JPH01138724A - 半導体装置のモールド方法および装置 - Google Patents
半導体装置のモールド方法および装置Info
- Publication number
- JPH01138724A JPH01138724A JP29814787A JP29814787A JPH01138724A JP H01138724 A JPH01138724 A JP H01138724A JP 29814787 A JP29814787 A JP 29814787A JP 29814787 A JP29814787 A JP 29814787A JP H01138724 A JPH01138724 A JP H01138724A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- lead frame
- lower mold
- resin
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000465 moulding Methods 0.000 title claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 43
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 21
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 16
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止形半導体装置の樹脂パッケージを成形
するモールド方法および成形装置に関するものである。
するモールド方法および成形装置に関するものである。
従来のこの種半導体装置は第４図に示すように構成され
ている。同図は樹脂封止形半導体装置の縦断面図で、同
図において、１はｒｃチップ、２は前記ＩＣチップ１が
搭載されるダイパッド部、３け外部リード、４はこの外
部リード３と前記ＩＣチップ１とを接続するだめのイン
ナーリード、５は封止樹脂部で、この封止樹脂部５はダ
イパッド部２および外部リード４の上側に形成された上
モールド部５＆と、下側に形成された下モールド部５ｂ
とからなり、後述する金型内に溶融された樹脂と注入す
ることによって成形されている。この封止樹脂部５を形
成するには、第５図（ａ）〜（ｄ）に示すような手順に
より行なわれる。第５図（−）において、６はモールド
装置の下金型、７は同じく上金型で、これら下金型６．
上金型７はそれぞれモ−ルド装置本体（図示せず）に連
結され、互いに接離自在に設けられている。また、この
下金型６には樹脂が注入され前記封止樹脂５の下モール
ド部５ｂを成形するためのキャビティ６息と、後述する
リードフレームを支承する載置部６ｂとが形成されてい
る。上金型７には前記下金型６のキャビティ６ｍと対向
するキャビティ７ａが形成され、これらキャビティ５ｍ
、７ａ内に樹脂（図示せず）を流し込むためのランナー
７ｂおよびゲート７Ｃが形成されている。８は前記ダイ
パッド部２および外部リード３を一体的に備えたリード
フレーム、９はこのリードフレーム８を下金型６に位置
決めするための位置決めビンで、前記下金型６に立設さ
れている。すなわち、前記上、下両金型６．７を使用し
て封止樹脂５を成形するには、先ず第５図（−）に示す
ように、ＩＣチップ１が搭載されかつインナーリード４
によってＩＣチップ１と外部リード３とが接続されたリ
ードフレーム８を下金型６の載置部６ｂ上に位置決めビ
ン９によって位置決めさせて載置させる。次で同図（ｂ
）に示すように、下金型６と上金型７とを近接させて型
締めする。
ている。同図は樹脂封止形半導体装置の縦断面図で、同
図において、１はｒｃチップ、２は前記ＩＣチップ１が
搭載されるダイパッド部、３け外部リード、４はこの外
部リード３と前記ＩＣチップ１とを接続するだめのイン
ナーリード、５は封止樹脂部で、この封止樹脂部５はダ
イパッド部２および外部リード４の上側に形成された上
モールド部５＆と、下側に形成された下モールド部５ｂ
とからなり、後述する金型内に溶融された樹脂と注入す
ることによって成形されている。この封止樹脂部５を形
成するには、第５図（ａ）〜（ｄ）に示すような手順に
より行なわれる。第５図（−）において、６はモールド
装置の下金型、７は同じく上金型で、これら下金型６．
上金型７はそれぞれモ−ルド装置本体（図示せず）に連
結され、互いに接離自在に設けられている。また、この
下金型６には樹脂が注入され前記封止樹脂５の下モール
ド部５ｂを成形するためのキャビティ６息と、後述する
リードフレームを支承する載置部６ｂとが形成されてい
る。上金型７には前記下金型６のキャビティ６ｍと対向
するキャビティ７ａが形成され、これらキャビティ５ｍ
、７ａ内に樹脂（図示せず）を流し込むためのランナー
７ｂおよびゲート７Ｃが形成されている。８は前記ダイ
パッド部２および外部リード３を一体的に備えたリード
フレーム、９はこのリードフレーム８を下金型６に位置
決めするための位置決めビンで、前記下金型６に立設さ
れている。すなわち、前記上、下両金型６．７を使用し
て封止樹脂５を成形するには、先ず第５図（−）に示す
ように、ＩＣチップ１が搭載されかつインナーリード４
によってＩＣチップ１と外部リード３とが接続されたリ
ードフレーム８を下金型６の載置部６ｂ上に位置決めビ
ン９によって位置決めさせて載置させる。次で同図（ｂ
）に示すように、下金型６と上金型７とを近接させて型
締めする。
この状態でキャビティ６ａ、７ａによって前記ＩＣチッ
プ１．ダイパッド部２．外部リード３の一部およびイン
ナーリード４が囲まれることになる。
プ１．ダイパッド部２．外部リード３の一部およびイン
ナーリード４が囲まれることになる。
そして、このキャビティ６ｍ 、 ７ａ内に加熱溶融さ
れた樹脂を注入し、樹脂が硬化した後に型開きを行ない
、同図（ｅ）Ｋ示すように、ランナー７ｂおよびゲート
７ｃ内で硬化したモールドランナー１０゜モールドゲー
ト１１と共にキャビティ６ａ、７ａ内で硬化した封止樹
脂部５を取り出す。しかる後、同図（ｄ）に示すように
、封止樹脂部５とモールドランナー１０．モールドゲー
ト１１とを分断させる。
れた樹脂を注入し、樹脂が硬化した後に型開きを行ない
、同図（ｅ）Ｋ示すように、ランナー７ｂおよびゲート
７ｃ内で硬化したモールドランナー１０゜モールドゲー
ト１１と共にキャビティ６ａ、７ａ内で硬化した封止樹
脂部５を取り出す。しかる後、同図（ｄ）に示すように
、封止樹脂部５とモールドランナー１０．モールドゲー
ト１１とを分断させる。
また、第６図はモールドランナー１０およびモールドゲ
ート１１が分断された状態を示す平面図で、同図におい
てｌ１ｍはモールドゲート１１の残りを示し、８ａは各
外部リード３．３・・・を支持するリードフレームタイ
バーである。
ート１１が分断された状態を示す平面図で、同図におい
てｌ１ｍはモールドゲート１１の残りを示し、８ａは各
外部リード３．３・・・を支持するリードフレームタイ
バーである。
このように封止樹脂部５が形成された後、リードフレー
ム８の表面処理を行ない、リードフレームタイバー８１
切断工程、外部リード３の分断。
ム８の表面処理を行ない、リードフレームタイバー８１
切断工程、外部リード３の分断。
曲げ工程を経て、第４図に示すような半導体装置が完成
する。
する。
しかるに、このようなモールド装置を使用した方法では
、上、下金型６，７が互いにずれ、キャビティ６ａと７
１との位置がずれると、第４図中人で示すように上モー
ルド部５ａが下モールド部５ｂより側方に突出すること
になり、外部リード３の分断２曲げ加工工程において封
止樹脂部５に傷がつくという問題があった。
、上、下金型６，７が互いにずれ、キャビティ６ａと７
１との位置がずれると、第４図中人で示すように上モー
ルド部５ａが下モールド部５ｂより側方に突出すること
になり、外部リード３の分断２曲げ加工工程において封
止樹脂部５に傷がつくという問題があった。
また、第６図に示すように、モールドゲート１１の一部
がリードフレーム８上に接着され、封止樹脂部５と共に
残り、これを後工程において除去しなければならなかっ
た。
がリードフレーム８上に接着され、封止樹脂部５と共に
残り、これを後工程において除去しなければならなかっ
た。
本発明に係る半導体装置のモールド方法は、下金型上に
載置されたリードフレーム上に下金型のキャビティと開
口部とを対応させて型板を配置し、型締めした後、上下
両金型内に樹脂を注入して硬化させ、次で、ゲート部お
よびランナー部で硬化した樹脂と共にリードフレームお
よび型板を離型させ、しかる後、型板をリードフレーム
から分離させるものである。
載置されたリードフレーム上に下金型のキャビティと開
口部とを対応させて型板を配置し、型締めした後、上下
両金型内に樹脂を注入して硬化させ、次で、ゲート部お
よびランナー部で硬化した樹脂と共にリードフレームお
よび型板を離型させ、しかる後、型板をリードフレーム
から分離させるものである。
また、本発明の別の発明に係る半導体装置用モールド装
置は、下金型におけるキャビティの開口形状と等しい開
口形状を有する開口部が形成されかつ下金型上に載置さ
れたリードフレームと上金型との間に介装される型板を
備えると共に１上金型におけるキャビティの開口寸法を
下金型におけるキャビティの開口寸法より小さく形成し
たものである。
置は、下金型におけるキャビティの開口形状と等しい開
口形状を有する開口部が形成されかつ下金型上に載置さ
れたリードフレームと上金型との間に介装される型板を
備えると共に１上金型におけるキャビティの開口寸法を
下金型におけるキャビティの開口寸法より小さく形成し
たものである。
〔作用〕
ゲート部で硬化した樹脂が型板の開口縁部に沿って分断
され、また、下金型におけるキャビティの開口寸法と上
金型におけるキャビティの開口寸法との差だけ上、下両
金型のずれに対する許容範囲が大きくなる。
され、また、下金型におけるキャビティの開口寸法と上
金型におけるキャビティの開口寸法との差だけ上、下両
金型のずれに対する許容範囲が大きくなる。
以下、本発明を図に示す実施例により詳細に説明する。
第１図（−）〜伽）は本発明に係るモールド方法を説明
するための図、第２図は封止樹脂部が形成された状態を
示す平面図、第３図（−） 、 （ｂ）は本発明に係る
封止樹脂部を備えた半導体装置を示す側面図と縦断面図
である。
するための図、第２図は封止樹脂部が形成された状態を
示す平面図、第３図（−） 、 （ｂ）は本発明に係る
封止樹脂部を備えた半導体装置を示す側面図と縦断面図
である。
これらの図において前記従来例で説明したものと同一も
しくは同等部材については同一符号を付し、ここにおい
て詳細な説明は省略する。これらの図において、２１は
型板としてのスペーサで、このスペーサ２１はリードフ
レーム８よシ若干厚く、表、裏面が平滑な金属板によっ
て形成されておシ、下金型６におけるキャビティ６ａの
開口形状と等しい開口部２１ａと、位置決めビン９が貫
通する位置決め穴２１ｂとが形成されている。また、第
１図における下金型６の載置部６ｂは、前記スペーサ２
１をリードフレーム８上に載置した時にスペーサ２１の
上面と金型面が同じ高さになるようにスペーサ２１の厚
み寸法だけ深く形成されている。２２は上金型２３のキ
ャビティで、このキャビティ２２はその開口寸法が下金
型６におけるキャビティ６為の開口寸法より小さく形成
されている。
しくは同等部材については同一符号を付し、ここにおい
て詳細な説明は省略する。これらの図において、２１は
型板としてのスペーサで、このスペーサ２１はリードフ
レーム８よシ若干厚く、表、裏面が平滑な金属板によっ
て形成されておシ、下金型６におけるキャビティ６ａの
開口形状と等しい開口部２１ａと、位置決めビン９が貫
通する位置決め穴２１ｂとが形成されている。また、第
１図における下金型６の載置部６ｂは、前記スペーサ２
１をリードフレーム８上に載置した時にスペーサ２１の
上面と金型面が同じ高さになるようにスペーサ２１の厚
み寸法だけ深く形成されている。２２は上金型２３のキ
ャビティで、このキャビティ２２はその開口寸法が下金
型６におけるキャビティ６為の開口寸法より小さく形成
されている。
次にこのように構成された上金型、下金型およびスペー
サを備え次モールド装置によって、封止樹脂５を成形す
る方法を説明する。
サを備え次モールド装置によって、封止樹脂５を成形す
る方法を説明する。
先ず、第１図（１）に示すように、ＩＣチップ１が搭載
されかつインナーリード４によってＩＣチップ１と外部
リード３とが接続されたリードフレーム８を下金型６の
載置部６ｂ上に載置させる。この際、リードフレーム８
は位置決めビン９によって位置決めされる。次で同図（
ｂ）に示すように、スペーサ２１を、位置決め穴２１
ｂＫ位置決めビン９を挿通させて位置決めし、前記リー
ドフレーム８上に載置させる。その後、同図（Ｃ）に示
すように下金型６と上金型２３とを近接させて型締めす
る。
されかつインナーリード４によってＩＣチップ１と外部
リード３とが接続されたリードフレーム８を下金型６の
載置部６ｂ上に載置させる。この際、リードフレーム８
は位置決めビン９によって位置決めされる。次で同図（
ｂ）に示すように、スペーサ２１を、位置決め穴２１
ｂＫ位置決めビン９を挿通させて位置決めし、前記リー
ドフレーム８上に載置させる。その後、同図（Ｃ）に示
すように下金型６と上金型２３とを近接させて型締めす
る。
そして、同図（ｄ）に示すように、この下金型６および
上金型２３のキャビティ５ｍ 、 ２２内に加熱溶融さ
れた樹脂を注入し、硬化させ、しかる後、同図（、）に
示すように型開きを行なう。そして、同図（ｆ）に示す
ように、モールドランナー１０．モールドゲート１１と
共に封止樹脂部５を下金型６から取り出す。この際スペ
ーサ２１は、樹脂が開口部２１ｍの内側面に接着した状
態で硬化しているため、リードフレーム８と共に下金型
６内から取シ出されることになる。次でスペーサ２１を
リードフレーム８から分離させることによって、同図０
）および色）に示すように、モールドランナー１０およ
びモールドゲート１１と封止樹脂部５とがスペーサ２１
における開口部２１＆の開口縁部に沿って分断される。
上金型２３のキャビティ５ｍ 、 ２２内に加熱溶融さ
れた樹脂を注入し、硬化させ、しかる後、同図（、）に
示すように型開きを行なう。そして、同図（ｆ）に示す
ように、モールドランナー１０．モールドゲート１１と
共に封止樹脂部５を下金型６から取り出す。この際スペ
ーサ２１は、樹脂が開口部２１ｍの内側面に接着した状
態で硬化しているため、リードフレーム８と共に下金型
６内から取シ出されることになる。次でスペーサ２１を
リードフレーム８から分離させることによって、同図０
）および色）に示すように、モールドランナー１０およ
びモールドゲート１１と封止樹脂部５とがスペーサ２１
における開口部２１＆の開口縁部に沿って分断される。
すなわち、このスペーサ２１によって、リードフレーム
８にモールドゲート１１が接着せず、しかも封止樹脂部
５の側部が垂直に成形されるから、第２図に示すように
モールドゲート１１が封止樹脂部５に残ることはない。
８にモールドゲート１１が接着せず、しかも封止樹脂部
５の側部が垂直に成形されるから、第２図に示すように
モールドゲート１１が封止樹脂部５に残ることはない。
このように封止樹脂部５が形成された後、リードフレー
ムの表面処理工程、リードフレームタイバー８ａ切断工
程、外部リード３の分断１曲げ工程を経て、第３図（＝
） 、 （ｂ）に示すような半導体装置が完成する。同
図において、封止樹脂部５は上受〜ルド部５Ａと、中モ
ールド部５Ｂと、下モールド部５ｂとなり、この上モー
ルド部５Ａは上金型２３のキャビティ２２によって形成
され、その長さ寸法Ｌ１および幅寸法Ｗ、は、下モール
ド部５ｂの長さ寸法Ｌ２および幅寸法Ｗ！より小さく形
成されている。また、中モールド部５Ｂはスペーサ２１
の開口部２１ｍ内で形成され、その周側面は、スペーサ
２１が下金型６に位置ずれを起こすことなく形成されて
いる。したがって、下金型６と上金型２３とが型締めさ
れる際に位置ずれを起こした場合、その位置ずれ量が前
記上モールド部５Ａと下モールド部５ｂとの寸法差より
少なければ、上モールド部５Ａが下モールド部５ｂない
し中モールド部５Ｂの周側部より突出するようなことは
ない。
ムの表面処理工程、リードフレームタイバー８ａ切断工
程、外部リード３の分断１曲げ工程を経て、第３図（＝
） 、 （ｂ）に示すような半導体装置が完成する。同
図において、封止樹脂部５は上受〜ルド部５Ａと、中モ
ールド部５Ｂと、下モールド部５ｂとなり、この上モー
ルド部５Ａは上金型２３のキャビティ２２によって形成
され、その長さ寸法Ｌ１および幅寸法Ｗ、は、下モール
ド部５ｂの長さ寸法Ｌ２および幅寸法Ｗ！より小さく形
成されている。また、中モールド部５Ｂはスペーサ２１
の開口部２１ｍ内で形成され、その周側面は、スペーサ
２１が下金型６に位置ずれを起こすことなく形成されて
いる。したがって、下金型６と上金型２３とが型締めさ
れる際に位置ずれを起こした場合、その位置ずれ量が前
記上モールド部５Ａと下モールド部５ｂとの寸法差より
少なければ、上モールド部５Ａが下モールド部５ｂない
し中モールド部５Ｂの周側部より突出するようなことは
ない。
なお、スペーサ２１をステンレス板で形成すると、長期
間にわたる繰り返し使用に耐え得るスペーサを得ること
ができる。
間にわたる繰り返し使用に耐え得るスペーサを得ること
ができる。
以上説明したように本発明によれば、下金型のキャビテ
ィと開口部とを対応させて型板を配置し、型締めした後
、上下両金型内に樹脂を注入して硬化させ、次で、ゲー
ト部およびランナー部で硬化した樹脂と共にリードフレ
ームおよび型板を離型させ、しかる後、型板をリードフ
レームから分離させるため、ゲート部で硬化した樹脂が
型板の開口縁部に沿って分断されることになり、リード
フレーム上に残ることがないから、後工程においてこれ
を除去する工程が省け、半導体装置の製造コストを低く
抑えることができる。
ィと開口部とを対応させて型板を配置し、型締めした後
、上下両金型内に樹脂を注入して硬化させ、次で、ゲー
ト部およびランナー部で硬化した樹脂と共にリードフレ
ームおよび型板を離型させ、しかる後、型板をリードフ
レームから分離させるため、ゲート部で硬化した樹脂が
型板の開口縁部に沿って分断されることになり、リード
フレーム上に残ることがないから、後工程においてこれ
を除去する工程が省け、半導体装置の製造コストを低く
抑えることができる。
また、前記モールド方法を実施するモールド装置は、下
金型におけるキャビティの開口形状と等しい開口形状を
有する開口部が形成されかつ下金型上に載置されたリー
ドフレームと上金型との間に介装される型板を備えると
共に、上金型におけるキャビティの開口寸法を下金型に
おけるキャビティの開口寸法より小さく形成したため、
下金型におけるキャビティの開口寸法と上金型における
キャビティの開口寸法との差だけ上、下側金型のずれに
対する許容範囲が大きくなるから、上、下側金型の型締
め時に位置ずれが生じた場合でも、その位置ずれ量が前
記上、下側キャビティの開口寸法差より少なければ、上
モールド部が下モールド部より側方に突出することがな
いので、外部リードの分断９曲げ加工工程において封止
樹脂部に傷がつくことがない。したがって、高精度、高
品質な半導体装置を得ることができる。
金型におけるキャビティの開口形状と等しい開口形状を
有する開口部が形成されかつ下金型上に載置されたリー
ドフレームと上金型との間に介装される型板を備えると
共に、上金型におけるキャビティの開口寸法を下金型に
おけるキャビティの開口寸法より小さく形成したため、
下金型におけるキャビティの開口寸法と上金型における
キャビティの開口寸法との差だけ上、下側金型のずれに
対する許容範囲が大きくなるから、上、下側金型の型締
め時に位置ずれが生じた場合でも、その位置ずれ量が前
記上、下側キャビティの開口寸法差より少なければ、上
モールド部が下モールド部より側方に突出することがな
いので、外部リードの分断９曲げ加工工程において封止
樹脂部に傷がつくことがない。したがって、高精度、高
品質な半導体装置を得ることができる。
第１図（１）〜伽）は本発明に係るモールド方法を説明
するための図、第２図は封止樹脂部が形成された状態を
示す平面図、第３図（、） 、 （ｂ）は本発明に係る
封止樹脂部を備えた半導体装置を示す側面図と縦断面図
、第４図は従来の樹脂封止形半導体装置の縦断面図、第
５図（−）〜（ｄ）は従来のモールド方法を説明するた
めの図、第６図はモールドランナーおよびモールドゲー
トが分断された状態を示す平面図である。 ６・・−・下金型、６１１１・・・キャビティ、２１・
・・・型板、２１ａ ・・・１１開口部、２２０．・拳
キャビティ、２３壷・拳・上金型。
するための図、第２図は封止樹脂部が形成された状態を
示す平面図、第３図（、） 、 （ｂ）は本発明に係る
封止樹脂部を備えた半導体装置を示す側面図と縦断面図
、第４図は従来の樹脂封止形半導体装置の縦断面図、第
５図（−）〜（ｄ）は従来のモールド方法を説明するた
めの図、第６図はモールドランナーおよびモールドゲー
トが分断された状態を示す平面図である。 ６・・−・下金型、６１１１・・・キャビティ、２１・
・・・型板、２１ａ ・・・１１開口部、２２０．・拳
キャビティ、２３壷・拳・上金型。
Claims (2)
- （１）下金型上に載置されたリードフレーム上に下金型
のキャビティと開口部とを対応させて型板を配置し、型
締めした後、上下両金型内に樹脂を注入して硬化させ、
次で、ゲート部およびランナー部で硬化した樹脂と共に
リードフレームおよび型板を離型させ、しかる後、型板
をリードフレームから分離させることを特徴とする半導
体装置のモールド方法。 - （２）下金型におけるキャビティの開口形状と等しい開
口形状を有する開口部が形成されかつ下金型上に載置さ
れたリードフレームと上金型との間に介装される型板を
備えると共に、上金型におけるキャビティの開口寸法を
下金型におけるキャビティの開口寸法より小さく形成し
たことを特徴とする半導体装置のモールド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29814787A JP2581113B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体装置のモールド方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29814787A JP2581113B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体装置のモールド方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01138724A true JPH01138724A (ja) | 1989-05-31 |
| JP2581113B2 JP2581113B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=17855803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29814787A Expired - Lifetime JP2581113B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 半導体装置のモールド方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2581113B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03157943A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Nec Yamaguchi Ltd | 樹脂封止型半導体集積回路の製造方法 |
| JPH07161748A (ja) * | 1993-12-02 | 1995-06-23 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| EP1075022A1 (en) * | 1999-08-04 | 2001-02-07 | STMicroelectronics S.r.l. | Offset edges mold for plastic packaging of integrated semiconductor devices |
| CN102446777A (zh) * | 2010-10-06 | 2012-05-09 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| JP2013247131A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-09 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-11-25 JP JP29814787A patent/JP2581113B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03157943A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Nec Yamaguchi Ltd | 樹脂封止型半導体集積回路の製造方法 |
| JPH07161748A (ja) * | 1993-12-02 | 1995-06-23 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JP2616685B2 (ja) * | 1993-12-02 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| EP1075022A1 (en) * | 1999-08-04 | 2001-02-07 | STMicroelectronics S.r.l. | Offset edges mold for plastic packaging of integrated semiconductor devices |
| CN102446777A (zh) * | 2010-10-06 | 2012-05-09 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
| JP2013247131A (ja) * | 2012-05-23 | 2013-12-09 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2581113B2 (ja) | 1997-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100851708B1 (ko) | 수지 밀봉 금형 및 수지 밀봉 장치 | |
| JPH01138724A (ja) | 半導体装置のモールド方法および装置 | |
| JP3727446B2 (ja) | 半導体装置の樹脂封止成形金型 | |
| JP4202632B2 (ja) | 一括封止型半導体パッケージの樹脂封止構造およびその製造装置 | |
| JP2502387B2 (ja) | 半導体素子の樹脂封止方法及び樹脂封止金型 | |
| JPH10209192A (ja) | 中空型半導体パッケージ成形方法 | |
| JPH11176854A (ja) | 電子部品における合成樹脂製パッケージ体の成形装置 | |
| JPH0982736A (ja) | 電子部品におけるパッケージモールド部の成形方法及びその装置 | |
| JP2683204B2 (ja) | 樹脂パッケージング方法及びその装置 | |
| JPS60138949A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPH058106Y2 (ja) | ||
| JPS6213037A (ja) | 樹脂封止装置 | |
| JP3499269B2 (ja) | カバーフレームと樹脂封止方法 | |
| JPH07205188A (ja) | 樹脂成形用装置及び樹脂成形方法 | |
| JPS635539A (ja) | 半導体装置の樹脂封止装置 | |
| JPH0213141Y2 (ja) | ||
| JPH02207540A (ja) | 半導体封止装置 | |
| JPH0642336Y2 (ja) | 半導体素子の樹脂封止装置 | |
| JPH06151493A (ja) | テープキャリアパッケージのモールド方法とそれに用いる搬送キャリア | |
| JPH04246516A (ja) | 電子部品の樹脂モールド装置 | |
| JPH0722447A (ja) | 樹脂モールドパッケージ型電子部品の製造における樹脂モールド工程の後処理装置および方法 | |
| JPH11179763A (ja) | トランスファ成形装置 | |
| JPH06126771A (ja) | 樹脂成形用金型 | |
| JPH06244228A (ja) | リードフレーム及びその樹脂封止用成形型 | |
| JPS6395633A (ja) | 半導体装置の樹脂封止装置 |