JP2582466B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2582466B2 JP2582466B2 JP2181009A JP18100990A JP2582466B2 JP 2582466 B2 JP2582466 B2 JP 2582466B2 JP 2181009 A JP2181009 A JP 2181009A JP 18100990 A JP18100990 A JP 18100990A JP 2582466 B2 JP2582466 B2 JP 2582466B2
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- resin
- semiconductor device
- mold
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/02—Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
第３図（ａ），（ｂ）を用いて、従来の樹脂封止型半
導体装置の製造方法を説明する。
導体装置の製造方法を説明する。
まず、第３図（ａ）の部分断面図に示すように、トラ
ンスファー樹脂形成法，あるいはマルチホット樹脂形成
法に用いる樹脂封止装置に、樹脂タブレットを投入し、
半導体装置を装填する。
ンスファー樹脂形成法，あるいはマルチホット樹脂形成
法に用いる樹脂封止装置に、樹脂タブレットを投入し、
半導体装置を装填する。
ここでの半導体装置は、半導体チップがリードフレー
ムにマウント，ボンディングされてなる。封止金型上型
10のセンターカル部11および封止金型下型20のポット21
およびプランジャーヘッド22とにより形成される空隙
に、円柱状の樹脂タブレット30が投入される。封止金型
上型10,封止金型下型20の空隙により形成されたキャビ
ティー41に、未封止状態の半導体装置が装填される。ポ
ット21は、封止金型下型20に設けられた中空円筒により
形成される。プランジャーヘッド22は、ポット21内に設
けられ、油圧シリンダーにより上下する。樹脂タブレッ
ト30は、不完全重合状態の例えばエポキシ系樹脂から構
成される。
ムにマウント，ボンディングされてなる。封止金型上型
10のセンターカル部11および封止金型下型20のポット21
およびプランジャーヘッド22とにより形成される空隙
に、円柱状の樹脂タブレット30が投入される。封止金型
上型10,封止金型下型20の空隙により形成されたキャビ
ティー41に、未封止状態の半導体装置が装填される。ポ
ット21は、封止金型下型20に設けられた中空円筒により
形成される。プランジャーヘッド22は、ポット21内に設
けられ、油圧シリンダーにより上下する。樹脂タブレッ
ト30は、不完全重合状態の例えばエポキシ系樹脂から構
成される。
封止金型上型10,封止金型下型20,およびプランジャー
ヘッド22により加熱，加圧して、樹脂タブレット30は液
化するとともに重合が促進する。この状態でプランジャ
ーヘッド22を上昇させることにより、液化した樹脂が封
止金型上型10,封止金型下型20の空隙により形成された
ランナー40を経てキャビティー41内に流入する。さらに
加熱，加圧して、液化した樹脂の重合を十分に行ない、
これを固化することにより、半導体装置は樹脂封入され
る。
ヘッド22により加熱，加圧して、樹脂タブレット30は液
化するとともに重合が促進する。この状態でプランジャ
ーヘッド22を上昇させることにより、液化した樹脂が封
止金型上型10,封止金型下型20の空隙により形成された
ランナー40を経てキャビティー41内に流入する。さらに
加熱，加圧して、液化した樹脂の重合を十分に行ない、
これを固化することにより、半導体装置は樹脂封入され
る。
次に、第３図（ｂ）の部分断面図に示すように、封止
金型上型10,封止金型下型20を分離して樹脂封止された
半導体装置を取り出す。
金型上型10,封止金型下型20を分離して樹脂封止された
半導体装置を取り出す。
このとき、封止金型上型10のセンターカル部11表面，
プランジャーヘッド22の上面に、樹脂残り31a,31bが残
る。
プランジャーヘッド22の上面に、樹脂残り31a,31bが残
る。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法で
は、樹脂封止装置のセンターカル部表面，およびプラン
ジャーヘッドの上面に、樹脂残りが生じる。この樹脂残
りは固化して貼り付いている。封止金型を損傷すること
なくこの樹脂残りを除去するには、これを機械的に削り
取る。
は、樹脂封止装置のセンターカル部表面，およびプラン
ジャーヘッドの上面に、樹脂残りが生じる。この樹脂残
りは固化して貼り付いている。封止金型を損傷すること
なくこの樹脂残りを除去するには、これを機械的に削り
取る。
この操作が必要なため、従来の製造方法では連続作業
に支障を来たすという欠点がある。
に支障を来たすという欠点がある。
本発明の半導体装置の製造方法は、樹脂封止型半導体
装置の製造方法において、円柱状をなす樹脂タブレット
の上面と封止金型上型との間，および前記樹脂タブレッ
トの底面とプランジャーヘッドとの間に合成樹脂製の薄
板を挿入した上でプランジャーヘッドを加圧して樹脂を
キャビティ内に注入するという特徴を有している。
装置の製造方法において、円柱状をなす樹脂タブレット
の上面と封止金型上型との間，および前記樹脂タブレッ
トの底面とプランジャーヘッドとの間に合成樹脂製の薄
板を挿入した上でプランジャーヘッドを加圧して樹脂を
キャビティ内に注入するという特徴を有している。
次に本実施例について図面を参照して説明する。
第１図（ａ），（ｂ）は、本発明の第１の実施例を説
明するための部分断面図である。
明するための部分断面図である。
まず、第１図（ａ）の部分断面図に示すように、トラ
ンスファー樹脂形成法，あるいはマルチホット樹脂形成
法に用いる樹脂封止装置に、樹脂タブレットを投入し、
半導体装置を装填する。
ンスファー樹脂形成法，あるいはマルチホット樹脂形成
法に用いる樹脂封止装置に、樹脂タブレットを投入し、
半導体装置を装填する。
ここでの半導体装置は、半導体チップがリードフレー
ムにマウント，ボンディングされてなる。封止金型上型
10のセンターカル部11および封止金型下型20のポット21
およびプランジャーヘッド22とにより形成される空隙
に、円柱状の樹脂タブレット30が投入される。
ムにマウント，ボンディングされてなる。封止金型上型
10のセンターカル部11および封止金型下型20のポット21
およびプランジャーヘッド22とにより形成される空隙
に、円柱状の樹脂タブレット30が投入される。
樹脂タブレット30は、不完全重合状態の例えばエポキ
シ系樹脂から構成される。樹脂タブレット30の上面と封
止金型上型10のセンターカル部11との間には、合成樹脂
製薄板50が挿入され、樹脂タブレット30の底面とプラン
ジャーヘッド22の上面との間には合成樹脂製薄板51が挿
入されている。
シ系樹脂から構成される。樹脂タブレット30の上面と封
止金型上型10のセンターカル部11との間には、合成樹脂
製薄板50が挿入され、樹脂タブレット30の底面とプラン
ジャーヘッド22の上面との間には合成樹脂製薄板51が挿
入されている。
合成樹脂製薄板50,51は、熱伝導のよい合成樹脂，例
えばエポキシ系樹脂あるいはフェノール系樹脂から形成
されている。また、合成樹脂製薄板50,51を形成する合
成樹脂は、重合が完了しており、これらを加熱，加圧し
ても、これらは液化しない。
えばエポキシ系樹脂あるいはフェノール系樹脂から形成
されている。また、合成樹脂製薄板50,51を形成する合
成樹脂は、重合が完了しており、これらを加熱，加圧し
ても、これらは液化しない。
封止金型上型10,封止金型下型20の空隙により形成さ
れたキャビティー41に、未封止状態の半導体装置が装填
される。ポット21は、封止金型下型20に設けられた中空
円筒により形成される。プランジャーヘッド22は、ポッ
ト21内に設けられ、油圧シリンダーにより上下する。
れたキャビティー41に、未封止状態の半導体装置が装填
される。ポット21は、封止金型下型20に設けられた中空
円筒により形成される。プランジャーヘッド22は、ポッ
ト21内に設けられ、油圧シリンダーにより上下する。
次に、第１図（ｂ）の部分断面図に示すように、封止
金型上型10,封止金型下型20,およびプランジャーヘッド
22により加熱，加圧して、樹脂タブレット30は液化する
とともに重合が促進する。この状態でプランジャーヘッ
ド22を上昇させることにより、液化した樹脂が封止金型
上型10,封止金型下型20の空隙により形成されたランナ
ー40を経てキャビティー41内に流入する。さらに加熱，
加圧して、液化した樹脂の重合を十分に行ない、これを
固化することにより、半導体装置は樹脂封止される。そ
れとともに、合成樹脂製薄板50と合成樹脂製薄板51との
間およびライナー40の部分に、不用樹脂部32が形成され
る。この不用樹脂部32は固化している。
金型上型10,封止金型下型20,およびプランジャーヘッド
22により加熱，加圧して、樹脂タブレット30は液化する
とともに重合が促進する。この状態でプランジャーヘッ
ド22を上昇させることにより、液化した樹脂が封止金型
上型10,封止金型下型20の空隙により形成されたランナ
ー40を経てキャビティー41内に流入する。さらに加熱，
加圧して、液化した樹脂の重合を十分に行ない、これを
固化することにより、半導体装置は樹脂封止される。そ
れとともに、合成樹脂製薄板50と合成樹脂製薄板51との
間およびライナー40の部分に、不用樹脂部32が形成され
る。この不用樹脂部32は固化している。
続いて、封止金型上型10,封止金型下型20を分離して
樹脂封止された半導体装置を取り出す。このとき、不用
樹脂部32は、樹脂封止された半導体装置とが繋がって取
り出される。また、合成樹脂製薄板50,51を挿入してお
いたことにより、封止金型上型10のセンターカル部11表
面，プランジャーヘッド22の上面に、樹脂残りは発生し
ない。
樹脂封止された半導体装置を取り出す。このとき、不用
樹脂部32は、樹脂封止された半導体装置とが繋がって取
り出される。また、合成樹脂製薄板50,51を挿入してお
いたことにより、封止金型上型10のセンターカル部11表
面，プランジャーヘッド22の上面に、樹脂残りは発生し
ない。
第２図（ａ），（ｂ）は、本発明の第２の実施例を説
明するための部分断面図である。
明するための部分断面図である。
まず、第２図（ａ）の部分断面図に示すように、トラ
ンスファー樹脂形成法，あるいはマルチホット樹脂形成
法に用いる樹脂封止装置に、樹脂タブレットを投入し、
半導体装置を装填する。
ンスファー樹脂形成法，あるいはマルチホット樹脂形成
法に用いる樹脂封止装置に、樹脂タブレットを投入し、
半導体装置を装填する。
樹脂タブレット30の上面と封止金型上型10のセンター
カル部11との間には、合成樹脂製薄板50aが挿入されて
いる。この合成樹脂製薄板50aは、ライナー40の部分ま
で延在している。また、樹脂タブレット30の底面とプラ
ンジャーヘッド22の上面との間には合成樹脂製薄板51が
挿入されている。合成樹脂製薄板50a,51は、本発明の第
１の実施例と同じ材料により形成されている。
カル部11との間には、合成樹脂製薄板50aが挿入されて
いる。この合成樹脂製薄板50aは、ライナー40の部分ま
で延在している。また、樹脂タブレット30の底面とプラ
ンジャーヘッド22の上面との間には合成樹脂製薄板51が
挿入されている。合成樹脂製薄板50a,51は、本発明の第
１の実施例と同じ材料により形成されている。
次に、第２図（ｂ）の部分断面図に示すように、封止
金型上型10,封止金型下型20,およびプランジャーヘッド
22により加熱，加圧して、樹脂タブレット30は液化する
とともに重合が進行する。この状態でプランジャーヘッ
ド22を上昇させることにより、液化した樹脂が封止金型
上型10,封止金型下型20の空隙により形成されたライナ
ー40を経てキャビティー41内に流入する。さらに加熱，
加圧して、液化した樹脂の重合を十分に行ない、これを
固化することにより、半導体装置は樹脂封止される。そ
れとともに、合成樹脂製薄板50aと合成樹脂薄板51との
間およびライナー40の部分に、不用樹脂部32が形成され
る。この不用樹脂部32は固化している。
金型上型10,封止金型下型20,およびプランジャーヘッド
22により加熱，加圧して、樹脂タブレット30は液化する
とともに重合が進行する。この状態でプランジャーヘッ
ド22を上昇させることにより、液化した樹脂が封止金型
上型10,封止金型下型20の空隙により形成されたライナ
ー40を経てキャビティー41内に流入する。さらに加熱，
加圧して、液化した樹脂の重合を十分に行ない、これを
固化することにより、半導体装置は樹脂封止される。そ
れとともに、合成樹脂製薄板50aと合成樹脂薄板51との
間およびライナー40の部分に、不用樹脂部32が形成され
る。この不用樹脂部32は固化している。
続いて、封止金型上型10,封止金型下型20を分離して
樹脂封止された半導体装置を取り出す。このとき、不用
樹脂部32は、樹脂封止された半導体装置とが繋がって取
り出される。
樹脂封止された半導体装置を取り出す。このとき、不用
樹脂部32は、樹脂封止された半導体装置とが繋がって取
り出される。
本実施例では、合成樹脂製薄板50aがライナー40の部
分まで延在しているため、封止金型10,20からの固化し
た樹脂の離型が、第１の実施例より容易になる。
分まで延在しているため、封止金型10,20からの固化し
た樹脂の離型が、第１の実施例より容易になる。
以上説明したように本発明は、樹脂封止型半導体装置
の製造方法において、円柱状の樹脂タブレットの上面と
封止金型上型との間，および円柱状の樹脂タブレットの
底面とプランジャーヘッドの上面との間に合成樹脂製薄
板を挿入することにより、封止金型上型と封止金型下型
とを分離して樹脂封止された半導体装置を取り出すと
き、不用樹脂部も樹脂封止された半導体装置と繋がって
取り出されため、封止金型上型のセンターセル部表面お
よびプランジャーヘッドの上面に樹脂残り発生しない。
の製造方法において、円柱状の樹脂タブレットの上面と
封止金型上型との間，および円柱状の樹脂タブレットの
底面とプランジャーヘッドの上面との間に合成樹脂製薄
板を挿入することにより、封止金型上型と封止金型下型
とを分離して樹脂封止された半導体装置を取り出すと
き、不用樹脂部も樹脂封止された半導体装置と繋がって
取り出されため、封止金型上型のセンターセル部表面お
よびプランジャーヘッドの上面に樹脂残り発生しない。
このため、従来必要であっと封止金型およびプランジ
ャーヘッドからの樹脂残りの除去作業が不用となり、樹
脂封止の連続作業が容易になる。
ャーヘッドからの樹脂残りの除去作業が不用となり、樹
脂封止の連続作業が容易になる。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための部分断面図、第２図（ａ），（ｂ）は本発明の
第２の実施例を説明するための部分断面図、第３図
（ａ），（ｂ）は従来の樹脂封止型半導体装置の製造方
法を説明するための部分断面図である。 10……封止金型上型、11センターカル部、20……封止金
型下型、21……ポット、22……プランジャーヘッド、30
……樹脂タブレット、31a,31b……樹脂残り、32……不
用樹脂部、40……ランナー、41……キャビティー、50,5
0a,51……合成樹脂薄板。
るための部分断面図、第２図（ａ），（ｂ）は本発明の
第２の実施例を説明するための部分断面図、第３図
（ａ），（ｂ）は従来の樹脂封止型半導体装置の製造方
法を説明するための部分断面図である。 10……封止金型上型、11センターカル部、20……封止金
型下型、21……ポット、22……プランジャーヘッド、30
……樹脂タブレット、31a,31b……樹脂残り、32……不
用樹脂部、40……ランナー、41……キャビティー、50,5
0a,51……合成樹脂薄板。
Claims (1)
- 【請求項１】樹脂封止型半導体装置の製造方法におい
て、円柱状をなす樹脂タブレットの上面と封止金型上型
との間、および前記樹脂タブレットの底面とプランジャ
ーヘッドとの間に合成樹脂製の薄板を挿入し、前記プラ
ンジャーヘッドを加圧してキャビティー内に前記樹脂を
注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2181009A JP2582466B2 (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2181009A JP2582466B2 (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0467639A JPH0467639A (ja) | 1992-03-03 |
| JP2582466B2 true JP2582466B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=16093150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2181009A Expired - Fee Related JP2582466B2 (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2582466B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9302265A (nl) * | 1993-12-24 | 1995-07-17 | Asm Fico Tooling | Werkwijze en pellet voor het omhullen van leadframes en inrichting voor het vervaardigen van pellets. |
-
1990
- 1990-07-09 JP JP2181009A patent/JP2582466B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0467639A (ja) | 1992-03-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |