説明図。
【図１０】従来技術を説明するための説明図。
【図１１】従来技術による半導体ベアチップの取付構造
を説明するための断面図。
を説明するための断面図。
１ フィルム材 ２ 樹脂製フィルム ３ エポキシ樹脂 ５ 半導体ベアチップ ８ パレット １０ 小片フィルム材 １４ 導電性接着剤 １５ バンプ １８ フレキシブル回路基板 ２２ エポキシ樹脂 ２５ 樹脂封止剤 ３０ 半導体ベアチップ ３１ トレー ３５ フィルム材
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ベアチップを回路基板に取り付け
る取付方法において、半導体ベアチップの集積回路形成
面と面対向する背面を、該半導体ベアチップの背面を覆
う大きさの大版フィルムに多数個貼り付ける工程、 前記大版フィルムから半導体ベアチップの背面を覆う大
きさで小片フィルムを打ち抜く工程、 前記小片フィルムに貼設した半導体ベアチップの電極部
と回路基板の接続端子とを、導電性物質を介在させて位
置決めし接合する工程、 前記導電性物質により半導体ベアチップと回路基板とを
接続した後に、回路基板と前記小片フィルムとの間に非
導電性物質を注入し半導体ベアチップを封止して硬化す
る工程、を有することを特徴とする半導体ベアチップの
取付方法。 - 【請求項２】 半導体ベアチップを回路基板に取り付け
る取付方法において、半導体ベアチップの集積回路形成
面と面対向する背面を、該半導体ベアチップの背面を覆
う大きさの大版フィルムに多数個貼り付ける工程、 半導体ベアチップを多数個貼り付けた大版フィルムを固
定して各半導体ベアチップの集積回路の電極部に導電性
の突起を形成する工程、 前記大版フィルムから半導体ベアチップの背面を覆う大
きさで小片フィルムを打ち抜く工程、 前記小片フィルムに貼設した半導体ベアチップの導電性
の突起と前記回路基板の接続端子との間に導電性物質を
介在させて位置決めし接合する工程、 前記導電性物質により半導体ベアチップと回路基板とを
接続した後に、回路基板と前記小片フィルムとの間に非
導電性物質を注入し半導体ベアチップを封止して硬化す
る工程、を有することを特徴とする半導体ベアチップの
取付方法。 - 【請求項３】 集積回路を形成した半導体ベアチップを
回路基板に取り付ける取付構造において、 半導体ベアチップの電極部と回路基板の接続端子とを接
続する導電性物質と、 前記半導体ベアチップの集積回路形成面と面対向する背
面に、該背面を覆う大きさで貼着されたフィルムと、 前記半導体ベアチップを封止するように前記フィルムと
回路基板との間に介在された樹脂封止剤と、を有するこ
とを特徴とする半導体ベアチップの取付構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7275235A JPH09116251A (ja) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | 半導体ベアチップの取付方法および取付構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7275235A JPH09116251A (ja) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | 半導体ベアチップの取付方法および取付構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09116251A true JPH09116251A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17552588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7275235A Withdrawn JPH09116251A (ja) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | 半導体ベアチップの取付方法および取付構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09116251A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001044329A (ja) * | 1999-08-02 | 2001-02-16 | Nec Saitama Ltd | 電子部品の接続構造 |
| JP2002270634A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| WO2008038345A1 (fr) * | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Fujitsu Microelectronics Limited | Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur |
| CN116154086A (zh) * | 2023-04-24 | 2023-05-23 | 河北光兴半导体技术有限公司 | mini-LED显示模组的制造方法 |
-
1995
- 1995-10-24 JP JP7275235A patent/JPH09116251A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001044329A (ja) * | 1999-08-02 | 2001-02-16 | Nec Saitama Ltd | 電子部品の接続構造 |
| JP2002270634A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| WO2008038345A1 (fr) * | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Fujitsu Microelectronics Limited | Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur |
| JPWO2008038345A1 (ja) * | 2006-09-27 | 2010-01-28 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US7820487B2 (en) | 2006-09-27 | 2010-10-26 | Fujitsu Semiconductor Limited | Manufacturing method of semiconductor device |
| KR101035297B1 (ko) * | 2006-09-27 | 2011-05-19 | 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP4992904B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2012-08-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN116154086A (zh) * | 2023-04-24 | 2023-05-23 | 河北光兴半导体技术有限公司 | mini-LED显示模组的制造方法 |
| CN116154086B (zh) * | 2023-04-24 | 2023-10-20 | 河北光兴半导体技术有限公司 | mini-LED显示模组的制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030107 |