JPH01138724A - 半導体装置のモールド方法および装置 - Google Patents

半導体装置のモールド方法および装置

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JPH01138724A
JPH01138724A JP29814787A JP29814787A JPH01138724A JP H01138724 A JPH01138724 A JP H01138724A JP 29814787 A JP29814787 A JP 29814787A JP 29814787 A JP29814787 A JP 29814787A JP H01138724 A JPH01138724 A JP H01138724A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止形半導体装置の樹脂パッケージを成形
するモールド方法および成形装置に関するものである。
〔従来の技術〕
従来のこの種半導体装置は第4図に示すように構成され
ている。同図は樹脂封止形半導体装置の縦断面図で、同
図において、1はrcチップ、2は前記ICチップ1が
搭載されるダイパッド部、3け外部リード、4はこの外
部リード3と前記ICチップ1とを接続するだめのイン
ナーリード、5は封止樹脂部で、この封止樹脂部5はダ
イパッド部2および外部リード4の上側に形成された上
モールド部5&と、下側に形成された下モールド部5b
とからなり、後述する金型内に溶融された樹脂と注入す
ることによって成形されている。この封止樹脂部5を形
成するには、第5図(a)〜(d)に示すような手順に
より行なわれる。第5図(−)において、6はモールド
装置の下金型、7は同じく上金型で、これら下金型6.
上金型7はそれぞれモ−ルド装置本体(図示せず)に連
結され、互いに接離自在に設けられている。また、この
下金型6には樹脂が注入され前記封止樹脂5の下モール
ド部5bを成形するためのキャビティ6息と、後述する
リードフレームを支承する載置部6bとが形成されてい
る。上金型7には前記下金型6のキャビティ6mと対向
するキャビティ7aが形成され、これらキャビティ5m
、7a内に樹脂(図示せず)を流し込むためのランナー
7bおよびゲート7Cが形成されている。8は前記ダイ
パッド部2および外部リード3を一体的に備えたリード
フレーム、9はこのリードフレーム8を下金型6に位置
決めするための位置決めビンで、前記下金型6に立設さ
れている。すなわち、前記上、下両金型6.7を使用し
て封止樹脂5を成形するには、先ず第5図(−)に示す
ように、ICチップ1が搭載されかつインナーリード4
によってICチップ1と外部リード3とが接続されたリ
ードフレーム8を下金型6の載置部6b上に位置決めビ
ン9によって位置決めさせて載置させる。次で同図(b
)に示すように、下金型6と上金型7とを近接させて型
締めする。
この状態でキャビティ6a、7aによって前記ICチッ
プ1.ダイパッド部2.外部リード3の一部およびイン
ナーリード4が囲まれることになる。
そして、このキャビティ6m 、 7a内に加熱溶融さ
れた樹脂を注入し、樹脂が硬化した後に型開きを行ない
、同図(e)K示すように、ランナー7bおよびゲート
7c内で硬化したモールドランナー10゜モールドゲー
ト11と共にキャビティ6a、7a内で硬化した封止樹
脂部5を取り出す。しかる後、同図(d)に示すように
、封止樹脂部5とモールドランナー10.モールドゲー
ト11とを分断させる。
また、第6図はモールドランナー10およびモールドゲ
ート11が分断された状態を示す平面図で、同図におい
てl1mはモールドゲート11の残りを示し、8aは各
外部リード3.3・・・を支持するリードフレームタイ
バーである。
このように封止樹脂部5が形成された後、リードフレー
ム8の表面処理を行ない、リードフレームタイバー81
切断工程、外部リード3の分断。
曲げ工程を経て、第4図に示すような半導体装置が完成
する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかるに、このようなモールド装置を使用した方法では
、上、下金型6,7が互いにずれ、キャビティ6aと7
1との位置がずれると、第4図中人で示すように上モー
ルド部5aが下モールド部5bより側方に突出すること
になり、外部リード3の分断2曲げ加工工程において封
止樹脂部5に傷がつくという問題があった。
また、第6図に示すように、モールドゲート11の一部
がリードフレーム8上に接着され、封止樹脂部5と共に
残り、これを後工程において除去しなければならなかっ
た。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明に係る半導体装置のモールド方法は、下金型上に
載置されたリードフレーム上に下金型のキャビティと開
口部とを対応させて型板を配置し、型締めした後、上下
両金型内に樹脂を注入して硬化させ、次で、ゲート部お
よびランナー部で硬化した樹脂と共にリードフレームお
よび型板を離型させ、しかる後、型板をリードフレーム
から分離させるものである。
また、本発明の別の発明に係る半導体装置用モールド装
置は、下金型におけるキャビティの開口形状と等しい開
口形状を有する開口部が形成されかつ下金型上に載置さ
れたリードフレームと上金型との間に介装される型板を
備えると共に1上金型におけるキャビティの開口寸法を
下金型におけるキャビティの開口寸法より小さく形成し
たものである。
〔作用〕 ゲート部で硬化した樹脂が型板の開口縁部に沿って分断
され、また、下金型におけるキャビティの開口寸法と上
金型におけるキャビティの開口寸法との差だけ上、下両
金型のずれに対する許容範囲が大きくなる。
〔実施例〕
以下、本発明を図に示す実施例により詳細に説明する。
第1図(−)〜伽)は本発明に係るモールド方法を説明
するための図、第2図は封止樹脂部が形成された状態を
示す平面図、第3図(−) 、 (b)は本発明に係る
封止樹脂部を備えた半導体装置を示す側面図と縦断面図
である。
これらの図において前記従来例で説明したものと同一も
しくは同等部材については同一符号を付し、ここにおい
て詳細な説明は省略する。これらの図において、21は
型板としてのスペーサで、このスペーサ21はリードフ
レーム8よシ若干厚く、表、裏面が平滑な金属板によっ
て形成されておシ、下金型6におけるキャビティ6aの
開口形状と等しい開口部21aと、位置決めビン9が貫
通する位置決め穴21bとが形成されている。また、第
1図における下金型6の載置部6bは、前記スペーサ2
1をリードフレーム8上に載置した時にスペーサ21の
上面と金型面が同じ高さになるようにスペーサ21の厚
み寸法だけ深く形成されている。22は上金型23のキ
ャビティで、このキャビティ22はその開口寸法が下金
型6におけるキャビティ6為の開口寸法より小さく形成
されている。
次にこのように構成された上金型、下金型およびスペー
サを備え次モールド装置によって、封止樹脂5を成形す
る方法を説明する。
先ず、第1図(1)に示すように、ICチップ1が搭載
されかつインナーリード4によってICチップ1と外部
リード3とが接続されたリードフレーム8を下金型6の
載置部6b上に載置させる。この際、リードフレーム8
は位置決めビン9によって位置決めされる。次で同図(
b)に示すように、スペーサ21を、位置決め穴21 
bK位置決めビン9を挿通させて位置決めし、前記リー
ドフレーム8上に載置させる。その後、同図(C)に示
すように下金型6と上金型23とを近接させて型締めす
る。
そして、同図(d)に示すように、この下金型6および
上金型23のキャビティ5m 、 22内に加熱溶融さ
れた樹脂を注入し、硬化させ、しかる後、同図(、)に
示すように型開きを行なう。そして、同図(f)に示す
ように、モールドランナー10.モールドゲート11と
共に封止樹脂部5を下金型6から取り出す。この際スペ
ーサ21は、樹脂が開口部21mの内側面に接着した状
態で硬化しているため、リードフレーム8と共に下金型
6内から取シ出されることになる。次でスペーサ21を
リードフレーム8から分離させることによって、同図0
)および色)に示すように、モールドランナー10およ
びモールドゲート11と封止樹脂部5とがスペーサ21
における開口部21&の開口縁部に沿って分断される。
すなわち、このスペーサ21によって、リードフレーム
8にモールドゲート11が接着せず、しかも封止樹脂部
5の側部が垂直に成形されるから、第2図に示すように
モールドゲート11が封止樹脂部5に残ることはない。
このように封止樹脂部5が形成された後、リードフレー
ムの表面処理工程、リードフレームタイバー8a切断工
程、外部リード3の分断1曲げ工程を経て、第3図(=
) 、 (b)に示すような半導体装置が完成する。同
図において、封止樹脂部5は上受〜ルド部5Aと、中モ
ールド部5Bと、下モールド部5bとなり、この上モー
ルド部5Aは上金型23のキャビティ22によって形成
され、その長さ寸法L1および幅寸法W、は、下モール
ド部5bの長さ寸法L2および幅寸法W!より小さく形
成されている。また、中モールド部5Bはスペーサ21
の開口部21m内で形成され、その周側面は、スペーサ
21が下金型6に位置ずれを起こすことなく形成されて
いる。したがって、下金型6と上金型23とが型締めさ
れる際に位置ずれを起こした場合、その位置ずれ量が前
記上モールド部5Aと下モールド部5bとの寸法差より
少なければ、上モールド部5Aが下モールド部5bない
し中モールド部5Bの周側部より突出するようなことは
ない。
なお、スペーサ21をステンレス板で形成すると、長期
間にわたる繰り返し使用に耐え得るスペーサを得ること
ができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、下金型のキャビテ
ィと開口部とを対応させて型板を配置し、型締めした後
、上下両金型内に樹脂を注入して硬化させ、次で、ゲー
ト部およびランナー部で硬化した樹脂と共にリードフレ
ームおよび型板を離型させ、しかる後、型板をリードフ
レームから分離させるため、ゲート部で硬化した樹脂が
型板の開口縁部に沿って分断されることになり、リード
フレーム上に残ることがないから、後工程においてこれ
を除去する工程が省け、半導体装置の製造コストを低く
抑えることができる。
また、前記モールド方法を実施するモールド装置は、下
金型におけるキャビティの開口形状と等しい開口形状を
有する開口部が形成されかつ下金型上に載置されたリー
ドフレームと上金型との間に介装される型板を備えると
共に、上金型におけるキャビティの開口寸法を下金型に
おけるキャビティの開口寸法より小さく形成したため、
下金型におけるキャビティの開口寸法と上金型における
キャビティの開口寸法との差だけ上、下側金型のずれに
対する許容範囲が大きくなるから、上、下側金型の型締
め時に位置ずれが生じた場合でも、その位置ずれ量が前
記上、下側キャビティの開口寸法差より少なければ、上
モールド部が下モールド部より側方に突出することがな
いので、外部リードの分断9曲げ加工工程において封止
樹脂部に傷がつくことがない。したがって、高精度、高
品質な半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(1)〜伽)は本発明に係るモールド方法を説明
するための図、第2図は封止樹脂部が形成された状態を
示す平面図、第3図(、) 、 (b)は本発明に係る
封止樹脂部を備えた半導体装置を示す側面図と縦断面図
、第4図は従来の樹脂封止形半導体装置の縦断面図、第
5図(−)〜(d)は従来のモールド方法を説明するた
めの図、第6図はモールドランナーおよびモールドゲー
トが分断された状態を示す平面図である。 6・・−・下金型、6111・・・キャビティ、21・
・・・型板、21a ・・・11開口部、220.・拳
キャビティ、23壷・拳・上金型。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)下金型上に載置されたリードフレーム上に下金型
    のキャビティと開口部とを対応させて型板を配置し、型
    締めした後、上下両金型内に樹脂を注入して硬化させ、
    次で、ゲート部およびランナー部で硬化した樹脂と共に
    リードフレームおよび型板を離型させ、しかる後、型板
    をリードフレームから分離させることを特徴とする半導
    体装置のモールド方法。
  2. (2)下金型におけるキャビティの開口形状と等しい開
    口形状を有する開口部が形成されかつ下金型上に載置さ
    れたリードフレームと上金型との間に介装される型板を
    備えると共に、上金型におけるキャビティの開口寸法を
    下金型におけるキャビティの開口寸法より小さく形成し
    たことを特徴とする半導体装置のモールド装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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