JPH11179763A - トランスファ成形装置 - Google Patents
トランスファ成形装置Info
- Publication number
- JPH11179763A JPH11179763A JP36578197A JP36578197A JPH11179763A JP H11179763 A JPH11179763 A JP H11179763A JP 36578197 A JP36578197 A JP 36578197A JP 36578197 A JP36578197 A JP 36578197A JP H11179763 A JPH11179763 A JP H11179763A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- air vent
- lead frame
- resin
- transfer molding
- molding apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 成形材料の未充填部が成形体に発生しにく
く、成形型の内面や成形体の外面に打痕も発生しにくい
トランスファ成形装置を提供する。 【解決手段】 空気の通過方向と垂直な面内におけるエ
アベント１８の幅が、上型１２及び下型１３がリードフ
レーム２３から離間する方向へ連続的に狭くなってい
る。このため、エアベント１８内の樹脂とリードフレー
ム２３との接着面積が同じでも、上型１２及び下型１３
とリードフレーム２３とを離間させる際にエアベント１
８内のバリ２５と上型１２及び下型１３とが摩擦せず、
バリ２５はリードフレーム２３に付着し易くてエアベン
ト１８の内面には付着しにくい。
く、成形型の内面や成形体の外面に打痕も発生しにくい
トランスファ成形装置を提供する。 【解決手段】 空気の通過方向と垂直な面内におけるエ
アベント１８の幅が、上型１２及び下型１３がリードフ
レーム２３から離間する方向へ連続的に狭くなってい
る。このため、エアベント１８内の樹脂とリードフレー
ム２３との接着面積が同じでも、上型１２及び下型１３
とリードフレーム２３とを離間させる際にエアベント１
８内のバリ２５と上型１２及び下型１３とが摩擦せず、
バリ２５はリードフレーム２３に付着し易くてエアベン
ト１８の内面には付着しにくい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願の発明は、樹脂封止され
た半導体パッケージ等を製造するためのトランスファ成
形装置に関するものである。
た半導体パッケージ等を製造するためのトランスファ成
形装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は、半導体チップ及びリードフレー
ムを樹脂封止して半導体パッケージを製造するためのト
ランスファ成形装置を示している。このトランスファ成
形装置１１は上型１２及び下型１３を有しており、カル
１４、ランナー１５、ゲート１６、キャビティ１７及び
エアベント１８が、近接状態の上型１２と下型１３との
間に順次に連なって形成される。
ムを樹脂封止して半導体パッケージを製造するためのト
ランスファ成形装置を示している。このトランスファ成
形装置１１は上型１２及び下型１３を有しており、カル
１４、ランナー１５、ゲート１６、キャビティ１７及び
エアベント１８が、近接状態の上型１２と下型１３との
間に順次に連なって形成される。
【０００３】下型１３のうちでカル１４に臨む部分には
ポット２１が設けられており、カル１４に対して接近と
離間とを繰り返す往復運動が可能なプランジャ２２がポ
ット２１内に設けられている。図３（ａ）（ｂ）は一従
来例のトランスファ成形装置１１におけるキャビティ１
７及びエアベント１８を示しており、空気の通過方向と
垂直な面内におけるエアベント１８の断面は長方形であ
る。
ポット２１が設けられており、カル１４に対して接近と
離間とを繰り返す往復運動が可能なプランジャ２２がポ
ット２１内に設けられている。図３（ａ）（ｂ）は一従
来例のトランスファ成形装置１１におけるキャビティ１
７及びエアベント１８を示しており、空気の通過方向と
垂直な面内におけるエアベント１８の断面は長方形であ
る。
【０００４】この様なトランスファ成形装置１１を用い
て半導体パッケージを製造するためには、まず、上型１
２と下型１３とを相対的に接近させて、半導体チップ
（図示せず）が固定されているリードフレーム２３をキ
ャビティ１７の周辺部で挟持する。キャビティ１７には
エアベント１８が連なっているので、リードフレーム２
３はエアベント１８の周辺部にも挟持される。
て半導体パッケージを製造するためには、まず、上型１
２と下型１３とを相対的に接近させて、半導体チップ
（図示せず）が固定されているリードフレーム２３をキ
ャビティ１７の周辺部で挟持する。キャビティ１７には
エアベント１８が連なっているので、リードフレーム２
３はエアベント１８の周辺部にも挟持される。
【０００５】そして、上型１２及び下型１３やプランジ
ャ２２を１７０〜１８０℃に熱し、図２（ａ）に示す様
に、プランジャ２２が下死点にある状態のポット２１内
に、粉末樹脂を押し固めたものや固形樹脂等である樹脂
タブレット２４を投入する。その後、図２（ｂ）に示す
様に、プランジャ２２を上死点まで上昇させて、樹脂タ
ブレット２４を押し上げる。
ャ２２を１７０〜１８０℃に熱し、図２（ａ）に示す様
に、プランジャ２２が下死点にある状態のポット２１内
に、粉末樹脂を押し固めたものや固形樹脂等である樹脂
タブレット２４を投入する。その後、図２（ｂ）に示す
様に、プランジャ２２を上死点まで上昇させて、樹脂タ
ブレット２４を押し上げる。
【０００６】樹脂タブレット２４は、プランジャ２２と
の接触部である下部から溶融し始め、プランジャ２２の
上昇に伴って上部がカル１４の内面に接触するとこの上
部からも溶融する。溶融した樹脂は、カル１４からラン
ナー１５及びゲート１６を通ってキャビティ１７内に注
入される。この時、キャビティ１７内等に滞留していた
空気は、溶融した樹脂に押され、エアベント１８を通っ
てキャビティ１７外へ排出される。
の接触部である下部から溶融し始め、プランジャ２２の
上昇に伴って上部がカル１４の内面に接触するとこの上
部からも溶融する。溶融した樹脂は、カル１４からラン
ナー１５及びゲート１６を通ってキャビティ１７内に注
入される。この時、キャビティ１７内等に滞留していた
空気は、溶融した樹脂に押され、エアベント１８を通っ
てキャビティ１７外へ排出される。
【０００７】溶融した樹脂でキャビティ１７が充填され
ると、上型１２や下型１３等を冷却して樹脂を硬化させ
る。この結果、キャビティ１７内に配置されている半導
体チップ及びリードフレーム２３が樹脂封止されて、半
導体パッケージが製造される。その後、上型１２と下型
１３とを相対的に離間させて、半導体パッケージを取り
出す。
ると、上型１２や下型１３等を冷却して樹脂を硬化させ
る。この結果、キャビティ１７内に配置されている半導
体チップ及びリードフレーム２３が樹脂封止されて、半
導体パッケージが製造される。その後、上型１２と下型
１３とを相対的に離間させて、半導体パッケージを取り
出す。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、エアベント
１８がキャビティ１７に連なっているので、溶融した樹
脂をキャビティ１７内に注入すると、この樹脂はエアベ
ント１８内にも注入される。このため、その後に上型１
２や下型１３等を冷却して樹脂を硬化させると、図３
（ｃ）に示す様に、エアベント１８内で樹脂が硬化して
バリ２５が形成される。
１８がキャビティ１７に連なっているので、溶融した樹
脂をキャビティ１７内に注入すると、この樹脂はエアベ
ント１８内にも注入される。このため、その後に上型１
２や下型１３等を冷却して樹脂を硬化させると、図３
（ｃ）に示す様に、エアベント１８内で樹脂が硬化して
バリ２５が形成される。
【０００９】ところが、図３に示した様に空気の通過方
向と垂直な面内におけるエアベント１８の断面が長方形
であるので、バリ２５の断面も長方形である。しかも、
上型１２及び下型１３は、リードフレーム２３の広がる
面に垂直な方向つまりバリ２５の断面である長方形の一
対の辺に沿う方向に、リードフレーム２３から相対的に
離間する。このため、上型１２及び下型１３をリードフ
レーム２３から相対的に離間させる際に、上型１２及び
下型１３とバリ２５との間で摩擦が生じる。
向と垂直な面内におけるエアベント１８の断面が長方形
であるので、バリ２５の断面も長方形である。しかも、
上型１２及び下型１３は、リードフレーム２３の広がる
面に垂直な方向つまりバリ２５の断面である長方形の一
対の辺に沿う方向に、リードフレーム２３から相対的に
離間する。このため、上型１２及び下型１３をリードフ
レーム２３から相対的に離間させる際に、上型１２及び
下型１３とバリ２５との間で摩擦が生じる。
【００１０】この摩擦が生じると、バリ２５はリードフ
レーム２３から剥離してエアベント１８の内面に付着し
たままになり易い。この結果、その後に上型１２及び下
型１３内へ樹脂を注入する際にエアベント１８を空気が
通過しにくくて、樹脂の未充填部が半導体パッケージに
発生し易い。また、エアベント１８の内面からバリ２５
が離脱すれば、上型１２及び下型１３の内面や半導体パ
ッケージの封止樹脂及びリードフレーム２３に打痕が発
生し易い。
レーム２３から剥離してエアベント１８の内面に付着し
たままになり易い。この結果、その後に上型１２及び下
型１３内へ樹脂を注入する際にエアベント１８を空気が
通過しにくくて、樹脂の未充填部が半導体パッケージに
発生し易い。また、エアベント１８の内面からバリ２５
が離脱すれば、上型１２及び下型１３の内面や半導体パ
ッケージの封止樹脂及びリードフレーム２３に打痕が発
生し易い。
【００１１】このため、図３に示した一従来例のトラン
スファ成形装置１１では、半導体パッケージを高い歩留
りで製造することが困難であった。従って、本願の発明
は、成形材料の未充填部が成形体に発生しにくく、成形
型の内面や成形体の外面に打痕も発生しにくくて、成形
体を高い歩留りで製造することができるトランスファ成
形装置を提供することを目的としている。
スファ成形装置１１では、半導体パッケージを高い歩留
りで製造することが困難であった。従って、本願の発明
は、成形材料の未充填部が成形体に発生しにくく、成形
型の内面や成形体の外面に打痕も発生しにくくて、成形
体を高い歩留りで製造することができるトランスファ成
形装置を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１に係るトランス
ファ成形装置では、空気の通過方向と垂直な面内におけ
る空気抜き部の幅が、成形型が被封止部材から相対的に
離間する方向へ連続的に狭くなっている。このため、空
気抜き部内に注入された成形材料と被封止部材との接着
面積が維持されつつ、成形型と被封止部材とを相対的に
離間させる際に、空気抜き部内で硬化した成形材料から
成るバリと成形型との間の摩擦が防止されている。
ファ成形装置では、空気の通過方向と垂直な面内におけ
る空気抜き部の幅が、成形型が被封止部材から相対的に
離間する方向へ連続的に狭くなっている。このため、空
気抜き部内に注入された成形材料と被封止部材との接着
面積が維持されつつ、成形型と被封止部材とを相対的に
離間させる際に、空気抜き部内で硬化した成形材料から
成るバリと成形型との間の摩擦が防止されている。
【００１３】この結果、空気抜き部内で硬化した成形材
料から成るバリは、被封止部材に付着し易くて、成形型
の空気抜き部の内面には付着しにくい。従って、成形型
内への成形材料の注入時に空気抜き部を空気が通過し易
くて、成形材料の未充填部が成形体に発生しにくい。ま
た、空気抜き部の内面にバリが付着しにくいので、バリ
の離脱そのものが生じにくくて、成形型の内面や成形体
の外面に打痕が発生しにくい。
料から成るバリは、被封止部材に付着し易くて、成形型
の空気抜き部の内面には付着しにくい。従って、成形型
内への成形材料の注入時に空気抜き部を空気が通過し易
くて、成形材料の未充填部が成形体に発生しにくい。ま
た、空気抜き部の内面にバリが付着しにくいので、バリ
の離脱そのものが生じにくくて、成形型の内面や成形体
の外面に打痕が発生しにくい。
【００１４】請求項２に係るトランスファ成形装置で
は、半導体チップ及びリードフレームを樹脂封止して半
導体パッケージを製造するが、半導体パッケージの封止
樹脂やリードフレームに打痕が発生しにくい。
は、半導体チップ及びリードフレームを樹脂封止して半
導体パッケージを製造するが、半導体パッケージの封止
樹脂やリードフレームに打痕が発生しにくい。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、半導体チップ及びリードフ
レームを樹脂封止して半導体パッケージを製造するため
のトランスファ成形装置に適用した本願の発明の一実施
形態を、図１、２を参照しながら説明する。図１、２に
示す様に、本実施形態のトランスファ成形装置１１も、
空気の通過方向と垂直な面内におけるエアベント１８の
断面が楕円形であることを除いて、上述の一従来例のト
ランスファ成形装置１１と実質的に同様の構成を有して
いる。
レームを樹脂封止して半導体パッケージを製造するため
のトランスファ成形装置に適用した本願の発明の一実施
形態を、図１、２を参照しながら説明する。図１、２に
示す様に、本実施形態のトランスファ成形装置１１も、
空気の通過方向と垂直な面内におけるエアベント１８の
断面が楕円形であることを除いて、上述の一従来例のト
ランスファ成形装置１１と実質的に同様の構成を有して
いる。
【００１６】この様に空気の通過方向と垂直な面内にお
けるエアベント１８の断面が楕円形であるので、エアベ
ント１８内で樹脂が硬化して形成されるバリ２５の断面
も楕円形である。このため、エアベント１８に注入され
た樹脂とリードフレーム２３との接着面積は、上述の一
従来例と同じである。
けるエアベント１８の断面が楕円形であるので、エアベ
ント１８内で樹脂が硬化して形成されるバリ２５の断面
も楕円形である。このため、エアベント１８に注入され
た樹脂とリードフレーム２３との接着面積は、上述の一
従来例と同じである。
【００１７】しかも、上型１２及び下型１３は、リード
フレーム２３の広がる面に垂直な方向にリードフレーム
２３から相対的に離間する。このため、上型１２及び下
型１３をリードフレーム２３から相対的に離間させる際
に、上型１２及び下型１３とバリ２５との間で摩擦が生
じない。
フレーム２３の広がる面に垂直な方向にリードフレーム
２３から相対的に離間する。このため、上型１２及び下
型１３をリードフレーム２３から相対的に離間させる際
に、上型１２及び下型１３とバリ２５との間で摩擦が生
じない。
【００１８】従って、バリ２５は、リードフレーム２３
に付着し易くて、エアベント１８の内面には付着しにく
い。この結果、その後に上型１２及び下型１３内へ樹脂
を注入する際にエアベント１８を空気が通過し易くて、
樹脂の未充填部が半導体パッケージに発生しにくい。ま
た、エアベント１８の内面からのバリ２５の離脱そのも
のが生じにくくて、上型１２及び下型１３の内面や半導
体パッケージの封止樹脂及びリードフレーム２３に打痕
が発生しにくい。
に付着し易くて、エアベント１８の内面には付着しにく
い。この結果、その後に上型１２及び下型１３内へ樹脂
を注入する際にエアベント１８を空気が通過し易くて、
樹脂の未充填部が半導体パッケージに発生しにくい。ま
た、エアベント１８の内面からのバリ２５の離脱そのも
のが生じにくくて、上型１２及び下型１３の内面や半導
体パッケージの封止樹脂及びリードフレーム２３に打痕
が発生しにくい。
【００１９】なお、以上の実施形態では、図１（ａ）に
示した様にエアベント１８の断面形状が上型１２側も下
型１３側とも共に半楕円形である。しかし、空気の通過
方向と垂直な面内におけるエアベント１８の幅が、上型
１２及び下型１３がリードフレーム２３から相対的に離
間する方向へ連続的に狭くなっていればよく、上述の半
楕円形の代わりに、例えば、半円形や三角形や台形等が
用いられてもよい。
示した様にエアベント１８の断面形状が上型１２側も下
型１３側とも共に半楕円形である。しかし、空気の通過
方向と垂直な面内におけるエアベント１８の幅が、上型
１２及び下型１３がリードフレーム２３から相対的に離
間する方向へ連続的に狭くなっていればよく、上述の半
楕円形の代わりに、例えば、半円形や三角形や台形等が
用いられてもよい。
【００２０】また、以上の実施形態は半導体チップ及び
リードフレームを樹脂封止して半導体パッケージを製造
するためのトランスファ成形装置に本願の発明を適用し
たものであるが、半導体パッケージ以外の製品を製造す
るためのトランスファ成形装置にも本願の発明を適用す
ることができる。
リードフレームを樹脂封止して半導体パッケージを製造
するためのトランスファ成形装置に本願の発明を適用し
たものであるが、半導体パッケージ以外の製品を製造す
るためのトランスファ成形装置にも本願の発明を適用す
ることができる。
【００２１】
【発明の効果】請求項１に係るトランスファ成形装置で
は、成形材料の未充填部が成形体に発生しにくく、ま
た、成形型の内面や成形体の外面に打痕が発生しにくい
ので、成形体を高い歩留りで製造することができる。
は、成形材料の未充填部が成形体に発生しにくく、ま
た、成形型の内面や成形体の外面に打痕が発生しにくい
ので、成形体を高い歩留りで製造することができる。
【００２２】請求項２に係るトランスファ成形装置で
は、半導体パッケージの封止樹脂やリードフレームに打
痕が発生しにくいので、半導体パッケージを高い歩留り
で製造することができる。
は、半導体パッケージの封止樹脂やリードフレームに打
痕が発生しにくいので、半導体パッケージを高い歩留り
で製造することができる。
【図１】本願の発明の一実施形態の要部を示しており、
（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う位置における拡大断面
図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は上型と下型との離間時の
拡大断面図である。
（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う位置における拡大断面
図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は上型と下型との離間時の
拡大断面図である。
【図２】本願の発明を適用し得るトランスファ成形装置
の側断面図であり、（ａ）は樹脂の注入開始時、（ｂ）
は樹脂の注入後を示している。
の側断面図であり、（ａ）は樹脂の注入開始時、（ｂ）
は樹脂の注入後を示している。
【図３】本願の発明の一従来例の要部を示しており、
（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う位置における拡大断面
図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は上型と下型との離間時の
拡大断面図である。
（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う位置における拡大断面
図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は上型と下型との離間時の
拡大断面図である。
１１…トランスファ成形装置、１２…上型（成形型）、
１３…下型（成形型）、１７…キャビティ（空洞部）、
１８…エアベント（空気抜き部）、２３…リードフレー
ム（被封止部材）
１３…下型（成形型）、１７…キャビティ（空洞部）、
１８…エアベント（空気抜き部）、２３…リードフレー
ム（被封止部材）
Claims (2)
- 【請求項１】 近接状態の一対の成形型同士の間に成形
用の空洞部とこの空洞部に連なる空気抜き部とが形成さ
れ、成形体内に封止すべき被封止部材を少なくとも前記
空気抜き部によって挟持するトランスファ成形装置にお
いて、 空気の通過方向と垂直な面内における前記空気抜き部の
幅が、前記成形型が前記被封止部材から相対的に離間す
る方向へ連続的に狭くなっていることを特徴とするトラ
ンスファ成形装置。 - 【請求項２】 半導体チップとこの半導体チップが固定
されているリードフレームとが前記被封止部材であり、 前記半導体チップ及び前記リードフレームが樹脂封止さ
れて成る半導体パッケージが前記成形体であり、 前記リードフレームが前記空気抜き部に挟持されること
を特徴とする請求項１記載のトランスファ成形装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36578197A JPH11179763A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | トランスファ成形装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36578197A JPH11179763A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | トランスファ成形装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11179763A true JPH11179763A (ja) | 1999-07-06 |
Family
ID=18485100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36578197A Pending JPH11179763A (ja) | 1997-12-22 | 1997-12-22 | トランスファ成形装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11179763A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006159690A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド金型および樹脂モールド装置 |
| US7186589B2 (en) | 2001-08-30 | 2007-03-06 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating semiconductor components using mold cavities having runners configured to minimize venting |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP36578197A patent/JPH11179763A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7186589B2 (en) | 2001-08-30 | 2007-03-06 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating semiconductor components using mold cavities having runners configured to minimize venting |
| US7265453B2 (en) * | 2001-08-30 | 2007-09-04 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor component having dummy segments with trapped corner air |
| JP2006159690A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Apic Yamada Corp | 樹脂モールド金型および樹脂モールド装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003174124A (ja) | 半導体装置の外部電極形成方法 | |
| US5043199A (en) | Resin tablet for plastic encapsulation and method of manufacturing of plastic encapsulation using the resin tablet | |
| JPH04147814A (ja) | 樹脂封入成形用金型 | |
| JP3411448B2 (ja) | 半導体素子の樹脂封止金型及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3727446B2 (ja) | 半導体装置の樹脂封止成形金型 | |
| JPH11179763A (ja) | トランスファ成形装置 | |
| JP2581113B2 (ja) | 半導体装置のモールド方法および装置 | |
| JPH0574999A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0794635A (ja) | 樹脂封止パッケージ | |
| JPH0745765A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法 | |
| JP3212527B2 (ja) | 光照射窓を有するｂｇａ型中空半導体パッケージ | |
| JPH10209192A (ja) | 中空型半導体パッケージ成形方法 | |
| JPH06126771A (ja) | 樹脂成形用金型 | |
| JP3499269B2 (ja) | カバーフレームと樹脂封止方法 | |
| JPS63175436A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0644105Y2 (ja) | 樹脂モ−ルド型半導体装置のリ−ドフレ−ム | |
| JP3575592B2 (ja) | リードフレーム組立体の樹脂モールド用成形型及び樹脂モールド成形法 | |
| JPS63157451A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JP2003203935A (ja) | 半導体装置の封止方法およびそれに用いる封止装置 | |
| JPH0919939A (ja) | トランスファ成形装置 | |
| JPH115233A (ja) | トランスファ成形用金型 | |
| JPH0445563A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04333245A (ja) | プラスチック集積回路パッケージを製造するための金型 | |
| JPS63299368A (ja) | 半導体素子収納パッケ−ジの製造方法 | |
| JP2006210784A (ja) | リードフレームおよび半導体装置ならびに半導体装置製造方法 |