JP2581113B2 - 半導体装置のモールド方法および装置 - Google Patents
半導体装置のモールド方法および装置Info
- Publication number
- JP2581113B2 JP2581113B2 JP29814787A JP29814787A JP2581113B2 JP 2581113 B2 JP2581113 B2 JP 2581113B2 JP 29814787 A JP29814787 A JP 29814787A JP 29814787 A JP29814787 A JP 29814787A JP 2581113 B2 JP2581113 B2 JP 2581113B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- lead frame
- opening
- cavity
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止形半導体装置の樹脂パツケージを成
形するモールド方法および成形装置に関するものであ
る。
形するモールド方法および成形装置に関するものであ
る。
従来のこの種半導体装置は第４図に示すように構成さ
れている。同図は樹脂封止形半導体装置の縦断面図で、
同図において、１はICチツプ、２は前記ICチツプ１が搭
載されるダイパツド部、３は外部リード、４はこの外部
リード３と前記ICチツプ１とを接続するためのインナー
リード、５は封止樹脂部で、この封止樹脂部５はダイパ
ツド部２および外部リード４の上側に形成された上モー
ルド部5aと、下側に形成された下モールド部5bとからな
り、後述する金型内に溶融された樹脂を注入することに
よつて成形されている。この封止樹脂部５を形成するに
は、第５図（ａ）〜（ｄ）に示すような手順により行な
われる。第５図（ａ）において、６はモールド装置の下
金型,7は同じく上金型で、これら下金型6,上金型７はそ
れぞれモールド装置本体（図示せず）に連結され、互い
に接離自在に設けられている。また、この下金型６には
樹脂が注入され前記封止樹脂５の下モールド部5bを成形
するためのキヤビテイ6aと、後述するリードフレームを
支承する載置部6bとが形成されている。上金型７には前
記下金型６のキヤビテイ6aと対向するキヤビテイ7aが形
成され、これらキヤビテイ6a,7a内に樹脂（図示せず）
を流し込むためのランナー7bおよびゲート7cが形成され
ている。８は前記ダイパツド部２および外部リード３を
一体的に備えたリードフレーム、９はこのリードフレー
ム８を下金型６に位置決めするための位置決めピンで、
前記下金型６に立設されている。すなわち、前記上，下
両金型6,7を使用して封止樹脂５を成形するには、先ず
第５図（ａ）に示すように、ICチツプ１が搭載されかつ
インナーリード４によつてICチツプ１と外部リード３と
が接続されたリードフレーム８を下金型６の載置部6b上
に位置決めピン９によつて位置決めさせて載置させる。
次に同図（ｂ）に示すように、下金型６と上金型７とを
近接させて型締めする。この状態でキヤビテイ6a,7aに
よつて前記ICチツプ１、ダイパツド部2,外部リード３の
一部およびインナーリード４が囲まれることになる。そ
して、このキヤビテイ6a,7a内に加熱溶融された樹脂を
注入し、樹脂が硬化した後に型開きを行ない、同図
（ｃ）に示すように、ランナー7bおよびゲート7e内で硬
化したモールドランナー10,モールドゲート11と共にキ
ヤビテイ6a,7a内で硬化した封止樹脂部５を取り出す。
しかる後、同図（ｄ）に示すように、封止樹脂部５とモ
ールドランナー10,モールドゲート11とを分断させる。
また、第６図はモールドランナー１およびモールドゲー
ト11が分断された状態を示す平面図で、同図において11
aはモールドゲート11の残りを示し、8aは各外部リード
３、３…を支持するリードフレームタイバーである。
れている。同図は樹脂封止形半導体装置の縦断面図で、
同図において、１はICチツプ、２は前記ICチツプ１が搭
載されるダイパツド部、３は外部リード、４はこの外部
リード３と前記ICチツプ１とを接続するためのインナー
リード、５は封止樹脂部で、この封止樹脂部５はダイパ
ツド部２および外部リード４の上側に形成された上モー
ルド部5aと、下側に形成された下モールド部5bとからな
り、後述する金型内に溶融された樹脂を注入することに
よつて成形されている。この封止樹脂部５を形成するに
は、第５図（ａ）〜（ｄ）に示すような手順により行な
われる。第５図（ａ）において、６はモールド装置の下
金型,7は同じく上金型で、これら下金型6,上金型７はそ
れぞれモールド装置本体（図示せず）に連結され、互い
に接離自在に設けられている。また、この下金型６には
樹脂が注入され前記封止樹脂５の下モールド部5bを成形
するためのキヤビテイ6aと、後述するリードフレームを
支承する載置部6bとが形成されている。上金型７には前
記下金型６のキヤビテイ6aと対向するキヤビテイ7aが形
成され、これらキヤビテイ6a,7a内に樹脂（図示せず）
を流し込むためのランナー7bおよびゲート7cが形成され
ている。８は前記ダイパツド部２および外部リード３を
一体的に備えたリードフレーム、９はこのリードフレー
ム８を下金型６に位置決めするための位置決めピンで、
前記下金型６に立設されている。すなわち、前記上，下
両金型6,7を使用して封止樹脂５を成形するには、先ず
第５図（ａ）に示すように、ICチツプ１が搭載されかつ
インナーリード４によつてICチツプ１と外部リード３と
が接続されたリードフレーム８を下金型６の載置部6b上
に位置決めピン９によつて位置決めさせて載置させる。
次に同図（ｂ）に示すように、下金型６と上金型７とを
近接させて型締めする。この状態でキヤビテイ6a,7aに
よつて前記ICチツプ１、ダイパツド部2,外部リード３の
一部およびインナーリード４が囲まれることになる。そ
して、このキヤビテイ6a,7a内に加熱溶融された樹脂を
注入し、樹脂が硬化した後に型開きを行ない、同図
（ｃ）に示すように、ランナー7bおよびゲート7e内で硬
化したモールドランナー10,モールドゲート11と共にキ
ヤビテイ6a,7a内で硬化した封止樹脂部５を取り出す。
しかる後、同図（ｄ）に示すように、封止樹脂部５とモ
ールドランナー10,モールドゲート11とを分断させる。
また、第６図はモールドランナー１およびモールドゲー
ト11が分断された状態を示す平面図で、同図において11
aはモールドゲート11の残りを示し、8aは各外部リード
３、３…を支持するリードフレームタイバーである。
このように封止樹脂部５が形成された後、リードフレ
ーム８の表面処理を行ない、リードフレームタイバー8a
切断工程，外部リード３の分断，曲げ工程を経て、第４
図に示すような半導体装置が完成する。
ーム８の表面処理を行ない、リードフレームタイバー8a
切断工程，外部リード３の分断，曲げ工程を経て、第４
図に示すような半導体装置が完成する。
しかるに、このようなモールド装置を使用した方法で
は、上，下金型6,7が互いにずれ、キヤビテイ6aと7aと
の位置がずれると、第４図中Ａで示すように上モールド
部5aが下モールド部5bより側方に突出することになり、
外部リード３の分断，曲げ加工工程において封止樹脂部
５に傷がつくという問題があつた。
は、上，下金型6,7が互いにずれ、キヤビテイ6aと7aと
の位置がずれると、第４図中Ａで示すように上モールド
部5aが下モールド部5bより側方に突出することになり、
外部リード３の分断，曲げ加工工程において封止樹脂部
５に傷がつくという問題があつた。
また、第６図に示すように、モールドゲート11の一部
がリードフレーム８上に接着され、封止樹脂部５と共に
残り、これを後工程において除去しなければならなかつ
た。
がリードフレーム８上に接着され、封止樹脂部５と共に
残り、これを後工程において除去しなければならなかつ
た。
本発明に係る半導体装置のモールド方法は、下金型上
に載置されたリードフレーム上に、開口部を形成した型
板を前記開口部が下金型のキャビティ開口部と対応する
ように配置し、型締めした後、上下両金型内に樹脂を注
入して硬化させ、次で、ゲート部およびランナー部で硬
化した樹脂と共にリードフレームと型板を金型から離型
させ、しかる後、型板をリードフレームから分離させる
ものである。
に載置されたリードフレーム上に、開口部を形成した型
板を前記開口部が下金型のキャビティ開口部と対応する
ように配置し、型締めした後、上下両金型内に樹脂を注
入して硬化させ、次で、ゲート部およびランナー部で硬
化した樹脂と共にリードフレームと型板を金型から離型
させ、しかる後、型板をリードフレームから分離させる
ものである。
また、本発明の別の発明に係る半導体装置用モールド
装置は、下金型と上金型とからなる金型と、下金型上に
載置されたリードフレームと前記上金型との間に介装さ
れる型板とを備え、前記上金型におけるキャビティの開
口寸法を下金型におけるキャビティの開口寸法より小さ
く形成し、前記型板に、下金型におけるキャビティの開
口形状と等しい開口形状を有する開口部を形成したもの
である。
装置は、下金型と上金型とからなる金型と、下金型上に
載置されたリードフレームと前記上金型との間に介装さ
れる型板とを備え、前記上金型におけるキャビティの開
口寸法を下金型におけるキャビティの開口寸法より小さ
く形成し、前記型板に、下金型におけるキャビティの開
口形状と等しい開口形状を有する開口部を形成したもの
である。
ゲート部で硬化した樹脂が型板の開口縁部に沿つて分
断され、また、下金型におけるキヤビテイの開口寸法と
上金型におけるキヤビテイの開口寸法との差だけ上，下
両金型のずれに対する許容範囲が大きくなる。
断され、また、下金型におけるキヤビテイの開口寸法と
上金型におけるキヤビテイの開口寸法との差だけ上，下
両金型のずれに対する許容範囲が大きくなる。
以下、本発明を図に示す実施例により詳細に説明す
る。
る。
第１図（ａ）〜（ｈ）は本発明に係るモールド方法を
説明するための図、第２図は封止樹脂部が形成された状
態を示す平面図、第３図（ａ），（ｂ）は本発明に係る
封止樹脂部を備えた半導体装置を示す側面図と縦断面図
である。
説明するための図、第２図は封止樹脂部が形成された状
態を示す平面図、第３図（ａ），（ｂ）は本発明に係る
封止樹脂部を備えた半導体装置を示す側面図と縦断面図
である。
これらの図において前記従来例で説明したものと同一
もしくは同等部材については同一符号を付し、ここにお
いて詳細な説明は省略する。これらの図において、21は
型板としてのスペーサで、このスペーサ21はリードフレ
ーム８より若干厚く、表，裏面が平滑な金属板によつて
形成されており、下金型６におけるキヤビテイ6aの開口
形状と等しい開口部21aと、位置決めピン９が貫通する
位置決め穴21bとが形成されている。また、第１図にお
ける下金型６の載置部6bは、前記スペーサ21をリードフ
レーム８上に載置した時にスペーサ21の上面と金型面が
同じ高さになるようにスペーサ21の厚み寸法だけ深く形
成されている。22は上金型23のキヤビテイで、このキヤ
ビテイ22はその開口寸法が下金型６におけるキヤビテイ
6aの開口寸法より小さく形成されている。
もしくは同等部材については同一符号を付し、ここにお
いて詳細な説明は省略する。これらの図において、21は
型板としてのスペーサで、このスペーサ21はリードフレ
ーム８より若干厚く、表，裏面が平滑な金属板によつて
形成されており、下金型６におけるキヤビテイ6aの開口
形状と等しい開口部21aと、位置決めピン９が貫通する
位置決め穴21bとが形成されている。また、第１図にお
ける下金型６の載置部6bは、前記スペーサ21をリードフ
レーム８上に載置した時にスペーサ21の上面と金型面が
同じ高さになるようにスペーサ21の厚み寸法だけ深く形
成されている。22は上金型23のキヤビテイで、このキヤ
ビテイ22はその開口寸法が下金型６におけるキヤビテイ
6aの開口寸法より小さく形成されている。
次にこのように構成された上金型，下金型およびスペ
ーサを備えたモールド装置によつて、封止樹脂５を成形
する方法を説明する。
ーサを備えたモールド装置によつて、封止樹脂５を成形
する方法を説明する。
先ず、第１図（ａ）に示すように、ICチツプ１が搭載
されかつインナーリード４によつてICチツプ１と外部リ
ード３とが接続されたリードフレーム８を下金型６の載
置部6b上に載置させる。この際、リードフレーム８は位
置決めピン９によつて位置決めされる。次で同図（ｂ）
に示すように、スペーサ21を、位置決め穴21bに位置決
めピン９を挿通させて位置決めし、前記リードフレーム
８上に載置させる。その後、同図（ｃ）に示すように下
金型６と上金型23とを近接させて型締めする。そして、
同図（ｄ）に示すように、この下金型６および上金型23
のキヤビテイ6a,22内に加熱溶融された樹脂を注入し、
硬化させ、しかる後、同図（ｅ）に示すように型開きを
行なう。そして、同図（ｆ）に示すように、モールドラ
ンナー10,モールドゲート11と共に封止樹脂部５を下金
型６から取り出す。この際スペーサ21は、樹脂が開口部
21aの内側面に接着した状態で硬化しているため、リー
ドフレーム８と共に下金型６内から取り出されることに
なる。次にスペーサ21をリードフレーム８から分離させ
ることによつて、同図（ｇ）および（ｈ）に示すよう
に、モールドランナー10およびモールドゲート11と封止
樹脂部５とがスペーサ21における開口部21aの開口縁部
に沿つて分断される。すなわち、このスペーサ21によつ
て、リードフレーム８にモールドゲート11が接着せず、
しかも封止樹脂部５の側部が垂直に成形されるから、第
２図に示すようにモールドゲート11が封止樹脂部５に残
ることはない。
されかつインナーリード４によつてICチツプ１と外部リ
ード３とが接続されたリードフレーム８を下金型６の載
置部6b上に載置させる。この際、リードフレーム８は位
置決めピン９によつて位置決めされる。次で同図（ｂ）
に示すように、スペーサ21を、位置決め穴21bに位置決
めピン９を挿通させて位置決めし、前記リードフレーム
８上に載置させる。その後、同図（ｃ）に示すように下
金型６と上金型23とを近接させて型締めする。そして、
同図（ｄ）に示すように、この下金型６および上金型23
のキヤビテイ6a,22内に加熱溶融された樹脂を注入し、
硬化させ、しかる後、同図（ｅ）に示すように型開きを
行なう。そして、同図（ｆ）に示すように、モールドラ
ンナー10,モールドゲート11と共に封止樹脂部５を下金
型６から取り出す。この際スペーサ21は、樹脂が開口部
21aの内側面に接着した状態で硬化しているため、リー
ドフレーム８と共に下金型６内から取り出されることに
なる。次にスペーサ21をリードフレーム８から分離させ
ることによつて、同図（ｇ）および（ｈ）に示すよう
に、モールドランナー10およびモールドゲート11と封止
樹脂部５とがスペーサ21における開口部21aの開口縁部
に沿つて分断される。すなわち、このスペーサ21によつ
て、リードフレーム８にモールドゲート11が接着せず、
しかも封止樹脂部５の側部が垂直に成形されるから、第
２図に示すようにモールドゲート11が封止樹脂部５に残
ることはない。
このように封止樹脂部５が形成された後、リードフレ
ームの表面処理工程，リードフレームタイバー8a切断工
程，外部リード３の分断，曲げ工程を経て、第３図
（ａ），（ｂ）に示すような半導体装置が完成する。同
図において、封止樹脂部５は上モールド部5Aと、中モー
ルド部5Bと、下モールド部5bとなり、この上モールド部
5Aは上金型23のキヤビテイ22によつて形成され、その長
さ寸法L1および幅寸法W1は、下モールド部5bの長さ寸法
L2および幅寸法W2より小さく形成されている。また、中
モールド部5Bはスペーサ21の開口部21a内で形成され、
その周側面は、スペーサ21が下金型６に位置ずれを起こ
すことなく形成されている。したがつて、下金型６と上
金型23とが型締めされる際に位置ずれを起こした場合、
その位置ずれ量が前記上モールド部5Aと下モールド部5b
との寸法差より少なければ、上モールド部5Aが下モール
ド部5bないし中モールド部5Bの周側部より突出するよう
なことはない。
ームの表面処理工程，リードフレームタイバー8a切断工
程，外部リード３の分断，曲げ工程を経て、第３図
（ａ），（ｂ）に示すような半導体装置が完成する。同
図において、封止樹脂部５は上モールド部5Aと、中モー
ルド部5Bと、下モールド部5bとなり、この上モールド部
5Aは上金型23のキヤビテイ22によつて形成され、その長
さ寸法L1および幅寸法W1は、下モールド部5bの長さ寸法
L2および幅寸法W2より小さく形成されている。また、中
モールド部5Bはスペーサ21の開口部21a内で形成され、
その周側面は、スペーサ21が下金型６に位置ずれを起こ
すことなく形成されている。したがつて、下金型６と上
金型23とが型締めされる際に位置ずれを起こした場合、
その位置ずれ量が前記上モールド部5Aと下モールド部5b
との寸法差より少なければ、上モールド部5Aが下モール
ド部5bないし中モールド部5Bの周側部より突出するよう
なことはない。
なお、スペーサ21をステンレス板で形成すると、長期
間にわたる繰り返し使用に耐え得るスペーサを得ること
ができる。
間にわたる繰り返し使用に耐え得るスペーサを得ること
ができる。
以上説明したように本発明によれば、下金型上に載置
されたリードフレーム上に、開口部を形成した型板を前
記開口部が下金型のキャビティ開口部と対応するように
配置し、型締めした後、上下両金型内に樹脂を注入して
硬化させ、次で、ゲート部およびランナー部で硬化した
樹脂と共にリードフレームと型板を金型から離型させ、
しかる後、型板をリードフレームから分離させるため、
ゲート部で硬化した樹脂が型板の開口縁部に沿つて分断
されることになり、リードフレーム上に残ることがない
から、後工程においてこれを除去する工程が省け、半導
体装置の製造コストを低く抑えることができる。
されたリードフレーム上に、開口部を形成した型板を前
記開口部が下金型のキャビティ開口部と対応するように
配置し、型締めした後、上下両金型内に樹脂を注入して
硬化させ、次で、ゲート部およびランナー部で硬化した
樹脂と共にリードフレームと型板を金型から離型させ、
しかる後、型板をリードフレームから分離させるため、
ゲート部で硬化した樹脂が型板の開口縁部に沿つて分断
されることになり、リードフレーム上に残ることがない
から、後工程においてこれを除去する工程が省け、半導
体装置の製造コストを低く抑えることができる。
また、前記モールド方法を実施するモールド装置は、
下金型と上金型とからなる金型と、下金型上に載置され
たリードフレームと前記上金型との間に介装される型板
とを備え、前記上金型におけるキャビティの開口寸法を
下金型におけるキャビティの開口寸法より小さく形成
し、前記型板に、下金型におけるキャビティの開口形状
と等しい開口形状を有する開口部を形成したため、下金
型におけるキヤビテイの開口寸法と上金型におけるキヤ
ビテイの開口寸法との差だけ上，下両金型のずれに対す
る許容範囲が大きくなるから、上，下両金型の型締め時
に位置ずれが生じた場合でも、その位置ずれ量が前記
上，下両キヤビテイの開口寸法差より少なければ、上モ
ールド部が下モールド部より側方に突出することがない
ので、外部リードの分断，曲げ加工工程において封止樹
脂部に傷がつくことがない。したがつて、高精度，高品
質な半導体装置を得ることができる。
下金型と上金型とからなる金型と、下金型上に載置され
たリードフレームと前記上金型との間に介装される型板
とを備え、前記上金型におけるキャビティの開口寸法を
下金型におけるキャビティの開口寸法より小さく形成
し、前記型板に、下金型におけるキャビティの開口形状
と等しい開口形状を有する開口部を形成したため、下金
型におけるキヤビテイの開口寸法と上金型におけるキヤ
ビテイの開口寸法との差だけ上，下両金型のずれに対す
る許容範囲が大きくなるから、上，下両金型の型締め時
に位置ずれが生じた場合でも、その位置ずれ量が前記
上，下両キヤビテイの開口寸法差より少なければ、上モ
ールド部が下モールド部より側方に突出することがない
ので、外部リードの分断，曲げ加工工程において封止樹
脂部に傷がつくことがない。したがつて、高精度，高品
質な半導体装置を得ることができる。
第１図（ａ）〜（ｈ）は本発明に係るモールド方法を説
明するための図、第２図は封止樹脂部が形成された状態
を示す平面図、第３図（ａ），（ｂ）は本発明に係る封
止樹脂部を備えた半導体装置を示す側面図と縦断面図、
第４図は従来の樹脂封止形半導体装置の縦断面図、第５
図（ａ）〜（ｄ）は従来のモールド方法を説明するため
の図、第６図はモールドランナーおよびモールドゲート
が分断された状態を示す平面図である。 ６……下金型、6a……キヤビテイ、21……型板、21a…
…開口部、22……キヤビテイ、23……上金型。
明するための図、第２図は封止樹脂部が形成された状態
を示す平面図、第３図（ａ），（ｂ）は本発明に係る封
止樹脂部を備えた半導体装置を示す側面図と縦断面図、
第４図は従来の樹脂封止形半導体装置の縦断面図、第５
図（ａ）〜（ｄ）は従来のモールド方法を説明するため
の図、第６図はモールドランナーおよびモールドゲート
が分断された状態を示す平面図である。 ６……下金型、6a……キヤビテイ、21……型板、21a…
…開口部、22……キヤビテイ、23……上金型。
Claims (2)
- 【請求項１】下金型上に載置されたリードフレーム上
に、開口部を形成した型板を前記開口部が下金型のキャ
ビティ開口部と対応するように配置し、型締めした後、
上下両金型内に樹脂を注入して硬化させ、次で、ゲート
部およびランナー部で硬化した樹脂と共にリードフレー
ムと型板を金型から離型させ、しかる後、型板をリード
フレームから分離させることを特徴とする半導体装置の
モールド方法。 - 【請求項２】下金型と上金型とからなる金型と、下金型
上に載置されたリードフレームと前記上金型との間に介
装される型板とを備え、前記上金型におけるキャビティ
の開口寸法を下金型におけるキャビティの開口寸法より
小さく形成し、前記型板に、下金型におけるキャビティ
の開口形状と等しい開口形状を有する開口部を形成した
ことを特徴とする半導体装置のモールド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29814787A JP2581113B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体装置のモールド方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29814787A JP2581113B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体装置のモールド方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01138724A JPH01138724A (ja) | 1989-05-31 |
| JP2581113B2 true JP2581113B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=17855803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29814787A Expired - Lifetime JP2581113B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体装置のモールド方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2581113B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03157943A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Nec Yamaguchi Ltd | 樹脂封止型半導体集積回路の製造方法 |
| JP2616685B2 (ja) * | 1993-12-02 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| EP1075022A1 (en) * | 1999-08-04 | 2001-02-07 | STMicroelectronics S.r.l. | Offset edges mold for plastic packaging of integrated semiconductor devices |
| JP5333402B2 (ja) * | 2010-10-06 | 2013-11-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP5947107B2 (ja) * | 2012-05-23 | 2016-07-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-11-25 JP JP29814787A patent/JP2581113B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01138724A (ja) | 1989-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960700875A (ko) | 반도체 장치의 수지봉지 방법 | |
| JP2581113B2 (ja) | 半導体装置のモールド方法および装置 | |
| JP3411448B2 (ja) | 半導体素子の樹脂封止金型及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3727446B2 (ja) | 半導体装置の樹脂封止成形金型 | |
| US6682952B2 (en) | Method of forming the resin sealed semiconductor device using the lead frame | |
| JP2502387B2 (ja) | 半導体素子の樹脂封止方法及び樹脂封止金型 | |
| JP2683204B2 (ja) | 樹脂パッケージング方法及びその装置 | |
| JPH07205188A (ja) | 樹脂成形用装置及び樹脂成形方法 | |
| US6911719B1 (en) | Lead frame for resin sealed semiconductor device | |
| JPH0213141Y2 (ja) | ||
| JP3182302B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP3293105B2 (ja) | 半導体中間構体及びその樹脂モールド装置 | |
| JPH0314332Y2 (ja) | ||
| JP3499269B2 (ja) | カバーフレームと樹脂封止方法 | |
| JPH10209192A (ja) | 中空型半導体パッケージ成形方法 | |
| JP2001024016A (ja) | 半導体パッケージのための樹脂封止装置 | |
| JPH0644105Y2 (ja) | 樹脂モ−ルド型半導体装置のリ−ドフレ−ム | |
| JPH058106Y2 (ja) | ||
| JPH0982736A (ja) | 電子部品におけるパッケージモールド部の成形方法及びその装置 | |
| JPH043770Y2 (ja) | ||
| JPH04246516A (ja) | 電子部品の樹脂モールド装置 | |
| JP2520580Y2 (ja) | 樹脂モールド装置 | |
| JPH05109800A (ja) | 半導体装置の樹脂封止方法および半導体装置用樹脂封止装置 | |
| JP2587539B2 (ja) | 半導体装置の樹脂封止用金型 | |
| JPH07314492A (ja) | 樹脂成形方法 |