JPH0467639A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH0467639A
JPH0467639A JP18100990A JP18100990A JPH0467639A JP H0467639 A JPH0467639 A JP H0467639A JP 18100990 A JP18100990 A JP 18100990A JP 18100990 A JP18100990 A JP 18100990A JP H0467639 A JPH0467639 A JP H0467639A
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Japan
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resin
tablet
mold
semiconductor device
sealing
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JP18100990A
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Yoichi Tsunoda
洋一 角田
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NEC Kyushu Ltd
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NEC Kyushu Ltd
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/02Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
第3図(a)、(b)を用いて、従来の樹脂封止型半導
体装置の製造方法を説明する。
まず、第3図(a)の部分断面図に示すように、トラン
スファー樹脂形成法、あるいはマルチホット樹脂形成法
に用いる樹脂封止装置に、樹脂タブレットを投入し、半
導体装置を装填する。
ここでの半導体装置は、半導体チップがリードフレーム
にマウント、ボンディングされてなる。
封止金型上型10のセンターカル部11および封止金型
下型20のボット21およびプランジャーヘッド22と
により形成される空隙に、円柱状の樹脂タブレット30
が投入される。封止金型上型10、封止金型下型20の
空隙により形成されたキャビティー41に、未封止状態
の半導体装置が装填される。ボット21は、封止金型下
型20に設けられた中空円筒により形成される。プラン
ジャーヘッド22は、ボット21内に設けられ、油圧シ
リンダーにより上下する。樹脂タブレット30は、不完
全重合状態の例えばエポキシ系樹脂から構成される。
封止金型上型10.封止金型下型20.およびプランジ
ャーヘッド22により加熱、加圧して、樹脂タブレット
30は液化するとともに重合が促進する。この状態でプ
ランジャーヘッド22を上昇させることにより、液化し
た樹脂が封止金型上型10.封止金型下型20の空隙に
より形成されたランナー40を経てキャビティー41内
に流入する。さらに加熱、加圧して、液化した樹脂の重
合を十分に行ない、これを固化することにより、半導体
装置は樹脂封止される。
次に、第3図(b)の部分断面図に示すように、封止金
型上型10.封止金型下型20を分離して樹脂封止され
た半導体装置を取り出す。
このとき、封止金型上型10のセンターカル部11表面
、プランジャーヘッド22の上面に、樹脂残り31a、
31bが残る。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法では、
樹脂封止装置のセンターカル部表面、およびプランジャ
ーヘッドの上面に、樹脂残りが生じる。この樹脂残りは
固化して貼り付いている。
封止金型を損傷することなくこの樹脂残りを除去するに
は、これを機械的に削り取る。
この操作が必要なため、従来の製造方法では連続作業に
支障を来たすという欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置の製造方法は、樹脂封止型半導体装
置の製造方法において、円柱状をなす樹脂タブレットの
上面と封止金型上型との間、および前記樹脂タブレット
の底面とプランジャーヘッドとの間に合成樹脂製の薄板
を挿入するという特徴を有している。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図(a)、(b)は、本発明の第1の実施例を説明
するための部分断面図である。
まず、第1図(a)の部分断面図に示すように、トラン
スファー樹脂形成法、あるいはマルチホット樹脂形成法
に用いる樹脂封止装置に、樹脂タブレットを投入し、半
導体装置を装填する。
ここでの半導体装置は、半導体チップがリードフレーム
にマウント、ボンディングされてなる。
封止金型上型10のセンターカル部11および封止金型
下型20のポット21およびプランジャーヘッド22と
により形成される空隙に、円柱状の樹脂タブレット30
が投入される。
樹脂タブレット30は、不完全重合状態の例えばエポキ
シ系樹脂から構成される。樹脂タブレット30の上面と
封止金型上型10のセンターカル部11との間には、合
成樹脂製薄板50が挿入され、樹脂タブレット30の底
面とプランジャーヘッド22の上面との間には合成樹脂
製薄板51が挿入されている。
合成樹脂製薄板50.51は、熱伝導のよい合成樹脂1
例えばエポキシ系樹脂あるいはフェノール系樹脂から形
成されている。また、合成樹脂製薄板50.51を形成
する合成樹脂は、重合が完了しており、これらを加熱、
加圧しても、これらは液化しない。
封止金型上型10.封止金型下型20の空隙により形成
されたキャビティー41に、未封止状態の半導体装置が
装填される。ポット21は、封止金型下型20に設けら
れた中空円筒により形成される。プランジャーヘッド2
2は、ポット21内に設けられ、油圧シリンダーにより
上下する。
次に、第1図(b)の部分断面図に示すように、封止金
型上型10.封止金型下型20.およびプランジャーヘ
ッド22により加熱、加圧して、樹脂タブレット30は
液化するとともに重合が促進する。この状態でプランジ
ャーヘッド22を上昇させることにより、液化した樹脂
が封止金型上型10.封止金型下型20の空隙により形
成されたランナー40を経てキャビティー41内に流入
する。さらに加熱、加圧して、液化した樹脂の重合を十
分に行ない、これを固化することにより、半導体装置は
樹脂封止される。それとともに、合成樹脂製薄板50と
合成樹脂製薄板51との間およびライナー40の部分に
、不用樹脂部32が形成される。この不用樹脂部32は
固化している。
続いて、封止金型上型10.封止金型下型2゜を分離し
て樹脂封止された半導体装置を取り出す。このとき、不
用樹脂部32は、樹脂封止された半導体装置と繋がって
取り出される。tた、合成樹脂製薄板50.51を挿入
しておいなことにより、封止金型上型10のセンターカ
ル部11表面、プランジャーヘッド22の上面に、樹脂
残りは発生しない。
第2図(a)、(b)は、本発明の第2の実施例を説明
するための部分断面図である。
まず、第2図(a)の部分断面図に示すように、トラン
スファー樹脂形成法、あるいはマルチホット樹脂形成法
に用いる樹脂封止装置に、樹脂タブレットを投入し、半
導体装置を装填する。
樹脂タブレット30の上面と封止金型上型10のセンタ
ーカル部11との間には、合成樹脂製薄板50aが挿入
されいる。この合成樹脂製薄板50aは、ライナー40
の部分まで延在している。また、樹脂タブレット30の
底面とプランジャーヘッド22の上面との間には合成樹
脂製薄板51が挿入されている。合成樹脂製薄板50a
51は、本発明の第1の実施例と同じ材料により形成さ
れている。
次に、第2図(b)の部分断面図に示すように、封止金
型上型10.封止金型下型20.およびプランジャーヘ
ッド22により加熱、加圧して、樹脂タブレット30は
液化するとともに重合が進行する。この状態でプランジ
ャーヘッド22を上昇させることにより、液化した樹脂
が封止金型上型10.封止金型下型20の空隙により形
成されたランナー40を経てキャビティー41内に流入
する。さらに加熱、加圧して、液化した樹脂の重合を十
分に行ない、これを固化することにより、半導体装置は
樹脂封止される。それとともに、合成樹脂製薄板50a
と合成樹脂製薄板51との間およびライナー40の部分
に、不用樹脂部32が形成される。この不用樹脂部32
は固化している。
続いて、封止金型上型10.封止金型下型20を分離し
て樹脂封止された半導体装置を取り出す。このとき、不
用樹脂部32は、樹脂封止された半導体装置と繋がって
取り出される。
本実施例では、合成樹脂製薄板50aがライナー40の
部分まで延在しているため、封止金型10.20からの
固化した樹脂の離型が、第1の実施例より容易になる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、円柱状の樹脂タブレットの上面と封
止金型上型との間、および円柱状の樹脂タブレットの底
面とプランジャーヘッドの上面との間に合成樹脂製薄板
を挿入することにより、封止金型上型と封止金型下型と
を分離して樹脂封止された半導体装置を取り出すとき、
不用樹脂部も樹脂封止された半導体装置と繋がって取り
出されため、封止金型上型のセンターセル部表面および
プランジャーヘッドの上面に樹脂残りは発生しない。
このため、従来必要であっと封止金型およびプランジャ
ーヘッドからの樹脂残りの除去作業が不用となり、樹脂
封止の連続作業が容易になる。
第1図(a)、(b)は本発明の第1の実施例を説明す
るための部分断面図、 第2図(a)(b)は本発明の
第2の実施例を説明するための部分断面図、第3図(a
)、(b)は従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を
説明するための部分断面図である。
10・・・封止金型上型、11センタ一カル部、20・
・・封止金型下型、21・・・ポット、22・・・プラ
ンジャーヘッド、30・・・樹脂タブレット、31a3
1b・・・樹脂残り、32・・・不用樹脂部、40・・
・ランナー、41・・・キャビティー 50 50a5
1・・・合成樹脂薄板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  樹脂封止型半導体装置の製造方法において、円柱状を
    なす樹脂タブレットの上面と封止金型上型との間、およ
    び前記樹脂タブレットの底面とプランジャーヘッドとの
    間に合成樹脂製の薄板を挿入することを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995018461A1 (en) * 1993-12-24 1995-07-06 Fico B.V. Method and pellet for encapsulating lead frames and device for manufacturing pellets

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