JPH0590314A - 半導体の樹脂封止成形方法 - Google Patents
半導体の樹脂封止成形方法Info
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子の成形方法にお
いて、非注入方式による封止成形品に対して、品質の向
上を図ることができる半導体の樹脂封止成形方法を提供
することを目的とする。 【構成】 上パッケージ用金型１と下パッケージ用金型
２で各々成形温度に達しない温度で加圧成形して、上パ
ッケージ部５、下パッケージ部６を形成後、型より離形
させずに間に半導体素子１０を狭持した後、成形温度で
封止成形することにより、ゲート・ランナレスによる樹
脂の利用率の向上、薄型、大面積パッケージの成形が可
能であり、かつワイヤ倒れ、ボイドを防止することが可
能となる。
いて、非注入方式による封止成形品に対して、品質の向
上を図ることができる半導体の樹脂封止成形方法を提供
することを目的とする。 【構成】 上パッケージ用金型１と下パッケージ用金型
２で各々成形温度に達しない温度で加圧成形して、上パ
ッケージ部５、下パッケージ部６を形成後、型より離形
させずに間に半導体素子１０を狭持した後、成形温度で
封止成形することにより、ゲート・ランナレスによる樹
脂の利用率の向上、薄型、大面積パッケージの成形が可
能であり、かつワイヤ倒れ、ボイドを防止することが可
能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等半導体
素子の樹脂封止成形方法に関するものである。
素子の樹脂封止成形方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下に従来の半導体素子の樹脂封止成形
方法について説明する。例えば半導体素子を上部に載置
したリードフレームを上下金型間に狭持するとともに、
上下金型面に構成されているキャビティ内へ、ポット、ラ
ンナ、ゲートを介して溶融樹脂を加圧注入して封止を行
なうトランスファー樹脂封止成形方法や、特公昭６２−
２７５４０号公昭に示されているような方法により、樹
脂封止成形が行われている。すなわち図３（ａ）、
（ｂ）に示すように、キャビティ部３、４を有した上下
封止成形金型２０、２１の間に、半導体素子１０を上部
に載置したリードフレーム９と、リードフレーム９と上
下に対向した位置に予め通常成形温度に達しない温度に
て加熱加圧されることにより所要形状に固化形成された
樹脂封止材料１８、１９を共々供給して、型締めを行な
うとともに、前記樹脂材料１８、１９を加熱かつ加圧し
て溶融固化することにより半導体素子の封止成形が行な
われる。
方法について説明する。例えば半導体素子を上部に載置
したリードフレームを上下金型間に狭持するとともに、
上下金型面に構成されているキャビティ内へ、ポット、ラ
ンナ、ゲートを介して溶融樹脂を加圧注入して封止を行
なうトランスファー樹脂封止成形方法や、特公昭６２−
２７５４０号公昭に示されているような方法により、樹
脂封止成形が行われている。すなわち図３（ａ）、
（ｂ）に示すように、キャビティ部３、４を有した上下
封止成形金型２０、２１の間に、半導体素子１０を上部
に載置したリードフレーム９と、リードフレーム９と上
下に対向した位置に予め通常成形温度に達しない温度に
て加熱加圧されることにより所要形状に固化形成された
樹脂封止材料１８、１９を共々供給して、型締めを行な
うとともに、前記樹脂材料１８、１９を加熱かつ加圧し
て溶融固化することにより半導体素子の封止成形が行な
われる。
【０００３】
【発明が解決使用とする課題】しかしながら、従来の半
導体素子の樹脂封止成形方法では、トランスファー封止
成形方法においては、通常、樹脂封止に用いられる樹脂
としては熱硬化性樹脂が用いられており、従ってポット
からランナ・ゲートに至る樹脂封止材料の部分が封止成
形後、再生利用不可能な樹脂として残るため、樹脂の全
体の利用率の低下をまねいていた。また、特公昭６２−
２７５４０号公報に示されている方法では、予め通常成
形温度に達しない温度にて加熱・加圧して、樹脂封止材
料を所定形状に固化形成するための手段として成形金型
を必要とし、この金型より離型させて封止成形金型２
０、２１へ供給するに際しては、一度加熱され所定形状
に固化形成された樹脂封止材料１８、１９の温度が低下
することによる樹脂封止材料の品質低下、あるいは離型
時における固化形成された樹脂封止材料１８、１９の変
形のために発生する封止成形時のワイヤー倒れ等の品質
不良、さらに従来のパッケージに対し、薄型、大面積の
パッケージに対してはそれにあわせた樹脂封止材料を固
化形成することが困難であった。本発明は上記従来の問
題点を解決するもので、樹脂封止材料の利用率の向上を
図ることができ、しかも封止成形時におけるワイヤ倒れ
等の品質不良の防止を図ることのできる半導体素子の樹
脂封止成形方法を提供することを目的とするものであ
る。
導体素子の樹脂封止成形方法では、トランスファー封止
成形方法においては、通常、樹脂封止に用いられる樹脂
としては熱硬化性樹脂が用いられており、従ってポット
からランナ・ゲートに至る樹脂封止材料の部分が封止成
形後、再生利用不可能な樹脂として残るため、樹脂の全
体の利用率の低下をまねいていた。また、特公昭６２−
２７５４０号公報に示されている方法では、予め通常成
形温度に達しない温度にて加熱・加圧して、樹脂封止材
料を所定形状に固化形成するための手段として成形金型
を必要とし、この金型より離型させて封止成形金型２
０、２１へ供給するに際しては、一度加熱され所定形状
に固化形成された樹脂封止材料１８、１９の温度が低下
することによる樹脂封止材料の品質低下、あるいは離型
時における固化形成された樹脂封止材料１８、１９の変
形のために発生する封止成形時のワイヤー倒れ等の品質
不良、さらに従来のパッケージに対し、薄型、大面積の
パッケージに対してはそれにあわせた樹脂封止材料を固
化形成することが困難であった。本発明は上記従来の問
題点を解決するもので、樹脂封止材料の利用率の向上を
図ることができ、しかも封止成形時におけるワイヤ倒れ
等の品質不良の防止を図ることのできる半導体素子の樹
脂封止成形方法を提供することを目的とするものであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のは、上下に対向する上下パッケージ部をそ
れぞれ成形温度に達しない温度に加熱した上下パッケー
ジ用の金型で予備加圧成形後、前記上下パッケージ部を
金型より離型させずに、上下パッケージ用の金型の間
に、半導体素子を上部に載置したリードフレームを挟持
してから後、前記金型を成形温度に加熱することによ
り、半導体素子を封止成形するものである。
め、本発明のは、上下に対向する上下パッケージ部をそ
れぞれ成形温度に達しない温度に加熱した上下パッケー
ジ用の金型で予備加圧成形後、前記上下パッケージ部を
金型より離型させずに、上下パッケージ用の金型の間
に、半導体素子を上部に載置したリードフレームを挟持
してから後、前記金型を成形温度に加熱することによ
り、半導体素子を封止成形するものである。
【０００５】
【作用】本発明によれば、上下パッケージ部に必要最小
限の樹脂封止材料を供給することができる。また、それ
ぞれ成形温度に達しない温度に加熱した上下パッケージ
用の金型の上下キャビティ部に対して直接上下パッケー
ジ部を予備加圧成形するため、離型させることなく、間
に半導体素子を上部に載置したリードフレームを挟持し
てから後、さらに上下パッケージ用の金型を成形温度に
加熱することにより半導体素子を封止成形することがで
きる。
限の樹脂封止材料を供給することができる。また、それ
ぞれ成形温度に達しない温度に加熱した上下パッケージ
用の金型の上下キャビティ部に対して直接上下パッケー
ジ部を予備加圧成形するため、離型させることなく、間
に半導体素子を上部に載置したリードフレームを挟持し
てから後、さらに上下パッケージ用の金型を成形温度に
加熱することにより半導体素子を封止成形することがで
きる。
【０００６】
【実施例】以下本発明の一実施例について図１（ａ）〜
（ｄ）に基づいて説明する。図１（ａ）に示すように、
あらかじめ通常の成形温度に達しない温度に加熱した
（加熱手段は図示せず）上下パッケージ用金型１、２に
対し樹脂封止材料７、８を上下キャビティ部３、４へ供
給するとともに、先端に半導体素子に相当する形状を有
する加圧シリンダー１２、１５によりそれぞれ加圧する
ことにより、図１（ｂ）に示すように、上下パッケージ
用金型１、２の上下キャビティ部３、４に対し、中央部
に半導体素子に相当する凹部を有する形状の上下パッケ
ージ部５、６が予備加圧成形される。この時、樹脂封止
材料７、８の総量は、封止成形時における上下パッケー
ジ用金型１、２における上下キャビティ３、４内の容積
と同じになるように合わせておけばよい。また上下パッ
ケージ部５、６の予備加圧成形の温度は通常成形温度に
達しない温度として７０〜１００℃に加熱しておこなえ
ばよい。次に図１（ｃ）に示すように、間に半導体素子
１０を上部に載置したリードフレーム９を挟んで、上下
パッケージ用金型１、２を閉じる。この時、上下パッケ
ージ用金型１、２内のキャビティ内３、４にあらかじめ
予備加圧成形された上下パッケージ部５、６は中央部に
半導体素子形状に相当する凹部を有しているため、素子
とパッケージ部が接することなく型締めが行なわれる。
さらにこの時上下パッケージ部５、６の形状は通常成形
温度に達しない温度で予備加圧成形状態のため、完全に
はその形状が固化形成されていない。そのため、半導体
素子１０の形状により、パッケージ部５、６の形状や、
その厚みが、単独では保持されないような場合がある。
しかしながらパッケージ部５、６を離型させないため、
半導体素子１０とパッケージ部５、６が接することなく
型締めが行なわれる。そしてその状態で、上下パッケー
ジ用金型１、２を成形温度に達するまで加熱する（加熱
手段は図示せず）ことにより、上下パッケージ部５、６
を溶融させるとともに型締めにより加圧が行なわれて、
図１（ｄ）に示すような形状に半導体素子の封止成形を
行なうものである。ここで通常成形温度は１７０℃〜１
８０℃になるまで加熱すればよい。
（ｄ）に基づいて説明する。図１（ａ）に示すように、
あらかじめ通常の成形温度に達しない温度に加熱した
（加熱手段は図示せず）上下パッケージ用金型１、２に
対し樹脂封止材料７、８を上下キャビティ部３、４へ供
給するとともに、先端に半導体素子に相当する形状を有
する加圧シリンダー１２、１５によりそれぞれ加圧する
ことにより、図１（ｂ）に示すように、上下パッケージ
用金型１、２の上下キャビティ部３、４に対し、中央部
に半導体素子に相当する凹部を有する形状の上下パッケ
ージ部５、６が予備加圧成形される。この時、樹脂封止
材料７、８の総量は、封止成形時における上下パッケー
ジ用金型１、２における上下キャビティ３、４内の容積
と同じになるように合わせておけばよい。また上下パッ
ケージ部５、６の予備加圧成形の温度は通常成形温度に
達しない温度として７０〜１００℃に加熱しておこなえ
ばよい。次に図１（ｃ）に示すように、間に半導体素子
１０を上部に載置したリードフレーム９を挟んで、上下
パッケージ用金型１、２を閉じる。この時、上下パッケ
ージ用金型１、２内のキャビティ内３、４にあらかじめ
予備加圧成形された上下パッケージ部５、６は中央部に
半導体素子形状に相当する凹部を有しているため、素子
とパッケージ部が接することなく型締めが行なわれる。
さらにこの時上下パッケージ部５、６の形状は通常成形
温度に達しない温度で予備加圧成形状態のため、完全に
はその形状が固化形成されていない。そのため、半導体
素子１０の形状により、パッケージ部５、６の形状や、
その厚みが、単独では保持されないような場合がある。
しかしながらパッケージ部５、６を離型させないため、
半導体素子１０とパッケージ部５、６が接することなく
型締めが行なわれる。そしてその状態で、上下パッケー
ジ用金型１、２を成形温度に達するまで加熱する（加熱
手段は図示せず）ことにより、上下パッケージ部５、６
を溶融させるとともに型締めにより加圧が行なわれて、
図１（ｄ）に示すような形状に半導体素子の封止成形を
行なうものである。ここで通常成形温度は１７０℃〜１
８０℃になるまで加熱すればよい。
【０００７】次に、本発明の他の実施例について説明す
る。図２において図１とことなる点は上下パッケージ用
の金型１、２に対して各々、樹脂量の調整用の加圧プラ
ンジャー２２、２３が設けられている点である。すなわ
ち、加圧プランジャー２２、２３は上下パッケージ用の
金型１、２のキャビティ内へ連通し、かつ摺動可能な様
に設定されている。この実施例では予備加圧成形時に中
央に半導体素子の形状に相当する凹部をあらかじめ設け
ておく時に、ワイヤーボンディングの形状等細部にわた
る形状まであわせて、上下パッケージ部の樹脂量を詳細
にあわせておく必要がなく、予め余分に空隙を設定し
て、その分だけ、加圧プランジャー２２、２３を予備加
圧成形時に、キャビティ部３、４の底よりバックさせて
おき、封止成形時に、前記加圧プランジャー２２、２３
を前進させて、余分な空隙をなくして封止成形を行なう
ものである。
る。図２において図１とことなる点は上下パッケージ用
の金型１、２に対して各々、樹脂量の調整用の加圧プラ
ンジャー２２、２３が設けられている点である。すなわ
ち、加圧プランジャー２２、２３は上下パッケージ用の
金型１、２のキャビティ内へ連通し、かつ摺動可能な様
に設定されている。この実施例では予備加圧成形時に中
央に半導体素子の形状に相当する凹部をあらかじめ設け
ておく時に、ワイヤーボンディングの形状等細部にわた
る形状まであわせて、上下パッケージ部の樹脂量を詳細
にあわせておく必要がなく、予め余分に空隙を設定し
て、その分だけ、加圧プランジャー２２、２３を予備加
圧成形時に、キャビティ部３、４の底よりバックさせて
おき、封止成形時に、前記加圧プランジャー２２、２３
を前進させて、余分な空隙をなくして封止成形を行なう
ものである。
【０００８】
【発明の効果】本発明によれば、成形時において、封止
成形時のパッケージ部に必要な樹脂量のみを供給すれば
よく、利用効率が向上する。さらに予めパッケージ形状
を予備加圧成形後、金型より離型させないため、離型に
よるパッケージ部の温度低下による樹脂の品質低下およ
び、変形による型締め時のパッケージ凹部と、半導体素
子との接触等によるワイヤーボンディング形状の変形等
の品質不良を防止することが可能である。とくに薄型や
大面積の形状のパッケージでは予備加圧成形後、離型さ
せた状態でパッケージ形状を保持させておくことは難し
く効果が大きい。
成形時のパッケージ部に必要な樹脂量のみを供給すれば
よく、利用効率が向上する。さらに予めパッケージ形状
を予備加圧成形後、金型より離型させないため、離型に
よるパッケージ部の温度低下による樹脂の品質低下およ
び、変形による型締め時のパッケージ凹部と、半導体素
子との接触等によるワイヤーボンディング形状の変形等
の品質不良を防止することが可能である。とくに薄型や
大面積の形状のパッケージでは予備加圧成形後、離型さ
せた状態でパッケージ形状を保持させておくことは難し
く効果が大きい。
【図１】本発明の一実施例における半導体の樹脂封止成
形方法を示す工程断面図
形方法を示す工程断面図
【図２】本発明における他の実施例における工程断面図
【図３】従来の半導体の樹脂封止成形方法を示す工程断
面図
面図
１ 上パッケージ用金型 ２ 下パッケージ用金型 ３ 上キャビティ部 ４ 下キャビティ部 ５ 上パッケージ部 ６ 下パッケージ部 ７、８ 樹脂封止材料 ９ リードフレーム １０ 半導体素子 １１ 樹脂封止パッケージ
Claims (2)
- 【請求項１】 リードフレームを挟んで上下に対向する
パッケージ部を、それぞれ成形温度に達しない温度に加
熱した上パッケージ用の金型と下パッケージ用の金型で
予備加圧成形後、前記上パッケージ用の金型と前記下パ
ッケージ用金型のパッケージ部を金型より離型させず
に、前記上パッケージ用金型と前記下パッケージ用金型
の間に、半導体素子を上部に載置したリードフレームを
挟持してから後、前記金型を成形温度に加熱することに
より半導体素子を封止する半導体の樹脂封止成形方法。 - 【請求項２】 予備加圧成形された上下パッケージ部
に、半導体素子の形状に相当する空隙が形成されている
請求項１記載の半導体の樹脂封止成形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24878391A JPH0590314A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体の樹脂封止成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24878391A JPH0590314A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体の樹脂封止成形方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590314A true JPH0590314A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17183331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24878391A Pending JPH0590314A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体の樹脂封止成形方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590314A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5733802A (en) * | 1994-10-06 | 1998-03-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2004179284A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Towa Corp | 樹脂封止方法、半導体装置の製造方法、及び樹脂材料 |
| JP2008060428A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP24878391A patent/JPH0590314A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5733802A (en) * | 1994-10-06 | 1998-03-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2004179284A (ja) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Towa Corp | 樹脂封止方法、半導体装置の製造方法、及び樹脂材料 |
| JP4519398B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2010-08-04 | Ｔｏｗａ株式会社 | 樹脂封止方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2008060428A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
| JP4650378B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2011-03-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
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