JPH10180831A - 半導体装置製造方法 - Google Patents
半導体装置製造方法Info
- Publication number
- JPH10180831A JPH10180831A JP34834496A JP34834496A JPH10180831A JP H10180831 A JPH10180831 A JP H10180831A JP 34834496 A JP34834496 A JP 34834496A JP 34834496 A JP34834496 A JP 34834496A JP H10180831 A JPH10180831 A JP H10180831A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cavity
- resin
- cull
- pot
- runner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 溶融樹脂の熱硬化を場所によらず均一に行う
ことができる半導体装置製造方法を提供すること。 【解決手段】 カル11の部分とポット10の部分の温
度を高く、ランナ12a、12bの部分とキャビティ1
4、15の部分の温度を低くし、前記ポット内で溶融さ
せた樹脂を前記カルから前記ランナを介して前記キャビ
ティ内に供給し、前記キャビティ内に配置されている半
導体素子等を前記樹脂で封止する。
ことができる半導体装置製造方法を提供すること。 【解決手段】 カル11の部分とポット10の部分の温
度を高く、ランナ12a、12bの部分とキャビティ1
4、15の部分の温度を低くし、前記ポット内で溶融さ
せた樹脂を前記カルから前記ランナを介して前記キャビ
ティ内に供給し、前記キャビティ内に配置されている半
導体素子等を前記樹脂で封止する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置を製
造する方法に関し、特に半導体素子等を樹脂を用いて封
止する方法に関するものである。
造する方法に関し、特に半導体素子等を樹脂を用いて封
止する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置は、一般にトランスファ成形
法により樹脂封止されている。このトランスファ成形法
による樹脂封止を行うには、半導体装置樹脂封止用金型
を用いる必要がある。図7は、トランスファ成形法によ
り樹脂封止を行う際の半導体装置樹脂封止用金型の断面
側面図である。半導体装置樹脂封止用金型21の上型2
2と下型23を型締めして上型22の成形面と下型23
の成形面を密着させる。そして、上型22、下型23
を、ともに全面が170°C〜180°Cの範囲で均一
温度になるように加熱する。ここで、ポット24内に樹
脂タブレットTを供給し、予熱して溶融させ、プランジ
ャ25にて押圧する(同図(A))。これにより、溶融
した樹脂Pは、カル26からランナ27及びゲート28
を経てキャビティ29内に注入される(同図(B))。
法により樹脂封止されている。このトランスファ成形法
による樹脂封止を行うには、半導体装置樹脂封止用金型
を用いる必要がある。図7は、トランスファ成形法によ
り樹脂封止を行う際の半導体装置樹脂封止用金型の断面
側面図である。半導体装置樹脂封止用金型21の上型2
2と下型23を型締めして上型22の成形面と下型23
の成形面を密着させる。そして、上型22、下型23
を、ともに全面が170°C〜180°Cの範囲で均一
温度になるように加熱する。ここで、ポット24内に樹
脂タブレットTを供給し、予熱して溶融させ、プランジ
ャ25にて押圧する(同図(A))。これにより、溶融
した樹脂Pは、カル26からランナ27及びゲート28
を経てキャビティ29内に注入される(同図(B))。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このとき樹脂タブレッ
トTは、プランジャ25に接する下面及びプランジャ2
5により押し上げられ上型22と接する上面が先に溶融
してキャビティ29内に注入される。従って、図7
(B)に示すように、後から溶融する樹脂タブレットT
の中心部がカル26内に残ることになる。このため溶融
樹脂Pの熱硬化は、キャビティ29内が最も速く、カル
26内が最も遅いといった現象が発生し、下記に示すよ
うな問題が発生していた。
トTは、プランジャ25に接する下面及びプランジャ2
5により押し上げられ上型22と接する上面が先に溶融
してキャビティ29内に注入される。従って、図7
(B)に示すように、後から溶融する樹脂タブレットT
の中心部がカル26内に残ることになる。このため溶融
樹脂Pの熱硬化は、キャビティ29内が最も速く、カル
26内が最も遅いといった現象が発生し、下記に示すよ
うな問題が発生していた。
【0004】1.樹脂タブレットTをポット24内に投
入してから上型22と下型23を開けるまでの時間は、
カル26内の溶融樹脂Pが熱硬化するまでの時間に依存
することになるため、半導体装置の生産性を低下させて
いた。 2.キャビティ29内の溶融樹脂Pの熱硬化が速いた
め、残留気泡がエアベントから逃げられなくなり、その
結果として半導体装置の表面及び内部にボイドを発生さ
せていた。 3.キャビティ29内の溶融樹脂Pの熱硬化が速いた
め、硬化の進んだ粘度の高い樹脂が注入されることによ
りダイパッドを押し上げまたは押し下げ、ダイパッドシ
フトを発生させていた。 4.キャビティ29内の溶融樹脂Pの熱硬化が速いた
め、硬化の進んだ粘度の高い樹脂が注入されることによ
りワイヤが樹脂に押し流され変形を起こしていた。
入してから上型22と下型23を開けるまでの時間は、
カル26内の溶融樹脂Pが熱硬化するまでの時間に依存
することになるため、半導体装置の生産性を低下させて
いた。 2.キャビティ29内の溶融樹脂Pの熱硬化が速いた
め、残留気泡がエアベントから逃げられなくなり、その
結果として半導体装置の表面及び内部にボイドを発生さ
せていた。 3.キャビティ29内の溶融樹脂Pの熱硬化が速いた
め、硬化の進んだ粘度の高い樹脂が注入されることによ
りダイパッドを押し上げまたは押し下げ、ダイパッドシ
フトを発生させていた。 4.キャビティ29内の溶融樹脂Pの熱硬化が速いた
め、硬化の進んだ粘度の高い樹脂が注入されることによ
りワイヤが樹脂に押し流され変形を起こしていた。
【0005】この発明は、以上の点に鑑み、溶融樹脂の
熱硬化を適切に行うことができる半導体装置製造方法を
提供することを目的とする。
熱硬化を適切に行うことができる半導体装置製造方法を
提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的は、この発明に
よれば、カルの部分とポットの部分の温度を高く、ラン
ナの部分とキャビティの部分の温度を低くし、前記ポッ
ト内で溶融させた樹脂を前記カルから前記ランナを介し
て前記キャビティ内に供給し、前記キャビティ内に配置
されている半導体素子等を前記樹脂で封止することによ
り達成される。
よれば、カルの部分とポットの部分の温度を高く、ラン
ナの部分とキャビティの部分の温度を低くし、前記ポッ
ト内で溶融させた樹脂を前記カルから前記ランナを介し
て前記キャビティ内に供給し、前記キャビティ内に配置
されている半導体素子等を前記樹脂で封止することによ
り達成される。
【0007】上記構成によれば、カルの部分やポットの
部分の温度を高くしているので、カル内の溶融樹脂の熱
硬化が速くなり、半導体装置の生産性を向上させること
ができる。一方、ランナの部分やキャビティの部分の温
度を低くしているので、キャビティ内の溶融樹脂の熱硬
化が遅くなり、残留気泡をエアベントから逃がす時間や
残留気泡を潰す時間を十分に取ることができ、その結果
としてボイドの発生を低減させることができる。さら
に、熱硬化による樹脂粘度の立ち上がりが緩やかにな
り、その結果としてダイパッドシフトの発生やワイヤ変
形の発生を抑えることができる。
部分の温度を高くしているので、カル内の溶融樹脂の熱
硬化が速くなり、半導体装置の生産性を向上させること
ができる。一方、ランナの部分やキャビティの部分の温
度を低くしているので、キャビティ内の溶融樹脂の熱硬
化が遅くなり、残留気泡をエアベントから逃がす時間や
残留気泡を潰す時間を十分に取ることができ、その結果
としてボイドの発生を低減させることができる。さら
に、熱硬化による樹脂粘度の立ち上がりが緩やかにな
り、その結果としてダイパッドシフトの発生やワイヤ変
形の発生を抑えることができる。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を添付図を参照しながら詳細に説明する。尚、以下に述
べる実施形態は、この発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、この発
明の範囲は、以下の説明において特にこの発明を限定す
る旨の記載がない限り、これらの形態に限られるもので
はない。
を添付図を参照しながら詳細に説明する。尚、以下に述
べる実施形態は、この発明の好適な具体例であるから、
技術的に好ましい種々の限定が付されているが、この発
明の範囲は、以下の説明において特にこの発明を限定す
る旨の記載がない限り、これらの形態に限られるもので
はない。
【0009】図1は、この発明の半導体装置製造方法の
実施形態に用いられる半導体装置樹脂封止用金型の一例
を示す斜視図である。この半導体装置樹脂封止用金型1
は、四角柱状の上型2と下型3で構成されており、上型
2及び下型3の各成形面の四隅に設けられたピン2a、
3aが嵌め合わされることにより、上型2及び下型3の
各成形面が密着されてキャビティが形成されるようにな
っている。
実施形態に用いられる半導体装置樹脂封止用金型の一例
を示す斜視図である。この半導体装置樹脂封止用金型1
は、四角柱状の上型2と下型3で構成されており、上型
2及び下型3の各成形面の四隅に設けられたピン2a、
3aが嵌め合わされることにより、上型2及び下型3の
各成形面が密着されてキャビティが形成されるようにな
っている。
【0010】上型2内には、A矢示方向から見た図2の
ように、内側面に沿って4つの上型チェイスユニット4
が組み込まれており、さらに、この上型チェイスユニッ
ト4内には、2つの上型キャビティブロック6が上型セ
ンタブロック7を挟み込むようにしてそれぞれ組み込ま
れている。そして、各上型キャビティブロック6には、
パッケージの形状(この例では四角柱状)の複数(この
例では4つ)の上型キャビティ14が設けられ、上型セ
ンタブロック7には、円柱状の複数(この例では4つ)
のカル11が設けられている。カル11の上型キャビテ
ィ14側の径方向には、B部拡大図である図3に示すよ
うに、押圧された樹脂が流れるランナ12aがそれぞれ
設けられている。
ように、内側面に沿って4つの上型チェイスユニット4
が組み込まれており、さらに、この上型チェイスユニッ
ト4内には、2つの上型キャビティブロック6が上型セ
ンタブロック7を挟み込むようにしてそれぞれ組み込ま
れている。そして、各上型キャビティブロック6には、
パッケージの形状(この例では四角柱状)の複数(この
例では4つ)の上型キャビティ14が設けられ、上型セ
ンタブロック7には、円柱状の複数(この例では4つ)
のカル11が設けられている。カル11の上型キャビテ
ィ14側の径方向には、B部拡大図である図3に示すよ
うに、押圧された樹脂が流れるランナ12aがそれぞれ
設けられている。
【0011】下型3内にも、内側面に沿って4つの下型
チェイスユニット5が組み込まれており、さらに、この
下型チェイスユニット5内にも、2つの下型キャビティ
ブロック8が下型センタブロック9を挟み込むようにし
てそれぞれ組み込まれている。そして、各下型キャビテ
ィブロック8にも、パッケージの形状(この例では四角
柱状)の複数(この例では4つ)の下型キャビティ15
が設けられ、下型センタブロック9には、樹脂を投入す
る縦穴状の複数(この例では4つ)のポット10が設け
られている。下型キャビティ15のポット10側の1つ
の辺上には、C部拡大図である図4に示すように、押圧
された樹脂が流れるランナ12bが設けられている。
チェイスユニット5が組み込まれており、さらに、この
下型チェイスユニット5内にも、2つの下型キャビティ
ブロック8が下型センタブロック9を挟み込むようにし
てそれぞれ組み込まれている。そして、各下型キャビテ
ィブロック8にも、パッケージの形状(この例では四角
柱状)の複数(この例では4つ)の下型キャビティ15
が設けられ、下型センタブロック9には、樹脂を投入す
る縦穴状の複数(この例では4つ)のポット10が設け
られている。下型キャビティ15のポット10側の1つ
の辺上には、C部拡大図である図4に示すように、押圧
された樹脂が流れるランナ12bが設けられている。
【0012】各上型キャビティ14と各下型キャビティ
15及び各カル11と各ポット10は、上型2と下型3
が組み合わされたときに、相互に対向するように設けら
れている。従って、2つの上型キャビティ14と2つの
下型キャビティ15に対して、1つのカル11と1つの
ポット10が使用されることになる。
15及び各カル11と各ポット10は、上型2と下型3
が組み合わされたときに、相互に対向するように設けら
れている。従って、2つの上型キャビティ14と2つの
下型キャビティ15に対して、1つのカル11と1つの
ポット10が使用されることになる。
【0013】このような半導体装置樹脂封止用金型1を
用いて半導体装置を封止する場合について説明する。先
ず、各下型キャビティ15内に電子部品が実装されたダ
イパッドを載置する。そして、上型2の各ピン2aと対
応する下型3の各ピン3aとを嵌め合わせ、上型2と下
型3を型締めして上型2の成形面と下型3の成形面を密
着させる。そして、図5に示すように、上型センタブロ
ック7のカル11の部分及び下型センタブロック9のポ
ット10の部分が高温となるように、かつ上型キャビテ
ィブロック6の上型キャビティ14の部分、下型キャビ
ティブロック8の下型キャビティ15の部分及びランナ
12bの部分が低温となるように、即ち1つの金型内に
温度勾配をつけるように加熱する。
用いて半導体装置を封止する場合について説明する。先
ず、各下型キャビティ15内に電子部品が実装されたダ
イパッドを載置する。そして、上型2の各ピン2aと対
応する下型3の各ピン3aとを嵌め合わせ、上型2と下
型3を型締めして上型2の成形面と下型3の成形面を密
着させる。そして、図5に示すように、上型センタブロ
ック7のカル11の部分及び下型センタブロック9のポ
ット10の部分が高温となるように、かつ上型キャビテ
ィブロック6の上型キャビティ14の部分、下型キャビ
ティブロック8の下型キャビティ15の部分及びランナ
12bの部分が低温となるように、即ち1つの金型内に
温度勾配をつけるように加熱する。
【0014】ここで、ポット10内に樹脂タブレットを
供給し、予熱して溶融させ、プランジャ16にて押圧す
る。これにより、溶融した樹脂Pは、カル11からラン
ナ12a、12b及びゲート13を経て、上型キャビテ
ィ14と下型キャビティ15との間に注入される(図6
(A))。そして、キャビティ内が低温のため、溶融樹
脂Pは急激に熱硬化、即ち粘度が上昇することなしにキ
ャビティ内に配置されたダイパッドD、半導体素子S及
ぴAuワイヤW等を被覆することができる。よって、樹
脂封止時のダイパッドシフトやワイヤ変形を回避するこ
とができる。さらに、溶融樹脂Pの熱硬化が遅くなるた
め、樹脂充填後にキャビティ内に残留した気抱を、エア
ベント14aから逃がしたり、注入圧力により潰すこと
ができ、ボイドの発生を抑えることができる。尚、カル
11に残った樹脂タブレットTの中心部は、カル11内
が高温のため速く熱硬化するので、半導体装置の生産性
を向上させることができる。
供給し、予熱して溶融させ、プランジャ16にて押圧す
る。これにより、溶融した樹脂Pは、カル11からラン
ナ12a、12b及びゲート13を経て、上型キャビテ
ィ14と下型キャビティ15との間に注入される(図6
(A))。そして、キャビティ内が低温のため、溶融樹
脂Pは急激に熱硬化、即ち粘度が上昇することなしにキ
ャビティ内に配置されたダイパッドD、半導体素子S及
ぴAuワイヤW等を被覆することができる。よって、樹
脂封止時のダイパッドシフトやワイヤ変形を回避するこ
とができる。さらに、溶融樹脂Pの熱硬化が遅くなるた
め、樹脂充填後にキャビティ内に残留した気抱を、エア
ベント14aから逃がしたり、注入圧力により潰すこと
ができ、ボイドの発生を抑えることができる。尚、カル
11に残った樹脂タブレットTの中心部は、カル11内
が高温のため速く熱硬化するので、半導体装置の生産性
を向上させることができる。
【0015】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれぱ、溶融樹
脂の熱硬化を適切に行うことができるので、半導体装置
の品質や歩留まりを向上させることができる。
脂の熱硬化を適切に行うことができるので、半導体装置
の品質や歩留まりを向上させることができる。
【図1】この発明の半導体装置製造方法の実施形態で用
いる半導体装置樹脂封止用金型の一例を示す斜視図。
いる半導体装置樹脂封止用金型の一例を示す斜視図。
【図2】図1の半導体装置樹脂封止用金型のA矢示方向
から見た斜視図。
から見た斜視図。
【図3】図2のB部拡大斜視図。
【図4】図1のC部拡大斜視図。
【図5】図1の半導体装置樹脂封止用金型の平面図。
【図6】図1の半導体装置樹脂封止用金型の断面側面
図。
図。
【図7】従来の半導体装置製造方法の一例で用いる半導
体装置樹脂封止用金型の断面側面図。
体装置樹脂封止用金型の断面側面図。
1、21・・・半導体装置樹脂封止用金型、2、22・
・・上型、3、23・・・下型、4・・・上型チェイス
ユニット、5・・・下型チェイスユニット、6・・・上
型キャビティブロック、7・・・上型センタブロック、
8・・・下型キャビティブロック、9・・・下型センタ
ブロック、10、24・・・ポット、11、26・・・
カル、12a、12b、27・・・ランナ、13、28
・・・ゲート、14・・・上型キャビティ、15・・・
下型キャビティ、16、25・・・プランジャ、29・
・・キャビティ
・・上型、3、23・・・下型、4・・・上型チェイス
ユニット、5・・・下型チェイスユニット、6・・・上
型キャビティブロック、7・・・上型センタブロック、
8・・・下型キャビティブロック、9・・・下型センタ
ブロック、10、24・・・ポット、11、26・・・
カル、12a、12b、27・・・ランナ、13、28
・・・ゲート、14・・・上型キャビティ、15・・・
下型キャビティ、16、25・・・プランジャ、29・
・・キャビティ
Claims (1)
- 【請求項1】 カルの部分とポットの部分の温度を高
く、ランナの部分とキャビティの部分の温度を低くし、 前記ポット内で溶融させた樹脂を前記カルから前記ラン
ナを介して前記キャビティ内に供給し、 前記キャビティ内に配置されている半導体素子等を前記
樹脂で封止することを特徴とする半導体装置製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34834496A JPH10180831A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 半導体装置製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34834496A JPH10180831A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 半導体装置製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10180831A true JPH10180831A (ja) | 1998-07-07 |
Family
ID=18396403
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34834496A Pending JPH10180831A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 半導体装置製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10180831A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106910704A (zh) * | 2017-03-02 | 2017-06-30 | 无锡中微高科电子有限公司 | 集成电路气密性封盖工艺用底座 |
-
1996
- 1996-12-26 JP JP34834496A patent/JPH10180831A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106910704A (zh) * | 2017-03-02 | 2017-06-30 | 无锡中微高科电子有限公司 | 集成电路气密性封盖工艺用底座 |
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