JPH05291322A - 封止用樹脂シートの製造方法および樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 封止工程の自動化、インライン化が可能でし
かもパッケージの大型化、薄型化に適し、動作時の電力
損失が小さく、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置の製
造方法を提供する。 【構成】 本発明の第１では、少なくとも一方の主面が
未硬化樹脂からなりその主面に凹部が形成されてなる封
止用樹脂シート１を、リードに接続された半導体チップ
４の能動面側に、前記凹部が前記能動面と対向するよう
に供給する工程と、前記封止用樹脂シート１を前記半導
体チップ４に加圧しつつ前記未硬化樹脂を硬化せしめ、
前記半導体チップ４の能動面の近傍に中空領域を形成し
ながらこれらを一体成型する工程とを具備する。本発明
の第２では、前記封止用樹脂シートの前記未硬化樹脂か
らなる一主面に局所的に光照射を行うことにより樹脂の
光硬化による部分架橋により凹部を形成する凹部形成工
程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、封止用樹脂シートの製
造方法および樹脂封止型半導体装置の製造方法に係り、
さらに詳しくは半導体チップの封止工程のインライン化
が可能な樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置はトランス
ファ成型法によって得られていた。この方法は、エポキ
シ樹脂および充填剤などを主体としたエポキシ成型材料
等の未硬化樹脂を、加熱して溶融させ、トランスファ―
成型機を用いて金型に注入し、高温高圧状態で成型、硬
化することにより、リードフレーム等のリード構成体に
搭載された半導体チップを封止する方法である。この方
法で製造される樹脂封止型半導体装置は、半導体チップ
をエポキシ樹脂組成物が完全に覆うため信頼性に優れて
おり、また金型で緻密に成型するため、パッケ―ジの外
観も良好であることから、現在では、ほとんどの樹脂封
止型半導体装置はこの方法で製造されている。

【０００３】しかしながら、近年半導体装置の高集積化
に伴う半導体チップの大型化によって、樹脂封止型半導
体装置のパッケ―ジの大型化が進む一方、実装スペース
の微細化に伴い薄型化の傾向を強めており、この傾向は
今後益々強くなっていくと考えられる。また、パッケ―
ジの種類も今後益々多様化し、従来のトランスファ成型
法で十分な対応ができなることが予想される。このよう
な状況の中で、多品種少量生産ができるフレキシブルな
生産様式の開発が望まれている。

【０００４】さらに、製造工程のインライン化の問題が
ある。すなわち半導体装置の製造工程では全自動化が進
んでおり、一本のラインで自動化して無人化されている
ものもある。しかし従来のトランスファ成型法では半導
体チップの封止工程のインライン化は困難で、ラインを
はずし、バッチ処理で製造が行われており、封止工程を
インラインで行うことの可能な新たな生産様式が求めら
れている。

【０００５】また近年では、ＡＳＩＣ（Application Sp
ecific IC ）に代表されるように、半導体装置の高集積
化、高速化が進んでおり、動作時の電力損失を少なくす
るため、半導体チップの配線間寄生容量を小さくするこ
とが要求されている。

【０００６】このため、例えば、ガリウム砒素（GaAs）
基板を用いた電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を集積化
して形成され、１００ピコ秒程度のスイッチング速度で
高速論理動作をおこなう半導体集積回路では、配線間寄
生容量を低減すべく、従来から、基板上で配線が交差す
る部分を中空化したエアブリッジ配線構造が提案されて
いる。しかしながら、このエアブリッジ配線構造をもつ
半導体集積回路を、トランスファ成型法を用いて樹脂パ
ッケージ内に実装する場合、前記エアブリッジ配線構造
の中空化された空間内に樹脂が侵入して、空間が潰れて
しまい、寄生容量が増大し、エアブリッジ配線構造とし
た効果が低減されてしまうという問題があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のトランスファ成型法では、封止工程のインライン化に
不向きである上、今後のパッケージの大型化、薄型化に
対応することも困難なため、これに新たな生産様式が望
まれていた。

【０００８】また、半導体装置の低消費電力化のため
に、半導体チップとパッケージとの間に中空領域を形成
して、半導体チップとリードとの間の寄生容量を低減す
ることも提案されているが、従来のトランスファ成型法
では半導体チップとパッケージ材料との間を中空化する
のは極めて困難であり、特に薄型パッケージの場合にこ
のような中空領域を形成することはほとんど不可能であ
った。

【０００９】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、封止工程の自動化、インライン化が可能で、しかも
パッケージの大型化、薄型化に適し、かつ動作時の電力
消費が小さく信頼性の高い樹脂封止型半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】そこで本発明の第１で
は、少なくとも一方の主面が未硬化樹脂からなり前記未
硬化樹脂からなる主面に凹部が形成されてなる封止用樹
脂シートを、リードに接続された半導体チップの能動面
側に、前記凹部が前記能動面と対向するように供給する
工程と、前記封止用樹脂シートを前記半導体チップに加
圧しつつ前記未硬化樹脂を硬化せしめ、前記半導体チッ
プの能動面の近傍に中空領域を形成しながらこれらを一
体成型する工程とを具備している。

【００１１】本発明では例えば封止用樹脂シートの一主
面を形成する未硬化樹脂の一部を機械的に除去すること
によって前記凹部を形成することもできるが、望ましく
はあらかじめ未硬化樹脂の所定の箇所に光を照射して硬
化させることにより凹部を形成する。

【００１２】また本発明の第２では、少なくとも一方の
主面が光硬化性の未硬化樹脂からなる封止用樹脂シート
を形成する工程と、前記封止用樹脂シートの前記未硬化
樹脂からなる一主面に局所的に光照射を行うことにより
樹脂の光硬化による部分架橋により凹部を形成する凹部
形成工程とを含むようにしている。

【００１３】なお、部分硬化に用いる光の波長は特に制
限されず、具体的には、紫外線、可視光、赤外線、電子
線などが挙げられる。

【００１４】本発明においては、上記リードおよび半導
体チップの種類については、特に制限されない。これら
リードと半導体チップとの接続は、ワイヤボンディング
によっても、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding ）など
のワイヤレスボンディングによってもよいが、ＴＡＢ等
のワイヤレスボンディングがパッケージの薄型化に有利
で、表面実装用の樹脂封止型半導体装置の製造に適して
おりより好ましい。また、封止用樹脂シ―トの材質につ
いては、未硬化の熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、エンジ
ニアリングプラスチックスなどが挙げられるが、一体成
型時の樹脂粘度が低いほど緻密な封止を行うことができ
るので、未硬化の熱硬化性樹脂の使用が特に好ましい。

【００１５】このような未硬化樹脂を硬化させる具体的
な方法としては、熱硬化性樹脂の場合、一体成型時に使
用される金型を加熱する方法、誘導加熱により未硬化樹
脂のみを選択的に加熱する方法等が挙げられる。また、
光硬化性樹脂の場合は金型をガラス等の透光性部材で構
成し、金型を介して光を照射する方法などを採用し得
る。

【００１６】本発明で使用される前記熱硬化性樹脂とし
ては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、マレイミド樹
脂、シリコ―ン樹脂、フェノ―ル樹脂、ポリウレタン樹
脂、アクリル樹脂などが挙げられる。一方、光硬化性樹
脂としては、アクリレート系、ジアゾニウム系、ジアジ
ド系、重クロム酸系、、イオウ化合物系のものなどがあ
る。これらの樹脂は単独で用いても、組み合わせてもよ
く、またこれらの樹脂の中に硬化剤、触媒、可塑剤、着
色剤、難燃化剤、充填剤、その他各種添加剤を含有した
ものでもよい。

【００１７】また、封止用樹脂シートとしてプリプレグ
を使用する場合、織布の材質としては無機系ではガラ
ス、石英、炭素繊維、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ア
ルミニウム、アルミナ、ジルコニア、チタン酸カリウム
繊維などがあり、有機系ではナイロン系、アクリル系、
ビニロン系、ポリ塩化ビニル系、ポリエステル系、アラ
ミド系、フェノ―ル系、レ―ヨン系、アセテ―ト系、
綿、麻、絹、羊毛などがある。これらを単独で用いて
も、組み合わせて用いてもよい。

【００１８】さらに本発明では、このような封止用樹脂
シートが材質の異なる未硬化樹脂を積層して多層化する
ことや、未硬化樹脂の層間に金属層を介在させることも
許容される。

【００１９】本発明において用いられる封止用樹脂シ―
トは、例えば樹脂、硬化剤、触媒、充填剤、その他の材
料を粉砕、混合、溶融してロールにかけることにより容
易に作成することができる。また封止用樹脂シートとし
てプリプレグを作成する場合は、樹脂、硬化剤、触媒、
充填剤、その他の材料を粉砕、混合して、アセトンなど
の溶剤に溶解して濃度調整を行い、ガラス繊維等の織布
にこの溶液を塗布するか、溶液中に織布を含浸させたの
ち、放置、加熱、又は減圧等の方法により溶媒を揮発さ
せればよい。

【００２０】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
では、このような封止用樹脂シートを１枚使用し半導体
チップを片側から封止する場合と、２枚の封止用樹脂シ
ートで半導体チップを両側から封止する場合がある。こ
れらはリードと半導体チップとの接続の形態などに応じ
て適宜選択される、例えば半導体チップをリードフレー
ムにワイヤボンディングした形態では、半導体チップが
２枚の封止用樹脂シートで両側から封止される。また、
半導体チップをフィルムキャリアのリードと接続した形
態では、半導体チップの能動面側のみに封止用樹脂シー
トを配置するかもしくは、半導体チップが２枚の封止用
樹脂シートの間に挟持された状態で封止が行われる。さ
らに、半導体チップが基板上にフェイスアップで実装さ
れた形態では、１枚の封止用樹脂シートで片側から封止
されるようにしてもよい。

【００２１】また本発明では、ボイドの発生、およびボ
イド中の空気の膨脹によるパッケージクラックの発生を
防止するために、減圧したで一体成型を行うことが望ま
しい。さらに、成型後にパッケージの各種特性を向上す
るために、アフタ―キュアを行うことが望ましい。

【００２２】なお、本発明において、半導体チップを載
置するフィルムキャリアなどのリードフレームおよび封
止用樹脂シートは、リ―ル方式で供給することができ
る。例えば両者がそれぞれ対応するようにリ―ルで供給
し、合体、封止することにより、半導体装置のアセンブ
リから封止までを連続工程で行うことができる。

【００２３】

【作用】本発明の第１によれば、あらかじめ所定の部分
に凹部の形成された封止用樹脂シーとを使用して半導体
チップを封止することにより、容易に半導体チップとパ
ッケージとの間に中空領域を形成することができる。

【００２４】特にこのとき未硬化樹脂を局所的に硬化さ
せて凹部を形成すれば、その後の加圧硬化時に凹部が潰
れるおそれが少なく極めて容易に中空領域を形成しなが
ら一体成型を行うことが可能となる。

【００２５】また、本発明では、半導体チップおよびリ
ードフレームに対して均一に封止用樹脂シートを当接せ
しめた状態で、熱または光により未硬化樹脂を溶融した
のち加圧硬化するようにしているため、緻密な樹脂封止
を行うことができる。さらに前述したように封止用樹脂
シートがあらかじめ半導体チップおよびリードに対して
対向した状態で封止が行われるため、トランスファー成
型に比べ、溶融時の粘度が大きくても良好に封止を行う
ことができる。したがって熱あるいは光の少量の供給に
より未硬化樹脂を溶融硬化せしめ、半導体チップの封止
を行うことが可能である。

【００２６】また、このように未硬化樹脂が良好な状態
で溶融硬化せしめられるため、得られるパッケージの機
械的強度が高く、半導体チップに対してパッケージが小
さい場合や、超薄型パッケージの場合にもクラックの発
生もなく良好に半導体チップを封止することができる。
なおこのとき封止用樹脂シートとしてプリプレグを使用
すればさらに機械的強度が向上する。

【００２７】すなわちさらに従来のトランスファー法で
は、特に薄型パッケージの場合中空領域を形成するのは
強度的にも極めて困難であり不可能に近いものであった
が、本発明の方法によれば、上述したように半導体チッ
プとパッケージとの間に中空領域を形成することが容易
であるため、信頼性が高く高速化に適した樹脂封止型半
導体装置を得ることができる。

【００２８】また本発明の樹脂封止型半導体装置の製造
方法は、封止工程のインライン化により自動的な製造が
可能となり、さらに少量多品種生産にも十分対応でき
る。

【００２９】このように本発明によれば、製造工程の簡
略化が可能となり、しかも長期にわたって良好な信頼性
を保持することができる。

【００３０】本発明の第２によれば、少なくとも一方の
主面が光硬化性の未硬化樹脂からなる封止用樹脂シート
を用い、この封止用樹脂シートの未硬化樹脂からなる一
主面に局所的に光照射を行うことにより樹脂の光硬化に
よる部分架橋により容易に凹部を有する封止用樹脂シー
トを形成することができ、その後の加圧硬化時に凹部が
潰れるおそれが少なく極めて容易に中空領域を形成しな
がら一体成型を行うことが可能となる。

【００３１】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。

【００３２】実施例１ 本発明の第１の実施例の樹脂封止型半導体装置の製造工
程図を図１(a) 乃至(d) に、これに用いられる半導体封
止装置の概略図を図２に示す。

【００３３】まず、フェノールノボラックタイプのエポ
キシ樹脂１００重量部、ＵＶ硬化性アクリレート２０重
量部、硬化剤としてジシアンジアミド６重量部、充填剤
としてシリカを３００重量部、および触媒としてベンジ
ルジメチルアミン０．５重量部をメチルセロソルブ１０
０重量部に溶解してワニスを調製し、ガラスクロスに浸
漬した後、風乾し、乾燥機中で、８０℃×４時間の加熱
乾燥を行い、図１(a)に示すように厚さ５００μm のプ
リプレグを形成し、これを１３×１３mmにカットして封
止用樹脂シートとする。そして半導体チップの能動面側
に配置するものに対してはさらに光源５を用いて選択的
に光照射を行い、部分架橋により凹部Ｕを形成して封止
用樹脂シートを作製した（図１(b) ）。

【００３４】一方通常の方法で、ポリイミド樹脂からな
るフィルム２Ｓに銅箔を貼着しこれをパターニングする
ことにより、リードパターン２ｄを形成し、フィルムキ
ャリア２を作製した。

【００３５】このフィルムキャリア２を図２に示すよう
な半導体封止装置を用いて、供給リール１００と巻取リ
ール５００との間で移動せしめつつ、半導体チップ４の
搭載か樹脂封止までをインラインで行った。なおこの半
導体封止装置は、供給リール１００と、半導体チップ搭
載部２００と、上方と下方から２枚の封止用樹脂シート
を供給し貼着するシート貼着部３００と、圧縮成型部４
００と、巻取リール５００と、アフターキュア部（図示
せず）とから構成されている。

【００３６】まずチップ載置部２００で位置合わせを行
いつつフィルムキャリア２上に１０×１０×０．４５mm
の半導体チップ４をフェイスダウンで搭載しバンプ３を
介してリード線２ｄと接続する。

【００３７】この後シート貼着部３００で、図１(b) に
示した凹部を形成した封止用樹脂シート１をフィルムキ
ャリア２上にバンプ３を介して搭載された半導体チップ
４の能動面側に貼り付け、図１(a) に示した封止用樹脂
シート１を半導体チップの裏面側に貼り付ける（図１
(c) ）。

【００３８】そしてさらに、圧縮成型部４００において
１７０℃に加熱された金型４０１内で１分間、圧縮成型
して図１(d) に示すような樹脂封止型半導体装置を製造
した。図中４０２はヒータ，４０３は金型内を減圧にす
るための真空系である。また得られた樹脂封止型半導体
装置においてパッケ―ジの厚さは０．９mmであった。序
で金型を外し、巻取リール５００を用いて巻き取った
後、アフターキュア部（図示せず）で１８０℃４時間の
アフタ―キュアを行った。

【００３９】なおここで、金型４０１の凹部の形状は図
３に拡大説明図を示すように封止用樹脂シートの形状と
ほぼ等しく形成されておりかつ金型凹部４０１の容積
は、２枚の封止用樹脂シートの体積の合計よりもやや小
さく、成型時に封止用樹脂シートが加圧されるようにし
たものを用いる。

【００４０】そして最後にバリ取りを行い、個々の樹脂
封止型半導体装置に分割することによって本実施例にか
かる樹脂封止型半導体装置を得た。得られた樹脂封止型
半導体装置は、半導体チップとリードとの間に寄生容量
が形成されることがなく、耐湿性および放熱性が良好
で、高い機械的強度を有していた。

【００４１】なお、本発明では半導体封止装置としては
図２に示したものに限定されることなく、図４に示すよ
うに、封止用樹脂シートの貼着および加圧成型を同一装
置（箇所）で行うようにしてもよい。ここでは封止用樹
脂シート供給機１０が圧縮成型機に近接して設けられて
おり、フィルムキャリア２に搭載されて搬送されてきた
半導体チップ４が金型４０１の位置にきたところで、封
止用樹脂シート供給機１０によって封止用樹脂シート１
が半導体チップの両面に貼着され、続いてその位置でヒ
ータ４０２によって加熱されつつ金型４０１で加圧成型
され樹脂封止がなされる。

【００４２】さらに図５に示すように、封止用樹脂シー
トをテープＴ1 ，Ｔ2 上に載置して、連続的に供給し、
フィルムキャリア２に搭載された半導体チップ４の両面
に貼着部３００で封止用樹脂シート１を貼着し、圧縮成
型部４００で加圧成型するようにしてもよい。このとき
封止用樹脂シート供給後のテープは巻きとりリールによ
って巻き取られる。

【００４３】実施例２ 次に本発明の第２の実施例として、フェノールノボラッ
クタイプのエポキシ樹脂の代わりに、クレゾールノボラ
ックタイプのエポキシ樹脂を用いた例について説明す
る。

【００４４】この例では、クレゾ―ルノボラックタイプ
のエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１９５ＸＬ：住友化学社
製）１００重量部、硬化剤としてフェノール樹脂５４重
量部、充填剤としてシリカを３５０重量部、紫外線硬化
開始剤としてのイオウ化合物（ＳＰ１７０：旭電化社
製）１重量部、触媒としてベンジルジメチルアミン０．
５重量部、その他の添加剤としてカーボンブラック３重
量部、シランカップリング剤３重量部をメチルセロソル
ブ１００重量部に溶解してエポキシ含浸ワニスを調製
し、ガラスクロスに浸漬した後、風乾し、乾燥機中で、
８０℃×４時間の加熱乾燥を行い、実施例１と同様に厚
さ４００μm のプリプレグを形成し、これを１３×１３
mmにカットして封止用樹脂シートとする。そして、半導
体チップの能動面側に配置するものに対してはさらに選
択的に紫外線照射を行い、部分架橋により凹部Ｕを形成
して封止用樹脂シートを作製した。

【００４５】この封止用樹脂シートを実施例１と同様
に、図２に示した半導体樹脂封止装置を用いて、１０×
１０×０．３５mmの半導体チップの両面に貼り付け、以
下アフターキュアを１８０℃で８時間行った以外は実施
例１と同様にして樹脂封止型半導体装置を作製した。成
型されたパッケ―ジの厚さは０．７mmであった。

【００４６】本実施例においても得られた樹脂封止型半
導体装置は実施例１とほぼ同様の特性を有していた。

【００４７】実施例３ 次に本発明の第３の実施例として、フェノールノボラッ
クタイプのエポキシ樹脂の代わりに、ビスフェノールＡ
タイプのエポキシ樹脂を用いた例について説明する。

【００４８】この例では、ビスフェノールＡタイプのエ
ポキシ樹脂１００重量部、硬化剤として３−３´ジアミ
ノジフェニルスルホン６重量部、充填剤としてシリカ２
５０重量部、および触媒としてＢＦ₃ −モノエチルアミ
ン錯塩１重量部をアセトン１００重量部に溶解してエポ
キシ含浸ワニスを調製し、ガラスクロスに浸漬した後、
風乾し、乾燥機中で、８０℃×４時間の加熱乾燥を行
い、実施例１と同様に厚さ５００μm のプリプレグを形
成し、これを１３×１３mmにカットして封止用樹脂シー
トとする。そして半導体チップの能動面側に配置するも
のに対してはさらに選択的に紫外線照射を行い、部分架
橋により凹部Ｕを形成して封止用樹脂シートを作製し
た。

【００４９】この封止用樹脂シートを、図２に示した半
導体樹脂封止装置を用いて、実施例１と同様の半導体チ
ップの両面に貼り付け、以下アフターキュアを１８０℃
で８時間行った以外は実施例１と同様にして樹脂封止型
半導体装置を製造した。なお得られた樹脂封止型半導体
装置においてパッケ―ジの厚さは０．９mmであった。本
実施例においても得られた樹脂封止型半導体装置は実施
例１とほぼ同様の特性を有していた。

【００５０】実施例４ 次に本発明の第４の実施例として、封止用樹脂シートの
組成を変え、クレゾ―ルノボラックタイプタイプのエポ
キシ樹脂を用いた例について説明する。

【００５１】この例ではクレゾ―ルノボラックタイプの
エポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１９５ＸＬ：住友化学社製）
１００重量部、硬化剤としてフェノール樹脂５４重量
部、充填剤としてシリカ３５０重量部、触媒としてベン
ジルジアミン０．５重量部，その他添加剤としてカーボ
ンブラック３重量部、およびシランカップリング剤３重
量部をメチルセロソルブ１００重量部に溶解してエポキ
シ含浸ワニスを調製し、ガラスクロスに浸漬した後、風
乾し、乾燥機中で、８０℃×４時間の加熱乾燥を行い、
実施例１と同様に厚さ４００μm のプリプレグを形成
し、これを１３×１３mmにカットして封止用樹脂シート
とする。そして半導体チップの能動面側に配置するもの
に対しては選択的に赤外線照射を行い、部分架橋により
凹部Ｕを形成する（図１(b) ）。

【００５２】この封止用樹脂シートを実施例１と同様
に、図２に示した半導体樹脂封止装置を用いて、１０×
１０×０．３５mmの半導体チップの両面に貼り付け、以
下アフターキュアを１８０℃で８時間行った以外は実施
例１と同様にして樹脂封止型半導体装置を作製した。成
型されたパッケ―ジの厚さは０．７mmであった。

【００５３】本実施例においても得られた樹脂封止型半
導体装置は実施例１とほぼ同様の特性を有していた。

【００５４】実施例５ 次に本発明の第５の実施例として、フェノールノボラッ
クタイプのエポキシ樹脂の代わりに、クレゾ―ルノボラ
ックタイプタイプのエポキシ樹脂を用いた例について説
明する。

【００５５】この例では、クレゾ―ルノボラックタイプ
のエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１９５ＸＬ：住友化学社
製）７０重量部、難燃化性エポキシとして４−４´ビス
フェノールＡエポキシ樹脂３０重量部、硬化剤としてフ
ェノール樹脂５４重量部、充填剤としてシリカを３３０
重量部、および触媒としてベンジルジアミン０．５重量
部，その他の添加剤としてカーボンブラック３重量部、
シランカップリング剤３重量部、および三酸化アンチモ
ン２０重量部をメチルセロソルブ１００重量部に溶解し
てエポキシ含浸ワニスを調製し、ガラスクロスに浸漬し
た後、風乾し、乾燥機中で、８０℃×４時間の加熱乾燥
を行い、実施例１と同様に厚さ４００μmのプリプレグ
を形成し、これを１４×１４mmにカットし封止用樹脂シ
ートとする。そして半導体チップの能動面側に配置する
ものに対してはさらにプリプレグの所定の箇所に熱風を
吹き付け、部分架橋により凹部Ｕを形成して封止用樹脂
シートを作製した。

【００５６】この封止用樹脂シートを実施例１と同様
に、図２に示した半導体樹脂封止装置を用いて、１０×
１０×０．３５mmの半導体チップの両面に貼り付け、以
下アフターキュアを１８０℃で８時間行った以外は実施
例１と同様にして樹脂封止型半導体装置を作製した。成
型されたパッケ―ジの厚さは０．７mmであった。

【００５７】本実施例においても得られた樹脂封止型半
導体装置は実施例１とほぼ同様の特性を有していた。

【００５８】実施例６ 次に本発明の第６の実施例として、フェノールノボラッ
クタイプのエポキシ樹脂の代わりに、Ｎ，Ｎ−ジフェニ
ルメタンビスマレイミド樹脂を用いた例について説明す
る。

【００５９】この例では、Ｎ，Ｎ−ジフェニルメタンビ
スマレイミド樹脂（ＭＢ−３０００Ｈと指称されている
三菱油化社製）１００重量部、硬化剤として４，４′−
ジアミノジフェニルメタン３０重量部、充填剤としてシ
リカ３００重量部、触媒としてトリフェニルホスフィン
２重量部、その他の添加剤としてカーボンブラック３重
量部、シランカップリング剤３重量部をメチルセロソル
ブ１００重量部に溶解してエポキシ含浸ワニスを調製
し、ガラスクロスに浸漬した後、風乾し、乾燥機中で、
８０℃×４時間の加熱乾燥を行い、実施例１と同様に厚
さ４００μm のプリプレグを形成し、これを１３×１３
mmにカットして封止用樹脂シートとする。そして半導体
チップの能動面側に配置するものに対してはプリプレグ
の所定の箇所に熱風を吹き付け、部分架橋により凹部Ｕ
を形成して封止用樹脂シートを作製した。

【００６０】この封止用樹脂シートを実施例１と同様
に、図２に示した半導体樹脂封止装置を用いて、１０×
１０×０．３５mmの半導体チップの両面に貼り付け、以
下アフターキュアを１８０℃で８時間行った以外は実施
例１と同様にして樹脂封止型半導体装置を作製した。成
型されたパッケ―ジの厚さは０．７mmであった。

【００６１】本実施例においても得られた樹脂封止型半
導体装置は実施例１とほぼ同様の特性を有していた。

【００６２】実施例７ 次に本発明の第７の実施例として、フェノールノボラッ
クタイプのエポキシ樹脂の代わりに、クレゾ―ルノボラ
ックタイプタイプのエポキシ樹脂を用いた例について説
明する。

【００６３】この例では、クレゾ―ルノボラックタイプ
のエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１９５ＸＬ：住友化学社
製）１００重量部、硬化剤としてメチルヘキサヒドロ無
水物フタル酸８５重量部、充填剤としてアルミナ４３０
重量部、および触媒としてＢＦ₃ −モノエチルアミン錯
塩１重量部をメチルセロソルブ１００重量部に溶解して
エポキシ含浸ワニスを調製し、ガラスクロスに浸漬した
後、風乾し、乾燥機中で、８０℃×４時間の加熱乾燥を
行い、実施例１と同様に厚さ５００μm のプリプレグを
形成し、これを１３×１３mmにカットして封止用樹脂シ
ートとした。そして半導体チップの能動面側に配置する
ものに対してはさらにプリプレグの所定の箇所に熱風を
吹き付け、部分架橋により凹部Ｕを形成して封止用樹脂
シートとする。 この封止用樹脂シートを実施例１と同
様に、図２に示した半導体樹脂封止装置を用いて、１０
×１０×０．３５mmの半導体チップの両面に貼り付け、
以下アフターキュアを１８０℃で８時間行った以外は実
施例１と同様にして樹脂封止型半導体装置を作製した。
成型されたパッケ―ジの厚さは０．７mmであった。

【００６４】本実施例においても得られた樹脂封止型半
導体装置は実施例１とほぼ同様の特性を有していた。

【００６５】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、製造が容易でパッケージの大型化、薄型化に適し、
製作時の電力消費が小さく高速化に十分に対応可能な樹
脂封止型半導体装置の製造方法を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明実施例の樹脂封止型半導体装置の製造工
程を示す断面図

【図２】本発明実施例で用いられる半導体封止装置を示
す概略図

【図３】本発明実施例で用いられる金型を示す断面図

【図４】本発明で用いることのできる他の樹脂封止装置
を示す概略図

【図５】本発明で用いることのできる他の樹脂封止装置
を示す概略図

【符号の説明】

１ 封止用樹脂シート ２ フィルムキャリア ２Ｓ フィルム ２ｄ リード ３ バンプ ４ 半導体チップ １００ 供給リール ２００ 半導体チップ搭載部 ３００ シート貼着部 ４００ 圧縮成型部 ５００ 巻取リール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 善積 章 神奈川県川崎市幸区小向東芝町 １ 株式 会社東芝総合研究所内 (72)発明者 田窪 知章 神奈川県川崎市幸区小向東芝町 １ 株式 会社東芝総合研究所内 (72)発明者 山地 泰弘 神奈川県川崎市幸区小向東芝町 １ 株式 会社東芝総合研究所内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも一方の主面が未硬化樹脂から
   なり前記未硬化樹脂からなる主面に凹部が形成されてな
   る封止用樹脂シートを、 リードに接続された半導体チップの能動面側に、前記凹
   部が前記能動面と対向するように供給する工程と、 前記封止用樹脂シートを前記半導体チップに加圧しつつ
   前記未硬化樹脂を硬化せしめ、前記半導体チップの能動
   面の近傍に中空領域を形成しながらこれらを一体成型す
   る工程とを具備したことを特徴とする樹脂封止型半導体
   装置の製造方法。
2. 【請求項２】 少なくとも一方の主面が光硬化性の未硬
   化樹脂からなる封止用樹脂シートを形成する工程と前記
   封止用樹脂シートの前記未硬化樹脂からなる一主面に局
   所的に光照射を行うことにより樹脂の光硬化による部分
   架橋により凹部を形成する凹部形成工程とを含むことを
   特徴とする封止用樹脂シートの製造方法。