JPH05109798A - 電子部品におけるモールド部の成形方法 - Google Patents
電子部品におけるモールド部の成形方法Info
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- JPH05109798A JPH05109798A JP26601591A JP26601591A JPH05109798A JP H05109798 A JPH05109798 A JP H05109798A JP 26601591 A JP26601591 A JP 26601591A JP 26601591 A JP26601591 A JP 26601591A JP H05109798 A JPH05109798 A JP H05109798A
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- Japan
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- gate
- synthetic resin
- lead frame
- mold
- molding
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 リードフレームＡ，Ｂに、半導体チップの部
分をパッケージするモールド部を成形するに際して、前
記半導体チップと各リード端子の先端部とを接続する金
属線にストレスが掛からないようにする。 【構成】 上下金型間に形成したモールド部成形用キャ
ビティー９，１０内に、前記リードフレームの下面側に
設けたゲート１１と、リードフレームの上面側に設けた
ゲート１２との両方から溶融合成樹脂を注入するに際し
て、前記リードフレームの下面側におけるゲート１１か
らの溶融合成樹脂の注入開始より適宜時間だけ遅れて、
前記リードフレームの上面側におけるゲート１２から溶
融合成樹脂の注入を開始する。
分をパッケージするモールド部を成形するに際して、前
記半導体チップと各リード端子の先端部とを接続する金
属線にストレスが掛からないようにする。 【構成】 上下金型間に形成したモールド部成形用キャ
ビティー９，１０内に、前記リードフレームの下面側に
設けたゲート１１と、リードフレームの上面側に設けた
ゲート１２との両方から溶融合成樹脂を注入するに際し
て、前記リードフレームの下面側におけるゲート１１か
らの溶融合成樹脂の注入開始より適宜時間だけ遅れて、
前記リードフレームの上面側におけるゲート１２から溶
融合成樹脂の注入を開始する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップの部分を
合成樹脂製のモールド部にてパッケージした電子部品に
おいて、前記モールド部を成形する方法に関するもので
ある。
合成樹脂製のモールド部にてパッケージした電子部品に
おいて、前記モールド部を成形する方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の電子部品は、従来から
良く知られ、且つ、図４及び図５に示すように、薄い金
属板製のリードフレームＡに、アイランド部Ｂを一体的
に造形すると共に、細幅に形成した多数本のリード端子
Ｃを、前記アイランド部Ｂに向かって放射状に延びるよ
うに一体的に造形し、前記アイランド部Ｂに半導体チッ
プＤをマウントしたのち、この半導体チップＤと前記リ
ード端子Ｃとの間を細い金属線Ｅにてワイヤーボンディ
ングし、次いで、このリードフレームＡを、上下一対の
金型Ｆ，Ｇにて挟み付け、この状態で、両金型Ｆ，Ｇの
間に形成したモールド部成形用キャビティーＨ内に、前
記リードフレームＡの下面側に沿って設けたゲートＪよ
り合成樹脂を溶融状態で注入することによって、モール
ド部を成形するようにしている。
良く知られ、且つ、図４及び図５に示すように、薄い金
属板製のリードフレームＡに、アイランド部Ｂを一体的
に造形すると共に、細幅に形成した多数本のリード端子
Ｃを、前記アイランド部Ｂに向かって放射状に延びるよ
うに一体的に造形し、前記アイランド部Ｂに半導体チッ
プＤをマウントしたのち、この半導体チップＤと前記リ
ード端子Ｃとの間を細い金属線Ｅにてワイヤーボンディ
ングし、次いで、このリードフレームＡを、上下一対の
金型Ｆ，Ｇにて挟み付け、この状態で、両金型Ｆ，Ｇの
間に形成したモールド部成形用キャビティーＨ内に、前
記リードフレームＡの下面側に沿って設けたゲートＪよ
り合成樹脂を溶融状態で注入することによって、モール
ド部を成形するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来にお
けるモールド部の成形方法は、リードフレームＡを、上
下一対の金型Ｆ，Ｇにて挟み付けたとき、そのアイラン
ド部Ｂ及び各リード端子Ｃの先端部は、モールド部成形
用キャビティーＨ内において宙吊りの状態になっている
ので、前記モールド部成形用キャビティーＨ内に、リー
ドフレームＡの下面側におけるゲートＪより溶融合成樹
脂を注入したとき、この溶融合成樹脂によって、前記ア
イランド部Ｂ及び各リード端子Ｃの先端部が、下から上
向きに押し上げられるように変位して、このアイランド
部Ｂにマウントした半導体チップＤと、各リード端子Ｃ
との間を接続する金属線Ｅにストレスが掛かることにな
るから、この金属線Ｅが途中で切断したり、或いは、こ
の金属線Ｅの半導体チップＤに対する接合部、及び各リ
ード端子Ｃに対する接合部が外れたりすることが発生す
ることにより、モールド部の成形に際して、不良品の発
生率が可成り高いと言う問題があった。
けるモールド部の成形方法は、リードフレームＡを、上
下一対の金型Ｆ，Ｇにて挟み付けたとき、そのアイラン
ド部Ｂ及び各リード端子Ｃの先端部は、モールド部成形
用キャビティーＨ内において宙吊りの状態になっている
ので、前記モールド部成形用キャビティーＨ内に、リー
ドフレームＡの下面側におけるゲートＪより溶融合成樹
脂を注入したとき、この溶融合成樹脂によって、前記ア
イランド部Ｂ及び各リード端子Ｃの先端部が、下から上
向きに押し上げられるように変位して、このアイランド
部Ｂにマウントした半導体チップＤと、各リード端子Ｃ
との間を接続する金属線Ｅにストレスが掛かることにな
るから、この金属線Ｅが途中で切断したり、或いは、こ
の金属線Ｅの半導体チップＤに対する接合部、及び各リ
ード端子Ｃに対する接合部が外れたりすることが発生す
ることにより、モールド部の成形に際して、不良品の発
生率が可成り高いと言う問題があった。
【０００４】本発明は、この問題を解消できるようにし
たモールド部の成形方法を提供することを技術的課題と
するものである。
たモールド部の成形方法を提供することを技術的課題と
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、リードフレームを上下一対の金型にて
挟み付け、この状態で、前記両金型におけるモールド部
成形用キャビティー内に、前記リードフレームの下面側
に設けたゲート及びリードフレームの上面側に設けたゲ
ートとの両方から溶融合成樹脂を注入するに際して、前
記リードフレームの下面側におけるゲートからの溶融合
成樹脂の注入開始より適宜時間だけ遅れて、前記リード
フレームの上面側におけるゲートから溶融合成樹脂の注
入を開始すると言う方法を採用した。
るため本発明は、リードフレームを上下一対の金型にて
挟み付け、この状態で、前記両金型におけるモールド部
成形用キャビティー内に、前記リードフレームの下面側
に設けたゲート及びリードフレームの上面側に設けたゲ
ートとの両方から溶融合成樹脂を注入するに際して、前
記リードフレームの下面側におけるゲートからの溶融合
成樹脂の注入開始より適宜時間だけ遅れて、前記リード
フレームの上面側におけるゲートから溶融合成樹脂の注
入を開始すると言う方法を採用した。
【０００６】
【作 用】このように、両金型の間におけるモールド
部成形用キャビティー内に、リードフレームの下面側に
設けたゲートから溶融合成樹脂を注入する一方、このリ
ードフレームの下面側におけるゲートからの溶融合成樹
脂の注入開始に適宜時間だけ遅れて、前記リードフレー
ムの上面側に設けたゲートから溶融合成樹脂を注入する
ことにより、モールド部成形用キャビティー内における
半導体チップ及び各リード端子の先端部には、リードフ
レームの下面側におけるゲートから注入した溶融合成樹
脂によって、上向きに押圧する力が作用することになる
が、モールド部成形用キャビティー内には、このリード
フレームの下面側におけるゲートからの溶融合成樹脂の
注入開始に適宜時間だけ遅れてリードフレームの上面側
におけるゲートから溶融合成樹脂が注入され、このリー
ドフレームの上面側におけるゲートから注入される溶融
合成樹脂によって、前記半導体チップ及び各リード端子
の先端部は下向きに押圧されることになって、前記半導
体チップ及び各リード端子の先端部に対する溶融合成樹
脂よる上下方向からの押圧力を互いに打ち消することが
できるから、モールド部の成形に際して、前記半導体チ
ップ及び各リード端子の先端部が、モールド部成形用キ
ャビティー内において一方側に変位することを防止でき
るのである。
部成形用キャビティー内に、リードフレームの下面側に
設けたゲートから溶融合成樹脂を注入する一方、このリ
ードフレームの下面側におけるゲートからの溶融合成樹
脂の注入開始に適宜時間だけ遅れて、前記リードフレー
ムの上面側に設けたゲートから溶融合成樹脂を注入する
ことにより、モールド部成形用キャビティー内における
半導体チップ及び各リード端子の先端部には、リードフ
レームの下面側におけるゲートから注入した溶融合成樹
脂によって、上向きに押圧する力が作用することになる
が、モールド部成形用キャビティー内には、このリード
フレームの下面側におけるゲートからの溶融合成樹脂の
注入開始に適宜時間だけ遅れてリードフレームの上面側
におけるゲートから溶融合成樹脂が注入され、このリー
ドフレームの上面側におけるゲートから注入される溶融
合成樹脂によって、前記半導体チップ及び各リード端子
の先端部は下向きに押圧されることになって、前記半導
体チップ及び各リード端子の先端部に対する溶融合成樹
脂よる上下方向からの押圧力を互いに打ち消することが
できるから、モールド部の成形に際して、前記半導体チ
ップ及び各リード端子の先端部が、モールド部成形用キ
ャビティー内において一方側に変位することを防止でき
るのである。
【０００７】
【発明の効果】このように、本発明によると、モールド
部の成形に際して、半導体チップ及び各リード端子の先
端部が変位することを防止できることにより、前記半導
体チップと各リード端子の先端部との間を接続する金属
線が途中で切断したり、金属線の半導体チップ及び各リ
ード端子の先端部に対する接合部に外れが発生したりす
ることを確実に低減できるから、モールド部の成形に際
しての不良品の発生率を大幅に低減できる効果を有す
る。
部の成形に際して、半導体チップ及び各リード端子の先
端部が変位することを防止できることにより、前記半導
体チップと各リード端子の先端部との間を接続する金属
線が途中で切断したり、金属線の半導体チップ及び各リ
ード端子の先端部に対する接合部に外れが発生したりす
ることを確実に低減できるから、モールド部の成形に際
しての不良品の発生率を大幅に低減できる効果を有す
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面（図１〜図３）
について説明する。図において符号１は下金型を、符号
２は前記下金型１に向かって上下動する上金型を各々示
す、これら両金型１，２の間に、二本のリードフレーム
Ａ1 ，Ａ2 を、互いに平行にして配設する。
について説明する。図において符号１は下金型を、符号
２は前記下金型１に向かって上下動する上金型を各々示
す、これら両金型１，２の間に、二本のリードフレーム
Ａ1 ，Ａ2 を、互いに平行にして配設する。
【０００９】前記下金型１には、前記両リードフレーム
Ａ1 ，Ａ2 の間の部位に、原料タブレット４を装填する
ための複数個の原料タブレット装填室３を、両リードフ
レームＡ1 ，Ａ2 の長手方向に沿って適宜間隔で設け
て、この各原料タブレット装填室３内に、当該原料タブ
レット装填室３内における原料タブレット４を押圧する
プランジャ５を挿入する。一方、前記上金型２にも、前
記両リードフレームＡ1 ，Ａ2 の間の部位に、原料タブ
レット７を装填するための複数個の原料タブレット装填
室６を、両リードフレームＡ1 ，Ａ2 の長手方向に沿っ
て適宜間隔で設けて、この各原料タブレット装填室６内
に、当該原料タブレット装填室６内における原料タブレ
ット７を押圧するプランジャ８を挿入する。
Ａ1 ，Ａ2 の間の部位に、原料タブレット４を装填する
ための複数個の原料タブレット装填室３を、両リードフ
レームＡ1 ，Ａ2 の長手方向に沿って適宜間隔で設け
て、この各原料タブレット装填室３内に、当該原料タブ
レット装填室３内における原料タブレット４を押圧する
プランジャ５を挿入する。一方、前記上金型２にも、前
記両リードフレームＡ1 ，Ａ2 の間の部位に、原料タブ
レット７を装填するための複数個の原料タブレット装填
室６を、両リードフレームＡ1 ，Ａ2 の長手方向に沿っ
て適宜間隔で設けて、この各原料タブレット装填室６内
に、当該原料タブレット装填室６内における原料タブレ
ット７を押圧するプランジャ８を挿入する。
【００１０】なお、この場合、下金型１における各原料
タブレット装填室３と、上金型２における各原料タブレ
ット装填室６とは、両リードフレームＡ1 ，Ａ2 の長手
方向に互いにずれている。前記下金型１における各プラ
ンジャ５は、図示しない作動機構によって一斉に上下作
動するように構成され、また、前記上金型２における各
プランジャ８も、図示しない作動機構によって一斉に上
下作動するように構成されている。
タブレット装填室３と、上金型２における各原料タブレ
ット装填室６とは、両リードフレームＡ1 ，Ａ2 の長手
方向に互いにずれている。前記下金型１における各プラ
ンジャ５は、図示しない作動機構によって一斉に上下作
動するように構成され、また、前記上金型２における各
プランジャ８も、図示しない作動機構によって一斉に上
下作動するように構成されている。
【００１１】前記下金型１の上面と、前記上金型２の下
面とには、前記両リードフレームＡ 1 ，Ａ2 の各々にお
ける各電子部品ａ1 ，ａ2 に対してモールド部を成形す
るためのモールド成形用キャビティー９，１０が各々凹
み形成されており、また、前記下金型１の上面及び前記
上金型２の下面には、前記各モールド部成形用キャビテ
ィー９，１０における同じ箇所の一つの隅角部に、当該
モールド部成形用キャビティー９，１０内へのゲート１
１，１２を刻設すると共に、前記各原料タブレット装填
室３，６とこれら各ゲート１１，１２とを連通するラン
ナー溝１３，１４を刻設する。
面とには、前記両リードフレームＡ 1 ，Ａ2 の各々にお
ける各電子部品ａ1 ，ａ2 に対してモールド部を成形す
るためのモールド成形用キャビティー９，１０が各々凹
み形成されており、また、前記下金型１の上面及び前記
上金型２の下面には、前記各モールド部成形用キャビテ
ィー９，１０における同じ箇所の一つの隅角部に、当該
モールド部成形用キャビティー９，１０内へのゲート１
１，１２を刻設すると共に、前記各原料タブレット装填
室３，６とこれら各ゲート１１，１２とを連通するラン
ナー溝１３，１４を刻設する。
【００１２】そして、前記下金型１における各原料タブ
レット装填室３内にプランジャ５を押し込むことによ
り、溶融合成樹脂を、前記ランナー溝１３及びゲート１
１を介して各モールド部成形用キャビティー９，１０内
に注入する一方、前記上金型２における各原料タブレッ
ト装填室６内にプランジャ８を押し込むことにより、溶
融合成樹脂を、前記ランナー溝１４及びゲート１２を介
して各モールド部成形用キャビティー９，１０内に注入
することにより、前記両リードフレームＡ1 ，Ａ 2 にお
ける各電子部品ａ1 ，ａ2 各々に対してモールド部を成
形するのである。
レット装填室３内にプランジャ５を押し込むことによ
り、溶融合成樹脂を、前記ランナー溝１３及びゲート１
１を介して各モールド部成形用キャビティー９，１０内
に注入する一方、前記上金型２における各原料タブレッ
ト装填室６内にプランジャ８を押し込むことにより、溶
融合成樹脂を、前記ランナー溝１４及びゲート１２を介
して各モールド部成形用キャビティー９，１０内に注入
することにより、前記両リードフレームＡ1 ，Ａ 2 にお
ける各電子部品ａ1 ，ａ2 各々に対してモールド部を成
形するのである。
【００１３】この場合に、本発明においては、前記下金
型１における各原料タブレット装填室３内へのプランジ
ャ５の押し込み開始を、前記上金型２における各原料タ
ブレット装填室６内へのプランジャ８の押し込み開始よ
りも適宜時間だけ早く、換言すると、前記上金型２にお
ける各原料タブレット装填室６内へのプランジャ８の押
し込み開始を、前記下金型１における各原料タブレット
装填室３内にプランジャ５を押し込み開始よりも適宜時
間だけ遅らせるようにするのである。
型１における各原料タブレット装填室３内へのプランジ
ャ５の押し込み開始を、前記上金型２における各原料タ
ブレット装填室６内へのプランジャ８の押し込み開始よ
りも適宜時間だけ早く、換言すると、前記上金型２にお
ける各原料タブレット装填室６内へのプランジャ８の押
し込み開始を、前記下金型１における各原料タブレット
装填室３内にプランジャ５を押し込み開始よりも適宜時
間だけ遅らせるようにするのである。
【００１４】すると、各モールド部成形用キャビティー
９，１０内における半導体チップ及び各リード端子の先
端部には、両リードフレームＡ1 ，Ａ2 の下面側におけ
るゲート１１から注入した溶融合成樹脂によって、上向
きに押圧する力が作用することになるが、各モールド部
成形用キャビティー９，１０内には、両リードフレーム
Ａ1 ，Ａ2 の下面側におけるゲート１１からの溶融合成
樹脂の注入開始に適宜時間だけ遅れて両リードフレーム
Ａ1 ，Ａ2 の上面側におけるゲート１２から溶融合成樹
脂が注入され、この両リードフレームＡ1 ，Ａ2 の上面
側におけるゲート１２から注入される溶融合成樹脂によ
って、前記半導体チップ及び各リード端子の先端部は下
向きに押圧されことになって、前記半導体チップ及び各
リード端子の先端部に対する溶融合成樹脂による上下方
向からの押圧力を互いに打ち消すことができるから、モ
ールド部の成形に際して、前記半導体チップ及び各リー
ド端子の先端部が、モールド部成形用キャビティー９，
１０内において一方側に変位することを確実に防止でき
るのである。
９，１０内における半導体チップ及び各リード端子の先
端部には、両リードフレームＡ1 ，Ａ2 の下面側におけ
るゲート１１から注入した溶融合成樹脂によって、上向
きに押圧する力が作用することになるが、各モールド部
成形用キャビティー９，１０内には、両リードフレーム
Ａ1 ，Ａ2 の下面側におけるゲート１１からの溶融合成
樹脂の注入開始に適宜時間だけ遅れて両リードフレーム
Ａ1 ，Ａ2 の上面側におけるゲート１２から溶融合成樹
脂が注入され、この両リードフレームＡ1 ，Ａ2 の上面
側におけるゲート１２から注入される溶融合成樹脂によ
って、前記半導体チップ及び各リード端子の先端部は下
向きに押圧されことになって、前記半導体チップ及び各
リード端子の先端部に対する溶融合成樹脂による上下方
向からの押圧力を互いに打ち消すことができるから、モ
ールド部の成形に際して、前記半導体チップ及び各リー
ド端子の先端部が、モールド部成形用キャビティー９，
１０内において一方側に変位することを確実に防止でき
るのである。
【図１】本発明の実施例を示す下金型の平面図である。
【図２】図１のII−II視断面図である。
【図３】図１のIII −III 視断面図である。
【図４】リードフレームの平面図である。
【図５】従来におけるモールド部の成形状態を示す断面
図である。
図である。
Ａ1 ，Ａ2 リードフレーム ａ1 ，ａ2 電子部品 １ 下金型 ２ 上金型 ３，６ 原料タブレット装填室 ４，７ 原料タブレット ５，８ プランジャ ９，１０ モールド部成形用キャビティー １１，１２ ゲート １３，１４ ランナー溝
Claims (1)
- 【請求項１】リードフレームを上下一対の金型にて挟み
付け、この状態で、前記両金型におけるモールド部成形
用キャビティー内に、前記リードフレームの下面側に設
けたゲート及びリードフレームの上面側に設けたゲート
との両方から溶融合成樹脂を注入するに際して、前記リ
ードフレームの下面側におけるゲートからの溶融合成樹
脂の注入開始より適宜時間だけ遅れて、前記リードフレ
ームの上面側におけるゲートから溶融合成樹脂の注入を
開始することを特徴とする電子部品におけるモールド部
の成形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26601591A JPH05109798A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 電子部品におけるモールド部の成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26601591A JPH05109798A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 電子部品におけるモールド部の成形方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109798A true JPH05109798A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17425194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26601591A Pending JPH05109798A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 電子部品におけるモールド部の成形方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109798A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013232544A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 樹脂封止方法および半導体装置の製造方法 |
| EP2706833A2 (en) | 2012-09-07 | 2014-03-12 | Fujitsu Limited | Electronic apparatus and cooling module mounted in that electronic apparatus |
| JP2017147449A (ja) * | 2017-03-21 | 2017-08-24 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US9787250B2 (en) | 2012-04-27 | 2017-10-10 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and measurement device |
-
1991
- 1991-10-15 JP JP26601591A patent/JPH05109798A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013232544A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Lapis Semiconductor Co Ltd | 樹脂封止方法および半導体装置の製造方法 |
| US9787250B2 (en) | 2012-04-27 | 2017-10-10 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and measurement device |
| US10243515B2 (en) | 2012-04-27 | 2019-03-26 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and measurement device |
| US10622944B2 (en) | 2012-04-27 | 2020-04-14 | Lapis Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and measurement device |
| EP2706833A2 (en) | 2012-09-07 | 2014-03-12 | Fujitsu Limited | Electronic apparatus and cooling module mounted in that electronic apparatus |
| JP2017147449A (ja) * | 2017-03-21 | 2017-08-24 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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