JPH11121515A - 半導体チップの実装方法および半導体装置 - Google Patents

半導体チップの実装方法および半導体装置

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JPH11121515A
JPH11121515A JP27746697A JP27746697A JPH11121515A JP H11121515 A JPH11121515 A JP H11121515A JP 27746697 A JP27746697 A JP 27746697A JP 27746697 A JP27746697 A JP 27746697A JP H11121515 A JPH11121515 A JP H11121515A
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resin
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Hiroshi Oka
浩 岡
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Rohm Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体チップの主面の的確な保護と所望領域へ
の半導体チップの実装作業とが簡易な作業工程によって
良好にかつ効率良く行えるようにする。 【解決手段】半導体チップ1の主面10に設けられてい
る電極11の表面に樹脂ペースト4を塗布する第1工程
と、樹脂ペースト4の表面の電極11と対向する部分に
導電性材料6を付着させる第2工程と、半導体チップ1
の電極11を導電性材料6を介して実装対象領域20の
所定位置に導通接続する第3工程と、を有している半導
体チップの実装方法であって、第1工程では、樹脂ペー
スト4を半導体チップ1の電極11の表面とそれ以外の
領域を含む主面10の略全面に塗布する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【技術分野】本願発明は、ICチップやLSIチップな
どの半導体チップを他の半導体チップや基板などに対し
て経済的にかつ効率良く実装するための技術に関する。
【0002】
【従来の技術】本願出願人は、半導体チップの実装作業
を経済的に行うための方法として、特開平8−6463
7号公報に記載の方法を先に提案している。同公報に記
載の方法は、本願の図10(a)に示すように、まず半
導体チップ9をコレット90に吸着保持させてから、こ
の半導体チップ9の複数のバンプ電極91をパレット9
2上の樹脂ペースト94に接触させる。これにより、同
図(b)に示すように、上記各バンプ電極91の表面に
樹脂ペースト94を付着させる。次いで、上記半導体チ
ップ9の樹脂ペースト94をパレット93上の金属粒子
95に接触させる。これにより、同図(c)に示すよう
に、半導体チップ9の各バンプ電極91の表面には、樹
脂ペースト94を介して金属粒子95を付着させる。そ
の後は、UVランプ96を用いて上記樹脂ペースト94
を硬化させる。このような工程を経た半導体チップ9
は、そのバンプ電極91の表面に金属粒子95を含む導
電性樹脂層が形成されているために、たとえば所望の基
板上にこの半導体チップ9をマウントするときには、そ
のバンプ電極91を上記導電性樹脂層を介して基板の所
定位置に適切に導通接続することができる。
【0003】上記方法では、樹脂ペースト94の表面に
金属粒子95を付着させることによって導電性樹脂層を
形成しており、樹脂ペースト94としては、たとえばエ
ポキシ樹脂などの導電性材料を含まない安価な合成樹脂
を用いることができる。したがって、上記方法では、材
料コストの低減化を図り、半導体チップを利用して製造
される半導体装置の製造コストを安価にすることができ
る。すなわち、従来において、半導体チップを基板など
に実装するための他の方法としては、異方性導電樹脂あ
るいは異方性導電フィルムを用いる方法があるが、この
方法に用いられる異方性導電樹脂や異方性導電フィルム
は、絶縁性の樹脂またはフィルム内に導電性の粒子を予
め拡散させて含有させたものであって、加熱されながら
圧力が加えられると、その圧力が加えられた部分のみが
導電性を発揮するように構成されている。ところが、こ
のような構成の異方性導電樹脂や異方性導電フィルム
は、一般の合成樹脂と比較するとそのコストがかなり高
価であり、このような材料を用いたのでは、材料費が嵩
み、最終製品としての半導体装置の製造コストも高価と
なってしまう。これに対し、上記公報に記載の方法で
は、そのような高価な材料を用いる必要がなく、その分
だけ製造コストを低減化することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に記載の従来の手段では、次に述べるように、未だ改
善すべき余地があった。
【0005】すなわち、半導体チップを基板などに実装
し、これを所望の用途に使用する場合には、その半導体
チップの保護を図っておくことが望まれる。とくに、半
導体チップの電極が形成されている主面については、樹
脂封止を行うなどして、湿気やダスト類などが進入しな
いようにしておく必要がある。ところが、上記従来の手
段では、図10(c)に示す構造から明らかなように、
半導体チップ9を所望の基板に実装しても、その段階で
は、その主面9Aは何ら保護されていない状態にある。
したがって、従来では、上記半導体チップ9の主面9A
を保護するためには、半導体チップ9を基板などに実装
した後に、常に、上記半導体チップ9の主面9Aを樹脂
封止するための専用の作業を行うことが必要となってお
り、この作業が煩わしいという不具合があった。また、
従来では、半導体チップ9の主面9Aの樹脂封止作業を
行う場合であっても、半導体チップ9を基板などに実装
してからその主面9Aの樹脂封止を行うまでの期間につ
いては、半導体チップ9の保護を適切に図ることができ
ないという不具合もあった。
【0006】本願発明は、このような事情のもとで考え
出されたものであって、半導体チップの主面の的確な保
護と所望領域への半導体チップの実装作業とが簡易な作
業工程によって良好にかつ効率良く行えるようにするこ
とをその課題としている。
【0007】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
【0008】本願発明の第1の側面によれば、半導体チ
ップの実装方法が提供される。この半導体チップの実装
方法は、半導体チップの主面に設けられている電極の表
面に樹脂ペーストを塗布する第1工程と、上記樹脂ペー
ストの表面の上記電極と対向する部分に導電性材料を付
着させる第2工程と、上記半導体チップの電極を上記導
電性材料を介して実装対象領域の所定位置に導通接続す
る第3工程と、を有している半導体チップの実装方法で
あって、上記第1工程では、上記樹脂ペーストを上記半
導体チップの電極の表面とそれ以外の領域を含む主面の
略全面に塗布することに特徴づけられる。
【0009】本願発明においては、半導体チップに樹脂
ペーストを塗布するときに、従来とは異なり、半導体チ
ップの主面の電極表面のみに樹脂ペーストを塗布するの
ではなく、電極表面以外の領域をも含む半導体チップの
主面の略全面に樹脂ペーストを塗布している。このた
め、本願発明では、上記樹脂ペーストによって半導体チ
ップの主面を保護することが可能となり、この樹脂ペー
ストを硬化させた後にはその保護が確実化されることと
なる。一方、本願発明では、半導体チップの主面に樹脂
ペーストを塗布するときには、その電極の表面にも樹脂
ペーストを塗布しており、その後はその樹脂ペーストの
表面の所定位置に導電性材料を付着させることによっ
て、上記電極をその導電性材料を介して実装対象領域の
所定位置に導通接続させる一連の工程を有しているため
に、従来の特開平8−64637号公報に記載の方法と
同様に、高価な異方性導電樹脂や異方性導電フィルムを
用いることなく、半導体チップの適切な実装作業を経済
的に行うことができる。
【0010】このように、結局、本願発明では、従来の
作業工程と比較して、何ら特別な作業を追加して行うこ
となく、半導体チップの主面の保護を図ることができ
る。その結果、本願発明では、半導体チップを所望の実
装対象領域に実装した後に、半導体チップの主面の保護
を図るための専用の樹脂封止作業を必ずしも行う必要が
なくなり、半導体チップを利用して製造される半導体装
置の製造コストを従来にも増して低減化することが可能
となる。また、本願発明では、半導体チップの主面に塗
布された樹脂ペーストを硬化させれば、その主面の保護
を確実なものにできるために、たとえば半導体チップを
所望の実装対象領域に実装した直後にその樹脂ペースト
を硬化させることによって半導体チップの主面の保護を
早期に図ることもできる。したがって、半導体チップを
実装対象領域に実装した後に、この半導体チップを種々
取り扱うのにも便利となる。
【0011】本願発明の好ましい実施の形態では、上記
第3工程では、上記樹脂ペーストが未硬化状態において
上記半導体チップの主面を上記実装対象領域に対向させ
ることにより、上記樹脂ペーストを上記実装対象領域に
付着させる構成とすることができる。
【0012】このような構成によれば、半導体チップの
主面の略全面に塗布されている樹脂ペーストによって実
装対象領域の表面を樹脂封止することが可能となり、半
導体チップの主面と実装対象領域の表面との双方の保護
が図れることとなる。また、上記樹脂ペーストは、半導
体チップの主面と実装対象領域の表面とを互いに接着さ
せる接着剤としての役割をも果たすこととなる。したが
って、半導体チップの実装作業に際しては、実装対象領
域に別途接着剤を塗布するといった作業を行うことな
く、上記半導体チップを上記樹脂ペーストを介して所望
の実装対象領域に対して確実かつ強固に接着することも
可能となる。
【0013】本願発明の他の好ましい実施の形態では、
上記実装対象領域は、上記半導体チップとは別の他の半
導体チップの主面である構成とすることができる。
【0014】このような構成によれば、2つの半導体チ
ップを互いに重ね合わせて実装したいわゆるチップ・オ
ン・チップと称される半導体チップの実装構造が得られ
ることとなり、複数の半導体チップの実装密度を高める
のに好ましい構造が得られる。2つの半導体チップを互
いに重ね合わせる場合には、それら2つの半導体チップ
の主面の保護をより確実に図っておくことが要請される
が、本願発明をこのような2つの半導体チップどうしの
実装方法に適用すれば、そのような要請に的確に応え得
ることとなる。
【0015】本願発明の第2の側面によれば、半導体装
置が提供される。この半導体装置は、本願発明の第1の
側面によって提供される半導体チップの実装方法を用い
て製造されたものであることに特徴づけられる。
【0016】本願発明の第2の側面においては、半導体
チップの主面を樹脂ペーストを硬化させた樹脂によって
適切に保護しておくことができ、半導体チップがダメー
ジを受け難い信頼性の高い半導体装置を提供できること
となる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
【0018】図1ないし図5は、本願発明に係る半導体
チップの実装方法の一連の作業工程の一例を示す側面断
面図である。
【0019】本実施形態においては、最終的には図5に
示すように、1つの半導体チップ1を他の半導体チップ
2に実装する場合を一例として説明する。上記半導体チ
ップ1,2は、たとえばLSIチップやその他のICチ
ップとして構成されたものであり、シリコンチップ上に
所望の電子回路を集積させて一体的に造り込んだもので
ある。上記半導体チップ1は、その片面に複数のバンプ
電極11を備えた主面10を有するものである。また、
上記半導体チップ2は、その片面に比較的平坦なパッド
状の第1電極21と第2電極22とをそれぞれ複数備え
た主面20を有するものである。本実施形態では、上記
半導体チップ2の主面20の一部分が、本願発明でいう
実装対象領域に相当する。
【0020】まず、上記半導体チップ1の実装作業を行
うには、その第1工程として、図1(a)に示すよう
に、チップマウント装置の吸着コレット3を用いて半導
体チップ1を保持し、この半導体チップ1の下向きの主
面10の略全面に、パレット5の凹部50に収容されて
いる樹脂ペースト4を付着させる。この樹脂ペースト4
としては、たとえばエポキシ樹脂ペーストが適用される
が、この樹脂ペースト4は、むろんある程度の流動性お
よび粘着性を有している。パレット5には、樹脂ペース
ト4のそのような特性を維持しておくためのヒータなど
が適宜設けられている。上記パレット5の凹部50内に
は樹脂ペースト4が擦り切り状態に収容されているが、
この作業は、同図(b)に示すように、パレット5の上
面に比較的大量の樹脂ペースト4を供給した後に、この
パレット5の上面に盛り上がった余分な樹脂ペースト4
をスキージ51を用いて掻き退けることにより行われ
る。
【0021】上記半導体チップ1は、上記パレット5上
の樹脂ペースト4を収容する凹部50内に位置するまで
下降され、その後上方へ引き上げられる。上記凹部50
の深さLは、半導体チップ1のバンプ電極11の突出高
さ寸法Laよりも大きな寸法とされている。このような
第1工程によれば、図2に示すように、半導体チップ1
の主面10の略全面に樹脂ペースト4が塗布される。ま
た、この樹脂ペースト4の厚みtは、各バンプ電極11
の突出高さLaよりも大きな寸法であり、この樹脂ペー
スト4内に各バンプ電極11が埋没した状態となってい
る。
【0022】次いで、上記図2において、第2工程とし
て、上記半導体チップ1の樹脂ペースト4の表面の所定
位置に、パレット5Aの上面の複数の凹部52内に収容
されている金属粒子6を付着させる。この金属粒子6
は、本願発明でいう導電性材料の一例に相当するもので
あり、具体的にはAgやCuなどの金属粒子が適用され
る。ただし、本願発明はこれに限定されず、上記金属粒
子6に代えて、たとえば合成樹脂製粒子の表面に金属な
どの導電性膜を形成したものを用いることもできる。上
記パレット5Aの各凹部52内には金属粒子6が擦り切
り状態に収容されているが、この作業も、先の図1に示
した樹脂ペーストの擦り切り作業と同様な手順でスキー
ジ51Aを用いて行うことができる。上記複数の凹部5
2は、半導体チップ1の複数のバンプ電極11と同様な
配列に設けられており、その上面の開口の形状およびサ
イズは、上記各バンプ電極11の表面の形状およびサイ
ズと略同様である。
【0023】上記半導体チップ1は、その樹脂ペースト
4の表面が上記パレット5Aの上面に適度に接触するま
で下降され、その後上方へ引き上げられる。このような
第2工程によれば、図3に示すように、半導体チップ1
の樹脂ペースト4の表面のうち、複数のバンプ電極11
と対面する箇所にのみ金属粒子6が付着することとな
る。
【0024】さらに、第3工程としては、図4に示すよ
うに、上記半導体チップ1を半導体チップ2上に配置さ
せてから、この半導体チップ1を下降させて第2の半導
体チップ2上に載置する。この作業は、2つの半導体チ
ップ1のバンプ電極11と半導体チップ2の第1電極2
1とを互いに対向させるように位置決めして行い、また
樹脂ペースト4を未だ硬化させていない状態で行う。図
5に示すように、半導体チップ1を半導体チップ2上に
載置したときには、吸着コレット3によって半導体チッ
プ1を適度な圧力Pで下方へ押圧する。すると、この押
圧力によって各バンプ電極11と金属粒子6との間に存
在していた樹脂ペースト4の一部がそれらの間から押し
出されることとなって、各バンプ電極11と金属粒子6
とが直接的に接触することとなる。したがって、各バン
プ電極11と第1電極21とは、導電性の良好な金属粒
子6を介して適切に導通接続されることとなる。上記押
圧力によって、上記金属粒子6を押し潰した状態にする
ことも可能であり、これにより各バンプ電極11と第1
電極21との導通接触面積を大きくとることができ、よ
り優れた導通接続が行えることとなる。
【0025】また、上記半導体チップ1を半導体チップ
2上に載置したときには、樹脂ペースト4の表面が、半
導体チップ2の主面20の略中央部分に接触し、付着す
ることとなる。したがって、チップ・オン・チップ構造
に組み合わされた2つの半導体チップ1,2を、上記樹
脂ペースト4の接着力によって互いに強固に接合するこ
とができ、容易に離反しないようにすることができる。
さらに、上記樹脂ペースト4は、半導体チップ1の主面
10を覆うだけではなく、これに加えて半導体チップ2
の主面20の略中央部分や、各バンプ電極11と第1電
極21との導通接続部分の周辺領域をも覆うこととな
る。したがって、その後上記樹脂ペースト4を加熱硬化
させ、または自然硬化させれば、その硬化樹脂によって
上記半導体チップ1,2の各所を適切に保護することが
可能となり、その後これら2つの半導体チップ1,2を
取り扱う場合に、上記各所に湿気やダスト類が進入する
といったことを適切に防止でき、半導体チップ1,2が
ダメージを受けることを回避するのに有利となる。
【0026】図6は、上述した一連の作業工程によって
得られた構造を利用して製造された半導体装置Aの一例
を示す断面図である。図7は、図6に示す半導体装置A
の製造工程の一例を示す断面図である。
【0027】図6に示す半導体装置Aを製造するには、
まず図7に示すように、上記2つの半導体チップ1,2
を基板7に実装する。この基板7は、たとえば合成樹脂
製フィルムを基材とする長尺帯状のフィルム状基板であ
り、その厚み方向に貫通した開口孔70を有するもので
ある。上記2つの半導体チップ1,2を基板7に実装す
るには、下側の半導体チップ2の第2電極22を上記開
口孔70に対向配置させるようにして、半導体チップ2
の主面20の外周縁部を基板7の下面に対して接着剤層
80を介して接着すればよい。このようにすれば、上記
第2電極22をワイヤWを介して基板7の上面の導電配
線部70に結線接続することができる。次いで、2つの
半導体チップ1,2やワイヤWのボンディング箇所をモ
ールド樹脂81によって覆う樹脂パッケージ作業を行
う。この樹脂パッケージ作業は、たとえばトランスファ
成形法によって行う。そして、その後は基板7に設けら
れている穴部71の下面開口部分にハンダボール82’
を接着剤などを用いて接着させた後に、このハンダボー
ル82’を一旦加熱溶融させてから再硬化させる。ハン
ダボール82’を溶融させると、その一部が上記穴部7
1に流入して導電配線部70と導通することとなり、そ
の溶融後はそのハンダ自体の表面張力により再度ボール
状となる。このため、図6に示すように、上記基板7の
下面には、ハンダボールから形成され、かつ導電配線部
70と導通する突起状の端子82が形成されることとな
る。また、このような端子82の形成後には、基板7を
適当な長さに切断する。
【0028】このような一連の製造工程によれば、図6
に示すように、2つの半導体チップ1,2がいわゆるチ
ップ・オン・チップ構造に重ねられていることによりそ
れらの実装効率が高められた面実装タイプの半導体装置
Aが適切に製造される。この半導体装置Aの製造過程で
は、最終的には、2つの半導体チップ1,2はモールド
樹脂81によって覆われるが、このモールド樹脂81に
よって樹脂封止がなされるまでの段階においては、先に
説明した樹脂ペースト4を硬化させた樹脂4’によって
半導体チップ1,2の主面10,20を的確に保護する
ことができる。また、金型を用いて成形されるモールド
樹脂81は、2つの半導体チップ1,2間の微小な隙間
内に流入し難くなる場合があるが、この隙間には予め樹
脂4’によって封止されているため、モールド樹脂81
の流入不良に原因する不具合も極力生じないようにでき
ることとなる。
【0029】図8および図9は、本願発明の他の例を示
す説明図である。
【0030】図8に示す構成では、樹脂ペースト4の下
向きの表面が半導体チップ1の主面10の側面形状また
は断面形状と略一致した凹凸状となるように、樹脂ペー
スト4を主面10に塗布している。このような構成であ
っても、上記樹脂ペースト4によって主面10を保護す
ることが可能である。このように、本願発明では、樹脂
ペーストの表面の略全面域が平面状とならないように樹
脂ペーストを塗布してもよい。本願発明では、要は、樹
脂ペーストを半導体チップの電極の表面に塗布する工程
において、その樹脂ペーストをそれ以外の領域をも含む
半導体チップの主面の略全面に塗布すればよい。
【0031】図9に示す構成では、半導体チップ1Aの
主面10Aには、バンプ電極に代えて、主面10Aの略
面一の高さのフラットな電極11Aが設けられている。
本願発明では、このような半導体チップ1Aを対象とす
る場合であっても、上記主面10Aの略全面に樹脂ペー
スト4を塗布した後に、上記電極11Aに対応する箇所
に金属粒子6を付着させた後には、所定の実装対象領域
2Aの突起状の端子23に対して上記電極11Aを金属
粒子6を介して適切に導通接続することが可能である。
このように、本願発明では、必ずしも半導体チップの電
極がバンプ電極である必要もない。
【0032】その他、本願発明に係る半導体チップの実
装方法の各作業工程の具体的な構成は上記実施形態に限
定されず、種々に変更自在である。本願発明は、2つの
半導体チップどうしを実装する場合に限らず、たとえば
半導体チップを各種の基板やリードフレームなどに実装
する場合にも適用できることは言うまでもない。また、
本願発明に係る半導体装置の各部の具体的な構成も上記
実施形態に限定されない。本願発明では、半導体チップ
の主面の保護が図れる効果が得られるために、モールド
樹脂によって樹脂パッケージが施されていない構造の半
導体装置として構成することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は、本願発明に係る半導体チップの実装
方法において半導体チップの主面に樹脂ペーストを塗布
する工程の一例を示す側面断面図であり、(b)は、そ
れに付随する作業工程を示す要部側面断面図である。
【図2】本願発明に係る半導体チップの実装方法におい
て樹脂ペーストの表面に金属粒子を付着させる工程の一
例を示す側面断面図である。
【図3】本願発明に係る半導体チップの実装方法におい
て樹脂ペーストの表面に金属粒子を付着させる工程の一
例を示す側面断面図である。
【図4】本願発明に係る半導体チップの実装方法におい
て半導体チップを他の半導体チップ上に搭載する工程の
一例を示す側面断面図である。
【図5】本願発明に係る半導体チップの実装方法におい
て半導体チップを他の半導体チップ上に搭載した状態の
一例を示す側面断面図である。
【図6】図1ないし図5に示した一連の作業工程によっ
て得られた構造を利用して製造された半導体装置の一例
を示す断面図である。
【図7】図6に示す半導体装置の製造工程の一例を示す
断面図である。
【図8】本願発明の他の例を示す説明図である。
【図9】本願発明の他の例を示す説明図である。
【図10】(a)〜(c)は、従来の半導体チップの実
装方法の一連の工程を示す断面図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ 2 半導体チップ(他の半導体チップ) 4 樹脂ペースト 6 金属粒子(導電性材料) 10 主面 11 バンプ電極(電極) 11A 電極 20 主面(実装対象領域) A 半導体装置

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップの主面に設けられている電
    極の表面に樹脂ペーストを塗布する第1工程と、上記樹
    脂ペーストの表面の上記電極と対向する部分に導電性材
    料を付着させる第2工程と、上記半導体チップの電極を
    上記導電性材料を介して実装対象領域の所定位置に導通
    接続する第3工程と、を有している半導体チップの実装
    方法であって、 上記第1工程では、上記樹脂ペーストを上記半導体チッ
    プの電極の表面とそれ以外の領域を含む主面の略全面に
    塗布することを特徴とする、半導体チップの実装方法。
  2. 【請求項2】 上記第3工程では、上記樹脂ペーストが
    未硬化状態において上記半導体チップの主面を上記実装
    対象領域に対向させることにより、上記樹脂ペーストを
    上記実装対象領域に付着させる、請求項1に記載の半導
    体チップの実装方法。
  3. 【請求項3】 上記実装対象領域は、上記半導体チップ
    とは別の他の半導体チップの主面である、請求項1また
    は2に記載の半導体チップの実装方法。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載の半
    導体チップの実装方法を用いて製造された、半導体装
    置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008219039A (ja) * 2008-04-21 2008-09-18 Nec Electronics Corp 半導体パッケージ及び製造方法
CN103748977A (zh) * 2011-08-23 2014-04-23 株式会社藤仓 部件安装印刷电路基板及其制造方法

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