JP3199963B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP3199963B2 JP3199963B2 JP24299294A JP24299294A JP3199963B2 JP 3199963 B2 JP3199963 B2 JP 3199963B2 JP 24299294 A JP24299294 A JP 24299294A JP 24299294 A JP24299294 A JP 24299294A JP 3199963 B2 JP3199963 B2 JP 3199963B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- mold
- semiconductor device
- manufacturing
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、特に樹脂封止パッケージを有する半導体装置の
製造方法に関する。
に係り、特に樹脂封止パッケージを有する半導体装置の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１７（ａ）乃至（ｃ）は、ＴＡＢ（Ta
pe Automated Bonding）技術を用いた従来の半導体装置
のパッケージの樹脂封止例を示している。ここで、８１
は半導体チップ、８２は半導体チップ８１に形成された
バンプ電極、８３はＴＡＢリード、８４はＴＡＢリード
８３を支持するポリイミドテープ、８５は半導体チップ
８１およびリード８３を含めた領域を封止した保護樹脂
である。
pe Automated Bonding）技術を用いた従来の半導体装置
のパッケージの樹脂封止例を示している。ここで、８１
は半導体チップ、８２は半導体チップ８１に形成された
バンプ電極、８３はＴＡＢリード、８４はＴＡＢリード
８３を支持するポリイミドテープ、８５は半導体チップ
８１およびリード８３を含めた領域を封止した保護樹脂
である。
【０００３】図１７（ａ）のパッケージは、ガラス繊維
にエポキシ樹脂を含浸させたシート状の固形樹脂をチッ
プ寸法よりも大きめに切断し、チップ８１の両面に設置
し、熱溶融させて保護樹脂８５を形成したものである。
この構造は、ＴＡＢ技術が使用され始めた頃によく用い
られたが、現在は、余り使用されていない。
にエポキシ樹脂を含浸させたシート状の固形樹脂をチッ
プ寸法よりも大きめに切断し、チップ８１の両面に設置
し、熱溶融させて保護樹脂８５を形成したものである。
この構造は、ＴＡＢ技術が使用され始めた頃によく用い
られたが、現在は、余り使用されていない。
【０００４】図１７（ｂ）のパッケージは、溶剤タイプ
の液状の樹脂をリード８３を含めたチップ８１の表面に
ポッテング法により塗布した後、複数回の熱処理によっ
て樹脂を硬化させて保護樹脂８５を形成したものであ
り、非常に薄く形成できる特徴があり、今日の主流にな
っている。
の液状の樹脂をリード８３を含めたチップ８１の表面に
ポッテング法により塗布した後、複数回の熱処理によっ
て樹脂を硬化させて保護樹脂８５を形成したものであ
り、非常に薄く形成できる特徴があり、今日の主流にな
っている。
【０００５】図１７（ｃ）のパッケージは、インナーリ
ードボンディング後のチップ８１を樹脂封止して保護樹
脂８５を形成したものであり、通常のリードフレーム上
のチップを樹脂封止するトランスファ・モールドと同じ
方法で形成される。
ードボンディング後のチップ８１を樹脂封止して保護樹
脂８５を形成したものであり、通常のリードフレーム上
のチップを樹脂封止するトランスファ・モールドと同じ
方法で形成される。
【０００６】図１８（ａ）乃至（ｆ）は、リードフレー
ムを用いた従来の半導体装置のパッケージをトランスフ
ァ・モールド装置により樹脂封止する工程例を示してい
る。ここで、９０は金型であり、９０ａは上型、９０ｂ
は下型、９０ｃはポット部、９０ｄはキャビティ部、９
０ｅはカル部、９０ｆはランナー部、９０ｇはゲート部
である。９１は半導体チップ、９２はリードフレーム、
９４は樹脂タブレット、９６はプランジャ、９７は高周
波ヒーターである。
ムを用いた従来の半導体装置のパッケージをトランスフ
ァ・モールド装置により樹脂封止する工程例を示してい
る。ここで、９０は金型であり、９０ａは上型、９０ｂ
は下型、９０ｃはポット部、９０ｄはキャビティ部、９
０ｅはカル部、９０ｆはランナー部、９０ｇはゲート部
である。９１は半導体チップ、９２はリードフレーム、
９４は樹脂タブレット、９６はプランジャ、９７は高周
波ヒーターである。
【０００７】即ち、図１８（ａ）に示すように、ボンデ
ィングされたチップ９１を搭載したリードフレーム９２
を加熱された金型の下型９０ｂにセットし、上型９０ａ
を下げて固定する。そして、図１８（ｂ）に示すように
樹脂タブレット９４を高周波ヒーター９７で予備加熱し
た後、図１８（ｃ）に示すようにポット部９０ｃより樹
脂タブレット９４を投入する。次に、図１８（ｄ）に示
すようにプランジャ９６を下げ、樹脂を金型のキャビテ
ィ部９０ｄに注入して硬化させる。
ィングされたチップ９１を搭載したリードフレーム９２
を加熱された金型の下型９０ｂにセットし、上型９０ａ
を下げて固定する。そして、図１８（ｂ）に示すように
樹脂タブレット９４を高周波ヒーター９７で予備加熱し
た後、図１８（ｃ）に示すようにポット部９０ｃより樹
脂タブレット９４を投入する。次に、図１８（ｄ）に示
すようにプランジャ９６を下げ、樹脂を金型のキャビテ
ィ部９０ｄに注入して硬化させる。
【０００８】図１９は、上記図１８（ｄ）の工程でトラ
ンスファ・モールド装置内に樹脂９４ａが流れる様子を
示しており、樹脂タブレット９４がポット部９０ｃに供
給された後、プランジャ９６により射出された樹脂９４
ａがランナー部９０ｆを通り、ゲート部９０ｇを経てキ
ャビティ部９０ｄ内に注入される。キャビティ部９０ｄ
内には前記したようにリードフレーム９２がセットされ
ており、このリードフレーム９２のダイパッド部９２ａ
上にチップ９１が搭載され、ボンディングワイヤ９３に
よりチップ９１の電極とリードフレーム９２とが接続さ
れている。
ンスファ・モールド装置内に樹脂９４ａが流れる様子を
示しており、樹脂タブレット９４がポット部９０ｃに供
給された後、プランジャ９６により射出された樹脂９４
ａがランナー部９０ｆを通り、ゲート部９０ｇを経てキ
ャビティ部９０ｄ内に注入される。キャビティ部９０ｄ
内には前記したようにリードフレーム９２がセットされ
ており、このリードフレーム９２のダイパッド部９２ａ
上にチップ９１が搭載され、ボンディングワイヤ９３に
よりチップ９１の電極とリードフレーム９２とが接続さ
れている。
【０００９】次に、図１８（ｅ）に示すように、上型９
０ａを上げて成形品を取り出した後、図１８（ｆ）に示
すように、単体の樹脂封止パッケージ９８を完成させ
る。しかし、前記した図１７（ａ）に示したような半導
体パッケージは、樹脂外形が均一ではなく、薄型に樹脂
封止することは困難である。また、図１７（ｂ）に示し
たような半導体パッケージは、薄型な樹脂封止が可能で
あるが、チップ裏面が樹脂封止されていないので、熱膨
張によるバランスが悪く、熱応力によってリード切れや
チップのクラックなどが発生する。また、金型等による
加熱圧着成形を施していないので、外形に統一性がな
い。また、図１７（ｃ）や図１８に示したトランスファ
・モールドタイプの半導体パッケージは、均一な樹脂外
形を成形できるが、モールドを行う前に樹脂タブレット
９４を高周波ヒーター９７で予備加熱する必要があり、
また、図１９に示したように樹脂９４ａを射出注入する
際に、ボンディングワイヤ９３の変形や、チップ９１を
搭載したリードフレーム９２のダイパッド部９２ａの傾
き、あるいは樹脂外形への露出などが発生する。
０ａを上げて成形品を取り出した後、図１８（ｆ）に示
すように、単体の樹脂封止パッケージ９８を完成させ
る。しかし、前記した図１７（ａ）に示したような半導
体パッケージは、樹脂外形が均一ではなく、薄型に樹脂
封止することは困難である。また、図１７（ｂ）に示し
たような半導体パッケージは、薄型な樹脂封止が可能で
あるが、チップ裏面が樹脂封止されていないので、熱膨
張によるバランスが悪く、熱応力によってリード切れや
チップのクラックなどが発生する。また、金型等による
加熱圧着成形を施していないので、外形に統一性がな
い。また、図１７（ｃ）や図１８に示したトランスファ
・モールドタイプの半導体パッケージは、均一な樹脂外
形を成形できるが、モールドを行う前に樹脂タブレット
９４を高周波ヒーター９７で予備加熱する必要があり、
また、図１９に示したように樹脂９４ａを射出注入する
際に、ボンディングワイヤ９３の変形や、チップ９１を
搭載したリードフレーム９２のダイパッド部９２ａの傾
き、あるいは樹脂外形への露出などが発生する。
【００１０】さらに、パッケージを著しく薄くする場
合、樹脂９４ａの注入に際してキャビティ部９０ｄ内で
の流動は著しく制約されることになり、未充填やボイド
が発生し、チップ９１の僅かな傾きも大きな問題となっ
てくる。
合、樹脂９４ａの注入に際してキャビティ部９０ｄ内で
の流動は著しく制約されることになり、未充填やボイド
が発生し、チップ９１の僅かな傾きも大きな問題となっ
てくる。
【００１１】ところで、パッケージを薄型化する例とし
て、メモリＬＳＩのチップを樹脂封止したメモリカード
を想定すると、このメモリカードは多段に重ねて実装さ
れたり、非常に狭いスペースに実装される。従って、パ
ッケージの外形形状は均一である必要が有り、ポッテン
グ法による封止ではなく、トランスファ・モールド法な
ど金型による均一外形の形成が必要である。
て、メモリＬＳＩのチップを樹脂封止したメモリカード
を想定すると、このメモリカードは多段に重ねて実装さ
れたり、非常に狭いスペースに実装される。従って、パ
ッケージの外形形状は均一である必要が有り、ポッテン
グ法による封止ではなく、トランスファ・モールド法な
ど金型による均一外形の形成が必要である。
【００１２】しかし、前述したようにトランスファ・モ
ールド法により薄型パッケージを成形する場合には、樹
脂を射出注入する際にチップが僅かに傾いていても、樹
脂外形の外側に露出する可能性が有り、トランスファ・
モールド法による射出成形では安定した成形が困難であ
る。因みに、リードフレームのダイパッド部の厚さが１
５０μｍ程度、ＬＳＩチップの厚さが３５０μｍ程度、
ＬＳＩチップの上下にトランスファ・モールド法により
成形可能な樹脂の厚さがそれぞれ１００μｍ程度である
とすると、トランスファ・モールド法により安定に成形
したパッケージの厚さは、現状では、１ｍｍ程度を越え
てしまう。
ールド法により薄型パッケージを成形する場合には、樹
脂を射出注入する際にチップが僅かに傾いていても、樹
脂外形の外側に露出する可能性が有り、トランスファ・
モールド法による射出成形では安定した成形が困難であ
る。因みに、リードフレームのダイパッド部の厚さが１
５０μｍ程度、ＬＳＩチップの厚さが３５０μｍ程度、
ＬＳＩチップの上下にトランスファ・モールド法により
成形可能な樹脂の厚さがそれぞれ１００μｍ程度である
とすると、トランスファ・モールド法により安定に成形
したパッケージの厚さは、現状では、１ｍｍ程度を越え
てしまう。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
半導体装置は、トランスファ・モールド法により樹脂を
射出成形して１ｍｍ以下の超薄型化パッケージを安定に
実現することが困難であるという問題があった。
半導体装置は、トランスファ・モールド法により樹脂を
射出成形して１ｍｍ以下の超薄型化パッケージを安定に
実現することが困難であるという問題があった。
【００１４】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、超薄型で高信頼性の半導体パッケージを有す
る半導体装置を容易に製造し得る半導体装置の製造方法
を提供することを目的とする。
たもので、超薄型で高信頼性の半導体パッケージを有す
る半導体装置を容易に製造し得る半導体装置の製造方法
を提供することを目的とする。
【００１５】
【００１６】
【課題を解決するための手段】 本 発明の半導体装置の製
造方法は、上型および下型に分割された樹脂封止用の金
型を所定の高温に保ち、上記金型の内部へ熱硬化型で粉
末状の樹脂を吹き付けて塗布し溶融させる第１の工程
と、半導体チップを搭載したリードフレームあるいはＴ
ＡＢテープを上記金型の内部に固定し、金型に圧力をか
けて前記樹脂を圧縮成形してパッケージを形成する第２
の工程とを具備することを特徴とする。
造方法は、上型および下型に分割された樹脂封止用の金
型を所定の高温に保ち、上記金型の内部へ熱硬化型で粉
末状の樹脂を吹き付けて塗布し溶融させる第１の工程
と、半導体チップを搭載したリードフレームあるいはＴ
ＡＢテープを上記金型の内部に固定し、金型に圧力をか
けて前記樹脂を圧縮成形してパッケージを形成する第２
の工程とを具備することを特徴とする。
【００１７】
【作用】本発明の半導体装置の製造方法は、金型への樹
脂の供給を射出ではなく、高温の金型に熱硬化型で粉末
状の樹脂を吹き付けて塗布し溶融させ、半導体チップを
搭載したリードフレームあるいはＴＡＢテープを金型内
部にセットし、金型をプレスして樹脂を圧縮成形してパ
ッケージを形成する。これにより、均一外形のパッケー
ジを形成でき、従来と同様の厚型のパッケージや薄型の
パッケージだけでなく、厚さが１ｍｍ以下の超薄型パッ
ケージを容易に製造することができる。
脂の供給を射出ではなく、高温の金型に熱硬化型で粉末
状の樹脂を吹き付けて塗布し溶融させ、半導体チップを
搭載したリードフレームあるいはＴＡＢテープを金型内
部にセットし、金型をプレスして樹脂を圧縮成形してパ
ッケージを形成する。これにより、均一外形のパッケー
ジを形成でき、従来と同様の厚型のパッケージや薄型の
パッケージだけでなく、厚さが１ｍｍ以下の超薄型パッ
ケージを容易に製造することができる。
【００１８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１（ａ）乃至（ｄ）は、本発明の第１実
施例に係るリードフレームを用いた半導体装置のパッケ
ージを形成する工程例を示している。ここで、１０は樹
脂封止用の金型であり、上型１０ａ、下型１０ｂ、キャ
ビティ部１０ｃを有する。１１は半導体チップ、１２は
リードフレームであり、そのダイパッド部１２ａ上に前
記半導体チップ１１を接着剤（図示せず）により接着し
て搭載している。１３は半導体チップ１１の電極とリー
ドフレーム１２とを電気的に接続するボンディングワイ
ヤである。１４は熱硬化型の樹脂、１５は上記チップ１
１およびボンディングワイヤ１３を含めた領域を封止す
るように圧縮成形された樹脂パッケージである。
に説明する。図１（ａ）乃至（ｄ）は、本発明の第１実
施例に係るリードフレームを用いた半導体装置のパッケ
ージを形成する工程例を示している。ここで、１０は樹
脂封止用の金型であり、上型１０ａ、下型１０ｂ、キャ
ビティ部１０ｃを有する。１１は半導体チップ、１２は
リードフレームであり、そのダイパッド部１２ａ上に前
記半導体チップ１１を接着剤（図示せず）により接着し
て搭載している。１３は半導体チップ１１の電極とリー
ドフレーム１２とを電気的に接続するボンディングワイ
ヤである。１４は熱硬化型の樹脂、１５は上記チップ１
１およびボンディングワイヤ１３を含めた領域を封止す
るように圧縮成形された樹脂パッケージである。
【００１９】即ち、予め、図１（ｂ）に示すように、ダ
イパッド部１２ａ上に半導体チップ１１を搭載し、チッ
プ１１の電極とリードフレーム１２とをボンディングワ
イヤ１３により接続しておく。そして、図１（ａ）に示
すように、上下（上型、下型）に分割された金型１０を
所定温度（本例では１７０℃程度の高温）に保ち、金型
１０の内部へ熱硬化型の樹脂１４を塗布して溶融させ
る。本例では、粉状の樹脂を金型内部（キャビティ部１
０ｃ）の上下に吹き付けて溶融させる。この場合、上型
１０ａの樹脂１４は溶融し、その粘度および表面張力に
より上型内に留まる。但し、厚型のパッケージを形成す
る場合には、上型１０ａへの吹き付け樹脂量が多くなる
ので、樹脂の物性値や金型温度を最適に設定しないと、
上型内の樹脂は垂れてしまう。
イパッド部１２ａ上に半導体チップ１１を搭載し、チッ
プ１１の電極とリードフレーム１２とをボンディングワ
イヤ１３により接続しておく。そして、図１（ａ）に示
すように、上下（上型、下型）に分割された金型１０を
所定温度（本例では１７０℃程度の高温）に保ち、金型
１０の内部へ熱硬化型の樹脂１４を塗布して溶融させ
る。本例では、粉状の樹脂を金型内部（キャビティ部１
０ｃ）の上下に吹き付けて溶融させる。この場合、上型
１０ａの樹脂１４は溶融し、その粘度および表面張力に
より上型内に留まる。但し、厚型のパッケージを形成す
る場合には、上型１０ａへの吹き付け樹脂量が多くなる
ので、樹脂の物性値や金型温度を最適に設定しないと、
上型内の樹脂は垂れてしまう。
【００２０】次に、この状態で、前述したように半導体
チップ１１を搭載してボンディングまで終了したリード
フレーム１２を金型１０の内部に固定（本例では、上
型、下型間にセット）し、金型１０に圧力をかけて樹脂
１４を圧縮成形する。そして、樹脂がある程度硬化した
後に金型１０から取り出し、図１（ｃ）および（ｄ）に
示すように、リードフレーム１２の樹脂外形よりも外側
に位置するアウターリード部分１２ｂを回路基板（図示
せず）へ実装するための形状（本例では、ガルウイング
形状）に加工することにより、樹脂封止パッケージ１５
が形成される。
チップ１１を搭載してボンディングまで終了したリード
フレーム１２を金型１０の内部に固定（本例では、上
型、下型間にセット）し、金型１０に圧力をかけて樹脂
１４を圧縮成形する。そして、樹脂がある程度硬化した
後に金型１０から取り出し、図１（ｃ）および（ｄ）に
示すように、リードフレーム１２の樹脂外形よりも外側
に位置するアウターリード部分１２ｂを回路基板（図示
せず）へ実装するための形状（本例では、ガルウイング
形状）に加工することにより、樹脂封止パッケージ１５
が形成される。
【００２１】上記したような第１実施例の製造工程によ
れば、従来のトランスファ・モールドにより成形された
パッケージと同様にパッケージ外形を均一に形成するこ
とができる。
れば、従来のトランスファ・モールドにより成形された
パッケージと同様にパッケージ外形を均一に形成するこ
とができる。
【００２２】また、トランスファ・モールドのような樹
脂の流動による成形を行わないので、樹脂封止パッケー
ジ内に位置するチップの浮きや、傾き、露出などを抑え
ることができ、薄型の樹脂封止パッケージを実現する上
で非常に有効である。例えば、薄型の樹脂封止パッケー
ジを形成しようとする際、トランスファ・モールドのよ
うな樹脂の流動による成形方法では、樹脂が回り込まな
いので成形できないが、本実施例によれば、金型に供給
する樹脂量を少なくできるので、薄型パッケージの方が
厚型パッケージよりも成形し易くなる。また、トランス
ファ・モールドでは、樹脂を流動させるためにカル部や
ランナー部などに無駄な樹脂が必要であったが、本実施
例では、無駄な樹脂が必要なくなり、必要とする樹脂量
を著しく減少させることができる。
脂の流動による成形を行わないので、樹脂封止パッケー
ジ内に位置するチップの浮きや、傾き、露出などを抑え
ることができ、薄型の樹脂封止パッケージを実現する上
で非常に有効である。例えば、薄型の樹脂封止パッケー
ジを形成しようとする際、トランスファ・モールドのよ
うな樹脂の流動による成形方法では、樹脂が回り込まな
いので成形できないが、本実施例によれば、金型に供給
する樹脂量を少なくできるので、薄型パッケージの方が
厚型パッケージよりも成形し易くなる。また、トランス
ファ・モールドでは、樹脂を流動させるためにカル部や
ランナー部などに無駄な樹脂が必要であったが、本実施
例では、無駄な樹脂が必要なくなり、必要とする樹脂量
を著しく減少させることができる。
【００２３】また、本実施例の製造工程によれば、樹脂
封止する際の樹脂の予備加熱を必要としなくなる。これ
は、成形のための金型を予め高温に保ち、そこに粉末状
で溶融し易い状態の樹脂を塗布するので、樹脂が容易に
溶融することによる。従って、製造にかかる時間を大幅
に短縮することができる。
封止する際の樹脂の予備加熱を必要としなくなる。これ
は、成形のための金型を予め高温に保ち、そこに粉末状
で溶融し易い状態の樹脂を塗布するので、樹脂が容易に
溶融することによる。従って、製造にかかる時間を大幅
に短縮することができる。
【００２４】図２（ａ）および（ｂ）は、本発明の第２
実施例に係るリードフレームを用いた半導体装置のパッ
ケージを形成する工程例を示している。ここで、樹脂封
止用の金型１０は、上型１０ａ、下型１０ｂ、キャビテ
ィ部１０ｃを有する。１１は半導体チップ、１２はリー
ドフレームであり、ダイパッド部を有さず、チップ配置
用穴部を有する。１３は半導体チップ１１の電極とリー
ドフレーム１２とを電気的に接続するボンディングワイ
ヤである。上記半導体チップ１１は、その表面あるいは
裏面では固定されておらず、リードフレーム１２のチッ
プ配置用穴部に配置され、その側面で接着剤１６により
リードフレーム１２に固定されている。１４は熱硬化型
の樹脂、１５は上記チップ１１およびボンディングワイ
ヤ１３を含めた領域を封止するように圧縮成形された樹
脂パッケージである。
実施例に係るリードフレームを用いた半導体装置のパッ
ケージを形成する工程例を示している。ここで、樹脂封
止用の金型１０は、上型１０ａ、下型１０ｂ、キャビテ
ィ部１０ｃを有する。１１は半導体チップ、１２はリー
ドフレームであり、ダイパッド部を有さず、チップ配置
用穴部を有する。１３は半導体チップ１１の電極とリー
ドフレーム１２とを電気的に接続するボンディングワイ
ヤである。上記半導体チップ１１は、その表面あるいは
裏面では固定されておらず、リードフレーム１２のチッ
プ配置用穴部に配置され、その側面で接着剤１６により
リードフレーム１２に固定されている。１４は熱硬化型
の樹脂、１５は上記チップ１１およびボンディングワイ
ヤ１３を含めた領域を封止するように圧縮成形された樹
脂パッケージである。
【００２５】即ち、予め、図２（ａ）に示すように、リ
ードフレーム１２とチップ１１の側面同士を接着剤１６
により接着し、ボンディングワイヤ１３によりチップ１
１の電極とリードフレーム１２とを接続しておく。そし
て、金型１０を所定温度（本例では１００℃以上の高
温）に保ち、金型１０の内部へ熱硬化型の樹脂１４を塗
布して溶融させる。
ードフレーム１２とチップ１１の側面同士を接着剤１６
により接着し、ボンディングワイヤ１３によりチップ１
１の電極とリードフレーム１２とを接続しておく。そし
て、金型１０を所定温度（本例では１００℃以上の高
温）に保ち、金型１０の内部へ熱硬化型の樹脂１４を塗
布して溶融させる。
【００２６】次に、この状態で、前述したように半導体
チップ１１を搭載してボンディングまで終了したリード
フレーム１２を上下の金型間にセットし、金型１０に圧
力をかけて樹脂１４を圧縮成形する。そして、樹脂１４
がある程度硬化した後に金型１０から取り出し、図２
（ｂ）に示すように、リードフレーム１２の樹脂外形よ
りも外側に位置するアウターリード部分１２ｂを回路基
板へ実装するための形状に加工する。これにより、第１
実施例よりも少なくともリードフレームのダイパッド部
（図１中の１２ａ）の厚さ分だけ薄い樹脂封止パッケー
ジ１５が形成される。
チップ１１を搭載してボンディングまで終了したリード
フレーム１２を上下の金型間にセットし、金型１０に圧
力をかけて樹脂１４を圧縮成形する。そして、樹脂１４
がある程度硬化した後に金型１０から取り出し、図２
（ｂ）に示すように、リードフレーム１２の樹脂外形よ
りも外側に位置するアウターリード部分１２ｂを回路基
板へ実装するための形状に加工する。これにより、第１
実施例よりも少なくともリードフレームのダイパッド部
（図１中の１２ａ）の厚さ分だけ薄い樹脂封止パッケー
ジ１５が形成される。
【００２７】図３（ａ）および（ｂ）は、本発明の第３
実施例に係るＴＡＢ方式を用いた半導体装置のパッケー
ジを形成する工程例を示している。ここで、樹脂封止用
の金型は、上型１０ａ、下型１０ｂ、キャビティ部１０
ｃを有する。２１は半導体チップであり、バンプ電極２
１ａが形成されている。２２はＴＡＢリードであり、ポ
リイミドテープ２３により支持されている。上記半導体
チップ２１は、バンプ電極２１ａがＴＡＢリード２２に
ボンディングされて固定されている。１４は熱硬化型の
樹脂、１５は上記チップ２１およびＴＡＢリード２２の
インナーリード部分を含めた領域を封止するように圧縮
成形された樹脂パッケージである。
実施例に係るＴＡＢ方式を用いた半導体装置のパッケー
ジを形成する工程例を示している。ここで、樹脂封止用
の金型は、上型１０ａ、下型１０ｂ、キャビティ部１０
ｃを有する。２１は半導体チップであり、バンプ電極２
１ａが形成されている。２２はＴＡＢリードであり、ポ
リイミドテープ２３により支持されている。上記半導体
チップ２１は、バンプ電極２１ａがＴＡＢリード２２に
ボンディングされて固定されている。１４は熱硬化型の
樹脂、１５は上記チップ２１およびＴＡＢリード２２の
インナーリード部分を含めた領域を封止するように圧縮
成形された樹脂パッケージである。
【００２８】即ち、予め、図３（ａ）に示すように、Ｔ
ＡＢリード２２とチップ２１のバンプ電極２１ａとをボ
ンディング接着しておく。そして、金型を所定温度（本
例では１００℃以上の高温）に保ち、金型の内部へ熱硬
化型の樹脂１４を塗布して溶融させる。
ＡＢリード２２とチップ２１のバンプ電極２１ａとをボ
ンディング接着しておく。そして、金型を所定温度（本
例では１００℃以上の高温）に保ち、金型の内部へ熱硬
化型の樹脂１４を塗布して溶融させる。
【００２９】次に、この状態で、前述したようにＴＡＢ
リードとチップのバンプ電極とのボンディングまで終了
したＴＡＢテープ２３を上下の金型間にセットし、金型
に圧力をかけて樹脂１４を圧縮成形する。そして、樹脂
１４がある程度硬化した後に金型から取り出し、図３
（ｂ）に示すように、ＴＡＢリード２２の樹脂外形より
も外側に位置するアウターリード部分２２ｂを回路基板
へ実装するための形状に加工することにより、樹脂封止
パッケージ１５が形成される。
リードとチップのバンプ電極とのボンディングまで終了
したＴＡＢテープ２３を上下の金型間にセットし、金型
に圧力をかけて樹脂１４を圧縮成形する。そして、樹脂
１４がある程度硬化した後に金型から取り出し、図３
（ｂ）に示すように、ＴＡＢリード２２の樹脂外形より
も外側に位置するアウターリード部分２２ｂを回路基板
へ実装するための形状に加工することにより、樹脂封止
パッケージ１５が形成される。
【００３０】なお、ダイパッド部を有さないリードフレ
ームを用いてチップ側面を固定するには、第２実施例の
ような接着剤に限らず、リードフレームの弾性変形（バ
ネ効果）により固定する方法や、リードフレームを塑性
変形させる方法が有る。
ームを用いてチップ側面を固定するには、第２実施例の
ような接着剤に限らず、リードフレームの弾性変形（バ
ネ効果）により固定する方法や、リードフレームを塑性
変形させる方法が有る。
【００３１】図４は、本発明の第４実施例に係るリード
フレームを用いた半導体装置の断面構造を示している。
ここで、１１は半導体チップ、１２はリードフレームで
あり、ダイパッド部を有さず、チップ配置用穴部を有す
る。１３は半導体チップ１１の電極とリードフレーム１
２とを電気的に接続するボンディングワイヤである。上
記半導体チップ１１は、その表面あるいは裏面では固定
されておらず、リードフレーム１２のチップ配置用穴部
に配置され、その側面でリードフレーム１２のサポート
用のピンにより固定されている。１５は上記チップ１１
およびボンディングワイヤ１３を含めた領域を封止する
ように圧縮成形された樹脂パッケージである。
フレームを用いた半導体装置の断面構造を示している。
ここで、１１は半導体チップ、１２はリードフレームで
あり、ダイパッド部を有さず、チップ配置用穴部を有す
る。１３は半導体チップ１１の電極とリードフレーム１
２とを電気的に接続するボンディングワイヤである。上
記半導体チップ１１は、その表面あるいは裏面では固定
されておらず、リードフレーム１２のチップ配置用穴部
に配置され、その側面でリードフレーム１２のサポート
用のピンにより固定されている。１５は上記チップ１１
およびボンディングワイヤ１３を含めた領域を封止する
ように圧縮成形された樹脂パッケージである。
【００３２】これにより、前記第１実施例よりも少なく
ともリードフレームのダイパッド部（図１中の１２ａ）
の厚さ分だけ薄い樹脂封止パッケージが形成される。な
お、上記第４実施例の樹脂封止パッケージは、前記第２
実施例に準じた工程で製造されるものであるが、熱硬化
樹脂の成形後の収縮に伴うパッケージの反りをなくする
ために、チップの上下にそれぞれ位置する樹脂１５ａ、
１５ｂの厚さがほぼ同じとなるように、高温の金型に塗
布する樹脂量を上下とも同じとしている。
ともリードフレームのダイパッド部（図１中の１２ａ）
の厚さ分だけ薄い樹脂封止パッケージが形成される。な
お、上記第４実施例の樹脂封止パッケージは、前記第２
実施例に準じた工程で製造されるものであるが、熱硬化
樹脂の成形後の収縮に伴うパッケージの反りをなくする
ために、チップの上下にそれぞれ位置する樹脂１５ａ、
１５ｂの厚さがほぼ同じとなるように、高温の金型に塗
布する樹脂量を上下とも同じとしている。
【００３３】図５は、本発明の第５実施例に係るリード
フレームを用いた半導体装置の断面構造を示している。
この半導体装置は、上記第４実施例の半導体装置と比べ
て、パッケージの耐湿性を向上させるために、チップ１
１の表面側（上側）の樹脂１５ａがチップ１１の下側の
樹脂１５ｂよりも厚くなるように、高温の金型の上側に
塗布する樹脂量が下側に塗布する樹脂量よりも多くなる
ように制御している点が異なる。
フレームを用いた半導体装置の断面構造を示している。
この半導体装置は、上記第４実施例の半導体装置と比べ
て、パッケージの耐湿性を向上させるために、チップ１
１の表面側（上側）の樹脂１５ａがチップ１１の下側の
樹脂１５ｂよりも厚くなるように、高温の金型の上側に
塗布する樹脂量が下側に塗布する樹脂量よりも多くなる
ように制御している点が異なる。
【００３４】図６は、本発明の第６実施例に係るリード
フレームを用いた半導体装置の断面構造を示している。
この半導体装置は、前記第４実施例の半導体装置と比べ
て、回路基板への実装時の耐パッケージクラック性を向
上させるために、チップ１１の下側１５ｂの樹脂がチッ
プ１１の上側の樹脂１５ａよりも厚くなるように、高温
の金型の下側に塗布する樹脂量が上側に塗布する樹脂量
よりも多くなるように制御している。
フレームを用いた半導体装置の断面構造を示している。
この半導体装置は、前記第４実施例の半導体装置と比べ
て、回路基板への実装時の耐パッケージクラック性を向
上させるために、チップ１１の下側１５ｂの樹脂がチッ
プ１１の上側の樹脂１５ａよりも厚くなるように、高温
の金型の下側に塗布する樹脂量が上側に塗布する樹脂量
よりも多くなるように制御している。
【００３５】上記第２実施例、第４実施例乃至第６実施
例の製造工程のように、ダイパッド部を有さないリード
フレームを用いた半導体装置に適用した場合には、著し
く薄型の樹脂封止パッケージを形成できる。この場合、
チップの上下に位置する樹脂量を容易に調節でき、これ
により各種の特性改善が可能である。例えば、上下の金
型に供給する樹脂量を同一にし、チップ上下の樹脂厚さ
をほぼ同一にすると、熱膨張に対するバランスが非常に
よく、パッケージの反りは殆んど生じなくなる。また、
チップの耐湿性を向上させるためには、上型に供給する
樹脂量を多くして、チップ上の樹脂厚を厚く成形すれば
よく、回路基板への実装時のパッケージクラック（樹脂
が吸湿した水分がパッケージ内部の異種材料界面で気化
膨張してパッケージが膨れて破壊すること）に対する耐
性を向上させるためには、下型に供給する樹脂量を多く
して、チップ下の樹脂を厚く成形すればよい。
例の製造工程のように、ダイパッド部を有さないリード
フレームを用いた半導体装置に適用した場合には、著し
く薄型の樹脂封止パッケージを形成できる。この場合、
チップの上下に位置する樹脂量を容易に調節でき、これ
により各種の特性改善が可能である。例えば、上下の金
型に供給する樹脂量を同一にし、チップ上下の樹脂厚さ
をほぼ同一にすると、熱膨張に対するバランスが非常に
よく、パッケージの反りは殆んど生じなくなる。また、
チップの耐湿性を向上させるためには、上型に供給する
樹脂量を多くして、チップ上の樹脂厚を厚く成形すれば
よく、回路基板への実装時のパッケージクラック（樹脂
が吸湿した水分がパッケージ内部の異種材料界面で気化
膨張してパッケージが膨れて破壊すること）に対する耐
性を向上させるためには、下型に供給する樹脂量を多く
して、チップ下の樹脂を厚く成形すればよい。
【００３６】図７は、本発明の半導体装置の製造方法に
おける金型への樹脂の塗布工程の一例として、ノズル３
０（例えば１個の開口先端を有する一点ノズル）の先端
から、トランスファモールド用の樹脂タブレットを粉末
状にした樹脂２４を金型（代表的に下型１０ｂのみ示
す）に吹き付ける様子を示している。この際、従来のト
ランスファ成形で用いられていた樹脂タブレットを粉末
状にして塗布した場合には、従来の樹脂封止パッケージ
と全く同一の性質（樹脂物性値）を有する樹脂封止パッ
ケージを形成することができる。
おける金型への樹脂の塗布工程の一例として、ノズル３
０（例えば１個の開口先端を有する一点ノズル）の先端
から、トランスファモールド用の樹脂タブレットを粉末
状にした樹脂２４を金型（代表的に下型１０ｂのみ示
す）に吹き付ける様子を示している。この際、従来のト
ランスファ成形で用いられていた樹脂タブレットを粉末
状にして塗布した場合には、従来の樹脂封止パッケージ
と全く同一の性質（樹脂物性値）を有する樹脂封止パッ
ケージを形成することができる。
【００３７】図８は、本発明の半導体装置の製造方法に
おける金型への樹脂の塗布工程の他の例として、ノズル
３０から液状になった樹脂３４を金型（代表的に下型１
０ｂのみ示す）に塗布する様子を示している。液状の樹
脂３４は溶融し易い利点がある。この場合、上型（図示
せず）への供給は液状の樹脂に圧力をかけて噴射させた
り、あるいは「はけ」などにより樹脂を塗布することが
可能である。
おける金型への樹脂の塗布工程の他の例として、ノズル
３０から液状になった樹脂３４を金型（代表的に下型１
０ｂのみ示す）に塗布する様子を示している。液状の樹
脂３４は溶融し易い利点がある。この場合、上型（図示
せず）への供給は液状の樹脂に圧力をかけて噴射させた
り、あるいは「はけ」などにより樹脂を塗布することが
可能である。
【００３８】図９は、本発明の半導体装置の製造方法に
おける金型への樹脂の塗布工程の他の例で使用するノズ
ルの形状の一例を示す。この塗布工程では、１本のノズ
ル４０から金型の上型１０ａ、下型１０ｂへ同時に樹脂
１４を塗布することにより、塗布装置を一台で済むよう
にしている。この場合、ノズル４０の先端は上下に分か
れており、各先端部分の形状やサイズにより上下の金型
へ供給する樹脂量を調節することが可能である。
おける金型への樹脂の塗布工程の他の例で使用するノズ
ルの形状の一例を示す。この塗布工程では、１本のノズ
ル４０から金型の上型１０ａ、下型１０ｂへ同時に樹脂
１４を塗布することにより、塗布装置を一台で済むよう
にしている。この場合、ノズル４０の先端は上下に分か
れており、各先端部分の形状やサイズにより上下の金型
へ供給する樹脂量を調節することが可能である。
【００３９】図１０は、本発明の半導体装置の製造方法
における金型への樹脂の塗布工程で使用するノズルの形
状の他の例を示す。この塗布工程では、２本のノズル５
１、５２から金型の上型１０ａ、下型１０ｂへ樹脂１４
を塗布することにより、上下の金型に別々の状態で樹脂
１４を塗布するようにしている。例えば、上下の金型に
供給する樹脂量や樹脂の種類（例えば上型１０ａへは粉
末状の樹脂、下型１０ｂへは液状の樹脂）などを選択す
ることが可能である。
における金型への樹脂の塗布工程で使用するノズルの形
状の他の例を示す。この塗布工程では、２本のノズル５
１、５２から金型の上型１０ａ、下型１０ｂへ樹脂１４
を塗布することにより、上下の金型に別々の状態で樹脂
１４を塗布するようにしている。例えば、上下の金型に
供給する樹脂量や樹脂の種類（例えば上型１０ａへは粉
末状の樹脂、下型１０ｂへは液状の樹脂）などを選択す
ることが可能である。
【００４０】図１１は、本発明の半導体装置の製造方法
における金型への樹脂の塗布工程で使用するノズルの形
状のさらに他の例を示す。この塗布工程では、多点のノ
ズル（複数個の開口先端を有するノズル）５０から上下
の金型へ樹脂１４を塗布するようにしている。これによ
り、樹脂を金型の内部に広範囲に均一に塗布することが
可能となる。
における金型への樹脂の塗布工程で使用するノズルの形
状のさらに他の例を示す。この塗布工程では、多点のノ
ズル（複数個の開口先端を有するノズル）５０から上下
の金型へ樹脂１４を塗布するようにしている。これによ
り、樹脂を金型の内部に広範囲に均一に塗布することが
可能となる。
【００４１】図１２（ａ）、（ｂ）は、本発明の半導体
装置の製造方法における金型への樹脂の塗布工程で使用
するノズルの形状のさらに他の例を示す。この塗布工程
では、１点ノズル６０あるいは多点ノズル７０を塗布面
に沿って図示矢印方向に往復移動させながら上下の金型
へ樹脂１４を塗布するようにしている。これにより、樹
脂を金型の内部に広範囲に均一に供給することが可能と
なる。
装置の製造方法における金型への樹脂の塗布工程で使用
するノズルの形状のさらに他の例を示す。この塗布工程
では、１点ノズル６０あるいは多点ノズル７０を塗布面
に沿って図示矢印方向に往復移動させながら上下の金型
へ樹脂１４を塗布するようにしている。これにより、樹
脂を金型の内部に広範囲に均一に供給することが可能と
なる。
【００４２】図１３乃至図１６は、本発明の半導体装置
の製造方法における金型への樹脂の塗布工程で使用する
ノズルのさらに他の例を示す。図１３および図１４の塗
布工程では、先端の開口部が広くされたノズル７１ある
いは先端の開口部が狭くされたノズル７２から上下の金
型へ樹脂１４を塗布するようにしている。これにより、
金型への樹脂の塗布状態を制御することが可能となる。
の製造方法における金型への樹脂の塗布工程で使用する
ノズルのさらに他の例を示す。図１３および図１４の塗
布工程では、先端の開口部が広くされたノズル７１ある
いは先端の開口部が狭くされたノズル７２から上下の金
型へ樹脂１４を塗布するようにしている。これにより、
金型への樹脂の塗布状態を制御することが可能となる。
【００４３】図１５および図１６の塗布工程では、図１
３および図１４に示したような先端の開口部が広くされ
たノズル７１あるいは先端の開口部が狭くされたノズル
７２を塗布面に沿って図示矢印方向に往復移動させなが
ら上下の金型へ樹脂１４を塗布するようにしている。こ
れにより、金型への樹脂の塗布状態を制御することが可
能となる。
３および図１４に示したような先端の開口部が広くされ
たノズル７１あるいは先端の開口部が狭くされたノズル
７２を塗布面に沿って図示矢印方向に往復移動させなが
ら上下の金型へ樹脂１４を塗布するようにしている。こ
れにより、金型への樹脂の塗布状態を制御することが可
能となる。
【００４４】上記した図７乃至図１６に示したような工
程において、別々のノズルから上下の金型へ樹脂を供給
することにより、上下の金型へ供給する樹脂の種類、厚
さ、粘度などを別々に選択することができ、様々なパッ
ケージを容易に製造することができる。例えば、チップ
上面には耐湿性の良い樹脂を供給し、下面には吸湿水分
量の少ない（耐パッケージクラック性の良い）樹脂を供
給することができる。また、多点のノズルを使用して樹
脂を塗布したり、ノズルを移動しながら樹脂を供給した
りすることにより、樹脂の塗布効率が向上する。
程において、別々のノズルから上下の金型へ樹脂を供給
することにより、上下の金型へ供給する樹脂の種類、厚
さ、粘度などを別々に選択することができ、様々なパッ
ケージを容易に製造することができる。例えば、チップ
上面には耐湿性の良い樹脂を供給し、下面には吸湿水分
量の少ない（耐パッケージクラック性の良い）樹脂を供
給することができる。また、多点のノズルを使用して樹
脂を塗布したり、ノズルを移動しながら樹脂を供給した
りすることにより、樹脂の塗布効率が向上する。
【００４５】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、超薄型
で高い信頼性の半導体パッケージを有する半導体装置を
容易に製造し得る半導体装置の製造方法を提供すること
ができる。
で高い信頼性の半導体パッケージを有する半導体装置を
容易に製造し得る半導体装置の製造方法を提供すること
ができる。
【図１】本発明の第１実施例に係るリードフレームを用
いた半導体装置のパッケージを形成する工程例を示す
図。
いた半導体装置のパッケージを形成する工程例を示す
図。
【図２】本発明の第２実施例に係るリードフレームを用
いた半導体装置のパッケージを形成する工程例を示す
図。
いた半導体装置のパッケージを形成する工程例を示す
図。
【図３】本発明の第３実施例に係るＴＡＢ方式を用いた
半導体装置のパッケージを形成する工程例を示す図。
半導体装置のパッケージを形成する工程例を示す図。
【図４】本発明の第４実施例に係るリードフレームを用
いた半導体装置を示す断面図。
いた半導体装置を示す断面図。
【図５】本発明の第５実施例に係るリードフレームを用
いた半導体装置を示す断面図。
いた半導体装置を示す断面図。
【図６】本発明の第６実施例に係るリードフレームを用
いた半導体装置を示す断面図。
いた半導体装置を示す断面図。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法における金型へ
の樹脂の塗布工程の一例で使用されるノズルから粉状の
樹脂を金型に吹き付ける様子を示す図。
の樹脂の塗布工程の一例で使用されるノズルから粉状の
樹脂を金型に吹き付ける様子を示す図。
【図８】本発明の半導体装置の製造方法における金型へ
の樹脂の塗布工程の他の例で使用されるノズルから液状
になった樹脂を金型に塗布する様子を示す図。
の樹脂の塗布工程の他の例で使用されるノズルから液状
になった樹脂を金型に塗布する様子を示す図。
【図９】本発明の半導体装置の製造方法における金型へ
の樹脂の塗布工程の他の例で使用するノズルの形状の一
例を示す側面図。
の樹脂の塗布工程の他の例で使用するノズルの形状の一
例を示す側面図。
【図１０】本発明の半導体装置の製造方法における金型
への樹脂の塗布工程の他の例で使用するノズルの形状の
他の例を示す側面図。
への樹脂の塗布工程の他の例で使用するノズルの形状の
他の例を示す側面図。
【図１１】本発明の半導体装置の製造方法における金型
への樹脂の塗布工程で使用するノズルの先端形状の一例
を示す側面図。
への樹脂の塗布工程で使用するノズルの先端形状の一例
を示す側面図。
【図１２】本発明の半導体装置の製造方法における金型
への樹脂の塗布工程で使用するノズルの駆動例を示す側
面図。
への樹脂の塗布工程で使用するノズルの駆動例を示す側
面図。
【図１３】本発明の半導体装置の製造方法における金型
への樹脂の塗布工程で使用するノズルの形状のさらに他
の例を示す側面図。
への樹脂の塗布工程で使用するノズルの形状のさらに他
の例を示す側面図。
【図１４】本発明の半導体装置の製造方法における金型
への樹脂の塗布工程で使用するノズルの形状のさらに他
の例を示す側面図。
への樹脂の塗布工程で使用するノズルの形状のさらに他
の例を示す側面図。
【図１５】図１３のノズルの駆動例を示す側面図。
【図１６】図１４のノズルの駆動例を示す側面図。
【図１７】ＴＡＢ技術を用いた従来の半導体装置のパッ
ケージの樹脂封止例を示す図。
ケージの樹脂封止例を示す図。
【図１８】リードフレームを用いた従来の半導体装置の
パッケージをトランスファ・モールド装置により樹脂封
止する工程例を示す図。
パッケージをトランスファ・モールド装置により樹脂封
止する工程例を示す図。
【図１９】図１８の工程でトランスファ・モールド装置
内に樹脂が流れる様子を示す図。
内に樹脂が流れる様子を示す図。
１０…樹脂封止用の金型、１０ａ…上型、１０ｂ…下
型、１０ｃ…キャビティ部、１１…半導体チップ、１２
…リードフレーム、１２ａ…リードフレームのダイッパ
ッド部、１２ｂ…リードフレームのアウターリード部、
１３…ボンディングワイヤ、１４…粉状の樹脂が溶融し
たもの、１５…樹脂パッケージ、１６…接着剤、２１…
半導体チップ、２１ａ…バンプ電極、２２…ＴＡＢリー
ド、２２ｂ…ＴＡＢリードのアウターリード部、２３…
ポリイミドテープ。
型、１０ｃ…キャビティ部、１１…半導体チップ、１２
…リードフレーム、１２ａ…リードフレームのダイッパ
ッド部、１２ｂ…リードフレームのアウターリード部、
１３…ボンディングワイヤ、１４…粉状の樹脂が溶融し
たもの、１５…樹脂パッケージ、１６…接着剤、２１…
半導体チップ、２１ａ…バンプ電極、２２…ＴＡＢリー
ド、２２ｂ…ＴＡＢリードのアウターリード部、２３…
ポリイミドテープ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/56 H01L 23/28
Claims (8)
- 【請求項１】 上型および下型に分割された樹脂封止用
の金型を所定の高温に保ち、上記金型の内部へ熱硬化型
で粉末状の樹脂を吹き付けて塗布し溶融させる第１の工
程と、半導体チップを搭載したリードフレームあるいは
ＴＡＢテープを上記金型の内部に固定し、金型に圧力を
かけて前記樹脂を圧縮成形してパッケージを形成する第
２の工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記粉末状の樹脂を吹き付ける際に、先端が上
下に分岐した一本のノズルから粉末状の樹脂を上下の金
型の内部に同時に供給することを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記粉末状の樹脂を吹き付ける際に、二本のノ
ズルから粉末状の樹脂を上下の金型の内部に別々に供給
することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項２または３記載の半導体装置の製
造方法において、前記粉末状の樹脂を吹き付ける際に、
先端に複数の穴が開いたノズルから粉末状の樹脂を上下
の金型の内部に供給することを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項５】 請求項２または３記載の半導体装置の製
造方法において、前記粉末状の樹脂を吹き付ける際に、
ノズルを移動させながら、上記ノズルから粉末状の樹脂
を金型の内部に薄く均一に供給することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の
半導体装置の製造方法において、前記粉末状の樹脂を吹
き付ける際に、上下の金型の内部にほぼ同一の樹脂量を
供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の
半導体装置の製造方法において、前記粉末状の樹脂を吹
き付ける際に、上下の金型の内部に異なる樹脂量を供給
することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記第１の工程において金型の内部へ樹脂を塗
布するために、トランスファモールド用の樹脂タブレッ
トを粉末状にした樹脂を吹き付けることを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24299294A JP3199963B2 (ja) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
| US08/538,204 US5733802A (en) | 1994-10-06 | 1995-10-03 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24299294A JP3199963B2 (ja) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08111465A JPH08111465A (ja) | 1996-04-30 |
| JP3199963B2 true JP3199963B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=17097286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24299294A Expired - Fee Related JP3199963B2 (ja) | 1994-10-06 | 1994-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5733802A (ja) |
| JP (1) | JP3199963B2 (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831879A (ja) * | 1994-07-18 | 1996-02-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置とｔａｂテープ及びそれぞれの製造方法 |
| JPH0964240A (ja) * | 1995-08-25 | 1997-03-07 | Toshiba Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| KR100234694B1 (ko) * | 1996-10-29 | 1999-12-15 | 김영환 | 비지에이 패키지의 제조방법 |
| JP3572833B2 (ja) * | 1996-12-19 | 2004-10-06 | 株式会社デンソー | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| US5888850A (en) * | 1997-09-29 | 1999-03-30 | International Business Machines Corporation | Method for providing a protective coating and electronic package utilizing same |
| US6133067A (en) * | 1997-12-06 | 2000-10-17 | Amic Technology Inc. | Architecture for dual-chip integrated circuit package and method of manufacturing the same |
| JPH11274196A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法およびモールドシステム並びに半導体装置 |
| KR100356787B1 (ko) * | 1998-06-03 | 2003-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체패키지제조방법 |
| JP3971541B2 (ja) | 1999-12-24 | 2007-09-05 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法及びこの方法に用いる分割金型 |
| JP2001267342A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置の製造方法 |
| US20050019989A1 (en) * | 2001-11-23 | 2005-01-27 | Francois Droz | Method for making a module comprising at least an electronic component |
| US7115998B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Multi-component integrated circuit contacts |
| JP4519398B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2010-08-04 | Ｔｏｗａ株式会社 | 樹脂封止方法及び半導体装置の製造方法 |
| KR100546372B1 (ko) * | 2003-08-28 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지의 제조방법 |
| JP3854957B2 (ja) * | 2003-10-20 | 2006-12-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| US7189601B2 (en) * | 2004-03-02 | 2007-03-13 | Texas Instruments Incorporated | System and method for forming mold caps over integrated circuit devices |
| US7348220B2 (en) | 2004-04-30 | 2008-03-25 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Resin-encapsulated type semiconductor packages, and production method and apparatus therefor |
| JP4794354B2 (ja) * | 2006-05-23 | 2011-10-19 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| DE102009014794B3 (de) * | 2009-03-28 | 2010-11-11 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines für Hochvoltanwendungen geeigneten festen Leistungsmoduls und damit hergestelltes Leistungsmodul |
| CN106463417A (zh) | 2014-05-14 | 2017-02-22 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| CN105990297A (zh) * | 2015-01-28 | 2016-10-05 | 苏州普福斯信息科技有限公司 | 不对等模腔配合无下沉导线框的结构 |
| WO2018061481A1 (ja) | 2016-09-30 | 2018-04-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子及び撮像装置 |
| JP2018061000A (ja) | 2016-09-30 | 2018-04-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子及び撮像装置 |
| JP7321651B2 (ja) * | 2019-11-19 | 2023-08-07 | ホシデン株式会社 | 防水ケーブル、防水ケーブル製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62217645A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0590314A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体の樹脂封止成形方法 |
| JP3059560B2 (ja) * | 1991-12-25 | 2000-07-04 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法およびそれに使用される成形材料 |
| US5496775A (en) * | 1992-07-15 | 1996-03-05 | Micron Semiconductor, Inc. | Semiconductor device having ball-bonded pads |
| JP2994171B2 (ja) * | 1993-05-11 | 1999-12-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法および封止用部材の製造方法 |
-
1994
- 1994-10-06 JP JP24299294A patent/JP3199963B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-10-03 US US08/538,204 patent/US5733802A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5733802A (en) | 1998-03-31 |
| JPH08111465A (ja) | 1996-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3199963B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100753750B1 (ko) | 반도체 집적 회로 장치의 제조 방법 | |
| US6498055B2 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, resin molding die, and semiconductor manufacturing system | |
| KR100286591B1 (ko) | 반도체집적회로장치및그의제조방법 | |
| TW200406898A (en) | Techniques-for manufacturing flash-free contacts on a semiconductor package | |
| JPH08148644A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2000208540A (ja) | 薄型半導体チップスケ―ル・パッケ―ジを密封する方法 | |
| US4881885A (en) | Dam for lead encapsulation | |
| US5314842A (en) | Resin-sealed type semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| US5563103A (en) | Method for manufacturing thermoplastic resin molded semiconductor | |
| JP3497744B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2000124164A (ja) | 半導体装置の製造方法及び実装方法 | |
| US5130781A (en) | Dam for lead encapsulation | |
| JP2004282042A (ja) | 半導体デバイスのアセンブリ法 | |
| JPH10112476A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4024458B2 (ja) | 半導体装置の実装方法および半導体装置実装体の製造方法 | |
| JP3018881B2 (ja) | リードフレームへのフィルム貼付け方法及びリードフレームへのチップ貼付け方法 | |
| JPH0269945A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3363467B2 (ja) | 集積回路パッケージ接着法 | |
| JP2001035996A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| JP4020594B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10173005A (ja) | フリップチップ実装方法 | |
| JPH1098077A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3112227B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004158539A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |